專利名稱：封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物和采用它的半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物和采用該樹脂組合物的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
由于環(huán)氧樹脂在生產(chǎn)率、成本和可靠性方面的良好平衡特性，近年來(lái)，環(huán)氧樹脂組合物已被主要用在半導(dǎo)體芯片的封裝上。隨著半導(dǎo)體裝置的大小和厚度的降低，需要具有更低粘性和更高強(qiáng)度的封裝用環(huán)氧樹脂組合物。此外，考慮到環(huán)境的因素，越來(lái)越需要制備一種不含有阻燃劑如Br化合物和銻氧化物的耐火裝置。鑒于這種情況，目前的研究明顯趨向于采用更低粘性的樹脂并往環(huán)氧樹脂組合物中添加更多的無(wú)機(jī)填料。
作為一種新趨勢(shì)，往往使用具有比常規(guī)焊料熔點(diǎn)更高的無(wú)鉛焊料來(lái)裝配半導(dǎo)體裝置。在使用這種焊料時(shí)，需要將溫度升至高于常規(guī)溫度約20℃，由此裝配得到的半導(dǎo)體裝置比現(xiàn)有技術(shù)的裝置更加不可靠。因此，越來(lái)越需要通過(guò)提供一種高水平的環(huán)氧樹脂組合物來(lái)改善半導(dǎo)體裝置的可靠性，并能進(jìn)一步促進(jìn)樹脂粘性的降低和無(wú)機(jī)填料量的增加。
在現(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)使用具有低熔融粘度的樹脂(專利文件1)，或者用硅烷偶聯(lián)劑表面處理無(wú)機(jī)填料來(lái)增加無(wú)機(jī)填料的量(專利文件2)，可以保持成型時(shí)的低粘性和高流動(dòng)性。
但是，這些方法中的任何一種都無(wú)法同時(shí)滿足抗龜裂性、高流動(dòng)性和耐火性這些全部要求。因而，目前所需的技術(shù)是，使用一種具有改進(jìn)的抗龜裂性和耐火性能的樹脂，并能增加無(wú)機(jī)填料的量以便充分改善可靠性而不會(huì)損壞流動(dòng)性或固化特性。
專利文件1日本專利申請(qǐng)NO1995-130919(pp.2-5)專利文件2日本專利申請(qǐng)NO1996-20673(pp.2-4)
發(fā)明概述考慮到上述情況，本發(fā)明的目的在于提供一種技術(shù)，使得封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物在成型時(shí)候的流動(dòng)性能提高，而同時(shí)不損壞其固化特性。
本發(fā)明提供了一種封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物，包括由通式(1)表示的環(huán)氧樹脂(A)，由通式(2)表示的酚樹脂(B)，和無(wú)機(jī)填料(C)；固化促進(jìn)劑(D)；硅烷偶聯(lián)劑(E)；以及包含兩個(gè)或更多羥基的化合物(F)，其中所述的羥基與芳香環(huán)上各相鄰碳原子結(jié)合。
在上述通式(1)中，R代表氫或具有至多4個(gè)碳原子的烷基；n是平均值在1-10之間的正數(shù)。
在上述通式(2)中，R1代表亞苯基或亞聯(lián)苯基；R2代表具有至多4個(gè)碳原子的烷基；n是平均值在1-10之間的正數(shù)。
本發(fā)明用于封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物包含通式(1)和通式(2)表示的樹脂，并進(jìn)一步包含必要成分化合物(F)，因而能確保充分的固化性和流動(dòng)性。
本發(fā)明用于封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物包含環(huán)氧樹脂(A)，酚樹脂(B)，無(wú)機(jī)填料(C)，和固化促進(jìn)劑(D)作為主要成分。
