專利名稱：場效應(yīng)晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及場效應(yīng)晶體管，具體而言，涉及一種其中介電擊穿被抑制的場效應(yīng)晶體管。
背景技術(shù)：
在結(jié)型場效應(yīng)晶體管中，反偏壓從柵極電極施加到設(shè)置在溝道區(qū)的側(cè)面上的pn結(jié)，載流子通過所述溝道區(qū)，這樣從pn結(jié)延伸的耗盡層擴展到pn溝道區(qū)。這樣，溝道區(qū)的導(dǎo)電性受到控制，并且執(zhí)行切換操作。
在這樣的結(jié)型場效應(yīng)晶體管中，有一種側(cè)向場效應(yīng)管，其中溝道區(qū)中的載流子平行于所述裝置的表面移動。此處，作為典型的側(cè)向場效應(yīng)管，日本專利公開出版物No.2003-68762中描述了一種側(cè)向場效應(yīng)管。
如圖11中所示，在SiC單晶襯底101上，形成p-型半導(dǎo)體層102。在p-型半導(dǎo)體層102上，形成n型半導(dǎo)體層103。在n型半導(dǎo)體層103上，形成p型半導(dǎo)體層110。
在p型半導(dǎo)體層110中，n+型源極區(qū)域?qū)?04、p+型柵極區(qū)域?qū)?06以及n+型漏極區(qū)域?qū)?05彼此以指定的距離分開形成。
在n+型源極區(qū)域?qū)?04、p+型柵極區(qū)域?qū)?06以及n+型漏極區(qū)域?qū)?05上，分別形成源極電極107、柵極電極109和漏極電極108。
另一方面，上述的傳統(tǒng)的側(cè)向場效應(yīng)晶體管涉及下述問題。在場效應(yīng)晶體管關(guān)閉的狀態(tài)下，當正電壓通過漏極電極108施加到漏極區(qū)域?qū)?05時，如圖11所示，耗盡層121在漏極區(qū)域?qū)?05和柵極區(qū)域?qū)?06之間延伸，以及從p-型半導(dǎo)體層102和安置緊鄰在漏極區(qū)域?qū)?05之下的n型半導(dǎo)體層103朝向SiC單晶襯底101和p-型半導(dǎo)體層102之間的界面延伸。
此處，如圖11所示，在SiC單晶襯底101和p-型半導(dǎo)體層102之間的界面上出現(xiàn)相對較大數(shù)目的晶體缺陷120。因此，在此部分中的介電擊穿電壓低于與包含許多晶體曲線的區(qū)域所完全分開的區(qū)域中的介電擊穿電壓。
結(jié)果，出現(xiàn)下面的問題在耗盡層121的邊沿達到靠近SiC單晶襯底101時，很容易發(fā)生介電擊穿。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題而作出的，并且其目的是提供一種其中介電擊穿被抑制的場效應(yīng)晶體管。
根據(jù)本發(fā)明的場效應(yīng)晶體管，包括具有主表面的半導(dǎo)體襯底；第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層；第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層；一對源極和漏極區(qū)域?qū)樱灰约皷艠O區(qū)域?qū)?。第一?dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層被形成在半導(dǎo)體襯底的主表面上。第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層被形成在第一半導(dǎo)體層上。第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層被形成在第二半導(dǎo)體層上。一對源極和漏極區(qū)域?qū)颖灰灶A(yù)定的距離彼此分開地形成在第三半導(dǎo)體層內(nèi)。柵極區(qū)域?qū)颖恍纬稍谒鲆粚υ礃O和漏極區(qū)域?qū)又g的第三半導(dǎo)體層的區(qū)域的一部分上。第一半導(dǎo)體層包括緩沖層，其形成在第三半導(dǎo)體層被安置的區(qū)域的一部分上，并具有第一雜質(zhì)濃度；以及電場馳豫層，其形成在緩沖層和半導(dǎo)體襯底之間的區(qū)域上，以接觸半導(dǎo)體襯底并具有高于第一雜質(zhì)層的第二雜質(zhì)濃度。
