專利名稱:圖形的制作方法和液滴排出裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及薄膜圖形的制作方法以及液滴排出裝置。
背景技術(shù):
近年來(lái),使用通過(guò)絲網(wǎng)印刷和噴墨技術(shù)進(jìn)行的液滴排出法的圖形制作方法的開發(fā)很活躍。
在液滴排出法中,由于具有是直接描繪的構(gòu)圖故不需要掩模、易應(yīng)用于大型基板中、材料利用率高等諸多優(yōu)點(diǎn),所以將微細(xì)構(gòu)圖利用于FPD(平板顯示器)的活動(dòng)盛行起來(lái)。
作為其用途,還報(bào)告有不僅形成有機(jī)EL(電致發(fā)光)的發(fā)光層和LCD(液晶顯示裝置)的濾色器,還形成PDP(等離子體顯示裝置)的電極和有機(jī)晶體管。
雖然,液滴排出法有很多優(yōu)點(diǎn),但是實(shí)際上在進(jìn)行微細(xì)構(gòu)圖時(shí)對(duì)于包含組成物的液滴和基板存在各種各樣的制約。
現(xiàn)在能夠形成的液滴較小為2pL左右,在基板上精密地配置這種微小液滴來(lái)形成像素、電極、布線等。但是,實(shí)際的液滴滴落精度是從數(shù)μm到30μm左右,此外滴落后,受到滴落表面的狀態(tài)和液滴的接觸角的影響,液滴有時(shí)會(huì)從滴落位置偏移。因此,作為構(gòu)圖,在形成小型FPD的像素部分方面還存在很多不足。
因此,在有機(jī)EL的發(fā)光層和濾色器的情況下,向用光刻法形成的隔壁(bank)內(nèi)排出液滴以便不偏離滴落位置。
當(dāng)然在液滴排出法中噴頭和含有組成物的液滴是最重要的,但是實(shí)際上此外的要素也很重要。紙等的吸收性介質(zhì)與接住墨水的通常的噴墨不同,在FPD應(yīng)用中必須排出到非吸收性基板上的情況較多,從而在排出方法上產(chǎn)生了制約。例如,由于一排出在親液性基板上就會(huì)擴(kuò)大開來(lái),所以進(jìn)行微細(xì)構(gòu)圖的基板必須是具有某種程度的撥液性。但是,由于放置在撥液性的基板上的液滴容易移動(dòng),所以就需要在將基板的表面狀態(tài)和排出條件的組合最優(yōu)化的基礎(chǔ)上進(jìn)行描繪。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明以提供一種改善液滴在基板上滴落時(shí)的位置精度的圖形制作方法為課題。此外,以提供一種改善了位置精度的液滴排出裝置為課題。
本發(fā)明提供一種改善液滴在基板上滴落時(shí)的位置精度的圖形的制作方法和具備等離子體發(fā)生單元的結(jié)構(gòu)的液滴排出裝置。
即,以含有以下工序?yàn)樘卣魍ㄟ^(guò)發(fā)生等離子體的單元,使在具有絕緣性的基板例如玻璃基板上形成的撥液性的薄膜例如半導(dǎo)體膜有選擇地變?yōu)橛H液性,通過(guò)液滴排出單元向上述親液性表面排出液滴組成物,從而制作圖形。通過(guò)用撥液性區(qū)域來(lái)夾持有選擇地形成的親液性區(qū)域,能夠使滴落后的液滴不從滴落位置移動(dòng)地來(lái)形成。發(fā)生等離子體的電源使用以施加高頻或者脈沖化的電場(chǎng)的方式工作的高電壓脈沖電源來(lái)進(jìn)行工作,優(yōu)選高頻為10MHz~100MHz的頻率、脈沖電源的頻率為50Hz~100kHz、脈沖持續(xù)時(shí)間為1~100μsec。壓強(qiáng)為大氣壓或是大氣壓附近的范圍,壓強(qiáng)范圍可以為1.3×101~1.31×105Pa。反應(yīng)氣體可以為He、Ne、Ar、Kr、Xe等惰性氣體或氧氣、氮?dú)獾娜魏我环N或是適當(dāng)選擇多種來(lái)使用。另外,所謂親液性其接觸角θ定義為0°≤θ<10°,所謂撥液性定義為10°≤θ<180°。
以含有以下工序?yàn)樘卣魍ㄟ^(guò)發(fā)生等離子體的單元,使在具有絕緣性的基板例如玻璃基板上形成的親液性的薄膜例如氧化硅膜有選擇地形成槽,通過(guò)液滴排出單元向上述親液性表面排出液滴組成物,從而制作圖形。通過(guò)在親液性表面上有選擇地形成槽,能夠使滴落后的液滴不從滴落位置移動(dòng)地來(lái)形成。發(fā)生等離子體的電源使用高頻電源或者高電壓脈沖電源來(lái)進(jìn)行工作,優(yōu)選高頻為10MHz~100MHz的頻率、脈沖電源的頻率為50Hz~100kHz、脈沖持續(xù)時(shí)間為1~100μsec。壓強(qiáng)為大氣壓或是大氣壓附近的范圍,壓強(qiáng)范圍可以為1.3×101~1.31×105Pa。反應(yīng)氣體可以使用氫等還原性的氣體或CF4、CHF3、SF6等氣體以能夠有選擇地形成槽的方式來(lái)進(jìn)行刻蝕。另外,所謂親液性其接觸角θ定義為0°≤θ<10°,所謂撥液性定義為10°≤θ<180°。
此外,本發(fā)明提供具備等離子體處理單元的結(jié)構(gòu)的液滴排出單元,根據(jù)本結(jié)構(gòu),可以提供改善液滴滴落時(shí)的位置精度的液滴排出裝置。
另外,所謂本發(fā)明中的液滴排出法是指將包含規(guī)定組成物的液滴從細(xì)孔排出來(lái)形成規(guī)定圖形的方法,噴墨法等包含在其范疇內(nèi)。
具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明能夠制作改善了液滴組成物在基板上滴落時(shí)的位置精度的圖形。此外,能夠通過(guò)由直接描繪引起的工序縮短、成品率的提高和材料利用率的提高,來(lái)提供一種適應(yīng)地球環(huán)境并能夠大幅削減成本的顯示裝置的制作工藝。
