專利名稱：電致發(fā)光顯示裝置和用于電致發(fā)光顯示裝置的熱轉移給體膜的制作方法
背景技術：
本申請要求韓國知識產權局的于2003年11月28日提交的韓國專利申請No.2003-85819的權益，在此將其引入作為參考。
1.發(fā)明領域本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光(EL)顯示裝置和用于制備有機EL顯示裝置的熱轉移給體膜。更尤其是，本發(fā)明涉及一種從有機發(fā)光部分有著高效率出射光的EL顯示裝置。這種較高效率部分地是由直接位于堆積層(stack)上的光子晶體層(photonic crystal layer)引起的，該堆積層形成在基底之上。此外，引發(fā)用于EL顯示裝置的熱轉移給體膜的激光可用來在堆積層上形成光子晶體層。
2.相關技術描述通過反射或照射穿過介于很多個陽極和陰極之間的有機薄膜材料(例如，發(fā)光部分)的光，電致發(fā)光(EL)顯示裝置形成可見圖像，陽極和陰極形成在兩個平行的玻璃基底的相對表面上。對每個陽極/陰極對(例如，像素)施加電壓差可改變有機發(fā)光層的物理性質。當施加離散量的電壓差時，可產生不同顏色的陰影。有機EL顯示裝置因其驅動電壓低、輕便且薄，以及能提供寬視角和快速響應時間而得到了廣泛應用。
如上所述，有機EL顯示裝置的發(fā)光部分包括在彼此上順序形成的陽極、發(fā)光層和陰極。發(fā)光層可以包括發(fā)射層(EML)，在發(fā)射層中通過空穴和電子的復合而形成的激子產生光。激子是絕緣體或半導體的電中性激發(fā)態(tài)，經常被認為是電子和電子空穴(“空穴”)的結合狀態(tài)?？昭ㄊ怯捎谌鄙匐娮佣诰w中留下來的空閑位置。EML可進一步包括位于陰極和發(fā)射層之間的可以更平穩(wěn)地向發(fā)射層傳輸空穴和電子，從而提高了發(fā)射效率的電子傳輸層(ETL)、位于陽極和發(fā)射層之間的空穴傳輸層(HTL)、位于陽極和空穴傳輸層之間的空穴注入層(HIL)和位于陰極和電子傳輸層之間的電子注入層(EIL)。示例性的常規(guī)發(fā)光層可由酞菁銅(CuPc)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)或三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)構成。
這樣的發(fā)光部分的光效率(例如，光發(fā)射的效率)取決于內部效率和EL顯示裝置的其它層的效率(外部效率)。層的內部效率依賴于構成有機發(fā)光部分的材料的光電轉換效率而變化。類似地，外部效率依賴于有機EL顯示裝置每層的折射指數(shù)而變化。也稱外部效率為光耦合效率。一個問題是，當從有機發(fā)光層發(fā)射出的光的出射角大于其中一層的臨界角時，外部效率將降低。當這種情況發(fā)生時，在層的表面上發(fā)生反射。反射減弱了光，并致使光向外部發(fā)射。
表1直觀地顯示了由玻璃形成的透明基底和由氧化銦錫(ITO)形成的電極層對每個藍光(B)、紅光(R)和綠光(G)的光耦合效率。光耦合效率由每層的折射指數(shù)計算得出，Nin和Nout分別表示光進入和發(fā)射處的層的折射指數(shù)。
表1
從表1中可看出，由于電極層和基底之間折射指數(shù)的差異，從每個發(fā)射層中產生的光可以降低60％以上。已提出多種方法來增大光耦合效率。
例如，日本專利公報特開平11-283751公開了一種形成于基底上的包括衍射光柵或波帶片的結構。該公報還公開了殘留于有機膜和氧化銦錫(ITO)電極上的衍射光。
在這樣的一個有機EL裝置中，因為在基底表面上產生了不規(guī)整性，所以必須包含精細的電極圖案層或獨立的衍射光柵。這個要求使得制備過程變得復雜、難以獲得有效的生產能力。而且，在不規(guī)整的基底表面上有機層的形成或精細的電極圖案層增加了有機層的整體粗糙度，這增大了電流泄漏。而電流泄漏又損壞了有機EL裝置的耐用性和可靠性。
