專利名稱：一種像素結(jié)構(gòu)與薄膜晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)與一種薄膜晶體管及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種將薄膜晶體管陣列制作在彩色濾光陣列基板上(Arrayon color filter，AOC)技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般薄膜晶體管液晶顯示面板是由薄膜晶體管陣列基板、彩色濾光陣列基板和夾于兩基板之間的液晶層所構(gòu)成。此外，另有一種液晶顯示面板的制造方法，是將薄膜晶體管陣列制作在彩色濾光陣列基板上(Array on colorfilter，AOC)，換言之，其先在基板上形成彩色濾光膜之后，再在彩色濾光膜上形成薄膜晶體管陣列。
一般而言，薄膜晶體管陣列基板由多個像素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，且每一像素包括了一薄膜晶體管以及一像素電極(Pixel Electrode)，而其制造方法較常見的是五道掩膜制作工序。第一道掩膜制作工序是用來定義第一金屬層，以形成掃描配線以及薄膜晶體管的柵極等構(gòu)件。第二道掩膜制作工序是定義出薄膜晶體管的溝道層以及歐姆接觸層。第三道掩膜制作工序是用來定義第二金屬層，以形成數(shù)據(jù)配線以及薄膜晶體管的源極/漏極等構(gòu)件。第四道掩膜制作工序是用來將鈍化層圖案化。而第五道掩膜制作工序是用來將透明導(dǎo)電層圖案化，以形成像素電極。
然而，隨著薄膜晶體管液晶顯示器朝大尺寸制作的發(fā)展趨勢，而將會面臨許多的問題與挑戰(zhàn)，例如成品率降低以及產(chǎn)能下降等等。因此若是能減少薄膜晶體管制作工序的掩膜數(shù)，即降低薄膜晶體管組件制作的曝光工程次數(shù)，就可以減少制造時間，增加產(chǎn)能，進(jìn)而降低制造成本。
而目前使用四道掩膜制作工序的技術(shù)也已經(jīng)被提出，其大多是在掩膜上使用半透光(halftone)的圖案設(shè)計(jì)，以減少一道掩膜數(shù)。但是，于掩膜上使用半透光圖案的方式卻存在有一些問題，例如掩膜布局設(shè)計(jì)難度提高以及光刻膠選擇性是否足夠等等。而且，通常在掩膜上使用半透光圖案的技術(shù)，在曝光之后的光刻膠圖案的均勻性經(jīng)常是不理想的。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的就是提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，此方法是將薄膜晶體管陣列制作在彩色濾光陣列基板上的技術(shù)，且僅需使用四道掩膜而且不需在掩膜上使用半透光圖案(halftone)的技術(shù)。
本發(fā)明的目的就是提供一種像素結(jié)構(gòu)，利用四道掩膜制作工序所制成的像素結(jié)構(gòu)，且此像素結(jié)構(gòu)中的薄膜晶體管制作在彩色濾光層上。
本發(fā)明的目的就是提供一種薄膜晶體管的制造方法，此制造方法不同于現(xiàn)有的薄膜晶體管制造方法。
本發(fā)明的目的就是提供一種薄膜晶體管，此薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)不同于現(xiàn)有的薄膜晶體管。
為達(dá)本發(fā)明上述目的，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，此方法首先提供一基板，而且此基板上已形成有一彩色濾光層，而且此彩色濾光層上覆蓋有一偏光層(polarizing layer)。接著在偏光層上形成一第一金屬層，并且進(jìn)行第一道掩膜制作工序，以圖案化第一金屬層，而定義出一源極與一漏極。然后，在基板上方依序形成一溝道材質(zhì)層、一柵絕緣層以及一第二金屬層，以覆蓋源極與漏極，并且進(jìn)行一第二道掩膜制作工序，以圖案化第二金屬層、柵絕緣層以及溝道材質(zhì)層，而定義出一柵極以及一溝道層。隨后，在基板上方形成一鈍化層，以覆蓋柵極，并且進(jìn)行一第三道掩膜制作工序，以圖案化鈍化層，而使部分漏極暴露出來。接著在基板上方形成一透明導(dǎo)電層，此透明導(dǎo)電層與暴露出的漏極電連接。之后，對透明導(dǎo)電層進(jìn)行一第四道掩膜制作工序，以定義出一像素電極。
