專利名稱：利于高產(chǎn)量并包括蝕刻終止層和/或應(yīng)力膜的置換柵流程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體和半導(dǎo)體制備方法技術(shù)領(lǐng)域；更具體地涉及減少缺陷并且提高性能的晶體管柵電極、它的制造方法。
背景技術(shù)：
在以更高性能和增加的產(chǎn)量制造集成電路努力中，出現(xiàn)了許多工藝技術(shù)。一種這樣的技術(shù)改進(jìn)是用犧牲柵電極來改進(jìn)柵電極結(jié)構(gòu)的幾何結(jié)構(gòu)和可制造性以及性能的新方法。提高集成電路性能的第二種改進(jìn)涉及包括位于下面的應(yīng)變半導(dǎo)體層的工藝。
形成一種器件的典型工藝可以由多個步驟構(gòu)成。已知的和相關(guān)的技術(shù)可以包括下面的步驟。使用初始晶片或襯底，用二氧化硅的薄膜層來首先形成用于處理的硅表面。接下來，用掩模，通常是氮化硅來制造多層?？梢杂没瘜W(xué)氣相沉積工藝或等效方法來限定并形成開關(guān)器件的有源區(qū)域，然后濕刻蝕階段可以用磷酸來隨后除去不想要的沉積物。
對于MOS器件，在硅基底或襯底上形成柵介電層，然后形成柵電極。首先，準(zhǔn)備用于加工的襯底表面，然后在襯底中形成阱區(qū)。接下來，形成包括柵介電層、側(cè)壁和側(cè)壁隔離體的柵電極結(jié)構(gòu)。隨后，通常用注入和氧化物生長步驟來形成器件內(nèi)不同區(qū)域的電氣特性。在柵電極形成之后，通常通過在硅襯底的頂表面中注入或擴(kuò)散來形成源極和漏極區(qū)。可以除去犧牲柵電極為沉積永久柵電極材料做準(zhǔn)備?？梢赃M(jìn)行改進(jìn)晶體管的幾何結(jié)構(gòu)和電氣特性的進(jìn)一步的步驟以及后面的步驟，以開口接觸窗并且形成互連結(jié)構(gòu)。
在進(jìn)行可能引入許多缺陷或高缺陷率的金屬拋光工藝中遇到了形成犧牲柵電極結(jié)構(gòu)所帶來的障礙?？赡艿娜毕荽嬖谟谑Ｓ嗟臇烹姌O結(jié)構(gòu)和中間介電層的內(nèi)部和周圍。
關(guān)于硅開關(guān)器件性能的提高，近年來的改進(jìn)之一包括在形成任何開關(guān)器件之前，在位于下面的襯底上形成應(yīng)變襯底層。典型地，在松弛的硅鍺層上制備薄的應(yīng)變硅層。然后在位于下面的應(yīng)變硅層上制備MOS器件。通過使用晶格常數(shù)大于或不同于硅的晶格常數(shù)的材料(例如硅鍺)產(chǎn)生的晶格不匹配來產(chǎn)生應(yīng)變硅層。鍺的晶格常數(shù)比硅的晶格常數(shù)約大百分之四。因此，當(dāng)沉積在含鍺襯底的頂部上時，硅晶體受到應(yīng)力。晶格不匹配使得上部硅層產(chǎn)生應(yīng)變，這在形成的硅開關(guān)內(nèi)產(chǎn)生了空穴和電子遷移率的增加。通過受到應(yīng)力的硅的電子經(jīng)受流速的增加，這使得在應(yīng)變硅層之上形成的開關(guān)器件的性能增加。
然而，應(yīng)變硅技術(shù)的困難是在應(yīng)變硅層的下面存在松弛的硅鍺層，而硅鍺層可能受到各種處理步驟的影響，例如MOS器件制備過程中的熱氧化、硅化物的形成和退火。形成應(yīng)變硅層時的另一個間題是在后面的處理步驟中隨后經(jīng)受高溫可能有效地除去位于下面的硅層中產(chǎn)生的晶格應(yīng)變中的一些或全部。


圖1示出了在柵介電層和柵電極形成之后的犧牲柵堆疊體。
圖2示出了在除去了犧牲柵、留下用于隨后的柵處理的溝槽之后的圖1中示出的結(jié)構(gòu)。保留犧牲中間層介電層。
圖3示出了在除去了犧牲柵和柵介電層、留下用于隨后的柵處理的溝槽之后的圖1中示出的結(jié)構(gòu)。沉積了置換柵介電層。保留犧牲中間層介電層。