在日本專利公報特開昭63-17269公開了一種能夠阻止光耦合效率降低的有機EL顯示裝置。該公開的有機EL顯示裝置包括一種帶有諸如凸透鏡的光學聚光器的基底。
日本專利公報特開平1-29394公開了另一種有機EL顯示裝置。該顯示裝置包括介于透明電極層和發(fā)射層之間的第一電介質層。此外，也公開了具有折射指數(shù)小于第一電介質層的折射指數(shù)且大于透明電極層的折射指數(shù)的第二電介質層。
附

圖1是常規(guī)有機EL顯示裝置的局部剖面圖。如圖所示，包括兩個電極層21和22的有機發(fā)光部分形成于基底(未顯示)上，以及在光子晶體層41上形成密封基底10。在光子晶體層41和有機發(fā)光部分之間形成的空間層40為真空或充滿惰性氣體。
光子晶體層41的使用可以增大光耦合效率，然而光傳播的路徑必須結構平整。否則屏幕顯示質量將下降。為了得到均勻的屏幕顯示質量，空間層40應該有規(guī)律地間隔在有機EL顯示裝置的光傳播區(qū)域內。然而，這種約束限制了EL顯示裝置的設計和制備。這些問題也涉及到主動基體(AM)有機EL顯示裝置。
發(fā)明概述本發(fā)明提供一種出光效率(light extraction efficiency)改善的有機電致發(fā)光(EL)顯示裝置，出光效率的改善是由于在最接近有機發(fā)光部分的一側所形成的光子晶體層。本發(fā)明進一步提供一種用于制備出光效率改善的有機EL顯示裝置的熱傳遞給體膜。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種包括基底的有機EL顯示裝置。在基底上以預定的圖案形成第一電極層。在基底上也形成了堆積層，其包括第一電極層，以及在第一電極層上形成的有機發(fā)光部分。直接在堆積層上形成的光子晶體層提高了發(fā)光部分的出光效率。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，有機EL顯示裝置可以包括具有許多突起的光子晶體層。突起可以面向或背向堆積層。此外，形成于突起之間的凹穴部分可處于真空狀態(tài)或充滿預定氣體。另外，凹穴部分可以充滿折射指數(shù)不同于構成突起的材料的折射指數(shù)的材料。
在另一個實施方案中，有機EL顯示裝置包括帶有許多穿孔的光子晶體層，該穿孔處于真空狀態(tài)或充滿預定氣體。此外，這些穿孔可以充滿折射指數(shù)不同于構成光子晶體層的材料的折射指數(shù)的材料。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種包括基底的有機EL顯示裝置。在基底上形成了堆積層，包括在基底上以預定圖案形成的第一電極層、在第一電極層上形成的第二電極層和有機發(fā)光部分、可以增大發(fā)光部分的出光效率的光子晶體層、介于光子晶體層和堆積層之間的折射層，因此折射層是直接在堆積層上形成的。在一個實施方案中，折射層可以是折射指數(shù)不同于構成光子晶體層的材料的折射指數(shù)的材料。
附圖簡述通過參照附圖對其中示例性實施方案的詳細描述，本發(fā)明的上述及其它的特征和優(yōu)點將更為明顯。
附圖1是常規(guī)有機電致發(fā)光(EL)顯示裝置的局部剖面圖。
附圖2A、2B、2C和2D是根據(jù)本發(fā)明實施方案的有機EL顯示裝置的局部剖面圖。
附圖3A和3B是根據(jù)本發(fā)明實施方案的有機EL顯示裝置的局部剖面圖。
附圖3C和3D是根據(jù)本發(fā)明實施方案的有機EL顯示裝置的局部剖面圖。
附圖4是根據(jù)本發(fā)明另一個實施方案的有機EL顯示裝置。
發(fā)明詳述要求保護的本發(fā)明涉及改進的有機EL顯示裝置，通過使用折射材料和光子晶體層使得該裝置具有改善的光發(fā)射效率。本發(fā)明還提供一種用來構成光子晶體層以及將之傳送到堆積層的上層表面的熱傳遞層。
