專利名稱：階梯方阻電容器用薄膜的制作方法
專利說明
一、技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及一種電容器用薄膜的結(jié)構(gòu)，尤其是電阻率呈一定分布的電容器用薄膜。
二背景技術(shù)：
電容器用薄膜尤其鍍金屬層是薄膜是在聚脂、聚丙烯等絕緣薄膜材料上真空鍍有金屬導(dǎo)電層，用兩層薄膜卷繞后分另在兩端引出金屬電極制成所謂箔式和金屬化式系列電容器，現(xiàn)有的聚脂、聚丙烯等絕緣薄膜材料上真空鍍有電容器用薄膜一般鍍有均勻的金屬導(dǎo)電薄膜，但太薄會影響導(dǎo)電率，會影響電容器的品級；而過厚的鍍層會使成本高、生產(chǎn)效率降低，擊穿電壓低，也會影響電容的量值設(shè)定，尤其是現(xiàn)有大都為自愈式薄膜電容器設(shè)計(jì)，過厚的鍍層會影響自愈效果。
三
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型目的是提供一種電阻率呈一定分布的電容器用薄膜，尤其是呈階梯方阻變化或呈方阻逐漸變化的電容器用薄膜。即變大或變小。
電容器用薄膜，絕緣薄膜材料上真空鍍有金屬導(dǎo)電層，金屬導(dǎo)電層呈階梯方阻的或呈方阻逐漸變化的電容器用薄膜。方阻逐漸變化的范圍在3-20Ω/cm2，金屬導(dǎo)電層呈階梯方阻的或呈方阻逐漸變化反應(yīng)在鍍層的厚度上有對應(yīng)關(guān)系，一般如Zn-Al鍍層時(shí)厚薄在0.001-0.0015μm或更寬的范圍。
用本實(shí)用新型的薄膜在使用時(shí)，兩層薄膜卷繞后，在每層薄膜的厚鍍層或小電導(dǎo)率的端部金屬化引出金屬電極制成所謂金屬化式系列電容器，卷繞時(shí)保證電容器的厚度均勻，不會影響導(dǎo)電率，擊穿電壓可以明顯提高一個(gè)級別，不會影響電容的量值設(shè)定。
四

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖絕緣薄膜材料1、真空鍍有金屬導(dǎo)電層階梯方阻變化或厚度呈梯狀分布2，金屬鍍層一般為Zn-A導(dǎo)電鍍層。
五具體實(shí)施方式
絕緣薄膜材料聚脂、聚丙烯等，真空鍍有金屬導(dǎo)電層階梯方阻變化或厚度呈梯狀分布2，金屬鍍層一般為Zn-A導(dǎo)電鍍層。
金屬導(dǎo)電鍍層在與卷繞方向垂直的方向上分布，即階梯方阻或呈方阻逐漸變化的電容器用薄膜。端部的方阻小然后逐漸增加。在端部金屬化引出電極，另一電極從另一層薄膜相反的端部引出，亦為端部的方阻最小。方阻逐漸變化的范圍在3-20Ω/cm2，金屬導(dǎo)電層呈階梯方阻的或呈方阻逐漸變化反應(yīng)在鍍層的厚度上有對應(yīng)關(guān)系。
權(quán)利要求1.階梯方阻電容器用薄膜，絕緣薄膜材料上真空鍍有金屬導(dǎo)電層，其特征是金屬導(dǎo)電層呈階梯方阻變化或方阻逐漸變化。
2.由權(quán)利要求1所述的階梯方阻電容器用薄膜，其特征是方阻逐漸變化的范圍在3-20Ω/cm2。
3.由權(quán)利要求1所述的階梯方阻電容器用薄膜，其特征是所述金屬導(dǎo)電層呈階梯方阻變化的或呈方阻逐漸變化反應(yīng)在鍍層的厚度上有對應(yīng)關(guān)系，Zn-Al鍍層時(shí)厚薄在0.001-0.0015μm范圍。
專利摘要階梯方阻電容器用薄膜，絕緣薄膜材料上真空鍍有金屬導(dǎo)電層，金屬導(dǎo)電層呈階梯方阻變化或方阻逐漸變化。方阻逐漸變化的范圍在3－20Ω/cm
文檔編號H01G4/005GK2694453SQ20042002442
公開日2005年4月20日 申請日期2004年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月20日
發(fā)明者周明基, 項(xiàng)秋元 申請人:周明基