專利名稱：用于晶片級(jí)芯片尺寸封裝的各種結(jié)構(gòu)/高度的凸塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及半導(dǎo)體芯片互連的制造，尤其涉及用于晶片級(jí)芯片尺寸封裝(wafer level-chip scale packagesWL-CSP)的凸塊(bump)制造。
背景技術(shù)：
用于晶片級(jí)芯片尺寸封裝(WL-CSP)的凸塊的改進(jìn)為業(yè)界所需求。
授予Fan等人的美國(guó)專利第6,486,054 B1號(hào)描述一種實(shí)現(xiàn)堅(jiān)固的焊料凸塊(solder bump)高度的方法。
授予Cornell等人的美國(guó)專利第6,184,581 B1號(hào)描述一種焊料凸塊輸入/輸出焊盤(pad)，用于表面安裝電路器件且相鄰輸入/輸出焊盤也具有三角形或菱形。
授予Coapman等人的美國(guó)專利第5,926,731號(hào)描述了一種用于控制焊料凸塊形狀和支座高度(stand-off height)的方法。
授予Dudderar等人的美國(guó)專利第6,297,551 B1號(hào)描述了一種具有改進(jìn)的EMI特性的集成電路封裝。
授予Chance等人美國(guó)專利第4,430,690號(hào)描述了一種具金屬滲透和焊料條接觸的低電感MLC電容器。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種改進(jìn)的用于晶片級(jí)芯片尺寸封裝的凸塊設(shè)計(jì)。
其他目的將在后文中介紹。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明之上述及其他目的能夠以下面的方法完成。詳細(xì)來說，管芯(die)包括基板；二個(gè)或更多的各種形狀的凸塊結(jié)構(gòu)，其具有形成在基板之上的焊料線(solder line)；及形成在基板之上的環(huán)氧樹脂層(epoxylayer)。環(huán)氧樹脂層具有頂部表面，其中(a)焊料線在環(huán)氧樹脂層頂部表面之下；(b)焊料線在環(huán)氧樹脂層頂部表面之上；或(c)一些焊料線在環(huán)氧樹脂層頂部表面之下而一些焊料線在環(huán)氧樹脂層頂部表面之上。


從下面結(jié)合附圖的描述中，本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)將更清楚地被理解，附圖中相似的附圖標(biāo)記表示相似或?qū)?yīng)的元件、區(qū)域和部分，附圖中圖1和2概略說明了本發(fā)明環(huán)氧樹脂在焊料線之上的第一優(yōu)選具體實(shí)施例，圖1為圖2沿線1-1的剖面圖；圖3和4概略說明了本發(fā)明環(huán)氧樹脂在焊料線之下的第二優(yōu)選具體實(shí)施例，圖3為圖4沿線3-3的剖面圖；圖5和6概略說明了本發(fā)明環(huán)氧樹脂在焊料線之上和之下的第三優(yōu)選具體實(shí)施例，圖5為圖6沿線5-5的剖面圖；圖7-15概略說明了根據(jù)本發(fā)明的方法形成的晶片級(jí)芯片尺寸封裝(WL-CSP)的形成；圖16概略說明了以可變高度凸塊安裝堆疊的管芯/芯片；圖17概略說明了以可變高度凸塊安裝到雙高度基板的倒裝芯片。
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施例環(huán)氧樹脂層22′在焊料線14上方-圖1和2如圖1所示，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，環(huán)氧樹脂層22′的頂部在形成在管芯(die)/芯片(chip)基板10之上的各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19的各個(gè)焊料線14之上。
環(huán)氧樹脂層22′優(yōu)選為由熱固性樹脂或填底(underfill)涂覆材料構(gòu)成。
圖2為圖1的俯視圖，而圖1則為圖2在線1-1的剖面圖。
在本發(fā)明中，如圖2所示，凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19為各種形狀。舉例來說，凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19可以為a)圓形凸塊結(jié)構(gòu)11，其直徑優(yōu)選為約40-300μm；b)壁狀(wall)凸塊結(jié)構(gòu)15，形成為例如方形或矩形，其寬度優(yōu)選為約40-300μm，更優(yōu)選為約100-200μm；且，若為矩形，其長(zhǎng)優(yōu)選為約300-3000μm，更優(yōu)選為約350-1200μm；c)條塊狀(bar)凸塊結(jié)構(gòu)17，其寬度優(yōu)選為約40-300μm，長(zhǎng)度優(yōu)選達(dá)約3000μm，更優(yōu)選為約1500μm，具良好的電流承載能力；或
d)環(huán)狀凸塊結(jié)構(gòu)19，其外直徑優(yōu)選為約150-3000μm，內(nèi)直徑優(yōu)選為約100-2500μm。