附圖2A-2D是根據(jù)本發(fā)明實施方案的有機電致發(fā)光(EL)裝置的局部剖面圖。根據(jù)本發(fā)明實施方案的有機EL顯示裝置包括基底210，在基底210上以圖案方式形成第一電極層230。在第一電極層上形成有機發(fā)光部分240。在有機發(fā)光部分240上形成第二電極層250。在第二電極層250上形成了增大有機發(fā)光的出光效率的光子晶體層260。
第一電極層230作為陽極，第二電極層250作為陰極，然而，本發(fā)明并不局限于這樣的結構，可使用不同的結構。第一電極層230可由通過真空沉積或噴涂形成的透明導電材料例如ITO構成。第二電極層250可由鎂、鋰或其它具有小功函的元素組成。可選地，電極層250可以是一種導電金屬，例如鋁、鋁化合物、銀、銀化合物等。
介于第一電極層230和第二電極層250之間的有機發(fā)光部分240可進一步包括空穴注入層、空穴傳輸層、R，G，B發(fā)射層、電子注入層和電子傳輸層。這些層的示例性布置示于附圖4中。
根據(jù)本發(fā)明的實施方案，有機EL顯示裝置的光子晶體層260的一部分被布置在非?？拷逊e層，因此能穩(wěn)固地接觸堆積層的一側。在該特別實施方案中，在光子晶體層260和堆積層之間沒有形成空間層。
光子晶體層260可由有機材料和無機材料形成。例如，光子晶體層260可由能夠熱傳遞且分子量小于100,000的光致抗蝕劑(PR)或透明的有機材料構成?？蛇x地，光子晶體層260可由SiOx、SiNx、Si3N4、TiO2、MgO、ZnO、Al2O3、SnO2、In2O3、MGF2和CaF2中的一種或多種構成。當在光子晶體層260中使用分子量小于100,000的有機材料時，在激光誘導熱成像過程中光子晶體層260可以部分地剝落下來。因此，依賴于該實施方案，光子晶體層260可以平滑地或不平滑地從熱成像膜剝落而粘合到堆積層的上表面上。
光子晶體層260可有多種形式，如附圖2A中所示，突起260b可從底層260a的一側突出。突起260b可從朝向堆積層的一側突出?？蛇x地，盡管沒有示于附圖2A中，突起260b可背向堆積層突出。如附圖2A中所示，當突起260b朝向堆積層突出時，它們可以穩(wěn)固地接觸第二電極層250的一個側面。
當光子晶體層260具有突起260b時，在突起260b之間形成了凹穴部分260c，并且這些凹穴部分260c可以保持真空狀態(tài)。可選地，如附圖2b中所示，凹穴部分260c可以充滿諸如氖氣、氦氣等預定的惰性氣體。通過在各個凹穴260c中變換布置不同的狀態(tài)和/或不同的材料可在光子晶體層中引起衍射。例如，所有的凹穴可處于真空狀態(tài)或充滿氣體?？蛇x地，至少一個凹穴可以充滿氣體，而至少另一個凹穴保持在真空狀態(tài)。可以形成的多種組合是有意義的。盡管為了簡潔的目的在此不進行描述，但所有的這些組合應被包含在要求保護的發(fā)明的范圍之內。
在附圖2d表示的一個可選實施方案中，通過填充凹穴部分260c可以增大衍射，該凹穴部分是由折射指數(shù)不同于構成突起260b材料的折射指數(shù)的一種材料或多種材料的組合而形成的。例如，合適的填充劑材料可選自諸如SiNx、TiO2等不同的有機材料和無機材料。如果填充凹穴部分260c的材料粘合到堆積層的一側(例如，第二電極層250)，可使用有機材料作為填充凹穴部分260c的材料，以增大接觸表面的結合能力。此外，底層260a可由無機材料構成，以增大底層260a和凹穴部分260c之間的結合能力。
在本發(fā)明的另一個實施方案中，如附圖2c所示，光子晶體層260可以是一種點格式的光子晶體層，其中在底層260a中有許多穿孔260d。穿孔260d可在底層260a內等間距布置，并在堆積層的一側。此外，當穿孔260d緊密布置在第二電極層250一側時，其可保持真空狀態(tài)，或充滿諸如Ne、He等惰性氣體的預定氣體。
