專利名稱：介電陶瓷組合物和多層電子元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種介電陶瓷組合物和多層電子元件，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種適合用于溫度補(bǔ)償?shù)慕殡娞沾山M合物和多層電子元件。
背景技術(shù)：
這種普通的介電陶瓷組合物的已知例子包括由本發(fā)明的申請(qǐng)人在專利文獻(xiàn)1中提出的用于高頻的介電陶瓷組合物。介電陶瓷組合物包含由通式xMgO-ySiO2(其中x和y表示各個(gè)元素的重量百分比，滿足40≤x≤85，15≤y≤60和x+y＝100)表示的陶瓷組合物和經(jīng)燒結(jié)轉(zhuǎn)化為氧化鋇的材料(Ba源)和經(jīng)燒結(jié)轉(zhuǎn)化為氧化鍶的材料(Sr源)中的一種或兩種。以BaCO3和SrCO3計(jì)，Ba源和Sr源加入的總含量為0.3重量％～3.0重量％。
專利文獻(xiàn)2公開(kāi)一種多層陶瓷電容器，包括兩種或更多種具有不同介電特性的陶瓷介電層。在該多層陶瓷電容器中，交替地層壓介電層和導(dǎo)電層，導(dǎo)電層布置在每個(gè)介電層的至少一個(gè)表面上。另外，在每個(gè)介電層的整個(gè)表面(包括導(dǎo)電層)上，形成玻璃材料膏層，以形成包括玻璃材料膏層和導(dǎo)電層的粘合層。粘合層的導(dǎo)電層用于形成預(yù)定的圖案，陶瓷薄片結(jié)合到玻璃材料膏層和導(dǎo)電層中的一層或兩層上。導(dǎo)電層由導(dǎo)電膏或?qū)щ娬澈蟿┙M成，并且通過(guò)層壓?jiǎn)为?dú)形成并具有不同介電特性的兩種或更多種介電陶瓷薄片中的至少一片形成介電層。
專利文獻(xiàn)3公開(kāi)一種由鎂橄欖石、鈦酸鋅和鈦酸鈣組成的用于高頻的介電陶瓷組合物。該介電陶瓷組合物具有由通式xMg2SiO4-yZn2TiO4-zCaTiO3(其中x、y和z用摩爾％表示，滿足21＜x＜88，4＜y＜71，4≤z≤14和x+y+z＝100)表示的組成。
專利文獻(xiàn)1日本專利第3446249號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本審查專利申請(qǐng)公開(kāi)第6-48666號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)第2004-131320號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決的問(wèn)題專利文獻(xiàn)1的用于高頻的介電陶瓷組合物可以在比普通鎂橄欖石(Mg2SiO4)低的溫度下燒結(jié)，具有高的Q因子和高的介電常數(shù)。因此，該組合物優(yōu)選用作例如用于微波集成電路等在微波段使用的電路元件基片和介電共振支架的材料。但是，該組合物具有1350℃～1400℃之高的焙燒溫度，因?yàn)槠涓叩谋簾郎囟?，在用作多層電容器材料時(shí)仍然存在問(wèn)題。
專利文獻(xiàn)2的多層陶瓷電容器用粘合層層壓兩種或更多種的例如具有正負(fù)溫度系數(shù)的介電陶瓷薄片等具有不同介電特性的介電陶瓷薄片制成。單獨(dú)地制備具有不同介電特性的介電陶瓷薄片，用包括玻璃材料膏和導(dǎo)電膏的粘合劑粘合在一起制備層壓片，接著焙燒。因此，制備多層陶瓷電容器的方法復(fù)雜，花費(fèi)大量的時(shí)間。另外，因?yàn)槊繉泳úＡР牧细嗪蛯?dǎo)電膏的陶瓷層和粘合層之間的熱收縮系數(shù)差，會(huì)發(fā)生結(jié)構(gòu)缺陷，從而產(chǎn)生難以實(shí)現(xiàn)陶瓷電容器的小型化和多層化的問(wèn)題。
