專利名稱：具有垂直磁各向異性的FePt磁性薄膜及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請的發(fā)明是關(guān)于具有垂直磁各向異性的FePt磁性薄膜及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年隨著高度信息化社會的發(fā)展，迫切期待開發(fā)能夠處理、存儲大量信息的超高密度磁存儲介質(zhì)。作為磁存儲介質(zhì)所必需的特性，可以列舉磁孤立的微粒子結(jié)構(gòu)、該微粒子可以抵抗熱擾亂、在一個方向上取向等。特別地，為了實(shí)現(xiàn)磁存儲介質(zhì)的高密度化，有必要減少強(qiáng)磁性微粒子的大小。但是，如果使強(qiáng)磁性微粒子的尺寸減小，則由于存在在室溫條件下熱擾亂占據(jù)支配地位的臨界粒徑，所以磁存儲變得不穩(wěn)定。從這個觀點(diǎn)來看，具有巨大的單軸結(jié)晶磁各向異性(Ku＝7.0×107erg/cc)的L10結(jié)構(gòu)FePt結(jié)構(gòu)FePt有序合金，雖然是納米尺寸的超微小粒子也能夠維持強(qiáng)磁性，因此作為下一代的超高密度磁存儲介質(zhì)用材料受到眾多注目。
FePt有序合金，與其高單軸磁各向異性相比，還有作為磁石的用途。FePt與Nd或Sm類等的稀土類磁石相比較，在耐蝕性以及耐氧化性方面都很出色。對于稀土類磁石，為了改善其耐蝕性或耐氧化性而添加元素，而由該添加元素導(dǎo)致磁性劣化。而，由于FePt中沒有必要添加元素，F(xiàn)ePt自身的磁性反映到磁石特性中，所以非常有利。如果實(shí)現(xiàn)如此出色的耐蝕性的薄膜磁石，則可期待應(yīng)用于超小型電磁部件、微機(jī)器用超小型磁石、牙科用配件、向神經(jīng)等局部施加磁場的醫(yī)學(xué)療法或者向體內(nèi)導(dǎo)入微量藥品的藥物送達(dá)系統(tǒng)用的泵等中。
但是，L10結(jié)構(gòu)在室溫中熱力學(xué)上穩(wěn)定，而通過濺射制作的FePt薄膜，由于在其制造過程中經(jīng)過高溫中存在的有序-無序變態(tài)點(diǎn)，所以不能夠變態(tài)為有序結(jié)構(gòu)(有序化)。因此，為了獲得L10有序結(jié)構(gòu)，需要在加熱了的基板上進(jìn)行成膜、或者對成膜后的無序合金薄膜進(jìn)行熱處理等通常超過500℃的高溫處理。但是，現(xiàn)在硬盤裝置中使用著的材料，其對如此的高溫沒有耐受性，高溫處理從實(shí)用的觀點(diǎn)來看成為很大的阻礙。
近年，報告了很多為了降低該處理溫度的合成方法，但這些低溫合成法，產(chǎn)生由于第三元素的添加而導(dǎo)致磁性降低、結(jié)晶取向控制、處理的復(fù)雜化等問題。另外，這些合成法的多數(shù)，主要是以化學(xué)計(jì)量成分Fe50Pt50或者Fe-rich組成進(jìn)行的。(非專利文獻(xiàn)1)另外，最近高橋等成功地在加熱到300℃的基板上通過濺射成膜而低溫合成了具有L10結(jié)構(gòu)的FePt薄膜(非專利文獻(xiàn)2)，但是通過其后的研究，發(fā)現(xiàn)該低溫合成有膜厚依賴性，如膜厚不在100nm以上則難以進(jìn)行有序化。