此外，如附圖2D表示的有機EL裝置，通過用折射指數(shù)不同于構成底層260a材料的折射指數(shù)的材料來填充光子晶體層260上的穿孔260d，可以增大折射指數(shù)。例如，可用有機材料或諸如SiNx或TiO2等的無機材料來填充穿孔260d。由于填充穿孔260d的材料應粘合到堆積層(例如，第二電極層250)的一側，填充穿孔260d的材料可以是一種能夠提高第二電極層250和光子晶體層260之間結合能力的有機材料。此外，光子晶體層260的底層260a可由一種能夠提高填充穿孔260d的材料和底層260a之間結合能力的材料構成。
根據(jù)本發(fā)明實施方案的主動驅動EL顯示裝置的局部剖面圖示于附圖3A和3B中。如圖所示，可在EL顯示裝置300的基底310上形成緩沖層311。一個或多個用于驅動像素形成部分的薄膜晶體管(TFT)以及一個或多個驅動部分，每個均帶有電容器，可以布置在緩沖層311的最上面以產生像素。
緩沖層311可由諸如SiO2的材料通過等離子增強的化學汽相沉積而形成。然而，緩沖層311可由其它材料通過其它制備方法來形成。驅動部分包括TFT和電容器。TFT還包括在部分緩沖層311上形成的p-或n-型半導體層321、在半導體層321和緩沖層311上形成的門電路絕緣層322、在p-或n-型半導體層321上面的部分門電路絕緣層322上形成的門電路電極層323、以及在門電路絕緣層322和門電路電極層323上形成的第一絕緣層324。漏電極(drainelectrode)325和源電極326形成于第一絕緣層324上，并且通過穿透第一絕緣層324和門電路絕緣層322的接觸孔325a向下延伸到半導體層321。電容器包括從源電極326延伸出的第一附屬電極327a，以及布置在門電路絕緣層322與第一附屬電極327a相應的一側且被第一絕緣層324掩蓋的第二附屬電極327b。第二絕緣層328掩蓋了TFT和電容器，即掩蓋了漏電極325、源電極326和第一附屬電極327a。
在驅動部分上形成像素形成部分以產生像素。有機發(fā)光部分包括漏電極325。在掩蓋了源電極326和第一絕緣層324的第二絕緣層328上形成第一電極層331(用作陽極電極(anode pole))和第二電極層343。有機發(fā)光部分也包括用作陰極電極(cathode pole)的第二電極層343，以及介于第一電極層331和第二電極層343之間的有機發(fā)光部分342。本實施方案進一步包括用來保護有機發(fā)光部分342和阻止有機發(fā)光部分342由于吸收水分而造成損壞的鈍化層344。第一電極層331包括導電連接部分331a，該連接部分通過形成于第二絕緣層328中的穿孔與漏電極325的一端接觸。
參考附圖3a，根據(jù)本發(fā)明實施方案的制備有機EL顯示裝置的方法首先在基底310上堆積形成驅動部分和像素部分。
如前所述，要求保護的本發(fā)明進一步提供一種用于制備光子晶體層和通過熱成像而把光子晶體層粘合到堆積層上的熱傳遞給體膜。在一個實施方案中，通過在成像底層基底372下面順序形成光熱轉換層371和光子晶體層360來制備激光傳遞給體膜。成像底層基底372可由包括高分子材料的高分子膜構成，高分子膜可由諸如聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酯、聚丙烯酸類(polyacryl)、聚環(huán)氧樹脂、聚乙烯或聚苯乙烯等高分子材料構成。光熱轉換層371將激光束的光能轉變?yōu)闊崮?，并可由諸如炭黑和石墨的聚合物材料、諸如鋁的金屬或鋁的氧化產物構成。
盡管沒有示于附圖中，但可以形成由丙烯酸類(acryl)構成的獨立內層來保護光熱轉換層371，以及可以形成剝落層，用于平滑剝落傳遞部分并阻止光熱轉換層371材料傳遞到光熱層的一側上。熱傳遞給體膜并不局限于此，可以是處于包括光子晶體層或不包括光熱轉換層的范圍之內的多種不同形式。熱傳遞給體膜在本發(fā)明的特別實施方案中進行了描述，然而，根據(jù)本發(fā)明的實施方案，熱傳遞給體膜可采用其它的不同形式，且可包括光子晶體層。
