專利名稱：液晶顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種液晶顯示裝置的形成方法，且特別有關(guān)于一種具有低摻雜漏極(Lightly Doped Drain；LDD)的液晶顯示裝置的形成方法。
現(xiàn)有技術(shù)為了增加液晶顯示器的開(kāi)口率，必須將低溫多晶硅液晶顯示裝置的溝道縮小，溝道相對(duì)地隨著縮小，結(jié)果引起短溝道效應(yīng)(Shortchannel effect)，使得電壓在操作元件時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱電子效應(yīng)(Hotelectron effect)。
又因?yàn)闇系揽s短，使得鄰近于源極與漏極之間的耗盡區(qū)(Depletion region)隨著電壓操作而越來(lái)越接近，甚至連接在一起。相對(duì)地，源極與漏極的泄漏電流(Leakage current)與穿通現(xiàn)象(Punch-through effect)也隨之變得嚴(yán)重與明顯，使得低溫多晶硅液晶顯示裝置電學(xué)特性退化并且會(huì)不穩(wěn)定。
常規(guī)技術(shù)于形成LDD的工藝中，需使用光阻或形成間隙子(Spacer)來(lái)作為離子注入的掩膜(Mask)，因此需要經(jīng)過(guò)涂布、曝光、顯影、以及光阻去除，或者氧化硅沉積、干法蝕刻、以及形成間隙子的步驟，這樣會(huì)增加工藝復(fù)雜度與制造成本，大大降低產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。
因此，業(yè)界亟需一種更簡(jiǎn)化的液晶顯示裝置工藝與制造成本低的具有低摻雜漏極的液晶顯示裝置，除了可以降低熱電子效應(yīng)、泄漏電流、以及穿透效應(yīng)外，產(chǎn)品也更具競(jìng)爭(zhēng)力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的之一在于提供一種更簡(jiǎn)化的液晶顯示裝置工藝與制造成本低的低摻雜漏極的液晶顯示裝置，使得產(chǎn)品更具競(jìng)爭(zhēng)力。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有N型LDD的液晶顯示裝置工藝。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有P型LDD的液晶顯示裝置工藝。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置的制造方法，直接使用柵極(Gate electrode)作為離子注入的掩膜，以形成源極/漏極(source/drain)；另外，以傾斜注入(tilted implantation)的方法形成N型LDD與P型LDD，并通過(guò)改變不同的入射角度與能量來(lái)達(dá)到改變LDD的位置，如掩埋式LDD(Buried lightly doped drain)。
為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下附圖簡(jiǎn)述

圖1A到1E示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的具有N型LDD的液晶顯示裝置的工藝剖面圖；圖2A到2E示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的具有N型LDD的液晶顯示裝置的工藝剖面圖；圖3A到3E示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的具有N型LDD的液晶顯示裝置的工藝剖面圖；圖4A到4E示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的具有N型LDD的液晶顯示裝置的工藝剖面圖；圖5A到5G示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的具有P型LDD的液晶顯示裝置的工藝剖面圖；
圖6A到6G示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的具有P型LDD的液晶顯示裝置的工藝剖面圖；圖7A到7G示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的具有P型LDD的液晶顯示裝置的工藝剖面圖；圖8A到8G示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的具有P型LDD的液晶顯示裝置的工藝剖面圖。
實(shí)施方式根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，如圖1A至1E所示，上述液晶顯示裝置的形成方法包括下列主要步驟首先，提供一個(gè)基板102，接著，在上述基板102表面形成一個(gè)緩沖層104，在上述緩沖層104上形成一個(gè)半導(dǎo)體層110，再在上述半導(dǎo)體層110上形成一個(gè)柵極絕緣層120，然后在上述柵極絕緣層120上形成一個(gè)柵電極130，如圖1A所示。
然后，利用離子注入法，以上述柵電極130為掩膜，注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層110內(nèi)，以形成源極/漏極區(qū)140/150，如圖1B所示。上述N型摻雜物系在大約垂直于上述基板102表面的方向以介于10至20KeV的能量及介于1×1015至5×1015ions/cm2的劑量注入上述半導(dǎo)體層110內(nèi)。
