專利名稱：絕緣層覆硅(soi)晶片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在貼合兩片的晶片的貼SOI(Silicon OnInsulator絕緣層覆硅)晶片中，至少形成元件的活性層(SOI層)的面方位由{110}賦與偏角而成的SOI晶片及其制造方法。
背景技術(shù)：
已知SOI晶片的制造方法，有以通過硅氧化膜來貼合成為基板的基底晶片，和形成有SOI層的結(jié)合晶片的兩片的硅單結(jié)晶晶片，以制作貼合SOI晶片的方法。此種貼合晶片制作的步驟例如已知有在兩片的晶片中的至少其中一片晶片的表面形成氧化膜，于接合面未有異物介于其間而相互密接后，以大約200～1200℃的溫度予以熱處理，以提高結(jié)合強(qiáng)度的方法(參考日本專利特公平5-46086號(hào)公報(bào))。
因?yàn)橥ㄟ^進(jìn)行此種熱處理而結(jié)合強(qiáng)度被提高的貼合晶片可以進(jìn)行之后的研磨及拋光步驟，通過研磨及拋光結(jié)合晶片，以使其薄膜化為希望的厚度，可以形成形成有半導(dǎo)體元件的SOI層。但是，對(duì)于研磨后的表面，在進(jìn)行通過拋光的薄膜化時(shí)，如設(shè)定其的拋光量多時(shí)，雖具有拋光表面的微小的微觀粗糙度得到改善的優(yōu)點(diǎn)，另一方面，卻有晶片整體的SOI層的膜厚均勻性劣化的問題，所以可以設(shè)定的拋光量有其上限。
因此，有在非氧化性環(huán)境中的1000℃以上的高溫?zé)崽幚?，作為不?huì)使膜厚均勻性劣化而可改善微觀粗糙度的方法，此成為微觀粗糙度改善的有效手段。
另外，最近，為了制造膜厚均勻性良好的SOI層的厚度在0.1μm以下的超薄膜SOI晶片的技術(shù)，以離子注入剝離法(亦稱為smart cut(注冊(cè)商標(biāo))法)受到矚目(特許第3048201號(hào)公報(bào))。
離子注入剝離法為一種例如在兩片硅晶片中的至少其中一片形成氧化膜的同時(shí)，由結(jié)合晶片的表面注入氫離子或者稀有氣體離子的至少一者，在結(jié)合晶片內(nèi)部，例如表面附近形成微小氣泡層(封入層)后，在離子注入面?zhèn)韧ㄟ^氧化膜而使結(jié)合晶片和基底晶片密接，之后，施加熱處理(剝離熱處理)，以微小氣泡層為劈開面(剝離面)，將結(jié)合晶片剝離為薄膜狀，進(jìn)而，施加熱處理(結(jié)合熱處理)，堅(jiān)固地結(jié)合兩片的硅晶片，以作為SOI晶片的技術(shù)。
如此所制作的SOI晶片的表面(剝離面)雖成為比較好的鏡面，但是，為了做成具有與通常的鏡面研磨晶片同等的表面粗度的SOI晶片，進(jìn)而進(jìn)行稱為接觸拋光的研磨量為100nm以下的極少的研磨。
另外，代替或并用此接觸拋光，已知通過在氫或Ar環(huán)境下進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，在維持剝離后的SOI層的膜厚均勻性下，可降低SOI層的表面粗度(表面粗糙度)或結(jié)晶缺陷的技術(shù)(日本專利特開平11-307472號(hào)公報(bào))。
如使用前述的離子注入剝離法，因?yàn)槌丝梢员容^容易地獲得SOI層的膜厚均勻極高的SOI晶片以外，且可以再利用剝離的一方的晶片，也有能有效地使用材料的優(yōu)點(diǎn)。另外，此方法也可以在貼合晶片制作時(shí)，不通過氧化膜可直接結(jié)合硅晶片彼此的情形下使用，不單在結(jié)合硅晶片彼此的情形，在硅晶片進(jìn)行離子注入，使與熱膨脹系數(shù)不同的石英、碳化硅、鋁、鉆石等的絕緣性基底晶片結(jié)合，以制作SOI晶片時(shí)也可以使用。