在附圖3a中，光子晶體層360直接緊密地形成于光熱轉換層371下面，且可由厚度為幾μm的有機材料構成，或者由一種或多種下述物質構成SiOx、SiNx、Si3N4、TiO2、MgO、ZnO、Al2O3、SnO2、In2O3、MGF2和CaF2。光子晶體層360可由使用Ni涂覆的光子晶體鑄模通過熱壓縮而形成。光子晶體層360具有底層360a和很多可朝向基底310的突起360b。光子晶體層360的底層360a可以是薄膜，且突起360b可形成凹穴部分或穿孔。凹穴部分可處于真空狀態(tài)，可充滿諸如惰性氣體的預定氣體，或者被折射指數(shù)不同于構成突起360b材料的折射指數(shù)的材料所填充(參考附圖3C和3D)。此外，突起360b和底層360a可由不同或相同的材料構成。
在熱傳遞給體膜上形成光子晶體層360后，可在光子晶體層360下面形成由有機材料或者一種或多種諸如SiNx和TiO2的無機材料構成的折射層350。此外，可將折射層350進行均勻化，以防止由于不平整的表面而導致與堆積層側連接不良。折射層350可具有突起，該突起對應于由突起360b形成的凹穴部分。當突起360b朝向基底310時，可采用與由突起所形成的凹穴部分相嚙合的結構。突起360b并不限于這些結構，而且突起360b可形成于與光子晶體層的折射層350相對的光子晶體層360的一側。
此外，盡管沒有示于附圖中，當光子晶體層是具有多個穿孔的點狀型式時，在朝向光子晶體層的一側形成的突起可具有與穿孔相嚙合的結構。在形成光子晶體層時，為了增大衍射和防止可能的缺陷，直接形成于光子晶體層360下面的折射層350應該由不同于光子晶體層的元素構成。此外，光子晶體層360的底層360a的折射指數(shù)應該不同于折射層350的折射指數(shù)。
形成包括了光子晶體層的熱傳遞給體膜后，光子晶體層360在堆積層的一個表面上熱成像。例如，熱傳遞給體膜放置于靠近EL顯示裝置300的頂層，從而熱傳遞給體膜的低層表面朝向EL顯示裝置300的頂層表面。
使用熱棒(heat bar)、電子感應加熱、超聲摩擦加熱或激光對成像底層基底進行加熱?？梢允褂酶呔鹊募す馐?。因此，在一個具體實施方案中，激光照射源對成像底層基底372的期望區(qū)域照射出激光束。照射激光束穿過透明的成像底層基底，并將能量傳送到可為炭黑層或類似層的光熱轉換層371。光熱轉換層371將發(fā)射激光束的光能轉變成熱能，并將光子晶體層360從光熱轉換層371上分離下來。如附圖3b所示，分離的光子晶體層360和折射層350等被傳送到EL顯示裝置300的像素區(qū)域的一側(例如，在鈍化層344上)，并且在光子晶體層360和鈍化層344之間沒有形成空間層。此外，例如，當鈍化層344是由諸如SiO2、SiNx等無機材料構成時，通過用有機材料形成折射層350和用無機材料形成底層360a，可以增大同鈍化層344的粘附度。
在附圖3c中表示的另一個實施方案中，在光子晶體層360的一側不包括折射層350，從而光子晶體層360的至少一部分直接形成在鈍化層344上。通過突起360b形成的凹穴部分360c可以保持真空狀態(tài)，可充滿預定氣體，或者可充滿折射指數(shù)不同于構成突起360b材料的折射指數(shù)的材料(參考附圖3d)。光子晶體層360可以是一種點狀形式的光子晶體層，帶有許多在底層中形成的穿孔，其可以保持真空狀態(tài)，可充滿預定氣體，或者可充滿折射指數(shù)不同于底層的折射指數(shù)的材料。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案的有機EL顯示裝置示于附圖4中。在基底410上形成第一電極層421。在基底410和先前形成的第一電極層421上順序形成電子注入層422、電子傳輸層423、包括R，G和B發(fā)光層的有機發(fā)光部分425a、425b和425c、電子傳輸層424和第二電極層426。可在頂部形成鈍化層430以保護有機發(fā)光部分。
此外，在鈍化層430上形成光子晶體層450，以及可在光子晶體層450和鈍化層430之間形成折射層440。由于從R、G和B發(fā)光層425a、425b和425c發(fā)出的光的波長是不同的，光子晶體層450a、450b和450c可以單獨地配置成對應于顏色光的各自波長。因此，在一個實施方案中，根據(jù)發(fā)光層425a、425b和425c的類型(例如，R、G或B顏色中的每個)，在鈍化層430上形成的光子晶體層450各自常規(guī)地形成圖案。
