專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示器件，并具體涉及一種電致發(fā)光器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，通過從陰極向發(fā)光層注入電子和從陽極注入空穴，將這些電子和空穴復(fù)合從而產(chǎn)生激子，并使該激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)來實(shí)現(xiàn)有機(jī)電致發(fā)光(EL)器件的發(fā)光。與液晶顯示(LCD)器件不同，由于通過激子在兩個(gè)狀態(tài)之間的躍遷使發(fā)光層發(fā)射光，因此該有機(jī)EL器件不需要其它的光源。因此，可以減小有機(jī)EL器件的大小和重量。由于有機(jī)EL器件具有功耗低、亮度高、和響應(yīng)時(shí)間快的特點(diǎn)，因此這些有機(jī)EL器件可以應(yīng)用于多種消費(fèi)電器產(chǎn)品，例如手機(jī)、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)(CNS)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式攝像機(jī)和掌上電腦。另外，由于有機(jī)EL器件的制造簡單，因此有機(jī)EL器件的制造成本也低于LCD器件。
有機(jī)EL器件可以分為兩類無源矩陣有機(jī)EL器件和有源矩陣有機(jī)EL器件。雖然無源矩陣有機(jī)EL器件的結(jié)構(gòu)更為簡單且可以利用簡單的制造工藝來制造，但是無源矩陣有機(jī)EL器件也有很多缺點(diǎn)。無源矩陣有機(jī)EL器件需要相對較大的功率來使器件工作，且其結(jié)構(gòu)也限制了無源矩陣有機(jī)EL器件的顯示尺寸。另外，隨著導(dǎo)線總數(shù)的增加，無源矩陣有機(jī)EL器件的孔徑比減小。相反，有源矩陣有機(jī)EL器件具有很高的發(fā)光效率，并且能夠以相對較低的功率使更大尺寸顯示器產(chǎn)生高質(zhì)量圖像。
圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)電致發(fā)光器件的剖面圖。如圖1中所示，第一和第二基板10和60彼此相對并且彼此分隔開。在第一基板10上形成陣列層“AL”。陣列層“AL”包括位于每一像素區(qū)域“P”中的薄膜晶體管(TFT)“T”。在陣列層“AL”上形成有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管“E”。有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管“E”包括第一電極48，有機(jī)發(fā)光層54和第二電極56。有機(jī)發(fā)光層54發(fā)射出的光穿過第一和第二電極48和56中透明的一個(gè)電極。
有機(jī)EL器件可按照光的發(fā)射方向分成頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。例如，當(dāng)?shù)谝浑姌O48為透明時(shí)，從有機(jī)EL器件的底部發(fā)射光，該有機(jī)EL器件稱作底部發(fā)光型。在底部發(fā)光型中，使用第二基板60作為封裝板。另外，第二基板60具有凹進(jìn)部分62以及設(shè)置在凹進(jìn)部分60中的吸濕材料64。吸濕材料62去除了能滲透到底部發(fā)光型有機(jī)EL二極管“E”中的任何濕氣和氧氣。第一和第二基板10和60通過其周邊處的密封圖案70粘接在一起。
圖2A為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)電致發(fā)光器件的像素區(qū)域的平面圖，圖2B為沿圖2A中線“IIb-IIb”作出的剖面圖。在圖2A和2B中，柵線22與數(shù)據(jù)線42交叉以限定像素區(qū)域“P”。在第一基板10上形成緩沖層12。在緩沖層12上形成彼此分隔開的驅(qū)動半導(dǎo)體層14和電容電極16。在半導(dǎo)體層14上相繼形成柵絕緣層18和驅(qū)動?xùn)艠O20。驅(qū)動半導(dǎo)體層14包括與驅(qū)動?xùn)艠O20相對應(yīng)的有源區(qū)“IIc”，和位于有源區(qū)“IIc”兩端處的源極和漏極區(qū)“IIe”和“IId”。在驅(qū)動?xùn)艠O20和電容電極16上形成第一鈍化層24，并且在電容電極16上方的第一鈍化層24上形成電源電極26。電源電極26是與柵線22相交的電源線28的一部分。
在電源電極26上形成第二鈍化層30。第一和第二鈍化層24和30具有暴露出漏極區(qū)“IId”的第一接觸孔32，和暴露出源極區(qū)“IIe”的第二接觸孔34。另外，第二鈍化層30具有暴露出電源電極26的第三接觸孔36。在第二鈍化層30上形成驅(qū)動源極38和驅(qū)動漏極40。驅(qū)動源極38通過第二接觸孔34與源極區(qū)“IIe”連接以及通過第三接觸孔36與電源電極26連接，而驅(qū)動漏極40通過第一接觸孔32與漏極區(qū)“IId”連接。
在驅(qū)動源極和漏極38和40上形成第三鈍化層44。第三鈍化層44包括暴露出驅(qū)動漏極40的漏極接觸孔46。在像素區(qū)域“P”的發(fā)光區(qū)“EA”中的第三鈍化層44上形成貫穿漏極接觸孔46與驅(qū)動漏極40連接的第一電極48。在第一電極48上形成層間絕緣層50。層間絕緣層50具有暴露出第一電極48的開口。在發(fā)光區(qū)“EA”中的層間絕緣層50上形成有機(jī)發(fā)光層54，以及在有機(jī)發(fā)光層54上形成第二電極56。有機(jī)發(fā)光層54通過層間絕緣層50中的開口與第一電極48接觸。
驅(qū)動半導(dǎo)體層14，驅(qū)動?xùn)艠O20，驅(qū)動源極38和驅(qū)動漏極40構(gòu)成驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“TD”。有機(jī)EL器件可具有與柵線22和數(shù)據(jù)線42相連接的開關(guān)TFT“TS”，以及與開關(guān)TFT“TS”和電源線28相連接的驅(qū)動TFT“TD”。驅(qū)動?xùn)艠O20與開關(guān)TFT“TS”相連接，并且漏極40為島狀。第一電極48、第二電極56和位于第一與第二電極48與56之間的有機(jī)發(fā)光層54構(gòu)成有機(jī)EL二極管。此外，電容電極16、電源電極26和位于電容電極16與電源電極26之間的第一鈍化層24構(gòu)成存儲電容“CST”。