形成在如此所制作的SOI晶片的SOI層的元件的一種，有MIS(金屬M(fèi)etal/絕緣膜Insulator/硅Silicon)型晶體管。其的柵極絕緣膜被要求低泄漏電流特性、低界面電平密度、高載流子注入耐性等的高性能電氣特性、高可靠性。形成滿足這些要求的柵極絕緣體(主要，硅氧化膜)的技術(shù)是，利用使用氧分子或水分子，在800℃以上進(jìn)行熱處理的熱氧化技術(shù)。
使用公知的具有{100}面方位的硅晶片，或者具有由{100}傾斜4度左右的面方位的硅晶片時(shí)，使用此熱氧化技術(shù)，可以得到具有良好氧化膜/硅界面特性、氧化膜的耐壓特性、低泄漏電流特性的硅氧化膜。此是由于形成在{100}面的柵極氧化膜的界面電平密度與形成在其他結(jié)晶面的情形相比，比較低的關(guān)系。即在具有{100}以外的面方位之的硅晶片使用熱氧化技術(shù)所形成的硅氧化膜的氧化/硅界面的界面電平密度高，而且，氧化膜的耐壓特性，低泄漏電流特性不好，電氣特性差。
因此，以往是使用具有{100}的面方位的晶片，或者具有由{100}傾斜4度左右的面方位的晶片，形成有以所謂MOS(金屬M(fèi)etal/硅氧化膜Oxide/硅Silicon)型晶體管為代表的MIS型半導(dǎo)體元件的硅晶片。
但是，近年來，通過使用Kr/O2電漿，與硅晶片的表面的面方位無關(guān)，可形成良好的氧化絕緣膜的方法被開發(fā)出來(例如，參考Saito et al.，“Advantage of Radical Oxidation for Improving Reliability of Ultra-Thin GateOxide”，2000 Symposium on VLSI Technology，Honolulu，Hawaii，June13th-15th，2000)，即如使用形成與此種面半導(dǎo)體元件的硅晶片的面方位限定在{110}，可以按照目的而使用具有保持最佳特性的面方位的硅晶片。
例如，MOSFET(MOS電場效應(yīng)晶體管MOS Field Effect Transistor)的通道方向的載流子遷移率，在面方位為{110}的晶片的特定方向中，有變成2倍以上時(shí)，其結(jié)果為，很清楚可使源極-漏極間電流值增加。
因此，制作MOS型元件的晶片而使用面方位為{110}面的硅單結(jié)晶晶片，通過如前述的與面方位無關(guān)的良好絕緣膜形成方法，以形成柵極絕緣膜時(shí)，例如，可以制作使用高載流子遷移率的高速元件等的具有公知沒有的優(yōu)異特性的MOS元件。
另外，此種載流子遷移率高速等{110}面所具有的優(yōu)異性，在SOI晶片中亦相同，本來SOI晶片由于具有最適合于形成高速且高性能元件的特性，近年來，為了形成更高速元件，SOI層的面方位為{110}的SOI晶片的需要逐漸增加。

發(fā)明內(nèi)容
但是，SOI晶片的SOI層的面方位為正確的{110}，亦即，正{110}時(shí)，為了進(jìn)行SOI層的表面粗糙度或缺陷去除而在非氧化性環(huán)境中施加高溫?zé)崽幚頃r(shí)，則在SOI層表面產(chǎn)生由異方向性蝕刻導(dǎo)致的凹凸，微觀粗糙度反而變差。因此，SOI層的面方位為正{110}時(shí)，無法應(yīng)用通過前述高溫?zé)崽幚淼拇植诙雀纳铺幚砘蛉毕萑コ幚怼?br> 因此，作為形成有SOI層的結(jié)合晶片，在使用具有正{110}的面方位的硅單結(jié)晶晶片以制作SOI晶片時(shí)，最終不得不進(jìn)行通過研磨處理以達(dá)成SOI層的膜厚或表面粗糙度處理。但是，如前所述，因?yàn)槿绯浞值馗纳莆⒂^粗糙度而進(jìn)行研磨時(shí)，膜厚均勻性劣化，關(guān)于膜厚均勻性，只能得到品質(zhì)低的SOI晶片。