本發(fā)明用于封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物可包含大于等于0.01wt％的化合物(F)，它能進(jìn)一步改進(jìn)成型時(shí)的流動(dòng)性而不會(huì)損壞固化特性。
本發(fā)明用于封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物可包含硅烷偶聯(lián)劑(E)，偶聯(lián)劑的量為大于等于0.01wt％至小于等于1wt％，它能進(jìn)一步改進(jìn)成型時(shí)的流動(dòng)性和固化特性。
本發(fā)明用于封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物包含大于等于84wt％至小于等于90wt％無(wú)機(jī)填料(C)，它能確保樹脂組合物具有更低粘性和更高強(qiáng)度。
在本發(fā)明用于封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物中，化合物(F)可包含兩個(gè)羥基，這兩個(gè)羥基與芳香環(huán)上各相鄰碳原子結(jié)合在一起，它能保證成型時(shí)具有合適的固化性和流動(dòng)性。
在本發(fā)明用于封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物中，芳香環(huán)可以是萘環(huán)，它能在成型時(shí)進(jìn)一步改進(jìn)固化性和流動(dòng)性。
在本發(fā)明用于封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物中，化合物(F)可包含兩個(gè)羥基，這兩個(gè)羥基與萘環(huán)上各相鄰碳原子結(jié)合在一起，該化合物能進(jìn)一步改進(jìn)成型時(shí)固化性和流動(dòng)性之間的平衡。
本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體裝置，其中使用上述的半導(dǎo)體芯片封裝用樹脂組合物來(lái)封裝半導(dǎo)體芯片。由于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置是由所述的半導(dǎo)體芯片封裝用樹脂組合物來(lái)封裝的，因而能完全確保生產(chǎn)穩(wěn)定性。
如上所述，本發(fā)明提供一種用于封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物，該組合物在成型時(shí)具有良好的流動(dòng)性并能同時(shí)保持固化性。


參照下述優(yōu)選實(shí)施方式和附圖，本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更加清楚。
圖1示出了本發(fā)明實(shí)施方式中半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)例的剖面圖。
發(fā)明詳述本發(fā)明的樹脂組合物包含下列必要成分通式(1)表示的環(huán)氧樹脂(A)
在上述通式(1)中，R代表氫或具有至多4個(gè)碳原子的烷基；n是平均值在1-10之間的正數(shù)；通式(2)表示的酚樹脂(B) 在上述通式(2)中，R1代表亞苯基或亞聯(lián)苯基；R2代表具有至多4個(gè)碳原子的烷基；n是平均值在1-10之間的正數(shù)；無(wú)機(jī)填料(C)；固化促進(jìn)劑(D)；硅烷偶聯(lián)劑(E)和包含兩個(gè)或更多羥基的化合物(F)，其中所述的羥基與芳香環(huán)上各相鄰碳原子結(jié)合。
本發(fā)明的環(huán)氧樹脂組合物包含的組分如下述(A)1-40wt％(B)1-40wt％(C)40-97wt％(D)0.001-5wt％(E)0.01-1wt％(F)0.01-1wt％下面將要描述本發(fā)明用來(lái)封裝半導(dǎo)體芯片的環(huán)氧樹脂的每一組分。