圖4示出了在拋光之前在沉積置換柵電極之后的圖3中示出的柵堆疊體。
圖5示出了在拋光之后的圖4中示出的柵堆疊體，圖示了拋光的不均勻性。
圖6示出了在蝕刻除去犧牲中間層介電層之后的圖5中示出的柵堆疊體。
圖7示出了在沉積氮化物蝕刻終止層(NESL)之后的柵結(jié)構(gòu)。
圖8示出了在沉積了中間層介電層之后的圖7中示出的柵結(jié)構(gòu)。
圖9示出了處理中的晶體管結(jié)構(gòu)，不占有面積的接觸窗和淺溝槽隔離區(qū)。

具體實(shí)施例方式描述一種新穎的晶體管結(jié)構(gòu)和其制造方法。犧牲柵電極通常應(yīng)用在半導(dǎo)體工藝中在形成源極、漏極和溝道的注入工藝過程中。本發(fā)明的工藝包括形成犧牲柵電極結(jié)構(gòu)、集成置換柵電極、以及在沉積刻蝕終止層和/或應(yīng)力誘導(dǎo)層之前用拋光和濕刻蝕步驟來減少缺陷。而且，置換柵電極可能是實(shí)現(xiàn)作為柵電極的金屬的候選者。本發(fā)明的晶體管包括在晶體管結(jié)構(gòu)之上形成在位于下面的結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生應(yīng)力的層。
在一個實(shí)施例中，用犧牲柵電極來構(gòu)造晶體管。圖1圖示出了具有犧牲柵電極結(jié)構(gòu)的晶體管結(jié)構(gòu)。在襯底205上形成犧牲柵電極結(jié)構(gòu)。襯底通常是硅晶片。在襯底205上形成柵介電層215和犧牲柵電極210?？梢酝ㄟ^襯底的熱氧化、通過化學(xué)氣相沉積(CVD)或其它技術(shù)在襯底205上生長柵介電層215。犧牲柵電極210可以由包括多晶硅或二氧化硅(SiO2)的多種材料制成。
在襯底上形成犧牲柵電極結(jié)構(gòu)之后，用摻雜或注入步驟來形成晶體管內(nèi)不同區(qū)域的電氣特性。形成源極和漏極延伸部分或尖端242來提高晶體管的擊穿電壓、基本上在柵電極和源極/漏極區(qū)之間形成溝道區(qū)250。
在形成延伸區(qū)242之后，在犧牲柵電極210的側(cè)面上形成與犧牲柵電極210的側(cè)面高度相一致的側(cè)壁隔離體220。側(cè)壁隔離體通常是氮化物或氧化物，并且通過熱氧化或通過化學(xué)氣相沉積CVD工藝來形成。側(cè)壁隔離體材料的例子是氮化硅、碳摻雜氮化物或沒有氧化物成分的碳摻雜氮化物。
源極和漏極區(qū)240/241的其余部分通過注入或高度摻雜該區(qū)域來形成，柵電極和側(cè)壁隔離體充當(dāng)阻擋層。在注入之后進(jìn)行退火工藝以激活所注入的摻雜物并修復(fù)任何注入損傷。退火工藝可以在低熱預(yù)算(例如短時間的高溫)下進(jìn)行以避免摻雜物的再分布。
接下來，進(jìn)行犧牲中間層介電膜的覆蓋沉積，然后進(jìn)行拋光工藝以平面化并暴露柵電極。在圖1中，在已經(jīng)形成了柵介電層215、犧牲柵電極210、柵側(cè)壁隔離體220、源極/漏極區(qū)240/241和溝道250之后，在襯底和柵電極結(jié)構(gòu)的上方覆蓋沉積犧牲中間層介電層(ILD0)230?？梢杂没瘜W(xué)或機(jī)械拋光技術(shù)對犧牲ILD0層230進(jìn)行進(jìn)一步的處理，以將犧牲ILD0層平面化，并且暴露犧牲柵電極210的頂表面。
接下來，如圖2所示，將犧牲柵堆疊體蝕刻掉。除去犧牲柵電極是為永久柵電極的沉積作準(zhǔn)備。蝕刻工藝應(yīng)該提供使柵側(cè)壁隔離體220和犧牲中間層介電層(ILD0)230完好無損的選擇性。選擇蝕刻材料以按照比側(cè)壁隔離體高得多的速度選擇性地蝕刻犧牲柵電極材料。蝕刻選擇性優(yōu)選在約10∶1或更大的范圍內(nèi)。在一個實(shí)施例中，對于最大的蝕刻選擇性，在20到30攝氏度的室溫下使用約30分鐘的蝕刻時間。