圖1是表示將撥液性表面有選擇地形成為親液性表面的單元的結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是表示將親液性表面有選擇地形成為槽的單元的結(jié)構(gòu)的圖。
圖3是關(guān)于等離子體處理區(qū)域與滴落時(shí)的液滴徑的概念圖。
圖4是表示本發(fā)明涉及的圖形描繪單元的一個(gè)例子的圖。
圖5是表示本發(fā)明涉及的圖形描繪單元的一個(gè)例子的圖。
圖6是表示等離子體處理口和液滴排出口的圖。
圖7是表示本發(fā)明涉及的描繪單元的一個(gè)例子的圖。
圖8是說(shuō)明本發(fā)明中的顯示裝置的制造工序的剖面圖。
圖9是說(shuō)明本發(fā)明中的顯示裝置的制造工序的剖面圖。
圖10是說(shuō)明本發(fā)明中的顯示裝置的制造工序的剖面圖。
圖11是說(shuō)明本發(fā)明中的顯示裝置的制造工序的剖面圖。
圖12是表示本發(fā)明涉及的顯示裝置的制造工序的圖。
圖13是表示本發(fā)明中的顯示裝置的一個(gè)形態(tài)的圖。
圖14是表示本發(fā)明涉及的、將液滴組成物填充到開孔中的單元的一個(gè)例子的圖。
圖15是表示本發(fā)明涉及的、將液滴組成物填充到開孔中的單元的一個(gè)例子的圖。
圖16是表示本發(fā)明涉及的、將液滴組成物填充到開孔中的單元的一個(gè)例子的圖。
圖17是表示本發(fā)明中的控制裝置的一個(gè)例子的圖。
具體實(shí)施例方式
以下,參照附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。但是,本發(fā)明不限于以下的說(shuō)明,本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下能夠?qū)ζ浞绞胶驮敿?xì)內(nèi)容作各種各樣的變更。因此,本發(fā)明不應(yīng)限于以下所示的實(shí)施方式的記載內(nèi)容來(lái)進(jìn)行解釋。另外,在以下說(shuō)明的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中,代指相同部件的記號(hào)在不同的附圖間通用。
使用圖1來(lái)說(shuō)明本發(fā)明涉及的液滴排出單元中使撥液性表面有選擇地成為親液性表面的一種形態(tài)。在具有絕緣性的基板例如玻璃基板上形成具有撥液性表面的薄膜100,例如半導(dǎo)體硅膜(圖1(A))。在上述薄膜100表面上,有選擇地通過(guò)等離子體照射單元102對(duì)液滴排出預(yù)定區(qū)域101照射等離子體,使區(qū)域101成為親液性(圖1(B))。通過(guò)液滴排出單元103向這樣形成的親液性表面排出液滴組成物106,從而制作圖形(圖1(C)(D))。等離子體照射單元102和液滴排出單元103一體化或者配置在較近的位置。等離子體照射后迅速將一體化的等離子體照射單元102和液滴排出單元103通過(guò)移動(dòng)單元105移動(dòng)到處理位置。使液滴排出單元103移動(dòng)而滴落的排出組成物107,因?yàn)榈温湮恢帽坏入x子體照射呈親液性、而滴落外區(qū)域100是撥液性,所以由于不發(fā)生滴落后液滴移動(dòng)的問(wèn)題故可以精度較好地形成排出組成物。通過(guò)等離子體照射單元102等離子體照射后,雖然不移動(dòng)液滴排出單元103也可以在等離子體照射位置上排出液滴,但是這種情況下需要使液滴排出單元103的壓電元件或排出口傾斜,或者改變電信號(hào)。
等離子體發(fā)生的電源使用高頻電源或高電壓脈沖電源來(lái)進(jìn)行工作,高頻為10~100MHz的頻率,脈沖電源的頻率為50Hz~100kHz,脈沖持續(xù)時(shí)間為1~100μsec。壓強(qiáng)為大氣壓或是大氣壓附近的范圍,壓強(qiáng)范圍可以為1.3×101~1.31×105Pa。比大氣壓減壓的環(huán)境下,由于從排出到滴落為止與氣體分子或浮游物等的沖突概率減少了,所以滴落精度有變好的傾向。為了成為親液性而用于等離子體發(fā)生的反應(yīng)氣體可以為He、Ne、Ar、Kr、Xe等惰性氣體或氧氣、氮?dú)獾娜魏我环N或是適當(dāng)選擇多種來(lái)使用。
作為液滴排出材料,通過(guò)溶于溶劑,作為液滴只要是可以排出的材料就可以,使用例如成為布線的導(dǎo)電性材料、抗蝕劑材料、成為定向膜的樹脂材料、用于發(fā)光元件的發(fā)光材料、用于濕式刻蝕的刻蝕溶液等。
一體化的等離子體照射單元102和液滴排出單元103可以是集中多個(gè)作為一個(gè)處理機(jī)構(gòu)。此外,等離子體照射單元102和液滴排出單元103可以各自獨(dú)立來(lái)用于各種各樣的目的。各自獨(dú)立使用的情況下,也可以集中多個(gè)作為一個(gè)處理機(jī)構(gòu)。等離子體照射單元102雖然在本單元中以改變被處理表面的表面質(zhì)地為目的,但是也可以作為按照需要成膜或刻蝕等的等離子體處理單元來(lái)使用。
接著,用圖2來(lái)說(shuō)明精度較好地在親液性表面滴落并控制滴落后的排出組成物位置的一種形態(tài)。在上述薄膜200表面上,有選擇地通過(guò)等離子體照射202單元對(duì)液滴排出預(yù)定區(qū)域201進(jìn)行等離子體照射。