膜厚均勻性是提高形成在SOI晶片的裝置元件特性均勻性，以及提高制造生產(chǎn)力的重要的因素的一。
因此，在因應(yīng)對(duì)于近年來的高速元件的要求，需要性逐漸增加的具有面方位{110}的SOI層的SOI晶片中，希望有一種能夠得到SOI層的膜厚均勻性高、能夠改善微觀粗糙度的方法。
本發(fā)明的目的在于解決前述問題，提供一種SOI晶片及SOI晶片的制造方法，該SOI晶片具有高的膜厚均勻性和良好的微觀粗糙度的同時(shí)，可形成更高速的元件。
為了達(dá)成前述目的，在本發(fā)明中，提供一種SOI晶片，為至少具備SOI層的SOI晶片，其特征為該SOI層的面方位是由{110}只往<100>方向偏角，而且，偏角角度在5分以上2度以下。
如此，通過使SOI層的面方位之的偏角只是由{110}往<100>方向，而且，設(shè)偏角角度在5分以上2度以下，通過在非氧化性環(huán)境下的熱處理，可以制成微觀粗糙度不會(huì)變差，甚而提升，具有高的膜厚均勻性和良好的微觀粗糙度的SOI晶片。
最好是，前述偏角角度在30分以上1度30分以下。
如此，如偏角角度在30分以上1度30分以下時(shí)，則可制成具有高度的膜厚均勻性，且具有良好的微觀粗糙度的SOI晶片。
另外，在本發(fā)明中，是提供一種至少貼合基底晶片和由硅單結(jié)晶所構(gòu)成的結(jié)合晶片，將該結(jié)合晶片予以薄膜化，以形成SOI層的SOI晶片的制造方法，其特征為前述結(jié)合晶片是使用面方位由{110}只往<100>方偏角，而且，偏角角度在5分以上2度以下的晶片。
如此，在通過貼合法以制造SOI晶片的方法中，通過使用由面方位由{110只往<100>方向偏角，而且，偏角角度在5分以上2度以下的硅所構(gòu)成的結(jié)合晶片，可以制造具有高的膜厚均勻性和良好微觀粗糙度的兩者的SOI晶片。
而且，最好對(duì)前述所得到的SOI晶片，在非氧化性環(huán)境下，以1000℃以上1350℃以下的溫度施加熱處理。
如此，本發(fā)明的SOI層，通過施加非氧化性環(huán)境下的熱處理，不會(huì)產(chǎn)生由于異方向性蝕刻導(dǎo)致的凹凸，能夠制造粗糙度得到相當(dāng)?shù)馗纳坪统浞值亟档徒Y(jié)晶缺陷的SOI晶片。
另外，前述結(jié)合晶片是由表面注入氫離子或稀有氣體離子的至少其中一種，在表面附近形成有離子注入層的晶圓，可以以表面貼合該結(jié)合晶片和前述基底晶片后，通過在前述離子注入層予以剝離，以進(jìn)行前述結(jié)合晶片的薄膜化。
如此，作為結(jié)合晶片，是使用由表面注入氫離子或稀有氣體離子的至少一種，在表面附近形成有離子注入層的晶片，通過在離子注入層予以剝離而進(jìn)行貼合后的薄膜化，通過此種所謂的離子注入剝離法來進(jìn)行，可以制造SOI層的厚度為0.1μm以下的超薄膜SOI晶片，且可形成膜厚均勻性高的高速元件的SOI晶片。
此外，最好使絕緣膜介于中間以貼合前述結(jié)合晶片和前述基底晶片。
如此，例如使絕緣膜介于中間以貼合由硅所構(gòu)成的結(jié)合晶片和基底晶片，由于基底晶片和結(jié)合晶片是相同材質(zhì)，可以制造結(jié)合強(qiáng)度也高的SOI晶片。但是，本發(fā)明并不限定于此，例如，也可直接將結(jié)合晶片貼合于絕緣性的基底晶片。