本發(fā)明又提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括一彩色濾光層、一偏光層、一薄膜晶體管、一鈍化層以及一像素電極。其中，彩色濾光層配置在一基板上，而偏光層覆蓋在彩色濾光層上。上述薄膜晶體管配置在偏光層上，而此薄膜晶體管由一源極與一漏極、覆蓋于源極與漏極上的一溝道層、配置于溝道層上的一柵絕緣層以及配置于柵絕緣層上的一柵極所構(gòu)成，而上述的鈍化層覆蓋在薄膜晶體管上，且使部分漏極暴露出來。像素電極配置于偏光層上，且像素電極與暴露出的漏極電連接。
本發(fā)明另提出一種薄膜晶體管的制造方法，此方法首先提供一基板，接著在基板上形成一第一金屬層，并且圖案化第一金屬層，以定義出一源極與一漏極。之后，在基板上方依序形成一溝道材質(zhì)層、一柵絕緣層以及一第二金屬層，以覆蓋源極與漏極，并且圖案化第二金屬層、柵絕緣層以及溝道材質(zhì)層，以定義出一柵極以及一溝道層。
本發(fā)明再提出一種薄膜晶體管，此薄膜晶體管包括一源極與一漏極、一溝道層、一柵絕緣層以及一柵極，其中源極與漏極配置在一基板上，而溝道層覆蓋住源極與漏極。此外，柵絕緣層配置于溝道層上。另外，柵極配置于柵絕緣層上。
本發(fā)明AOC技術(shù)不同于現(xiàn)有技術(shù)，其作法是將薄膜晶體管制作在彩色濾光層上。此外，本發(fā)明僅需進(jìn)行四道掩膜制作工序即可以完成像素結(jié)構(gòu)的制作，其較傳統(tǒng)五道掩膜制作工序可以減少一道掩膜數(shù)，因此具有增加產(chǎn)能以及降低成本的優(yōu)點(diǎn)。另外，本發(fā)明的四道掩膜制作工序中并未在掩膜上使用半透光圖案(halftone)的技術(shù)，因此不會有掩膜布局設(shè)計(jì)以及光刻膠選擇性方面的問題，而且也不會有曝光后圖案不均勻的問題。
本發(fā)明的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)及其制造方法不同于現(xiàn)有技術(shù)，以柵極在薄膜晶體管所形成的順序及其位置來說，現(xiàn)有的薄膜晶體管的柵極是在第一道掩膜制作工序所定義出來的且其源極與漏極位于柵極與溝道層的上方，而本發(fā)明薄膜晶體管的柵極是在第二道掩膜制作工序中所定義出來的且源極與漏極形成于柵極與溝道層的下方。


圖1是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例一種像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖2是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的薄膜晶體管液晶顯示器的另一種像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖3是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖4A至圖4I是依照本發(fā)明第一實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖；圖5A至圖5I是依照本發(fā)明第二實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖。
符號說明基板100光刻膠層102、104、106、108彩色濾光層110 黑矩陣112彩色濾光圖案113第一焊墊114第二焊墊116偏光層120下電極122 第一金屬層130源極132漏極134歐姆接觸材質(zhì)層140、140a數(shù)據(jù)配線150溝道材質(zhì)層160 溝道層160a柵絕緣層162第二金屬層164柵極164a 掃瞄配線170鈍化層180、180a透明導(dǎo)電層182、182a像素電極184上電極186薄膜晶體管T像素電極P儲存電容器C焊墊B、B’具體實(shí)施方式