每一凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19包括各焊料12、16、18、20于其上，定義焊料線14。對(duì)于形成例如方形或矩形的壁狀凸塊結(jié)構(gòu)15，該方形或矩形結(jié)構(gòu)可包括內(nèi)凸塊結(jié)構(gòu)(如圖2所示)或外凸塊結(jié)構(gòu)12′。
應(yīng)注意其他形狀也是可以的。
這些各種形狀的凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19提供了加強(qiáng)的電或熱性能。例如，方形或矩形壁狀凸塊結(jié)構(gòu)15可以被使用為用于RF應(yīng)用的屏蔽，例如內(nèi)部I/O可是噪聲敏感的；或RF屏蔽件(RF shield)或法拉第箱(Faradaycage)。
盡管圖2更清楚地說明了凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19的各種形狀，然而圖2僅說明了此凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19的示例組合，而不限制本發(fā)明的范圍。
第二實(shí)施例環(huán)氧樹脂層22″在焊料線14下方-圖3和4如圖3所示，在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，環(huán)氧樹脂層22_″的頂部在形成在管芯/芯片基板10之上的各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19的各個(gè)焊料線14之下。
環(huán)氧樹脂層22_″優(yōu)選為由熱固性樹脂或填底涂覆材料構(gòu)成。
圖4為圖3的俯視圖，而圖3則為圖4在線3-3的剖面圖。
在本發(fā)明中，再次更詳細(xì)地如圖4所示，凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19為各種形狀。舉例來說，凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19可以為a)圓形凸塊結(jié)構(gòu)11，其直徑優(yōu)選為約40-300μm；b)壁狀凸塊結(jié)構(gòu)15，形成例如方形或矩形，其寬優(yōu)選為約40-300μm，更優(yōu)選為約100-200μm；且，若為矩形時(shí)，其長(zhǎng)優(yōu)選為約300-3000μm，更優(yōu)選為約350-1200μm；c)條塊狀凸塊結(jié)構(gòu)17，其寬優(yōu)選為約40-300μm，長(zhǎng)達(dá)約3000μm且更優(yōu)選為約1500μm，具良好的電流承載能力；或d)環(huán)狀凸塊結(jié)構(gòu)19，其外直徑優(yōu)選為約150-3000μm，內(nèi)直徑優(yōu)選為約100-2500μm。
每一凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19包括各焊料12、16、18、20于其上，定義焊料線14。對(duì)于形成例如方形或矩形的壁狀凸塊結(jié)構(gòu)15，該方形或矩形結(jié)構(gòu)則可包括內(nèi)(如圖4所示)或外凸塊結(jié)構(gòu)12_′。
應(yīng)注意也可以為其他形狀。
這些各種形狀的凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19提供增強(qiáng)了的電或熱性能。例如方形或矩形壁狀凸塊結(jié)構(gòu)15可以被使用為用于RF應(yīng)用的屏蔽，例如I/O可是噪聲敏感的；或RF屏蔽件，或法拉第箱。
盡管圖4更清楚地說明了凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19的各種形狀，但是圖4僅說明了這樣的凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19的示例組合，且未限制本發(fā)明的范圍。
第三實(shí)施例環(huán)氧樹脂層22′在焊料線214′下方及焊料線214″上方-圖5和6應(yīng)注意對(duì)于堆迭管芯(stacked die)或多層基板(multi-tier substrates)如IC或MEMS應(yīng)用，各種形狀的凸塊結(jié)構(gòu)211、215、217、219(11、15、17、19)具有兩組高度是必須的。
如圖5所示，在本發(fā)明的第三實(shí)施例中，各種形狀的凸塊結(jié)構(gòu)211、215、217、219包括第一組具有第一高度的各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)215、217、219及第二組具有第二高度的各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)211，第二高度較第一高度小，因而環(huán)氧樹脂層22的頂部表面在各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)215、217、219的焊料線214′之下并在各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)211的各焊料線214″之上，各種形狀的凸塊結(jié)構(gòu)211、215、217、219的每個(gè)形成在管芯/芯片基板10之上。
