專利名稱：形成半導(dǎo)體器件的鈍化膜的方法以及這種鈍化膜的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法以及一種半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。更具體地，本發(fā)明涉及一種形成半導(dǎo)體器件的鈍化膜的方法以及一種半導(dǎo)體器件的鈍化膜的結(jié)構(gòu)，其中可顯著地減少選擇源極線與公共源極線間的漏電流。
背景技術(shù)：
通常，將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件分類成在停止供電時(shí)所儲(chǔ)存的信息會(huì)丟失的易失性存儲(chǔ)器件以及在停止供電時(shí)仍可保持所儲(chǔ)存的信息的非易失性存儲(chǔ)器件。該非易失性存儲(chǔ)器件包括可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(ErasableProgrammable Read Only Memory，EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM)、閃存等。
閃存器件依據(jù)單元的結(jié)構(gòu)可分類成NOR型及NAND型。NAND型閃存的單元陣列區(qū)域由許多單元組(strings)所構(gòu)成。一單元組連接16或32個(gè)單元。每一單元組包括以串聯(lián)方式連接的一單元組選擇晶體管、多個(gè)單元晶體管及一接地選擇晶體管。單元組選擇晶體管的漏極區(qū)域連接至一位線，以及該接地選擇晶體管的源極連接至一公共源極線。
在這種NAND型閃存器件中，使用一高密度等離子體(以下稱為“HDP”)膜來(lái)作為鈍化膜(passivation film)。該HDP膜通過(guò)化學(xué)氣相淀積(CVD)方法形成，金屬線之間相互絕緣。然而，當(dāng)通過(guò)CVD方法形成該HDP膜時(shí)，等離子體電荷會(huì)通過(guò)該金屬線滲透至該半導(dǎo)體器件中。這會(huì)導(dǎo)致在選擇源極線與公共源極線間產(chǎn)生超過(guò)一參考值(例如5×10-12A)的漏電流。當(dāng)通過(guò)一絕緣膜作為該選擇源極線與該公共源極線間的隔離時(shí)，要求不會(huì)產(chǎn)生超過(guò)一給定參考值的漏電流。實(shí)際上，在一直到實(shí)施過(guò)金屬線工序的晶片中不會(huì)產(chǎn)生超過(guò)一給定參考值的漏電流。然而，在實(shí)施該HDP膜形成工序之后，會(huì)產(chǎn)生大量的漏電流。

發(fā)明內(nèi)容
因此，有鑒于上述問題而提出本發(fā)明，而且本發(fā)明的一目的在于提供一種形成半導(dǎo)體器件的鈍化膜的方法，其中可顯著地減少選擇源極線與公共源極線間的漏電流。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種半導(dǎo)體器件的鈍化膜的結(jié)構(gòu)，其中可大大地減少選擇源極線與公共源極線間的漏電流。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，依據(jù)本發(fā)明，提供一種形成半導(dǎo)體器件的鈍化膜的方法，其包括下列步驟在一半導(dǎo)體襯底上形成多條金屬線；在該金屬線上形成一作為第一鈍化膜的緩沖氧化膜，其中該緩沖氧化膜可減輕等離子體所造成的損傷；在該緩沖氧化膜上形成一作為第二鈍化膜的HDP膜；以及在該第二鈍化膜上形成第三鈍化膜。
優(yōu)選地，該緩沖氧化膜及該HDP膜系在原處在同一反應(yīng)室中形成。
該緩沖氧化膜在如下狀態(tài)中在不施加偏置功率或施加低于1000W的偏置功率的條件下通過(guò)化學(xué)反應(yīng)形成等離子體狀態(tài)的離子不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體襯底形成物理撞擊。
該緩沖氧化膜可由使用硅烷(SiH4)氣體作為硅源氣體及氧氣作為氧源氣體所形成的氧化硅膜構(gòu)成。