由通式(1)表示的環(huán)氧樹脂在主鏈內(nèi)具有疏水的剛性亞聯(lián)苯基結(jié)構(gòu)。因而，包含該樹脂的環(huán)氧樹脂組合物固化產(chǎn)品在高于玻璃化溫度(后面用“Tg”表示)的高溫范圍內(nèi)具有較低的吸濕系數(shù)和較低的彈性模量，并對(duì)半導(dǎo)體芯片、有機(jī)基底和金屬基底表現(xiàn)出良好的粘附性。該產(chǎn)品還表現(xiàn)出良好的阻燃性，并且由于它的低交聯(lián)密度而表現(xiàn)出更高的耐熱性能。
通式(1)表示的環(huán)氧樹脂(A)的例子包括苯酚-聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂，但是具有式(1)結(jié)構(gòu)的樹脂能不受限地使用。
通式(1)的環(huán)氧樹脂可與另一個(gè)環(huán)氧樹脂結(jié)合使用，只要先前樹脂的效果不受損害?？梢越Y(jié)合使用的環(huán)氧樹脂的例子包括聯(lián)苯基型環(huán)氧樹脂，雙酚型環(huán)氧樹脂，均二苯代乙烯型環(huán)氧樹脂，苯酚酚醛型環(huán)氧樹脂，甲酚酚醛型環(huán)氧樹脂，三苯酚甲烷型環(huán)氧樹脂，苯酚芳烷基型環(huán)氧樹脂，萘酚型環(huán)氧樹脂，烷基改性的三苯酚甲烷型環(huán)氧樹脂，含三嗪結(jié)構(gòu)型環(huán)氧樹脂和二環(huán)戊二烯改性型苯酚環(huán)氧樹脂。
根據(jù)用于封裝半導(dǎo)體芯片的環(huán)氧樹脂組合物的耐濕可靠性，優(yōu)選盡可能去除離子雜質(zhì)Na和Cl離子?？紤]到固化性，環(huán)氧當(dāng)量可以是例如100g/eq至500g/eq。
通式(2)表示的酚樹脂(B)在主鏈內(nèi)具有疏水的亞苯基或疏水的剛性亞聯(lián)苯基結(jié)構(gòu)。因而，包含該樹脂的環(huán)氧樹脂組合物固化產(chǎn)品在高于Tg的高溫范圍內(nèi)具有較低的吸濕系數(shù)和較低的彈性模量，并對(duì)半導(dǎo)體芯片、有機(jī)基底和金屬基底表現(xiàn)出良好的粘附性。該產(chǎn)品還表現(xiàn)出良好的阻燃性，并由于它的低交聯(lián)密度而表現(xiàn)出更高的耐熱性能。
通式(2)表示的酚樹脂(B)的例子包括苯酚聯(lián)苯基芳烷基樹脂和苯酚芳烷基樹脂，但是那些具有式(2)結(jié)構(gòu)的樹脂可不受限地使用。
在本發(fā)明中，通式(2)表示的酚樹脂可與另一個(gè)酚樹脂結(jié)合使用，只要先前酚樹脂的效果不受損害?？梢越Y(jié)合使用的酚樹脂的例子包括苯酚酚醛樹脂，甲酚酚醛樹脂，三苯酚甲烷樹脂，萜烯改性的酚樹脂，二環(huán)戊二烯改性的酚樹脂以及萘酚芳烷基樹脂(包括亞苯基或亞聯(lián)苯基結(jié)構(gòu))?？紤]到固化性，羥基當(dāng)量例如可以是優(yōu)選90g/eq至250g/eq。
通常用于封裝材料的無(wú)機(jī)填料(C)一般包括熔融石英、球形二氧化硅、晶體二氧化硅、氧化鋁、氮化硅和氮化鋁。根據(jù)模具的填充特性，無(wú)機(jī)填料的粒度可以是0.01μm至150μm，包括兩端數(shù)值。
無(wú)機(jī)填料(C)的填充量例如可以是占環(huán)氧樹脂組合物總量的84wt％至90wt％，包括兩端數(shù)值。如果填充量太低，環(huán)氧樹脂組合物固化產(chǎn)品的水吸收就會(huì)增加，導(dǎo)致強(qiáng)度下降并由此導(dǎo)致耐焊性不足。如果填充量太高，則會(huì)損壞流動(dòng)性，導(dǎo)致可成型性受損。
固化促進(jìn)劑(D)可以是能促進(jìn)環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基和酚樹脂中的羥基反應(yīng)的任何化合物，并可以選自作為半導(dǎo)體芯片封裝材料的環(huán)氧樹脂組合物中通常使用的促進(jìn)劑。特定的例子包括含磷化合物，例如有機(jī)膦，四-取代鏻化合物和phosphobetaine化合物；含氮化合物，例如1，8-二氮雜二環(huán)(5，4，0)-十一碳烯-7，芐基二甲基胺和2-甲基咪唑。