應(yīng)注意環(huán)氧樹脂層22的頂部可如所需地在各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)211、215、217、219的任意組合的上方/下方，圖5和6所示僅為其中一示例組合。
環(huán)氧樹脂層22優(yōu)選為由熱固性樹脂或填底涂覆材料構(gòu)成。
圖5為圖6的俯視圖，圖5則為圖6在線5-5的剖面圖。
在本發(fā)明中，再次更清楚地如圖6所示，凸塊結(jié)構(gòu)211、215、217、219為各種形狀。舉例來說，凸塊結(jié)構(gòu)211、215、217、219可以為a)圓形凸塊結(jié)構(gòu)211，其直徑優(yōu)選為約40-300μm；b)壁狀凸塊結(jié)構(gòu)215，形成例如正方形或矩形，其寬優(yōu)選為約40-300μm，更優(yōu)選為約100-200μm；且，若為矩形，其長(zhǎng)優(yōu)選為約500-3000μm且更優(yōu)選為約500-1500μm；c)條塊狀凸塊結(jié)構(gòu)217，其寬優(yōu)選為約40-300μm，長(zhǎng)度達(dá)約3000μm，具良好的電流承載能力；或
d)環(huán)狀凸塊結(jié)構(gòu)219，其外直徑優(yōu)選為約150-3000μm，內(nèi)直徑優(yōu)選為約100-2500μm。
每一凸塊結(jié)構(gòu)211、215、217、219包括各焊料212、216、218、220于其上，定義焊料線214′、214″。對(duì)于形成例如方形或矩形的壁狀凸塊結(jié)構(gòu)215，該方形或矩形結(jié)構(gòu)則可包含內(nèi)(如圖6所示)或外凸塊結(jié)構(gòu)212_′。
應(yīng)注意也可以為其他形狀。
這些各種形狀的凸塊結(jié)構(gòu)211、215、217、219提供增強(qiáng)了的電或熱性能。舉例來說，方形或矩形壁狀凸塊結(jié)構(gòu)215可以被使用做為用于RF應(yīng)用的屏蔽，例如內(nèi)I/O可是噪聲敏感的；或RF屏蔽件或法拉第箱。
圖6更清楚地說明了凸塊結(jié)構(gòu)211、215、217、219的各種形狀，然而圖6僅說明此凸塊結(jié)構(gòu)211、215、217、219的示例組合，而非限制本發(fā)明的范圍。
凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19；211、215、217、219的形成順序以形成晶片級(jí)芯片尺寸封裝100-圖7-15圖7-15說明形成凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19；211、215、217、219的順序以形成晶片級(jí)芯片尺寸封裝(WL-CSP)100(應(yīng)注意芯片舉例來說可以為倒裝芯片(flip chip))。為了易于理解和簡(jiǎn)化，凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19；211、215、217、219由單一復(fù)合最終凸塊結(jié)構(gòu)90代表。
應(yīng)注意，圖7-13代表完整的晶片/管芯/芯片基板10的一部分，如圖14所示，以及圖15則為從圖14的整個(gè)晶片/管芯/芯片基板10切割的晶片WL-CSP 100。
圖7為圖8的俯視圖，而圖8則為圖7沿線8-8的剖面圖。
初始結(jié)構(gòu)-圖7和8圖7和8包含初步的凸塊結(jié)構(gòu)90，其形成在晶片/管芯/芯片基板10之上，可具有各種初始形狀，(見圖1-6及這里的說明)。
初步的凸塊結(jié)構(gòu)90每個(gè)包含下柱形金屬部分92，優(yōu)選為由具有非回流特性、能被涂覆以其他金屬的能力或高熔點(diǎn)特性且更優(yōu)選能被涂覆以其他金屬并具有優(yōu)選約65-120μm且更優(yōu)選為約65-85μm高度的導(dǎo)電金屬構(gòu)成；上部分94優(yōu)選由易熔(eutectic)焊料或無鉛焊料構(gòu)成且厚度優(yōu)選為約35-60μm且更優(yōu)選為約35-40μm。
應(yīng)注意為了簡(jiǎn)化及易于理解，盡管圖7-15中沒有明確示出，最后的單一復(fù)合最終凸塊結(jié)構(gòu)90可以包含兩組總高度-見圖5-6(第三實(shí)施例)；以及圖16-17及這些相關(guān)說明。
助焊劑處理(Fluxing)-圖9如圖9所示，在助焊劑處理步驟，助焊劑96形成在各上部分94上直至優(yōu)選為約1-10μm且更優(yōu)選為5-7μm的厚度從而形成第一中間初步凸塊結(jié)構(gòu)90′。助焊劑96優(yōu)選為水溶性的。
焊料/焊料球98放置-圖10如圖10所示，各焊料/焊料球98形成在助焊劑96上從而形成第二中間初步凸塊結(jié)構(gòu)90″。焊料/焊料球98優(yōu)選為由易熔或無鉛焊料構(gòu)成。焊料球98也可使用焊料膏印刷(易熔或無鉛焊料)來形成。對(duì)于焊料膏則不需要球放置。
