專(zhuān)利名稱(chēng)：具散熱器的球門(mén)陣列封裝體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型有關(guān)于半導(dǎo)體芯片的封裝，特別是關(guān)于一種球門(mén)陣列(ballgrid array；BGA)封裝體。
背景技術(shù)：
因?yàn)榫哂懈呓幽_數(shù)與高速的性能，球門(mén)陣列封裝體已成為先進(jìn)集成電路產(chǎn)品主流的封裝型式。上述先進(jìn)集成電路產(chǎn)品在運(yùn)作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱，因此需要加上散熱器(heat spreader)而成為具散熱器的球門(mén)陣列(heatspreader ball grid array；HSBGA)封裝體，以幫助散熱。然而，上述具散熱器的球門(mén)陣列封裝體會(huì)在熱循環(huán)/熱沖擊試驗(yàn)時(shí)產(chǎn)生較高的應(yīng)力，且低介電常數(shù)(low k；LK)材料的強(qiáng)度較低，而在上述具散熱器的球門(mén)陣列封裝體中發(fā)生龜裂或脫層，而在上述檢定試驗(yàn)中被判定拒收。低介電常數(shù)材料的介電常數(shù)小于3.9(二氧化硅的介電常數(shù))，在先進(jìn)的微電子組件中作為隔離相鄰的金屬導(dǎo)線(xiàn)的材料(稱(chēng)為層間介電層或金屬間介電層)。低介電常數(shù)材料可降低導(dǎo)線(xiàn)間的串音效應(yīng)(cross talk)。所謂的低介電常數(shù)芯片(LK die)，即為具有低介電常數(shù)的金屬間介電層的芯片，亦即，其金屬間介電層是使用低介電常數(shù)材料。
熱循環(huán)試驗(yàn)是用以測(cè)試受測(cè)物在極高溫與極低溫下的耐受能力，并使其曝露在極高溫與極低溫之間的溫度循環(huán)。熱沖擊試驗(yàn)是用以評(píng)估凝態(tài)組件曝露在大幅度的溫差之下，抵抗作用于其上的熱應(yīng)力的能力。熱沖擊會(huì)導(dǎo)致芯片的龜裂或脫層、封裝材的開(kāi)口或封裝體的裂縫、以及電性的改變。當(dāng)熱循環(huán)/熱沖擊試驗(yàn)超過(guò)30次循環(huán)時(shí)，就視為破壞性的試驗(yàn)。
覆晶封裝體的成本約為具散熱器的球門(mén)陣列封裝體的10倍，將其取代具散熱器的球門(mén)陣列封裝體時(shí)，并不具成本效益。
Suzuki等人在美國(guó)專(zhuān)利US 5,977,633中揭露一半導(dǎo)體組件，其具有鏤空的金屬基封裝基板；Bechtel等人在美國(guó)專(zhuān)利US 5,223,741中揭露一集成電路的封裝結(jié)構(gòu)；Nahesh等人在美國(guó)專(zhuān)利US 5,585,671中揭露一低熱絕緣性(thermal resistance)的封裝體，適用于高能覆晶芯片；Novotny等人在美國(guó)專(zhuān)利US 6,462,410中揭露具散熱器的集成電路組件；Kucharek在美國(guó)專(zhuān)利US 4,748,495中揭露具散熱器的多芯片模塊的封裝體。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本實(shí)用新型的主要目的是提供一種具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，以改善其熱循環(huán)/熱沖擊試驗(yàn)時(shí)的可靠度。
為達(dá)成本實(shí)用新型的上述目的，本實(shí)用新型提供一種具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，包含一半導(dǎo)體芯片，其固定于一球門(mén)陣列基板；一封裝膠體在上述球門(mén)陣列基板上，封入上述半導(dǎo)體芯片；一散熱器置于上述球門(mén)陣列基板上，并與上述封裝膠體之間具有一間隔；以及一散熱膏(thermal grease)，至少于上述散熱器與上述封裝膠體之間的上述間隔內(nèi)。
由此，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是(1)可將具散熱器的球門(mén)陣列封裝應(yīng)用于具低介電常數(shù)材料的芯片；(2)降低具低介電常數(shù)材料的芯片所受的應(yīng)力沖擊；(3)高散熱性；(4)降低封裝成本；(5)不須變更現(xiàn)有制程設(shè)備；(6)封裝膠體的選擇性較大。


圖1為一剖面圖，是顯示用于本實(shí)用新型第一與第二實(shí)施例的球門(mén)陣列封裝結(jié)構(gòu)。
圖2A為一剖面圖，是顯示本實(shí)用新型第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。
