專利名稱：電磁波屏蔽墊圈及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于屏蔽從電子設(shè)備和測量設(shè)備等產(chǎn)生的電磁波或者從外部侵入的無用電磁波的電磁波屏蔽墊圈及其制造方法。
背景技術(shù)：
在產(chǎn)生電磁波的電子設(shè)備和測量設(shè)備等的框體或者醫(yī)療設(shè)備等中裝配有各種電磁波屏蔽墊圈。按照電子設(shè)備類的小型化、輕量化中的節(jié)省空間的要求，這些屏蔽墊圈多使用片狀的墊圈。
以往這種片狀的電磁波屏蔽墊圈一般采用例如以下所述的這些墊圈，即，在摻入金屬粉的導(dǎo)電性片材或海綿狀薄發(fā)泡體上卷繞導(dǎo)電性薄膜或?qū)щ娦岳w維而具備電導(dǎo)通性的墊圈；如專利文獻(xiàn)1(日本專利特開平11-214886號(hào)公報(bào))所述，在聚氨酯泡沫塑料上進(jìn)行無電解電鍍而形成的墊圈；如專利文獻(xiàn)2(日本專利特開平11-220283號(hào)公報(bào))所述，在合成樹脂多孔體片的兩面層疊纖維狀織物，然后在其整個(gè)面上進(jìn)行無電解電鍍而形成的墊圈等。
在專利文獻(xiàn)3(日本專利特開2003-51691號(hào)公報(bào))中記載了以下的電磁波屏蔽墊圈，即，在具有緩沖性的墊圈本體的一面或雙面接合帶有較多穿孔、在表里兩面上蒸鍍有導(dǎo)電性材料的導(dǎo)電性薄膜，在穿孔的壁部上也形成了導(dǎo)電層使該導(dǎo)電性薄膜的表里兩面互相電導(dǎo)通。
在專利文獻(xiàn)4(日本專利特開平9-27695號(hào)公報(bào))中記載了一種具有下述結(jié)構(gòu)的屏蔽帶，即，用尖利的針在貼合有金屬箔的合成樹脂制薄膜上形成大量的孔后形成蒸鍍膜，通過這些孔的內(nèi)面上的蒸鍍膜使前述薄膜的兩面電導(dǎo)通。
在專利文獻(xiàn)5(日本專利特開2000-68678號(hào)公報(bào))中記載了在形成有較多貫通孔的合成樹脂制的薄成型物(薄膜或片材)的表面被覆了導(dǎo)電性的金屬薄膜的電磁波屏蔽用制品。

發(fā)明內(nèi)容
專利文獻(xiàn)1和2所述的電磁波屏蔽墊圈中的摻入金屬粉的導(dǎo)電性片材一般價(jià)格高，而且由于在材料自身填充摻入導(dǎo)電性材料，所以可能會(huì)失去原有的彈性(緩沖性)。此外，對(duì)在海綿狀發(fā)泡體上卷繞導(dǎo)電性的薄膜或纖維所形成的墊圈而言存在如下的問題，即如果要將電磁波屏蔽墊圈做得極薄，則由于芯材的剛性低，所以成形將非常困難，生產(chǎn)效率降低。此外，還存在下述問題，即由于原材料中會(huì)帶有海綿屑或織物的毛屑、纖維屑，還會(huì)從鍍膜制品中產(chǎn)生鍍膜屑等，因此安裝于電子設(shè)備時(shí)會(huì)造成電路短路。
另一方面，專利文獻(xiàn)3所述的屏蔽墊圈中，僅在表面?zhèn)鹊膶?dǎo)電性薄膜的兩面間或里面?zhèn)鹊膶?dǎo)電性薄膜的兩面間具有導(dǎo)通性，而沒有形成從墊圈本體的一面至另一面的導(dǎo)電通路，因此僅具有面方向的導(dǎo)通性而不具備厚度方向的導(dǎo)通性。而且，由于墊圈本體所用的緩沖性材料采用賦予了導(dǎo)電性的無紡布，因此存在不能獲得該種屏蔽墊圈所需的充分的彈性的問題。
專利文獻(xiàn)4所述的導(dǎo)電性帶材中，合成樹脂制薄膜的彈性不足，而且由于是在薄膜貼合金屬箔后形成較多的孔，再進(jìn)行真空蒸鍍，因此制造工序復(fù)雜，制造成本高。還由于是規(guī)定寬度的帶狀制品，因此不適用于電子設(shè)備的外殼的內(nèi)面。