回流(Reflow)-圖11如圖11所示，焊料/焊料球98經(jīng)歷回流工藝從而形成回流的焊料/焊料球98′、定義焊料線14及形成最終凸塊結(jié)構(gòu)90?；亓鞴に噧?yōu)選為約100-260℃的溫度及約5-10分鐘并且更優(yōu)選為5-7分鐘。
環(huán)氧樹脂22涂覆-圖12如圖12所示，初始環(huán)氧樹脂層22形成在晶片/管芯/芯片基板10及最終凸塊結(jié)構(gòu)90(凸塊結(jié)構(gòu)11、15、17、19；211、215、217、219)之上從而至少覆蓋最終凸塊結(jié)構(gòu)90。初始環(huán)氧樹脂層22優(yōu)選通過旋轉(zhuǎn)涂覆(spincoating)形成，即通過旋轉(zhuǎn)(spinning)/轉(zhuǎn)動(dòng)(rotary)運(yùn)動(dòng)涂覆環(huán)氧樹脂于晶片/管芯/芯片基板10上，其中環(huán)氧樹脂利用環(huán)氧樹脂量分配器或等效裝置被注于晶片/管芯/芯片基板10的中心上，然后旋轉(zhuǎn)晶片/管芯/芯片基板10從而均勻地分布環(huán)氧樹脂于晶片/管芯/芯片基板10之上并至少于最終的凸塊結(jié)構(gòu)90之上從而形成初始環(huán)氧樹脂層22。
等離子體蝕刻-圖13如圖13所示，晶片/管芯/芯片基板10放置于等離子體蝕刻機(jī)中且利用等離子體蝕刻來蝕刻初始環(huán)氧樹脂層22至預(yù)設(shè)厚度，即向下蝕刻環(huán)氧樹脂層22至焊料線14之上從而形成第一實(shí)施例的最終環(huán)氧樹脂層22′(見圖1-2)；向下蝕刻環(huán)氧樹脂層22至焊料線14之下從而形成第二實(shí)施例的最終環(huán)氧樹脂層22″(見圖3-4)；
蝕刻環(huán)氧樹脂層22從而形成在一些焊料線214″之上及其他焊料線214′之下的最終環(huán)氧樹脂層22(為求簡(jiǎn)化，在圖13-15中未示出)。
等離子體蝕刻優(yōu)選使用氧及CF4(四氟甲烷)離子。等離子體蝕刻依下列參數(shù)進(jìn)行RF功率優(yōu)選為約1000-1200瓦；更優(yōu)選為約1000至1200瓦；及溫度優(yōu)選為約60-100℃；及時(shí)間優(yōu)選為約15-20分鐘且更優(yōu)選為約15分鐘。
如此完成環(huán)氧樹脂22′/22″涂覆的晶片/管芯/芯片基板10，如圖13和14所示。
切割晶片/管芯/芯片-圖15如圖15所示，圖14的環(huán)氧樹脂22′/22″涂覆的晶片/管芯/芯片基板10被切割從而形成完成的晶片級(jí)芯片尺寸封裝(WL-CSP)100。
如上所述，對(duì)于堆迭管芯或多層基板(IC或MEMS應(yīng)用)，晶片級(jí)芯片尺寸封裝(WL-CSP)100的最終凸塊結(jié)構(gòu)90優(yōu)選由兩組最終凸塊結(jié)構(gòu)90構(gòu)成；其一具有第一高度(90A)及另一具有小于第一高度的第二高度(90B)(第三實(shí)施例)。
此在如現(xiàn)在所討論的圖16和17中更容易理解。
利用可變高度凸塊90的堆疊管芯/芯片安裝-圖16如圖16所示，使用根據(jù)本發(fā)明形成的在第一芯片(芯片1)10上具有有第一高度的第一組最終凸塊結(jié)構(gòu)90A及有比第一高度小的第二高度的第二組最終凸塊結(jié)構(gòu)90B的晶片級(jí)芯片尺寸封裝(WL-CSP)100實(shí)現(xiàn)堆迭管芯/芯片安裝。
如圖所示，第一組最終凸塊結(jié)構(gòu)90A的焊料線14′在環(huán)氧樹脂層22頂部之上而第二組最終凸塊結(jié)構(gòu)90B的焊料線14″在環(huán)氧樹脂層22頂部之下。
環(huán)氧樹脂層22優(yōu)選為由熱固性樹脂或填底涂覆材料構(gòu)成。
第二芯片(芯片2)50置放到具有較低的第二高度的第二組最終凸塊結(jié)構(gòu)90B使得它和第一芯片(芯片1)與基板60齊平地安裝。如圖14所示，第二芯片(芯片2)50優(yōu)選為置放在第一芯片(芯片1)的中央部分之上。
置放到雙高度基板的倒裝芯片-圖17如圖17所示，采用雙高度的最終凸塊結(jié)構(gòu)90A、90B的倒裝芯片安裝到雙高度基板62，其中基板62的較低高度部分66安裝到倒裝芯片基板10′上具有第一高度的第一組最終凸塊結(jié)構(gòu)90A，而基板62的較高高度部分64安裝到倒裝芯片基板10′上具有比第一高度小的第二高度的第二組最終凸塊結(jié)構(gòu)90B。
如圖所示，第一組最終凸塊結(jié)構(gòu)90A的焊料線14′在環(huán)氧樹脂層22頂部之上而第二組最終凸塊結(jié)構(gòu)90B的焊料線14″在環(huán)氧樹脂層22頂部之下。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)具體實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)包括1)快速工藝；2)需最少的加工；3)各種凸塊形狀及尺寸；4)兩個(gè)或更多各種高度凸塊的靈活性；5)更好的電或熱性能；及6)易于設(shè)計(jì)。
雖然這里已經(jīng)說明并描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但并非意在限制本發(fā)明，除了權(quán)利要求所定義。
