專利名稱：可疊置的半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的半導(dǎo)體封裝及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，由于以便攜式電話為代表的電子器件尺寸減小，所以發(fā)展了所謂CSP(芯片大小封裝)的半導(dǎo)體封裝。例如，在CSP中，在具有集成電路和用于外部連接的多個連接墊片的半導(dǎo)體襯底頂面上形成鈍化膜(絕緣膜)。在鈍化膜中對應(yīng)于連接墊片形成開口部分。形成通過開口部分連接到連接墊片的互連。由例如柱形電極形成的外部連接電極形成在每個互連另一端的側(cè)面上。用密封材料填充外部連接電極之間的空間。
依據(jù)這種CSP，例如，當(dāng)焊球形成在外部連接電極上時，該器件可以通過面朝下(face-down)的方法鍵合到帶有接線端子的電路板。安裝區(qū)幾乎可以和裸露的半導(dǎo)體封裝同樣大小。所以該CSP與傳統(tǒng)的使用引線鍵合的朝上焊接法相比可以大大地減小電子器件尺寸。
當(dāng)連接墊片數(shù)目隨著集成程度變高而增加時，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝會引起下列問題。如上所述，CSP通常具有在半導(dǎo)體襯底頂面上排列成矩陣的外部連接電極。當(dāng)該排列用于具有許多外部連接電極的半導(dǎo)體襯底時，外部連接電極的尺寸和間距變小。由于這種缺點(diǎn)，CSP技術(shù)幾乎不能應(yīng)用于相對于半導(dǎo)體襯底的尺寸來說具有大量外部連接電極的器件。更具體地說，如果外部連接電極具有小尺寸和間距，為了連接到電路板的校直變得困難，并且連接到電路板的成本提高。還有降低可靠性的問題，包括低鍵合強(qiáng)度、在鍵合時電極之間發(fā)生短路的高可能性、以及由于半導(dǎo)體襯底和電路板之間線性膨脹系數(shù)的差別產(chǎn)生的應(yīng)力而使得外部連接電極損壞的高可能性。
在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝中，如上所述，器件可以通過面朝下的方法鍵合到電路板，而且安裝區(qū)幾乎可以和半導(dǎo)體襯底的尺寸相同。由于這些原因，與傳統(tǒng)的使用引線鍵合的朝上焊接法相比電子器件的尺寸可以大大地減小。然而，該方法減小尺寸也是有限的。更具體地說，當(dāng)其他必需的電路元件例如感應(yīng)器電路元件和天線電路元件形成在電路板上，并且傳統(tǒng)的半導(dǎo)體襯底連接到這些電路元件以獲得所需的電路功能時，該半導(dǎo)體襯底和電路元件二維排列。因此，尺寸減小受到限制。另外，因為這些元件是二維排列，所以布線長度增加。這會增加阻抗(寄生電容等等)，導(dǎo)致電路性能降低。

發(fā)明內(nèi)容
作為本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，在包括具有多個連接墊片的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的半導(dǎo)體封裝及其制造方法中，即使當(dāng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體連接墊片的數(shù)目增加時，用于外部連接的接線端子也可以具有必需的大小和間距。因此，可以提高連接到電路板的可靠性。
作為另一個優(yōu)點(diǎn)，使用該半導(dǎo)體封裝的電子元件可以制造得緊湊。另外，因為電路元件之間的布線長度可以降低，所以可以改善電路性能。
為了獲得上述效果，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種半導(dǎo)體封裝，包括至少一個底板、一個或多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體、絕緣層、上部互連、至少一個接線端子部分、上部絕緣膜、下部互連、下部絕緣膜和垂直導(dǎo)電部分，每個結(jié)構(gòu)體形成在底板的一個表面上而且具有形成在半導(dǎo)體襯底上的多個外部連接電極，該絕緣層形成在該底板的一個表面上，環(huán)繞半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，每個上部互連形成在該絕緣層上而且包括至少一個互連層，至少一些上部互連連接到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的外部連接電極，該至少一個接線端子部分形成在上部互連上而且具有包括例如焊球的突出電極，該上部絕緣膜覆蓋該絕緣膜的上表面和除上部互連的接線端子部分外的部分，每個下部互連形成在該底板的另一個表面上而且至少包括一個互連層，至少一些下部互連電連接到上部互連，該下部絕緣膜覆蓋該底板的另一個表面和除下部互連的接線端子部分外的部分，該垂直導(dǎo)電部分將上部互連的一個互連層連接到下部互連的一個互連層，其中，例如電子元件安裝在下部絕緣膜上或者上部絕緣膜上，而且連接到接線端子部分，或者由一些下部互連或一些上部互連形成薄膜電路元件例如電容器電路元件、電感器電路元件或天線電路元件。
為了獲得上述效果，根據(jù)本發(fā)明的第二方面，還提供一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，包括在底板的一個表面上設(shè)置多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，每個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體具有形成在半導(dǎo)體襯底上同時使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體彼此分開的多個外部連接電極；在底板的一個表面上環(huán)繞半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體形成絕緣層；在該絕緣層上形成上部互連，每個上部互連至少包括一個互連層并且至少具有一個接線端子部分，至少一些上部互連連接到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的外部連接電極；在該絕緣層和該上部互連上形成上部絕緣膜，該上部絕緣膜覆蓋除接線端子部分之外的部分；在該底板的另一個表面上形成下部互連，每個下部互連包括至少一個互連層和至少一個接線端子部分；形成下部絕緣膜，該下部絕緣膜覆蓋該底板的另一個表面和除該下部互連的接線端子之外的部分；在該絕緣層和該底板中形成通孔；在該通孔中形成垂直導(dǎo)電部分，該垂直導(dǎo)電部分將該上部互連的一個層連接到該下部互連的一個層，而且進(jìn)一步包括在該上部絕緣膜或下部絕緣膜上安裝例如電子元件并且將該電子元件連接到該接線端子部分。
為了獲得上述效果，根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種半導(dǎo)體封裝，包括第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝，第一半導(dǎo)體封裝包括至少一個底板、至少一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體、絕緣層和上部互連，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體形成在底板的一個表面上，而且具有形成在半導(dǎo)體襯底上的多個外部連接電極，該絕緣層形成在該底板的一個表面上，環(huán)繞該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，每個上部互連形成在該絕緣層上并且至少包括一個互連層，至少一些上部互連連接到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的外部連接電極而且具有至少一個接線端子部分，并且第二半導(dǎo)體封裝包括至少一個底板、至少一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體、絕緣層、上部互連和下部互連，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體形成在該底板的一個表面上，而且具有形成在半導(dǎo)體襯底上的多個外部連接電極，該絕緣層形成在該底板的一個表面上，環(huán)繞該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，每個上部互連形成在該絕緣層上而且包括至少一個互連層，至少一些上部互連連接到該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的外部連接電極而且具有至少一個接線端子部分，每個下部互連形成在該底板的另一個表面上而且包括至少一個互連層，至少一些下部互連電連接到該上部互連而且具有至少一個接線端子部分，其中，一個或多個第二半導(dǎo)體封裝彼此連接，而且堆疊在第一半導(dǎo)體封裝上，并且上端半導(dǎo)體封裝的下部互連的接線端子部分連接到下端半導(dǎo)體封裝的上部互連的接線端子部分，該連接通過第一半導(dǎo)體封裝和堆疊在其上的第二半導(dǎo)體封裝之間的連接部分以及借助于具有充滿導(dǎo)電材料的通孔的粘合層彼此堆疊的多個第二半導(dǎo)體封裝之間的連接部分之一來進(jìn)行。