該緩沖氧化膜可在250到400℃溫度及1到15mTorr壓力下通過(guò)注入硅源氣體及氧源氣體及施加1000到5000W的電源功率及0到1000W的偏置功率來(lái)形成。該硅源氣體為硅烷氣體且該氧源氣體為氧氣，并且該緩沖氧化膜可通過(guò)在10到100sccm的流速下注入該硅源氣體及在15到200sccm的流速下注入該氧源氣體來(lái)形成。
該緩沖氧化膜形成約50到2000的厚度，其中該厚度的程度可充分地防止在形成該HDP膜時(shí)等離子體電荷滲透至該金屬線中。
該HDP膜可在250到400℃溫度及1到15mTorr壓力下通過(guò)注入硅烷氣體及氧氣及施加1000到5000W的源功率及1000到4000W的偏置功率來(lái)形成。該HDP膜可通過(guò)在30到150sccm的流速下注入硅烷氣體及在40到300sccm的流速下注入氧氣來(lái)形成。
該第三鈍化膜可使用氮化硅膜來(lái)形成。該氮化硅膜可通過(guò)等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積(PECVD)方法來(lái)形成，并且可在300到400℃溫度及1到15mTorr壓力下通過(guò)注入硅源氣體及氮源氣體及施加300到2000W的高頻率功率來(lái)形成。
此外，依據(jù)本發(fā)明，提供一種半導(dǎo)體器件的鈍化膜的結(jié)構(gòu)，包括一緩沖氧化膜，其形成于一半導(dǎo)體襯底上，在該半導(dǎo)體襯底中沿著多條金屬線所要形成的臺(tái)階形成該金屬線，其中該緩沖氧化膜用以減輕等離子體所造成的損傷；一HDP膜，其以一可填滿該金屬線間的間隙的厚度形成于該緩沖氧化膜上；以及一氮化膜，其形成于該HDP膜上，其中該氮化膜用以防止水分從外部滲入，其中該鈍化膜的結(jié)構(gòu)具有一由該緩沖氧化膜、HDP膜及氮化膜所組成的三層結(jié)構(gòu)。


圖1為顯示一NAND型閃存器件的一單元陣列區(qū)域的部分的等效電路圖；圖2至5為用以說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例來(lái)形成一半導(dǎo)體器件的鈍化膜的方法的剖面圖；以及圖6為顯示一漏電流特性的圖形，該漏電流特性依賴于是否在該NAND型閃存器件中形成一緩沖氧化膜。
主要組件符號(hào)說(shuō)明100 半導(dǎo)體襯底110 金屬線120 第一鈍化膜(緩沖氧化膜)130 第二鈍化膜(HDP膜)140 第三鈍化膜B/L 位線C1 單元晶體管Cn 單元晶體管CSL 公共源極線DSL 單元組選擇線GST 接地選擇晶體管
M/L 金屬線SSL 選擇源極線SST 單元組選擇晶體管WL1 字線WLn 字線具體實(shí)施方式
現(xiàn)在，將配合附圖來(lái)描述依據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。因?yàn)橐故炝?xí)該項(xiàng)技術(shù)的一般人士能了解本發(fā)明而提供優(yōu)選實(shí)施例，所以可以不同方式來(lái)修改這些優(yōu)選實(shí)施例，并且本發(fā)明的范圍并非局限于稍后所描述的優(yōu)選實(shí)施例。同時(shí)，如果描述一膜位于另一膜或一半導(dǎo)體襯底″上″，該膜可直接接觸該另一膜或該半導(dǎo)體襯底?；蛘?，一第三膜可介于該膜與該另一膜或該半導(dǎo)體襯底之間。此外，在附圖中，為了便于說(shuō)明及明晰起見，放大了每一層的厚度及尺寸。相同組件符號(hào)用以標(biāo)示相同或相似部分。
人們發(fā)現(xiàn)當(dāng)形成這些金屬線之后，測(cè)量漏電流時(shí)，漏電流特性是正常的，然而在形成一鈍化膜之后，該漏電流會(huì)突然增加。這是因?yàn)榈矸eHDP膜時(shí)所產(chǎn)生的等離子體電荷對(duì)該漏電流特性具有壞的影響。作為第二鈍化膜的該HDP膜是通過(guò)施加一高偏置功率來(lái)淀積的，以便掩埋該金屬線。因此，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明漏電流特性劣化了。為了解決此問題，必須在淀積作為該第二鈍化膜的HDP膜前使用一能防止等離子體所造成的損傷的緩沖氧化膜。