根據(jù)對應于顏色R的亞-像素組、對應于顏色G的亞-像素組、對應于顏色B的亞-像素組可形成圖案。在一個實施方案中，一種亞-像素組中的光子晶體層的形式不同于其它任何一個亞-像素組中的光子晶體層的形式。一些情況下，在相同組中的光子晶體層具有不同的形式或尺寸。
同時，參考附圖2a-附圖4，激光熱傳遞給體膜可以包括光熱轉換層。其進一步可以包括具有許多突起的光子晶體層。另外可以包括形成在傳遞給體膜上的許多穿孔。激光熱傳遞給體膜也可以包括折射層，構成該折射層的材料的折射指數(shù)不同于形成光子晶體層一側的材料的折射指數(shù)，該光子晶體層的一側距離光子晶體層的光熱轉換層最遠。此外，在激光熱傳遞給體膜上形成的光子晶體層可以被形成許多組，并且這些組的光子晶體層的尺寸和物理性能對于不同的組可以是不同的。
按照被動驅動形式或主動驅動形式的有機EL顯示裝置對上述實施方案進行了描述，然而，本發(fā)明并不局限于任何一種形式。
具有上述結構的本發(fā)明具有如下效果。
根據(jù)本發(fā)明的實施方案，有機EL顯示裝置不包括介于光子晶體層和堆積層之間的空間層。此外，在堆積層上形成光子晶體層提高了出光效率，并且通過避免了在光子晶體層和堆積層之間制備空間層的需要，而解決了制備過程中的物理問題。
通過包含帶有光子晶體層的折射層也進一步提高了出光效率。此外，為各個R、G和B組單獨形成的光子晶體層能夠提高顏色光發(fā)出的每個波長的出光效率這里所描述的有機EL顯示裝置和熱傳遞給體膜的實施方案使得利用熱成像方法，尤其是激光誘導熱成像(LITI)方法能夠進行精確地制備。通過消除了形成空間層的需要(這在有機EL顯示裝置的傳統(tǒng)制備方法中是個問題)，使用這樣的方法顯著地降低了制備成本和時間。
本發(fā)明的多種實施方案不但可以用于被動驅動模型(PM)的有機EL顯示裝置，也可以用于主動驅動(AM)的有機EL顯示裝置。
盡管已參考示例性的實施方案對本發(fā)明進行了詳盡的說明和描述，但本領域技術人員應當理解，可以在形式和細節(jié)上作出各種變化，而這些變化并不偏離如權利要求所定義的本發(fā)明的精神和范圍。
權利要求
1.一種有機EL顯示裝置，包括基底；在基底上形成的第一電極層；在第一電極層上形成的堆積層，其包括第二電極層和有機發(fā)光部分；和在堆積層上直接形成的光子晶體層，該光子晶體層提高了發(fā)光部分的出光效率。
2.權利要求1的有機EL顯示裝置，其中光子晶體層具有多個突起。
3.權利要求2的有機EL顯示裝置，其中突起朝向堆積層。
4.權利要求2的有機EL顯示裝置，其中突起背向堆積層。
5.權利要求2的有機EL顯示裝置，其中突起之間的凹穴部分處于真空狀態(tài)。
6.權利要求2的有機EL顯示裝置，其中突起之間的凹穴部分充滿了預定氣體。
7.權利要求2的有機EL顯示裝置，其中突起之間的凹穴部分充滿了折射指數(shù)不同于構成突起材料的折射指數(shù)的材料。
8.權利要求1的有機EL顯示裝置，其中光子晶體層具有多個穿孔。
9.權利要求8的有機EL顯示裝置，其中多個穿孔處于真空狀態(tài)。
10.權利要求8的有機EL顯示裝置，其中多個穿孔充滿了預定氣體。
11.權利要求8的有機EL顯示裝置，其中多個穿孔充滿了折射指數(shù)不同于構成光子晶體層材料的折射指數(shù)的材料。
12.權利要求7的有機EL顯示裝置，其中填充凹穴部分的材料是有機材料。
13.權利要求12的有機EL顯示裝置，其中光子晶體層由無機材料構成。
14.權利要求8的有機EL顯示裝置，其中填充穿孔的材料是有機材料。
15.權利要求14的有機EL顯示裝置，其中光子晶體層由無機材料構成。
16.權利要求1的有機EL顯示裝置，其中光子晶體層的至少一部分直接形成在第二電極上。
17.權利要求5的有機EL顯示裝置，其中光子晶體層由有機材料構成。
