專利名稱：發(fā)光裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及包括發(fā)光器件(例如布置在絕緣基板表面上的發(fā)光二極管(LEDs))的發(fā)光裝置。更具體地說，本發(fā)明涉及尺寸可以降低、散熱性能優(yōu)異、允許更大電流通過，并且在高發(fā)光效率下亮度顯著增加的發(fā)光裝置。
背景技術：
發(fā)光二極管(下文中也稱作LED芯片)是在施加電壓時用作光源并且作為兩種半導體之間接觸表面(pn-結)附近電子和空穴復合的結果而發(fā)光的發(fā)光器件(發(fā)光元件)。這些發(fā)光器件尺寸小并且電能到光的轉化效率高，因此被廣泛地用作家用電器、光操作開關和LED指示器(LED顯示器)。
與使用燈絲的電燈泡不同，發(fā)光二極管是半導體器件，因而不會爆裂、初始驅(qū)動性能優(yōu)異，并且即使在擾動和/或重復開/關操作下也具有優(yōu)異的耐用性。因此，發(fā)光二極管也被用作指示器的背光或者典型的用于汽車儀表板的顯示器。特別地，因為它們可以發(fā)出色飽和度高的明亮顏色的光而不受陽光的影響，所以發(fā)光二極管的使用將會擴展至，例如布置在戶外的顯示器、交通用途的顯示器和交通信號燈等。
作為載有(bearing)發(fā)光器件(舉例來說如LED芯片)的傳統(tǒng)發(fā)光裝置，建議了圖4所示的發(fā)光裝置(例如參見專利文獻(日本待審專利申請公開第10-215001號))。該發(fā)光裝置1包括陶瓷封裝3、作為發(fā)光器件的LED芯片、第一金屬層6、第二金屬層7和樹脂模8。陶瓷封裝3包括導電布線(conductive interconnection)2并且具有凹孔(concaveopening)。LED芯片5借助凹孔中的連接線4與導電布線2電連接。第一金屬層6和第二金屬層7布置在凹孔的側壁上。樹脂模8密封凹孔。
該專利文獻提到根據(jù)傳統(tǒng)的發(fā)光器件，布置在凹孔中的第一金屬層6用于增加與陶瓷封裝3的附著力，另外第二金屬層7用來反射從LED芯片5發(fā)出的光，因此可以降低光的損失并且可以增加顯示器的典型對比度。
但是，因為具有LED芯片的陶瓷封裝由主要包含氧化鋁(Al2O3)并且熱導率低的陶瓷材料組成，并且用來密封LED芯片的模樹脂也具有低的熱導率，所以傳統(tǒng)的發(fā)光裝置具有散熱性能非常不良的致命缺點。LED芯片可能由于施加高電壓和/或大電流時產(chǎn)生的熱量而破裂。因此，因為可以施加到LED芯片上的最高電壓低并且供應的電流局限于幾十毫安，所以傳統(tǒng)的發(fā)光裝置具有低的亮度。
因為只需要低的亮度，所以使用LED芯片的傳統(tǒng)發(fā)光裝置已經(jīng)在實踐中使用，而即使在上述電流量下也沒有明顯的問題。但是隨著最近LED發(fā)光裝置特殊用途的擴展，技術上需要實現(xiàn)在更高功率下通過可以增加至約幾安培的電流并因而亮度增加的結構。
另外，在如圖4所示的傳統(tǒng)發(fā)光裝置中，通過引線接合工藝電連接LED芯片和導電布線，以至于引線升高的部分在裝置的厚度方向中突起，并且不利地需要大的用于連接引線邊緣的電極區(qū)。因此，導致包括布線結構的LED封裝尺寸變大的問題。
此外，當在如圖4所示的凹孔中安裝LED芯片，從而避免引線在裝置厚度方向中突起的不利影響時，從LED芯片中發(fā)出的光被凹孔的內(nèi)壁吸收，從而增加了光損失，因而發(fā)光效率降低。因此，根據(jù)現(xiàn)有技術，在凹孔的內(nèi)壁上布置反射光的金屬層，從而降低了光的吸收損失。但是，在具有彎曲內(nèi)壁的凹孔中均勻地形成這種反射金屬層是非常困難的，并且發(fā)射的光被內(nèi)壁部分吸收，導致光損失。另外，還發(fā)現(xiàn)凹孔的內(nèi)壁自身具有抑制光傳播或透射的結構，并因而導致亮度降低的問題。