該緩沖氧化膜是在HDP膜淀積工序中在原處淀積的。亦即，在淀積該HDP膜的初始步驟中淀積該緩沖氧化膜之后，在一隨后工序中實(shí)施用以掩埋金屬線間的間隙的該HDP膜淀積工序。為此，在形成該緩沖氧化膜的步驟中，需要最小化要施加至該襯底的偏置功率。換句話說(shuō)，必須通過(guò)最小化或不使用該偏置功率，在下列狀態(tài)下通過(guò)化學(xué)反應(yīng)形成一氧化膜等離子體狀態(tài)的離子不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體襯底造成物理撞擊。如果利用此原理，在淀積該緩沖氧化膜時(shí)就可最大限度地阻止對(duì)金屬線造成物理?yè)p傷。同樣，也可能防止選擇源極線與公共源極線之間產(chǎn)生漏電流。
圖1為顯示一NAND型閃存器件的一單元陣列區(qū)域的部分的等效電路圖。
參考圖1，該NAND型閃存器件的單元陣列區(qū)域具有多個(gè)單元組，例如第一至第四單元組S1、S2、S3及S4。一個(gè)單元組連接至16或32個(gè)單元。每一單元組包括一單元組選擇晶體管SST、多個(gè)單元晶體管C1、...、Cn以及一接地選擇晶體管GST。該單元組選擇晶體管SST的柵極連接至一單元組選擇線DSL。該接地選擇晶體管GST的柵極連接至一選擇源極線SSL。每一單元組的第一單元晶體管的控制柵極連接至第一字線WL1。每一單元組的第n單元晶體管Cn的控制柵極連接至一字線WLn。單元組選擇晶體管SST漏極區(qū)域連接至一位線B/L。接地選擇晶體管GST的源極區(qū)域連接至一公共源極線CSL。多條位線B/L朝橫跨該多條字符WL1、...、WLn的方向來(lái)設(shè)置。公共源極線CSL朝平行于該選擇源極線SSL的方向來(lái)設(shè)置。公共源極線CSL連接至一平行于該位線B/L的金屬線M/L。該金屬線M/L是一用以將該公共源極線CSL連接至周邊區(qū)域(未示出)的金屬線。
現(xiàn)將參考附圖來(lái)描述依據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例的一形成半導(dǎo)體器件的鈍化膜的方法。
圖2至圖5為用以說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例來(lái)形成一半導(dǎo)體器件的一鈍化膜的方法的剖面圖。
參考圖2，在一半導(dǎo)體襯底100上形成一金屬線110。該金屬線110可以是一單層金屬線。雖然未示出于該半導(dǎo)體襯底100中，但是可將圖1中所描述的一單元組選擇晶體管、一單元晶體管、一接地選擇晶體管、一選擇源極線、一字線、一單元組選擇線、一公共源極線、一位線等形成于該半導(dǎo)體襯底100中。多條金屬線間的深度可以是例如5000到15000。
參考圖3，在半導(dǎo)體襯底100上形成一作為第一鈍化膜的緩沖氧化膜120，其中在該半導(dǎo)體襯底100上已形成有金屬線110且該緩沖氧化膜120可減輕等離子體所造成的損傷。該緩沖氧化膜120可使用一具有低壓應(yīng)力或張應(yīng)力的氧化膜來(lái)形成。當(dāng)形成該緩沖氧化膜120時(shí)，優(yōu)選使施加至該半導(dǎo)體襯底的偏置功率最小化。亦即，可通過(guò)最小化或不使用該偏置功率，在下列狀態(tài)下通過(guò)化學(xué)反應(yīng)形成該緩沖氧化膜120等離子體狀態(tài)的離子不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體襯底(或金屬線)造成物理撞擊。當(dāng)形成緩沖氧化膜120時(shí)，不施加偏置功率，或者施加只會(huì)使等離子體所造成的對(duì)該半導(dǎo)體襯底的物理撞擊很少發(fā)生的程度的偏置功率(例如低于1000W的偏置功率)。該緩沖氧化膜120可通過(guò)使用硅烷(SiH4)氣體作為硅源氣體及氧氣(O2)作為氧源氣體所形成的氧化硅膜(SiO2)構(gòu)成。例如該緩沖氧化膜120可在約250到400℃溫度及約1到15mTorr壓力下通過(guò)注入硅源氣體及氧源氣體及施加約1000到5000W的源功率及約0到1000W的偏置功率來(lái)形成。此時(shí)，將該硅源氣體的流速設(shè)定成約10到100sccm，并將該氧源氣體的流速設(shè)定成約15到200sccm。在形成該緩沖氧化膜120時(shí)，環(huán)境氣體可以使用氬氣(Ar)、氦氣(He)、氮?dú)?N2)等。該緩沖氧化膜120形成具有一可充分地防止在形成該HDP膜時(shí)等離子體電荷滲透至該金屬線的厚度，例如約50到2000。