另外，在前述的制造方法中，最好使用偏角角度在30分以上1度30分以下的結(jié)合晶片。
如此，通過使用偏角角度在30分以上1度30分以下的結(jié)合晶片，可以制造具有高的膜厚均勻性，且微小粗糙度良好的SOI晶片。
如上所述，SOI層的面方位由{110}只往<100>方向偏角，而且，偏角角度做成為5分以上2度以下，可以做成不單是微觀粗糙度，SOI層的膜厚均勻性也優(yōu)異的SOI晶片，可以制作適合于利用載流子遷移率高的高速元件等的形成的SOI晶片。
特別是，偏角角度如果是30分以上1度30分以下，則微觀粗糙度會(huì)變得更好。
另外，通過將如此偏角的SOI層以離子注入剝離法形成，則可膜厚均勻性良好地制造SOI層的厚度在0.1μm以下的超薄膜SOI晶片。
特別是，將前述得到的SOI晶片進(jìn)而在非氧化性環(huán)境下，以1000℃以上1350℃以下的溫度施加熱處理，則可以制造能夠降低表面的微觀粗糙度或結(jié)晶缺陷的SOI晶片。


圖1為表示本發(fā)明的實(shí)施例及比較例的偏角角度和高溫?zé)崽幚砗蟮谋砻娲植诙鹊腜-V值的關(guān)系曲線圖。
圖2為表示本發(fā)明的實(shí)施例及比較例的偏角角度和高溫?zé)崽幚砗蟮谋砻娲植诙鹊腞MS值的關(guān)系曲線圖。
圖3為表示本發(fā)明的實(shí)施例及比較例的偏角的方向和高溫?zé)崽幚砗蟮谋砻娲植诙鹊腜-V值的關(guān)系曲線圖。
圖4為表示本發(fā)明的實(shí)施例及比較例的偏角的方向和高溫?zé)崽幚砗蟮谋砻娲植诙鹊腞MS值的關(guān)系曲線圖。
具體實(shí)施例方式
以下，說明本發(fā)明的實(shí)施方式，但是，本發(fā)明并不限定于此。
此處，在本發(fā)明中，使用晶向指數(shù)來表示結(jié)晶面及結(jié)晶方位。例如，{100}系表示(100)、(010)、(001)等的結(jié)晶面的總稱，<100>系表示[100]、
、
等的結(jié)晶方位的總稱。
以往，在制造具有面方位為{110}的SOI層的SOI晶片時(shí)，首先拉制結(jié)晶方位為<110>的硅單結(jié)晶錠，接著，使用X射線方位測量元件(角度分解能1分左右)以正確測量該硅單結(jié)晶錠的結(jié)晶方位，使面方位成為正{100}而進(jìn)行硅單結(jié)晶錠的切片，以制作形成SOI層的結(jié)合晶片。
如此，在以量產(chǎn)等級(jí)制作面方位成為正{110}而進(jìn)行切片的結(jié)合晶片的情形，即使成為正好地進(jìn)行切片，實(shí)際上，通常是包含有低于±5分的角度偏差。另外，在另一方面，所要求產(chǎn)品晶片的規(guī)格，也有容許至±30分左右的角度偏差的情形，在那種情形下，因?yàn)榻嵌绕钪灰恰?0分以內(nèi)的晶片，便符合要求規(guī)格，那種晶片也當(dāng)成具有正{110}的面方位者來加以處理。
但是，因?yàn)樵凇?0分以上的角度偏差，幾乎沒有被當(dāng)成正{110}而容許的產(chǎn)品規(guī)格，具該角度偏差的晶片可以是有意地由{110}傾斜而切片的晶片。如此，將由某特性的方位有意地傾斜切片方向而制作的晶片稱為含偏角晶片，將傾斜角度稱為偏角角度。
本發(fā)明人等通過離子注入剝離法來制作SOI層的面方位為正{110}的SOI晶片，以接觸拋光后的SOI表面的粗糙度改善，及缺陷去除的目的，在惰性氣體(氬氣)中進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，確認(rèn)可以見到SOI晶片表面的粗糙度會(huì)有變差的傾向，進(jìn)而，重復(fù)檢測的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)此熱處理后的粗糙度與結(jié)合晶片的偏角有關(guān)，進(jìn)而完成本發(fā)明。