權(quán)利要求
1.一種管芯，包括基板；二個(gè)或更多形成在該基板之上的各種形狀的凸塊結(jié)構(gòu)；該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)的每個(gè)具有焊料線；及形成在該基板之上的環(huán)氧樹脂層；該環(huán)氧樹脂層具有頂部表面，其中(a)所述焊料線在該環(huán)氧樹脂層頂部表面之下；(b)所述焊料線在該環(huán)氧樹脂層頂部表面之上；或(c)一些所述焊料線在該環(huán)氧樹脂層頂部表面之下且一些所述焊料線在該環(huán)氧樹脂層頂部表面之上。
2.如權(quán)利要求1所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的一個(gè)或更多具有第一高度且該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的一個(gè)或更多具有比該第一高度小的第二高度。
3.如權(quán)利要求1所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)具有圓形、矩形、方形、條塊形或環(huán)形。
4.如權(quán)利要求1所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有條塊形，其寬為約40-300μm且長(zhǎng)達(dá)約3000μm。
5.如權(quán)利要求1所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有圓形，其直徑為約40-300μm。
6.如權(quán)利要求1所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有矩形，其寬為約40-300μm且長(zhǎng)為約300-3000μm。
7.如權(quán)利要求1所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有矩形，其寬為約100-200μm且長(zhǎng)為約350-1200μm。
8.如權(quán)利要求1所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有方形，其寬為約40-300μm。
9.如權(quán)利要求1所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有方形，其寬為約100-200μm。
10.如權(quán)利要求1所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有環(huán)形，其外直徑為約150-3000μm且外直徑為約100-2500μm。
11.如權(quán)利要求1所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有方形及/或矩形并被使用為RF屏蔽件或法拉第箱。
12.如權(quán)利要求1所述的管芯，其中該環(huán)氧樹脂層由熱固性樹脂或填底涂覆材料構(gòu)成。
13.一種管芯，包括基板；二個(gè)或更多形成在該基板之上的各種形狀的凸塊結(jié)構(gòu)；該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)的每個(gè)具有焊料線；該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)的一個(gè)或更多具有第一高度且該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)的一個(gè)或更多具有比第一高度小的第二高度；及形成在基板之上的環(huán)氧樹脂層；該環(huán)氧樹脂層具有頂部表面，其中(a)所述焊料線在該環(huán)氧樹脂層頂部表面之下；(b)所述焊料線在該環(huán)氧樹脂層頂部表面之上；或(c)一些所述焊料線在該環(huán)氧樹脂層頂部表面之下且一些所述焊料線在該環(huán)氧樹脂層頂部表面之上。
14.如權(quán)利要求13所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)具有圓形、矩形、方形、條塊形或環(huán)形。
15.如權(quán)利要求13所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有條塊形，其寬為約40-300μm且長(zhǎng)達(dá)約3000μm。
16.如權(quán)利要求13所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有圓形，其直徑為約40-300μm。
17.如權(quán)利要求13所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有矩形，其寬為約40-300μm且長(zhǎng)為約300-3000μm。
18.如權(quán)利要求13所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有矩形，其寬為約100-200μm且長(zhǎng)為約350-1200μm。