在專利文獻(xiàn)3所述的用于高頻的介電陶瓷組合物中，介電常數(shù)可以控制在8～20的范圍，共振頻率f0和Q因子的乘積Q×f0高，共振頻率f0的溫度系數(shù)τf的絕對(duì)值為30ppm/℃或更小，并且容易控制。但是，焙燒溫度為1300℃～1500℃之高，用作具有負(fù)溫度特性的材料的CaTiO3具有-1500ppm/℃之低的負(fù)梯度。因此，為了獲得0ppm/℃的溫度特性，必須加入大量的CaTiO3，導(dǎo)致介電常數(shù)在0ppm/℃下增至16的問(wèn)題。
為了解決上述問(wèn)題完成了本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種介電陶瓷組合物和多層電子元件，在低容量的小型多層電子元件設(shè)計(jì)中可以在比普通鎂橄欖石低的溫度下焙燒，控制到預(yù)定的介電常數(shù)溫度特性，并且多層化而不產(chǎn)生結(jié)構(gòu)缺陷，能降低等效串聯(lián)電阻，抑制電容量變化，滿足JIS標(biāo)準(zhǔn)特性，包括CG-CK、LG-LK、PG-PK、RG-RK、SH-SK、TH-TK、UH-UK和SL性能(此后簡(jiǎn)稱為“CG-SL性能”)。
解決問(wèn)題的手段如本發(fā)明的權(quán)利要求1所述的介電陶瓷組合物由通式MgxSio2+x+aSryTiO2+y表示，其中x、y和a分別滿足關(guān)系式1.70≤x≤1.99、0.98≤y≤1.02和0.05≤a≤0.40。
如本發(fā)明的權(quán)利要求2所述的多層電子元件包括多層介電陶瓷層的層壓片、布置在各個(gè)介電陶瓷層之間的內(nèi)電極、和電連接到內(nèi)電極上的外電極。使用權(quán)利要求1所述的介電陶瓷組合物形成介電陶瓷層。
換句話說(shuō)，本發(fā)明的介電陶瓷組合物由通式MgxSiO2+x+aSryTiO2+y表示。該介電陶瓷組合物基本上這樣形成將預(yù)定量的具有負(fù)的溫度特性的鈦酸鍶(SrTiO3)加到具有正的溫度特性、低的介電常數(shù)和優(yōu)異的高頻性能的鎂橄欖石(Mg2SiO4)中制備鎂橄欖石和鈦酸鍶的混合晶體，從而可以降低介電常數(shù)，容易控制溫度特性，得到需要的溫度系數(shù)。結(jié)果，可以得到溫度特性在溫度補(bǔ)償應(yīng)用所需要的JIS標(biāo)準(zhǔn)CG-SL特性的寬范圍中的介電陶瓷組合物。因此，本發(fā)明的介電陶瓷組合物適合用在例如用于溫度補(bǔ)償?shù)鹊牡腿萘刻沾呻娙萜鞯榷鄬与娮釉闹苽渲小?br> 在本發(fā)明的介電陶瓷組合物中，SryTiO2+y與MgxSiO2+x的摩爾比a(＝SryTiO2+y/MgxSiO2+x)滿足關(guān)系式0.05≤a≤0.40。由于隨著加入的鈦酸鍶的含量a增加，電容量的溫度系數(shù)TCC連續(xù)地變化到負(fù)值側(cè)，所以可以通過(guò)控制a的值將溫度系數(shù)控制到需要的值。即，當(dāng)a的值滿足本發(fā)明的范圍時(shí)，可以得到滿足溫度特性在JIS標(biāo)準(zhǔn)CG-SL特性的寬范圍中的介電陶瓷組合物。當(dāng)a的值小于0.05時(shí)，鎂橄欖石的溫度特性占優(yōu)勢(shì)，這樣不能改進(jìn)溫度特性。另外，當(dāng)a的值超過(guò)0.4時(shí)，電容量隨溫度的變化速率過(guò)分負(fù)地增加，介電常數(shù)εr增加。但是，在溫度特性必須比SL特性更負(fù)的應(yīng)用中，為了實(shí)現(xiàn)這樣的溫度特性，將a的值控制在0.40或更大。