在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)EL器件中，在第一基板上形成陣列單元和有機(jī)EL二極管，并且將第二基板粘接到第一基板上進(jìn)行封裝。然而，當(dāng)陣列單元和有機(jī)EL二極管通過這種方法形成于一個(gè)基板上時(shí)，有機(jī)EL器件的生產(chǎn)率由TFT的生產(chǎn)率與有機(jī)EL二極管的生產(chǎn)率的乘積決定。由于有機(jī)EL二極管的生產(chǎn)率相對較低，整個(gè)EL器件的生產(chǎn)率受有機(jī)EL二極管生產(chǎn)率的限制。例如即使TFT的制造很好，當(dāng)有機(jī)EL層有缺陷時(shí)，使用厚度約為1000的有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)EL器件也被認(rèn)為是劣質(zhì)品。這不僅會導(dǎo)致?lián)p失有機(jī)EL器件，而且會導(dǎo)致?lián)p失不得不拋棄的TFT。損失會浪費(fèi)材料，并增加制造成本。
底部發(fā)射光型有機(jī)EL器件具有高封裝穩(wěn)定性和高加工靈活性的優(yōu)點(diǎn)。然而，底部發(fā)光型有機(jī)EL器件由于其具有較差的孔徑比，因此不能作為高分辨率器件。相反，頂部發(fā)光型有機(jī)EL器件由于其更易于設(shè)計(jì)并且具有更高孔徑比，因此具有更高的預(yù)期壽命。在頂部發(fā)射型有機(jī)EL器件中，陰極通常形成在有機(jī)EL層上。結(jié)果，由于可以選擇的材料的數(shù)量有限，頂部發(fā)光型有機(jī)EL器件的透光率和發(fā)光效率都會降低。如果在陰極上形成薄膜型鈍化層以防止透光率下降同時(shí)保護(hù)陰極，那么薄膜型鈍化層不能防止外部空氣滲透到器件中。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法，其基本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)所致的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種具有陣列元件基板和有機(jī)電致發(fā)光二極管基板的有機(jī)電致發(fā)光器件，以及其制造方法。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有用以防止外部濕氣和氧氣滲入的金屬材料的密封圖案的雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件以及其制造方法。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種具有格柵密封圖案的雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種可以提高生產(chǎn)率的有機(jī)電致發(fā)光器件。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有高分辨率、高孔徑比和高亮度的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法。
在下面的描述中將提出本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，其中一些可以從該描述中清晰看出，或者可通過本發(fā)明的實(shí)施而獲悉。通過文字描述和其權(quán)利要求以及附圖中具體給出的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)本發(fā)明的目的，正如具體和廣義描述的，有機(jī)電致發(fā)光器件包括彼此面對并彼此分隔開的第一和第二基板，第一和第二基板具有中央部分和周邊部分；位于第一基板上的包括薄膜晶體管的陣列層；位于第二基板上的有機(jī)電致發(fā)光二極管；位于第一與第二基板之間、使薄膜晶體管與有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接的連接圖案；以及位于周邊部分中的密封圖案，該密封圖案包括用于連接第一與第二基板的金屬材料。
在另一方面，一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，包括在具有中央部分和周邊部分的第一基板上形成包括薄膜晶體管的陣列層；在具有中央部分和周邊部分的第二基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在陣列層和有機(jī)電致發(fā)光二極管其中之一上形成連接圖案；在第一和第二基板其之一的周邊部分中形成包括金屬材料的密封圖案；以及粘接第一與第二基板，使陣列層通過連接圖案與有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接。
在又一方面，一種有機(jī)電致發(fā)光器件包括彼此面對并彼此分隔開的第一和第二基板，第一和第二基板具有中央部分和周邊部分；位于第一基板上的陣列層，該陣列層包括薄膜晶體管；位于第二基板上的有機(jī)電致發(fā)光二極管；位于第一與第二基板之間的連接圖案，該連接圖案將薄膜晶體管與有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接；以及位于周邊部分中的密封圖案，該密封圖案包括圍繞中央部分的多條密封線，和設(shè)置在密封線之間、用于連接第一與第二基板的多個(gè)幾何圖案。
在再一方面，一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，包括在第一基板上形成包括薄膜晶體管陣列層；在具有中央部分和周邊部分的第二基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在陣列層和有機(jī)電致發(fā)光二極管其中之一上形成連接圖案；在第一和第二基板其中之一的周邊部分中形成密封圖案，該密封圖案包括圍繞中央部分的多條密封線和設(shè)置在密封線之間的多個(gè)幾何圖案；以及粘接第一與第二基板，使陣列層通過連接圖案與有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接。