使用此結(jié)構(gòu)，在場效應(yīng)管關(guān)閉的狀態(tài)下，當正電壓施加到漏極區(qū)域?qū)由蠒r，耗盡層在漏極區(qū)域?qū)雍蜄艠O區(qū)域?qū)又g延伸，以及在緩沖層和從緊鄰漏極區(qū)域?qū)又鲁虬雽?dǎo)體襯底安置的第二半導(dǎo)體層之間的界面延伸。此處，由于電場馳豫層被形成以接觸半導(dǎo)體襯底的表面，所以在半導(dǎo)體襯底和電場馳豫層之間的界面上以相對較大的數(shù)目出現(xiàn)的晶體缺陷被安置在電場馳豫層中。由于電場馳豫層的第二雜質(zhì)濃度被設(shè)置高于緩沖層的第一雜質(zhì)濃度，所以耗盡層朝向半導(dǎo)體襯底的延伸被電場馳豫層所抑制。這樣，耗盡層的邊沿沒有到達靠近半導(dǎo)體襯底和包含相對較大數(shù)目的晶體缺陷的電場馳豫層之間的界面，結(jié)果，可以防止介電擊穿。
為了將電場馳豫層和半導(dǎo)體襯底之間的界面上的場強設(shè)置小于緩沖層發(fā)生介電擊穿的場強，優(yōu)選地，電場馳豫層的第二雜質(zhì)濃度被設(shè)置為緩沖層的第一雜質(zhì)濃度的5倍。
為了盡可能薄地形成電場馳豫層以提高生產(chǎn)率，并為了保證抑制耗盡層的延伸的功能，優(yōu)選地，電場馳豫層的第二雜質(zhì)濃度被設(shè)置為緩沖層的第一雜質(zhì)濃度的至少10倍。
此外，為了保持耗盡層的寬度來維持介電強度，優(yōu)選地，電場馳豫層的厚度被盡可能地薄，電場馳豫層的厚度與緩沖層的厚度的比值最大被設(shè)置為第二雜質(zhì)濃度與第一雜質(zhì)濃度的比值的倒數(shù)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的結(jié)型場效應(yīng)晶體管的橫截面視圖；圖2是表示根據(jù)實施例的圖1中所示的場效應(yīng)晶體管的制造方法的一個步驟的橫截面視圖；圖3是表示根據(jù)實施例的圖2的步驟之后將要進行的步驟的橫截面視圖；圖4是表示根據(jù)實施例的圖3的步驟之后將要進行的步驟的橫截面視圖；圖5是表示根據(jù)實施例的圖4的步驟之后將要進行的步驟的橫截面視圖；圖6是表示根據(jù)實施例的圖5的步驟之后將要進行的步驟的橫截面視圖；圖7是表示根據(jù)實施例的圖6的步驟之后將要進行的步驟的橫截面視圖；圖8是表示根據(jù)實施例的圖7的步驟之后將要進行的步驟的橫截面視圖；圖9是表示根據(jù)實施例的用于描述場效應(yīng)晶體管的效果的耗盡層的橫截面視圖；圖10是表示根據(jù)實施例的用于描述場效應(yīng)晶體管的效果的場強輪廓的說明圖；圖11是顯示傳統(tǒng)的場效應(yīng)晶體管的橫截面視圖。
具體實施例方式
在下述中，將描述根據(jù)本發(fā)明的實施例的結(jié)型場效應(yīng)晶體管。
如圖1所示，在SiC單晶襯底1上，形成電場馳豫層12和作為第一半導(dǎo)體層的p-型緩沖層2。具體地，形成電場馳豫層12在p-型緩沖層2和SiC單晶襯底1之間，以接觸SiC單晶襯底1。
在p-型緩沖層2上，形成作為第二半導(dǎo)體層的n型半導(dǎo)體層3。在n型半導(dǎo)體層3上，形成作為第三半導(dǎo)體層的p型半導(dǎo)體層10。
在p型半導(dǎo)體層10內(nèi)，n+型源極區(qū)域?qū)?和n+型漏極區(qū)域?qū)?以彼此預(yù)定的距離分開形成。在n+型源極區(qū)域?qū)?和n+型漏極區(qū)域?qū)?之間的p型半導(dǎo)體層10的區(qū)域的一部分上，形成p+型柵極區(qū)域?qū)?。