在被等離子體照射的區(qū)域201,通過(guò)作為還原性氣體的氫和刻蝕氣體CF4、CHF3、SF6等,形成容納被排出的液滴組成物206的槽。槽的大小根據(jù)排出的液滴的量來(lái)調(diào)節(jié),配合液滴容納的程度來(lái)適宜地形成。等離子體照射區(qū)域201即使不像上述槽那樣地進(jìn)行刻蝕,也可使表面凹凸發(fā)生變化,也可以成為提高排出組成物的密接性的程度。在通過(guò)上述等離子體照射形成的槽中,由液滴排出單元203排出液滴組成物260,制作圖形。等離子體照射單元202和液滴排出單元203一體化或者配置在較近的位置。一體化的等離子體照射單元202和液滴排出單元203通過(guò)移動(dòng)單元205移動(dòng)到處理位置。由于等離子體照射與液滴排出處不是相同的,所以等離子體照射后迅速地移動(dòng)液滴排出單元203來(lái)排出排出組成物。滴落的排出組成物207因?yàn)樵诘温湮恢眯纬捎胁?,所以不?huì)發(fā)生滴落后的液滴移動(dòng)到滴落外區(qū)域200的問(wèn)題。通過(guò)等離子體照射單元202等離子體照射后,雖然不移動(dòng)液滴排出單元203也可以在等離子體照射位置排出液滴,但是這種情況下需要使液滴排出單元203的壓電元件或排出口傾斜,或者改變電信號(hào)。
等離子體發(fā)生的電源使用高頻電源或高電壓脈沖電源來(lái)進(jìn)行工作,優(yōu)選高頻為10~100MHz的頻率,脈沖電源的頻率為50Hz~100kHz,脈沖持續(xù)時(shí)間為1~100μsec。壓強(qiáng)為大氣壓或是大氣壓附近的范圍,壓強(qiáng)范圍可以為1.3×101~1.31×105Pa。比大氣壓減壓的環(huán)境下,由于從排出到滴落為止與氣體分子或浮游物等的沖突概率減少了,所以滴落精度有變好的傾向。
圖3表示等離子體照射區(qū)域L和滴落時(shí)的液滴徑的關(guān)系。R1<L、R2=L、R3>L時(shí),為了保持在排出組成物滴落時(shí)的徑R始終穩(wěn)定的位置,等離子體照射區(qū)域L不論親液性或形成槽,滿足R/2<L≤R的關(guān)系是重要的。
圖4表示適合于使用等離子體化的氣體或是反應(yīng)性的原子團(tuán)或離子種進(jìn)行表面改質(zhì)和刻蝕的情況的噴嘴體與用于排出液滴的噴嘴體一體化的結(jié)構(gòu)。對(duì)等離子體處理的噴嘴體進(jìn)行說(shuō)明。在噴嘴體中用于進(jìn)行表面處理的氣體經(jīng)過(guò)氣體供給單元402和其排氣單元405,從氣體供給單元402供給的氣體在內(nèi)周氣體供給筒400內(nèi)生成等離子體化或是反應(yīng)性的原子團(tuán)、或是離子種,從氣體噴出口403噴射到被處理物體上。其后,該氣體從外周氣體排氣筒404通過(guò)排氣單元405排出。
此外,在氣體供給單元402和氣體排氣單元405之間設(shè)有氣體精加工單元406,也可以編入使氣體循環(huán)的結(jié)構(gòu)。通過(guò)編入這種結(jié)構(gòu),可以降低氣體的消耗量。此外,可以回收從排氣單元405排出的氣體并精加工,再次由氣體供給單元402利用。
為了在大氣壓或是大氣壓附近的壓強(qiáng)下,維持穩(wěn)定的放電,優(yōu)選噴嘴體與被處理物體的間隔為小于等于50mm,最好是小于等于10mm。
此噴嘴體的形狀優(yōu)選以在內(nèi)周氣體供給筒400內(nèi)側(cè)具備的電極401和設(shè)置在電極401上的固體電介質(zhì)412為中心的同軸圓筒形,但是只要是同樣能夠局部地供給等離子體化的處理氣體的結(jié)構(gòu)即可,并不限于上述形狀。雖然考慮固體電介質(zhì)的厚度、施加電壓的大小、利用等離子體的目的等來(lái)決定電極間距,但是優(yōu)選1~7mm。等離子體照射的照射口變得比電極間距狹窄。
作為電極401可以使用不銹鋼、黃銅、其他的合金或鋁、鎳、其他的單體金屬,以棒狀、球狀、平板狀、筒狀等形狀來(lái)形成。設(shè)置在電極401的固體電介質(zhì)412必須將電極401完全覆蓋。若不被固體電介質(zhì)覆蓋則有電極彼此直接對(duì)置的部位,就會(huì)從那里發(fā)生電弧放電。作為固體電介質(zhì),可以舉出二氧化硅、氧化鋁、二氧化鋯、二氧化鈦等金屬氧化物、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚四氟乙烯等塑料、玻璃、鈦酸鋇等復(fù)合氧化物等。固體電介質(zhì)的形狀可以是薄板狀、也可以是膠片狀,但是優(yōu)選厚度為0.05~4mm。為了發(fā)生放電等離子體需要高電壓,固體電介質(zhì)如果過(guò)薄的話,在施加電壓時(shí)會(huì)引起絕緣破壞,發(fā)生電弧放電。給電極401供給電力的電源407,可以使用直流電源、或是高頻電源。在使用直流電源的情況下,為了穩(wěn)定放電,優(yōu)選間歇地供給電力,優(yōu)選其頻率為50Hz~100kHz,脈沖持續(xù)時(shí)間為1~100μsec。
處理氣體的選擇在將撥液性表面有選擇地處理為親液性表面的目的中,使用He、Ne、Ar、Kr、Xe等惰性氣體或是氧氣、氮?dú)獾哪骋环N。另一方面,在刻蝕親液性表面形成槽的目的中,可以適當(dāng)?shù)亟M合氫等還原性氣體或四氟化碳(CF4)、三氟化氮(NF3)、六氟化硫(SF6)、其他的氟化物氣體和氧氣(O2)等來(lái)使用。此外,為了使放電穩(wěn)定地持續(xù),可以將這些氟化物氣體用氦氣、氬氣、氪氣、氙氣等稀有氣體稀釋并使用。
大氣壓或是大氣壓附近的壓強(qiáng)可以為1.30×101~1.31×105Pa。其中,可以是如下的結(jié)構(gòu)為了保持反應(yīng)空間為比大氣壓減壓的狀態(tài),可以將噴嘴體和被處理基板保持在形成封閉空間的反應(yīng)室內(nèi),通過(guò)排氣單元維持減壓狀態(tài)。
接著,說(shuō)明用于排出滴液的噴嘴體。將電信號(hào)411傳送給壓電元件408,從液滴筒410按電信號(hào)411的時(shí)序送入排出組成物,從排出口409向進(jìn)行等離子體處理的區(qū)域排出。此時(shí)比大氣壓低的壓強(qiáng)由于減少了從排出開始到滴落為止與氣體分子或浮游物等的沖突概率,所以滴落精度有變好的傾向。此外,以通過(guò)等離子體處理向變化為親液性的區(qū)域或槽部排出的方式,形成無(wú)滴落后的液滴移動(dòng)的圖形。由于液滴排出單元相對(duì)處理基板是非接觸的,與絲網(wǎng)印刷法等比較,在節(jié)省空間、材料利用率、多品種對(duì)應(yīng)、滴落精度、微細(xì)尺寸圖形方面更勝一籌。