應(yīng)當(dāng)理解，上面的概括描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，意在提供對要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


用于提供本發(fā)明進(jìn)一步理解并包含和構(gòu)成本說明書一部分的附圖，說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，與描述部分一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光器件的剖面圖；圖2A為表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光器件的像素區(qū)域的平面圖；圖2B為沿圖2A中線“IIb-IIb”的剖面圖；圖3為表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的剖面圖；圖4為表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的剖面圖；圖5為表示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的剖面圖；圖6A至6D為表示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法的剖面圖；圖7為表示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖8為表示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的剖面圖；圖9為表示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖10為表示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖11為表示根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；以及圖12為表示根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，附圖中表示出其示例。
圖3為表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式有機(jī)電致發(fā)光器件的剖面圖。如圖3中所示，第一和第二基板110和130彼此面對并且彼此分隔開。在第一基板110的內(nèi)表面上形成陣列層“A”。陣列層“A”包括驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“TD”。與圖2B中所示現(xiàn)有技術(shù)中具有采用多晶硅的頂柵結(jié)構(gòu)的驅(qū)動TFT“TD”不同，圖3中所示的驅(qū)動TFT“TD”具有底柵結(jié)構(gòu)。盡管圖3中所示的TFT“TD”具有采用非晶硅的底柵結(jié)構(gòu)，不過驅(qū)動TFT“TD”也可以具有采用多晶硅的頂柵結(jié)構(gòu)。
在第二基板130的內(nèi)表面上形成黑矩陣134，并在黑矩陣134上形成濾色片層132。濾色片層132包括紅、綠和藍(lán)子濾色片132a，132b和132c。黑矩陣134圍繞每一子濾色片。在濾色片層132上形成由絕緣材料構(gòu)成的平整層140。例如，平整層140可包括有機(jī)絕緣材料。在平整層140上形成阻擋層142以防止氣體從濾色片層132排出，并在阻擋層142上形成第一電極144。在像素區(qū)域“P”的邊界部分的第一電極144上依次形成層間絕緣層146和錐形間隔物148。在像素區(qū)域“P”中的第一電極144上依次形成有機(jī)發(fā)光層150和第二電極152。由于間隔物148和層間絕緣層146的作用，因此有機(jī)電致發(fā)光層150和第二電極152在每一像素區(qū)域“P”中自動構(gòu)圖。第一電極144，有機(jī)發(fā)光層150和第二電極152構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管“E”。
在驅(qū)動TFT“TD”與有機(jī)EL二極管“E”之間形成連接圖案120。例如，連接圖案120可以由包括有機(jī)絕緣層在內(nèi)的多層形成，從而獲得與第一基板110和第二基板130之間的間隙相當(dāng)?shù)淖銐虻母叨?。由于連接圖案120與驅(qū)動TFT“TD”和有機(jī)EL二極管“E”電連接，因此驅(qū)動TFT“TD”的電流通過連接圖案120傳輸?shù)接袡C(jī)EL二極管“E”。當(dāng)有機(jī)EL器件為頂部發(fā)光型時(shí)，第一電極是透明的并且來自有機(jī)發(fā)光層150的光通過第一電極144發(fā)射出。例如，第一電極144和第二電極152分別作為陽極和陰極，并且第一電極144是透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
第一基板110和第二基板130通過設(shè)置在第一基板110和第二基板130周邊部分處的密封圖案160粘接在一起。當(dāng)有機(jī)EL器件中使用濾色片層132進(jìn)行全彩色顯示時(shí)，可以將有機(jī)發(fā)光層150設(shè)置為發(fā)射單色光。此外，雖然在圖3中沒有示出，但是在濾色片層132與平整層140之間可以設(shè)置有變色媒質(zhì)(CCM)。當(dāng)有機(jī)EL器件僅包括濾色片層132時(shí)，有機(jī)發(fā)光層150可發(fā)射白光。當(dāng)有機(jī)EL器件包括濾色片層132和CCM時(shí)，有機(jī)發(fā)光層150可發(fā)射天藍(lán)色光或綠藍(lán)色的光(greenish blue-colored light)。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)EL器件中，由于包括TFT的陣列層和有機(jī)EL二極管形成于各自的基板上，因此可以提高生產(chǎn)率和制造管理效率，并且延長有機(jī)EL器件的壽命。在本發(fā)明頂柵型EL器件的實(shí)施方式中，薄膜晶體管易于設(shè)計(jì)，并且可以獲得高分辨率和高孔徑比，與下陣列層無關(guān)。
