專利名稱：塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，尤指一種利用壓出成形的方式，定義出塑料基板的電極位置，用以制作有機(jī)薄膜晶體管的方法。
背景技術(shù)：
近年來，PC的廣泛運(yùn)用和網(wǎng)絡(luò)的普及，在很大程度上改變了人類傳統(tǒng)的閱讀方式，然而由于人們的閱讀習(xí)慣，紙張依然是傳播信息的重要載體。隨著顯示技術(shù)的成熟，更輕、更薄、可攜帶及可撓曲的顯示器如電子紙張吸引了美國眾多投資人的關(guān)注，許多大公司也紛紛加入這場”紙張革命”。有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)是利用有機(jī)分子材料以開發(fā)適合應(yīng)用于電子產(chǎn)品之薄膜晶體管，當(dāng)面板彎曲時晶體管組件特性仍能維持，達(dá)到正常的顯像品質(zhì)效果，這種應(yīng)用將可加速可撓式電子產(chǎn)品，例如顯示器的實現(xiàn)，而且其制造成本低廉。
由于某些塑料材料，例如PMMA等已被證實，可有效的提升有機(jī)半導(dǎo)體材料(Pentacene)的排列，因此有人提出利用PMMA等塑料材料，來作為有機(jī)薄膜晶體管的基材，但現(xiàn)有的玻璃基板的黃光及蝕刻的方式，皆會對塑料基板造成損傷，并不適用于塑料基板。
綜觀以上所述，現(xiàn)有的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，至少存在以下缺點一、現(xiàn)有之有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其工藝所需的步驟較為復(fù)雜及耗時，且所需的材料成本也較高，增加制造成本，影響市場競爭力。
二、現(xiàn)有之有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，必需使用黃光工藝，容易對基板造成磨損及化學(xué)藥品的侵蝕，影響工藝的良率。
三、現(xiàn)有之有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，使用玻璃基板作為基材，并無法提供提升有機(jī)半導(dǎo)體材料排列功效，因此影響有機(jī)薄膜晶體管的電性。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其使用塑料基板作為有機(jī)薄膜晶體管的基材，并使用深刻模造(LIGA)技術(shù)在塑料基板上定義出電極的位置，以簡化工藝所需的步驟及降低材料成本，增加市場競爭力。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，不需使用黃光工藝，可有效減少基板的磨損及化學(xué)藥品的侵蝕，以確保工藝的良率及有機(jī)薄膜晶體管的電性。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，使用塑料基板作為基材，可有效將電極隔開，并能提高有機(jī)半導(dǎo)體材料(Pentacene)的排列，以增加電子電洞的遷移律(mobility)，提升有機(jī)薄膜晶體管的電性。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明之一具體實施例提供一種塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，包括以下步驟提供一母模及一塑料基板，其中該母模具有一凸版結(jié)構(gòu)；該母模對該塑料基板進(jìn)行壓出成形，其在該塑料基板上定義源/漏極位置；形成一第一電極層，其在該塑料基板之源/漏極位置形成源/漏極；形成多個半導(dǎo)體平臺(mesa)，每一該半導(dǎo)體平臺覆蓋一對該源/漏極；形成一第二電極層，其隔著該絕緣層而位于該半導(dǎo)體層上方；以及形成一保護(hù)層。
較佳者，該塑料基板可以使用具有側(cè)鏈末端基為-CH3或-NH2之高分子材料作為基板材料，例如聚甲基丙烯酸甲酯(Poly Methylmethacrylate，PMMA)、環(huán)烯烴共聚物(Metallocenebased Cyclic Olefin Copolymer，mCOC)等塑料材料。
在另一具體實施例中，本發(fā)明提供一種塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，包括以下步驟提供一母模及一塑料基板，其中該母模具有一凸版結(jié)構(gòu)；該母模對該塑料基板進(jìn)行壓出成形，其在該塑料基板上定義柵極位置；形成一第一電極層，其在該塑料基板的該柵極位置形成柵極；形成一絕緣層；形成形成多個半導(dǎo)體平臺，每一該半導(dǎo)體平臺隔著該絕緣層而位于一該柵極上方；形成一第二電極層，其在該半導(dǎo)體平臺上形成源/漏極；以及形成一保護(hù)層。