接著，利用離子注入法，以上述柵極電極130為掩膜，分別在II、I方向以介于10至50KeV的能量及介于5×1012至1×1014ions/cm2的劑量注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層110內(nèi)，以形成與上述源極/漏極區(qū)140/150的部份重疊的N型低摻雜區(qū)，并形成N型LDD160及161，其位于上述柵極絕緣層120下方，如圖1C及1D所示。上述II、I方向偏離基板102表面的法線約40至80度。然后，形成一個(gè)層間介電層170，覆蓋上述柵極電極130及上述基板102的表面。接著在上述層間介電層170形成導(dǎo)線180，以連接上述源極/漏極區(qū)140/150，如圖1E所示。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，如圖2A至2E所示，上述液晶顯示裝置的形成方法包括下列主要步驟首先，提供一個(gè)基板202，接著，在上述基板202表面形成一個(gè)緩沖層204，在上述緩沖層204上形成一個(gè)半導(dǎo)體層210，再在上述半導(dǎo)體層210上形成一個(gè)柵極絕緣層220，然后在上述柵極絕緣層220上形成一個(gè)柵電極230，如圖2A所示。
然后，利用離子注入法，以上述柵電極230為掩膜，分別在II、I方向以介于10至50KeV的能量及介于5×1012至1×1014ions/cm2的劑量注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層210內(nèi)，以形成N型低摻雜區(qū)232及234，如圖2B及2C所示。上述II、I方向偏離基板202表面的法線約40至80度。
接著，利用離子注入法，以上述柵極電極230為掩膜，注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層210內(nèi)，以形成源極/漏極區(qū)240/250，并與上述N型低摻雜區(qū)232及234的部份重疊而形成N型LDD260及261，其位于上述柵極絕緣層220下方，如圖2D所示。上述N型摻雜物是在大約垂直于上述基板202表面的方向以介于10至20KeV的能量及介于1×1015至5×1015ions/cm2的劑量注入上述半導(dǎo)體層210內(nèi)。然后，形成一個(gè)層間介電層270，覆蓋上述柵極電極230及上述基板202的表面。接著在上述層間介電層270形成導(dǎo)線280，以連接上述源極/漏極區(qū)240/250，如圖2E所示。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，如圖3A至3E所示，上述液晶顯示裝置的形成方法包括下列主要步驟首先，提供一個(gè)基板302，接著，在上述基板302表面形成一個(gè)緩沖層304，在上述緩沖層304上形成一個(gè)半導(dǎo)體層310，再在上述半導(dǎo)體層310上形成一個(gè)柵極絕緣層320，然后在上述柵極絕緣層320上形成一個(gè)柵電極330，如圖3A所示。
然后，利用離子注入法，以上述柵電極330為掩膜，注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層310內(nèi)，以形成源極/漏極區(qū)340/350，如圖3B所示。上述N型摻雜物是在大約垂直于上述基板302表面的方向以介于10至20KeV的能量及介于1×1015至5×1015ions/cm2的劑量注入上述半導(dǎo)體層310內(nèi)。
接著，利用離子注入法，以上述柵電極330為掩膜，分別在II、I方向以介于50至110KeV的能量及介于5×1012至1×1014ions/cm2的劑量注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層310內(nèi)，以形成與上述源極/漏極區(qū)340/350的部份重疊的N型低摻雜區(qū)，并形成N型LDD360及361位于上述柵極絕緣層320下方的鄰近位置，如圖3C及3D所示，上述II、I方向偏離基板302表面的法線約0至30度。然后，形成一個(gè)層間介電層370，覆蓋上述柵電極330及上述基板302的表面。接著在上述層間介電層370形成導(dǎo)線380，以連接上述源極/漏極區(qū)340/350，如圖3E所示。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，如圖4A至4E所示，上述液晶顯示裝置的形成方法包括下列主要步驟首先，提供一個(gè)基板402，接著，在上述基板402表面形成一個(gè)緩沖層404，在上述緩沖層404上形成一個(gè)半導(dǎo)體層410，再在上述半導(dǎo)體層410上形成一個(gè)柵極絕緣層420，然后在上述柵極絕緣層420上形成一個(gè)柵電極430，如圖4A所示。
然后，利用離子注入法，以上述柵極電極430為掩膜，分別在II、I方向以介于50至110KeV的能量及介于5×1012至1×1014ions/cm2的劑量注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層410內(nèi)，以形成N型低摻雜區(qū)432/434，如圖4B及4C所示，上述II、I方向偏離基板402表面的法線約0至30度。