具體上，為了作為SOI晶片的SOI層使用，在將面方位由{110}賦與偏角而成的硅晶片由硅單結(jié)晶錠切片時(shí)，只在<100>方向賦與偏角，且如設(shè)偏角角度在5分以上2度以下的范圍時(shí)，至少通過前述的高溫?zé)崽幚恚梢缘玫奖砻娲植诙鹊母纳菩Ч?，另外，也可達(dá)成缺陷去除的目的。
偏角角度以在30分以上1度30分以下為適當(dāng)，約1度(±5分內(nèi))更為理想。
前述的SOI晶片可以以下說明的步驟加以制作。首先，通過柴可拉斯基法(CZ法)，使用結(jié)晶方位<110>的種晶以生長具有結(jié)晶方位<110>的硅單結(jié)晶錠。接著，在由前述生長的硅單結(jié)晶錠切片形成SOI層的結(jié)合晶片時(shí)，只于<100>方向賦與偏角，且，偏角角度設(shè)為5分以上2度以下的范圍。此時(shí)，可以將預(yù)先所使用的種晶設(shè)為具有希望的偏角者，將所生長的CZ硅單結(jié)晶錠與生長軸方向成為垂直予以切片。通過如此，可以提升由硅單結(jié)晶錠的切片產(chǎn)率。
接著，由此結(jié)合晶片的表面直接或在其表面形成硅氧化膜等絕緣膜后，透過該絕緣膜，以希望的加速能量及劑量注入氫離子或稀有氣體離子的至少其中一種。通過如此所被注入的離子，在結(jié)合晶片表面附近形成微小氣泡層。將此結(jié)合晶片在離子注入面?zhèn)韧ㄟ^硅氧化膜等與基底晶片密接。之后，以500℃左右或其以上的比較低的溫度施以熱處理(剝離熱處理)，則由于微小氣泡的壓力和結(jié)晶的再排列的作用，在微小氣泡層剝離。接著，在氧化性環(huán)境下，施加1000～1200℃左右的熱處理，提高晶片彼此的結(jié)合力。另外，作為基底晶片在使用硅單結(jié)晶晶片的情形，如使用與{110}不同面方位的晶片(例如，{100}等)，則可以抑制由于高溫?zé)崽幚硭菀桩a(chǎn)生的彎曲，較為適合。
另外，結(jié)合晶片的薄膜化并不限定于前述氫離子注入剝離法，也可以使用磨削、研磨、蝕刻等公知所使用的方法。
接著，對(duì)所得到的SOI晶片進(jìn)行接觸拋光，進(jìn)而，在Ar環(huán)境下進(jìn)行1000℃～1350℃左右的高溫?zé)崽幚?，可以制造晶片?nèi)的膜厚均勻性高，微觀粗糙度也良好，結(jié)晶缺陷也得以降低的SOI晶片。在此情形，本發(fā)明中，因?yàn)镾OI層的面方位硅由{110}往<100>方向偏角5分以上2度以下，通過非氧化性環(huán)境下的熱處理，微觀粗糙度不會(huì)惡化，甚而提升。另外，在前述高溫?zé)崽幚砬八M(jìn)行的接觸拋光，可使研磨量比平常的情形少，也可省略接觸拋光只進(jìn)行高溫?zé)崽幚怼?br> 如此所得到的SOI晶片如前述，極薄、膜厚均勻性高，微觀粗糙度良好，同時(shí)，因?yàn)镾OI層的面方位由{110}少許偏角，載流子遷移率非常高，極適合形成高速元件。
以下，雖然舉出本發(fā)明的實(shí)施例及比較例來具體說明本發(fā)明，但是，本發(fā)明并不限定于此。
(實(shí)施例及比較例)通過柴可拉斯基法拉制結(jié)晶方位為<110>的硅單結(jié)晶錠，通過切片此錠，制作直徑200mm，面方位由(110)只往
方向偏角1度的含偏角結(jié)合晶片以作為本發(fā)明的實(shí)施例。另外，作為比較例，制作面方位與本發(fā)明不同而切片的9種的結(jié)合晶片。
