專(zhuān)利名稱(chēng)：硅鋼片組合體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種硅鋼片組合體及其線(xiàn)圈座，特別涉及一種應(yīng)用在抗流線(xiàn)圈、變壓器、整流器、或其它需線(xiàn)圈纏繞硅鋼片群的等效電子產(chǎn)品上的硅鋼片組合體。
背景技術(shù)：
已知目前各種抗流線(xiàn)圈均運(yùn)用在各種不同功能型態(tài)的電器產(chǎn)品中，所以抗流線(xiàn)圈對(duì)各電器產(chǎn)品的電源部分來(lái)說(shuō)非常重要。該抗流線(xiàn)圈可以提高能源的使用率，并降低電力系統(tǒng)無(wú)謂的電源損耗，除了可以增加電器產(chǎn)品壽命的需求之外，還具有環(huán)境保護(hù)的效果。因此抗流線(xiàn)圈成為電器產(chǎn)品中不可或缺且可簡(jiǎn)易使用的零組件之一。
為讓線(xiàn)圈座可以安裝于電器用品的機(jī)殼，與機(jī)殼形成一絕緣狀態(tài)，防止高壓漏電現(xiàn)象，以及符合高壓漏電測(cè)試的線(xiàn)圈座構(gòu)造，本申請(qǐng)人曾提出第202439號(hào)的中國(guó)臺(tái)灣實(shí)用新型專(zhuān)利，其中提出了一種改進(jìn)的抗流線(xiàn)圈的組接構(gòu)造，具有一線(xiàn)圈座，該線(xiàn)圈座由兩半部構(gòu)成，在兩半部?jī)?nèi)具有一置放區(qū)，其外具有一纏繞區(qū)，而前述的纏繞區(qū)的兩側(cè)厚實(shí)部上各延伸有一相對(duì)稱(chēng)的組接部，該技術(shù)方案雖有效解決了組裝的問(wèn)題，但仍存在以下缺陷一、以本實(shí)用新型圖4的電源供應(yīng)器4為例，除了抗流線(xiàn)圈之外，底部還必須相接電路板及其它零組件，由于各零組件在動(dòng)作時(shí)均會(huì)產(chǎn)生高熱，因此，電源供應(yīng)器4的端部均會(huì)裝設(shè)散熱風(fēng)扇，但在高功率電源供應(yīng)器4上，由于零組件產(chǎn)生的高熱需快速降溫而不致影響其效能，因此，多在其上增設(shè)有散熱片，這樣，經(jīng)常與抗流線(xiàn)圈造成干涉現(xiàn)象而無(wú)法組裝，或造成抗流線(xiàn)圈與散熱片的間隙過(guò)小而阻礙空氣流道，影響應(yīng)有的散熱效能，為此，在無(wú)法變更電源供應(yīng)器4的高度的情況下，如何提供薄型的抗流線(xiàn)圈便成為需要解決的問(wèn)題。
二、若要使線(xiàn)圈座薄型化，以現(xiàn)有制作方式，就必須降低硅鋼片的數(shù)量，但將會(huì)使其截面積縮小而影響其功率的輸出，為此，如果要維持高功率，就需增加線(xiàn)圈的纏繞數(shù)，但線(xiàn)圈制作成本高于硅鋼片，且必須增加繞線(xiàn)工時(shí)，此外，增加線(xiàn)圈纏繞數(shù)時(shí)，必須相對(duì)增加硅鋼片的相接氣隙(gap)，這樣，將容易超過(guò)功率輕載規(guī)范而須加裝補(bǔ)償電容或其它等效補(bǔ)償電路，但補(bǔ)償電容制作不易，相對(duì)成本及工時(shí)將增加，不符合經(jīng)濟(jì)效益。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于解決上述缺陷，為避免該缺陷的存在，本實(shí)用新型提供了一種薄型化線(xiàn)圈座的實(shí)現(xiàn)方式，主要是在高功率下，以增加硅鋼片群的截面積，而降低產(chǎn)品體積及線(xiàn)圈纏繞圈數(shù)為設(shè)計(jì)重點(diǎn)，通過(guò)硅鋼片堆疊成型的第一芯片群由一繞線(xiàn)部及連接繞線(xiàn)部的磁通部所組成，并使該磁通部的磁路面積(磁力線(xiàn)通道寬度)小于繞線(xiàn)部的磁路面積，且在第一芯片群的磁通部相接以補(bǔ)充該磁通部的磁路面積以增加磁通量飽和度的第二芯片群，使第一、二芯片群組接至相匹配的線(xiàn)圈座，使線(xiàn)圈座整體高度薄型化的同時(shí)，仍維持或增加輸出功率。


圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)分解示意圖。
圖2-1是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的組合示意圖。
圖2-2是圖2-1在A-A位置的剖視圖。
圖3-1是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的組合示意圖。
圖3-2是圖3-1在B-B位置的剖視圖。
圖4是本實(shí)用新型裝設(shè)在電子產(chǎn)品的示意圖。
圖5是本實(shí)用新型第三實(shí)施例的組合示意圖。
圖6是本實(shí)用新型第四實(shí)施例的組合示意圖。
具體實(shí)施方式