在現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)EL器件中，具有TFT和有機(jī)EL二極管的陣列層形成于第一基板上，并在加壓氮?dú)?N2)環(huán)境中與第二基板粘接在一起。因而，有機(jī)EL器件的內(nèi)部壓力大于外部壓力，從而防止外部濕氣和氧氣侵入。然而，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)EL器件中，在第一基板和第二基板上分別形成陣列層和有機(jī)EL二極管，并且在真空條件下將第一與第二基板粘接在一起從而提高元件與基板之間的接觸性質(zhì)。因而，有機(jī)EL器件的內(nèi)部壓力低于外部壓力。從而，增大了外部濕氣和氧氣侵入的可能性。具體地說，外部濕氣和/或氧氣有可能通過密封圖案與基板之間的接觸面滲入。
圖4為表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的剖面圖。如圖4中所示，第一與第二基板210與230彼此面對并彼此分隔開。在第一基板110的內(nèi)表面上形成包括具有底柵結(jié)構(gòu)的驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“TD”的陣列層“A”。盡管圖4中所示的驅(qū)動TFT“TD”具有采用非晶硅的底柵結(jié)構(gòu)，但是驅(qū)動TFT“TD”也可以具有采用多晶硅的頂柵結(jié)構(gòu)。
在第二基板230的內(nèi)表面上形成第一電極244。在像素區(qū)域“P”的邊界部分的第一電極244上依次形成層間絕緣層246和錐形間隔物248。在像素區(qū)域“P”的第一電極244上依次形成包括紅、綠和藍(lán)子發(fā)光層250a、250b和250c的有機(jī)發(fā)光層250和第二電極252。由于間隔物248和層間絕緣膜246的作用，在每一像素區(qū)域“P”中的每一子發(fā)光層250a、250b和250c和第二電極252自動構(gòu)圖。第一電極244，有機(jī)發(fā)光層250和第二電極252構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管“E”。
在驅(qū)動TFT“TD”與有機(jī)EL二極管“E”之間形成連接圖案220。例如，連接圖案220可由包括有機(jī)絕緣層在內(nèi)的多層構(gòu)成，以獲得與第一和第二基板210和230之間的間隙相對應(yīng)的足夠高度。由于連接圖案220與驅(qū)動TFT“TD”和有機(jī)EL二極管“E”電連接，因此驅(qū)動TFT“TD”的電流通過連接圖案220傳輸給有機(jī)EL二極管“E”。當(dāng)有機(jī)EL器件為頂部發(fā)光型時(shí)，第一電極是透明的并且來自有機(jī)發(fā)光層250的光通過第一電極244發(fā)射出。例如，第一電極244和第二電極252分別作為陽極和陰極，并且第一電極244是透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
第一基板210與第二基板與230通過設(shè)置在第一和第二基板210和230周邊部分的密封圖案260連接。密封圖案260包括熔點(diǎn)低于大約100℃的金屬材料。例如，密封圖案260包括單一金屬材料，如銦(In)、錫(Sn)或鉍(Bi)，或者合金金屬材料，如銦-錫(In-Sn)合金，錫-鉍(Sn-Bi)合金或銦-錫-鉍(In-Sn-Bi)合金。由于這些金屬材料與基板的粘附力是環(huán)氧材料與基板的粘附力的兩倍，可防止外部濕氣和氧氣的侵入。特別是，當(dāng)使用具有相對較低熔點(diǎn)的金屬材料作為密封圖案260時(shí)，可防止在形成密封圖案260的制造工序期間有機(jī)EL器件中的元件損壞?；蛘?，密封圖案260可由非溶性金屬材料形成。由于溶性金屬材料具有強(qiáng)揮發(fā)性，從溶劑金屬材料釋放出的粒子易于破壞有機(jī)EL器件中的元件。
圖5為表示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的剖面圖。如圖5中所示，第一與第二基板310與330彼此相對并彼此分隔開。在第一基板310的內(nèi)表面上形成包括驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“TD”的陣列層“A”。盡管圖5中所示的驅(qū)動TFT“TD”具有采用非晶硅的底柵結(jié)構(gòu)，但是驅(qū)動TFT“TD”也可以具有采用多晶硅的頂柵結(jié)構(gòu)。
在第二基板330的內(nèi)表面上形成黑矩陣334，并在黑矩陣334上形成濾色片層332。濾色片層332包括紅、綠和藍(lán)子濾色片層332a、332b和332c，并且黑矩陣334圍繞每一子濾色片。在濾色片層332上形成由絕緣材料構(gòu)成的平整層340。例如，平整層340為有機(jī)絕緣材料。在平整層340上形成阻擋層342以防止氣體從濾色片層332排出，并在阻擋層342上形成第一電極344。在像素區(qū)域“P”邊界部分處的第一電極344上依次形成層間絕緣層346和錐形間隔物348。在像素區(qū)域“P”中的第一電極344上依次形成有機(jī)發(fā)光層350和第二電極352。由于間隔物348和層間絕緣層346的作用，在每一像素區(qū)域“P”中有機(jī)發(fā)光層350和第二電極352自動構(gòu)圖。第一電極344、有機(jī)發(fā)光層350和第二電極352構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管“E”。
在驅(qū)動TFT“TD”與有機(jī)EL二極管“E”之間形成連接圖案320。例如，連接圖案320可由包括有機(jī)絕緣層在內(nèi)的多層構(gòu)成，以獲得與第一和第二基板310和330之間的間隙相對應(yīng)的足夠高度。由于連接圖案320與驅(qū)動TFT“TD”和有機(jī)EL二極管“E”電連接，因此驅(qū)動TFT“TD”的電流通過連接圖案320傳輸給有機(jī)EL二極管“E”。當(dāng)有機(jī)EL器件為頂部發(fā)光型時(shí)，第一電極是透明的并且來自有機(jī)發(fā)光層350的光通過第一電極344發(fā)射出。例如，第一電極344和第二電極352分別作為陽極和陰極，并且第一電極344是透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
第一與第二基板310與330通過設(shè)置在第一和第二基板310和330周邊部分的密封圖案360粘接在一起。密封圖案360包括熔點(diǎn)低于大約100℃的金屬材料。例如，密封圖案360可包括單一金屬材料，如銦(In)、錫(Sn)或鉍(Bi)，或者合金金屬材料，如銦-錫(In-Sn)合金、錫-鉍(Sn-Bi)合金或銦-錫-鉍(In-Sn-Bi)合金?；蛘?，密封圖案260可由非溶性金屬材料形成。