本發(fā)明所提出的像素結(jié)構(gòu)的制造方法完全不需要在掩膜上使用半透光圖案(halftone)技術(shù)，即可以以四道掩膜完成像素結(jié)構(gòu)的制作。而且，由于基板上已形成有彩色濾光層，所以以四道掩膜所制成的具有多個像素結(jié)構(gòu)的基板可以直接與另一基板搭配，以構(gòu)成一薄膜晶體管液晶顯示面板。以下說明為本發(fā)明之較佳實(shí)施例，但并非用以限定本發(fā)明。
四道掩膜制作工序的第一實(shí)施例圖1是依照本發(fā)明第一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，圖4A至圖4I是依照本發(fā)明第一實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖。
參照圖1以及圖4A，首先提供一基板100，在此基板100上可以包括有預(yù)定形成薄膜晶體管T(thin film transistor)的區(qū)域、預(yù)定形成像素電極P(pixel electrode)的區(qū)域、預(yù)定形成儲存電容器C(storage capacitor)的區(qū)域以及預(yù)定形成焊墊B、B’(bonding pad)的區(qū)域。在一較佳實(shí)施例中，基板100可以是透明玻璃基板或是透明塑料基板，且此基板100上已形成有一彩色濾光層110，且彩色濾光層110上覆蓋有一偏光層120。值得一提的是，在基板100上形成彩色濾光層110的方法可以包括形成一黑矩陣112，其材質(zhì)包括黑樹脂、金屬或是由紅、綠、藍(lán)色濾光圖案堆棧所構(gòu)成。之后在黑矩陣112內(nèi)形成多個彩色濾光圖案113，其可以是紅色濾光圖案、綠色濾光圖案以及藍(lán)色濾光圖案。接著，如圖4B所示，在偏光層120上形成一第一金屬層130。在一較佳實(shí)施例中，在形成第一金屬層130后還包括在第一金屬層130上形成一歐姆接觸材質(zhì)層140。
上述的第一金屬層130可以是一單層金屬層或是多層金屬層結(jié)構(gòu)，若第一金屬層130是一單層金屬層，則其材質(zhì)可以是選自鉻(Cr)層、鎢(W)層、鉭(Ta)層、鈦(Ti)層、鉬(Mo)層、鋁(Al)層以及其合金層。若第一金屬層130是多層金屬層結(jié)構(gòu)，其可以是Al/Cr/Al三層結(jié)構(gòu)、Mo/Al/Mo三層結(jié)構(gòu)或是Cr/Al兩層結(jié)構(gòu)等等組合。而上述的歐姆接觸材質(zhì)層140可以是摻雜的非晶硅。
請?jiān)賲⒄請D4B，緊接著，進(jìn)行第一道掩膜制作工序，以在歐姆接觸材質(zhì)層140上形成一圖案化光刻膠層102。并且，以光刻膠層102作為一刻蝕光掩膜進(jìn)行一刻蝕制作工序，以圖案化歐姆接觸材質(zhì)層140以及第一金屬層130，而圖案化的歐姆接觸材質(zhì)層140a與圖案化的第一金屬層132/134可以具有相同的圖案，如圖4C所示。在一較佳實(shí)施例中，第一道掩膜制作工序在預(yù)定形成薄膜晶體管T區(qū)域中定義出一源極132與一漏極134。此外，在第一道掩膜制作工序中還包括定義出與源極132連接的一數(shù)據(jù)配線150(如圖1所示)。在另一較佳實(shí)施例中，第一道掩膜制作工序中還包括在基板100邊緣預(yù)定形成焊墊B區(qū)域中定義出與數(shù)據(jù)配線150電連接的一第一焊墊114。
請參照圖1與圖4D，在基板100上方依序形成一溝道材質(zhì)層160、一柵絕緣層162以及一第二金屬層164，覆蓋住上述所形成的結(jié)構(gòu)。此外，上述的第二金屬層164可以是一單層金屬層或是多層金屬層結(jié)構(gòu)，若第二金屬層164是一單層金屬層，則其材質(zhì)可以是選自鉻(Cr)層、鎢(W)層、鉭(Ta)層、鈦(Ti)層、鉬(Mo)層、鋁(Al)層以及其合金層。若第二金屬層164是多層金屬層結(jié)構(gòu)，其可以是Al/Cr/Al三層結(jié)構(gòu)、Mo/Al/Mo三層結(jié)構(gòu)或是Cr/Al兩層結(jié)構(gòu)等等組合。