在n+型源極區(qū)域?qū)?上，分別形成p+型柵極區(qū)域?qū)?和n+型漏極區(qū)域?qū)?、源極電極7、柵極電極9和漏極電極8。
接著，將描述上述的場效應(yīng)晶體管的制造方法的一個示例。首先，如圖2所示，制備具有主表面的SiC單晶襯底1。注意SiC單晶襯底1的導(dǎo)電類型沒有限定。
接著，如圖3所示，電場馳豫層12在大約1500℃的溫度下通過CVD(化學(xué)氣相沉積)形成在SiC單晶襯底1上。此處，將甲硅烷(SiH4)和丙烷(C3H8)用作材料氣體，將乙硼烷(B2H6)用作雜質(zhì)摻雜氣體，以及將氫氣(H2)用作載氣。
接著，如圖4所示，將p-型緩沖層2使用相似的氣體通過CVD形成在電場馳豫層12上。在這種情況下，使用所述氣體，其流速與在形成電場馳豫層12中的那些氣體的流速不同。
接著，如圖5所示，將n型半導(dǎo)體層3在大約1500℃的溫度下通過CVD形成在p型緩沖層2上。此處，將甲硅烷(SiH4)和丙烷(C3H8)用作材料氣體，將氮氣(N2)用作雜質(zhì)摻雜氣體，以及將氫氣(H2)用作載氣。
此后，將p型半導(dǎo)體層10在大約1500℃的溫度下通過CVD進一步形成在n型半導(dǎo)體層3上。此處，將甲硅烷(SiH4)和丙烷(C3H8)用作材料氣體，將乙硼烷(B2H6)用作雜質(zhì)摻雜氣體，以及將氫氣(H2)用作載氣。
接著，在p型半導(dǎo)體層10上，形成預(yù)定的抗蝕圖案(未示出)。使用抗蝕圖案作為掩模，通過在300℃的溫度下通過離子注入而注入磷(P)，n+型源極區(qū)域?qū)?和n+型漏極區(qū)域?qū)?彼此以預(yù)定的距離分開形成，如圖6所示。此后，去除抗蝕圖案。
接著，在p型半導(dǎo)體層10上，形成預(yù)定的抗蝕圖案(未示出)。使用抗蝕圖案作為掩模，通過在300℃的溫度下通過離子注入而注入鋁(Al)，將p+型柵極區(qū)域?qū)?形成在n+型源極區(qū)域?qū)?和n+型漏極區(qū)域?qū)?之間的區(qū)域上，如圖7所示。此后，去除抗蝕圖案。
接著，在p型半導(dǎo)體層10上形成指定的導(dǎo)電層(未示出)，以覆蓋n+型源極區(qū)域?qū)?、p+型柵極區(qū)域?qū)?和n+型漏極區(qū)域?qū)?。
通過提供預(yù)定的光刻工藝，并加工至導(dǎo)電層，源極電極7、柵極電極9和漏極電極8被分別形成在n+型源極區(qū)域?qū)?、p+型柵極區(qū)域?qū)?和n+型漏極區(qū)域?qū)?上，如圖8所示。這樣完成如圖1所示的場效應(yīng)晶體管。
在上述的場效應(yīng)晶體管中，介電擊穿被特別地抑制，原因在于將電場馳豫層12形成在p-型緩沖層2和SiC單晶襯底1之間，以接觸SiC單晶襯底1。這進一步在下面進行說明。
在場效應(yīng)管關(guān)閉的狀態(tài)下，當正電壓通過漏極電極8被施加到漏極區(qū)域?qū)?時，如圖9所示，耗盡層21在n+型漏極區(qū)域?qū)?和p+型柵極區(qū)域?qū)?之間延伸，以及從在p-型緩沖層2和緊鄰安置在漏極區(qū)域?qū)?之下的n型半導(dǎo)體層3之間的界面朝向SiC單晶襯底1延伸。
如圖9所示，在此場效應(yīng)晶體管中，由于形成電場馳豫層12，以接觸SiC單晶襯底1的表面，所以在SiC單晶襯底1和電場馳豫層12之間的界面上以相對較大的數(shù)目存在的晶體缺陷被安置在電場馳豫層12中。
電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度被設(shè)置高于p-型緩沖層2的雜質(zhì)濃度。相應(yīng)地，耗盡層朝向SiC單晶襯底1的延伸受到電場馳豫層12的抑制。
這樣，耗盡層21的邊沿沒有到達靠近SiC單晶襯底1和包含相對較大數(shù)目的晶體缺陷的電場馳豫層12之間的界面，并可以防止介電擊穿。
這將進行詳細說明。圖10是顯示深度方向上的場效應(yīng)晶體管的電場馳豫層12和p型緩沖層2的場強的視圖。