圖6A至6D為表示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制造過程的剖面圖。如圖6A中所示，在第一基板410上形成陣列層“A”，并在陣列層“A”上形成連接圖案420。盡管圖6A中沒有示出，但是陣列層“A”可包括柵線、數(shù)據(jù)線、電源線、與柵線和數(shù)據(jù)線相連接的開關(guān)薄膜晶體管(TFT)，以及與開關(guān)TFT和電源線相連接的驅(qū)動TFT?；蛘撸B接圖案420可以形成于第一基板430上(圖6C)。
如圖6B中所示，在第一基板410的周邊部分處形成低熔點(diǎn)金屬材料的金屬線458。在通過使用例如低熔點(diǎn)金屬材料的細(xì)導(dǎo)線形成金屬線458以具有密封圖案形狀之后，使用一設(shè)備無需任何附加構(gòu)圖工序?qū)⒔饘倬€458設(shè)置在第一基板410的周邊部分。當(dāng)使用非溶性金屬材料時(shí)，可通過涂覆法形成金屬線456?；蛘?，金屬線456可以形成在第二基板430上(圖6C)。
如圖6C中所示，在第二基板430上形成有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管“E”。盡管圖6C中沒有示出，但是有機(jī)EL二極管“E”可包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極，并且在每一像素區(qū)域的邊界部分處的第一電極上依次形成層間絕緣層和間隔物。對于全彩色顯示器而言，可使用包括紅、綠和藍(lán)子發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光層而沒有濾色片層，或者可使用具有濾色片層(以及變色媒質(zhì))的發(fā)射單色光的有機(jī)發(fā)光層。
如圖6D中所示，在將第一與第二基板410與430粘接在一起成從而使陣列層“A”面對有機(jī)EL二極管“E”之后，激光束可通過第一和第二基板410和430其中之一照射到金屬線458上(圖6B)，以通過熔化和結(jié)晶工序形成密封圖案460。當(dāng)?shù)谝慌c第二基板410與430粘接在一起時(shí)，陣列層“A”與有機(jī)EL二極管“E”通過連接圖案420彼此連接。由于密封圖案的金屬材料的粘附力是環(huán)氧材料的粘附力的兩倍，可防止外部濕氣和氧氣的侵入，從而防止有機(jī)EL器件中的元件損壞。當(dāng)使用非溶性金屬材料作為金屬線458時(shí)(圖6B)，可通過取代激光照射工序的固化工序獲得密封圖案460。
圖7為表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。如圖7中所示，第一與第二基板510與530彼此面對，并在第一和第二基板510和530的周邊部分處形成金屬材料的密封圖案560。金屬材料的熔點(diǎn)可低于100℃。例如，密封圖案560可包括單一金屬材料，如銦(In)、錫(Sn)或鉍(Bi)，或者合金金屬材料，如銦-錫(In-Sn)合金、錫-鉍(Sn-Bi)合金或銦-錫-鉍(In-Sn-Bi)合金?；蛘?，可使用非溶性金屬材料作為密封圖案560。
在密封圖案560的內(nèi)部限定發(fā)射用于顯示的光的有源區(qū)“AA”。第一基板510的面積大于第二基板530的面積，作為連接第一基板510與外部電路的焊盤。因此，有源區(qū)“AA”中的多條連接線可以穿過密封圖案530延伸出。由于密封圖案530由金屬材料形成，在多條連接線與密封圖案530之間形成具有相對較低介電常數(shù)的絕緣層，以減小它們之間的電干擾。例如，設(shè)置在多條連接線與密封圖案530之間的絕緣層可包括有機(jī)絕緣材料，如苯并環(huán)丁烯(BCB)或丙烯酸樹脂。盡管圖7中沒有示出，但是在第一基板510上形成包括薄膜晶體管(TFT)的陣列層，并在第二基板530上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管。陣列層通過連接圖案與有機(jī)EL二極管相連接。
由金屬材料制成的密封圖案560位于第一和第二基板510和530的周邊部分中，以防止外部濕氣和氧氣侵入。由于金屬材料具有優(yōu)良的粘附性和薄膜質(zhì)量，可防止外部濕氣和氧氣侵入。因而，提高了有機(jī)EL器件的可靠性、壽命和耐用性，使有機(jī)EL器件保持穩(wěn)定。
也可以通過對折密封圖案來防止外部濕氣和氧氣侵入。圖8為表示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的剖面圖。如圖8中所示，有機(jī)電致發(fā)光(EL)器件699包括彼此面對并彼此分隔開的第一基板610和第二基板630。第一和第二基板610和630具有多個(gè)像素區(qū)域“P”。在第一基板610的內(nèi)表面上形成包括薄膜晶體管(TFT)“T”的陣列層“A”。在第二基板630的內(nèi)表面上形成有機(jī)EL二極管“E”。TFT可包括位于每一像素區(qū)域“P”中的開關(guān)TFT“TS”和驅(qū)動TFT“TD”。有機(jī)EL二極管“E”包括位于第二基板630上的第一電極644，位于第一電極644上的有機(jī)發(fā)光層650和位于有機(jī)發(fā)光層650上的第二電極652。第一電極644可以在第二基板630的整個(gè)表面上形成，而有機(jī)發(fā)光層650和第二電極652可以形成于每一像素區(qū)域“P”中。有機(jī)發(fā)光層650發(fā)射出紅、綠和藍(lán)和藍(lán)色光，并且交替地設(shè)置在每一像素區(qū)域“P”中?；蛘?，有機(jī)發(fā)光層650可由多層構(gòu)成。例如，當(dāng)?shù)谝缓偷诙姌O644和652分別作為陽極和陰極時(shí)，有機(jī)發(fā)光層650可具有位于第一電極644上的空穴注入層(HIL)650b、位于HIL 650b上的發(fā)光材料層(EML)650a、以及位于EML 650a上的電子注入層(EIL)650c。另外，在注入層650b和650c與EML650a之間可以形成空穴輸運(yùn)層(HTL)和電子輸運(yùn)層(ETL)。