有機(jī)膦的例子包括伯膦，例如乙膦和苯膦；仲磷，例如二甲基膦和二苯膦；叔膦，例如三甲基膦、三乙基膦、三丁基膦和三苯基膦。
四-取代鏻化合物可以是通式(3)表示的化合物 在上述通式(3)中，P是磷；R1，R2，R3和R4是取代的或未取代的芳基或烷基；A是芳香有機(jī)酸的陰離子，該芳香有機(jī)酸具有選自下述的官能團(tuán)芳香環(huán)中的羥基、羧基和硫醇基；AH是具有至少一個(gè)選自芳香環(huán)中的羥基、羧基和硫醇基的芳香有機(jī)酸；a和b是1至3之間的整數(shù)；c是0至3之間的整數(shù)，條件是a＝b。
通式(3)表示的化合物可采用下述方法制備。首先，溴化四-取代鏻、芳香有機(jī)酸和堿在有機(jī)溶劑中混合，并在溶液系統(tǒng)中均勻混合來(lái)產(chǎn)生芳香有機(jī)酸陰離子。然后，加入水，可沉淀得到通式(3)表示的化合物。
在通式(3)表示的優(yōu)選的化合物中，與磷相連的R1、R2、R3和R4是苯基；AH是在芳環(huán)上具有羥基的化合物，即酚化合物；A優(yōu)選是酚化合物的陰離子。
phosphobetaine是通式(4)表示的化合物
在上述通式(4)中，X是氫或具有1-3個(gè)碳原子的烷基；Y是氫或羥基；m和n是1-3之間的整數(shù)。
通式(4)表示的化合物可以通過(guò)下述方法制得。首先，碘苯酚和三芳香基取代的膦在有機(jī)溶劑中均勻混合并使用鎳催化劑，產(chǎn)物以碘鹽形式沉淀。碘鹽和堿在有機(jī)溶劑中均勻混合，如果必要的話，加入水來(lái)沉淀通式(4)表示的化合物。
通式(4)表示的化合物可選自，但不限于其中X是氫或甲基，Y是氫或羥基的化合物，這些化合物可以單獨(dú)使用或兩個(gè)或更多聯(lián)合使用。
固化促進(jìn)劑(D)的量可以是環(huán)氧樹脂組合物總量的0.1wt％至1wt％，包括兩端數(shù)值，優(yōu)選包括兩端數(shù)值在內(nèi)的0.1wt％至0.6wt％。如果固化促進(jìn)劑(D)的量太低，則可能達(dá)不到所需水平的固化，而固化促進(jìn)劑的量太高時(shí)，會(huì)損壞流動(dòng)性。
硅烷偶聯(lián)劑(E)可選自環(huán)氧硅烷、氨基硅烷、脲基硅烷和巰基硅烷。但是，不加限制的話，該偶聯(lián)劑可以是能在環(huán)氧樹脂組合物和無(wú)機(jī)填料之間發(fā)生反應(yīng)以改進(jìn)環(huán)氧樹脂組合物與無(wú)機(jī)填料之間界面強(qiáng)度的任意一種偶聯(lián)劑。
包含兩個(gè)和更多羥基基團(tuán)的化合物(F)中的羥基與芳香環(huán)上各相鄰碳原子結(jié)合(后文稱之為“化合物(F)”)，該化合物F能與硅烷偶聯(lián)劑(E)一起通過(guò)協(xié)同效果來(lái)顯著改進(jìn)粘性和流動(dòng)性。硅烷偶聯(lián)劑(E)對(duì)于化合物(F)發(fā)揮充分的效果是必需的。
硅烷偶聯(lián)劑(E)可單獨(dú)使用或兩個(gè)或多個(gè)一起使用。硅烷偶聯(lián)劑(E)的含量可以是環(huán)氧樹脂組合物總量的0.01wt％至1wt％，優(yōu)選0.05wt％至0.8wt％，更優(yōu)選0.1wt％至0.6wt％。如果含量太低，化合物(F)可能無(wú)法充分有效，并且會(huì)損壞半導(dǎo)體封裝件的耐焊性。如果含量太大，環(huán)氧樹脂組合物也會(huì)由于吸水而損壞半導(dǎo)體封裝件的耐焊性。
包含兩個(gè)和更多羥基基團(tuán)的化合物(F)中的羥基與芳香環(huán)上各相鄰碳原子結(jié)合，該化合物(F)包含任意的除了羥基基團(tuán)之外的取代基?；衔?F)是由通式(5)表示的單環(huán)化合物，或由通式(6)表示的多環(huán)化合物。
在上述通式(5)中，R1和R5中的一個(gè)是羥基，當(dāng)一個(gè)是羥基時(shí)另一個(gè)氫、羥基或除了羥基之外的取代基；R2、R3和R4是氫、羥基或除了羥基之外的取代基。