在本發(fā)明的介電陶瓷組合物中，通式中的x滿足關(guān)系式1.70≤x≤1.99。如上述，普通鎂橄欖石的燒結(jié)溫度為1350℃～1400℃之高。但是，在本發(fā)明的介電陶瓷組合物中，將Mg與Sr的比(Mg/Sr＝x)控制在上述范圍中，再加入鈦酸鍶以顯著地改進(jìn)燒結(jié)性。因此，所述陶瓷組合物可以在不使用例如低熔點(diǎn)玻璃等燒結(jié)助劑的情況下，在比普通鎂橄欖石型介電陶瓷組合物低的約1100℃～1300℃下充分地?zé)Y(jié)。但是，當(dāng)x小于1.70時(shí)，不能產(chǎn)生Mg2SiO4相和SrTiO3相，不能改進(jìn)例如用于溫度補(bǔ)償?shù)亩鄬与娮釉刃枰臏囟忍匦?。并且，?dāng)x超過(guò)1.99時(shí)，不能降低介電陶瓷組合物的燒結(jié)溫度，所述介電陶瓷組合物不能在最高約1300℃的低溫范圍中燒結(jié)，例如在使用Ag-Pd合金、Pd等形成內(nèi)電極的過(guò)程中，該溫度范圍不會(huì)不利地影響多層電子元件的內(nèi)電極。
并且，在本發(fā)明的介電陶瓷組合物中，上述通式中的y滿足關(guān)系式0.98≤y≤1.02。通過(guò)控制鈦酸鍶的Sr與Ti的比(Sr/Ti＝y(tǒng))，可以使溫度特性穩(wěn)定，將其控制到目標(biāo)溫度特性。在本發(fā)明中，y的上述范圍被滿足，從而溫度特性可以穩(wěn)定在JIS標(biāo)準(zhǔn)從CG特性(電容量的溫度系數(shù)TCC＝0±30ppm/℃或更小)至SL特性(電容量的溫度系數(shù)TCC＝+350～-1000ppm/℃或更小)的寬范圍中。當(dāng)y小于0.98或超過(guò)1.02時(shí)，不能穩(wěn)定地產(chǎn)生Mg2SiO4相和SrTiO3相，這樣不能改進(jìn)溫度特性。
因此，在本發(fā)明的多層電子元件中，使用本發(fā)明的介電陶瓷組合物形成介電陶瓷層。通過(guò)使用用于形成多層電子元件的介電陶瓷層的本發(fā)明的介電陶瓷組合物，可以不使用燒結(jié)助劑，在比普通鎂橄欖石低的約1100℃～1300℃的溫度下進(jìn)行焙燒，本發(fā)明得到的多層電子元件具有低的介電常數(shù)和平坦的溫度特性。當(dāng)本發(fā)明的介電陶瓷組合物用于本發(fā)明的多層電子元件時(shí)，因?yàn)楸景l(fā)明的介電陶瓷組合物具有低的介電常數(shù)，所以可以增加介電陶瓷層的層疊數(shù)目，從而得到具有低的等效串聯(lián)電阻和小的電容量變化的多層電子元件。
使用在本發(fā)明的介電陶瓷組合物的焙燒溫度下能形成內(nèi)電極的導(dǎo)電材料形成構(gòu)成本發(fā)明的多層電子元件的內(nèi)電極。對(duì)用于內(nèi)電極的導(dǎo)電材料沒(méi)有特別的限定，優(yōu)選使用通常知道的導(dǎo)電材料，例如鈀(Pd)和鈀-銀(Pd-Ag)合金。由于如上述可以在最高1300℃的低溫下進(jìn)行焙燒，所以，甚至使用用于內(nèi)電極的Ag/Pd或Pd，形成多層電子元件時(shí)也既不發(fā)生內(nèi)電極破裂也不發(fā)生結(jié)構(gòu)缺陷。使用通常知道的導(dǎo)電材料形成構(gòu)成多層電子元件的外電極。不像對(duì)于內(nèi)電極，對(duì)用于外電極的導(dǎo)電材料的焙燒沒(méi)有限定，但是優(yōu)選使用根據(jù)內(nèi)電極的導(dǎo)電材料。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求1和2，提供一種介電陶瓷組合物和多層電子元件，在設(shè)計(jì)小的低容量多層電子元件時(shí)所述介電陶瓷組合物和多層電子元件可以在比普通鎂橄欖石低的溫度下焙燒，控制到預(yù)定的介電溫度特性，并且多層化而沒(méi)有結(jié)構(gòu)缺陷，并且所述介電陶瓷組合物和多層電子元件能夠降低等效串聯(lián)電阻，抑制電容量變化，滿足特性在溫度補(bǔ)償電容器所需要的從CG到SL的范圍中的特性。
具體實(shí)施例方式
基于圖1所示的方案描述本發(fā)明。圖1是示意地表示根據(jù)本發(fā)明的方案的多層電子元件的剖面圖。
