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發(fā)光二極體的制作方法

文檔序號(hào):6841432閱讀:164來源:國知局
專利名稱:發(fā)光二極體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極體,尤其涉及一種由晶片及其底面的陽極焊墊和陰極焊墊等組成的發(fā)光二極體。
背景技術(shù)
電子產(chǎn)品中,發(fā)光二極體因材料科技的發(fā)展,不僅具有工作壽命長、低電耗的優(yōu)點(diǎn),而且還可發(fā)出多種顏色的光線,且亮度有了顯著的增強(qiáng),所以發(fā)光二極體不僅被廣泛運(yùn)用于各種顯示用途,甚至已成功的涉足照明領(lǐng)域,其用途越來越廣泛。
現(xiàn)有的發(fā)光二體如圖6所示,是在基板10上設(shè)有一晶片12,該基板10上設(shè)有陽極接線11和陰極接線13,該晶片12底面分別設(shè)有陽極和陰極焊墊(圖中未示出),其上分別植設(shè)錫球14,通過該錫球14分別與基板10的陽極接線11和陰極接線13構(gòu)成電連接,且基板10表面設(shè)有封膠層16將晶片12包裹其間。然而由于錫球14的制作成本高且使其連接于發(fā)光二極體中的工藝較復(fù)雜,需先制作錫球14,再將錫球14貼附于晶片12底面,并用熱熔使之與基板10的陽極接線11和陰極接線13構(gòu)成電連接,故耗費(fèi)時(shí)間長,增加了發(fā)光二極體的制作成本,另外由于需封上封膠層16,因此發(fā)光二極體具有一定的厚度。
另一種常用的發(fā)光二極體如圖7所示,是在一基板20上用導(dǎo)線22將晶片24與基板20的陽極接線21和陰極接線23導(dǎo)通,再利用封膠層26將晶片包裹其中,然而由于需經(jīng)過導(dǎo)線22才能使晶片24與陽極接線21和陰極接線23導(dǎo)通,故耗費(fèi)時(shí)間長,且導(dǎo)線22的制作亦使制作成本增加,且導(dǎo)線22會(huì)影響發(fā)光二極體的發(fā)光效果,另外由于需封上封膠層26,因此也有一定的厚度。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于提供一種可縮短制作時(shí)間、減小成本的超薄型的發(fā)光二極體。
本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是,設(shè)計(jì)制造一種發(fā)光二極體,包括一晶片,該晶片底面設(shè)有陽極焊墊和陰極焊墊并分別與基板的陽極接線和陰極接線構(gòu)成電連接,其特別之處在于該晶片是直接利用金屬導(dǎo)電膠將晶片底面的陽極焊墊和陰極焊墊與基板的陽極接線和陰極接線固定導(dǎo)通。
所述晶片的形狀為菱形,其陽極焊墊與陰極焊墊分別位于菱形晶片小于90度角的兩端。由此可增大陽極焊墊與陰極焊墊之間的距離,避免兩極的金屬導(dǎo)電膠太接近而造成短路。
所述晶片的陽極焊墊與陰極焊墊可為不同形狀以便區(qū)分。
為了增加發(fā)光效果,可在所述晶片底面未設(shè)置陽極焊墊和陰極焊墊的位置與基板間設(shè)有一反光層。所述反光層下方與基板之間可設(shè)有一絕緣層以增加絕緣效果。
同現(xiàn)有技術(shù)相比較,本實(shí)用新型發(fā)光二極體利用金屬導(dǎo)電膠直接將晶片的陽極焊墊和陰極焊墊分別與基板的陽極接線和陰極接線固定并導(dǎo)通,無需焊導(dǎo)線,且無需封膠,因此可縮短制作時(shí)間并降低成本,并可減小成品的高度,由于基板40的厚度約為0.15mm,而晶片30高度約為0.15mm或0.2mm,因此總高度約0.3-0.35mm,故可制作成超薄型的產(chǎn)品;陽極焊墊與陰極焊墊做成不同形狀可方便區(qū)分;另外于晶片與基板之間增設(shè)反光層及絕緣層,且無需導(dǎo)線導(dǎo)通,因此可增加發(fā)光效果,比一般焊雙導(dǎo)線藍(lán)光的發(fā)光二極體的發(fā)光效果提高了約50%。


圖1為所述晶片30的立體圖;圖2為具有不同形狀陽極焊墊32與陰極焊墊34的晶片30的立體圖;圖3為多個(gè)所述晶片30與基板的陽極接線42和陰極接線44電連接的示意圖;圖4為單個(gè)晶片30與基板40的陽極接線42和陰極接線44電連接的剖面圖;圖5為晶片30與基板40之間設(shè)有反光層50及絕緣層60時(shí)的剖面圖;圖6為現(xiàn)有的第一種發(fā)光二極體的剖面圖;圖7為現(xiàn)有的第二種發(fā)光二極體的剖面圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖所示之最佳實(shí)施例作進(jìn)一步詳述。