在圖4中進(jìn)行等離子體處理的噴嘴體和排出液滴的噴嘴體雖然一體化了,但是也可以以適當(dāng)?shù)木嚯x離開。此外,等離子體處理單元不限于表面質(zhì)量的改變目的,還可以以成膜或腐蝕為目的使用在與液滴排出單元不同的地方。
圖5是等離子體處理噴嘴只處理沒(méi)有危險(xiǎn)性的氣體時(shí)的噴嘴機(jī)構(gòu),是比圖4簡(jiǎn)略的結(jié)構(gòu)。在噴嘴體中用于進(jìn)行表面處理的氣體經(jīng)過(guò)氣體供給單元502和其排氣單元509,從氣體供給單元502供給的氣體在內(nèi)周氣體供給筒500內(nèi)生成等離子體化或反應(yīng)性的原子團(tuán)或離子種,從氣體噴出口503噴到被處理物體上。其后,該氣體通過(guò)在裝置外側(cè)設(shè)置的包圍裝置的機(jī)罩512和進(jìn)行了統(tǒng)一化的排氣單元509排出。
為了在大氣壓或大氣壓附近的壓強(qiáng)下維持穩(wěn)定的放電,噴嘴體與被處理物體的間隔是小于等于50mm是比較好的,優(yōu)選小于等于10mm。
此噴嘴體的形狀優(yōu)選以在內(nèi)周氣體供給筒500內(nèi)側(cè)具備的電極501和設(shè)置在電極501上的固體電介質(zhì)510為中心的同軸圓筒型,但是只要是同樣可以局部地供給等離子體化的處理氣體的結(jié)構(gòu)即可,并不限于上述形狀。雖然考慮固體電介質(zhì)的厚度、施加電壓的大小、利用等離子體的目的等來(lái)決定電極間距,但是優(yōu)選1~7mm。等離子體照射的照射口變得比電極間距狹窄。
作為電極501可以使用不銹鋼、黃銅、其他的合金、鋁、鎳、其他的單體金屬,以棒狀、球狀、平板狀、筒狀等形狀來(lái)形成。設(shè)置在電極501的固體電介質(zhì)體510必須將電極501完全覆蓋。若不被固體電介質(zhì)覆蓋則有電極彼此直接對(duì)置的部位,就會(huì)從那里發(fā)生電弧放電。作為固體電介質(zhì),可以舉出二氧化硅、氧化鋁、二氧化鋯、二氧化鈦等金屬氧化物、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚四氟乙烯等塑料、玻璃、鈦酸鋇等復(fù)合氧化物等。固體電介質(zhì)體的形狀可以是薄板狀、也可以是膠片狀,但是優(yōu)選厚度為0.05~4mm。為了發(fā)生放電等離子體化需要高電壓,如果固體電介質(zhì)過(guò)薄的話,在施加電壓時(shí)會(huì)引起絕緣破壞,發(fā)生電弧放電。給電極501供給電力的電源504,可以使用直流電源、或是高頻電源。在使用直流電源的情況下,為了放電穩(wěn)定化,優(yōu)選間歇地供給電力,優(yōu)選其頻率為50Hz~100kHz,脈沖持續(xù)時(shí)間為1~100μsec。
處理氣體的選擇可以只以將撥液性表面有選擇地處理為親液性表面的目的來(lái)進(jìn)行。處理氣體使用He、Ne、Ar、Kr、Xe等惰性氣體或是氧氣、氮?dú)獾哪骋环N。
大氣壓或是大氣壓附近的范圍的壓強(qiáng)可以為1.30×101~1.31×105Pa。其中,可以是如下的結(jié)構(gòu)為了保持反應(yīng)空間為比大氣壓減壓的狀態(tài),可以將噴嘴體和被處理基板保持在形成封閉空間的反應(yīng)室內(nèi),通過(guò)排氣單元維持減壓狀態(tài)。
接著,說(shuō)明用于排出滴液的噴嘴體。將電信號(hào)508傳送給壓電元件505,從液滴筒507按電信號(hào)的時(shí)序送入排出組成物,并將其從排出口506向進(jìn)行了等離子體處理的區(qū)域排出。此時(shí)比大氣壓低的壓強(qiáng)由于減少了從排出開始到滴落為止與氣體分子或浮游物等的沖突概率,所以滴落精度有變好的傾向。此外,以通過(guò)等離子體處理向變化為親液性的區(qū)域或槽部排出的方式,形成無(wú)滴落后的液滴移動(dòng)的圖形。
在圖5中進(jìn)行等離子體處理的噴嘴體和排出液滴的噴嘴體雖然一體化了,但是也可以以適當(dāng)?shù)木嚯x離開。
圖6表示了等離子體處理單元和液滴排出單元一體化的簡(jiǎn)略結(jié)構(gòu)。圖6表示等離子體處理和液滴排出處理的表面。在圖6(A)中表示了一體化了的筒狀噴嘴603中等離子體處理口600和液滴排出口601盡量靠近排列的結(jié)構(gòu)。對(duì)于分別從處理口放出的等離子體量和液滴量,雖然可以配合被處理圖形的大小來(lái)決定適合的大小,但是如果是等離子體處理也會(huì)根據(jù)氣體流量和壓強(qiáng)變化,即使是液滴排出也會(huì)根據(jù)對(duì)壓電元件的脈沖電壓的大小和切換來(lái)變化。此外,處理口的形狀也不限定于圖6(A)那樣的圓形,可以按照橢圓形、長(zhǎng)方形、正方形、三角形等用途來(lái)變化。
圖6(B)是對(duì)圖6(A)的處理口的前端進(jìn)行了加工,為了處理較微小、微量的區(qū)域而改變形狀。筒狀噴嘴606的等離子體處理口604與前端變細(xì)的噴嘴607相連接。液滴排出口605也與前端變細(xì)的噴嘴608相連接,等離子體處理噴嘴607與液滴排出噴嘴608盡可能的靠近排列。由此,不僅是微小區(qū)域,就是等離子體處理后不移動(dòng),也可以向等離子體處理位置排出液滴。