非專利文獻(xiàn)1M.Watanabe，M.Homma和T.Masumoto，Trans.J.Magn.Magn.Mater.177，1231(1998)非專利文獻(xiàn)2Y.K.Takahashi，M.Ohnuma，和K.Hono，Jpn.J.Appl.Phys.40，L367(2001)專利文獻(xiàn)1特開2003-99920號公報發(fā)明內(nèi)容因此，本申請發(fā)明以消除上述過去技術(shù)的問題，提供在更低溫度下能夠成膜、且具有垂直磁各向異性的新FePt磁薄膜及其制造方法為課題。
本申請發(fā)明，作為解決上述課題的方法，第一，提供一種FePt磁薄膜，其特征在于原子組成以下式表示FexPt100-x(19＜x＜52)。
另外，本申請發(fā)明，第二，提供一種FePt磁性薄膜，其特征在于，以不足100nm的膜厚具有L10結(jié)構(gòu)。
第三，提供一種FePt磁性薄膜，其特征在于，是在單晶基板或者其表面的氧化物基底層上成膜的；第四，提供一種FePt磁性薄膜，其特征在于，是隔著作為基底層的由過渡金屬以及貴金屬中的1種或者2種以上構(gòu)成的薄層而成膜的；第五，提供一種FePt磁性薄膜，其中，薄層為單層或者多層；第六，提供一種FePt磁性薄膜，其中，薄層是由由Fe、Ag、Ni、Co以及Cr中的1種或者2種以上構(gòu)成的層、和由Au、Pt以及Cu中的1種或者2種以上構(gòu)成的層所構(gòu)成的。
然后，本申請發(fā)明，第七，提供一種FePt磁性薄膜的制造方法，其特征在于，在單晶基板、設(shè)有氧化物基底層的基板、或者設(shè)有作為基底層的由過渡金屬以及貴金屬中的1種或者2種以上構(gòu)成的薄層的基板上，在溫度240℃～500℃的范圍內(nèi)進(jìn)行濺射成膜；第八，提供一種FePt磁性薄膜的制造方法，其中，在溫度300℃以下進(jìn)行濺射成膜。
如上所述的本申請的發(fā)明，是基于由發(fā)明人探討的結(jié)果獲得的全新的見解而完成的。即，利用濺射法制作FePt薄膜時，通過將成分從Fe50Pt50(at.％)的化學(xué)計(jì)量成分偏移到Pt-rich側(cè)，能夠低溫合成在膜面垂直方向取向、且結(jié)晶磁各向異性大的FePt有序合金薄膜。
即，在本申請發(fā)明，著眼于低溫中FePt的有序化的成分依賴性，利用濺射法在實(shí)用的基板溫度下能夠成膜廣范圍的成分區(qū)域的FePt薄膜，能夠成膜沒有FePt薄膜的薄膜依賴性的、即便是小于等于10nm的超薄膜也具有L10結(jié)構(gòu)的FePt。進(jìn)一步，通過使與基板外延成長，成功地創(chuàng)制了在膜面垂直方向具有單軸磁各向異性的L10結(jié)構(gòu)FePt薄膜。與過去的低溫制造方法相比較，具有很大的差異，即通過僅使FePt相的成分變化的簡便方法，就能夠在低溫制作被取向控制的L10結(jié)構(gòu)FePt有序合金薄膜。另外，通過這種簡便的方法實(shí)現(xiàn)了非常大的晶體磁各向異性。


圖1是表示實(shí)施方式1的FePt薄膜的X線衍射圖案的圖。
圖2是表示實(shí)施方式2中的磁化曲線的圖。
圖3是表示實(shí)施方式3中的FePt薄膜的a軸和c軸方向的面間隔、c/a(軸比)、有序度S、以及結(jié)晶磁各向異性常數(shù)Ku的成分依賴度的圖。
圖4是表示實(shí)施方式4中Fe38Pt62薄膜的X線衍射圖案的圖。
圖5是表示實(shí)施方式5中FePt薄膜的磁化曲線的圖。
圖6是表示實(shí)施方式6中Fe38Pt62薄膜的X線衍射圖案的圖。
圖7是表示實(shí)施方式7中Fe38Pt62薄膜的磁化曲線的圖。
圖8是表示實(shí)施方式8中Fe38Pt62薄膜的X線衍射圖案的圖。
圖9是表示實(shí)施方式9中X線衍射圖案的圖。