已經(jīng)實現(xiàn)了本發(fā)明來解決傳統(tǒng)的問題，并且本發(fā)明的目的是提供一種尺寸可以降低、散熱性能優(yōu)異、允許更大電流通過，并且在高發(fā)光效率下亮度顯著增加的發(fā)光裝置。

發(fā)明內(nèi)容
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種發(fā)光裝置，其包括氮化鋁共燒基板和布置在該共燒基板正面上的發(fā)光器件，其中布置有所述發(fā)光器件的所述氮化鋁基板的正面是鏡面拋光的，以至于其表面粗糙度為0.3微米Ra或更小，并且所述發(fā)光裝置還包括汽相沉積金屬膜和導通孔(via hole)，所述汽相沉積金屬膜圍繞所述發(fā)光器件布置在氮化鋁基板的正面上并且其對發(fā)光器件發(fā)出的光的反射率為90％或更高，并且所述導通孔從其上布置有發(fā)光器件的氮化鋁基板的正面貫通至該基板的背面，從而允許從背面導通至發(fā)光器件。
在所述發(fā)光裝置中，所述汽相沉積金屬膜優(yōu)選包含鋁(Al)或銀(Ag)。發(fā)光裝置優(yōu)選包含LED芯片作為發(fā)光器件并且還包含至少一個安裝并固定在氮化鋁基板上的周邊組件。所述周邊組件選自抑制反向電流的二極管、電阻和熱敏電阻。
在所述發(fā)光裝置中，更優(yōu)選具有并安裝有發(fā)光器件的氮化鋁基板的表面粗糙度為0.1微米Ra或更小。
所述發(fā)光裝置中的發(fā)光器件優(yōu)選通過倒裝芯片技術(flip chiptechnique)安裝在所述氮化鋁基板上。
具體地說，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置使用具有高熱導率的氮化鋁(AlN)共燒基板作為陶瓷基板(LED封裝)來安裝LED芯片。特別地，通過使用具有高熱導率的氮化鋁基板，發(fā)光裝置的散熱性能顯著提高并且臨界電流量增加，從而允許大的電流通過，并因而亮度顯著增加。
因為載有發(fā)光器件的陶瓷基板(AlN基板)的表面是鏡面拋光的，所以拋光的表面的反射率增加，并且從發(fā)光器件接合面發(fā)出的光可以被有效地向基板的正面反射。因此，大大增加了發(fā)光強度(亮度)。按照日本工業(yè)標準(JIS B 0601)中規(guī)定的算術平均粗糙度(Ra)，設置鏡面拋光表面的表面粗糙度為0.3微米Ra或更小。如果使表面粗糙至具有表面粗糙度超過0.3微米Ra，趨向于發(fā)生拋光表面上發(fā)射光的不規(guī)則反射和/或吸收，并且發(fā)光強度趨向于降低。因此，設置鏡面拋光表面的表面粗糙度為0.3微米Ra或更小。通過設置表面粗糙度為0.1微米Ra或更小，可以進一步增加發(fā)射光的反射率。
另外，通過在發(fā)光器件周圍的氮化鋁基板的正面上布置對發(fā)光器件發(fā)射光的反射率為90％以上的汽相沉積金屬膜，從發(fā)光器件背面發(fā)出的光可以被汽相沉積金屬膜有效地反射，并且導向基板的正面，從而進一步增加了向基板正面的發(fā)光強度(亮度)。反射率為90％或更高的汽相沉積金屬膜優(yōu)選包含鋁(Al)或銀(Ag)。典型地通過化學汽相沉積(CVD)方法或者濺射方法形成約1至5微米厚汽相沉積金屬膜。作為反射光發(fā)光強度與入射光發(fā)光強度的比例給出上面的反射率。
因為布置有從載有發(fā)光器件的氮化鋁基板的正面貫穿至基板背面的導通孔，從而允許從基板背面導通至發(fā)光器件，所以允許電流通過導通孔從氮化鋁基板的背面通到基板正面上的發(fā)光器件。這種結構不需要通過引線接合工藝在基板的正面上連接布線、簡化了布線結構、避免了引線在發(fā)光裝置的厚度方向上突起，因而可以降低發(fā)光裝置的厚度和尺寸。
另外，通過使發(fā)光裝置包含LED芯片作為發(fā)光器件并且還包含布置在氮化鋁基板上的選自抑制反向電流的二極管、電阻和熱敏電阻的至少一個周邊組件，可以增加基板正面上的組件封裝密度并進一步降低發(fā)光裝置的尺寸。