圖2B為一剖面圖，是顯示本實(shí)用新型第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。
符號(hào)說(shuō)明10～半導(dǎo)體芯片12～球門(mén)陣列基板14～球狀接合物16～導(dǎo)線(xiàn)18～封裝膠體 20～散熱器21～周邊延伸部22～環(huán)氧樹(shù)脂黏著劑24～散熱器30～間隔32～散熱膏34～間隔36～散熱膏40～支柱42～強(qiáng)化材44～環(huán)氧樹(shù)脂黏著劑46～環(huán)氧樹(shù)脂黏著劑100～球門(mén)陣列封裝結(jié)構(gòu)102、104～具散熱器的球門(mén)陣列封裝體
具體實(shí)施方式
為了讓本實(shí)用新型的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖標(biāo)，作詳細(xì)說(shuō)明如下請(qǐng)參考圖1，為一剖面圖，是顯示使用于下列本實(shí)用新型的第一及第二實(shí)施例的球門(mén)陣列封裝結(jié)構(gòu)100。
球門(mén)陣列封裝結(jié)構(gòu)100包含一半導(dǎo)體芯片10，置于并藉由例如導(dǎo)線(xiàn)16電性連接于一基板12上?；?2包含多個(gè)球狀接合物14，置于與半導(dǎo)體芯片10所在，相反側(cè)的表面上。
半導(dǎo)體芯片10較好是包含硅、鍺、或硅鍺(silicon germanium；SiGe)，而更好為硅。當(dāng)半導(dǎo)體芯片10為硅時(shí)，其熱膨脹系數(shù)較好為2.5～3.5，更好為2.8；當(dāng)半導(dǎo)體芯片10為鍺時(shí)，其熱膨脹系數(shù)較好為5.5～6.5，更好為6.1。
球狀接合物較好為含鉛的錫鉛共晶合金(63％Sn-37％Pb)、無(wú)鉛的錫銀合金(96.5％Sn-3.5％Ag)、錫銀銅合金(95.5％Sn-3.8％Ag-0.7％Cu)、或錫銀銅銻合金(96.2％Sn-2.5％Ag-0.8％Cu-0.5％Sb)，如果有環(huán)保的考量時(shí)，較好以錫銀合金取代目前最常使用的錫鉛共晶合金。
將半導(dǎo)體芯片10與導(dǎo)線(xiàn)16封入封裝膠體18內(nèi)。封裝膠體18較好為包含(a)環(huán)氧樹(shù)脂其含量較好為10～20wt％。其作為黏結(jié)劑(binder)，可增加成型性(moldability)、硬化速度、液化時(shí)的黏度、與抗孔洞性(resistanceto voiding)。其亦可減少封裝膠體偏移與導(dǎo)線(xiàn)偏移(wire sweep)；其又可以控制離子濃度，例如為酚醛樹(shù)脂(Cresol-Novolac epoxy)(高溫)或雙酚醛類(lèi)樹(shù)酯(Diglycidyl Ether of Bisphenol A；DGEBA)。
(b)固化劑(curing agent)其含量較好為5～15wt％。其功能為增加成型性、改善電性、增加抗熱性與抗?jié)裥?。例如為胺?lèi)、酚類(lèi)、或酸酐(acidanhydrides)類(lèi)。
(c)催化劑低含量，較好為約1wt％。其功能為增加聚合率以減少封膠時(shí)的硬化時(shí)間。例如為胺類(lèi)、咪唑類(lèi)(imidazoles)、有機(jī)磷化氫類(lèi)(organophosphines)、尿素類(lèi)(ureas)、路易士酸類(lèi)(Lewis acids)、或較好為上述的有機(jī)鹽類(lèi)。
(d)偶合劑(coupling agent)低含量，較好為小于2wt％。其功能為提升聚合物本體與無(wú)機(jī)填充物之間的界面黏著性(interfacial adhesion)、調(diào)整封裝膠體的黏度。例如為硅烷類(lèi)、鈦酸鹽類(lèi)、鋁的螯合物(aluminumchelates)、或鋯鋁酸鹽類(lèi)(zircoaluminates)。
(e)填充物(filler)其含量較好為50～75wt％。其功能為降低封裝膠體的熱膨脹系數(shù)、增加導(dǎo)熱性、改善電性與機(jī)械性質(zhì)、減少在分模線(xiàn)(partingline)的溢膠(resin bleed)、及減少收縮量。例如為磨碎的熔化硅砂(groundfused silica)(被廣泛使用)、氧化鋁。
(f)防火劑(flame retardant)其含量較好為2～5wt％。其功能為延緩著火的時(shí)間。例如為溴化環(huán)氧樹(shù)脂、三氧化二銻。
(g)脫膜劑(mold-release agent)微量。其功能為幫助將封裝體與模具分離、減少水氣入侵與腐蝕。例如為聚硅氧(silicone)、碳?xì)浠衔锵?hydrocarbon waxes)、含有機(jī)酸根的鹽類(lèi)。
(h)著色劑其含量較好為約5wt％。其功能為降低光活性(photonicactivity)、提供組件可見(jiàn)度及/或美觀(guān)性(aesthetics)。例如為碳黑。