第一與第二基板610與630通過密封圖案660連接，并且陣列層“A”通過連接圖案620與有機(jī)EL二極管“E”連接。例如，連接圖案620可由包括有機(jī)絕緣層在內(nèi)的多層構(gòu)成，以獲得與第一和第二基板610和630之間的間隙相對應(yīng)的足夠大的高度。密封圖案660包括彼此分隔的第一與第二密封線660a和660b。盡管圖8中沒有表示出，但是在第一與第二密封線660a和660b之間可形成幾何圖案。例如，在第一與第二密封線660a和660b之間可形成格柵圖案(lattice pattern)。或者，可以使用多于兩個(gè)分隔開的密封線構(gòu)成密封圖案。由于密封圖案660包括第一和第二密封線660a和660b和幾何圖案，可防止外部濕氣和氧氣侵入。
圖9為表示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。如圖9中所示，密封圖案760形成在第一和第二基板710和730的周邊部分中。密封圖案760包括第一、第二和第三密封線760a，760b和760c。第一與第二密封線760a和760b彼此分隔開。第二密封線760b圍繞第一和第二基板710和730的中央部分，以及第一密封線760a圍繞第二密封線760b。第三密封線760c設(shè)置在第一密封線760a與第二密封線760b之間。第三密封線760c包括在第一與第二密封線760a與760b之間垂直且等距離分隔的多個(gè)條狀圖案。條狀圖案之間并非必須等距離分隔。
圖10為表示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。如圖10中所示，密封圖案762形成在第一和第二基板710和730的周邊部分中。密封圖案762包括第一、第二、第三和第四密封線762a、762b、762c和762d。第一，第二和第三密封線762a、762b和762c彼此分開隔。第三密封線762c圍繞第一和第二基板710和730的中央部分。此外，第二密封線762b圍繞第三密封線762c，第一密封線762a圍繞第二密封線762b。第四密封線762d貫穿第二密封線762b設(shè)置在第一與第三密封線762a與762c之間。第四密封線762d包括在第一、第二和第三密封線762a，62b和762c之間垂直且等距離分隔的多個(gè)條狀圖案。此外，條狀圖案之間并非要求等距離分隔。
圖11為表示根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。如圖11中所示，密封圖案764形成在第一和第二基板710和730的周邊部分中。密封圖案764包括第一、第二、第三和第四密封線764a、764b、764c和764d。第一和第二密封線764a和764b彼此分隔開。第二密封線764b圍繞第一和第二基板710和730的中央部分，第一密封線764a圍繞第二密封線764b。第三和第四密封線764c和764d設(shè)置于第一和第二密封線764a和764b之間。第三密封線764c包括垂直于第一和第二密封線764a和764b的多個(gè)第一條狀圖案，第四密封條764d包括傾斜于第一和第二密封線764a和764b的多個(gè)第二條狀圖案。此外，在另一實(shí)施方式中可改變第二條狀圖案的方向。
圖12為表示根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。如圖12中所示，密封圖案766形成在第一和第二基板710和730的周邊部分中。密封圖案766包括第一、第二、第三、第四和第五密封線766a、766b、766c、766d和766e。第一與第二密封線766a與766b彼此分隔開。第二密封線766b圍繞第一和第二基板710和730的中央部分，第一密封線766a圍繞第二密封線766b。第三，第四和第五密封線766c，766d和766e設(shè)置在第一和第二密封線766a與766b之間。第三密封線766c包括垂直于第一和第二密封線766a和766b的多個(gè)第一條狀圖案。第四密封條766d包括傾斜于第一和第二密封線766a和766b的多個(gè)第二條狀圖案，第五密封線766e包括傾斜于第一和第二密封線766a和766b的多個(gè)第三條狀圖案。第二條狀圖案與第三條狀圖案相交叉。
如圖9至12所示，由于有機(jī)EL器件的密封圖案包括圍繞第一和第二基板中央部分的兩條或三條密封線，和設(shè)置在兩條或三條密封線之間的多個(gè)幾何圖案，外部濕氣和氧氣受到密封圖案的阻擋，防止有機(jī)發(fā)光層損壞。另外，密封圖案可由具有良好粘附性和薄膜質(zhì)量的金屬材料制成。因而，可以進(jìn)一步提高密封圖案的阻擋能力。
在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件中，由于陣列元件和有機(jī)EL二極管形成在各自的基板上，提高了生產(chǎn)率和制造管理效率，并且延長了有機(jī)EL器件的壽命。此外，由于ELD可以為頂部發(fā)光型，易于設(shè)計(jì)薄膜晶體管，可獲得高分辨率和高孔徑比，而與下部陣列圖案無關(guān)。此外，由于密封圖案由具有良好粘附性和薄膜質(zhì)量的金屬材料制成，可防止外部濕氣和氧氣侵入。因此，提高了有機(jī)EL器件的壽命、可靠性和穩(wěn)定性。最后，由于密封圖案包括圍繞第一和第二基板中央部分的兩條或三條密封線，以及設(shè)置在兩條或三條密封線之間的多個(gè)幾何圖案，外部濕氣和氧氣受到密封圖案的阻擋，防止有機(jī)發(fā)光層損壞。從而，提高了有機(jī)EL器件的壽命、可靠性和穩(wěn)定性。
顯然，在不偏離本發(fā)明精神和范圍的條件下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可對本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法進(jìn)行多種變型和改進(jìn)。從而，本發(fā)明意在覆蓋本發(fā)明的變型和改進(jìn)，只要這些變型和改進(jìn)處于所附權(quán)利要求和其等效范圍內(nèi)即可。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括彼此面對并彼此分隔開的第一和第二基板，所述第一和第二基板具有中央部分和周邊部分；位于所述第一基板上的陣列層，所述陣列層包括薄膜晶體管；位于所述第二基板上的有機(jī)電致發(fā)光二極管；位于所述第一與第二基板之間的連接圖案，所述連接圖案將所述薄膜晶體管與有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接；以及位于所述周邊部分中的密封圖案，所述密封圖案包括用于連接所述第一與第二基板的金屬材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述金屬材料具有低于大約100℃的熔點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述金屬材料為非溶性型。