因為在發(fā)光裝置中布置有導通孔，從而從載有發(fā)光器件的氮化鋁基片的正面貫通至其背面，因而允許從基片背面導通至發(fā)光器件，所以可以通過倒裝芯片裝配技術將發(fā)光器件安裝到氮化鋁基板上。具體地說，可以根據(jù)面朝下系統(tǒng)(face down system)進行互連(布線)，其中在例如LED芯片的發(fā)光器件的連接端上形成例如焊塊的金屬塊，并且借助導通孔和布置在布線導體端部上的連接盤(land)，將焊塊連接至布置在基板背面上的通電布線(energizing interconnection)。根據(jù)面朝下系統(tǒng)的布線結構，可以在發(fā)光器件表面的任意位置上引出電極。這種結構允許以最短的距離連接發(fā)光器件和布線導體，甚至在增加電極數(shù)量時也能抑制作為發(fā)光器件的LED芯片尺寸的增大，并且能夠在非常薄的厚度內(nèi)安裝LED芯片。
在所述發(fā)光裝置中，優(yōu)選在布置有汽相沉積金屬膜區(qū)域以外的氮化鋁基板的暴露表面上布置白色保護膜(white resist film)。
汽相沉積金屬膜起著有效地反射從發(fā)光器件發(fā)出的光的作用，并且還起著給發(fā)光器件通電的導電層的作用。因此，在發(fā)光器件正下方的導電層痕跡(trace)間不可避免地存在沒有汽相沉積金屬膜的間隙，從而劃分成正和負導電層。通常，布置有汽相沉積金屬膜的區(qū)域面積小于氮化鋁基板的表面積。這種結構不可避免地在氮化鋁基板周圍產(chǎn)生沒有布置汽相沉積金屬膜的區(qū)域，即暴露出氮化鋁基板的區(qū)域。當允許發(fā)光器件在所述條件下發(fā)光時，發(fā)射的光通過氮化鋁基板以增加的比例從沒有布置汽相沉積金屬膜的區(qū)域和/或間隙消散到基板背面上，并且降低了向正面發(fā)射的光的強度。因為氮化鋁基板的透明度隨著其純度的增加而增加，所以當?shù)X基板的純度增加，以至于其熱導率增加時，這種趨勢變得更明顯。
但是，通過在布置有汽相沉積金屬膜區(qū)域以外的氮化鋁基板的暴露的正面上布置白色保護膜，可以有效地阻止從發(fā)光器件發(fā)射的光通過氮化鋁基板消散，并且可以增加亮度。為了增加發(fā)射光的反射率，保護膜的顏色必須是白色的。
發(fā)光裝置的保護膜優(yōu)選包含阻焊油墨(solder resist ink)并且通過絲網(wǎng)印刷形成。阻焊油墨是被施用到例如印刷布線板的特定區(qū)域上的熱穩(wěn)定覆蓋件，并且用作覆蓋材料，以阻止焊劑沉積到需要形成焊塊等的區(qū)域以外的區(qū)域上。因此，通過從阻焊油墨形成保護膜，可以有效地阻止由于連接倒裝芯片的焊塊的擴展而引起導電層痕跡問的短路。另外，通過絲網(wǎng)印刷可以高效地形成包含阻焊油墨的保護膜。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置實施方案的剖視圖。
圖2是圖1所示發(fā)光裝置的平面圖。
圖3是表示根據(jù)實施例1及比較實施例1和2的發(fā)光裝置中，電流和發(fā)光強度之間關系的圖。
圖4是表示傳統(tǒng)的發(fā)光裝置結構實例的剖視圖。
圖5A和5B分別是具有保護膜的發(fā)光裝置結構一個實例的平面圖和剖視圖。
圖6A和6B分別是不具有保護膜的發(fā)光裝置的結構實例的平面圖和剖視圖。
圖7是表示圖5和6中所示發(fā)光裝置的電流和發(fā)光強度之間關系的圖。
具體實施例方式
接下來，參照附圖將更詳細地解釋并闡述根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的實施方案。