18.權利要求1的有機EL顯示裝置，其中堆積層進一步包括保護有機發(fā)光部分并且形成于光子晶體層上的鈍化層。
19.權利要求18的有機EL顯示裝置，其中光子晶體層是由有機材料構成。
20.權利要求1的有機EL顯示裝置，其中在有機發(fā)光部分的各個有機發(fā)光層中形成R、G和B亞-像素組，且光子晶體層對每個亞-像素組的至少兩個亞-像素形成圖案。
21.權利要求20的有機EL顯示裝置，其中對于每個R、G和B亞-像素組的任何一個或多個亞-像素的光子晶體層的尺寸不同于其它任何一個或多個亞-像素的光子晶體層的尺寸。
22.一種有機EL顯示裝置，包括基底；堆積層，其包括在基底上以預定圖案形成的第一電極層、在第一電極層上形成的第二電極層和有機發(fā)光部分；提高了發(fā)光部分的出光效率的光子晶體層；和介于光子晶體層和堆積層之間的折射層，從而折射層的一部分直接形成在堆積層上，折射層是由折射指數(shù)不同于構成光子晶體層材料的折射指數(shù)的材料構成。
23.權利要求22的有機EL顯示裝置，其中光子晶體層包括多個突起。
24.權利要求23的有機EL顯示裝置，其中突起朝向折射層。
25.權利要求23的有機EL顯示裝置，其中突起背向折射層。
26.權利要求23的有機EL顯示裝置，其中，在朝向光子晶體層的折射層一側中，對應于突起之間的凹穴部分而形成突起。
27.權利要求22的有機EL顯示裝置，其中光子晶體層具有多個穿孔。
28.權利要求27的有機EL顯示裝置，其中，在朝向光子晶體層的折射層一側中，對應于在光子晶體層上形成的多個穿孔而形成多個突起。
29.權利要求22的有機EL顯示裝置，其中折射層是由有機材料構成。
30.權利要求29的有機EL顯示裝置，其中光子晶體層是由無機材料構成。
31.權利要求22的有機EL顯示裝置，折射層形成在第二電極上。
32.權利要求31的有機EL顯示裝置，其中折射層是由有機材料構成。
33.權利要求32的有機EL顯示裝置，其中光子晶體層是由無機材料構成。
34.權利要求22的有機EL顯示裝置，其中堆積層進一步包括保護有機發(fā)光部分的鈍化層，且在鈍化層上形成折射層。
35.權利要求34的有機EL顯示裝置，其中折射層是由有機材料構成。
36.權利要求35的有機EL顯示裝置，其中光子晶體層是由無機材料構成。
37.權利要求22的有機EL顯示裝置，其中有機電致發(fā)光部分的每個有機發(fā)光層包括R、G和B亞-像素組，且光子晶體層對亞-像素組的至少兩個亞-像素形成圖案。
38.權利要求37的有機EL顯示裝置，其中對于每個R、G和B亞-像素組的任何一個或多個亞-像素的光子晶體層的尺寸不同于其它任何一個或多個亞-像素的光子晶體層的尺寸。
39.一種熱傳遞給體膜，包括熱成像基底膜；基底膜下面的光熱轉換層；在光熱轉換層下面形成的中間層；和在中間層下面形成的光子晶體層。
40.權利要求39的熱傳遞給體膜，其中光子晶體層具有多個突起。
41.權利要求39的熱傳遞給體膜，其中光子晶體層具有多個穿孔。
42.權利要求39的熱傳遞給體膜，其中在光子晶體層下面形成折射層，構成該折射層的材料的折射指數(shù)不同于形成光子晶體層的材料的折射指數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光(FL)顯示裝置，該顯示裝置由于在最靠近堆積層的一側形成了光子晶體層而具有改善的出光效率。在其余的元件中，堆積層可以包括在基底上形成的第一電極、在第一電極上面形成的有機發(fā)光層和在有機發(fā)光層上面形成的第二電極。此外，光子晶體層可以對應于顏色光的波長進行配置?？赏ㄟ^使用將光子晶體層粘合到堆積層上的熱傳遞給體膜來制備具有改善的出光效率的有機EL顯示裝置。
文檔編號H01L27/32GK1622727SQ20041010380
公開日2005年6月1日 申請日期2004年11月26日 優(yōu)先權日2003年11月28日
發(fā)明者樸鎮(zhèn)宇, 鄭昊均, 權章赫, 金茂顯, 宋承龍, 都永洛, 金潤昶, 姜泰旻, 李城宅 申請人:三星Sdi株式會社