(i)應(yīng)力松弛劑其含量較好為約1wt％。其功能為抑制裂縫的增殖、減少裂縫的產(chǎn)生、降低熱機(jī)械收縮。例如為聚硅氧、丙烯睛-丁二烯(Acrylontrile-Butadiene)橡膠、聚丁基甲酯(polybutyl acrylate)封裝膠體18的熱膨脹系數(shù)較好為5～12或15，更好則約為7.0。
第一實(shí)施例請(qǐng)參考圖2A，為一剖面圖，是顯示本實(shí)用新型第一實(shí)施例的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體102。
散熱器20是置于并覆于球門(mén)陣列封裝結(jié)構(gòu)100上，并與封入半導(dǎo)體芯片10的封裝膠體18之間具有一間隔30。散熱器20是類(lèi)似于倒的方形烤盤(pán)的形狀，并具有一周邊延伸部21。周邊延伸部21是如圖2A所示，藉由環(huán)氧樹(shù)脂黏著劑22固定于基板12。
散熱器20較好為包含銅、鋁、鍍鉻的銅、鍍鉻的鋁、鍍鎳的銅、鍍鎳的鋁、不銹鋼、或其它材料，而更好為銅。散熱器20的熱膨脹系數(shù)依材質(zhì)不同，較好為10～25，更好約為17，即是其材質(zhì)為銅時(shí)。
之后更可以在進(jìn)行其它制程。例如可使用黏著劑將散熱器20置于一印刷電路板或一強(qiáng)化材上。
本實(shí)用新型的一重要特征，是將散熱膏32置入并填入散熱器20與封裝膠體18之間的間隔30。雖然不需要使散熱膏32完全填滿(mǎn)間隔30，但是填滿(mǎn)度愈高，效果愈好。較好為在開(kāi)始充填散熱膏32之處，留下一小段間隔30，預(yù)留散熱膏32膨脹的空間以釋放應(yīng)力。
亦可以先將散熱膏32置于封裝膠體18上后，在將散熱器20置于其上。
散熱膏32，亦稱(chēng)為熱導(dǎo)接口物質(zhì)(thermal interface materials；TIM)，較好為一膠體(硅膠)，內(nèi)含導(dǎo)熱粒子例如氧化鋅、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、陶瓷填充物、或其它具導(dǎo)熱性的材料。
散熱膏32為一導(dǎo)熱性的材料，在熱膨脹系數(shù)例如約為17的散熱器20與熱膨脹系數(shù)例如約為7的封裝膠體18之間，作為一導(dǎo)熱界面。如此可減少兩者間的熱應(yīng)力，并已證實(shí)在本實(shí)用新型第一實(shí)施例的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體102中，減少了50％～90％(依據(jù)所選擇的散熱膏32種類(lèi)及其填充方式而定)的裂縫與脫層的情形。具散熱器的球門(mén)陣列封裝體的散熱性能優(yōu)于覆晶型式的球門(mén)陣列封裝體，且不會(huì)受到高應(yīng)力而損傷到具低介電常數(shù)材料的芯片。
第二實(shí)施例請(qǐng)參考圖2B，為一剖面圖，是顯示本實(shí)用新型第一實(shí)施例的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體104。
在球門(mén)陣列封裝結(jié)構(gòu)100的封裝膠體18的周為形成一支柱40與其間隔配置(支柱40大體呈四方環(huán)狀)。支柱40包含一強(qiáng)化材42，藉由環(huán)氧樹(shù)脂黏著劑44固定于基板12。強(qiáng)化材42較好是包含銅、鋁、鍍鉻的銅、鍍鉻的鋁、鍍鎳的銅、鍍鎳的鋁、或其它材料例如不銹鋼，更好為銅。
散熱器24是藉由環(huán)氧樹(shù)脂黏著劑，固定于支柱40的上端，因此散熱器24是覆于球門(mén)陣列封裝結(jié)構(gòu)100上而與封入半導(dǎo)體芯片10的封裝膠體18之間具有一間隔34。
散熱器24較好為包含銅、鋁、鍍鉻的銅、鍍鉻的鋁、鍍鎳的銅、或鍍鎳的鋁，而更好為銅。散熱器20的熱膨脹系數(shù)依材質(zhì)不同，較好為10～25，更好約為17，即是其材質(zhì)為銅時(shí)。
之后更可以在進(jìn)行其它制程。例如可使用黏著劑將散熱器24置于一印刷電路板或一強(qiáng)化材上。
本實(shí)用新型的一重要特征，是將散熱膏36置入并填入散熱器24與封裝膠體18之間的間隔34。較好為在開(kāi)始充填散熱膏36之處，留下一小段間隔34，預(yù)留散熱膏36膨脹的空間以釋放應(yīng)力。
亦可以先將散熱膏36置于封裝膠體18上后，在將散熱器24置于其上。
散熱膏36，亦稱(chēng)為熱導(dǎo)接口物質(zhì)(thermal interface materials；TIM)，較好為一膠體(硅膠)，內(nèi)含導(dǎo)熱粒子例如氧化鋅、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、陶瓷填充物、或其它具導(dǎo)熱性的材料。