接著，利用離子注入法，以上述柵極電極430為掩膜，注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層410內(nèi)，以形成源極/漏極區(qū)440/450，并與上述N型低摻雜區(qū)432及434的部份重疊而形成N型LDD460及461位于上述柵極絕緣層420下方的鄰近位置，如圖4D所示。上述N型摻雜物是在大約垂直于上述基板402表面的方向以介于10至20KeV的能量及介于1×1015至5×1015ions/cm2的劑量注入上述半導(dǎo)體層410內(nèi)。然后，形成一個(gè)層間介電層470，覆蓋上述柵極電極430及上述基板402的表面。接著在上述層間介電層470形成導(dǎo)線480，以連接上述源極/漏極區(qū)440/450，如圖4E所示。
為了全面抑制源極與漏極耗盡區(qū)的擴(kuò)大，減少源極與漏極之間的泄漏電流(Leakage current)與穿通效應(yīng)(Punch-through effect)，本發(fā)明更提供一種P型LDD將源極與漏極包圍，其形成方法如圖5至圖8所示。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，如圖5A至圖5G所示，上述液晶顯示裝置的形成方法包括下列主要步驟首先，提供一個(gè)基板502，接著，在上述基板502表面形成一個(gè)緩沖層504，在上述緩沖層504上形成一個(gè)半導(dǎo)體層510，再在上述半導(dǎo)體層510上形成一個(gè)柵極絕緣層520，然后在上述柵極絕緣層520上形成一個(gè)柵電極530，如圖5A所示。
然后，利用離子注入法，以上述柵電極530為掩膜，注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層510內(nèi)，以形成源極/漏極區(qū)540/550，如圖5B所示。上述N型摻雜物是在大約垂直于上述基板502表面的方向以介于10至20KeV的能量及介于1×1015至5×1015ions/cm2的劑量注入上述半導(dǎo)體層510內(nèi)。
接著，利用離子注入法，以上述柵極電極530為掩膜，分別在II、I方向以介于10至50KeV的能量及介于5×1012至1×1014ions/cm2的劑量注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層510內(nèi)，以形成與上述源極/漏極區(qū)540/550的部份重疊的N型低摻雜區(qū)，并形成N型LDD560及561，其位于上述柵極絕緣層520下方，如圖5C及5D所示。上述II、I方向偏離基板502表面的法線約40至80度。
之后，利用離子注入法，以上述柵極電極530為掩膜，分別在III、IV方向以介于40至80KeV的能量及介于5×1011至2×1012ions/cm2的劑量注入P型摻雜物如B、BHx、或BFx到上述半導(dǎo)體層510內(nèi)，以形成P型低摻雜區(qū)分別涵蓋該源極/漏極區(qū)540/550及該N型LDD560及561，進(jìn)而產(chǎn)生P型LDD565/566，如圖5E及5F所示。上述III、IV方向偏離基板502表面的法線約40至60度。
然后，形成一個(gè)層間介電層570，覆蓋上述柵極電極530及上述基板502的表面。接著在上述層間介電層570形成導(dǎo)線580，以連接上述源極/漏極區(qū)540/550，如圖5G所示。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，如圖6A至6G所示，上述液晶顯示裝置的形成方法包括下列主要步驟首先，提供一個(gè)基板602，接著，在上述基板602表面形成一個(gè)緩沖層604，在上述緩沖層604上形成一個(gè)半導(dǎo)體層610，再在上述半導(dǎo)體層610上形成一個(gè)柵極絕緣層620，然后在上述柵極絕緣層620上形成一個(gè)柵電極630，如圖6A所示。
然后，利用離子注入法，以上述柵極電極630為掩膜，分別在II、I方向以介于10至50KeV的能量及介于5×1012至1×1014ions/cm2的劑量注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層610內(nèi)，以形成N型低摻雜區(qū)632及634，如圖6B及6C所示。上述II、I方向偏離基板602表面的法線約40至80度。
接著，利用離子注入法，以上述柵極電極630為掩膜，注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層610內(nèi)，以形成源極/漏極區(qū)640/650，并與上述N型低摻雜區(qū)632及634的部份重疊而形成N型LDD660及661，其位于上述柵極絕緣層620下方，如圖6D所示。上述N型摻雜物是在大約垂直于上述基板602表面的方向以介于10至20KeV的能量及介于1×1015至5×1015ions/cm2的劑量注入上述半導(dǎo)體層610內(nèi)。
之后，利用離子注入法，以上述柵極電極630為掩膜，分別在III、IV方向以介于40至80KeV的能量及介于5×1011至2×1012ions/cm2的劑量注入P型摻雜物如B、BHx、或BFx到上述半導(dǎo)體層610內(nèi)，以形成P型低摻雜區(qū)分別涵蓋上述源極/漏極區(qū)640/650及上述N型LDD660及661，進(jìn)而產(chǎn)生P型LDD665/666，如圖6E及6F所示。上述III、IV方向偏離基板602表面的法線約40至60度。