為了獲得上述效果，根據(jù)本發(fā)明的第四方面，還提供一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，該半導(dǎo)體封裝包括第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝，第一半導(dǎo)體封裝包括至少一個底板、至少一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體、絕緣層和上部互連，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體形成在該底板的一個表面上而且具有形成在半導(dǎo)體襯底上的多個外部連接電極，該絕緣層形成在該底板的一個表面上，環(huán)繞該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，每個上部互連形成在該絕緣層上而且包括至少一個互連層，至少一些上部互連連接到該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的外部連接電極而且具有至少一個接線端子部分，并且第二半導(dǎo)體封裝包括至少一個底板、至少一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體、絕緣層、上部互連和下部互連，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體形成在該底板的一個表面上，而且具有形成在半導(dǎo)體襯底上的多個外部連接電極，該絕緣層形成在該底板的一個表面上，環(huán)繞該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，每個上部互連形成在該絕緣層上而且包括至少一個互連層，至少一些上部互連連接到該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的外部連接電極而且具有至少一個接線端子部分，每個下部互連形成在該底板的另一個表面上而且包括至少一個互連層，至少一些下部互連電連接到該上部互連而且具有至少一個接線端子部分，該方法包括在第一半導(dǎo)體封裝上堆疊一個或多個第二半導(dǎo)體封裝而且將上端半導(dǎo)體封裝的下部互連的接線端子部分連接到下端半導(dǎo)體封裝的上部互連的接線端子部分，該連接通過第一半導(dǎo)體封裝和堆疊在其上的第二半導(dǎo)體封裝之間的部分和彼此堆疊的多個第二半導(dǎo)體封裝之間的部分之一來進(jìn)行。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝，具有用于外部連接的突出電極的接線端子部分的配置區(qū)域可以比半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的尺寸更大。即使當(dāng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的連接墊片數(shù)目增加時，也可以在確保必需的大小的同時抑制接線端子部分的大小和間距的減小。因此，可以提高與電路板連接的可靠性。
此外，電子元件或薄膜電路元件可以安裝在該半導(dǎo)體封裝上，或者多個半導(dǎo)體封裝可以彼此堆疊。因為電子元件或者薄膜電路元件可以整體地安裝在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體上，或者多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體可以以高密度安裝，所以可以促進(jìn)使用這種半導(dǎo)體封裝的電子器件尺寸減小。此外，因為可以減小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體和薄膜電路元件或者電子元件之間的布線長度，或者減小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體之間的布線長度，所以可以改善電路性能。


圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖2是顯示在應(yīng)用于根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體封裝的制造方法的例子中初始制備的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖3是顯示圖2之后的制造步驟的截面圖；圖4是顯示圖3之后的制造步驟的截面圖；圖5是顯示圖4之后的制造步驟的截面圖；圖6是顯示圖5之后的制造步驟的截面圖；圖7是顯示圖6之后的制造步驟的截面圖；圖8是顯示圖7之后的制造步驟的截面圖；圖9是顯示圖8之后的制造步驟的截面圖；圖10是顯示圖9之后的制造步驟的截面圖；圖11是顯示圖10之后的制造步驟的截面圖；圖12是顯示圖11之后的制造步驟的截面圖；圖13是顯示圖12之后的制造步驟的截面圖；圖14是顯示圖13之后的制造步驟的截面圖；圖15是顯示圖14之后的制造步驟的截面圖；圖16是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖17是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖18是顯示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖19是顯示根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖20是顯示根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖21是顯示根據(jù)本發(fā)明第七實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖22是顯示根據(jù)本發(fā)明第八實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖23是顯示根據(jù)本發(fā)明第九實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖24是顯示應(yīng)用于根據(jù)第九實施例半導(dǎo)體封裝的制造方法例子的截面圖；和圖25是顯示圖24之后的制造步驟的截面圖。
最佳實施方式下面將根據(jù)附圖所示實施例詳細(xì)地說明根據(jù)本發(fā)明的具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的半導(dǎo)體封裝及其制造方法。
第一實施例圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖。
該半導(dǎo)體封裝具有矩形平面狀的底板1。該底板1由絕緣材料制成，該絕緣材料通過用環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、BT(雙馬來酰亞胺三嗪)樹脂或者PPE(聚苯撐醚)浸漬的玻璃纖維、芳族聚酰胺纖維或者液晶纖維來制備?？蛇x擇地，該底板1可以由例如硅、玻璃、陶瓷或者單一樹脂的絕緣材料制成。
矩形平面狀而且略小于底板1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的下表面通過管芯焊接材料制成的粘合層3鍵合到底板1的上表面(一個表面)的中央部分。在這種情況下，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2具有互連、柱狀電極和密封膜(后面將說明)，而且通常稱為CSP。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2是還特別地稱為晶片級CSP(W-CSP)，因為采用在硅片上形成互連、柱狀電極和密封膜，然后進(jìn)行劃片以獲得單個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的方法，后面將說明該方法。
下面將說明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的結(jié)構(gòu)。
該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2具有硅襯底(半導(dǎo)體襯底)4。硅襯底4通過粘合層3鍵合到底板1。具有預(yù)定功能的集成電路形成在硅襯底4上表面的中央部分。多個連接墊片5形成在該上表面上的周圍部分。該連接墊片5由鋁基金屬制成并電連接到該集成電路。
由二氧化硅制成的絕緣膜6形成在硅襯底4的上表面和連接墊片5上，除了每個連接墊片5的中央部分。每個連接墊片5的中央部分通過絕緣膜6中形成的開口部分7暴露在外。
由環(huán)氧樹脂或者聚酰亞胺樹脂制成的保護(hù)膜(絕緣膜)8形成在絕緣膜6的上表面上。在這種情況下，開口部分9形成在保護(hù)膜8中相應(yīng)于絕緣膜6的開口部分7的位置。由銅制成的底層金屬層10從由開口部分7和9暴露的每個連接墊片5的上表面延伸到保護(hù)膜8上表面上的預(yù)定部分。
由銅制成的互連11分別形成在底層金屬層10的整個上表面上。
由銅制成的柱狀電極(外部連接電極)12形成在每個互連11連接墊片部分的上表面上。由環(huán)氧樹脂或者聚酰亞胺樹脂制成的密封膜(絕緣膜)13環(huán)繞柱狀電極12形成在包括互連11的保護(hù)膜8的上表面上。密封膜13的上表面與該柱狀電極12的上表面齊平。如上所述，稱為W-CSP的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2包括硅襯底4、連接墊片5和絕緣膜6并且還包括保護(hù)膜8、互連11、柱狀電極12和密封膜13。
矩形框架狀的絕緣層14環(huán)繞半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2形成在底板1的上表面上。絕緣層14的上表面與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的上表面基本上齊平。
該絕緣層14由例如熱固性樹脂制成，或者由例如通過在熱固性樹脂中分散增強(qiáng)材料例如玻璃纖維或者二氧化硅填充劑制備的材料制成。
具有平坦上表面的第一上部絕緣膜15形成在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2和絕緣層14的上表面上。第一上部絕緣膜15通常稱為用于結(jié)構(gòu)(build-up)襯底的結(jié)構(gòu)材料。第一上部絕緣膜15由例如包含增強(qiáng)材料的熱固性樹脂制成，增強(qiáng)材料例如纖維或者填充劑，熱固性樹脂例如環(huán)氧樹脂或者BT樹脂。在這種情況下，該纖維是玻璃纖維或者聚芳基酰胺纖維。該填充劑是二氧化硅填充劑或者陶瓷填充劑。