例如，如圖1所示，根據(jù)該方案的多層電子元件(尤其是多層陶瓷電容器)1包含包括多個(gè)堆疊的介電陶瓷層2的層壓片4和布置在各個(gè)介電陶瓷層2之間的多個(gè)第一和第二內(nèi)電極3A和3B。并且，在層壓片4的兩個(gè)端面形成第一和第二外電極5A和5B以便分別電連接到第一和第二內(nèi)電極3A和3B上。
如圖1所示，每個(gè)第一內(nèi)電極3A從相應(yīng)的介電陶瓷層2的一端(圖中左端)延伸到另一端(右端)附近，每個(gè)第二內(nèi)電極3B從相應(yīng)的介電陶瓷層2的右端延伸到左端附近。例如使用Pd-Ag合金形成第一和第二內(nèi)電極3A和3B。
如圖1所示，第一外電極5A電連接到層壓片4的第一內(nèi)電極3A上，第二外電極5B電連接到層壓片4中的第二內(nèi)電極3B上。例如使用Ag-Pd合金形成第一和第二外電極5A和5B。并且，分別在第一和第二外電極5A和5B的表面上依次配置通常知道的第一電鍍層6A和6B和第二電鍍層7A和7B。
實(shí)施例下面基于實(shí)施例描述本發(fā)明。在本實(shí)施例中，根據(jù)下述程序制備表1所示的多個(gè)介電陶瓷組合物，使用各個(gè)介電陶瓷組合物制備多層陶瓷電容器。接著評(píng)價(jià)得到的多層陶瓷電容器。結(jié)果表示在表1中。在表1中，本發(fā)明范圍外的樣品標(biāo)記為*。
(1)介電陶瓷組合物的制備首先，制備高純度MgO、SiO2、SrCO3和TiO2作為原料，稱量制備表1所示的樣品No.1～18的組合物。使用球磨機(jī)濕混合和研磨每個(gè)樣品的原料以制備漿體。然后，蒸發(fā)干燥每個(gè)樣品的漿體，在1000℃下空氣中短暫地焙燒2小時(shí)。接著，干研磨短暫焙燒的粉末得到介電陶瓷組合物。
介電陶瓷組合物可以用不同于上述方法的下列方法制備首先，混合和研磨MgO和SiO2，短暫焙燒得到的混合物合成鎂橄欖石。然后混合和研磨SrCO3和TiO2，短暫地焙燒得到的混合物以合成SrTiO3。為了控制Mg/Si的摩爾比，使合成的鎂橄欖石和SrTiO3與MgCO3混合，制備具有表1所示每個(gè)組成的介電陶瓷組合物。
為了測(cè)定鈦酸鍶含量a的影響，在本發(fā)明的范圍內(nèi)，在Mg/Si(＝x)和Sr/Ti(＝y(tǒng))比分別設(shè)定為1.90和1.00的情況下，將SryTiO2+y與MgxSiO2+x的摩爾比(＝SryTiO2+y/MgxSiO2+x)從本發(fā)明的范圍改變到本發(fā)明范圍之外的值(a＝0.04～0.42)，制備介電陶瓷組合物樣品No.1～9。
為了測(cè)定x的影響，在本發(fā)明的范圍內(nèi)，在鈦酸鍶的含量a和y分別設(shè)定為0.10和1.00的情況下，通過(guò)將Mg/Si(＝x)的比從本發(fā)明的范圍改變到本發(fā)明范圍之外的值(x＝1.60～2.00)，制備介電陶瓷組合物樣品No.10～14。
為了測(cè)定y的影響，在本發(fā)明的范圍內(nèi)，在含量a和y分別設(shè)定為0.10和1.90的情況下，通過(guò)將比例y從本發(fā)明的范圍改變到本發(fā)明范圍之外的值(y＝0.97～1.03)，制備介電陶瓷組合物樣品No.15～18。
甚至當(dāng)含有CaO、BaO、ZrO2、Al2O3、Fe2O3、B2O3等時(shí)，上述制備的介電陶瓷組合物對(duì)電特性沒(méi)有顯著的影響。
(2)多層陶瓷電容器的制備稱量(1)中制備的每種介電陶瓷組合物，將預(yù)定的添加劑、聚乙烯醇縮丁醛粘合劑和例如乙醇等有機(jī)溶劑加到該組合物中。使用球磨機(jī)濕混合得到的混合物，制備出陶瓷漿體。
此后，用刮片法將陶瓷漿體制成陶瓷生板(ceramic green sheet)，用印刷方法將含Pd作主組分的導(dǎo)電膏涂布在陶瓷生板上。堆疊陶瓷生板使得到的多層陶瓷電容器含有10層有效層，并使它們加壓粘合在一起，然后切割成芯片尺寸，得到陶瓷生層壓片(ceramic green laminate)。