參考圖4，在該半導(dǎo)體襯底100上形成一作為第二鈍化膜的HDP膜130，其具有一可至少完全地掩埋該金屬線間的間隙的厚度，其中在該半導(dǎo)體襯底上已形成有該緩沖氧化膜。優(yōu)選地，該HDP膜130在用以形成該緩沖氧化膜120的設(shè)備(反應(yīng)室)中在原處連續(xù)地形成。該HDP膜130可通過(guò)化學(xué)氣相淀積(CVD)方法來(lái)形成。該HDP膜130通過(guò)施加約1000到4000W的偏置功率形成。該HDP膜130可通過(guò)使用硅烷(SiH4)氣體作為硅源氣體及氧氣(O2)作為氧源氣體所形成的氧化硅膜(SiO2)構(gòu)成。例如該HDP膜130可在約250到400℃溫度及約1到15mTorr壓力下通過(guò)注入硅源氣體及氧源氣體及施加約1000到5000W的源功率及約1000到4000W的偏置功率來(lái)形成。此時(shí)，將該硅源氣體的流速設(shè)定為約30到150sccm，并將該氧源氣體的流速設(shè)定為約40到300sccm。在形成該HDP膜130時(shí)，環(huán)境氣體可以使用氬氣(Ar)、氦氣(He)、氮?dú)?N2)等。該HDP膜130形成具有至少可完全地掩埋該金屬線間的間隙的厚度，例如約3000到15000。
參考圖5，在該半導(dǎo)體襯底100上形成一可防止水分等滲入的第三鈍化膜140，其中在該半導(dǎo)體襯底100上已形成有該HDP膜130。該第三鈍化膜140可使用氮化硅(Si3N4)膜或氮氧化硅(SiON)膜來(lái)形成。該第三鈍化膜140可通過(guò)等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積(PECVD)方法來(lái)形成。該第三鈍化膜140可以通過(guò)使用硅烷(SiH4)或四乙基原硅酸鹽(Tetra Ethyl Ortho Silicate，TEOS)氣體作為硅源氣體及一氧化二氮(N2O)、氨氣(NH3)或其混合氣體作為氮源氣體所形成的氮化硅(Si3N4)形成。例如該第三鈍化膜140可在約300到400℃溫度及約1到20mTorr壓力下通過(guò)注入硅源氣體及氮源氣體及施加約300到2000W的源功率來(lái)形成。此時(shí)，將該硅源氣體的流速設(shè)定為約5到30sccm，并將氮源氣體的流速設(shè)定為10到100sccm。在形成該第三鈍化膜140時(shí)，環(huán)境氣體可以使用氬氣(Ar)、氦氣(He)、氮?dú)?N2)等。該第三鈍化膜140形成具有一可防止水分從外部滲入的厚度，例如約2000到10000。
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的鈍化膜具有三層結(jié)構(gòu)，其包括在該半導(dǎo)體襯底100上所形成的緩沖氧化膜120，在該半導(dǎo)體襯底100上沿著該金屬線110所要產(chǎn)生的臺(tái)階已形成有金屬線110，其中該緩沖氧化膜120可減輕等離子體所造成的損傷；在該緩沖氧化膜120上所形成的HDP膜130，其具有一足以掩埋金屬線間110的間隙的厚度；以及在該HDP膜130上所形成的氮化膜140，其用以防止水分從外部滲入。
當(dāng)將5V的正電壓施加至選擇源極線SSL或公共源極線CSL時(shí)的漏電流量顯示于表1及2中。表1及2表示根據(jù)一用以監(jiān)控主單元的測(cè)試模式(testpattern)所測(cè)量到的漏電流。在這些表中，指定一晶片的相應(yīng)點(diǎn)，在相應(yīng)點(diǎn)上漏電流的測(cè)量值顯示于表1及2中，以便使這些測(cè)量值對(duì)應(yīng)于該晶片的相應(yīng)點(diǎn)。
從表1可看出在一給定參考值(例如5×10-12A)以上的漏電流不會(huì)產(chǎn)生于直到實(shí)施過(guò)金屬線工序的晶片中(在未形成鈍化膜情況下測(cè)量該漏電流)。