由銅制成的上部底層金屬層16形成在第一上部絕緣膜15上表面的預(yù)定部分。由銅制成的上部互連17形成在每個上部底層金屬層16的整個上表面。包括上部互連17的至少一些上部底層金屬層16通過在第一上部絕緣膜15中相應(yīng)于柱狀電極12上表面中央部分的部分形成的開口部分18電連接到柱狀電極12的上表面。
由抗焊劑制成的第二上部絕緣膜19形成在第一上部絕緣膜15和上部互連17的上表面上。
開口部分20形成在第二上部絕緣膜19中相應(yīng)于每個上部互連17的接線端子部分的部分。焊球21形成在每個開口部分20中和每個開口部分20上面，而且電連接到上部互連17的接線端子部分。多個焊球21以矩陣形式設(shè)置在第二上部絕緣膜19上。
具有平坦下表面的第一下部絕緣膜22形成在底板1的下表面(其他表面)上。第一下部絕緣膜22由例如和第一上部絕緣膜15相同的材料制成。由銅制成的下部底層金屬層23形成在第一下部絕緣膜22底面的預(yù)定位置。由銅制成的下部互連24形成在每個下部底層金屬層23的整個底面上。
由抗焊劑制成的第二下部絕緣膜25形成在第一下部絕緣膜22和下部互連24的底面上。開口部分26形成在下部絕緣膜25中相應(yīng)于每個下部互連24的接線端子部分的部分。
包括上部互連17的至少一些上部底層金屬層16通過垂直導(dǎo)電部分28電連接到包括下部互連24的下部底層金屬層23。部分28中的每一個包括由銅制成的底層金屬層28a和形成在通孔27內(nèi)表面上的銅層28b。該孔27形成在絕緣膜15、絕緣層14、底板1和第一下部絕緣膜22中的預(yù)定位置。在這種情況下，在該銅層28b中形成一個腔。選擇性地，為了在上下互連17、24之間獲得另人滿意的導(dǎo)電性，可以用導(dǎo)電材料29，例如銅漿料、銀漿料或者導(dǎo)電樹脂來填充該腔?？蛇x擇地，該腔部分可以填充絕緣樹脂，從而通過防止任何外部雜質(zhì)例如水侵入半導(dǎo)體封裝而提高可靠性。
在本實施例中，底板1的尺寸在一定程度上比半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的尺寸更大。因此，上部互連17的接線端子部分的配置區(qū)域在某種程度上可以制做得比半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的尺寸更大。因此，上部互連17的接線端子部分(第二上部絕緣膜19的開口部分20中的部分)的尺寸和間距可以制做得比柱狀電極12的尺寸和間距更大。
更具體地說，以矩陣形式設(shè)置的上部互連17的接線端子部分不僅設(shè)置在相應(yīng)于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的區(qū)域上，而且還設(shè)置在相應(yīng)于設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2外側(cè)表面外的絕緣層14的區(qū)域上。在以矩陣形式設(shè)置在第二上部絕緣膜19上的焊球21中，至少在最外面位置的焊球21設(shè)置成圍繞半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2。利用這種結(jié)構(gòu)，即使當(dāng)硅襯底4上的連接墊片5數(shù)目增加時，也可以在確保必需尺寸的同時抑制焊球21的尺寸和間距的減小。因為有助于與電路板的連接的校直，所以可以減小連接到電路板的成本，而且可以提高連接到電路板的可靠性。
在這個半導(dǎo)體封裝中，如上所述，該下部互連24形成在底板1下面形成的第一下部絕緣膜22下面。下部互連24通過第一上部絕緣膜15、絕緣層14、底板1和第一下部絕緣膜22中形成的通孔27中形成的垂直導(dǎo)電部分28連接到至少一些上部互連17。正如之后將要說明的那樣，例如，可以由至少一些下部互連24形成薄膜電路元件，例如電容器電路元件、電感器電路元件或者天線電路元件。該薄膜電路元件可以通過垂直導(dǎo)電部分28連接到該上部互連17?？蛇x擇地，正如后面將要說明的那樣，例如，芯片元件例如電容器或電阻器或者電子器件例如集成電路芯片可以安裝在第二下部絕緣膜25的上表面。利用這個結(jié)構(gòu)，可以促進(jìn)使用這種半導(dǎo)體封裝的電子器件的尺寸減小。此外，因為可以減小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體和薄膜電路元件或者電子元件之間的布線長度，所以可以改善電路性能。
制造方法下面將說明制造該半導(dǎo)體封裝的方法的例子。首先，將說明制造應(yīng)用于該半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的方法的例子。
圖2是顯示應(yīng)用于根據(jù)第一實施例半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體制造方法的例子的截面圖。
在這種情況下，如圖2所示，制備一種結(jié)構(gòu)，其中由鋁基金屬制成的連接墊片5、由二氧化硅制成的絕緣膜6和由環(huán)氧樹脂或者聚酰亞胺樹脂制成的保護(hù)膜8形成在晶片狀態(tài)的硅襯底(半導(dǎo)體襯底)4上。連接墊片5的中央部分通過絕緣膜6和保護(hù)膜8中形成的開口部分7和9暴露在外。在上述結(jié)構(gòu)中，具有預(yù)定功能的集成電路形成在晶片狀態(tài)的每個硅襯底4的區(qū)域中，在該區(qū)域中將形成每個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體。每個連接墊片5電連接到相應(yīng)區(qū)域中形成的集成電路。
然后，如圖3所示，底層金屬層10形成在保護(hù)膜8的整個上表面，包括連接墊片5通過開口部分7和9暴露的上表面。在這種情況下，該底層金屬層10可以僅僅具有通過化學(xué)鍍形成的銅層，或者僅僅具有通過濺射形成的銅層?？蛇x擇地，銅層可以通過濺射形成在由濺射形成的薄鈦層上。
然后，在底層金屬層10的上表面上形成噴鍍抗蝕膜31，接著對其進(jìn)行構(gòu)圖。在這種情況下，該噴鍍抗蝕膜31在相應(yīng)于每個互連11的形成區(qū)域的位置具有開口部分32。
使用底層金屬層10作為電鍍電流路徑來進(jìn)行銅電鍍，從而在噴鍍抗蝕膜31每個開口部分32中底層金屬層10的上表面上形成互連11。然后，除去噴鍍抗蝕膜31。
如圖4所示，在包括互連11的底層金屬層10的上表面上形成噴鍍抗蝕膜33，然后對其進(jìn)行構(gòu)圖。在這種情況下，該噴鍍抗蝕膜33在相應(yīng)于每個柱狀電極12的形成區(qū)域的位置具有開口部分34。使用底層金屬層10作為電鍍電流路徑來進(jìn)行銅電鍍，從而在噴鍍抗蝕膜33每個開口部分34中互連11的連接墊片部分的上表面上形成柱狀電極12。其后，除去噴鍍抗蝕膜33。通過使用互連11作為掩模進(jìn)行蝕刻來除去底層金屬層10的不需要部分，從而僅僅在互連11下面留下底層金屬層10，如圖5所示。
如圖6所示，由環(huán)氧樹脂或者聚酰亞胺樹脂制成的密封膜13通過絲網(wǎng)印刷、旋涂或者模壓涂覆形成在包括柱狀電極12和互連11的保護(hù)膜8的整個上表面上，使得該膜厚比柱狀電極12的高度更大。因此，在這種狀態(tài)下，柱狀電極12的上表面被密封膜13覆蓋。
適當(dāng)?shù)貟伖饷芊饽?3和柱狀電極12的上表面以暴露柱狀電極12的上表面，如圖7所示。包括暴露的柱狀電極12上表面的密封膜13的上表面同樣被平坦化。適當(dāng)?shù)貟伖庵鶢铍姌O12上表面?zhèn)鹊脑蚴峭ㄟ^電鍍形成的柱狀電極12的高度具有變化，而且需要通過消除該變化使其均勻。
如圖8所示，粘合層3鍵合到硅襯底4的整個底面。該粘合層3由管芯焊接材料例如環(huán)氧樹脂或者聚酰亞胺樹脂制成，并且通過加熱和按壓以半固態(tài)粘附到硅襯底4。然后，粘附到硅襯底4的粘合層3鍵合到切割帶。在圖9所示的劃片步驟以后，各個結(jié)構(gòu)從切割帶剝落。因此，獲得每個都在硅襯底4底面上具有粘合層3的多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2，如圖1所示。
在這樣得到的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2中，粘合層3位于硅襯底4的底面。因此，在劃片步驟之后不需要用于在每個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的硅襯底4的底面形成粘合層的非常繁瑣的操作。用于在劃片步驟之后從切割帶剝落每個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的操作與用于在劃片步驟之后在每個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的硅襯底4的底面上形成粘合層的操作相比簡單得多。
下面將說明一個例子，其中使用上述方法得到的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2來制造圖1中所示的半導(dǎo)體封裝。
圖10是顯示依據(jù)本實施例的半導(dǎo)體封裝制造方法的例子的截面圖。
首先，如圖10所示，制備底板1。該底板1足夠大從而可以采樣圖1所示的多個底板1。底板1具有矩形平面形狀，但它的形狀不限。接著，鍵合到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的硅襯底4底面的粘合層3鍵合到底板1上表面(一個表面)上的多個預(yù)定部分。在這個鍵合過程中，最后通過加熱和按壓來固定粘合層3。
然后，通過例如絲網(wǎng)印刷或者旋涂在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2和設(shè)置在最外面位置處的外側(cè)之間在底板1的上表面上形成第一絕緣材料14a。片狀第二絕緣材料15a位于第一絕緣材料14a的上表面上。
此外，片狀第三絕緣材料22a位于底板1的底面(其他的表面)。第一絕緣材料14a由例如熱固性樹脂制成，或者由例如通過在熱固性樹脂中分散增強(qiáng)材料例如玻璃纖維或者二氧化硅填充劑制備的材料制成。