接著，在350℃下空氣中加熱得到的陶瓷生層壓片，除去粘合劑，在空氣中以50℃/分鐘的加熱速率加熱到1200℃，在該溫度下焙燒10分鐘，制得樣品No.1～6、9、10和13～18。將陶瓷生層壓片加熱到1100℃，然后在該溫度下焙燒2小時(shí)，制得其它樣品No.7、8、11和12。盡管如一般在多層陶瓷電容器的焙燒條件中發(fā)現(xiàn)的，加熱速率可以為5℃/分鐘，但是50℃/分鐘之高的加熱速率可以改進(jìn)多層陶瓷電容器的絕緣電阻。這樣制備的每個(gè)多層陶瓷電容器具有2.0mm×1.2mm×1.2mm的芯片尺寸和5μm的元件厚度。焙燒后，形成第一和第二外電極，在外電極表面上分兩步進(jìn)行電鍍，形成第一和第二電鍍層，從而制備評(píng)價(jià)樣品No.1～18。
(3)多層陶瓷電容器的特性評(píng)價(jià)對(duì)于樣品No.1～18中的每種，使用LCR測(cè)定儀(由HP公司生產(chǎn)的4284A)在25℃、1MHz和1V下測(cè)定電容量和Q因子，根據(jù)測(cè)定值、電極面積和元件厚度計(jì)算介電常數(shù)εr。結(jié)果表示在表1中。對(duì)于每種樣品，使用電容量溫度特性測(cè)定裝置測(cè)定電容量，根據(jù)下列方程式計(jì)算每種樣品的電容量的溫度系數(shù)TCC。結(jié)果也表示在表1。
TCC[ppm/℃]＝{(C85-C20)/C20}×{1/(85-20)}×106C2020℃下的電容量C8585℃下的電容量表1

*1未燒結(jié)表1所示的結(jié)果表明，在測(cè)定SrTiO3相對(duì)于MgxSiO2+x的含量a的影響的樣品No.1～9中，隨著SrTiO3含量a增加，a在本發(fā)明的0.05≤a≤0.40范圍內(nèi)的樣品No.2～8表現(xiàn)出溫度系數(shù)連續(xù)地變化到負(fù)值側(cè)。這樣發(fā)現(xiàn)，通過(guò)控制SrTiO3含量a可以將電容量的溫度系數(shù)TCC控制到需要的值。因此，得到的介電陶瓷組合物的電容量隨溫度變化的速率TCC滿足JIS標(biāo)準(zhǔn)CG至SL特性的寬范圍中的溫度特性。在這種情況中，可以實(shí)現(xiàn)7～22之低的介電常數(shù)εr。
特別地，在SrTiO3含量a在0.05≤a≤0.15范圍中的樣品No.2～4中，發(fā)現(xiàn)介電常數(shù)εr為12或更小，電容量的溫度系數(shù)TCC為0±60ppm/℃或更小，滿足CG或CH特性，溫度特性被滿意地弄平。
另一方面，在具有比0.05低的0.04的SrTiO3含量a的樣品No.1中，發(fā)現(xiàn)電容量隨溫度變化的速率TCC是較大的正值，這樣觀察不到加入SrTiO3的效果。還發(fā)現(xiàn)沒(méi)有改進(jìn)溫度特性。在具有超過(guò)0.40的0.42的SrTiO3含量a的樣品No.9中，發(fā)現(xiàn)電容量隨溫度變化的速率TCC是較大的負(fù)值，介電常數(shù)εr也為26之高。
表1所示的結(jié)果也表明，在測(cè)定Mg/Si(＝x)影響的樣品No.10～14中，x在本發(fā)明的范圍1.70≤x≤1.99中的樣品No.11～13表現(xiàn)出22或更小的介電常數(shù)，電容量隨溫度的變化速率TCC滿足CH或CG溫度特性。
另一方面，還發(fā)現(xiàn)，具有比1.70小的1.6的x的樣品No.10不能穩(wěn)定地制備出包括Mg2SiO4和SrTiO3相的混合晶體，從而不能改進(jìn)溫度特性。還發(fā)現(xiàn)具有超過(guò)1.99的2.0的x的樣品No.14使燒結(jié)溫度增加，這樣不能在對(duì)內(nèi)電極不產(chǎn)生有害影響的溫度范圍中的1300℃下燒結(jié)。