(a)在一個實(shí)施例中，通過濕蝕刻工藝除去犧牲柵電極，例如當(dāng)犧牲柵電極210是多晶硅時，可以使用例如是氫氧化銨或HF/硝酸混合物的蝕刻劑。
(b)在另一個實(shí)施例中，當(dāng)犧牲柵電極210是氮化硅時，可以使用例如磷酸蝕刻劑的蝕刻劑。
(c)在另一個實(shí)施例中，當(dāng)犧牲柵電極210是氧化物時，可以使用例如氫氟酸的蝕刻劑。
在圖2中，蝕刻工藝除去了犧牲柵電極，并且在側(cè)壁隔離體220之間留下了溝槽305，接下來將由置換柵電極來填充溝槽305。在一個實(shí)施例中，柵介電層215將保留著。
如圖3所示，在另一個實(shí)施例中，當(dāng)除去犧牲柵電極時，也可以除去位于側(cè)壁隔離體220之間的柵介電層(氧化物)215。在這個實(shí)施例中，置換柵電極工藝將包括由新的柵介電層216對溝槽305進(jìn)行保形沉積，新的柵介電層216例如是但不限于高k的材料，包括HfO2、ZrO2、Al2O3、Ta2O5、TiO2、La2O3?？梢酝ㄟ^基底襯底的熱氧化、通過例如化學(xué)氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)的其它技術(shù)來生長置換柵介電層。在已經(jīng)沉積了新的柵介電層之后，可以任選地對它進(jìn)行退火或?qū)λM(jìn)行遠(yuǎn)程等離子氮化(RPN)或其它的后氧化物生長處理。然后如下面所進(jìn)一步描述的對該結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理。
接下來，進(jìn)行置換柵電極的沉積。圖4圖示出了置換柵電極的工藝。沉積置換柵電極410來填充凹部或溝槽并且還將置換柵電極410沉積在犧牲中間層介電層(ILD0)230的上方?？梢杂枚喾N工藝來成長置換柵電極，例如熱氧化、化學(xué)氣相沉積、原于層或多晶硅沉積。置換柵電極材料可以是多晶硅、硅化物、氧化物、金屬或其它導(dǎo)電材料。而且，置換柵電極可以是單一的金屬或多種金屬?？梢允褂弥脫Q柵電極金屬，鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)，但不限于這些金屬，并且還可以使用金屬氮化物和碳化物，例如鈦的氮化物和碳化物(TiN，TiC)或鉭的氮化物和碳化物(TaN，TaC)。
接下來，進(jìn)行拋光工藝。圖5圖示出了對柵電極進(jìn)行拋光之后的結(jié)構(gòu)。在圖5中，使置換柵電極結(jié)構(gòu)的頂部經(jīng)受拋光工藝以使表面平面化并暴露柵電極。在凹部或溝槽的上方沉積置換柵電極之后，進(jìn)行拋光以除去任何不想要的金屬，留下被填充的溝槽、被暴露的柵電極510和被平面化的結(jié)構(gòu)。拋光工藝對側(cè)壁隔離體和犧牲中間層介電層(ILD0)典型地是選擇性的以保持柵電極的垂直尺寸。對犧牲中間層介電層和置換柵電極進(jìn)行拋光將典型地除去小于50埃的置換柵電極高度。然而，對金屬柵電極510進(jìn)行拋光和平面化會產(chǎn)生凹陷或其它拋光不均勻性，它們會留下對產(chǎn)量有顯著影響的線條。圖5圖示出了由拋光工藝產(chǎn)生的可能的缺陷模式，包括金屬拖尾590、犧牲ILD0 530的呈凹點(diǎn)的沉積或凹陷的區(qū)域591。這些可能由歸因于最初的犧牲ILD平面化過程中向下到柵電極510和側(cè)壁隔離體的過度拋光的劃痕、斷片或表面形貌而產(chǎn)生。
接下來，然后用蝕刻工藝來除去拋光缺陷。利用犧牲中間層介電層減少由拋光工藝產(chǎn)生的缺陷?，F(xiàn)在通過使用濕蝕刻工藝選擇性地除去犧牲ILD0層和剩下的拋光缺陷。除去拋光缺陷提供了更高的總產(chǎn)量。