該片狀第二和第三絕緣材料15a和22a不局限于但是最好由結(jié)構(gòu)(build-up)材料制成。作為結(jié)構(gòu)材料，可以使用與二氧化硅填充劑混合并且是半固態(tài)的熱固性樹脂例如環(huán)氧樹脂或者BT樹脂。然而，作為第二和第三絕緣材料15a和22a，可以使用通過半固化熱固性樹脂或者不包含填充劑而只含有熱固性樹脂的材料來制備的片狀預(yù)浸漬材料。
通過使用圖11所示的一對加熱/按壓板37和38來加熱和按壓第一到第三絕緣材料14a、15a和22a。因此，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2和設(shè)置在最外面位置處的那些的外側(cè)之間在底板1的上表面上形成該絕緣層14。第一上部絕緣膜15形成在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2和絕緣層14的上表面。第一下部絕緣膜22形成在底板1的底面。
在這種情況下，第一上部絕緣膜15的上表面被上部加熱/按壓板37的底面按壓，并且因此變平坦。第一下部絕緣膜22的上表面被下部加熱/按壓板38的上表面按壓，并且因此變平坦。因此，對于使第一上部絕緣膜15和第一下部絕緣膜22的上表面平坦化來說，拋光步驟不是必須的。由于這個原因，即使當(dāng)該底板1相對較大且具有例如500×500mm的尺寸時，用于設(shè)置在底板1上的多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的第一上部絕緣膜15和第一下部絕緣膜22的上表面也可以容易地被同時平坦化。
然后，如圖12所示，通過例如用激光束照射該結(jié)構(gòu)的激光加工在第一上部絕緣膜15中相應(yīng)于柱狀電極12上表面中央部分的部分處形成開口部分18。
通過使用機(jī)械鉆孔或者用CO2激光束照射該結(jié)構(gòu)的激光加工，從而在第一上部絕緣膜15、絕緣層14、底板1和第一下部絕緣膜22中的預(yù)定位置形成通孔27。根據(jù)需要通過除污處理除去開口部分18和通孔27中產(chǎn)生的環(huán)氧油污。
如圖13所示，通過銅化學(xué)鍍在包含通過開口部分18暴露的柱狀電極12上表面的第一上部絕緣膜15的整個上表面、第一下部絕緣膜22的整個上表面和通孔27的內(nèi)表面上形成上部底層金屬層16、下部底層金屬層23和底層金屬層28a。
然后，通過構(gòu)圖鍍覆金屬在上部底層金屬層16的上表面和下部底層金屬層23的上表面上形成上部互連17和下部互連24。更具體地說，在上部底層金屬層16的上表面上形成上部噴鍍抗蝕膜41，然后對其進(jìn)行構(gòu)圖。同樣在下部底層金屬層23的上表面上形成下部噴鍍抗蝕膜42，然后對其進(jìn)行構(gòu)圖。在這種情況下，開口部分43形成在上部噴鍍抗蝕膜41中相應(yīng)于包括通孔27的上部互連17形成區(qū)域的部分。此外，開口部分44形成在下部噴鍍抗蝕膜42中相應(yīng)于包括通孔27的下部互連24形成區(qū)域的部分。
通過使用上部底層金屬層16、下部底層金屬層23和底層金屬層28a作為電鍍電流路徑來進(jìn)行銅電鍍。因此，上部互連17形成在上部噴鍍抗蝕膜41的開口部分43中上部底層金屬層16的上表面上。下部互連24形成在下部噴鍍抗蝕膜42的開口部分44中下部底層金屬層23的上表面上。此外，銅層28b形成在通孔27中的底層金屬層28a的表面上。
除去噴鍍抗蝕膜41和42。通過使用上部互連17和下部互連24作為掩模的蝕刻除去底層金屬層16和23的不必要部分。如圖14所示，僅僅剩下上部互連17下面的上部底層金屬層16。此外，僅僅剩余下部互連24上的下部底層金屬層23。在這種狀態(tài)下，包括上部互連17的至少一些上部底層金屬層16通過第一上部絕緣膜15的開口部分18連接到柱狀電極12的上表面。包括上部互連17的至少一些上部底層金屬層16和包括下部互連24的至少一些下部底層金屬層23通過垂直導(dǎo)電部分28連接，每個垂直導(dǎo)電部分28包括形成在通孔27內(nèi)表面上的底層金屬層28a和銅層28b。
如圖15所示，通過絲網(wǎng)印刷在每個垂直導(dǎo)電部分28的空間內(nèi)填充導(dǎo)電材料29，例如銅漿料、銀漿料或者導(dǎo)電樹脂。根據(jù)需要，通過拋光來除去從每個通孔27突出的多余導(dǎo)電材料29。
通過絲網(wǎng)印刷或者旋涂在包括上部互連17的第一上部絕緣膜15的上表面上形成由抗焊劑制成的第二上部絕緣膜19。在這種情況下，開口部分20形成在第二上部絕緣膜19中相應(yīng)于上部互連17的連接墊片部分的部分。此外，通過絲網(wǎng)印刷或者旋涂在包括下部互連24的第一下部絕緣膜22的上表面上形成由抗焊劑制成的第二下部絕緣膜25。在這種情況下，該開口部分26形成在第二下部絕緣膜25中相應(yīng)于下部互連24的連接墊片部分的部分。
焊球21形成在開口部分20內(nèi)和開口部分20上，而且連接到上部互連17的連接墊片部分。當(dāng)在相鄰的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2之間切割第二上部絕緣膜19、第一上部絕緣膜15、絕緣層14、底板1、第一下部絕緣膜22和第二下部絕緣膜25時，得到圖1所示的多個半導(dǎo)體器件。
在上述制造方法中，多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2通過粘合層3設(shè)置在底板1上。特別地，對多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2同時形成上部互連17、下部互連24、垂直導(dǎo)電部分28和焊球21。然后，分隔該結(jié)構(gòu)，以獲得多個半導(dǎo)體器件。因此，可以簡化該制造步驟。從圖12所示的制造步驟看出，可以和底板1一起運(yùn)輸多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2。這同樣簡化了制造步驟。
下面將說明根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體封裝的改型。
第一改型在上述實施例中，相應(yīng)于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2和環(huán)繞它的絕緣層14的整個上表面以矩陣形式設(shè)置焊球21。然而，本發(fā)明不局限于此。例如，焊球21可以僅僅設(shè)置在相應(yīng)于環(huán)繞半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的絕緣層14的區(qū)域上。在這種情況下，焊球21可以形成為不完全環(huán)繞半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2，而是僅僅在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2四面中的一面到三面上。
第二改型在上述實施例中，如圖13所示，通過對由電鍍形成的鍍覆金屬進(jìn)行構(gòu)圖來形成上部互連17和下部互連24。然而，本發(fā)明不局限于此?？梢酝ㄟ^構(gòu)圖蝕刻來形成互連。更具體地說，例如，在由化學(xué)鍍形成的上部底層金屬層16、下部底層金屬層23和底層金屬層28a的整個表面進(jìn)行電鍍來形成銅層。通過光刻對銅層和上部底層金屬層16、下部底層金屬層23以及底層金屬層28a進(jìn)行連續(xù)地構(gòu)圖，從而形成包括上部底層金屬層16的上部互連17和包括下部底層金屬層23的下部互連24，如圖14所示。在任一種方法中，可以在化學(xué)鍍之前在每個通孔27中形成由碳制成的薄的導(dǎo)電膜。
第三改型隨著集成程度提高，要求上部互連17的微構(gòu)圖相對精細(xì)。另一方面，下部互連24要求的圖案精確度相對較低，因為通過布線圖案形成薄膜電路元件例如電感器電路或者天線電路，或者形成安裝電子部件的相對粗糙的互連。
通常，通過對鍍覆金屬進(jìn)行構(gòu)圖形成的互連層的構(gòu)圖精確度取決于通過噴鍍抗蝕膜形成的圖案的精確度。噴鍍抗蝕膜相對較厚，因此側(cè)蝕量大。由于這個原因，圖案精確度相對較低，而且通過對鍍覆金屬進(jìn)行構(gòu)圖形成的互連層的圖案精確度同樣較低。因此，構(gòu)圖鍍覆金屬不適合于微構(gòu)圖。另一方面，通過構(gòu)圖蝕刻形成的互連層的圖案精確度取決于通過電鍍形成的互連層蝕刻的圖案精確度。這個互連層相對較薄，因此側(cè)蝕量小。由于這個原因，可以以相對較高的精確度進(jìn)行構(gòu)圖。因此，構(gòu)圖蝕刻適合于微構(gòu)圖。
要求相對精細(xì)微構(gòu)圖的上部互連17可以通過構(gòu)圖蝕刻來形成，而不需要精細(xì)微構(gòu)圖的下部互連24可以通過構(gòu)圖電鍍來形成。在這種情況下，該兩個表面可以同時或一個接一個地分別加工。如果一個接一個地分別加工該表面，在加工一個表面期間用抗蝕劑或者保護(hù)膜覆蓋另一個表面。在任一種加工方法中，可以使用下面將說明的垂直導(dǎo)電部分形成方法。
第四改型在上述實施例中，包括底層金屬層28a和銅層28b的垂直導(dǎo)電部分28形成在各個通孔27內(nèi)。然而，本發(fā)明不局限于此。
例如，通孔27可以完全地充滿導(dǎo)電材料例如銅漿料、銀漿料或者導(dǎo)電樹脂以形成垂直導(dǎo)電部分，而不是在通孔27內(nèi)形成底層金屬層28a和銅層28b。
在這種情況下，在形成通孔27之前，首先通過化學(xué)鍍和電鍍形成上部底層金屬層16、上部互連17、下部底層金屬層23和下部互連24，如圖13所示。
然后，將保護(hù)膜鍵合到這兩個表面的整個表面上。通過使用機(jī)械鉆孔或者用CO2激光束照射該結(jié)構(gòu)的激光加工，在包括保護(hù)膜、上部底層金屬層16、上部互連17、下部底層金屬層23和下部互連24的結(jié)構(gòu)中形成通孔27。通過絲網(wǎng)印刷用導(dǎo)電材料例如銅漿料、銀漿料或者導(dǎo)電樹脂來填充各個通孔27中的空間。通過拋光來除去從各個通孔27突出的多余導(dǎo)電材料。當(dāng)該導(dǎo)電材料烘干并變硬時，就形成垂直導(dǎo)電部分。