下面的表2顯示在形成一HDP膜及一第三鈍化膜之后而未形成一緩沖氧化膜的情況下的漏電流值。此時(shí)，該HDP膜在約350℃溫度及約5mTorr壓力下通過(guò)注入硅烷氣體及氧氣以及施加約4400W的源功率及約2750W的偏置功率形成。此時(shí)，將該硅烷氣體的流速設(shè)定為約85sccm，并將該氧氣的流速設(shè)定為約150sccm。當(dāng)形成該HDP膜時(shí)，使用氬氣作為環(huán)境氣體。該HDP膜形成具有約9000的厚度。此外，該第三鈍化膜在約400℃溫度及約4Torr壓力下通過(guò)注入硅烷氣體及作為氮源氣體的一氧化二氮(N2O)及氨氣(NH3)以及施加約300W的高頻率功率形成。此時(shí)，將該硅烷氣體的流速設(shè)定為約250sccm，將該一氧化二氮?dú)怏w(N2O)的流速設(shè)定為約3000sccm，并將該氨氣(NH3)的流速設(shè)定為3500sccm。當(dāng)形成該第三鈍化膜時(shí)，使用氮?dú)?N2)作為環(huán)境氣體。該第三鈍化膜形成具有約1000的厚度。
從表2可看出，在實(shí)施該鈍化膜形成工序之后且未形成該緩沖氧化膜的情況下，會(huì)產(chǎn)生超過(guò)預(yù)定參考值(例如5×10-12A)的大量的漏電流。


圖6為顯示一漏電流特性的圖形，該漏電流特性依賴于是否在該NAND型閃存器件中形成一緩沖氧化膜。
在圖6中，HDP膜及第三鈍化膜的淀積條件與表2中的淀積條件相同。在圖6中，該緩沖氧化膜在約350℃溫度及約5mTorr壓力下通過(guò)注入硅烷氣體及氧氣以及施加約4400W的源功率及約0W的偏置功率形成。此時(shí)，將該硅烷氣體的流速設(shè)定為約53sccm，并將該氧氣的流速設(shè)定為約105sccm。當(dāng)形成該緩沖氧化膜時(shí)，使用氬氣作環(huán)境氣體，且該緩沖氧化膜形成具有約1000的厚度。
如果如現(xiàn)有技術(shù)那樣沒有形成該緩沖氧化膜，而只形成該HDP膜(圖6中的(a))，則在選擇源極線與公共源極線間會(huì)產(chǎn)生大量的漏電流。相反，如果先形成該緩沖氧化膜然后形成該HDP膜(圖6中的(c))，則很少會(huì)產(chǎn)生漏電流。在圖6中，(b)表示一直到進(jìn)行完金屬線工序的晶片的漏電流值(該漏電流是在沒有形成該鈍化膜情況下測(cè)量的)。從圖6可看出該緩沖氧化膜足以起到一等離子體阻擋層的作用。
當(dāng)然，縱然該緩沖氧化膜可在淀積該HDP膜之前在除該HDP膜淀積室以外的它處淀積室中形成，也可獲得相同效果。然而，在此情況中，會(huì)有下列缺點(diǎn)周轉(zhuǎn)時(shí)間(turn around time，TAT)會(huì)變慢以及工序增加。
因此，優(yōu)選地，該緩沖氧化膜及該HDP膜在相同淀積室中在原處形成。如果使用原處工序，相比于傳統(tǒng)方法可在漏電流方面獲得改善的結(jié)果，同時(shí)會(huì)有不需額外工序的優(yōu)點(diǎn)，并且相比于在不同處形成該緩沖氧化膜及該HDP膜的情況，會(huì)有在周轉(zhuǎn)時(shí)間方面上的優(yōu)點(diǎn)。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明，在形成HDP膜之前，形成一緩沖氧化膜。因此，有可能顯著減少選擇源極線與公共源極線間的漏電流。
雖然已參考優(yōu)選實(shí)施例做出了上述說(shuō)明，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神及范圍及所附權(quán)利要求的前提下可以對(duì)本發(fā)明做出變更及修改。
權(quán)利要求