前面的拋光工藝暴露犧牲中間層介電層(ILD0)以使蝕刻工藝有效。在圖6中，犧牲中間層介電(ILD0)層的濕蝕刻去除暴露晶體管結(jié)構(gòu)610，并且還有另外的好處使不想要的例如圖5中示出的金屬線條或缺陷跟著去除掉。對于金屬填充的凹點(diǎn)、凹陷區(qū)域和金屬拖尾，犧牲ILD0的濕蝕刻去除充當(dāng)了去除掉的層(liftoff layer)以除去這些不想要的金屬缺陷，為下一層的沉積作準(zhǔn)備。
選擇蝕刻材料以按照比其它特征高得多的速度蝕刻犧牲ILD0。使用對于犧牲ILD0具有選擇性的濕蝕刻工藝，而不需要蝕刻隔離體、金屬柵電極以及大塊襯底、例如淺溝槽隔離(STI)區(qū)或硅化物覆蓋的擴(kuò)散區(qū)的其它特征。蝕刻選擇性優(yōu)選在約10∶1或更大的范圍內(nèi)。濕蝕刻去除工藝從置換柵電極除去低于10埃的高度。在一個實(shí)施例中，對于最大的選擇性，在20到30攝氏度的室溫下使用約2分鐘到5分鐘的蝕刻時間a)在一個實(shí)施例中，對于沒有氧化物成分的碳摻雜氮化物隔離體，使用化學(xué)當(dāng)量的氮化硅犧牲ILD0層。
b)在另一個實(shí)施例中，對于氮化硅或碳摻雜氮化物隔離體，使用軟化學(xué)氣相沉積(CVD)氧化物犧牲ILD0。
c)在使用碳摻雜氮化物隔離體的實(shí)施例中，可以用高質(zhì)磷酸除去犧牲ILD0層。
d)在使用氮化硅或碳摻雜氮化物隔離體的實(shí)施例中，可以使用緩沖的氫氟酸(HF)溶液來除去犧牲ILD0層，緩沖的氫氟酸(HF)溶液可選擇地與例如乙二醇的表面活性劑一起使用。
e)還可以使用其它的各向同性或各向異性蝕刻工藝。
在可選擇的實(shí)施例中，可以使用很短的金屬蝕刻來除去沿柵堆疊體頂部的其余特征缺陷，例如在70攝氏度下使用硫酸和過氧化氫混合物中的氮化鈦蝕刻將按照每分鐘約60埃的速度蝕刻。
在除出了犧牲中間層介電層之后，如圖6中所示，現(xiàn)在暴露晶體管，并且從結(jié)構(gòu)中去除了金屬缺陷。現(xiàn)在在晶體管上添加氮化物蝕刻終止層(NESL)和/或應(yīng)力誘導(dǎo)膜層。在一個實(shí)施例中，如圖所示柵介電層215保留著。在如圖3中所示的實(shí)施例中，對該結(jié)構(gòu)繼續(xù)進(jìn)行類似的處理。圖7圖示出了含有應(yīng)變NESL層710的本發(fā)明結(jié)構(gòu)的一個實(shí)施例。NESL710形成在晶體管結(jié)構(gòu)750之上。
氮化物蝕刻終止層(NESL)710在晶體管的溝道250、源極240和漏極241部分中產(chǎn)生應(yīng)力。使用如圖所示的、但是包括后來形成的特征的晶體管750，當(dāng)將正確極性的電荷施加到柵電極210上時，溝道區(qū)域250發(fā)生電氣反轉(zhuǎn)并且成為源極240和漏極241區(qū)之間的導(dǎo)電通路。形成在柵電極結(jié)構(gòu)210之上的NESL710在位于下面的晶體管中產(chǎn)生應(yīng)力，這增加了電子和/或空穴的遷移率，產(chǎn)生約百分之10到20的性能提高。
在一個實(shí)施例中，用使用硅烷和氮?dú)獾幕瘜W(xué)氣相沉積工藝來進(jìn)行氮化物蝕刻終止層(NESL)的沉積。也可以使用其它等效的沉積工藝。NESL層可以是在整個襯底上方的覆蓋沉積層，或者可選擇地，NESL可以選擇性地在單個器件或晶體管的上方形成。NESL沉積也可以在接近于或低于400攝氏度的溫度下用相對短的時間例如約1分鐘形成，使得能夠與任何熱敏感的金屬置換柵電極的候選材料成功地集成。
在一個實(shí)施例中，氮化物蝕刻終止層(NESL)的厚度是約500埃。然而，100到1200埃的范圍也將在位于下面的晶體管內(nèi)產(chǎn)生應(yīng)力以提高性能。在另一個實(shí)施例中，NESL由氮化硅(Si3N4)構(gòu)成。也可以使用不同的材料來形成NESL，例如鍺、鍺化硅(SiGe)、其它氧化物，例如碳摻雜的氧化硅或碳摻雜的氮化硅。