圖10是表示實(shí)施方式9中磁化曲線的圖。
圖11是表示實(shí)施方式10中的Ku與晶格錯配的關(guān)系的圖。
圖12是表示實(shí)施方式11中的磁化的溫度依賴性的圖。
圖13是表示實(shí)施方式11中Fe濃度和居里溫度Tc的關(guān)系的圖。
具體實(shí)施例方式
本申請發(fā)明是具有上述特征的發(fā)明，下面對于其實(shí)施方式進(jìn)行說明。
首先，本申請發(fā)明中的FePt磁性薄膜，需要顯示高單軸磁各向異性的成分區(qū)域。因此，有必要將FePt相的合金成分(原子比)為FexPt100-x且19＜x＜52。
另外，考慮到向超小型電子部件等的工業(yè)應(yīng)用，優(yōu)選膜厚盡可能薄。根據(jù)本申請的發(fā)明，與過去的方法不同，不需要100nm的膜厚，可以在從2nm到100nm的范圍內(nèi)來成膜L10結(jié)構(gòu)的薄膜。
為了向在基板上成膜的FePt薄膜付與磁各向異性，有必要控制結(jié)晶方向，但這通過選擇單晶基板而容易地變?yōu)榭赡堋榱耸勾呕菀纵S垂直地取向，作為優(yōu)選的單晶基板可以列舉除了MgO(001)之外的NaCl(001)、GaAs(001)等。另外，在使用單晶以外的玻璃基板等各種材料時，通過在這些基板的表面上配設(shè)MgO或者ZnO等氧化物的基底層，取向控制變得容易。
在本申請的發(fā)明中，在FePt薄膜成膜之際，選擇基板、以及在其表面上配設(shè)的氧化物和其他物質(zhì)構(gòu)成的基底層很重要。
關(guān)于對于能夠獲得有序相的FePt相的基板和基底層的選擇，也考慮了FePt相的取向控制以及有序化的促進(jìn)的觀點(diǎn)。在本申請的發(fā)明中，從該觀點(diǎn)，也考慮在基板(優(yōu)選單晶基板或者具有氧化物基底層的基板)上，隔著作為基底層的由過渡金屬以及貴金屬中的1種或者2種以上構(gòu)成的薄層來成膜FePt磁性薄層。
此時的薄層可以是單層或者多層，但作為優(yōu)選的方式考慮薄層由Fe、Ag、Ni、Co以及Cr中的1種或者2種以上構(gòu)成的層(該層可被稱為籽晶層)、和Au、Pt以及Cu中的1種或者2種以上構(gòu)成的層(可以被稱為緩沖層)構(gòu)成。優(yōu)選關(guān)于籽晶層，其膜厚為0.2～2nm，關(guān)于緩沖層，其膜厚為5～50nm。
關(guān)于這些過渡金屬和貴金屬的基底層，通過選擇與FePt層晶格錯配較大的基底層，在富Pt側(cè)成分區(qū)域，能夠獲得更高的有序性及更大的垂直磁各向異性。另外，通過選擇的基底層能夠進(jìn)行各向異性的控制。
當(dāng)然，并不是一定需要如上的基底層配設(shè)。通過從FePt相的有序化的觀點(diǎn)來設(shè)定成分和成膜條件，能夠進(jìn)行FePt薄膜的取向控制。例如，如后述的實(shí)施方式所示的，即便不用籽晶層和緩沖層這些基底層，MgO(001)單晶基板上的FePt層被取向控制，在富Fe側(cè)成分區(qū)域在240～500℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行有序化。為此時的取向控制，考慮例如優(yōu)選使Ar(氬)氣壓在3mTorr～40mTorr的范圍進(jìn)行濺射成膜。
本申請發(fā)明的FePt磁性薄膜，與過去相比，在較低的溫度下通過濺射法而制造，但在FePt成膜時，為了實(shí)現(xiàn)有序相以及大的單軸磁各向異性，需要某種程度的基板溫度。另一方面，從實(shí)用的觀點(diǎn)，需要處理溫度為低溫。為此需要在基板溫度為240～500℃的范圍進(jìn)行成膜，但能夠在小于等于300℃下低溫合成是本申請發(fā)明的最大特征。