在一較佳實(shí)施例中，溝道材質(zhì)層160的材質(zhì)可以是非晶硅。柵絕緣層162的材質(zhì)可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。緊接著，進(jìn)行一第二道掩膜制作工序，以在第二金屬層164上形成一圖案化的光刻膠層104，并且以光刻膠層104作為一刻蝕光掩膜進(jìn)行一刻蝕制作工序，如圖4E所示，以圖案化第二金屬層164、柵絕緣層162以及溝道材質(zhì)層160。在一較佳實(shí)施例中，第二道掩膜制作工序在預(yù)定形成薄膜晶體管T區(qū)域中定義出一柵極164a以及一溝道層160a。此外，在第二道掩膜制作工序中，還包括定義出與柵極164a電連接的掃瞄配線170(如圖1所示)。
在另一較佳實(shí)施例中，第二道掩膜制作工序還包括在預(yù)定形成儲存墊容器C區(qū)域中定義出下電極122，儲存電容器C可以是一柵極層上方的儲存電容器(Cst on gate)。在另一較佳實(shí)施例中，第二道掩膜制作工序還包括在基板100的另一邊緣預(yù)定形成焊墊B`區(qū)域中定義出與掃瞄配線170電連接的一第二焊墊116(如圖1所示，剖面與焊墊B相似)，并且在焊墊B區(qū)域中保留下部分的第二金屬層164。
請參照圖1與圖4F，在基板100的上方沉積一鈍化層180，覆蓋住上述所形成的結(jié)構(gòu)。在一較佳實(shí)施例中，鈍化層180的材質(zhì)可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是有機(jī)材質(zhì)。緊接著，進(jìn)行一第三道掩膜制作工序，以在鈍化層180上形成一圖案化的光刻膠層106，并且以光刻膠層106作為一刻蝕光掩膜進(jìn)行一刻蝕制作工序，以圖案化鈍化層180，而形成圖案化的鈍化層180a，如圖4G所示。
在一較佳實(shí)施例中，圖案化的鈍化層180a使部分漏極134暴露出來。在另一較佳實(shí)施例中，第三道掩膜制作工序還包括保留位于下電極122上的鈍化層180a，以作為電容介電層之用。在另一較佳實(shí)施例中，第三道掩膜制作工序還包括暴露出部分的第一焊墊114以及第二焊墊116。
請參照圖1與圖4H，在基板100上方形成一透明導(dǎo)電層182，而此透明導(dǎo)電層182與暴露出的漏極134電連接。在一較佳實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層182的材質(zhì)可以是采用ITO或IZO。緊接著，對透明導(dǎo)電層182進(jìn)行一第四道掩膜制作工序，以在透明導(dǎo)電層182上形成一圖案化光刻膠層108，并且以光刻膠層108作為一刻蝕光掩膜進(jìn)行一刻蝕制作工序，以圖案化透明導(dǎo)電層182，而形成圖案化的透明導(dǎo)電層182a，如圖4I所示。在一較佳實(shí)施例中，第四道掩膜制作工序在預(yù)定形成像素電極P區(qū)域中定義出一像素電極184。
在另一較佳實(shí)施例中，第四道掩膜制作工序中還包括保留位于下電極122上方的鈍化層180a上的透明導(dǎo)電層，以作為一上電極186。上述的上電極186、下電極122以及兩電極之間的介電材料(鈍化層180a)即可構(gòu)成一像素儲存電容器。值得注意的是，上述的儲存電容器C并不局限位于柵極層上方的儲存電容器，其也可以是形成在共享線上方的儲存電容器(Cst on common)(如圖2所示)。
在另一較佳實(shí)施例中，在第四道掩膜制作工序還包括保留位于第一焊墊114與第二焊墊116上方的透明導(dǎo)電層182a。對于形成焊墊B區(qū)域而言，此透明導(dǎo)電層182a使第一焊墊114與形成于第一焊墊114上方的第二金屬層164電連接。同樣的，對于形成焊墊B’區(qū)域而言，此透明導(dǎo)電層使第二焊墊與形成于第二焊墊下方的第一金屬層電連接(未繪示出)。
參照圖1以及圖4I描述像素結(jié)構(gòu)，由上述四道掩膜制作工序所形成的像素結(jié)構(gòu)包括一彩色濾光層110、一偏光層120、一薄膜晶體管T、一鈍化層180a以及一像素電極P。其中，彩色濾光層110配置在一基板100上，而偏光層120覆蓋在彩色濾光層110上。其中，彩色濾光層110可以包括一黑矩陣112以及配置于黑矩陣112內(nèi)的多個彩色濾光圖案113，其可以是紅色濾光圖案、多個綠色濾光圖案以及多個藍(lán)色濾光圖案。