圖7對(duì)集合了多個(gè)等離子體處理單元和液滴排出單元一體化了的噴嘴的圖形描繪單元的一個(gè)方式進(jìn)行了說(shuō)明。在基板700上具備等離子體處理單元和液滴排出單元701。圖7中,等離子體處理單元和液滴排出單元701不是相對(duì)基板移動(dòng),而是以多個(gè)基板700下的旋轉(zhuǎn)軸做適當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)的方式來(lái)處理基板700。此等離子體處理單元和液滴排出單元701,使用多個(gè)具備等離子體照射口711和液滴排出口712的噴頭(head),其被配置在單軸方向(基板700的寬度方向)上。設(shè)置有攝像單元702,用于基板700上的標(biāo)識(shí)位置的檢測(cè)和觀察圖形。等離子體照射口711的噴頭只要可以控制等離子體照射的量和時(shí)間即可。液體排出單元的噴頭712只要可以控制排出或滴下的組成物的量和時(shí)間即可,優(yōu)選噴墨方式那樣的使用壓電元件來(lái)排出組成物的結(jié)構(gòu)或在排出口設(shè)置針型閥來(lái)控制滴下量的結(jié)構(gòu)。
構(gòu)成等離子體處理單元和液滴排出單元701的分配器703不一定必須同時(shí)以相同時(shí)序做排出動(dòng)作,可以通過(guò)配合基板700的移動(dòng),各個(gè)噴頭711、712控制排出等離子體照射和排出組成物的時(shí)間,形成作為目的的圖形。
液滴排出單元的各個(gè)噴頭712連接到控制單元,通過(guò)用計(jì)算機(jī)707對(duì)其進(jìn)行控制,可以描繪預(yù)先被編程的圖形。描繪的時(shí)間例如可以以在基板700上形成的標(biāo)識(shí)708為基準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行。用攝像單元702檢測(cè)該標(biāo)識(shí),在圖像處理單元706變換為數(shù)字信號(hào)后用計(jì)算機(jī)707進(jìn)行識(shí)別,發(fā)生控制信號(hào)并發(fā)送到控制單元704。當(dāng)然,要形成于基板700上的圖形信息被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)705上,基于此信息將控制信號(hào)發(fā)送到控制單元704,可以對(duì)液滴排出單元的各個(gè)噴頭712進(jìn)行個(gè)別地控制。
對(duì)于等離子體照射單元的各個(gè)噴頭711也與液滴排出單元相同,連接到控制單元,通過(guò)用計(jì)算機(jī)707控制,可以照射為預(yù)先被編程的圖形。等離子體照射噴頭711連接到氣體供給單元709和電極的電源710上。另外,氣體的排氣用未設(shè)置在各分配器703上的、覆蓋裝置的罩統(tǒng)一排出,在圖7沒(méi)有特別地記載出來(lái)。
實(shí)施例[實(shí)施例1]通過(guò)圖8~圖11說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
圖8(A)是用于形成柵電極和布線而形成導(dǎo)電性的覆蓋膜的工序。
基板使用玻璃或石英等有透光性的物質(zhì),但在各工序中只要是能承受處理溫度的物質(zhì),就不僅限于有透光性的物質(zhì),可以使用其它的基板?;?500的尺寸優(yōu)選使用600mm×720mm、680mm×880mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm、1150mm×1300mm、1500mm×1800mm、1800mm×2000mm、2000mm×2100mm、2200mm×2600mm、或是2600mm×3100mm那樣的大面積基板,可以削減制造成本。在基板10上,通過(guò)具備在單軸方向排列多個(gè)噴出口的噴嘴體的覆蓋膜形成單元來(lái)形成鋁、鈦、鉭或鉬等的導(dǎo)電膜11。排出的導(dǎo)電材料優(yōu)選含有顆粒直徑約1μm的金屬微粒子的導(dǎo)電性組成物、或是將顆粒直徑約1μm的金屬微粒子和納微尺寸的超微粒子分散在導(dǎo)電性的高分子組成物中的物質(zhì)。因?yàn)閷?dǎo)電膜11以溶劑類的糊劑的狀態(tài)被涂敷,所以與玻璃基板的密接性較差。因此,在排出前對(duì)排出區(qū)域通過(guò)等離子體處理,將氫等還原性氣體或四氟化碳(CF4)、三氟化氮(NF3)、六氟化硫(SF6)、其它的氟化物氣體與氧氣(O2)等適當(dāng)組合,如實(shí)施方式表示那樣地在玻璃基板表面形成收納排出液的微小的槽。即使不形成槽,也可以進(jìn)行使表面的凹凸變大的處理從而提高與基板的密接性。此外,為了讓放電穩(wěn)定地持續(xù),這些氟化物氣體可以用氦氣、氬氣、氪氣、氙氣等稀有氣體稀釋后來(lái)使用。優(yōu)選等離子體發(fā)生的電源使用高頻電源或高壓脈沖電源進(jìn)行,高頻為10~100MHz的頻率,脈沖電源的頻率為50Hz~100kHz,脈沖持續(xù)時(shí)間為1~100μsec。壓強(qiáng)為大氣壓或是大氣壓附近的范圍,壓強(qiáng)范圍可以為1.3×101~1.31×105Pa。在排出液滴時(shí),比大氣壓減壓的環(huán)境下,由于減少?gòu)呐懦龅降温錇橹古c氣體分子或浮游物等的沖突概率,所以滴落精度有變好的傾向。用于處理為親液性的等離子體發(fā)生的反應(yīng)氣體可以適當(dāng)選用He、Ne、Ar、Kr、Xe等惰性氣體或是氧氣、氮?dú)獾哪骋环N或多種。導(dǎo)電膜11不需要在基板10的全體表面形成,優(yōu)選在形成柵電極和布線的區(qū)域附近有選擇地成膜。導(dǎo)電性金屬液排出到基板上后,在100℃、3分鐘期間干燥,200~500℃、經(jīng)15~30分鐘燒成。在干燥前,用輥?zhàn)拥饶Σ翆?dǎo)電膜,可以使其平坦。