使用這些結(jié)合晶片，注入氫離子，形成離子注入層，在離子注入層予以剝離，通過此種離子注入剝離法進(jìn)行薄膜化，制作膜厚均勻性高的SOI晶片后，對(duì)于這些SOI晶片，為了降低結(jié)晶缺陷，在氬100％環(huán)境下，進(jìn)行1200℃、1小時(shí)的熱處理。熱處理后，以AFM(原子力顯微鏡Atomic ForceMicroscope)進(jìn)行SOI層表面的微觀粗糙度測量。通過此AFM的微觀粗糙度測量對(duì)于SOI晶片中心部的1×1μm的范圍進(jìn)行。
另外，SOI晶片制作條件如下述基底晶片(100)系單結(jié)晶晶片填埋氧化膜在結(jié)合晶片表面形成200mm離子注入條件H+離子、50keV、6×1016atoms/cm2剝離熱處理Ar環(huán)境下，500℃、30分鐘結(jié)合熱處理氧化性環(huán)境、1100℃、2小時(shí)接觸拋光約100nm拋光如前述般，將測量的表面粗糙度的P-V(Peak to Valley尖峰至谷底)值及RMS(Root Mean Square均方根)值匯總于表1。
另外，比較例1及2為偏角只在[110]方向?yàn)?度或3度，比較例3及4為偏角只在[112]方向?yàn)?度或3度，比較例5及6偏角方向只在[111]方向?yàn)?度或3度的SOI晶片。這些晶片為與本發(fā)明為偏角方向不同的晶片。
另一方面，比較例7及8為偏角方向與本發(fā)明的實(shí)施例相同為
方向，但是，偏角角度設(shè)為3度或4度的晶片。另外，比較例9為面方位成為正(110)所制作的試樣。
比較例9的情形，為其角度偏差在±2分之內(nèi)。
(表1)

如表1所示，依據(jù)本實(shí)施例的偏角只在
方向?yàn)?度的SOI晶片的粗糙度，其P-V值為0.99nm，RMS值為0.11nm，與比較例相比，可以得到良好的值。在以下，為了更詳細(xì)比較實(shí)施例和比較例，將表1所示的資料予以曲線化而做說明。
圖1、圖2為顯示P-V值或者RMS值與只往
方向的偏角角度的關(guān)系曲線圖。例如，一比較RMS值，則在偏角角度為1度時(shí)，RMS值為0.11nm，與比較例9的正(110)的RMS值0.37nm比較，為1/3以下，對(duì)于比較例7的偏角角度為3度的RMS值0.93nm，為接近1/9的值。由這些圖，可以確認(rèn)，P-V值以及RMS值皆是在高溫?zé)崽幚砗?，SOI表面的粗糙度不比正(110)變差，而顯示同等以上的良好值的，是偏角角度在2度以下時(shí)，特別是在30分以上1度30分以下，可以成為最小值。
圖3、圖4為就偏角角度為1度和3度的情形所顯示的P-V值或者RMS值與偏角方向的關(guān)系曲線圖。例如，比較偏角角度為1度時(shí)的RMS值時(shí)，偏角角度只往
方向時(shí)的RMS值為0.11nm，與比較例1、3、5的偏角方向分別只在[110]、只在[112]、只在[111]時(shí)的RMS值0.51nm、0.53nm、0.57nm比較時(shí)，為1/5左右。由這些圖，可以確認(rèn)在高溫?zé)崽幚砗?，SOI表面的粗略度顯示與正(110)時(shí)同等以上的良好值的，是只在
方向形成偏角時(shí)。
因此，由圖1-圖4的結(jié)果，可以確認(rèn)在高溫?zé)崽幚砗?，SOI表面的粗糙度不比正(110)變差，顯示依據(jù)本發(fā)明，是只在
方向形成偏角，而且，其角度設(shè)為約2度以下時(shí)，可以顯示良好的值。