第二實施例圖16是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖。
這個半導(dǎo)體器件在下面幾點(diǎn)上與圖1所示的第一實施例不同。由例如銅箔制成的底層51形成在底板1上表面的預(yù)定部分。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的硅襯底4的底面通過粘合層3鍵合到底層51的上表面。形成在底層51預(yù)定部分的圓孔52的內(nèi)表面連接到垂直導(dǎo)電部分28的底層金屬層28a。在這種情況下，圓孔52與形成通孔27同時地形成在底層51內(nèi)。當(dāng)?shù)讓咏饘賹?8a形成在通孔27內(nèi)時，底層金屬層28a連接到底層51中圓孔52的內(nèi)表面。
第三實施例圖17是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖。
在圖16所示的第二實施例中，垂直導(dǎo)電部分28連接到底層51。然而，本發(fā)明不局限于此。例如，如圖17所示的本發(fā)明的第三實施例，包括下部底層金屬層23的下部互連24可以通過第一下部絕緣膜22和底板1中形成的開口部分53連接到底層51。
第四實施例圖18是顯示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖。
在第一實施例中，僅僅包括一層的上部底層金屬層16形成在第一上部絕緣膜15上，如圖1所示。然而，本發(fā)明不局限于此。例如，如圖16所示的本發(fā)明第四實施例中那樣，可以形成兩層或者三層或者更多層。
更具體地說，由結(jié)構(gòu)材料制成的第一上部絕緣膜61形成在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2和絕緣層14的上表面上。包括第一上部底層金屬層62的第一上部互連63形成在第一上部絕緣膜61的上表面而且通過第一上部絕緣膜61中形成的開口部分64連接到柱狀電極12的上表面。
由結(jié)構(gòu)材料制成的第二上部絕緣膜65形成在包括第一上部互連63的第一上部絕緣膜61的上表面上。包括第二底層金屬層66的第二上部互連67形成在第二上部絕緣膜65的上表面上，而且通過第二上部絕緣膜65中形成的開口部分68連接到第一上部互連63的連接墊片部分。
由抗焊劑制成的第三上部絕緣膜69形成在包括第二上部互連67的第二上部絕緣膜65的上表面上。開口部分70形成在第三上部絕緣膜69中相應(yīng)于第二上部互連67的連接墊片部分的部分。焊球71形成在各個開口部分70中或者各個開口部分70上，而且連接到相應(yīng)一個第二上部互連67的連接墊片部分。
在第四實施例中，包括第一上部底層金屬層62的第一上部互連63和包括下部底層金屬層23的下部互連24通過垂直導(dǎo)電部分28連接。然而，本發(fā)明不局限于此。包括第二底層金屬層66的第二上部互連67和包括下部底層金屬層23的下部互連24可以通過垂直導(dǎo)電部分28連接。
在第四實施例中，焊球71僅僅形成在相應(yīng)于環(huán)繞半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的矩形框狀絕緣層14的區(qū)域上。結(jié)果，第二上部絕緣膜65在相應(yīng)于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的區(qū)域中的大部分上表面是多余區(qū)域，可以防止該多余區(qū)域具有連接到焊球71的第二上部互連67。通過在這個多余區(qū)域中形成薄膜無源元件72例如電容器電路元件、電感器電路元件或者從第二上部互連形成的天線電路元件，可以減小電子器件的尺寸。
芯片元件73例如電容器或者電阻器可以安裝在第二下部絕緣膜25上表面的周圍部分的預(yù)定部分，從而進(jìn)一步減小器件尺寸和布線長度。在這種情況下，芯片元件73的兩個電極通過由絲網(wǎng)印刷填充開口部分26的焊錫部分74連接到下部互連24。
薄膜無源元件72例如電容器電路元件、電感器電路元件或者由下部互連形成的天線電路元件可以形成在第一下部絕緣膜22在除芯片元件73的安裝區(qū)域之外的區(qū)域內(nèi)的上表面上。在這種情況下，可以確保相對大的面積作為薄膜無源元件72的形成區(qū)域。因此，可以令人滿意地形成相對大面積的無源元件。
在這種情況下，芯片元件73形成在第二下部絕緣膜25上表面的周圍部分，因此第二下部絕緣膜25幾乎在上表面的中央部分具有平坦區(qū)域。在中央部分的平坦區(qū)域可以用作吸入壓頭抽吸區(qū)(suctionhead suction region)(安裝拾取區(qū))，該吸入壓頭抽吸區(qū)被吸入壓頭抽吸，從而操作該半導(dǎo)體器件。
多個芯片元件73幾乎可以安裝在包括第二下部絕緣膜25上表面中央部分附近的部分的上表面的整個區(qū)域上。在這種情況下，可以進(jìn)一步減小器件尺寸和布線長度。然而，變得難以確保平坦的吸入壓頭抽吸區(qū)。下面將說明第五和第六實施例，其中即使在上述情況下也可以確保平坦的吸入壓頭抽吸區(qū)。
第五實施例圖19是顯示根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖。
在這個半導(dǎo)體封裝中，多個芯片元件73安裝在幾乎包括第二下部絕緣膜25上表面中央部分的整個區(qū)域上。這些芯片元件73被環(huán)氧樹脂或者聚酰亞胺樹脂制成的密封膜75覆蓋。密封膜75的上表面75通過拋光來平坦化。該平坦的上表面用作吸入壓頭抽吸區(qū)。
第六實施例圖20是顯示根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖。
在這個半導(dǎo)體封裝中，多個芯片元件73安裝在幾乎包括第二下部絕緣膜25上表面中央部分的整個區(qū)域上。幾乎安裝在第二下部絕緣膜25上表面中央部分的芯片元件73被環(huán)氧樹脂或者聚酰亞胺樹脂制成的密封膜75覆蓋。由金屬板形成的平板76鍵合到密封膜75的上表面。平板76的上表面用作吸入壓頭抽吸區(qū)。
可以代替芯片元件73或者與芯片元件73一起，安裝由集成電路例如LSI或者類似于圖1所示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的結(jié)構(gòu)形成的半導(dǎo)體IC芯片。
第七實施例圖21是顯示根據(jù)本發(fā)明第七實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖。
在第一實施例中，僅僅包括一層的每個下部互連24形成在第一下部絕緣膜22下面，如圖1所示。然而，本發(fā)明不局限于此。例如，正如在圖21所示的本發(fā)明第七實施例中那樣，可以形成兩層或三層或者更多層。
更具體地說，由結(jié)構(gòu)材料制成的第一下部絕緣膜101形成在底板1的底面上。包括下部底層金屬層102的第一下部互連103形成在第一下部絕緣膜101的底面上，而且連接到垂直導(dǎo)電部分28。
由結(jié)構(gòu)材料制成的第二下部絕緣膜104形成在包括第一下部互連103的第一下部絕緣膜101的底面上。包括第二下部底層金屬層105的第二下部互連106形成在第二下部絕緣膜104的底面上，而且通過第二下部絕緣膜104中形成的開口部分107連接到第一下部互連103的連接墊片部分。由抗焊劑制成的第三下部絕緣膜108形成在包括第二下部互連106的第二下部絕緣膜104的底面上。開口部分109形成在第三下部絕緣膜108中相應(yīng)于第二下部互連106的連接墊片部分的部分。
在第七實施例中，包括上部底層金屬層16的上部互連17和包括下部底層金屬層102的第一下部互連103通過垂直導(dǎo)電部分28連接。然而，本發(fā)明不局限于此。包括上部底層金屬層16的上部互連17和包括第二下部底層金屬層105的第二下部互連106可以通過垂直導(dǎo)電部分連接。
當(dāng)每個上部互連包括兩層或更多層，而且每個下部互連包括兩層或更多層時，上部互連中的一層和下部互連中的一層可以通過垂直導(dǎo)電部分連接，包括圖18和21所示的情況。
第八實施例圖22是顯示根據(jù)本發(fā)明第八實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖。
在第一實施例中，在彼此相鄰的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2之間切割所得到的結(jié)構(gòu)。然而，本發(fā)明不局限于此。例如，正如在圖22所示的本發(fā)明第八實施例中那樣，可以對于每兩個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2來切割所得到的結(jié)構(gòu)，以獲得多芯片模塊型的半導(dǎo)體器件?？蛇x擇地，可以對于每兩個或更多半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2來切割所得到的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，一組該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2可以是相同類型或者不同類型。
第九實施例圖23是顯示根據(jù)本發(fā)明第九實施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖。
在這個半導(dǎo)體封裝中，第二和第三半導(dǎo)體封裝82和83安裝在具有例如與圖1所示的相同結(jié)構(gòu)的第一半導(dǎo)體封裝81下面。
在這種情況下，第二半導(dǎo)體塊82沒有焊球21，與例如圖1所示的結(jié)構(gòu)不同。
第三半導(dǎo)體塊83沒有通孔27、垂直導(dǎo)電部分28、導(dǎo)電材料29、第一下部絕緣膜22、第二下部絕緣膜25、下部底層金屬層23、下部互連24和焊球21，與例如圖1所示的結(jié)構(gòu)不同。
第一半導(dǎo)體塊81和第二半導(dǎo)體塊82通過插入它們之間的粘合層84鍵合。第一半導(dǎo)體塊81的下部互連24的連接墊片部分通過粘合層84中形成的通孔85內(nèi)形成的導(dǎo)電材料86連接到第二半導(dǎo)體塊82的上部互連17的連接墊片部分。