制備多個厚度和熱導率如表1所示的氮化鋁(AlN)基板、環(huán)氧樹脂基板和氧化鋁(Al2O3)基板作為實施例和比較實施例的基板。通過共燒生產(chǎn)用于實施例的氮化鋁(AlN)基板和用于比較實施例的氧化鋁(Al2O3)基板，所述基板在厚度方向上具有貫穿基板的導通孔，并且在基板背面上的導通孔端部上形成有連接盤。所述連接盤用作連接組件引線的接線端導體。
接下來，使其上待安裝LED芯片作為發(fā)光器件的氮化鋁(AlN)基板和氧化鋁(Al2O3)基板的正面接受鏡面拋光，從而使其具有如表1所示的0.1至0.3微米Ra的表面粗糙度。采用化學汽相沉積(CVD)方法在用作發(fā)光器件的LED芯片周圍的基板正面上沉積厚度如表1所示的包含銀(Ag)或鋁(Al)的金屬沉積膜。
另一方面，在比較實施例1中，使用環(huán)氧樹脂基板，并且不形成汽相沉積金屬膜。在比較實施例2和3中，在待安裝芯片的區(qū)域周圍，在熱導率低的氧化鋁(Al2O3)基板的正面上形成包含Ag或Al的汽相沉積金屬膜。除了輕微拋光基板表面以在燒結后除去殘留在基板正面上的沉積物，從而使得待安裝LED芯片的表面具有大于本發(fā)明中規(guī)定水平的表面粗糙度外，采用與實施例1相同的步驟生產(chǎn)根據(jù)比較實施例4至11的發(fā)光裝置。
在各種基板的正面上安裝具有相同規(guī)格的藍色LED芯片，通電接線端(energizing terminal)與基板背面(背后)上的連接盤連接，并且連接布線以便通過導通孔給LED芯片通電。最后，安裝黃色發(fā)光體(YAG)以覆蓋所安裝的LED芯片。由此，生產(chǎn)出發(fā)射白光的根據(jù)本實施例和比較實施例的發(fā)光裝置。
如圖1和2所示，每個根據(jù)實施例如此制備的發(fā)光裝置在結構上包括具有高熱導率的氮化鋁(AlN)基板11、安裝在AlN基板11正面上的藍色LED芯片12、覆蓋LED芯片12表面的黃色發(fā)光體13、布置在AlN基板11正面上的汽相沉積金屬膜14、在厚度方向上貫穿基板的導通孔15以及布置在基板背面上的導通孔15端部上的連接盤16。通電接線端與AlN基板11背面(背后)上的連接盤16連接，并且連接布線以便通過導通孔15給LED芯片12通電。
至于根據(jù)實施例和比較實施例制備的發(fā)光裝置，各個基板的規(guī)格(材料類型、厚度和熱導率)、安裝有LED芯片的一面的表面粗糙度和汽相沉積金屬膜的規(guī)格(類型、厚度和光學反射率)都表示在表1中。另外，通過逐漸增加向每個LED芯片上施加的電流量，確定在LED芯片穩(wěn)定發(fā)光且不會破裂的范圍內(nèi)的最大電流量。測定各個發(fā)光裝置的最大發(fā)光強度。結果表示在表1中。設定使用氧化鋁(Al2O3)基板的根據(jù)比較實施例2的發(fā)光裝置的發(fā)光強度為100％(標準值)，以相對值表示發(fā)光強度。
表1

從表1中所示的結果明顯可見，根據(jù)實施例的發(fā)光裝置具有改進的散熱性能，因而具有顯著增加的臨界電流(最大可通過的電流，或者可施加的最大電流量)并且發(fā)光強度劇烈增加，其中每個發(fā)光裝置使用具有高熱導率的氮化鋁(AlN)基板11，使用具有鏡面拋光的表面作為安裝LED芯片的表面，并且在AlN基板11的表面上包含特定的汽相沉積金屬膜。
相比而言，上面的結果再次證實使用具有低熱導率的環(huán)氧樹脂或氧化鋁(Al2O3)基板的比較實施例1至3的發(fā)光裝置由于其不良的散熱性能而在可以供應給裝置的功率方面收到限制，具有較低的臨界電流并且難以提高發(fā)光強度。在使用AlN基板但安裝LED芯片的表面具有過大表面粗糙度的根據(jù)比較實施例4的發(fā)光裝置中，盡管可以向這些裝置提供大的電流，但是在芯片接合面處光的不規(guī)則反射和吸收增加，因而發(fā)射光被AlN基板吸收的比例增加。因此，這些裝置的發(fā)光強度降低。