另外，本發(fā)明并不限定于前述實(shí)施方式。前述實(shí)施方式不過是舉例顯示而已，具有與本發(fā)明的權(quán)利要求書所記載的技術(shù)構(gòu)思實(shí)質(zhì)上相同構(gòu)造，達(dá)成同樣的作用和效果的，不管為何種構(gòu)造，皆包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
例如，在實(shí)施例中，作為基底晶片雖使用面方位具有(100)的單結(jié)晶晶片，但是，面方位并不限定為(100)。另外，基底晶片的材質(zhì)并不限定于硅，也可以使用石英、碳化氮、氧化鋁、鉆石等的絕緣體。
另外，在形成氧化膜時(shí)，也可以形成在基底晶片，也可以形成在結(jié)合晶片和基底晶片的兩方。
另外，各晶片的直徑并不限定為200mm，也可以在其以下，只是200mm以上的大口徑，可使元件的生產(chǎn)力更為提升。
另外，硅單結(jié)晶錠的拉制方法雖通過CZ法進(jìn)行，但是，也可以是施加磁場CZ法。
權(quán)利要求
1.一種SOI晶片，為至少具備SOI層的SOI晶片，其特征為該SOI層的面方位由{110}只往<100>方向偏角，而且，偏角角度在5分以上2度以下。
2.如權(quán)利要求1所述的SOI晶片，其中，所述偏角角度在30分以上1度30分以下。
3.一種SOI晶片的制造方法，該方法至少貼合基底晶圓和由硅單結(jié)晶所構(gòu)成的結(jié)合晶片，將該結(jié)合晶片予以薄膜化，以形成SOI層而得到所述SOI晶片，其特征為所述結(jié)合晶片是使用面方位由{110}只往<100>方向偏角、而且偏角角度在5分以上2度以下的晶片。
4.如權(quán)利要求3所述的SOI晶片的制造方法，其中，還在非氧化性環(huán)境下，以1000℃以上1350℃以下的溫度，對(duì)所述所得到的SOI晶片施加熱處理。
5.如權(quán)利要求3或4所述的SOI晶片的制造方法，其中，所述結(jié)合晶片是由表面注入氫離子或稀有氣體離子的至少其中一種，在表面附近形成有離子注入層的晶片，在貼合該結(jié)合晶片和所述基底晶片后，通過在所述離子注入層予以剝離，以進(jìn)行所述結(jié)合晶片的薄膜化。
6.如權(quán)利要求3至5中任一所述的SOI晶片的制造方法，其中，使絕緣膜介于中間以貼合所述結(jié)合晶片和所述基底晶片。
7.如權(quán)利要求3至6中任一所述的SOI晶片的制造方法，其中，使用所述偏角角度在30分以上1度30分以下的晶片。
全文摘要
本發(fā)明提供一種SOI晶片，該SOI晶片為至少具備SOI層的SOI晶片，其特征為該SOI層的面方位的偏角是由{110}只往<100>方向，而且，偏角角度在5分以上2度以下；及提供一種SOI晶片的制造方法，至少貼合基底晶片和由硅單結(jié)晶所構(gòu)成的結(jié)合晶片，將該結(jié)合晶片予以薄膜化以形成SOI層而成，其特征為前述結(jié)合晶片是使用面方位由{110}只往<100>方向偏角，而且，偏角角度在5分以上2度以下的晶片。因此，可以提供具有高的膜厚均勻性和良好的微觀粗糙度，適合于高速元件的制作的SOI晶片及其制造方法。
文檔編號(hào)H01L21/762GK1791982SQ20048001322
公開日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2004年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月15日
發(fā)明者高野清隆, 角田均 申請(qǐng)人:信越半導(dǎo)體股份有限公司