第二半導(dǎo)體塊82和第三半導(dǎo)體塊83通過插入它們之間的粘合層87鍵合。第二半導(dǎo)體塊82的下部互連24的連接墊片部分通過粘合層87中形成的通孔88內(nèi)形成的導(dǎo)電材料89連接到第三半導(dǎo)體塊83的上部互連17的連接墊片部分。
制造方法下面將說明制造這種半導(dǎo)體器件的方法的例子。
圖24和25是顯示應(yīng)用于根據(jù)第九實施例的半導(dǎo)體封裝的制造方法的例子的截面圖。
首先，如圖24所示，例如，具有薄片形狀并由例如液晶聚合物的熱固性樹脂、熱塑性聚酰亞胺、PEEK(聚醚醚酮)或者PPS(聚苯硫醚)制成的粘合層84鍵合到第二半導(dǎo)體塊82的第二上部絕緣膜19的上表面。在這種情況下，保護(hù)膜90鍵合到粘合層84的上表面。
然后，通過例如使用激光束照射該結(jié)構(gòu)的激光加工在保護(hù)膜90和粘合層84相應(yīng)于第二上部絕緣膜19的開口部分20的部分，即上部互連17的連接墊片部分形成通孔85。
通孔85和開口部分20通過絲網(wǎng)印刷填充低溫下可以燒結(jié)的導(dǎo)電材料86例如銅漿料、銀漿料或者導(dǎo)電樹脂。
除去保護(hù)膜90。在這種狀態(tài)下，每個導(dǎo)電材料86從粘合層84突出，同時高度與保護(hù)膜90的厚度相同。
用與如上所述相同的方式，通過用導(dǎo)電材料89填充鍵合到第二上部絕緣膜19上表面的粘合層87中形成的通孔88等來制備第三半導(dǎo)體塊83。如圖25所示，第二半導(dǎo)體塊82位于第三半導(dǎo)體塊83上的粘合層87上。第一半導(dǎo)體塊81位于第二半導(dǎo)體塊82上的粘合層84上。在這種情況下，第一半導(dǎo)體塊81上不形成焊球21。在這種設(shè)置狀態(tài)下，導(dǎo)電材料86和89的上部插入半導(dǎo)體塊81和82的第二下部絕緣膜25的開口部分26。
通過使用一對加熱/按壓板91和92來加熱和按壓第一到第三半導(dǎo)體塊81至83以及粘合層84和87。因此，使該導(dǎo)電材料86和89燒結(jié)。第一半導(dǎo)體塊81的下部互連24的連接墊片部分通過導(dǎo)電材料86連接到第二半導(dǎo)體塊82的上部互連17的連接墊片部分。此外，第二半導(dǎo)體塊82的下部互連24的連接墊片部分通過導(dǎo)電材料89連接到第三半導(dǎo)體塊83的上部互連17的連接墊片部分。
當(dāng)固化粘合層84和87時，第一半導(dǎo)體塊81和第二半導(dǎo)體塊82通過粘合層84鍵合，而第二半導(dǎo)體塊82和第三半導(dǎo)體塊83通過粘合層87鍵合。
然后，如圖23所示，焊球21形成在第一半導(dǎo)體塊81上。以這種方式，得到圖22所示的半導(dǎo)體器件。
在上述制造方法中，因為第一到第三半導(dǎo)體塊81到83通過插入這些塊之間的粘合層84和87同時鍵合，所以可以簡化制造步驟。正如在第二半導(dǎo)體塊82中那樣，可以省略第三半導(dǎo)體塊83上的焊球21，與例如圖1所示的結(jié)構(gòu)不同。
其它實施例在上述實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2具有在互連11的連接墊片部分上形成的柱狀電極12作為外部連接電極。然而，本發(fā)明不局限于此。例如，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2也可以沒有柱狀電極12，而是具有用作外部連接電極的連接墊片部分的互連11。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2可以具有用作外部連接電極的連接墊片5?？蛇x擇地，柱狀電極可以形成在作為外部連接電極的連接墊片5上。該柱狀電極可以用作外部連接電極。
例如，在圖1所示的第一實施例中，焊球21連接到從第二上部絕緣膜19中形成的開口部分20暴露出來的上部互連17的連接墊片部分。然而，本發(fā)明不局限于此。例如，焊球21可以連接到從第二下部絕緣膜25中形成的開口部分26暴露出來的下部互連24。
例如，在圖18所示的第四實施例中，芯片元件73或者半導(dǎo)體芯片安裝在第二下部絕緣膜25的底面上，而且連接到下部互連24。然而，本發(fā)明不局限于此。例如，芯片元件73或者半導(dǎo)體芯片可以安裝在第二上部絕緣膜19的上表面上，而且連接到上部互連17的連接墊片部分。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括具有一個表面和另一個表面的底板；至少一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體形成在該底板的所述一個表面上，而且具有半導(dǎo)體襯底和形成在該半導(dǎo)體襯底上的多個外部連接電極；絕緣層，該絕緣層形成在該底板的所述一個表面上，環(huán)繞該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體；多個上部互連，每個所述上部互連形成在該絕緣層上，而且包括至少一個互連層，至少一些所述上部互連連接到該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的該外部連接電極；和多個下部互連，每個所述下部互連形成在該底板的所述另一個表面上，而且包括至少一個互連層，至少一些所述下部互連電連接到該上部互連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，還包括形成在該上部互連上的至少一個接線端子部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝，還包括形成在該上部互連的該接線端子部分上的至少一個突出電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝，其中該突出電極具有焊球。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝，還包括上部絕緣膜，該上部絕緣膜覆蓋該絕緣膜的上表面和除該上部互連的該接線端子部分外的部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝，還包括覆蓋該絕緣膜的整個上表面和該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體除了每個外部連接電極上表面中心部分之外的上表面的絕緣膜，并且其中該上部絕緣膜和該上部互連形成在該絕緣膜上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝，其中該絕緣膜具有薄片形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝，其中該絕緣膜的上表面是平坦的。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝，其中至少一個電子元件安裝在該上部絕緣膜上，而且連接到該上部互連的接線端子部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，還包括垂直導(dǎo)電部分，該垂直導(dǎo)電部分將該上部互連的所述互連層之一連接到該下部互連的所述互連層之一。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝，其中至少在該絕緣層和該底板中形成通孔，并且該垂直導(dǎo)電部分至少包括填充該通孔的導(dǎo)電材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝，其中至少在該絕緣層和該底板中形成通孔，并且該垂直導(dǎo)電部分至少包括在該通孔中形成的互連層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝，其中該垂直導(dǎo)電部分還包括填充該通孔的導(dǎo)電材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝，還包括形成在該底板上表面上的底層，并且該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體形成在該底層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的封裝，其中該底層連接到該垂直導(dǎo)電部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述至少一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體包括形成在該底板上的多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的封裝，其中所述多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體彼此隔開地形成在該底板上。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的封裝，其中所述多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的至少一些所述外部連接電極通過該上部互連而彼此電連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體包括多個連接墊片、電連接到該連接墊片的多個柱狀電極和環(huán)繞該柱狀電極形成的密封膜，并且該外部連接電極包括該柱狀電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的封裝，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體包括將該連接墊片連接到該柱狀電極的互連。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體包括多個連接墊片，并且該外部連接電極包括該連接墊片。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，還包括形成在該下部互連上的至少一個接線端子部分。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的封裝，其中至少一個突出電極形成在該下部互連的接線端子部分上。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的封裝，其中該突出電極包括焊球。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的封裝，還包括下部絕緣膜，該下部絕緣膜覆蓋該底板的所述另一個表面和除了該下部互連的接線端子部分以外的部分。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的封裝，還包括覆蓋該底板的所述另一個表面的整個表面的絕緣膜，并且其中該下部絕緣膜和該下部互連形成在該絕緣膜上。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的封裝，其中該絕緣膜具有薄片形狀。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的封裝，還包括至少部分形成在該下部絕緣膜上的平坦吸入壓頭抽吸區(qū)。