上述的薄膜晶體管T配置在偏光層120上，而此薄膜晶體管T由一源極132與一漏極134、覆蓋于源極132與漏極134上的一溝道層160a、配置于溝道層160a上的一柵絕緣層162以及配置于柵絕緣層162上的一柵極164a所構(gòu)成。此外，上述溝道層160a的材質(zhì)可以包括非晶硅。
在另一較佳實(shí)施例中，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)還包括一歐姆接觸層140a，其配置于源極132/漏極134與溝道層160a之間。此外，鈍化層180a覆蓋薄膜晶體管T，并使部分漏極134暴露出來。另外，像素電極P配置于偏光層120上，且像素電極P與暴露出的漏極134電連接。
在一較佳實(shí)施例中，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)還包括一儲存電容器C，其配置于偏光層120上方，且此儲存電容器C由一下電極122、一上電極186(透明導(dǎo)電層)以及一電容介電層(鈍化層180a)所構(gòu)成，且上電極186與像素電極P電連接。
在一較佳實(shí)施例中，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)還包括第一焊墊114及一第二焊墊116，其配置在基板100的二邊緣處，第一焊墊114與數(shù)據(jù)配線150電連接。在一較佳實(shí)施例中，此第一焊墊114更由一透明導(dǎo)電層182a而與位于焊墊區(qū)域B的第二金屬層164電連接。此外，第二焊墊116與掃瞄配線170電連接。在一較佳實(shí)施例中，此第二焊墊更由一透明導(dǎo)電層而與位于焊墊區(qū)域B’的第一金屬層電連接(未繪示出)。
四道掩膜制作工序的第二實(shí)施例圖3是依照本發(fā)明第二實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，圖5A至圖5I是依照本發(fā)明第二實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖。值得注意的是，由于第二實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)的制造流程與上述第一實(shí)施例相似，因此第二實(shí)施例僅針對不相同之處作說明。
首先，進(jìn)行圖5A的步驟，其與圖4A的步驟相同。之后，請參照圖5B，進(jìn)行第一道掩膜制作工序，以于歐姆接觸材質(zhì)層140上形成一圖案化的光刻膠層102。接著，以光刻膠層102為刻蝕光掩膜進(jìn)行一刻蝕制作工序，以定義出源極132與漏極134，如圖3以及圖5C所示，且在第一道掩膜制作工序中還包括于預(yù)定形成像素電極P區(qū)域中定義出一下電極122。在另一較佳實(shí)施例中，第一道掩膜制作工序中在基板100邊緣預(yù)定形成焊墊B區(qū)域中定義出與數(shù)據(jù)配線150電連接的一第一焊墊114。
接著，進(jìn)行圖5D至圖5E步驟，其與圖4D至圖4E步驟相似，在此步驟中，除了定義出柵極164a與溝道層162之外，還包括保留位于下電極122上方的柵絕緣層162、溝道材質(zhì)層160以及第二金屬層164a，其中保留下來的柵絕緣層162與溝道材質(zhì)層160作為一電容介電層，而保留下來的第二金屬層164a為一共享線，其作為儲存電容器C的一上電極186，因此儲存電容器C可以是形成在共享線上方的儲存電容器(Cs on common)。由下電極122、上電極186以及電容介電層即可構(gòu)成一像素儲存電容器。在另一較佳實(shí)施例中，此步驟還包括定義出第二焊墊116。
接著，進(jìn)行圖5F至圖5I，其與圖4F至圖4I步驟相似，包括沉積鈍化層以及圖案化鈍化層，沉積透明導(dǎo)電層以及圖案化透明導(dǎo)電層。特別一提的是，圖案化透明導(dǎo)電層之后所定義出的像素電極184會與被鈍化層180a暴露出的下電極122電連接。