圖1為本實(shí)用新型發(fā)光二極體的晶片30的示意圖,該晶片30可為四邊形,較佳地可為菱形,并于其底面分別設(shè)有陽極焊墊32和陰極焊墊34,該陽極焊墊32和陰極焊墊34位于同一平面上,較佳地,該陽極焊墊32和陰極焊墊34可分別位于四邊形晶片30的兩相對(duì)角處或位于菱形晶片30小于90度角的兩端。所述陽極焊墊32和陰極焊墊34可以是相同的任意形狀,如圖1中的圓形;兩焊墊的形狀也可不同,如圖2所示,可分別為方形和圓形,亦可為任何不同的形狀,以方便區(qū)分。
如圖3和圖4所示,所述晶片30利用金屬導(dǎo)電膠與基板40的陽極接線42和陰極接線44導(dǎo)通,制作時(shí),先將金屬導(dǎo)電膠涂布在基板40的陽極接線42和陰極接線44上,再將晶片30的陽極焊墊32和陰極焊墊34與金屬導(dǎo)電膠接觸,使所述陽極焊墊32和陰極焊墊34固定于基板40的陽極接線42和陰極接線44上并構(gòu)成電導(dǎo)通,再將單個(gè)晶片30及其導(dǎo)通的陽極接線42和陰極接線44裁切彎折即成發(fā)光二極體。所述金屬導(dǎo)電膠較佳地可為銀膠。
如圖5所示,為了達(dá)到更好的發(fā)光效果,在晶片30下方未設(shè)置陽極焊墊32和陰極焊墊34的位置處設(shè)有反光層50,可使晶片30往下發(fā)散的光向上反射,使光線完全往上發(fā)散,增加發(fā)光效率,另外可在反光層50下方未設(shè)置陽極焊墊32和陰極焊墊34的位置與基板40的陽極接線42和陰極接線間設(shè)有一用以絕緣的絕緣層60。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極體,包括一晶片(30),該晶片(30)底面設(shè)有陽極焊墊(32)和陰極焊墊(34)并分別與基板(40)的陽極接線(42)和陰極接線(44)電連接,其特征在于所述晶片(30)通過金屬導(dǎo)電膠將晶片(30)底面的陽極焊墊(32)和陰極焊墊(34)與基板(40)的陽極接線(42)和陰極接線(44)固定并導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體,其特征在于所述晶片(30)的形狀為四邊形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極體,其特征在于所述晶片(30)的形狀為菱形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極體,其特征在于所述晶片(30)的陽極焊墊(32)與陰極焊墊(34)分別位于菱形晶片小于90度角的兩端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的發(fā)光二極體,其特征在于所述晶片(30)的陽極焊墊(32)和陰極焊墊(34)位于同一平面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極體,其特征在于所述晶片(30)的陽極焊墊(32)與陰極焊墊(34)的形狀不相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的發(fā)光二極體,其特征在于所述晶片(30)底面未設(shè)置陽極焊墊(32)和陰極焊墊(34)的位置與基板(40)間設(shè)有一反光層(50)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極體,其特征在于所述晶片(30)底面的反光層(50)下方與基板(40)之間設(shè)有一絕緣層(60)。
專利摘要一種發(fā)光二極體,包括一晶片(30),該晶片(30)底面設(shè)有陽極焊墊(32)和陰極焊墊(34),該陽極焊墊(32)和陰極焊墊(34)可為不同形狀以便區(qū)分,并用金屬導(dǎo)電膠直接與基板(40)的陽極接線(42)和陰極接線(44)粘貼并構(gòu)成電連接。本實(shí)用新型的發(fā)光二極體可節(jié)省制作時(shí)間及成本,另外可在晶片(30)與基板(40)之間設(shè)有反光層(50)及絕緣層(60)以增加發(fā)光效果,且制成的成品為超薄型可減少體積。
文檔編號(hào)H01L33/00GK2738400SQ20042009464
公開日2005年11月2日 申請(qǐng)日期2004年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月26日
發(fā)明者簡稚文 申請(qǐng)人:簡稚文
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