圖3是表示根據(jù)實施例1及比較實施例1和2的發(fā)光裝置中電流和發(fā)光強度關系的圖。與使用樹脂基板或氧化鋁(Al2O3)基板的根據(jù)比較實施例1和2的發(fā)光裝置相比，使用氮化鋁(AlN)基板11作為LED芯片12的安裝基板的根據(jù)實施例1的發(fā)光裝置的臨界電流顯著增加并且亮度劇烈增加。
根據(jù)各個實施例的發(fā)光裝置10使用具有高熱導率的氮化鋁(AlN)共燒基板11作為安裝藍色LED芯片12的基板(LED封裝)。因此，發(fā)光裝置10的散熱性能顯著增加，以至于臨界電流(可施加的最大電流量)增加，因而允許大的電流通過，并且亮度顯著增加。
因為安裝LED芯片作為發(fā)光器件的氮化鋁(AlN)基板11的表面是鏡面拋光的，所以拋光表面的反射率增加，并且可以有效地向基板的正面反射從LED芯片12的接合面發(fā)出的光。因此，可以大大地增加發(fā)光強度(亮度)。
因為導通孔15被布置成從載有LED芯片12的氮化鋁基板11的正面貫穿至基板背面，從而允許從背面通到LED芯片12，所以允許電流通過導通孔15從氮化鋁基板11的背面流至正面上的LED芯片12。這種結構不需要通過引線接合工藝在基板11的正面上連接布線，簡化了布線結構，避免了引線在發(fā)光裝置的厚度方向上的突起，因而可以降低發(fā)光裝置10的厚度和尺寸。
因為導通孔15被布置成從氮化鋁基板11正面貫穿至其背面，從而允許從背面導通至LED芯片12，所以根據(jù)面朝下系統(tǒng)可以通過倒裝芯片裝配技術互連LED芯片12。根據(jù)面朝下系統(tǒng)的布線結構可以在LED芯片12表面的任意位置上引出電極。這就允許以最短的距離連接LED芯片12和布線導體，甚至在增加電極數(shù)量時也能抑制作為發(fā)光器件的LED芯片尺寸增加，并且能夠在非常薄的厚度內(nèi)安裝LED芯片。
接下來，將說明發(fā)光裝置的一個實施方案，其中對暴露出氮化鋁基板表面的部分，例如載有汽相沉積金屬膜的區(qū)域以外的導電層痕跡(布線圖案)之間的部分，布置有白色保護膜。
如圖5A和5B所示，通過向在實施例1中制備的發(fā)光裝置中作為導電層的汽相沉積金屬膜14和14之間的間隙(痕跡間的間隙)17中涂敷、絲網(wǎng)印刷白色阻焊油墨，形成白色保護膜18。然后，借助倒裝芯片焊塊19在汽相沉積金屬膜14上安裝并固定LED芯片12作為發(fā)光器件，從而生產(chǎn)出根據(jù)實施例25的發(fā)光裝置。
如圖6A和6B所示，除了在汽相沉積金屬膜14和14之間的間隙17中不形成白色保護膜外，重復實施例25的步驟。然后，借助倒裝芯片焊塊19在汽相沉積金屬膜14上安裝并固定LED芯片12作為發(fā)光器件，從而生產(chǎn)出根據(jù)比較實施例12的發(fā)光裝置。
在逐漸增加通過電流的同時，確定根據(jù)實施例25和比較實施例12制備的發(fā)光裝置的亮度隨著時間的變化。結果表示在圖7中。
如圖7所示的結果清晰地證實，在汽相沉積金屬膜14和14之間的間隙17中形成有白色保護膜18的實施例25的發(fā)光裝置中，由于白色保護膜18的反射和掩蔽(屏蔽)作用，有效地阻止了光向AlN基板背面的消散，并且在額定電流范圍內(nèi)所述發(fā)光裝置的發(fā)光強度增加，比比較實施例12的發(fā)光強度高出約28％至32％。
作為對照，如圖6B中的箭頭所示，因為從LED芯片12發(fā)出的光從間隙17向AlN基板的背面消散，所以沒有白色保護膜的根據(jù)比較實施例12的發(fā)光裝置具有較低的亮度。
工業(yè)應用性因為根據(jù)上述構造的發(fā)光裝置使用具有高熱導率的氮化鋁(AlN)共燒基板作為安裝LED芯片的基板(LED封裝)，所以發(fā)光裝置的散熱性能顯著增加并且臨界電流增加，從而允許大的電流通過，并且亮度顯著增加。
因為載有發(fā)光器件的基板的表面是鏡面拋光的，所以拋光表面的反射率增加，并且可以有效地向基板的正面反射從發(fā)光器件接合面發(fā)出的光。因此，可以大大地增加發(fā)光強度(亮度)。