以第二實(shí)施例的制作工序所制作出的像素結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施例相似，不同之處在于儲存電容器C是一種形成在共享線上方的電容器(Cst oncommon)，且儲存電容器C由一下電極122、一上電極186(共享線)以及一電容介電層(柵絕緣層162與溝道材質(zhì)層160)所構(gòu)成，且下電極122與像素電極P電連接。
由以上兩實(shí)施例的說明可知，本發(fā)明COA技術(shù)有別于現(xiàn)有技術(shù)，其作法是將薄膜晶體管制作在彩色濾光層上。除此之外，本發(fā)明僅需進(jìn)行四道掩膜制作工序即可以完成像素結(jié)構(gòu)的制作，其較傳統(tǒng)五道掩膜制作工序可以減少一道掩膜數(shù)，因此具有增加產(chǎn)能以及降低成本的優(yōu)點(diǎn)。而且，本發(fā)明四道掩膜制作工序中并未在掩膜上使用半透光圖案(halftone)的技術(shù)，因此不會有掩膜布局設(shè)計(jì)以及光刻膠選擇性方面的問題，而且也不會有曝光后圖案不均勻的問題。
值得一提的是，不論是在第一實(shí)施例或第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)中，薄膜晶體管T制作流程及其結(jié)構(gòu)都是相同。因此為了方便說明薄膜晶體管T制作方法與結(jié)構(gòu)，以下以第二實(shí)施例的附圖來作說明。請參照圖5I，此薄膜晶體管T制作方法首先定義出一源極132以及一漏極134。之后，使用同一道掩膜制作工序以在源極132以及漏極134的上方形成同時定義出一溝道層160a、一柵絕緣層162以及一柵極164a，以形成一薄膜晶體管。因此以此方法所形成的薄膜晶體管的源極132與漏極134配置在整個結(jié)構(gòu)的底層，而溝道層160a覆蓋住源極132與漏極134。此外，柵絕緣層162配置于溝道層160a上。另外，柵極164a配置于柵絕緣層162上。在一較佳實(shí)施例中，薄膜晶體管T還包括一歐姆接觸材質(zhì)層140a，其配置于源極132/漏極134與溝道層160a之間。特別是，溝道層160a的材料可以是非晶硅。
本發(fā)明薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)及其制造方法不同于現(xiàn)有技術(shù)，以柵極在薄膜晶體管所形成的順序及其位置來說，現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管的柵極在第一道掩膜制作工序中形成于基板上，而本發(fā)明的薄膜晶體管的柵極在第二道掩膜制作工序中形成于柵絕緣層上。
雖然本發(fā)明以較佳實(shí)施例作了如上的說明，但是其并非用以限定本發(fā)明，任何本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的方法和范圍內(nèi)，可作各種替換與修改，因此本發(fā)明保護(hù)范圍以權(quán)利要求書中所規(guī)定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括提供一基板，且該基板上已形成有一彩色濾光層，且該彩色濾光層上覆蓋有一偏光層；在該偏光層上形成一第一金屬層；進(jìn)行第一道掩膜制作工序，以圖案化該第一金屬層，而定義出一源極與一漏極；在基板上方依序形成一溝道材質(zhì)層、一柵絕緣層以及一第二金屬層，覆蓋該源極與該漏極；進(jìn)行一第二道掩膜制作工序，以圖案化該第二金屬層、該柵絕緣層以及該溝道材質(zhì)層，以定義出一柵極以及一溝道層；在該基板上方形成一鈍化層，覆蓋該柵極；進(jìn)行一第三道掩膜制作工序，以圖案化該鈍化層，而使該漏極部分暴露出來；在該基板上方形成一透明導(dǎo)電層，該透明導(dǎo)電層與暴露出的該漏極電連接；以及對該透明導(dǎo)電層進(jìn)行一第四道掩膜制作工序，以定義出一像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中在所述第二道掩膜制作工序中，還包括定義出一下電極；在第三道掩膜制作工序中，還包括保留位于該下電極上的鈍化層；以及在所述第四道掩膜制作工序中，還包括保留位于該鈍化層上的該透明導(dǎo)電層，以作為一上電