1.一種形成半導(dǎo)體器件的鈍化膜的方法，其包括下列步驟在一半導(dǎo)體襯底上形成多條金屬線；在所述金屬線上形成一作為第一鈍化膜的緩沖氧化膜，其中該緩沖氧化膜可減輕等離子體所造成的損傷；在所述緩沖氧化膜上形成一作為第二鈍化膜的高密度等離子體(HDP)膜；以及在所述第二鈍化膜上形成第三鈍化膜。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述緩沖氧化膜及HDP膜是在原處在同一反應(yīng)室中形成的。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述緩沖氧化膜在如下狀態(tài)中在不施加偏置功率或施加低于1000W的偏置功率的條件下通過(guò)化學(xué)反應(yīng)形成等離子體狀態(tài)的離子不會(huì)對(duì)所述半導(dǎo)體襯底形成物理撞擊。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述緩沖氧化膜由通過(guò)使用硅烷(SiH4)氣體作為硅源氣體及氧氣(O2)作為氧源氣體所形成的氧化硅膜構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該緩沖氧化膜在250到400℃溫度及1到15mTorr壓力下通過(guò)注入硅源氣體及氧源氣體及施加1000到5000W的源功率及0到1000W的偏置功率形成。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述硅源氣體為硅烷氣體且氧源氣體為氧氣，并且所述緩沖氧化膜通過(guò)在10到100sccm的流速下注入該硅源氣體及在15到200sccm的流速下注入該氧源氣體形成。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述緩沖氧化膜形成約50到2000的厚度，其中該厚度的程度可充分地防止在形成所述HDP膜時(shí)等離子體電荷滲透至所述金屬線中。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述HDP膜在250到400℃溫度及1到15mTorr壓力下通過(guò)注入硅烷氣體及氧氣及施加1000到5000W的源功率及1000到4000W的偏置功率形成。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述HDP膜通過(guò)在30到150sccm的流速下注入硅烷氣體及在40到300sccm的流速下注入氧氣形成。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第三鈍化膜系使用氮化硅膜形成。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述氮化硅膜通過(guò)等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積(PECVD)方法形成，并且在300到400℃溫度及1到15mTorr壓力下通過(guò)注入硅源氣體及氮源氣體及施加300到2000W的高頻率功率形成。
12.一種半導(dǎo)體器件的鈍化膜的結(jié)構(gòu)，其包括一緩沖氧化膜，其形成于一半導(dǎo)體襯底上，在該半導(dǎo)體襯底中沿著多條金屬線所要形成的臺(tái)階形成所述金屬線，其中所述緩沖氧化膜用以減輕等離子體所造成的損傷；一HDP膜，其以一可足夠填滿所述金屬線間的間隙的厚度形成于所述緩沖氧化膜上；以及一氮化膜，其形成于所述HDP膜上，其中所述氮化膜用以防止水分從外部滲入，其中所述鈍化膜的結(jié)構(gòu)具有一由所述緩沖氧化膜、HDP膜及氮化膜所組成的三層結(jié)構(gòu)。
全文摘要
公開一種制造半導(dǎo)體器件的方法及一種半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。一種形成半導(dǎo)體器件的鈍化膜的方法包括下列步驟在一半導(dǎo)體襯底上形成多條金屬線；在該金屬線上形成一作為第一鈍化膜的緩沖氧化膜，其中該緩沖氧化膜可減輕等離子體所造成的損傷；在該緩沖氧化膜上形成一作為第二鈍化膜的HDP膜；以及在該第二鈍化膜上形成第三鈍化膜。依據(jù)本發(fā)明，有可能顯著地減少在選擇源極線與公共源極線間的漏電流。
文檔編號(hào)H01L21/314GK1722378SQ20051000552
公開日2006年1月18日 申請(qǐng)日期2005年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月13日
發(fā)明者金相德 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司