另外，在把具有高保磁力的材料應(yīng)用于存儲介質(zhì)中時，對于信息的寫入(磁化的反轉(zhuǎn))需要高磁場。因此，建議熱輔助型磁存儲方式。通過利用激光等對存儲介質(zhì)進(jìn)行局部加熱，使磁性體的溫度上升到居里溫度附近，部分消除磁化(信息)。此時，通過從外部施加磁場，能夠在冷卻后在其磁場朝向上進(jìn)行磁化。考慮這種信息存儲方式的動向時，控制居里溫度在應(yīng)用于熱輔助方式的磁存儲等之際很重要。因此，本申請發(fā)明的FePt薄膜的特征就得到了利用。即，在富Pt側(cè)成分區(qū)域中，能夠低溫合成具有比大容量值低的居里溫度Tc的FePt有序合金薄膜。另外，通過調(diào)整成分，能夠任意地控制Tc。
因此，下面提示實(shí)施方式，進(jìn)一步詳細(xì)地進(jìn)行說明。當(dāng)然，本發(fā)明并不受以下實(shí)施方式的限定。
<實(shí)施方式1>
利用到達(dá)真空度1×10-9Torr以下的UHV對應(yīng)磁控濺射裝置，在MgO(001)單晶基板上以Ar氣壓1mTorr在室溫下成膜1nm的Fe籽晶層、40nm的Pt緩沖層，其后在基板溫度300℃、Ar氣壓5mTorr的條件下以18nm的膜厚進(jìn)行濺射成膜。圖1是表示得到的FePt薄膜的X線衍射圖案的圖。FeXPt100-X相為X＝68(a)，62(b)，52(c)，45(d)，38(e)，34(f)，30(g)，19(h)的成分。從僅僅能夠觀測(00n)的衍射峰值，可知在MgO(001)基板上FePt層具有MgO(001)//FePt(001)的方位關(guān)系而成長。觀測在所有的成分的FePt薄膜中，能夠觀測到FePt相的基本反射線(002)以及(004)衍射峰值、和緩沖層的Pt(002)和(004)衍射峰值?？梢源_認(rèn)x＜45的FePt薄膜中，能夠觀測FePt的超晶格反射線(001)以及(003)衍射峰值，能夠獲得L10結(jié)構(gòu)的FePt有序合金?？芍獂＝38的FePt薄膜中超晶格反射線的積分強(qiáng)度變?yōu)樽畲?，有序化最為良好地進(jìn)行。可知化學(xué)計(jì)量成分的Fe50Pt50薄膜中觀測不到超晶格反射線，在化學(xué)計(jì)量成分的FePt薄膜中300℃的基板溫度對于進(jìn)行有序化來說是較低的溫度。但是可知通過將FePt薄膜的成分向Pt-rich側(cè)偏移，可進(jìn)行有序化，即便在300℃的基板溫度也能得到L10有序結(jié)構(gòu)。可以明確，在低溫下在19＜x＜52的成分區(qū)域進(jìn)行FePt的有序化。
<實(shí)施方式2>
與實(shí)施方式1相同，在MgO(001)單晶基板上室溫下成膜1nm的Fe籽晶層、40nm的Pt緩沖層，其后在基板溫度300℃以18nm的膜厚進(jìn)行成膜FePt層。圖2是表示試樣的膜面內(nèi)方向以及膜面垂直方向上測定得磁化曲線的圖。FeXPt100-X相為X＝52(a)，45(b)，38(c)，34(d)，30(e)，19(f)的成分?？芍?，x＝52的FePt薄膜的膜面內(nèi)方向?yàn)榇呕菀纵S，但隨著使x減少，磁化容易軸向膜面垂直方向變化。從由x＝38的FePt薄膜的膜面內(nèi)方向和膜面垂直方向的磁化曲線所包圍的區(qū)域計(jì)算出的結(jié)晶磁各向異性常數(shù)Ku，為1.8×107erg/cc，是非常大的值?？梢悦鞔_，在19＜x＜52的成分區(qū)域能夠合成在膜面垂直方向上具有單軸磁各向異性的FePt薄膜。