在又一具體實施例中，本發(fā)明提供一種塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，包括以下步驟提供一母模及一塑料基板，其中該母模具有一凸版結(jié)構(gòu)；該母模對該塑料基板進(jìn)行壓出成形，其在該塑料基板上定義柵極位置；形成一第一電極層，其在該塑料基板之該柵極位置形成柵極；形成一絕緣層；形成一第二電極層，其隔著該絕緣層而在每一該柵極上方形成一對源/漏極；形成多個半導(dǎo)體平臺，每一該半導(dǎo)體平臺覆蓋一對該源/漏極；以及形成一保護(hù)層。
在又一具體實施例中，本發(fā)明提供一種塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，包括以下步驟提供一母模及一塑料基板，其中該母模具有一凸版結(jié)構(gòu)；該母模對該塑料基板進(jìn)行壓出成形，其在該塑料基板上定義柵極以及源/漏極位置，其中每一該柵極位置系位于一對該源/漏極位置之間；形成一電極層，其在該塑料基板之該柵極位置形成柵極以及在該源/漏極位置形成源/漏極；形成多個絕緣平臺，每一該絕緣平臺覆蓋一該柵極；形成多個半導(dǎo)體平臺，每一該半導(dǎo)體平臺覆蓋一該絕緣平臺以及一對該源/漏極；以及形成一保護(hù)層。
下面配合附圖進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實施例。


圖1A至圖1G為本發(fā)明的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的第一具體其中，附圖標(biāo)記100母模，1001凸版結(jié)構(gòu)101塑料基板，1010源/漏極位置102第一電極層，103半導(dǎo)體平臺104絕緣層，105第二電極層106保護(hù)層200母模，2001凸版結(jié)構(gòu)201塑料基板，2010柵極位置202第一電極層，203半導(dǎo)體平臺204絕緣層，205第二電極層
206保護(hù)層300母模，3001凸版結(jié)構(gòu)301塑料基板，3010柵極位置302第一電極層，303半導(dǎo)體平臺304絕緣層，305第二電極層306保護(hù)層400母模，4001凸版結(jié)構(gòu)401塑料基板，4010電極位置4021柵極，4022源/漏極403半導(dǎo)體平臺，404絕緣平臺406保護(hù)層具體實施方式
本發(fā)明的第一具體實施例圖1A至圖1G為本發(fā)明之塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的第一具體如圖1A所示，提供一母模100，其中該母模100具有一凸版結(jié)構(gòu)1001，而凸版結(jié)構(gòu)1001可用德國的深刻模造(LIGA)技術(shù)來制作，因深刻模造(LIGA)技術(shù)適合量產(chǎn)高深寬比(Aspect Ratio)及低表面粗度(Sub μm)的直側(cè)壁的微結(jié)構(gòu)，而深刻模造(LIGA)技術(shù)是在母模100上黏貼一層干膜或涂布一層高分子材料(圖中未示)，其中干膜或高分子材料的厚度則隨工件厚度或微結(jié)構(gòu)深度而定，由數(shù)10μm至數(shù)100μm，一般系利用激光加工，將激光投射出來的光源，經(jīng)由數(shù)道鏡片調(diào)整成均勻的平行光后，通過掩膜及通過聚焦鏡片加工母模100上的干膜或高分子材料，而達(dá)到深刻的功能，以完成凸版結(jié)構(gòu)1001。
如圖1B所示，以母模100對塑料基板101進(jìn)行壓出成形，此時凸版結(jié)構(gòu)1001便可定義出塑料基板101的電極位置及信道的寬度。而塑料基板101可以使用具有側(cè)鏈末端基為-CH3或-NH2的高分子材料作為基板材料，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或環(huán)烯烴共聚物(mCOC)等塑料材料。用塑料基板101來取代早期的玻璃基板，不需再覆蓋一層中間層或作表面改質(zhì)，就可使主動層之有機(jī)半導(dǎo)體分子以單晶或結(jié)晶顆粒較大的型態(tài)存在，以改善載子移動速率，且使用壓出成形的方式制作塑料基板101，可同時省略黃光和蝕刻的工藝，以縮短工藝所需的時間及縮短信道(Channel Length)。
如圖1C所示，使用印刷法(Printing)或涂布法(Coating)將導(dǎo)電高分子材料填滿塑料基板101的源/漏極位置1010，以形成第一電極層102，而第一電極層102作為有機(jī)薄膜晶體管的源/漏極。由于聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或環(huán)烯烴共聚物(mCOC)等塑料基材為疏水性材料，而導(dǎo)電高分子材料為親水性材料，因此源/漏極位置1010的凹槽不但可將兩邊親水性的源/漏極102有效的隔開，還能提高有機(jī)半導(dǎo)體材料(Pentacene)的排列，以增加電子電洞的遷移率(mobility)，提高有機(jī)薄膜晶體管的半導(dǎo)體電性。