在如圖10所示的場效應(yīng)晶體管中，當電場馳豫層12的厚度L1是0.5μm時，雜質(zhì)濃度(第二雜質(zhì)濃度)C1是1×1017/cm3，p-型緩沖層2的厚度L2是5.0μm，雜質(zhì)濃度(第一雜質(zhì)濃度)C2是1×1016/cm3，600V電壓被施加到漏極區(qū)域?qū)?，朝向n型半導(dǎo)體層3的p-型緩沖層2的表面(A)上的場強是大約1.6×106V/cm。
電場馳豫層12和p-型緩沖層2之間的界面上的場強是大約0.7×106V/cm。此外，場強在離開電場馳豫層12和p-型緩沖層2之間的界面大約0.35μm(距離D)的電場馳豫層12中的位置處基本上為0。
當只有電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度C1在上述的條件之中改變時，即在電場馳豫層12的厚度L1是0.5μm、p-型緩沖層2的厚度L2是5.0μm，以及雜質(zhì)濃度C2是1×1016/cm3而改變雜質(zhì)濃度C1的狀態(tài)下，當將600V電壓施加到漏極區(qū)域?qū)?2時，在電場馳豫層12和SiC單晶襯底1之間的界面上的場強如下。
首先，當電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度C1與p-型緩沖層2的雜質(zhì)濃度C2(1×1016/cm3)相同時，場強是大約0.6×106V/cm。接著，當電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度C1為p-型緩沖層2的雜質(zhì)濃度C2的4倍(4×1016/cm3)時，場強是大約0.3×106V/cm。
接著，當電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度C1為p-型緩沖層2的雜質(zhì)濃度C2的5倍(5×1016/cm3)時，場強是大約0.2×106V/cm。當電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度C1為p-型緩沖層2的雜質(zhì)濃度C2的7倍(7×1016/cm3)時，場強基本上是0V/cm。這樣，隨著電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度C1相對p-型緩沖層2的雜質(zhì)濃度C2增加，在電場馳豫層12和SiC單晶襯底1之間的界面上的場強減小。
當電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度C1為p-型緩沖層2的雜質(zhì)濃度C2的10倍(1×1017/cm3)時，如上所述，場強在從電場馳豫層12和p-型緩沖層2之間的界面離開大約0.35μm(距離D)的位置處基本上是0。
另一方面，在沒有電場馳豫層12且大約5.5μm厚度的p-型緩沖層直接形成在SiC單晶襯底1上的場效應(yīng)晶體管(比較例)中，在p-型緩沖層和SiC單晶襯底1之間的界面上的場強是0.6×106V/cm。
p-型緩沖層2發(fā)生介電擊穿時的場強是大約3.0×106V/cm。優(yōu)選地，在電場馳豫層12和SiC單晶襯底1之間的界面上的場強為該場強的1/10。進一步優(yōu)選地，電場馳豫層12中的場強基本上是0。換言之，進一步優(yōu)選在安置靠近SiC單晶襯底1之間的界面的電場馳豫層12的部分處的場強和安置完全從界面離開的電場馳豫層12的部分處的場強基本上是0。
優(yōu)選地，從相對于如上所述的電場馳豫層12和SiC單晶襯底1之間的界面上的場強的關(guān)系，將電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度C1設(shè)置為p型緩沖層2的雜質(zhì)濃度C2的5倍，更優(yōu)選為10倍，以使電場馳豫層12和SiC單晶襯底1之間的界面上的場強為p-型緩沖層2發(fā)生介電擊穿的場強的1/10(大約3.0×106V/cm)。