其后,如圖8(B)所示那樣,通過(guò)在單軸方向排列多個(gè)等離子體照射口和組成物的排出口的液滴排出單元13,照射提高密接性的氧氣、氮?dú)?、氦氣等的等離子體之后,有選擇地排出抗蝕劑組成物,在導(dǎo)電膜11上形成用于形成柵電極的掩模圖形14。此時(shí),該液滴排出單元因?yàn)榕懦隹谥辉趩屋S方向排列,所以只要在需要的地方使噴頭動(dòng)作即可(13a),為了處理基板的全體表面,可以讓基板10和等離子體照射單元和液滴排出單元13的任意一方或兩方移動(dòng)。這樣的處理在以下的工序中也是同樣的。
圖8(C)是使用掩模圖形14進(jìn)行刻蝕形成柵電極和布線16的工序??涛g使用在單軸方向排列多個(gè)等離子體噴出口的覆蓋膜除去單元來(lái)進(jìn)行。雖然在導(dǎo)電膜11的刻蝕中,使用了氟化物氣體或氯化物氣體,但是在噴嘴體15中,此反應(yīng)性氣體不需要噴射到基板10的全體表面,在噴嘴體15中,可以使與形成導(dǎo)電膜11的區(qū)域?qū)χ玫膰娮祗w15a動(dòng)作,只對(duì)該區(qū)域進(jìn)行處理。
圖8(D)是除去掩模圖形14的工序,使用在單軸方向排列多個(gè)等離子體噴出口的覆蓋膜除去單元。在噴嘴體17中,雖然為了進(jìn)行灰化處理而進(jìn)行氧氣等離子體處理,但是這也不需要對(duì)基板的全體表面進(jìn)行,只使在形成有掩模圖形的區(qū)域附近的噴嘴體17a動(dòng)作來(lái)有選擇地處理就可以。
圖9(A)中進(jìn)行柵極絕緣膜19、非單晶硅膜20、保護(hù)膜21的形成。這些層疊體的形成,可以準(zhǔn)備多個(gè)擔(dān)當(dāng)各個(gè)覆蓋膜的形成的噴嘴體18,來(lái)連續(xù)地成膜,也可以在每次噴嘴體18掃描一次,切換反應(yīng)氣體種類,來(lái)依次層疊形成。要形成覆蓋膜的區(qū)域,因?yàn)椴皇腔?0的全體表面,所以例如可以只對(duì)要形成TFT的區(qū)域,從噴嘴體18的全體表面供給等離子體化的反應(yīng)氣體進(jìn)行覆蓋膜的形成。在形成氧化硅膜的情況下,使用硅烷和氧氣等氧化物氣體,還可以使用TEOS。柵極絕緣膜19可以在基板的全體表面形成,當(dāng)然,也可以在形成TFT的區(qū)域附近有選擇地形成。
圖9(B)是形成掩模圖形23的工序,通過(guò)在單軸方向排列多個(gè)組成物的排出口的等離子體處理單元和液滴排出單元22,在照射提高密接性的氧氣、氮?dú)?、氦氣等等離子體之后,有選擇地排出抗蝕劑組成物,形成用于形成溝道部的保護(hù)膜的掩模圖形23。
圖9(C)是使用掩模圖形23進(jìn)行保護(hù)膜21的刻蝕并形成溝道部的保護(hù)膜25的工序。用氮化硅膜形成的溝道保護(hù)膜可以使用SF6等氟化物氣體來(lái)進(jìn)行。
其后,通過(guò)覆蓋膜除去單元與圖9(D)的情況相同地除去掩模圖形23。
圖9(D)是形成用于形成TFT的源極和漏極的一導(dǎo)電類型的非單晶硅膜27的工序。雖然典型地是形成n型的非單晶硅膜,但是從噴嘴體26供給的反應(yīng)性氣體也可以混合硅烷等硅化物氣體和含有如以磷化氫為代表的周期率第15族元素的氣體來(lái)進(jìn)行。
圖10(A)是為了形成源極和漏極的布線而通過(guò)等離子體處理提高密接性后涂敷溶劑類的導(dǎo)電性膠來(lái)形成的工序。等離子體處理單元和液滴排出單元28照射提高密接性的氧氣、氮?dú)?、氦氣等的等離子體之后,可以使用用壓電元件使液滴排出的結(jié)構(gòu),也可以用分配器方式。無(wú)論哪種,都是有選擇地滴下含有顆粒直徑約1μm的金屬微粒子的導(dǎo)電性的組成物,直接形成源極29、漏極30的布線圖形?;蚴?,也可以使用使顆粒直徑約1μm的金屬微粒子和納微尺寸的超微粒子分散在導(dǎo)電性的高分子組成物中的物質(zhì)。由此,具有可以降低與一導(dǎo)電類型的非單晶硅膜27的接觸電阻的效果。其后,為了使組成物的溶劑揮發(fā)并使布線圖形固化,作為加熱單元,可以同樣地從噴嘴體噴射加熱了的惰性氣體,也可以使用鹵素?zé)艏訜崞骰蚝嫦浠驙t來(lái)加熱。燒成溫度為100℃、3分鐘期間干燥,200~500℃、經(jīng)15~30分鐘燒成。在干燥前,用輥?zhàn)拥饶Σ翆?dǎo)電膜,可以使其平坦。
圖10(B)將形成的源極布線29和漏極布線30作為掩模,進(jìn)行位于其下層側(cè)的一導(dǎo)電類型的非單晶硅膜27和非單晶半導(dǎo)體膜20的刻蝕??涛g通過(guò)從噴嘴體31照射等離子體化的氟化物氣體來(lái)進(jìn)行。即使是這種情況下,噴射的反應(yīng)性氣體的量在布線形成區(qū)域附近和其他區(qū)域其噴出量不同,在非單晶硅膜露出的區(qū)域大量噴出,由此,取得刻蝕平衡,可以抑制反應(yīng)性氣體的消耗量。
圖10(C)是全面地形成保護(hù)膜的工序,從噴嘴體32噴出等離子體化的反應(yīng)性氣體,有代表性是進(jìn)行氮化硅膜33的覆蓋膜形成。導(dǎo)電膜由于是顆粒直徑約1μm的超微粒子,所以有可能會(huì)向接觸的薄膜中熱擴(kuò)散。但是,氮化硅膜與氧化膜相比較,具有防止擴(kuò)散、保護(hù)能力優(yōu)越的效果。此外,氮化硅膜為了做成較硬的阻擋膜,可以在氮化硅膜中摻雜Ar等。
圖10(D)是接觸孔的形成,使用噴嘴體34,通過(guò)在形成接觸孔的地方有選擇地噴出等離子體化了的反應(yīng)性氣體,可以無(wú)掩模地進(jìn)行接觸孔35的形成。此外,可以使用HF類的濕式刻蝕液代替等離子體氣體,進(jìn)行局部濕式刻蝕。此時(shí),滴下刻蝕液之后,滴下純水除去刻蝕液,以使刻蝕不過(guò)度。