散熱膏36為一導(dǎo)熱性的材料，在熱膨脹系數(shù)例如約為17的散熱器24與熱膨脹系數(shù)例如約為7的封裝膠體18之間，作為一導(dǎo)熱界面。如此可減少兩者間的熱應(yīng)力，并已證實(shí)在本實(shí)用新型第二實(shí)施例的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體104中，減少了50％～90％(依據(jù)所選擇的散熱膏36種類(lèi)及其填充方式而定)的裂縫與脫層的情形。具散熱器的球門(mén)陣列封裝體的散熱性能優(yōu)于覆晶型式的球門(mén)陣列封裝體，且不會(huì)受到高應(yīng)力而損傷到具低介電常數(shù)材料的芯片。
在本實(shí)用新型第一、二實(shí)施例的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體102、104中，散熱膏32、36是作為緩沖層以釋放分別來(lái)自散熱器20、24的應(yīng)力，并將熱量由封裝膠體18傳導(dǎo)至散熱器20、24，而將熱量自半導(dǎo)體芯片10/封裝膠體18排除。散熱膏32、36須具有高導(dǎo)熱性、高黏度、與高彈性。
本實(shí)用新型是具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)可將具散熱器的球門(mén)陣列封裝應(yīng)用于具低介電常數(shù)材料的芯片；(2)降低具低介電常數(shù)材料的芯片所受的應(yīng)力沖擊；(3)高散熱性；(4)降低封裝成本；(5)不須變更現(xiàn)有制程設(shè)備；(6)封裝膠體的選擇性較大。
雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，包含一球門(mén)陣列基板；一半導(dǎo)體芯片，其固定于一球門(mén)陣列基板；一封裝膠體在該球門(mén)陣列基板上，將該半導(dǎo)體芯片封入于其中；一散熱器置于該球門(mén)陣列基板上，與該封裝膠體之間具有一間隔；以及一散熱膏，至少于該散熱器與該封裝膠體之間的該間隔內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該封裝膠體包含環(huán)氧樹(shù)脂與固化劑；該散熱器包含銅、鋁、鍍鉻的銅、鍍鉻的鋁、鍍鎳的銅、或鍍鎳的鋁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，散熱膏具有內(nèi)含導(dǎo)熱粒子的硅膠，該導(dǎo)熱粒子包含氧化鋅、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、陶瓷填充物、或其它具導(dǎo)熱性的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該封裝膠體包含環(huán)氧樹(shù)脂、固化劑、催化劑、偶合劑、填充物、防火劑、脫膜劑、著色劑、與一應(yīng)力松弛劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該封裝膠體的熱膨脹系數(shù)為5～15；該散熱器的熱膨脹系數(shù)為10～25。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該封裝膠體的熱膨脹系數(shù)為7.0；該散熱器的熱膨脹系數(shù)為17.0。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片為硅芯片，其熱膨脹系數(shù)為2.5～3.5。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該散熱器具有倒的方形烤盤(pán)的形狀，并具有一周邊延伸部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該散熱器具有倒的方形烤盤(pán)的形狀，并具有一周邊延伸部；該散熱器是藉由該周邊延伸部，并使用一環(huán)氧樹(shù)脂黏著劑置于該球門(mén)陣列基板上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該散熱器具有倒的方形烤盤(pán)的形狀，并具有一周邊延伸部；且該散熱膏填滿(mǎn)該間隔。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，更包含一支柱，形成于該半導(dǎo)體芯片與該封裝膠體以外的該球門(mén)陣列基板上，且該散熱器是置于該支柱上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，更包含一支柱，形成于該半導(dǎo)體芯片與該封裝膠體以外的該球門(mén)陣列基板上，且該支柱包含一強(qiáng)化材，而該散熱器是置于該支柱上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，更包含一支柱，形成于該半導(dǎo)體芯片與該封裝膠體以外的該球門(mén)陣列基板上，且該支柱包含一銅強(qiáng)化材，而該散熱器是置于該支柱上。