根據(jù)實驗，發(fā)現(xiàn)在其中電場馳豫層12的厚度L1是0.5μm、p-型緩沖層2的厚度L2是5.0μm，以及雜質(zhì)濃度C2是1×1016/cm3的結(jié)型場效應(yīng)晶體管中，當將電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度C1設(shè)置與p-型緩沖層2的雜質(zhì)濃度C2(1×1016/cm3)相同時，漏極和源極之間的介電強度電壓是大約400V。
相比較而言，發(fā)現(xiàn)在將電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度C1設(shè)置為p-型緩沖層2的雜質(zhì)濃度C2的10倍(1×1017/cm3)時，漏極和源極之間的介電強度電壓為大約720V。這樣，發(fā)現(xiàn)介電強度電壓得到極大的提高。
當將硼用作形成電場馳豫層12中的雜質(zhì)時，如果雜質(zhì)濃度超過大約1×1019/cm3(固體溶解度限制)時，將產(chǎn)生極大量的晶體缺陷。相應(yīng)地，不優(yōu)選超過此值設(shè)置電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度。
如上所述，在與比較例的場效應(yīng)晶體管進行比較的本發(fā)明的場效應(yīng)晶體管中，耗盡層的延伸通過提供電場馳豫層12而受到抑制，基本上為零的場強可以在電場馳豫層12中所獲得。
這樣，可以抑抑制場強在靠近SiC單晶襯底1和電場馳豫層12之間的界面上較低，在電場馳豫層12的晶體缺陷的密度相對較高并且介電擊穿電場較低，由此可以防止由于場效應(yīng)晶體管中的晶體缺陷所導(dǎo)致介電擊穿。
假設(shè)電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度為p-型緩沖層2的雜質(zhì)濃度的α倍，那么電場馳豫層12中的耗盡層的延伸大約是在電場馳豫層12中的雜質(zhì)濃度被設(shè)置與p型緩沖層2的雜質(zhì)濃度相同的情況下的耗盡層的延伸的1/α。
此外，由于場強在p-型緩沖層2中相對較高，所以可能產(chǎn)生缺陷，并且如果雜質(zhì)濃度高，則發(fā)生介電擊穿。只用這樣的p-型緩沖層2馳豫電場的努力才使得p-型緩沖層2更厚成為必要，這降低了生產(chǎn)率。
對于如上所述的場效應(yīng)晶體管，通過提供作為外延層的電場馳豫層12，所述電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度高于p-型緩沖層2雜質(zhì)濃度，在電場馳豫層12中，晶體缺陷以相對較大的數(shù)目地出現(xiàn)在靠近SiC單晶襯底1之間的界面，可以抑制耗盡層的延伸，以防止介電擊穿，而沒有增加p-型緩沖層2的厚度。
換言之，從生產(chǎn)率的角度，通過除了p-型緩沖層2外，還提供電場馳豫層12，可以減小p-型緩沖層2和電場馳豫層12作為一個整體的厚度并且可以提高生產(chǎn)率。
從設(shè)計的角度，優(yōu)選地，形成電場馳豫層12和p-型緩沖層2，以明顯地獲得它們防止耗盡層向SiC單晶襯底1和電場馳豫層之間的界面的延伸以及保持介電強度的各功能。
為此，考慮到離子化受體的總量，優(yōu)選滿足這樣的關(guān)系p-型緩沖層2的總量(L2×C2)大于電場馳豫層12的總量(L1×C1)。
換言之，將電場馳豫層12的厚度L1與p-型緩沖層2的厚度L2的比值(L1/L2)最大設(shè)置為電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度C1與p-型緩沖層2的雜質(zhì)濃度C2的比值(C1/C2)的倒數(shù)。
從上面所述，為了盡可能薄地形成電場馳豫層12以提高生產(chǎn)率，并保證抑制耗盡層的延伸的功能，優(yōu)選將電場馳豫層12的雜質(zhì)濃度設(shè)置為p-型緩沖層2的雜質(zhì)濃度的至少10倍。