其后,如圖11所示那樣,形成透明電極37。等離子體處理單元和液滴排出單元36照射提高密接性的氧氣、氮?dú)?、氦氣等的等離子體之后,排出成為透明電極的液滴。在這種情況下,可以使用用壓電元件讓液滴排出的結(jié)構(gòu),也可以使用分配器方式。被排出的透明電極材料可以使用含有顆粒直徑約1μm的金屬微粒子的傳導(dǎo)性的組成物、或是將顆粒直徑約1μm的金屬微粒子和納微尺寸的超微粒子分散在導(dǎo)電性的高分子組成物中的物質(zhì)。含有氧化銦錫、氧化錫、氧化鋅等導(dǎo)電性粒子的粉體的組成物通過(guò)液滴排出單元形成,特別是,可以降低與一導(dǎo)電類型的非單晶硅膜27的接觸部的電阻。在此工序中形成像素電極。排出透明電極材料之后,為使組成物的溶劑揮發(fā)而使布線圖形固化,作為加熱單元,可以同樣地從噴嘴體噴射加熱了的惰性氣體,也可以使用鹵素?zé)艏訜崞骰蚝嫦浠驙t來(lái)加熱。燒成溫度為100℃、3分鐘期間干燥,200~500℃、經(jīng)15~30分鐘燒成。在干燥前,用輥?zhàn)拥饶Σ翆?dǎo)電膜,可以使透明電極表面的凹凸消失那樣地平坦化。
以后的工序在制造液晶顯示裝置的情況下為必要的工序,但以下的工序也使用非接觸的液滴排出單元。如圖12所示那樣,通過(guò)等離子體處理單元120、液滴排出單元121和加熱單元122,形成定向膜,通過(guò)摩擦單元124做摩擦處理。進(jìn)而通過(guò)液滴排出單元125描繪密封材料,通過(guò)散布單元126散布襯墊粉之后,通過(guò)液晶滴下單元127在基板上滴下液晶。
在對(duì)置側(cè),基板從其他的卷出輥?zhàn)?28供給并粘在一起。通過(guò)固化單元129使密封材料固化,固接2塊基板。并且,通過(guò)分?jǐn)鄦卧?30,切出適當(dāng)?shù)拿姘宄叽纾梢灾圃煲壕姘?31。
綜上所述,制作了使用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制作方法的顯示裝置。
使用實(shí)施本發(fā)明而形成的顯示裝置,可以完成如圖13例示的電視顯像器、計(jì)算機(jī)、影像再生裝置及其他的電子裝置。
圖13(A)是應(yīng)用本發(fā)明并完成電視顯像器的一個(gè)例子,通過(guò)殼體2001、支承座2002、顯示部2003、揚(yáng)聲器部2004、視頻輸入端子2005等來(lái)構(gòu)成。通過(guò)使用本發(fā)明,可以特別是以低成本制造30型以上的畫面尺寸的電視顯像器。進(jìn)而,通過(guò)使用本發(fā)明的裝置,可以完成電視顯像器。
圖13(B)是應(yīng)用本發(fā)明并完成筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的一個(gè)例子,通過(guò)主體2201、殼體2202、顯示部2203、鍵盤2204、外接端口2205、指示鼠標(biāo)2206等來(lái)構(gòu)成。通過(guò)使用本發(fā)明,可以以低成本制造具有15~17型級(jí)別的顯示部2203的個(gè)人計(jì)算機(jī)。
圖13(C)是應(yīng)用本發(fā)明并完成影像裝置的一個(gè)例子,通過(guò)主體2401、殼體2402、顯示部A2403、顯示部B2404、記錄介質(zhì)讀入部2405、操作鍵2406、揚(yáng)聲器部2407等構(gòu)成。通過(guò)使用本發(fā)明,可以在具有15~17型級(jí)別的顯示部2203的同時(shí),以低成本制造實(shí)現(xiàn)了輕量化的影像再生裝置。
本實(shí)施例用圖14~16對(duì)使用液滴排出法使液滴組成物填充到接觸孔(開孔)中的方法進(jìn)行說(shuō)明。
圖14(A)中,在基板3000上具有半導(dǎo)體3001、在該半導(dǎo)體3001上具有絕緣體3002,絕緣體3002具有接觸孔3003。作為接觸孔的形成方法,可以使用公知的方法,也可以使用液滴排出法。在此情況下,通過(guò)從噴嘴排出濕式刻蝕溶液的方法,形成接觸孔3003。于是,通過(guò)液滴排出法,可以連續(xù)地進(jìn)行接觸孔的形成和布線的形成。
并且,使噴嘴3004移動(dòng)到接觸孔3003的上方,在該接觸孔3003連續(xù)地排出液滴組成物,用液滴組成物填充該接觸孔3003(圖14(B))。其后,重置噴嘴3004的位置,通過(guò)有選擇地排出液滴組成物的方式,可以形成在接觸孔3003填充了液滴組成物的導(dǎo)電體3005(圖14(C))。用這種方法,噴嘴3004多次掃描相同的地方。
接著,用圖15說(shuō)明與上述不同的方法。在本方法中,使噴嘴3004移動(dòng),只在形成布線的區(qū)域有選擇地排出液滴組成物,形成導(dǎo)電體3006(圖15(B))。接著,移動(dòng)到接觸孔3003的上方,在該接觸孔3003連續(xù)地排出液滴組成物。其結(jié)果,可以形成在接觸孔3003填充了液滴組成物的導(dǎo)電體3007(圖15(C))。用這種方法,噴嘴3004多次掃描相同的地方。
接著,用圖16說(shuō)明與上述不同的方法。在本方法中,首先,移動(dòng)噴嘴3004,有選擇地排出液滴組成物(圖16(A))。并且,噴嘴3004如果到達(dá)了接觸孔3003的上方,則連續(xù)地排出液滴組成物,用液滴組成物填充該接觸孔(圖16(B))。其結(jié)果,可以形成在接觸孔3003填充了液滴組成物的導(dǎo)電體3008(圖16(C))。用這種方法,噴嘴3004就不會(huì)多次掃描相同的地方。
通過(guò)使用上述的任意一種方法,可以形成在接觸孔中也填充液滴組成物的導(dǎo)電體。
另外,如果使用液滴排出法,則可以當(dāng)即制作被輸入到計(jì)算機(jī)等中的電路布線。對(duì)此時(shí)的系統(tǒng),用圖17簡(jiǎn)單地說(shuō)明。