14.一種具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，包含一球門(mén)陣列基板；一半導(dǎo)體芯片，其固定于一球門(mén)陣列基板；一封裝膠體在該球門(mén)陣列基板上，將該半導(dǎo)體芯片封入于其中；一散熱膏，于該封裝膠體上；一散熱器置于該球門(mén)陣列基板、該封裝膠體、與該散熱膏上；以及一印刷電路板或強(qiáng)化材置于將該散熱器上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該封裝膠體包含環(huán)氧樹(shù)脂與固化劑；該散熱器包含銅、鋁、鍍鉻的銅、鍍鉻的鋁、鍍鎳的銅、或鍍鎳的鋁。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，散熱膏具有內(nèi)含導(dǎo)熱粒子的硅膠，該導(dǎo)熱粒子包含氧化鋅、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、陶瓷填充物、或其它具導(dǎo)熱性的材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該封裝膠體包含環(huán)氧樹(shù)脂、固化劑、催化劑、偶合劑、填充物、防火劑、脫膜劑、著色劑、與一應(yīng)力松弛劑。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該封裝膠體的熱膨脹系數(shù)為5～15；該散熱器的熱膨脹系數(shù)為10～25。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該封裝膠體的熱膨脹系數(shù)為7.0；該散熱器的熱膨脹系數(shù)為17.0。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片為硅芯片，其熱膨脹系數(shù)為2.5～3.5。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該散熱器具有倒的方形烤盤(pán)的形狀，并具有一周邊延伸部。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該散熱器具有倒的方形烤盤(pán)的形狀，并具有一周邊延伸部；該散熱器是藉由該周邊延伸部，并使用一環(huán)氧樹(shù)脂黏著劑置于該球門(mén)陣列基板上。
23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，該散熱器具有倒的方形烤盤(pán)的形狀，并具有一周邊延伸部；且該散熱膏填滿(mǎn)于該封裝膠體與該散熱器之間。
24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，更包含一支柱，形成于該半導(dǎo)體芯片與該封裝膠體以外的該球門(mén)陣列基板上，且該散熱器是置于該支柱上。
25.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，更包含一支柱，形成于該半導(dǎo)體芯片與該封裝膠體以外的該球門(mén)陣列基板上，且該支柱包含一強(qiáng)化材，而該散熱器是置于該支柱上。
26.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，其特征在于，更包含一支柱，形成于該半導(dǎo)體芯片與該封裝膠體以外的該球門(mén)陣列基板上，且該支柱包含一銅強(qiáng)化材，而該散熱器是置于該支柱上。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型揭示一種具散熱器的球門(mén)陣列封裝體，包含一半導(dǎo)體芯片，其固定于一球門(mén)陣列基板；一封裝膠體在上述球門(mén)陣列基板上，封入上述半導(dǎo)體芯片；一散熱器置于上述球門(mén)陣列基板上，并與上述封裝膠體之間具有一間隔；以及一散熱膏(thermal grease)，至少于上述散熱器與上述封裝膠體之間的上述間隔內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L23/28GK2760755SQ20042011540
公開(kāi)日2006年2月22日 申請(qǐng)日期2004年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月20日
發(fā)明者黃永盛, 郭彥良, 林裕庭 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司