<實(shí)施方式3>
圖3示出了，與實(shí)施方式1相同在MgO(001)單晶基板上在室溫下成膜1nm的Fe籽晶層、40nm的Pt緩沖層，其后在基板溫度300℃條件下以18nm的膜厚成膜的FexPt100-x相的a軸和c軸方向的面間隔、該c軸和a軸的軸比c/a、有序度S、以及結(jié)晶磁各向異性常數(shù)Ku的成分依賴性。通過使x增加到38，單調(diào)地減少c面的面間隔，其后在38≤x≤68的范圍內(nèi)保持一定的值。另一方面，a面的面間隔在38≤x的范圍取一定值，在x≥38減少。從c/a可以評價結(jié)晶晶格的歪斜程度。c/a的值在x＝38顯示最小值0.955，可知此時S、Ku都為極大值。
<實(shí)施方式4>
圖4中示出與實(shí)施方式1相同，在MgO(001)單晶基板上室溫下成膜1nm的Fe籽晶層、40nm的多種金屬、合金的緩沖層，其后在基板溫度300℃以18nm的膜厚成膜的Fe3aPt62薄膜的X線衍射圖案。緩沖層選擇了Au、AuPt以及Pt?？芍幢闶褂萌我痪彌_層，都能夠明了地觀測看不到來自另一面的衍射線的FePt相的超晶格反射線(001)以及(003)衍射峰值。由此，可以明確，通過選擇與FePt的晶格錯配小的緩沖層，能夠低溫合成具有L10結(jié)構(gòu)的FePt有序合金薄膜。
<實(shí)施方式5>
圖5中示出與實(shí)施方式1相同，在MgO(001)單晶基板上室溫下成膜1nm的Fe籽晶層、40nm的緩沖層，其后在基板溫度300℃以18nm的膜厚進(jìn)行成膜FePt薄膜的磁化曲線。緩沖層選擇了Au、AuPt以及Pt。FexPt100-x的成分為x＝38或者52?？芍谑褂萌我痪彌_層的情況下，F(xiàn)e38Pt62薄膜的磁化容易軸為膜面垂直方向，從磁化曲線計(jì)算出的結(jié)晶磁各向異性常數(shù)，是比Fe52Pt48的大的值。另外，可知選擇與FePt的晶格錯配比Pt還大的Au作為緩沖層時，通過來自基底層的歪斜的影響，比使用Pt的緩沖層時，具有較大的結(jié)晶磁各向異性。由此可知，通過緩沖層的選擇能夠控制各向異性。
<實(shí)施方式6>
圖6中示出與實(shí)施方式1相同，在MgO(001)單晶基板上室溫下成膜1nm的Fe籽晶層、40nm的Pt緩沖層，其后在基板溫度300℃使膜厚變化而成膜的Fe38Pt62薄膜的X線衍射圖案。FePt層的膜厚t從9nm到54nm進(jìn)行變化。在任一膜厚都能觀測FePt相的超晶格反射線(001)以及(003)衍射峰值，所以能夠得到具有L10結(jié)構(gòu)的FePt有序合金薄膜。由通過膜厚的增加而使起因于L10有序結(jié)構(gòu)的峰值強(qiáng)度增加，可以認(rèn)為能夠得到有序度更高的FePt薄膜。
<實(shí)施方式7>
圖7中示出與實(shí)施方式1相同，在MgO(001)單晶基板上室溫下成膜1nm的Fe籽晶層、40nm的Pt緩沖層，其后在基板溫度300℃使膜厚變化而成膜的Fe38Pt62薄膜的磁化曲線。FePt層的膜厚t從9nm到54nm進(jìn)行變化。在任一FePt層的膜厚都能確認(rèn)磁化容易軸為膜面垂直方向，具有單軸磁各向異性。另外，從通過膜厚的增加而困難軸方向(此時為膜面內(nèi)方向)的磁化飽和性變差，可以認(rèn)為結(jié)晶磁各向異性增加。
<實(shí)施方式8>