在上述通式(6)中，R1和R7中的一個(gè)是羥基，當(dāng)一個(gè)是羥基時(shí)另一個(gè)氫、羥基或除了羥基之外的取代基；R2、R3、R4、R5和R6是氫、羥基或除了羥基之外的取代基。
由通式(5)表示的單環(huán)化合物的例子包括兒茶酚、焦酚、五倍子酸、五倍子酸酯，和它們的衍生物。由通式(6)表示的多環(huán)化合物包括1，2-二羥基萘，2，3-二羥基萘和它們的衍生物。
尤其是，上述的化合物優(yōu)選具有與芳環(huán)相鄰的兩個(gè)羥基基團(tuán)，來(lái)提高流動(dòng)性和容易控制固化的特性。鑒于捏合過(guò)程中的揮發(fā)性，核心環(huán)可優(yōu)選為萘環(huán)，因?yàn)檩镰h(huán)的揮發(fā)性低且重量穩(wěn)定。
化合物(F)可以是例如含萘的化合物，如1，2-二羥基萘，2，3-二羥基萘和它們的衍生物。這些化合物可在處理環(huán)氧樹脂組合物過(guò)程中用來(lái)進(jìn)一步提高控制性，并降低環(huán)氧樹脂組合物的揮發(fā)性。
化合物(F)可以兩個(gè)或多個(gè)組合使用。
化合物(F)的含量可以是環(huán)氧樹脂組合物總量的0.01wt％至0.5wt％，優(yōu)選0.02wt％至0.3wt％。如果含量太低，可能就無(wú)法獲得與硅烷偶聯(lián)劑(E)通過(guò)協(xié)同效果而產(chǎn)生的預(yù)期的粘性或流動(dòng)特性；如果含量太大，環(huán)氧樹脂組合物的固化就會(huì)被抑制，導(dǎo)致?lián)p壞固化產(chǎn)物的物理特性，從而會(huì)有損樹脂封裝半導(dǎo)體芯片時(shí)的性能。
盡管本發(fā)明的環(huán)氧樹脂組合物包括上述必要組分(A)到(F)，如果需要的話，它還可以包括添加劑，所述的添加劑包括阻燃劑，例如溴化環(huán)氧樹脂和三氧化銻；脫模劑；著色劑例如碳黑；低應(yīng)力添加劑如硅油和硅橡膠；以及合適的無(wú)機(jī)離子交換劑。
本發(fā)明環(huán)氧樹脂組合物可以通過(guò)下述方法制備常溫下，在混合器中均勻混合組分(A)至(F)和其它添加劑，接著使用合適的裝置如熱輥、捏和機(jī)或擠出機(jī)來(lái)熔融捏練，冷卻然后研磨。
為使用本發(fā)明的環(huán)氧樹脂組合物封裝半導(dǎo)體芯片來(lái)制備半導(dǎo)體裝置，可采用合適的成型方法如傳遞模塑法、壓縮模塑法和注射成型法來(lái)使組合物鑄型和固化。
本發(fā)明的環(huán)氧樹脂組合物可適于用來(lái)封裝多種半導(dǎo)體芯片。例如，它能用于作為表面裝配型半導(dǎo)體裝置例如QFP(四列直插式扁平封裝件)和TSOP(薄小外形封裝件)的封裝樹脂。圖1是采用本發(fā)明的環(huán)氧樹脂組合物制得的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖。半導(dǎo)體芯片1通過(guò)固化的沖模粘合材料6被固定在沖模墊2上。金線3連接半導(dǎo)體芯片1與鉛框4。采用封裝樹脂5來(lái)封裝半導(dǎo)體芯片1。
圖1所述半導(dǎo)體裝置的制備可采用合適的方法如傳遞模塑法、壓縮模塑法和注射成型法來(lái)使作為封裝樹脂5的上述環(huán)氧樹脂組合物鑄型和固化，然后封裝半導(dǎo)體芯片1。
由于圖1所示的半導(dǎo)體裝置被含有化合物(F)的封裝樹脂組合物所封裝，該化合物(F)包含兩個(gè)和更多羥基基團(tuán)，所述羥基與芳香環(huán)上各相鄰碳原子所結(jié)合，因而能獲得封裝樹脂組合物的合適粘度和流動(dòng)特性。因此，能穩(wěn)定提供具有良好成型性的半導(dǎo)體裝置。
使用包含通式(1)的環(huán)氧樹脂和通式(2)的酚樹脂的環(huán)氧樹脂組合物來(lái)封裝半導(dǎo)體芯片，則能更穩(wěn)定地提供具有更好的阻燃性和耐焊性的半導(dǎo)體裝置。
參考實(shí)施例對(duì)本發(fā)明展開更明確的描述，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。本發(fā)明的公開中，混合比例以重量份表示。