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中在所述第一道掩膜制作工序中，還包括定義出一下電極；在所述第二道掩膜制作工序中，還包括保留位于該下電極上方的該柵絕緣層以及該第二金屬層，以作為一電容介電層與一上電極；在所述第三道掩膜制作工序中，還包括暴露出部分的下電極；以及在所述第四道掩膜制作工序中所定義出的像素電極與暴露出的該下電極電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中在所述第一道掩膜制作工序中，還包括定義出一第一焊墊；在所述第二道掩膜制作工序中，還包括定義出一第二焊墊；在所述第三道掩膜制作工序中，還包括暴露出部分該第一焊墊以及該第二焊墊；以及在所述第四道掩膜制作工序中，還包括保留位于該第一焊墊與該第二焊墊上方的該透明導(dǎo)電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在該基板上形成該第一金屬層后，還包括在該第一金屬層上形成一歐姆接觸材質(zhì)層，且在該第一道掩膜制作工序中，還包括圖案化該歐姆接觸材質(zhì)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在所述基板上形成該彩色濾光層的方法包括在該基板上形成一黑矩陣；以及在該黑矩陣內(nèi)形成多個紅色濾光圖案、多個綠色濾光圖案以及多個藍(lán)色濾光圖案。
7.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于包括一彩色濾光層，配置在一基板上；一偏光層，覆蓋在該彩色濾光層上；一薄膜晶體管，配置在該偏光層上，該薄膜晶體管由一源極與一漏極、部分覆蓋于該源極與該漏極上的一溝道層、配置于該溝道層上的一柵絕緣層以及配置于該柵絕緣層上的一柵極所構(gòu)成；一鈍化層，覆蓋該薄膜晶體管，并使部分漏極暴露出來；以及一像素電極，配置于該偏光層上，且該像素電極與暴露出的該漏極電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括一儲存電容器，配置于該偏光層上，且該儲存電容器由一下電極、一上電極以及一電容介電層所構(gòu)成，且該上電極與該像素電極電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括一儲存電容器，配置于該偏光層與該像素電極之間，該儲存電容器由一下電極、一上電極以及一電容介電層所構(gòu)成，且該下電極與該像素電極電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括一第一焊墊以及一第二焊墊，配置在該基板的二邊緣處。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括一歐姆接觸層，其配置于該源極/漏極與該溝道層之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述彩色濾光層包括一黑矩陣以及配置于該黑矩陣內(nèi)的多個紅色濾光圖案、多個綠色濾光圖案以及多個藍(lán)色濾光圖案。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，此方法包括提供一基板，且在基板上已形成有一彩色濾光層，而彩色濾光層上覆蓋有一偏光層。接著在偏光層上形成一第一金屬層并圖案化第一金屬層而定義出一源極與一漏極。在基板上依序形成一溝道材質(zhì)層、一柵絕緣層以及一第二金屬層以覆蓋源極與漏極，并圖案化第二金屬層、柵絕緣層以及溝道材質(zhì)層而定義出一柵極以及一溝道層。在基板上方形成一保護(hù)層以覆蓋柵極，并且圖案化保護(hù)層而使部分漏極暴露出來。接著在基板上方形成一透明導(dǎo)電層，且此透明導(dǎo)電層與暴露出的漏極電連接。圖案化此透明導(dǎo)電層，以構(gòu)成一像素電極。
文檔編號H01L21/02GK1652296SQ20051000276
公開日2005年8月10日 申請日期2005年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月26日
發(fā)明者洪孟逸, 施明宏 申請人:廣輝電子股份有限公司