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述金屬材料包括銦(In)、錫(Sn)和鉍(Bi)中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述金屬材料包括銦-錫(In-Sn)合金、錫-鉍(Sn-Bi)合金或銦-錫-鉍(In-Sn-Bi)合金中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述陣列層包括位于所述第一基板上的柵線；與所述柵線相交叉的數(shù)據(jù)線；與所述柵線和數(shù)據(jù)線連接的開關(guān)薄膜晶體管；以及與所述開關(guān)薄膜晶體管連接的驅(qū)動薄膜晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其特征在于，所述連接圖案與所述驅(qū)動薄膜晶體管連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光二極管包括位于具有多個(gè)像素區(qū)域的所述第二基板上的第一電極；位于所述第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；以及位于所述有機(jī)發(fā)光層上的第二電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，還包括位于所述第一電極上的層間絕緣層，和位于每一像素區(qū)域邊界處的所述層間絕緣層上的間隔物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其特征在于，所述每一像素區(qū)域中的所述有機(jī)電致發(fā)光層和第二電極通過所述層間絕緣層和間隔物分隔開。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光層包括交替設(shè)置在每一像素區(qū)域中的紅、綠和藍(lán)子發(fā)光層。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，還包括位于所述第一與第二基板之間的濾色片層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其特征在于，還包括位于所述第一與第二基板之間的變色媒質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光層發(fā)射單色光。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其特征在于，還包括位于所述變色媒質(zhì)上的平整層，以及位于所述平整層上的阻擋層。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述密封圖案包括圍繞所述中央部分的多條密封線以及設(shè)置在所述密封線之間的多個(gè)幾何圖案。
17.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，包括在具有中央部分和周邊部分的第一基板上形成陣列層，所述陣列層包括薄膜晶體管；在具有中央部分和周邊部分的第二基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在所述陣列層和有機(jī)電致發(fā)光二極管中的一個(gè)上形成連接圖案；在所述第一與第二基板中一個(gè)的周邊部分中形成密封圖案，所述密封圖案包括金屬材料；以及粘接所述第一與第二基板，使所述陣列層通過所述連接圖案與所述有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述金屬材料具有低于大約100℃的熔點(diǎn)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，在低于大約100℃的溫度下形成所述密封圖案。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述形成密封圖案的步驟包括在所述第一與第二基板中一個(gè)的周邊部分中設(shè)置金屬線；以及通過所述第一與第二基板中的一個(gè)將激光束照射到金屬線上。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述金屬材料為非溶性金屬。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，使用涂覆法形成所述密封圖案。
23.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括彼此相對并且彼此分隔開的第一與第二基板，所述第一和第二基板具有中央部分和周邊部分；位于所述第一基板上的陣列層，所述陣列層包括薄膜晶體管；位于所述第二基板上的有機(jī)電致發(fā)光二極管；位于所述第一與第二基板之間的連接圖案，所述連接圖案將所述薄膜晶體管與有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接；以及位于所述周邊部分中的密封圖案，所述密封圖案包括圍繞所述中央部分的多條密封線以及設(shè)置在所述密封線之間的多個(gè)幾何圖案，所述密封圖案粘接所述第一與第二基板。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其特征在于，所述多條密封線包括彼此分隔開的第一和第二密封線，所述第一密封線圍繞所述第二密封線。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其特征在于，所述多條密封線包括彼此分隔開的第一、第二和第三密封線，所述第一密封線圍繞所述第二密封線，所述第二密封線圍繞所述第三密封線。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其特征在于，所述多個(gè)幾何圖案具有垂直于所述多條密封線的多個(gè)條狀圖案。
27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其特征在于，所述多個(gè)幾何圖案具有垂直于所述多條密封線的多個(gè)第一條狀圖案，和傾斜于所述多條密封線的多個(gè)第二條狀圖案。
28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其特征在于，所述多個(gè)幾何圖案具有垂直于所述多條密封線的多個(gè)第一條狀圖案，傾斜于所述多條密封線的多個(gè)第二條狀圖案，以及與所述多個(gè)第二條狀圖案相交叉的多個(gè)第三條狀圖案。