有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說(shuō)明及技術(shù)內(nèi)容，現(xiàn)結(jié)合附圖說(shuō)明如下請(qǐng)參閱圖1，是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)分解示意圖，如圖所示本實(shí)用新型的硅鋼片組合體包括由多層硅鋼片接合形成的第一芯片群1a、及相接第一芯片群1a的第二芯片群2a，其中前述第一芯片群1a由一繞線(xiàn)部11a及連接繞線(xiàn)部11a的磁通部10所組成，并使該磁通部10a的磁路面積(磁力線(xiàn)通道寬度W1)小于繞線(xiàn)部11a的磁路面積(磁力線(xiàn)通道寬度W2)，該磁路面積是磁力線(xiàn)通道，令該磁通部10a的磁力線(xiàn)通道寬度W1小于繞線(xiàn)部11a的磁力線(xiàn)通道寬度W2；第二芯片群2a與第一芯片群1a的磁通部10a以層疊方式相接，該第二芯片群2a用以補(bǔ)充該磁通部10a的磁路面積以增加整體磁路的飽和磁通量，圖2-1中的第一實(shí)施例相對(duì)組接的第一芯片群1a分別為U型及I型組合，圖3-1中的第二實(shí)施例相對(duì)組接的第一芯片群1a則均為U型組合，第二芯片群2a則均為I型。
用于前述硅鋼片組合體的線(xiàn)圈座3對(duì)應(yīng)第一芯片群1a的繞線(xiàn)部11a而為多個(gè)中空半體30組成，且每一半體30包括一中段部31、以及分別設(shè)置于中段部31的兩端，并與中段部31連通的兩箱部32，前述中段部31內(nèi)具有第一芯片群1a容置的第一容置區(qū)310，其外則為線(xiàn)圈纏繞區(qū)311，該各箱部32則具有兩側(cè)開(kāi)口320，其一側(cè)開(kāi)口320提供第一、二芯片群1a、2a置入，另一側(cè)開(kāi)口320則相對(duì)于另一中空半體30的開(kāi)口320，且在箱部32內(nèi)具有供第一、二芯片群1a、2a容置的第二容置區(qū)322，并在該箱部32的底部設(shè)有一組接部33，該組接部33用以組裝線(xiàn)圈座3定位于圖4所示電子產(chǎn)品的機(jī)殼40，且該箱部32大于中段部31而延伸出一止擋部34，另在箱部32的側(cè)部設(shè)有線(xiàn)圈5纏繞最終出線(xiàn)的出線(xiàn)架35(如圖4所示)。
請(qǐng)同時(shí)參閱圖1、2-2、3-2、4所示，由圖式中可明顯看出，本實(shí)用新型將第一芯片群1a的繞線(xiàn)部11a擴(kuò)大而增加其截面積，如此將可在同功率下降低產(chǎn)品體積、及線(xiàn)圈5的纏繞圈數(shù)，或者在相同的線(xiàn)圈5的纏繞數(shù)下，將硅鋼片堆疊數(shù)降低，即可達(dá)到線(xiàn)圈座3薄型化的目的，需注意的是，由于繞線(xiàn)部11a的磁路面積(磁力線(xiàn)通道寬度W2)大于磁通部10a的磁路面積(磁力線(xiàn)通道寬度W1)，將減少磁通量的飽和度，為此，本實(shí)用新型采用第二芯片群2a相接磁通部10a而達(dá)到補(bǔ)充磁路面積的效果，至于第二芯片群2a雖會(huì)增加高度，但所增加的高度將與線(xiàn)圈3原本纏繞的高度相近，因此，對(duì)整體高度并不產(chǎn)生影響。
請(qǐng)參閱圖5、6所示，分別為本實(shí)用新型應(yīng)用于該硅鋼片組合體以EE或EI型為第一芯片群1b的實(shí)施例，同上，第二芯片群2b相接于第一芯片群1b的磁通部10b而達(dá)到補(bǔ)充磁路面積的效果，此實(shí)施例因應(yīng)用的第一芯片群1b的形態(tài)不同，因此，該硅鋼片組合體組裝的線(xiàn)圈座6則需包括一線(xiàn)圈體60及分別設(shè)置于該線(xiàn)圈體60兩側(cè)的兩包覆體61，組裝方式是先將線(xiàn)圈5纏繞于第一芯片群1b的線(xiàn)圈纏繞區(qū)(圖中未示)，再通過(guò)線(xiàn)圈體60內(nèi)具有第一容置區(qū)601，以裝設(shè)該第一芯片群1b的繞線(xiàn)部11b，此時(shí)，利用該兩包覆體61具有該第一芯片群1b的磁通部10b、及第二芯片群2b容置的第二容置區(qū)611，將第一芯片群1b的磁通部10b及第二芯片群2b包覆后，通過(guò)兩包覆體61對(duì)應(yīng)設(shè)有組接凸部614及凹部615而組裝定位，最終將線(xiàn)圈5的出線(xiàn)頭(圖中未示)制作于兩包覆體61上的出線(xiàn)架613，再以該兩包覆體61底部設(shè)有一組接部612，即可將線(xiàn)圈座6固接至電子產(chǎn)品上。
綜上所述，本實(shí)用新型雖會(huì)增加硅鋼片的總制作面積，但相對(duì)可降低線(xiàn)圈5的纏繞數(shù)、補(bǔ)償電容等設(shè)計(jì)，就制作工時(shí)以及成本而言，均非常符合經(jīng)濟(jì)效益而利用寬度換取線(xiàn)圈座3的高度更可有效達(dá)成薄型化的目的。