如圖1D至圖1G所示，以蒸鍍法、印刷法或涂布法等等方式，形成多個半導(dǎo)體平臺103于源/漏極102之上，再形成一絕緣層104，之后再形成一第二電極層105以作為柵極，最后再涂布高分子材料形成一保護(hù)層106。至于半導(dǎo)體平臺103、絕緣層104、柵極105及保護(hù)層106的功用、材料及詳細(xì)的形成過程，皆為熟悉此項技術(shù)的人可以明了并完成的，在此便不再多作贅述。
縱觀本實施例可知，本發(fā)明的重點在于圖1A至圖1C，使用完成前置作業(yè)的母模100，對塑料基板101進(jìn)行壓出成形，以定義出源/漏極位置1010，并利用塑料基板101的材料特性，確實有效地將漏極和源極分離，以確保信道寬度的精確性，提升有機(jī)薄膜晶體管的電性。
本發(fā)明的第二具體實施例圖2A至圖2G為本發(fā)明的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的第二具體在圖2A中，提供一母模200，其中該母模200具有一凸版結(jié)構(gòu)2001，而凸版結(jié)構(gòu)2001可用德國的深刻模造(LIGA)技術(shù)來制作。
如圖2B所示，以母模200對塑料基板201進(jìn)行壓出成形，此時凸版結(jié)構(gòu)2001便可定義出塑料基板201的柵極位置。而塑料基板201可以使用具有側(cè)鏈末端基為-CH3或-NH2的高分子材料作為基板材料，例如聚甲基丙烯酸甲酯或環(huán)烯烴共聚物等塑料材料。使用壓出成形的方式制作塑料基板201，可同時省略黃光和蝕刻的工藝，以縮短工藝所需的時間。
如圖2C所示，使用印刷法或涂布法將導(dǎo)電高分子材料填滿塑料基板201的柵極位置2010，以形成第一電極層202，其作為有機(jī)薄膜晶體管的柵極。
如圖2D至圖2G所示，以蒸鍍法、印刷法或涂布法等等方式，形成一絕緣層204，再形成多個半導(dǎo)體平臺203，每一該半導(dǎo)體平臺203隔著該絕緣層204而位于一該柵極202上方，之后再形成一第二電極層205，其在該半導(dǎo)體平臺203上形成源/漏極，最后再涂布高分子材料形成一保護(hù)層206。至于半導(dǎo)體平臺203、絕緣層204、源/漏極205及保護(hù)層206的功用、材料及詳細(xì)的形成過程，皆為熟悉此項技術(shù)的人可以明了并完成的，在此便不再多作贅述。
縱觀本實施例可知，本發(fā)明的重點在于圖2A至圖2C，使用完成前置作業(yè)之母模200，對塑料基板201進(jìn)行壓出成形，以定義出柵極位置2010。
本發(fā)明的第三具體實施例圖3A至圖3G為本發(fā)明的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的第三具體在圖3A中，提供一母模300，其中該母模300具有一凸版結(jié)構(gòu)3001，而凸版結(jié)構(gòu)3001可用德國的深刻模造(LIGA)技術(shù)來制作。
如圖3B所示，以母模300對塑料基板301進(jìn)行壓出成形，此時凸版結(jié)構(gòu)3001便可定義出塑料基板301的柵極位置。而塑料基板301可以使用具有側(cè)鏈末端基為-CH3或-NH2之高分子材料作為基板材料，例如聚甲基丙烯酸甲酯或環(huán)烯烴共聚物等塑料材料。使用壓出成形的方式制作塑料基板301，可同時省略黃光和蝕刻的工藝，以縮短工藝所需的時間。
如圖3C所示，使用印刷法或涂布法將導(dǎo)電高分子材料填滿塑料基板301的柵極位置3010，以形成第一電極層302，其作為有機(jī)薄膜晶體管的柵極。
如圖3D至圖3G所示，以蒸鍍法、印刷法或涂布法等等方式，形成一絕緣層304，再形成一第二電極層305，其隔著該絕緣層304而在每一該柵極302上方形成一對源/漏極，之后再形成多個半導(dǎo)體平臺303，每一該半導(dǎo)體平臺303覆蓋一對該源/漏極305，最后再涂布高分子材料形成一保護(hù)層306。至于半導(dǎo)體平臺303、絕緣層304、源/漏極305及保護(hù)層306的功用、材料及詳細(xì)的形成過程，皆為熟悉此項技術(shù)的人可以明了并完成的，在此便不再多作贅述。
縱觀本實施例可知，本發(fā)明的重點在于圖3A至圖3C，使用完成前置作業(yè)之母模300，對塑料基板301進(jìn)行壓出成形，以定義出柵極位置3010。
本發(fā)明的第四具體實施例圖4A至圖4F為本發(fā)明的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的第四具體實施例示意流程圖。
在圖4A中，提供一母模400，其中該母模400具有一凸版結(jié)構(gòu)4001，而凸版結(jié)構(gòu)4001可用德國的深刻模造(LIGA)技術(shù)來制作。
如圖4B所示，以母模400對塑料基板401進(jìn)行壓出成形，此時凸版結(jié)構(gòu)4001便在該塑料基板401上定義柵極位置4011以及源/漏極位置4012，其中每一該柵極位置4011位于一對該源/漏極位置4012之間。塑料基板401可以使用具有側(cè)鏈末端基為-CH3或-NH2之高分子材料作為基板材料，例如聚甲基丙烯酸甲酯或環(huán)烯烴共聚物等塑料材料。使用壓出成形的方式制作塑料基板401，可同時省略黃光和蝕刻的工藝，以縮短工藝所需的時間。