29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的封裝，其中至少一個電子元件安裝在該下部絕緣膜上，而且連接到該下部互連的接線端子部分。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的封裝，其中該電子元件安裝在該下部絕緣膜上的周邊部分，并且該下部絕緣膜上表面的中心部分用作該吸入壓頭抽吸區(qū)。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的封裝，其中所述至少一個電子元件包括安裝在包括該下部絕緣膜上表面中心部分的區(qū)域內(nèi)而且覆蓋有密封膜的多個電子元件，該密封膜的上表面用作該吸入壓頭抽吸區(qū)。
32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的封裝，其中所述至少一個電子元件包括安裝在包括該下部絕緣膜上表面中心部分的區(qū)域內(nèi)的多個電子元件，至少安裝在該下部絕緣膜上表面中心部分的該電子元件覆蓋有密封膜，將平板置于該密封膜的上表面上，并且該平板的上表面用作該吸入壓頭抽吸區(qū)。
33.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中由至少一些該下部互連或者一些該上部互連形成薄膜電路元件。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的封裝，其中該薄膜電路元件包括電容器電路元件、電感器電路元件和天線電路元件之一。
35.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，還包括形成在該底板上表面的底層，并且在該底層上形成該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的封裝，其中該底層連接到該下部互連。
37.一種半導(dǎo)體封裝，包括第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝；該第一半導(dǎo)體封裝包括至少一個底板，至少一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體形成在該底板的一個表面上，而且具有形成在半導(dǎo)體襯底上的多個外部連接電極，絕緣層，該絕緣層形成在該底板的所述一個表面上，環(huán)繞該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，以及上部互連，該上部互連中的每一個都形成在該絕緣層上并且包括至少一個互連層，至少一些該上部互連連接到該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的外部連接電極而且具有至少一個接線端子部分，該第二半導(dǎo)體封裝包括至少一個底板，至少一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體形成在該底板的一個表面上，而且具有形成在半導(dǎo)體襯底上的多個外部連接電極，絕緣層，該絕緣層形成在該底板的所述一個表面上，環(huán)繞該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，上部互連，該上部互連中的每一個形成在該絕緣層上而且包括至少一個互連層，至少一些該上部互連連接到該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的外部連接電極而且具有至少一個接線端子部分，以及下部互連，該下部互連中的每一個形成在該底板的另一個表面上而且包括至少一個互連層，至少一些該下部互連電連接到該上部互連而且具有至少一個接線端子部分，其中，一個或所述多個第二半導(dǎo)體封裝彼此連接，而且堆疊在第一半導(dǎo)體封裝上，并且上側(cè)的半導(dǎo)體封裝的下部互連的該接線端子部分連接到下側(cè)的半導(dǎo)體封裝的上部互連的接線端子部分，該連接通過該第一半導(dǎo)體封裝和堆疊在其上的該第二半導(dǎo)體封裝之間的連接部分以及彼此堆疊的所述多個第二半導(dǎo)體封裝之間的連接部分中的一個來進(jìn)行。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的封裝，其中該第二半導(dǎo)體封裝包括垂直導(dǎo)電部分，該垂直導(dǎo)電部分將該上部互連的所述互連層之一連接到該下部互連的所述互連層之一。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的封裝，其中該第二半導(dǎo)體封裝具有形成在該絕緣層和該底板中的通孔，并且該垂直導(dǎo)電部分至少包括在該通孔中形成的互連層。
40.根據(jù)權(quán)利要求38所述的封裝，其中該第二半導(dǎo)體封裝具有在該絕緣層和該底板中形成的通孔，并且該垂直導(dǎo)電部分至少包括填充該通孔的導(dǎo)電材料。
41.根據(jù)權(quán)利要求37所述的封裝，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體包括多個連接墊片、電連接到該連接墊片的多個柱狀電極和環(huán)繞該柱狀電極形成的密封膜，并且該外部連接電極包括該柱狀電極。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的封裝，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體包括將該連接墊片連接到該柱狀電極的互連。
43.根據(jù)權(quán)利要求37所述的封裝，其中上側(cè)的半導(dǎo)體封裝和下側(cè)的半導(dǎo)體封裝通過插入其間的粘合層鍵合。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的封裝，其中該粘合層具有填充有導(dǎo)電材料的通孔，并且上側(cè)的半導(dǎo)體封裝的下部互連的該接線端子部分和下側(cè)的半導(dǎo)體封裝的上部互連的該接線端子部分通過形成在該通孔中的導(dǎo)電材料連接。
45.根據(jù)權(quán)利要求37所述的封裝，其中該第一半導(dǎo)體封裝和該第二半導(dǎo)體封裝中的每一個包括覆蓋該絕緣膜上表面和除了該上部互連的接線端子部分之外的部分的上部絕緣膜。
46.根據(jù)權(quán)利要求37所述的封裝，還包括至少一個突出電極，該突出電極形成在堆疊的第二半導(dǎo)體封裝中最上層半導(dǎo)體封裝的上部互連的該接線端子部分上。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的封裝，其中該突出電極包括焊球。
48.根據(jù)權(quán)利要求37所述的封裝，其中該第二半導(dǎo)體封裝包括覆蓋該底板的所述另一個表面和除了該下部互連的接線端子部分之外的部分的下部絕緣膜。
49.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，包括在底板的一個表面上設(shè)置多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，每個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體具有形成在半導(dǎo)體襯底上的多個外部連接電極，同時使該多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體彼此分開；在該底板的所述一個表面上環(huán)繞該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體形成絕緣層；在該絕緣層上形成上部互連，每個上部互連包括至少一個互連層并且具有至少一個接線端子部分，至少一些該上部互連連接到該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的該外部連接電極；在該底板的另一個表面上形成下部互連，每個下部互連包括至少一個互連層和至少一個接線端子部分；在該絕緣層和該底板中形成通孔；在該通孔中形成垂直導(dǎo)電部分，該垂直導(dǎo)電部分將該上部互連中的一層連接到該下部互連中的一層。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，還包括切割該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體之間的絕緣層和底板，從而將該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體分隔成每個都包括至少一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的半導(dǎo)體封裝。