以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包括在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種硅鋼片組合體，其特征在于所述硅鋼片組合體包括第一芯片群(1a、1b)，由繞線(xiàn)部(11a、11b)及連接所述繞線(xiàn)部(11a、11b)的磁通部(10a、10b)所構(gòu)成，并使所述繞線(xiàn)部(11a、11b)的磁路面積小于所述磁通部(10a、10b)的磁路面積；第二芯片群(2a、2b)，與所述第一芯片群(1a、1b)的所述磁通部(10a、10b)相接，所述第二芯片群(2a、2b)用以補(bǔ)充所述磁通部(10a、10b)的磁路面積以增加磁通量飽和度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鋼片組合體，其特征在于，所述第一、二芯片群(1a、1b、2a、2b)由多層硅鋼片接合形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鋼片組合體，其特征在于，所述磁路面積是磁力線(xiàn)通道，令所述磁通部(10a)的磁力線(xiàn)通道寬度(W1)小于所述繞線(xiàn)部(11a)的磁力線(xiàn)通道寬度(W2)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鋼片組合體，其特征在于，所述第二芯片群(2a、2b)以層疊方式與所述第一芯片群(1a、1b)相接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鋼片組合體，其特征在于所述硅鋼片組合體以UI或UU型為所述第一芯片群(1a)，并組裝于一線(xiàn)圈座(3)，所述線(xiàn)圈座(3)對(duì)應(yīng)所述第一芯片群(1a)的所述磁通部(10a)由多個(gè)中空半體(30)組成，且每一所述半體(30)包括一中段部(31)，其內(nèi)具有容置所述第一芯片群(1a)的所述繞線(xiàn)部(11a)的第一容置區(qū)(310)，其外則為線(xiàn)圈纏繞區(qū)(311)；兩箱部(32)，分別設(shè)置于所述中段部(31)的兩端并與所述中段部(31)連通，所述各箱部(32)具有兩側(cè)開(kāi)口(320)，且在所述箱部(32)內(nèi)具有容置所述第一芯片群(1a)的所述磁通部(10a)及所述第二芯片群(2a)的第二容置區(qū)(322)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅鋼片組合體，其特征在于，所述箱部(32)的底部設(shè)有一組接部(33)，所述箱部(32)的側(cè)部設(shè)有出線(xiàn)架(35)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅鋼片組合體，其特征在于，所述箱部(32)大于所述中段部(31)而延伸出一止擋部(34)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鋼片組合體，其特征在于，所述硅鋼片組合體以EE或EI型為所述第一芯片群(1b)，并組裝于一線(xiàn)圈座(6)，所述線(xiàn)圈座(6)包括一線(xiàn)圈體(60)，其內(nèi)具有容置所述第一芯片群(1b)的所述繞線(xiàn)部(11b)的第一容置區(qū)(601)，其外則為線(xiàn)圈纏繞區(qū)；兩包覆體(61)，分別設(shè)置于所述線(xiàn)圈體(60)的兩側(cè)，所述兩包覆體(61)具有容置所述第一芯片群(1b)的所述磁通部(10b)、及所述第二芯片群(2b)的第二容置區(qū)(611)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅鋼片組合體，其特征在于，所述兩包覆體(61)的底部設(shè)有一組接部(612)，另所述兩包覆體(61)上設(shè)有出線(xiàn)架(613)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅鋼片組合體，其特征在于，所述兩包覆體(61)對(duì)應(yīng)設(shè)有組接凸部(614)及凹部(615)。
專(zhuān)利摘要一種硅鋼片組合體，主要通過(guò)組合式硅鋼片的截面積的增加、產(chǎn)品體積的降低、以及線(xiàn)圈纏繞圈數(shù)的降低而達(dá)到組裝工時(shí)低、成本低的效果，通過(guò)硅鋼片堆疊成型的第一芯片群由一繞線(xiàn)部、及連接繞線(xiàn)部的磁通部所組成，并使該磁通部的磁路面積(磁力線(xiàn)通道寬度)小于繞線(xiàn)部的磁路面積，且在第一芯片群的磁通部相接用以補(bǔ)充該磁通部的磁路面積以增加磁通量飽和度的第二芯片群，使第一、二芯片群組接至相匹配的線(xiàn)圈座，使線(xiàn)圈座的整體高度更加輕薄，但仍然可維持或增加輸出功率。
文檔編號(hào)H01L27/24GK2691058SQ20042000776
公開(kāi)日2005年4月6日 申請(qǐng)日期2004年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月24日
發(fā)明者周宗漢 申請(qǐng)人:司峰電子股份有限公司