如圖4C所示，使用印刷法或涂布法將導(dǎo)電高分子材料填滿塑料基板401，以在該塑料基板401的該柵極位置4011上形成柵極4021以及在該源/漏極位置4012上形成源/漏極4022。
如圖4D至圖4F所示，以蒸鍍法、印刷法或涂布法等等方式，形成多個絕緣平臺404，每一該絕緣平臺404覆蓋一該柵極4022，再形成多個半導(dǎo)體平臺403，每一該半導(dǎo)體平臺403覆蓋一該絕緣平臺404以及一對該源/漏極4022，最后再涂布高分子材料形成一保護(hù)層406。至于半導(dǎo)體平臺403、絕緣平臺404及保護(hù)層406的功用、材料及詳細(xì)的形成過程，皆為熟悉此項技術(shù)的人可以明了并完成的，在此便不再多作贅述。
縱觀本實施例可知，本發(fā)明的重點在于圖4A至圖4C，使用完成前置作業(yè)之母模400，對塑料基板401進(jìn)行壓出成形，以定義出柵極位置4011以及源/漏極位置4012。
綜上所述，當(dāng)知本發(fā)明的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，使用深刻模造(LIGA)技術(shù)在塑料基板上定義出電極的位置，以簡化工藝所需的步驟及降低材料成本，增加市場競爭力。
以上內(nèi)容，僅為本發(fā)明的較佳實施例，并非用來限定本發(fā)明實施的范圍，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所述的形狀、構(gòu)造、特征、精神及方法所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的權(quán)利要求內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種塑料基板有機(jī)薄膜晶體管之制作方法，其特征在于，包括以下步驟提供一母模及一塑料基板，其中該母模具有一凸版結(jié)構(gòu)；該母模對該塑料基板進(jìn)行壓出成形，其在該塑料基板上定義源/漏極位置；形成一第一電極層，其在該塑料基板之該源/漏極位置形成源/漏極；形成多個半導(dǎo)體平臺，每一該半導(dǎo)體平臺覆蓋一對該源/漏極；形成一絕緣層；形成一第二電極層，其隔著該絕緣層而位于該半導(dǎo)體平臺上方；以及形成一保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求1所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該塑料基板可為具有側(cè)鏈末端基為-CH3以及-NH2之一的高分子材料。
3.如權(quán)利要求1所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該凸版結(jié)構(gòu)可用深刻模造技術(shù)制作。
4.如權(quán)利要求1所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該第一電極層以選自印刷法及涂布法之一形成。
5.如權(quán)利要求1所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該多個半導(dǎo)體平臺以選自蒸鍍法、印刷法及涂布法之一形成。
6.如權(quán)利要求1所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該絕緣層以選自蒸鍍法、印刷法及涂布法之一形成。
7.如權(quán)利要求1所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該第二電極層以選自蒸鍍法、印刷法及涂布法之一形成。
8.一種塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟提供一母模及一塑料基板，其中該母模具有一凸版結(jié)構(gòu)；該母模對該塑料基板進(jìn)行壓出成形，其在該塑料基板上定義柵極位置；形成一第一電極層，其在該塑料基板的該柵極位置形成柵極；形成一絕緣層；形成形成多個半導(dǎo)體平臺，每一該半導(dǎo)體平臺隔著該絕緣層而位于一該柵極上方；形成一第二電極層，其在該半導(dǎo)體平臺上形成源/漏極；以及形成一保護(hù)層。
9.如權(quán)利要求8所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該塑料基板可為具有側(cè)鏈末端基為-CH3以及-NH2之一的高分子材料。
10.如權(quán)利要求8所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該凸版結(jié)構(gòu)可用深刻模造技術(shù)制作。
11.如權(quán)利要求8所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該第一電極層以選自印刷法及涂布法之一形成。
12.如權(quán)利要求8所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該多個半導(dǎo)體平臺以選自蒸鍍法、印刷法及涂布法之一形成。