然后，形成一個(gè)層間介電層670，覆蓋上述柵極電極630及上述基板602的表面。接著在該層間介電層670形成導(dǎo)線680，以連接上述源極/漏極區(qū)640/650，如圖6G所示。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，如圖7A至7G所示，該液晶顯示裝置的形成方法包括下列主要步驟首先，提供一個(gè)基板702，接著，在上述基板702表面形成一個(gè)緩沖層704，在上述緩沖層704上形成一個(gè)半導(dǎo)體層710，再在上述半導(dǎo)體層710上形成一個(gè)柵極絕緣層720，然后在上述柵極絕緣層720上形成一個(gè)柵電極730，如圖7A所示。
之后，利用離子注入法，以上述柵電極730為掩膜，分別在III、IV方向以介于40至80KeV的能量及介于5×1011至2×1012ions/cm2的劑量注入P型摻雜物如B、BHx、或BFx到上述半導(dǎo)體層710內(nèi)，以形成P型低摻雜區(qū)740/750，如圖7B及7C所示。上述III、IV方向偏離基板702表面的法線約40至60度。
然后，利用離子注入法，以上述柵電極730為掩膜，注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層710內(nèi)，以形成源極/漏極區(qū)760/770，且上述源極/漏極區(qū)760/770分別與上述P型低摻雜區(qū)740/750的部分重疊，而形成P型LDD7401/7501，如圖7D所示。上述N型摻雜物是在大約垂直于上述基板702表面的方向以介于10至20KeV的能量及介于1×1015至5×1015ions/cm2的劑量注入上述半導(dǎo)體層710內(nèi)。
接著，利用離子注入法，以上述柵電極730為掩膜，分別在I、II方向以介于10至50KeV的能量及介于5×1012至1×1014ions/cm2的劑量注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層710內(nèi)，以形成分別與上述P型低摻雜區(qū)740/750及上述源極/漏極區(qū)760/770的部份重疊的N型低摻雜區(qū)，并產(chǎn)生N型LDD780及790，其位于上述柵極絕緣層720下方，如圖7E及7F所示。上述I、II方向偏離基板702表面的法線約40至80度。
然后，形成一個(gè)層間介電層792，覆蓋上述柵極電極730及上述基板702的表面。接著在上述層間介電層792形成導(dǎo)線794，以連接上述源極/漏極區(qū)760/770，如圖7G所示。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，如圖8A至圖8G所示，上述液晶顯示裝置的形成方法包括下列主要步驟首先，提供一個(gè)基板802，接著，在上述基板802表面形成一個(gè)緩沖層804，在上述緩沖層804上形成一個(gè)半導(dǎo)體層810，再在上述半導(dǎo)體層810上形成一個(gè)柵極絕緣層820，然后在上述柵極絕緣層820上形成一個(gè)柵電極830，如圖8A所示。
之后，利用離子注入法，以上述柵電極830為掩膜，分別在III、IV方向以介于40至80KeV的能量及介于5×1011至2×1012ions/cm2的劑量注入P型摻雜物如B、BHx、或BFx到上述半導(dǎo)體層810內(nèi)，以形成P型低摻雜區(qū)840/850，如圖8B及8C所示。上述III、IV方向偏離基板802表面的法線約40至60度。
接著，利用離子注入法，以上述柵極電極830為掩膜，分別在I、II方向以介于10至50KeV的能量及介于5×1012至1×1014ions/cm2的劑量注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層810內(nèi)，以形成分別與上述P型低摻雜區(qū)840/850的部份重疊的N型低摻雜區(qū)860/870，并形成P型LDD8401/8501，如圖8D及8E所示。上述I、II方向偏離基板802表面的法線約40至80度。
然后，利用離子注入法，以上述柵電極830為掩膜，注入N型摻雜物如As、P、AsHx、或PHx到上述半導(dǎo)體層810內(nèi)，以形成源極/漏極區(qū)872/874，且上述源極/漏極區(qū)872/874分別與上述P型低摻雜區(qū)840/850及上述N型低摻雜區(qū)860/870的部分重疊，并產(chǎn)生N型LDD880及890，其位于上述柵極絕緣層820下方，如圖8F所示。上述N型摻雜物是在大約垂直于上述基板802表面的方向以介于10至20KeV的能量及介于1×1015至5×1015ions/cm2的劑量注入上述半導(dǎo)體層810內(nèi)。
然后，形成一個(gè)層間介電層892，覆蓋上述柵電極830及上述基板802的表面。接著在上述層間介電層892形成導(dǎo)線894，以連接上述源極/漏極區(qū)872/874，如圖8G所示。