盡管以結(jié)型場效應(yīng)晶體管作為場效應(yīng)晶體管進行了示例說明，但它可以應(yīng)用到MO(金屬氧化物)場效應(yīng)晶體管等上，只要它是側(cè)向場效應(yīng)晶體管即可。
必須理解的是，此處所公開的的實施例只是出于示例并且在每一方面都不是限制性的。本發(fā)明的范圍通過權(quán)利要求書而不是說明書所限定，并且包括在與本發(fā)明的權(quán)利要求相等同的范圍和含義范圍內(nèi)的任何修改。
工業(yè)適用性本發(fā)明作為功率場效應(yīng)晶體管而有效地應(yīng)用于汽車的開關(guān)電源，換流器等。
權(quán)利要求
1.一種場效應(yīng)晶體管，包括具有主表面的半導(dǎo)體襯底(1)；形成在所述半導(dǎo)體襯底(1)的主表面上的第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層(12，2)；形成在所述第一半導(dǎo)體層(12，2)上的第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層(3)；形成在所述第二半導(dǎo)體層(3)上的第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層(10)；形成在彼此所述第三半導(dǎo)體層(10)中的一對源極和漏極區(qū)域?qū)?4，5)，其以預(yù)定距離分開；以及形成在所述一對源極和漏極區(qū)域?qū)?4，5)之間的所述第三半導(dǎo)體層(10)的區(qū)域的一部分上的柵極區(qū)域?qū)?6)，其中所述第一半導(dǎo)體層(12，2)包括緩沖層(2)，其形成在所述第三半導(dǎo)體層(10)被安置的區(qū)域的一部分上，并具有第一雜質(zhì)濃度，以及電場馳豫層(12)，其形成在所述緩沖層(2)和所述半導(dǎo)體襯底(1)之間的區(qū)域上，以接觸所述半導(dǎo)體襯底(1)并具有高于所述第一雜質(zhì)層的第二雜質(zhì)濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管，其特征在于，設(shè)置的所述第二雜質(zhì)濃度為所述第一雜質(zhì)濃度的5倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的場效應(yīng)晶體管，其特征在于，設(shè)置的所述第二雜質(zhì)濃度為所述第一雜質(zhì)濃度的至少10倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述電場馳豫層(12)的厚度與所述緩沖層(2)的厚度的比值最大被設(shè)置為所述第二雜質(zhì)濃度與所述第一雜質(zhì)濃度的比值的倒數(shù)。
全文摘要
在SiC單晶襯底(1)上，形成電場馳豫層(12)和p－型緩沖層(2)。電場馳豫層(12)被形成在p－型緩沖層(2)和SiC單晶襯底(1)之間，以使它與SiC單晶襯底(1)接觸。在p－型緩沖層(2)上，形成n型半導(dǎo)體層(3)。在n型半導(dǎo)體層(3)上，形成p型半導(dǎo)體層(10)。在p型半導(dǎo)體層(10)上，n+型源極區(qū)域?qū)?4)和n+型漏極區(qū)域?qū)?5)彼此以預(yù)定的距離分開形成。在位于n+型源極區(qū)域?qū)?4)和n+型漏極區(qū)域?qū)?5)之間的p型半導(dǎo)體層(10)的區(qū)域的一部分上，形成p+型柵極區(qū)域?qū)?6)。
文檔編號H01L29/06GK1774815SQ20048000983
公開日2006年5月17日 申請日期2004年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月13日
發(fā)明者藤川一洋, 原田真, 松波弘之, 木本恒暢 申請人:住友電氣工業(yè)株式會社