13.如權(quán)利要求第8所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該絕緣層以選自蒸鍍法、印刷法及涂布法之一形成。
14.如權(quán)利要求8所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該第二電極層以選自蒸鍍法、印刷法及涂布法之一形成。
15.一種塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟提供一母模及一塑料基板，其中該母模具有一凸版結(jié)構(gòu)；該母模對該塑料基板進(jìn)行壓出成形，其在該塑料基板上定義柵極位置；形成一第一電極層，其在該塑料基板之該柵極位置形成柵極；形成一絕緣層；形成一第二電極層，其隔著該絕緣層而在每一該柵極上方形成一對源/漏極；形成多個半導(dǎo)體平臺，每一該半導(dǎo)體平臺覆蓋一對該源/漏極；以及形成一保護(hù)層。
16.如權(quán)利要求15所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該塑料基板可為具有側(cè)鏈末端基為-CH3以及-NH2之一者之高分子材料。
17.如權(quán)利要求15所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該凸版結(jié)構(gòu)可用深刻模造技術(shù)制作。
18.如權(quán)利要求15所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該第一電極層以選自印刷法及涂布法之一形成。
19.如權(quán)利要求15所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該多個半導(dǎo)體平臺以選自蒸鍍法、印刷法及涂布法之一形成。
20.如權(quán)利要求15所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該絕緣層以選自蒸鍍法、印刷法及涂布法之一形成。
21.如權(quán)利要求15所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該第二電極層以選自蒸鍍法、印刷法及涂布法之一形成。
22.一種塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟提供一母模及一塑料基板，其中該母模具有一凸版結(jié)構(gòu)；該母模對該塑料基板進(jìn)行壓出成形，其在該塑料基板上定義柵極以及源/漏極位置，其中每一該柵極位置系位于一對該源/漏極位置之間；形成一電極層，其在該塑料基板之該柵極位置形成柵極以及在該源/漏極位置形成源/漏極；形成多個絕緣平臺，每一該絕緣平臺覆蓋一該柵極；形成多個半導(dǎo)體平臺，每一該半導(dǎo)體平臺覆蓋一該絕緣平臺以及一對該源/漏極；以及形成一保護(hù)層。
23.如權(quán)利要求22所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該塑料基板可為具有側(cè)鏈末端基為-CH3以及-NH2之一的高分子材料。
24.如權(quán)利要求22所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該凸版結(jié)構(gòu)可用深刻模造技術(shù)制作。
25.如權(quán)利要求22所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該電極層以選自印刷法及涂布法之一形成。
26.如權(quán)利要求22所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該多個半導(dǎo)體平臺以選自蒸鍍法、印刷法及涂布法之一形成。
27.如權(quán)利要求22所述的塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該多個絕緣平臺以選自蒸鍍法、印刷法及涂布法之一形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種塑料基板有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，包括以下步驟提供一母模及一塑料基板，其中該母模具有一凸版結(jié)構(gòu)；該母模對該塑料基板進(jìn)行壓出成形，其在該塑料基板上定義源/漏極位置；形成一第一電極層，其在該塑料基板的源/漏極位置形成源/漏極；形成多個半導(dǎo)體平臺，每一該半導(dǎo)體平臺覆蓋一對該源/漏極；形成一第二電極層，其隔著該絕緣層而位于該半導(dǎo)體層上方；以及形成一保護(hù)層。
文檔編號H01L51/40GK1797809SQ20041010351
公開日2006年7月5日 申請日期2004年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月29日
發(fā)明者黃良瑩, 何家充, 李正中 申請人:財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院