圖8中示出與實(shí)施方式1相同，在MgO(001)單晶基板上室溫下成膜1nm的Fe籽晶層、40nm的Au緩沖層，其后在基板溫度300℃以18nm的膜厚而成膜的Fe38Pt62薄膜的X線衍射圖案。能夠從基板溫度240℃的Fe38Pt62薄膜的X線衍射圖案，觀測FePt相的超晶格反射線(001)以及(003)衍射峰值。由此，可以明確，在成膜時的基板溫度為240℃以上的條件下進(jìn)行有序化。
<實(shí)施方式9>
對MgO(001)單晶基板，在以Ar氣壓5mTorr、溫度300℃的條件下，利用UHV對應(yīng)磁控濺射裝置，直接以18nm的膜厚成膜FePt薄膜。
圖9是表示該薄膜的X線衍射圖案的圖。在FeXPt100-X中，表示x＝52(化學(xué)計(jì)量成分)、x＝38(非化學(xué)計(jì)量成分)的薄膜。
從由在MgO(001)基板上成膜的FePt薄膜的結(jié)果，僅僅能夠觀測(00n)的衍射峰值，可知試樣薄膜(001)取向。在化學(xué)計(jì)量成分附近的Fe52Pt48薄膜中，無法觀測明了的FePt(001)以及(003)超晶格反射線，沒有進(jìn)行有序化。但是，可確認(rèn)在富Pt側(cè)的成分區(qū)域的Fe38Pt62薄膜中，能夠觀測到明確的超晶格反射線，可以確認(rèn)L10有序結(jié)構(gòu)被形成。
另外圖10是表示實(shí)線為在膜面垂直方向上測定的磁化曲線、虛線為表示膜面面內(nèi)方向上測定的結(jié)果的圖。在Fe52Pt48薄膜，沒有向膜面垂直方向的垂直磁各向異性，但在富Pt側(cè)的成分的Fe38Pt62薄膜，具有Ku＝2.7×107erg/cc的較大的垂直磁各向異性。
例如從以上的結(jié)果，可知即便不使用籽晶層以及緩沖層，通過在MgO(001)單晶基板上進(jìn)行FePt層的取向控制，在FexPt100-x(in at.％)19＜x＜52的富Pt側(cè)成分區(qū)域，在240～500℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行有序化。另外，也確認(rèn)為了此時進(jìn)行取向控制，優(yōu)選成膜的Ar氣壓為從3mTorr到40mTorr。
<實(shí)施方式10>
與實(shí)施方式1相同，制作具有各種基底層的FePt薄膜。對于這些薄膜，探討晶格錯配的影響。圖11是表示其結(jié)果的圖，可知在富Pt側(cè)的成分區(qū)域的Fe38Pt62薄膜，通過利用晶格錯配大的基底層，獲得更大的單軸磁各向異性能量；另一方面，在化學(xué)計(jì)量成分附近的Fe52Pt48薄膜中，存在為得到垂直磁各向異性的最優(yōu)的與基底層的晶格錯配。
<實(shí)施方式11>
對MgO(001)單晶基板，在以Ar氣壓5mTorr、溫度300℃的條件下，利用UHV-磁控濺射裝置，成膜Fe籽晶層(1nm)、Pt緩沖層(40nm)以及FePt薄膜(18nm)。此時的成分，作為以下的6種類，評價其各自情況的磁化的溫度依賴性。
FexPt100-x＝30，34，38，45，52，62圖12是表示使用該P(yáng)t緩沖層的低溫合成FePt薄膜中的磁化的溫度依賴性的圖。具有高有序度以及大單軸磁各向異性的Fe38Pt62薄膜的Tc為320℃。這是與在化學(xué)計(jì)量成分的大容量試樣種所報告的Tc＝480℃(Phys.Z.，36(1935)544)相比還低的值。由此，可知在富Pt側(cè)的成分區(qū)域，能夠在低溫合成具有高有序度、高磁各向異性、以及比大容量值還低的居里溫度的FePt有序合金薄膜。