實(shí)施例1苯酚聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂(Nippon Kayaku Co.，Ltd.，NC3000-P，環(huán)氧當(dāng)量274，通式(1)中的“n”平均為2.8，軟化點(diǎn)58℃)7.35重量份；苯酚聯(lián)苯基芳烷基樹脂(Meiwa Kasei Co.，Ltd.，MEH-7851SS，羥基當(dāng)量203，通式(2)中的“n”平均為2.5，軟化點(diǎn)65℃)5.5重量份；球形熔融石英(平均顆粒尺寸30μm)86.0重量份；γ-縮水甘油丙基-三甲氧硅烷0.4重量份；三苯基膦0.2重量份；2，3-二羥基萘(試劑級(jí))0.05重量份；巴西棕櫚蠟0.2重量份；和碳黑0.3重量份于室溫下在混合器中混合，接著用熱輥在80℃-100℃下熔融捏練，冷卻，然后研磨得到環(huán)氧樹脂組合物。所得的環(huán)氧樹脂組合物進(jìn)行下述測(cè)定。測(cè)定結(jié)果見(jiàn)表1。
螺旋流動(dòng)度環(huán)氧樹脂組合物通過(guò)低壓傳遞模塑機(jī)在175℃的溫度、6.9MPa的成型壓力和壓力保持時(shí)間120秒的條件下使用符合EMMI-1-66的模具來(lái)成型，然后測(cè)定螺旋流動(dòng)度。螺旋流動(dòng)度是流動(dòng)性的參數(shù)。該參數(shù)越大，則流動(dòng)性越好。單位是“cm”。
固化扭矩比使用curastometer(Orientec Inc.，JSR Curastometer TypeIVPS)，從175℃的成型溫度開始加熱后的90和300秒后測(cè)定扭矩，計(jì)算固化扭矩比＝(90秒后的力矩)/(300秒后的力矩)。用curastometer測(cè)定的扭矩是熱硬化的參數(shù)。固化扭矩比越大，則固化性越好。單位是“％”。
耐焊性-回流龜裂使用低壓傳遞模塑機(jī)，使附有6×6×0.3mm Si芯片的14×14×1.4mm的100pQFP框(Cu框)在下述成型條件下成型成型溫度為175℃，注射時(shí)間為10秒，固化時(shí)間為90秒以及注射壓力為9.8MPa。在175℃固化后的8小時(shí)，在85℃和85％濕度的環(huán)境下濕化48小時(shí)，在最高溫度260℃下連續(xù)3次(三次，每次在255℃或更高溫度下10秒鐘)通過(guò)IR回流。然后，使用超聲測(cè)試儀檢測(cè)內(nèi)部的龜裂和分層情況。測(cè)試是根據(jù)10個(gè)封裝件中的芯片的分層數(shù)目和內(nèi)部龜裂數(shù)目。
阻燃性使用低壓傳遞模塑機(jī)，在成型溫度175℃、注射時(shí)間15秒、固化時(shí)間120秒和注射壓力9.8MPa的條件下制備厚度為3.2mm的阻燃用測(cè)試紙，然后按照UL94的規(guī)定來(lái)測(cè)試阻燃性。
實(shí)施例2-13和比較例1-15根據(jù)表1和2所示的混合比率，按照實(shí)施例1所述的方法來(lái)制備和測(cè)定環(huán)氧樹脂組合物。測(cè)定結(jié)果見(jiàn)表1和2。
除了實(shí)施例1中的組分，所用的其它組分如下聯(lián)苯基型環(huán)氧樹脂(Japan Epoxy Resin Inc.，YX4000H，環(huán)氧當(dāng)量195，熔融溫度105℃)；苯酚芳烷基樹脂(Mitsui Chemical Inc.，XLC-LL，羥基當(dāng)量174，通式(2)中的“n”平均為3.6，軟化點(diǎn)79℃)；甲酚酚醛型環(huán)氧樹脂(Nippon Kayaku Co.，Ltd.，EOCN 1020-55，環(huán)氧當(dāng)量198，軟化點(diǎn)55℃)；苯酚酚醛樹脂(羥基當(dāng)量104，軟化點(diǎn)80℃)；γ-巰基丙基三甲氧硅烷；1，8-二氮雜雙環(huán)(5，4，0)十一碳烯-7(此后稱為“DBU”)；通式(7)表示的固化促進(jìn)劑；