接下來，如圖8所示，在已經(jīng)沉積了氮化物蝕刻終止層(NESL)710之后，隨后沉積“真正的”中間層介電(ILD)層830。ILD層可以是二氧化硅或低k的介電材料。然后可以繼續(xù)進(jìn)行進(jìn)一步的處理，例如改進(jìn)晶體管的幾何結(jié)構(gòu)或電氣特性和/或開口用于形成互連結(jié)構(gòu)的接觸窗。在可選擇的實(shí)施例中，可以采用另外的應(yīng)變層。在一個實(shí)施例中，可以用蝕刻工藝除去第一NESL的一些部分以形成與后來沉積的其它NESL的互連。
此外，在一個實(shí)施例中，可以沉積NESL以便隨后允許如圖9中所示不占面積的接觸(un-landed contact)。示出了具有不占面積的接觸窗910的淺溝槽隔離(STI)區(qū)920。可以形成接觸窗，暴露STI的一部分，準(zhǔn)備進(jìn)行進(jìn)一步的處理以隨后形成在器件上方的互連。
應(yīng)該注意到，在此描述的工藝步驟和結(jié)構(gòu)沒有形成一個用于制備集成電路的完整的工藝流程。本發(fā)明可以與多種集成電路制造技術(shù)，包括目前在現(xiàn)有技術(shù)中使用的那些技術(shù)相結(jié)合來實(shí)施。同樣地，在這里的描述中只是包含了對于理解本發(fā)明必要的那些共用工藝步驟。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，在不偏離本發(fā)明的范圍下，可以進(jìn)行各種變化，這是顯而易見的，這不應(yīng)被認(rèn)為僅限于本說明書中所描述的內(nèi)容。應(yīng)該理解的是，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍下，可以使用其它的實(shí)施例，并且可以進(jìn)行合理的機(jī)械和電氣變化。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記貫穿幾個附圖表示基本上相似的元件。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括在襯底上形成犧牲柵電極；在犧牲柵電極的側(cè)面上形成側(cè)壁隔離體，形成犧牲中間層介電層；除去犧牲柵電極；沉積置換柵電極；對犧牲中間層介電層和置換柵電極進(jìn)行拋光；和在中間層介電層和沒在柵電極溝槽中的任何殘留的柵電極材料上進(jìn)行濕蝕刻去除。
2.權(quán)利要求1的方法，其中側(cè)壁隔離體是氮化硅或碳摻雜的氮化物。
3.權(quán)利要求1的方法，其中犧牲中間層介電層是軟化學(xué)氣相沉積氧化物或化學(xué)當(dāng)量的氮化硅。
4.權(quán)利要求1的方法，其中對犧牲中間層介電層和置換柵電極進(jìn)行拋光除去了小于50埃的置換柵電極高度。
5.權(quán)利要求1的方法，其中進(jìn)行濕蝕刻去除除去了對犧牲中間層介電層和置換柵電極進(jìn)行拋光產(chǎn)生的剩余缺陷。
6.權(quán)利要求5的方法，其中用磷酸、高質(zhì)磷酸、含水的氫氟酸、緩沖的氫氟酸溶液或與表面活性劑一起使用的氫氟酸來進(jìn)行濕蝕刻去除。
7.權(quán)利要求6的方法，其中與氫氟酸一起使用的表面活性劑是乙二醇。
8.權(quán)利要求5的方法，其中在約20攝氏度到約30攝氏度的溫度下進(jìn)行濕蝕刻去除工藝。
9.權(quán)利要求5的方法，其中濕蝕刻去除工藝持續(xù)約2分鐘到5分鐘的時間。
10.權(quán)利要求5的方法，其中濕蝕刻去除工藝具有10∶1或更大的近似選擇性。
11.權(quán)利要求1的方法，其中濕蝕刻去除從置換柵電極除去低于10埃的高度。
12.權(quán)利要求1的方法，其中進(jìn)行殘留柵電極材料的濕蝕刻去除工藝包括在70攝氏度下使用硫酸和過氧化氫混合物中的氮化鈦蝕刻。