51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中完成該切割以使該半導(dǎo)體封裝包括多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體。
52.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中同時進(jìn)行該上部互連的最下層互連層的形成和該下部互連的最上層互連層的形成。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的方法，其中形成該垂直導(dǎo)電部分與形成該上部互連的最下層互連層和形成該下部互連的最上層互連層同時進(jìn)行。
54.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中形成該垂直導(dǎo)電部分包括用導(dǎo)電材料填充該通孔。
55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的方法，其中該導(dǎo)電材料包括銅漿料、銀漿料和導(dǎo)電樹脂之一。
56.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體包括多個連接墊片、電連接到該連接墊片的多個柱狀電極和環(huán)繞該柱狀電極形成的密封膜，并且該外部連接電極包括該柱狀電極。
57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體包括將該連接墊片連接到該柱狀電極的互連。
58.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體包括多個連接墊片，并且該外部連接電極包括該連接墊片。
59.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，還包括在該絕緣層和該上部互連上形成覆蓋除了該接線端子部分之外的部分的上部絕緣膜。
60.根據(jù)權(quán)利要求59所述的方法，還包括在該絕緣膜的整個上表面和每個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體除了每個外部連接電極上表面中央部分之外的上表面上形成絕緣膜，并且其中形成該上部絕緣膜和該上部互連包括在該絕緣膜上形成該上部絕緣膜和該上部互連。
61.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中該絕緣膜具有薄片形狀。
62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的方法，其中形成該絕緣膜包括平坦化該絕緣膜的上表面。
63.根據(jù)權(quán)利要求59所述的方法，還包括在該上部絕緣膜上安裝至少一個電子元件，并且將該電子元件連接到該上部互連的該接線端子部分。
64.根據(jù)權(quán)利要求59所述的方法，還包括在該上部互連的該接線端子部分上形成突出電極。
65.根據(jù)權(quán)利要求64所述的方法，其中該突出電極包括焊球。
66.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，還包括形成覆蓋該底板的另一個表面和除了該下部互連的該接線端子部分之外的部分的下部絕緣膜。
67.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，其中還包括在該底板的所述另一個表面的整個表面上形成絕緣膜，并且其中形成該下部絕緣膜和該下部互連包括在該絕緣膜上形成該下部絕緣膜和該下部互連。
68.根據(jù)權(quán)利要求67所述的方法，其中該絕緣膜具有薄片形狀。
69.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，還包括在該下部互連的該接線端子部分上形成突出電極。
70.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，其中該突出電極包括焊球。
71.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，還包括在該下部絕緣膜上安裝至少一個電子元件，并且將該電子元件連接到該下部互連的該接線端子部分。
72.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，還包括在至少部分該下部絕緣膜上形成平坦的吸入壓頭抽吸區(qū)。
73.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，還包括由至少一些該下部互連或者一些該上部互連形成薄膜電路元件。
74.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其中該薄膜電路元件包括電容器電路元件、電感器電路元件和天線電路元件之一。
75.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，還包括在該底板的上表面上形成底層。
76.根據(jù)權(quán)利要求75所述的方法，還包括將該底層連接到該垂直導(dǎo)電部分和該下部互連之一。
77.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，該半導(dǎo)體封裝包括第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝，該第一半導(dǎo)體封裝包括至少一個底板，至少一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體形成在該底板的一個表面上，而且具有形成在半導(dǎo)體襯底上的多個外部連接電極，絕緣層，該絕緣層形成在該底板的所述一個表面上，環(huán)繞該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，以及上部互連，該上部互連中的每一個形成在該絕緣層上而且包括至少一個互連層，至少一些該上部互連連接到該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的該外部連接電極而且具有至少一個接線端子部分，和該第二半導(dǎo)體封裝包括至少一個底板，至少一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體形成在該底板的一個表面上，而且具有形成在半導(dǎo)體襯底上的多個外部連接電極，絕緣層，該絕緣層形成在該底板的所述一個表面上，環(huán)繞該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，上部互連，該上部互連中的每一個形成在該絕緣層上而且包括至少一個互連層，至少一些該上部互連連接到該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的該外部連接電極而且具有至少一個接線端子部分，以及下部互連，該下部互連中的每一個形成在該底板的另一個表面上而且包括至少一個互連層，至少一些該下部互連電連接到該上部互連而且具有至少一個接線端子部分，該方法包括在該第一半導(dǎo)體封裝上堆疊一個或多個該第二半導(dǎo)體封裝；和將上側(cè)的半導(dǎo)體封裝的下部互連的接線端子部分連接到下側(cè)的半導(dǎo)體封裝的上部互連的接線端子部分，該連接通過該第一半導(dǎo)體封裝和堆疊在其上的該第二半導(dǎo)體封裝之間的部分和彼此堆疊的所述多個第二半導(dǎo)體封裝之間的部分之一來進(jìn)行。
78.根據(jù)權(quán)利要求77所述的方法，其中堆疊和連接該第一半導(dǎo)體封裝和該第二半導(dǎo)體封裝包括通過相應(yīng)粘合層在該第一半導(dǎo)體封裝上堆疊至少一個第二半導(dǎo)體封裝，并通過該粘合層立即鍵合該第一半導(dǎo)體封裝和該第二半導(dǎo)體封裝。
79.根據(jù)權(quán)利要求78所述的方法，其中該粘合層具有填充有導(dǎo)電材料的通孔，并且該鍵合包括通過在該通孔內(nèi)形成的導(dǎo)電材料，將上側(cè)的半導(dǎo)體封裝的下部互連的接線端子部分連接到下側(cè)的半導(dǎo)體封裝的上部互連的接線端子部分。
80.根據(jù)權(quán)利要求77所述的方法，其中該第一半導(dǎo)體封裝和該第二半導(dǎo)體封裝中的每一個包括覆蓋該絕緣膜的上表面和除了該上部互連的接線端子部分之外的部分的上部絕緣膜。
81.根據(jù)權(quán)利要求77所述的方法，其中該第二半導(dǎo)體封裝包括覆蓋該底板的下表面和除了該下部互連的接線端子部分之外的部分的下部絕緣膜。
82.根據(jù)權(quán)利要求77所述的方法，還包括在堆疊的第二半導(dǎo)體封裝中最上層的半導(dǎo)體封裝的上部互連的該接線端子部分上形成突出電極。
83.根據(jù)權(quán)利要求82所述的方法，其中該突出電極包括焊球。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝，包括底板、至少一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體、絕緣層、上部互連、下部互連，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體形成在底板的一個表面上而且具有形成在半導(dǎo)體襯底上的多個外部連接電極，該絕緣層形成在該底板的一個表面上，環(huán)繞半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體，該上部互連形成在該絕緣層上而且每個都包括至少一個互連層，至少一些上部互連連接到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的外部連接電極，該下部互連形成在該底板的另一個表面上而且每個都包括至少一個互連層，至少一些下部互連電連接到上部互連。
文檔編號H01L21/68GK1723556SQ20048000170
公開日2006年1月18日 申請日期2004年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月3日
發(fā)明者定別當(dāng)?？?申請人:卡西歐計算機(jī)株式會社