通式(8)表示的固化促進(jìn)劑； 1，2-二羥基萘(試劑級(jí))；兒茶酚(試劑級(jí))；焦酚(試劑級(jí))；1，6-二羥基萘(試劑級(jí))；和間苯二酚(試劑級(jí))。
表1

表2

權(quán)利要求
1.一種封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物，包括由通式(1)表示的環(huán)氧樹脂(A)；由通式(2)表示的苯酚樹脂(B)；無(wú)機(jī)填料(C)；固化促進(jìn)劑(D)；硅烷偶聯(lián)劑(E)；和包含兩個(gè)和更多羥基的化合物(F)，所述羥基與芳香環(huán)上各相鄰碳原子結(jié)合，其中，通式(1)為 在上述通式(1)中，R代表氫或具有至多4個(gè)碳原子的烷基；n是平均值在1-10之間的正數(shù)；通式(2)為 在上述通式(2)中，R1代表亞苯基或亞聯(lián)苯基；R2代表具有至多4個(gè)碳原子的烷基；n是平均值在1-10之間的正數(shù)。
2.權(quán)利要求1所述的封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物，其中，所述樹脂組合物包含大于或等于0.01wt％的所述化合物(F)。
3.權(quán)利要求1所述的封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物，其中，所述樹脂組合物中所述硅烷偶聯(lián)劑(E)的含量為0.01wt％至1wt％。
4.權(quán)利要求1所述的封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物，其中，所述化合物(F)包含兩個(gè)羥基，所述羥基與芳香環(huán)上各相鄰碳原子結(jié)合。
5.權(quán)利要求1所述的封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物，其中，所述芳香環(huán)是萘環(huán)。
6.權(quán)利要求5所述的封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物，其中，所述化合物(F)包含兩個(gè)羥基，所述羥基與所述萘環(huán)上各相鄰碳原子結(jié)合。
7.權(quán)利要求1所述的封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物，其中，所述樹脂組合物中所述無(wú)機(jī)填料(C)的含量為84wt％至90wt％。
8.一種半導(dǎo)體裝置，其中，半導(dǎo)體芯片是采用權(quán)利要求1所述的封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物來(lái)進(jìn)行封裝的。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種封裝半導(dǎo)體芯片的環(huán)氧樹脂組合物，該組合物具有良好的流動(dòng)性而不損壞固化性。尤其是，本發(fā)明提供一種封裝半導(dǎo)體芯片的樹脂組合物，它包含下述主要組分含亞聯(lián)苯基結(jié)構(gòu)的苯酚芳烷型環(huán)氧樹脂(A)，含亞苯基或亞聯(lián)苯基結(jié)構(gòu)的苯酚芳烷型樹脂(B)，占環(huán)氧樹脂組合物總量84wt％－90wt％的無(wú)機(jī)填料(C)和固化促進(jìn)劑，該環(huán)氧樹脂組合物還含有占環(huán)氧樹脂組合物總量0.01wt％－1wt％的硅烷偶聯(lián)劑(E)，以及包含兩個(gè)或更多羥基的化合物(F)，所述羥基與芳香環(huán)上各相鄰碳原子結(jié)合，該化合物(F)占環(huán)氧樹脂組合物總量的0.01wt％或更多。
文檔編號(hào)H01L23/29GK1761692SQ20048000766
公開日2006年4月19日 申請(qǐng)日期2004年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月25日
發(fā)明者梅野邦治, 上田茂久 申請(qǐng)人:住友電木株式會(huì)社