另外，圖13是表示依賴于使用了Pt緩沖層的低溫合成FePt薄膜的Fe濃度x(at.％)的居里溫度Tc的變化的圖。從X線衍射圖案被認(rèn)為是無序結(jié)構(gòu)的x＝62的試樣中，Tc的值與無序相的文獻(xiàn)值(ASM，International，USA，(1995)，p-371)一致?？芍诨瘜W(xué)計(jì)量成分附近的x＝52，獲取有序相的Tc和無序相的Tc的中間值，沒有充分地進(jìn)行有序化。在x＝38，能夠得到與有序相的文獻(xiàn)值基本一致的Tc值。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性正如以上詳細(xì)說明的，根據(jù)本申請發(fā)明，通過簡便的處理、加上低溫的處理，提供具有大的單軸磁各向異性的FePt薄膜。對于作為磁存儲介質(zhì)的薄膜，提供了比過去更加有利的技術(shù)。
信息存儲設(shè)備中硬盤裝置特別重要，已經(jīng)存在期待大容量磁存儲介質(zhì)的市場，本申請的發(fā)明會成為對于該市場貢獻(xiàn)巨大的發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種FePt磁性薄膜，其特征在于，原子成分表示為下式FexPt100-x其中，19＜x＜52。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FePt磁性薄膜，其特征在于，以不足100nm的膜厚具有L10結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的FePt磁性薄膜，其特征在于，是在單晶基板或者其表面的氧化物基底層之上成膜的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的FePt磁性薄膜，其特征在于，是隔著作為基底層的由過渡金屬以及貴金屬中的1種或者2種以上構(gòu)成的薄層而成膜的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的FePt磁性薄膜，其中，薄層為單層或者多層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的FePt磁性薄膜，其中，薄層是由由Fe、Ag、Ni、Co以及Cr中的1種或者2種以上構(gòu)成的層、和由Au、Pt以及Cu中的1種或者2種以上構(gòu)成的層所構(gòu)成的。
7.一種FePt磁性薄膜的制造方法，是權(quán)利要求1至6的任一項(xiàng)所述的FePt磁性薄膜的制造方法，其特征在于，在單晶基板、設(shè)有氧化物基底層的基板、或者設(shè)有作為基底層的由過渡金屬以及貴金屬中的1種或者2種以上構(gòu)成的薄層的基板上，在溫度240℃～500℃的范圍內(nèi)進(jìn)行濺射成膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的FePt磁性薄膜的制造方法，其中，在小于等于300℃的溫度下進(jìn)行濺射成膜。
全文摘要
提供一種新的FePt磁性薄膜及其制造方法，該FePt磁性薄膜的原子組成表示為Fe
文檔編號H01F41/18GK1768401SQ200480008379
公開日2006年5月3日 申請日期2004年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月27日
發(fā)明者關(guān)剛斎, 島敏之, 高梨弘毅, 寶野和博 申請人:獨(dú)立行政法人物質(zhì)·材料研究機(jī)構(gòu)