表1所示的結(jié)果還表明，在測(cè)定Sr/Ti(＝y(tǒng))的影響的樣品No.15～18中，具有本發(fā)明的范圍0.98≤y≤1.02中的y的樣品No.16和17可以在約1200℃下燒結(jié)，溫度特性被穩(wěn)定和控制到需要的溫度特性、介電常數(shù)εr為22或更小，電容量隨溫度的變化速率TCC滿足CG或CH特性。
另一方面，還發(fā)現(xiàn)具有比0.98小的0.97的y的樣品No.10的電容量隨溫度的變化速率TCC不滿足CG和CH特性，從而不能改進(jìn)溫度特性。還發(fā)現(xiàn)，像樣品No.10一樣，y超過(guò)1.02的樣品No.18的電容量隨溫度的變化速率TCC不滿足CG和CH特性，從而不能改進(jìn)溫度特性。
如上述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，使用由通式MgxSiO2+x+aSryTiO2+y表示，其中x、y和a分別滿足關(guān)系式1.70≤x≤1.99、0.98≤y≤1.02和0.05≤a≤0.40的介電陶瓷組合物用于多層陶瓷電容器，可以在1100℃～1200℃的低溫下進(jìn)行燒結(jié)，可以得到具有22或更小的介電常數(shù)和滿足JIS標(biāo)準(zhǔn)CG～SL特性的寬范圍的溫度特性的多層陶瓷電容器。
盡管在實(shí)施例中將多層陶瓷電容器制成多層電子元件，但是像多層陶瓷電容器一樣，本發(fā)明也適用于制備例如LC過(guò)濾器、多層基片等其它多層電子元件。盡管上面已經(jīng)描述了2.0mm×1.2mm尺寸的多層陶瓷電容器，但是因?yàn)榻殡姵?shù)低至22或更小，從而降低等效串聯(lián)電阻和抑制電容量變化，所以，可以在設(shè)計(jì)時(shí)將例如1.0mm×0.5mm、0.6mm×0.3mm或0.4mm×0.2mm尺寸的更小的多層陶瓷電容器制成多層，而不產(chǎn)生結(jié)構(gòu)缺陷。將SrTiO3相對(duì)于Mg2SiO4的含量a增加至在本發(fā)明的范圍之外的0.40或更大，可以得到溫度特性比-1000ppm/℃更負(fù)的應(yīng)用。
工業(yè)應(yīng)用性本發(fā)明可適用于例如用于溫度補(bǔ)償?shù)牡腿萘慷鄬犹沾呻娙萜鞯榷鄬与娮釉取?br>

圖1是示意地表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的多層電子元件的剖面圖。
參考數(shù)字1多層陶瓷電容器2介電陶瓷層3A、3B第一和第二內(nèi)電極5A、5B第一和第二外電極
權(quán)利要求
1.一種由通式MgxSiO2+x+aSryTiO2+y表示的介電陶瓷組合物，其中x、y和a分別滿足關(guān)系式1.70≤x≤1.99、0.98≤y≤1.02和0.05≤a≤0.40。
2.一種多層電子元件，所述元件包含多個(gè)介電陶瓷層的層壓物、布置在各個(gè)介電陶瓷層之間的內(nèi)電極、和電連接到內(nèi)電極上的外電極，其中所述介電陶瓷層使用權(quán)利要求1所述的介電陶瓷組合物形成。
全文摘要
專利文獻(xiàn)1的用于高頻的介電陶瓷組合物具有1350℃～1400℃之高的焙燒溫度，因?yàn)檫^(guò)分高的焙燒溫度，所以不適合用作多層電容器的材料。專利文獻(xiàn)2的多層電容器需要復(fù)雜費(fèi)時(shí)的制備方法，由于粘合層和陶瓷層之間的熱收縮系數(shù)差，所以產(chǎn)生結(jié)構(gòu)缺陷，從而存在多層陶瓷電容器小型化和多層化的困難。本發(fā)明的介電陶瓷組合物由通式Mg
文檔編號(hào)H01G4/12GK1890196SQ20048003652
公開(kāi)日2007年1月3日 申請(qǐng)日期2004年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月18日
發(fā)明者田村浩, 佐野晴信 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所