29.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光二極管包括位于所述第二基板上的第一電極；位于所述第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；以及位于所述有機(jī)發(fā)光層上的第二電極。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的器件，其特征在于，所述第一電極和第二電極分別為陽極和陰極。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的器件，其特征在于，還包括位于所述第一電極上的空穴注入層；位于所述空穴注入層上的發(fā)光材料層；以及位于所述發(fā)光材料層上的電子注入層。
32.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其特征在于，所述陣列層包括位于所述第一基板上的柵線；與所述柵線相交的數(shù)據(jù)線；與所述柵線和數(shù)據(jù)線連接的開關(guān)薄膜晶體管；以及與所述開關(guān)薄膜晶體管連接的驅(qū)動薄膜晶體管。
33.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其特征在于，所述密封圖案包括金屬材料。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的器件，其特征在于，所述金屬材料具有低于大約100℃的熔點(diǎn)。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的器件，其特征在于，所述金屬材料為非溶性金屬材料。
36.根據(jù)權(quán)利要求33所述的器件，其特征在于，所述金屬材料包括銦(In)、錫(Sn)和鉍(Bi)中的一種。
37.根據(jù)權(quán)利要求33所述的器件，其特征在于，所述金屬材料包括銦-錫(In-Sn)合金、錫-鉍(Sn-Bi)合金或銦-錫-鉍(In-Sn-Bi)合金中的一種。
38.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，包括在第一基板上形成陣列層，所述陣列層包括薄膜晶體管；在具有中央部分和周邊部分的第二基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在所述陣列層和有機(jī)電致發(fā)光二極管中的一個(gè)上形成連接圖案；在所述第一與第二基板中一個(gè)的周邊部分中形成密封圖案，所述密封圖案包括圍繞所述中央部分的多條密封線，以及設(shè)置在所述密封線之間的多個(gè)幾何圖案；以及粘接所述第一與第二基板，使所述陣列層通過連接圖案與所述有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述形成多條密封線的步驟包括形成彼此分隔的第一和第二密封線，所述第一密封線圍繞所述第二密封線。
40.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述形成多條密封線的步驟包括形成彼此分隔的第一、第二和第三密封線，所述第一密封線圍繞所述第二密封線，所述第二密封線圍繞所述第三密封線。
41.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述形成多個(gè)幾何圖案的步驟包括形成垂直于所述多條密封線的多個(gè)條狀圖案。
42.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述的形成多個(gè)幾何圖案的步驟包括形成垂直于所述多條密封線的多個(gè)第一條狀圖案；以及形成傾斜于所述多條密封線的多個(gè)第二條狀圖案。
43.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述的形成多個(gè)幾何圖案的步驟包括形成垂直于所述多條密封線的多個(gè)第一條狀圖案；形成傾斜于所述多條密封線的多個(gè)第二條狀圖案；以及形成與所述多個(gè)第二條狀圖案相交叉的多個(gè)第三條狀圖案。
44.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述形成有機(jī)電致發(fā)光二極管的步驟包括在所述第二基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；以及在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極。
45.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述第一電極和第二電極分別為陽極和陰極。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其特征在于，還包括在所述第一電極上形成空穴注入層；在所述空穴注入層上形成發(fā)光材料層；以及在所述發(fā)光材料層上形成電子注入層。
47.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述形成陣列層的步驟包括在所述第一基板上形成柵線；形成與所述柵線相交的數(shù)據(jù)線；形成與所述柵線和數(shù)據(jù)線連接的開關(guān)薄膜晶體管；以及形成與所述開關(guān)薄膜晶體管連接的驅(qū)動薄膜晶體管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括彼此面對并且彼此分隔開的第一和第二基板，第一和第二基板具有中央部分和周邊部分；位于第一基板上并包括薄膜晶體管的陣列層；位于第二基板上的有機(jī)電致發(fā)光二極管；位于第一與第二基板之間的連接圖案，連接圖案將薄膜晶體管與有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接；以及位于周邊部分中的密封圖案，所述密封圖案包括用于粘接第一與第二基板的金屬材料。
文檔編號H01L21/00GK1638538SQ20041010157
公開日2005年7月13日 申請日期2004年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月26日
發(fā)明者樸宰用, 俞忠根 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社