19.如權(quán)利要求13所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有方形，其寬為約40-300μm。
20.如權(quán)利要求13所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有方形，其寬為約100-200μm。
21.如權(quán)利要求13所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有環(huán)形，其外直徑約150-3000μm且外直徑為約100-2500μm。
22.如權(quán)利要求13所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有方形和/或矩形并被使用為RF屏蔽件或法拉第箱。
23.如權(quán)利要求13所述的管芯，其中該環(huán)氧樹脂層由熱固性樹脂或填底涂覆材料構(gòu)成。
24.如權(quán)利要求13所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)具有二組高度。
25.一種管芯，包含基板；形成在該基板之上的二個(gè)或更多各種形狀的凸塊結(jié)構(gòu)；該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)的每個(gè)具有焊料線；該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)具有圓形、矩形、方形、條塊形或環(huán)形；及形成在該基板之上的環(huán)氧樹脂層；該環(huán)氧樹脂層具有頂部表面，其中(a)所述焊料線在該環(huán)氧樹脂層頂部表面之下；(b)所述焊料線在該環(huán)氧樹脂層頂部表面之上；或(c)一些所述焊料線在該環(huán)氧樹脂層頂部表面之下且一些所述焊料線在該環(huán)氧樹脂層頂部表面之上。
26.如權(quán)利要求25所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的一個(gè)或更多具有第一高度且該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的一個(gè)或更多具有比第一高度小的第二高度。
27.如權(quán)利要求25所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有條塊形，其寬為約40-300μm且長(zhǎng)達(dá)約3000μm。
28.如權(quán)利要求25所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有圓形，其直徑為約40-300μm。
29.如權(quán)利要求25所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有矩形，其寬為約40-300μm且長(zhǎng)為約300-3000μm。
30.如權(quán)利要求25所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有矩形，其寬為約100-200μm且長(zhǎng)為約350-1200μm。
31.如權(quán)利要求25所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有方形，其寬為約40-300μm。
32.如權(quán)利要求25所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有方形，其寬為約100-200μm。
33.如權(quán)利要求25所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有環(huán)形，其外直徑為約150-3000μm且外直徑為約100-2500μm。
34.如權(quán)利要求25所述的管芯，其中該二個(gè)或更多各種形狀凸塊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)具有方形和/或矩形并被使用為RF屏蔽件或法拉第箱。
35.如權(quán)利要求25所述的管芯，其中該環(huán)氧樹脂層由熱固性樹脂或填底涂覆材料構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種管芯，包括基板；二個(gè)或更多的各種形狀的凸塊結(jié)構(gòu)，其具有形成在基板之上的焊料線；及形成在基板之上的環(huán)氧樹脂層。環(huán)氧樹脂層具有頂部表面，其中(a)焊料線在環(huán)氧樹脂層頂部表面之下；(b)焊料線在環(huán)氧樹脂層頂部表面之上；或(c)一些焊料線在環(huán)氧樹脂層頂部表面之下而一些焊料線在環(huán)氧樹脂層頂部表面之上。
文檔編號(hào)H01L23/29GK1930682SQ200480041886
公開日2007年3月14日 申請(qǐng)日期2004年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月19日
發(fā)明者莊漢生, 永漢·M·林 申請(qǐng)人:先進(jìn)封裝技術(shù)私人有限公司