雖然本發(fā)明已經(jīng)用幾個(gè)優(yōu)選實(shí)施例如上所述來(lái)公開(kāi)，但是其并非用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)該可以做出任意的變化與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書(shū)所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置的制造方法，包括提供一個(gè)基板；在該基板上形成一個(gè)緩沖層；在該緩沖層上形成一半導(dǎo)體層；在該半導(dǎo)體層上形成一個(gè)柵極絕緣層；在該柵極絕緣層上形成一個(gè)柵極電極；以該柵電極為掩膜，注入第一摻雜物到該半導(dǎo)體層內(nèi)，以形成源極/漏極區(qū)；以該柵極電極為掩膜，在第一角度的方向注入第二摻雜物到該半導(dǎo)體層內(nèi)，以形成與該源極/漏極區(qū)的部份重疊的第一低摻雜區(qū)；以及以該柵電極為掩膜，在第二角度的方向注入第三摻雜物到該半導(dǎo)體層內(nèi)，以形成與該源極/漏極區(qū)的部份重疊的第二低摻雜區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，更包括以該柵電極為掩膜，在第三角度的方向注入第四摻雜物到該半導(dǎo)體層內(nèi)，以形成第三低摻雜區(qū)，其中該第三低摻雜區(qū)涵蓋該源極/漏極區(qū)之一及該第一低摻雜區(qū)；以及以該柵電極為掩膜，在第四角度的方向注入該第五摻雜物到該半導(dǎo)體層內(nèi)，以形成第四低摻雜區(qū)，其中該第四低摻雜區(qū)涵蓋該源極/漏極區(qū)之一及該第二低摻雜區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，該源極/漏極區(qū)分別與該第一低摻雜區(qū)及該第二低摻雜區(qū)形成部分重疊。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，該第一摻雜物是在大致垂直于該基板表面的方向注入該半導(dǎo)體層內(nèi)，以形成源極/漏極區(qū)。
5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，該第一摻雜物、該第二摻雜物、及該第三摻雜物是以離子注入法注入該半導(dǎo)體層內(nèi)。
6.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法，該第四摻雜物、該第五摻雜物是以離子注入法注入該半導(dǎo)體層內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，該第一摻雜物、該第二摻雜物、及該第三摻雜物是選自由As、P、AsHx、及PHx所組成的組中的一個(gè)。
8.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法，該第四摻雜物、該第五摻雜物是選自由B、BHx、及BFx所組成的組中的一個(gè)。
9.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，該第一摻雜物、該第二摻雜物、及該第三摻雜物分別以介于10至20KeV、10至50KeV、及10至50KeV的能量注入該半導(dǎo)體層內(nèi)。
10.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法，該第四摻雜物、該第五摻雜物分別以介于40至80KeV、40至80KeV的能量注入該半導(dǎo)體層內(nèi)。
11.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，該第一摻雜物、該第二摻雜物、及該第三摻雜物分別以介于1×1015至5×1015ions/cm2、5×1012至1×1014ions/cm2、及5×1012至1×1014ions/cm2的劑量注入該半導(dǎo)體層內(nèi)。
12.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法，該第四摻雜物、該第五摻雜物分別以介于5×1011至2×1012ions/cm2、5×1011至2×1012ions/cm2的劑量注入該半導(dǎo)體層內(nèi)。
13.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，該第二摻雜物、該第三摻雜物分別以偏離該半導(dǎo)體基底表面的法線大致0至80度、0至80度的傾斜角注入該半導(dǎo)體層內(nèi)。
14.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法，該第四摻雜物、該第五摻雜物分別以偏離該半導(dǎo)體基底表面的法線大致40至60度、及40至60度的傾斜角注入該半導(dǎo)體層內(nèi)。
15.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，更包括形成一個(gè)層間介電層，覆蓋該柵電極及該基板的表面；以及在該層間介電層形成導(dǎo)線，連接該源極/漏極區(qū)。
全文摘要
一種制造液晶顯示裝置的方法，包括下列步驟。以一個(gè)柵電極為掩膜，通過(guò)傾斜注入的方式而形成第一N型LDD(Lightly Doped Drain；LDD)及第二N型LDD到半導(dǎo)體層內(nèi)。上述第一N型LDD及第二N型LDD分別與源極/漏極區(qū)相接。此外，同樣地以一個(gè)柵電極為掩膜，通過(guò)傾斜注入的方式而形成第三P型LDD及第四P型LDD到半導(dǎo)體層內(nèi)。上述第三P型LDD及第四P型LDD分別與源極/漏極區(qū)以及上述第一N型LDD和第二N型LDD相接。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1632681SQ200510006490
公開(kāi)日2005年6月29日 申請(qǐng)日期2005年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月3日
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