另外，因為圍繞著發(fā)光器件布置在氮化鋁基板的表面上布置有反射率對于發(fā)光器件發(fā)出的光為90％或更高的汽相沉積金屬膜，所以可以增加光的反射強度。
因為導通孔被布置成從具有發(fā)光器件的氮化鋁基板的正面貫通至其背面，從而允許從背面通到發(fā)光器件上，所以允許電流通過所述導通孔從氮化鋁基板的背面流至基板正面上的發(fā)光器件。這種結構不需要通過引線接合工藝在基板的正面上連接布線，簡化了布線結構，避免了引線在發(fā)光裝置的厚度方向上突起，因而可以降低發(fā)光裝置的厚度和尺寸。
因為導通孔被布置成從氮化鋁基板正面貫穿至其背面，從而允許從背面導通至發(fā)光器件，所以根據(jù)面朝下系統(tǒng)可以通過倒裝芯片裝配技術在氮化鋁基板上安裝發(fā)光器件。根據(jù)面朝下系統(tǒng)的布線結構可以在發(fā)光器件表面的任意位置上引出電極。這種結構允許以最短的距離連接發(fā)光器件和布線導體，即便提供增加數(shù)量的電極，也能抑制作為發(fā)光器件的LED芯片尺寸的增加，從而能夠在非常薄的厚度內(nèi)安裝LED芯片。
通過在布置有汽相沉積金屬膜區(qū)域以外的氮化鋁基板的暴露表面上(例如導電層痕跡之間的區(qū)域上)布置白色保護膜，可以進一步增加光學反射強度。
權利要求
1.一種發(fā)光裝置，其包括氮化鋁共燒基板和布置在該共燒基板正面上的發(fā)光器件，其中其上布置有所述發(fā)光器件的所述氮化鋁基板的正面被鏡面拋光，以至于其表面粗糙度為0.3微米Ra或更小，并且其中所述發(fā)光裝置還包括汽相沉積金屬膜和導通孔，所述汽相沉積金屬膜圍繞著發(fā)光器件布置在氮化鋁基板的正面上并且其對所述發(fā)光器件發(fā)出的光的反射率為90％或更高，并且所述導通孔從其上布置有發(fā)光器件的氮化鋁基板的正面貫通至該基板的背面，從而允許從背面導通至發(fā)光器件。
2.權利要求1的發(fā)光裝置，其中所述汽相沉積金屬膜包含鋁或銀。
3.權利要求1的發(fā)光裝置，其包含LED芯片作為發(fā)光器件并且還包含至少一個布置在所述氮化鋁基板上的周邊組件，該周邊組件選自抑制反向電流的二極管、電阻和熱敏電阻。
4.權利要求1的發(fā)光裝置，其中所述載有發(fā)光器件的氮化鋁基板的表面粗糙度為0.1微米Ra或更小。
5.權利要求1的發(fā)光裝置，其中通過倒裝芯片裝配技術在氮化鋁基板上安裝所述發(fā)光器件。
6.權利要求1的發(fā)光裝置，其中在布置有汽相沉積金屬膜區(qū)域以外的氮化鋁基板的暴露的正面上布置有白色保護膜。
7.權利要求6的發(fā)光裝置，其中所述保護膜包含阻焊油墨并且通過絲網(wǎng)印刷方法來形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置10，其包括氮化鋁共燒基板11和布置在該共燒基板正面上的發(fā)光器件12，其中布置有所述發(fā)光器件12的所述氮化鋁基板11的正面是鏡面拋光的，以至于其表面粗糙度為0.3微米Ra或更小，并且所述發(fā)光裝置10還包括汽相沉積金屬膜14和導通孔15，所述汽相沉積金屬膜14圍繞著發(fā)光器件12布置在氮化鋁基板11的正面上并且其對發(fā)光器件12發(fā)出的光的反射率為90％或更高。所述導通孔15從布置有發(fā)光器件12的正面穿過氮化鋁基板11通到基板的背面，從而允許從背面導通至發(fā)光器件12。所述構造可以降低發(fā)光裝置的尺寸，并提供具有優(yōu)異散熱性能，允許更大電流通過，而且在高發(fā)光效率下亮度顯著增加的發(fā)光裝置。
文檔編號H01L33/50GK1860620SQ200480028270
公開日2006年11月8日 申請日期2004年9月29日 優(yōu)先權日2003年9月30日
發(fā)明者矢野圭一 申請人:株式會社東芝, 東芝高新材料公司