13.權(quán)利要求12的方法，其中氮化鈦蝕刻按照每分鐘約60埃的速度除去中間層介電層。
14.權(quán)利要求1的方法，還包括沉積氮化物蝕刻終止層。
15.權(quán)利要求14的方法，其中氮化物蝕刻終止層在位于下面的結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生應(yīng)力。
16.權(quán)利要求1的方法，還包括沉積在位于下面的結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生應(yīng)力的氮化物蝕刻終止層。
17.一種方法，包括在襯底上形成犧牲柵電極；在犧牲柵電極的側(cè)面上形成側(cè)壁隔離體，形成犧牲中間層介電層；除去犧牲柵電極；沉積置換柵電極；對犧牲中間層介電層和置換柵電極進(jìn)行拋光；和在中間層介電層和柵電極上進(jìn)行濕蝕刻去除；沉積在位于下面的結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生應(yīng)力的氮化物蝕刻終止層。
18.權(quán)利要求17的方法，其中氮化物蝕刻終止層的沉積被安排為在整個襯底上方的覆蓋沉積。
19.權(quán)利要求17的方法，其中在單個的器件或晶體管的上方選擇性地形成氮化物蝕刻終止層的沉積。
20.權(quán)利要求17的方法，其中用使用硅烷和氮?dú)饣虬睔獾幕瘜W(xué)氣相沉積工藝來執(zhí)行氮化物蝕刻終止層的沉積。
21.權(quán)利要求17的方法，其中氮化物蝕刻終止層由氮化硅構(gòu)成(Si3N4)。
22.權(quán)利要求17的方法，其中氮化物蝕刻終止層來自于由鍺、硅鍺、碳摻雜氧化硅和碳摻雜氮化硅所構(gòu)成的組。
23.權(quán)利要求17的方法，其中沉積氮化物蝕刻終止層在100到1200埃的厚度之間。
24.權(quán)利要求17的方法，其中沉積氮化物蝕刻終止層約500埃厚。
25.權(quán)利要求17的方法，其中氮化物蝕刻終止層的沉積是在接近于或低于400攝氏度的溫度下用少于1分鐘的時間形成的。
26.權(quán)利要求25的方法，其中氮化物蝕刻終止層可與溫度敏感的金屬柵電極候選材料相兼容。
27.權(quán)利要求17的方法，其中在沉積了氮化物沉積終止層之后沉積中間層介電層。
28.一種在襯底上形成的晶體管，包括金屬柵電極；在柵電極的側(cè)面上形成的側(cè)壁隔離體；沉積在柵電極和側(cè)壁隔離體的上方的氮化物蝕刻終止層，其在位于下面的晶體管結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生應(yīng)力；和在側(cè)壁隔離體、柵電極和氮化物蝕刻終止層的上方形成的中間層介電層。
29.權(quán)利要求28的方法，其中金屬柵電極包括選自于由鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(TiN，TiC)和鉭(TaN，TaC)所構(gòu)成的組中的一種材料或多種材料。
30.權(quán)利要求28的方法，其中置換柵電極材料由多種金屬構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明涉及在晶體管結(jié)構(gòu)之上沉積一個能夠在晶體管內(nèi)產(chǎn)生晶格應(yīng)力并且使性能提高的層(710)。可以在形成于襯底上的多個晶體管之上，或者在多個選擇的晶體管之上形成應(yīng)力層。
文檔編號H01L21/336GK1902740SQ200480039529
公開日2007年1月24日 申請日期2004年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月30日
發(fā)明者R·仇, J·布拉斯克, C·巴恩斯, S·哈爾蘭德 申請人:英特爾公司