作為主干的構(gòu)成要素,可以舉出CPU3100、易失性存儲(chǔ)器3101、非易失性存儲(chǔ)器3102和鍵盤或操作按鈕等輸入單元3103、具有液滴排出單元3104的液滴排出裝置。對(duì)其動(dòng)作如果簡(jiǎn)單地說(shuō)明,通過(guò)輸入單元3103,輸入了電路布線數(shù)據(jù),此數(shù)據(jù)經(jīng)由CPU3100被保存在易失性存儲(chǔ)器3101或非易失性存儲(chǔ)器3102。并且,基于此數(shù)據(jù),通過(guò)液滴排出單元3104有選擇地排出液滴組成物,可以形成布線。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu),就不需要以曝光為目的的掩模,可以大幅度地削減曝光、顯影等工序。其結(jié)果,生產(chǎn)能力提高,可以大幅度地提高生產(chǎn)性。此外,本結(jié)構(gòu)也可以以修理布線的斷線部位、布線與電極間的電接續(xù)不良部位等為目的來(lái)使用。此時(shí),優(yōu)選在例如計(jì)算機(jī)等中輸入修理部位,從噴嘴向該部位排出液滴組成物。此外,對(duì)于米見方的大型基板可以簡(jiǎn)單地形成布線,進(jìn)而由于只在期望的部位涂敷必要的材料就可以,所以材料的浪費(fèi)很少,故可以實(shí)現(xiàn)材料的利用率的提高和制作費(fèi)用的削減。
權(quán)利要求
1.一種圖形的制作方法,其特征在于,在絕緣表面上形成撥液性的薄膜,通過(guò)等離子體發(fā)生單元有選擇地使上述薄膜的表面變?yōu)橛H液性,通過(guò)液滴排出單元向上述薄膜的親液性表面排出液滴組成物,從而制作圖形。
2.一種圖形的制作方法,其特征在于,在絕緣表面上形成親液性的薄膜,通過(guò)等離子體發(fā)生單元有選擇地在上述薄膜的表面形成槽或孔,通過(guò)液滴排出單元向上述薄膜的槽或孔排出液滴組成物,從而制作圖形。
3.如權(quán)利要求1或2所述的圖形的制作方法,其特征在于,上述液滴組成物是導(dǎo)電性材料、抗蝕劑材料、高分子材料或發(fā)光性材料。
4.如權(quán)利要求1所述的圖形的制作方法,其特征在于,撥液性的薄膜是半導(dǎo)體膜、導(dǎo)電性膜、高分子膜的任意一種。
5.如權(quán)利要求2所述的圖形的制作方法,其特征在于,親液性的薄膜是氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、金屬氧化膜的任意一種。
6.如權(quán)利要求1或2所述的圖形的制作方法,其特征在于,對(duì)于上述等離子體發(fā)生單元和液滴排出單元,處理單元的壓強(qiáng)范圍為1.3×101~1.31×105Pa。
7.如權(quán)利要求1或2所述的圖形的制作方法,其特征在于,親液性表面的接觸角θ為0°≤θ<10°,撥液性表面的接觸角θ為10°θ<180°。
8.一種液滴排出裝置,其特征在于,具有等離子體發(fā)生單元,在第1和第2電極間導(dǎo)入處理氣體的狀態(tài)下,使用在上述第1或上述第2電極上施加高頻或脈沖化的電壓而發(fā)生的等離子體,使撥液性的薄膜表面有選擇地變?yōu)橛H液性;以及液滴排出單元,向上述薄膜的親液性表面排出液滴組成物來(lái)制作圖形。
9.一種液滴排出裝置,其特征在于,具有等離子體發(fā)生單元,在第1和第2電極間導(dǎo)入處理氣體的狀態(tài)下,使用在上述第1或上述第2電極上施加高頻或脈沖化的電壓而發(fā)生的等離子體,在親液性的薄膜表面上有選擇地形成槽;以及液滴排出單元,向上述薄膜的槽排出液滴組成物來(lái)制作圖形。
10.如權(quán)利要求8或9所述的液滴排出裝置,其特征在于,具有上述等離子體發(fā)生單元和上述液滴排出單元一體化的結(jié)構(gòu)、或能夠進(jìn)行連續(xù)處理的結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求8或9所述的液滴排出裝置,其特征在于,上述等離子體發(fā)生單元在一對(duì)設(shè)置了固體電介質(zhì)的電極和電極間導(dǎo)入處理氣體,具有高頻或脈沖電源。
12.如權(quán)利要求8所述的液滴排出裝置,其特征在于,撥液性的薄膜是半導(dǎo)體膜、導(dǎo)電性膜、高分子膜的任意一種。
13.如權(quán)利要求9所述的液滴排出裝置,其特征在于,親液性的薄膜是氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、金屬氧化膜的任意一種。
14.如權(quán)利要求8或9所述的液滴排出裝置,其特征在于,對(duì)于上述等離子體發(fā)生單元和液滴排出單元,處理單元的壓強(qiáng)范圍為1.3×101~1.31×105Pa。
15.如權(quán)利要求8或9所述的液滴排出裝置,其特征在于,親液性表面的接觸角θ為0°≤θ<10°,撥液性表面的接觸角θ為10°≤θ<180°。
全文摘要
本發(fā)明的特征在于包含下述工序,即通過(guò)發(fā)生等離子體的單元(102),使在具有絕緣性的基板例如玻璃基板上形成的撥液性的薄膜例如半導(dǎo)體膜有選擇地變?yōu)橛H液性,通過(guò)液滴排出單元(103)向上述親液性表面排出液滴組成物,從而制作圖形。通過(guò)用撥液性區(qū)域來(lái)夾持有選擇地形成的親液性區(qū)域,能夠使滴落后的液滴不從滴落位置移動(dòng)地來(lái)形成。
文檔編號(hào)H01L21/288GK1812851SQ20048001802
公開日2006年8月2日 申請(qǐng)日期2004年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月25日
發(fā)明者前川慎志, 山崎舜平 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所