專利文獻(xiàn)5所述的電磁波屏蔽用制品中，利用無電解電鍍直接在合成樹脂制的薄成型物表面形成金屬薄膜，但在采用發(fā)泡體片作為薄成型物時(shí)，鍍液會(huì)浸透發(fā)泡體片，使彈性降低。而且，在電磁波屏蔽用制品中要形成的孔數(shù)為10～50000個(gè)/cm2，其中包含缺乏現(xiàn)實(shí)性的值。
本發(fā)明的目的是提供在表面和里面間具有充分的導(dǎo)電性的電磁波屏蔽墊圈及其制造方法。本發(fā)明的另一目的是提供能夠確保彈性，并且不會(huì)產(chǎn)生使電路短路的海綿屑、鍍膜屑、毛屑等的電磁波屏蔽墊圈及其制造方法。本發(fā)明還有一個(gè)目的是提供能夠利用成本低廉的手段以高生產(chǎn)效率制造的電磁波屏蔽墊圈及其制造方法。
權(quán)利要求1的電磁波屏蔽墊圈是片狀的電磁波屏蔽用墊圈，該墊圈的特征是，具備含有連續(xù)氣泡或獨(dú)立氣泡的合成樹脂制片狀發(fā)泡體；接合在該片狀發(fā)泡體的至少一面的具撓性的合成樹脂制薄膜；沿厚度方向貫通前述片狀發(fā)泡體和前述薄膜的多個(gè)貫通孔；形成在前述合成樹脂制薄膜的表面的導(dǎo)電被膜；形成于多個(gè)貫通孔，并且至少與前述導(dǎo)電被膜相連的多個(gè)導(dǎo)電通路。
上述權(quán)利要求1也可以采用如下的結(jié)構(gòu)。
前述合成樹脂制薄膜分別接合在前述片狀發(fā)泡體的兩面，前述發(fā)泡體兩面的合成樹脂制薄膜的表面的導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路由導(dǎo)電涂層構(gòu)成(從屬于權(quán)利要求1的權(quán)利要求2)。
前述合成樹脂制薄膜接合在前述片狀發(fā)泡體的一面，該合成樹脂制薄膜表面的導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路由導(dǎo)電涂層構(gòu)成，具有形成在前述片狀發(fā)泡體的無前述薄膜的表面的多個(gè)貫通孔的開口部附近的多個(gè)導(dǎo)電被膜片，各導(dǎo)電被膜片分別與各導(dǎo)電通路相連(從屬于權(quán)利要求1的權(quán)利要求3)。
前述片狀發(fā)泡體由含有連續(xù)氣泡的合成樹脂材料構(gòu)成，前述合成樹脂制薄膜分別接合在片狀發(fā)泡體的兩面，前述發(fā)泡體兩面的合成樹脂制薄膜的表面的導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路由無電解電鍍層構(gòu)成(從屬于權(quán)利要求1的權(quán)利要求4)。
前述片狀發(fā)泡體由含有獨(dú)立氣泡的合成樹脂材料構(gòu)成，前述合成樹脂制薄膜分別接合在片狀發(fā)泡體的兩面，前述發(fā)泡體兩面的合成樹脂制薄膜的表面的導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路由無電解電鍍層構(gòu)成(從屬于權(quán)利要求1的權(quán)利要求5)。
形成貫通孔前的前述片狀發(fā)泡體的厚度為0.1～5.0mm(從屬于權(quán)利要求1～5中的任一項(xiàng)的權(quán)利要求6)。
前述貫通孔的孔徑為0.1～1.5mm，以2～100個(gè)/cm2的密度設(shè)置了多個(gè)貫通孔(從屬于權(quán)利要求6的權(quán)利要求7)。
在前述電磁波屏蔽墊圈的至少一面涂布了粘合材料(從屬于權(quán)利要求6的權(quán)利要求8)。
權(quán)利要求9的電磁波屏蔽墊圈的制造方法是片狀的電磁波屏蔽用墊圈的制造方法，該方法的特征，具備在含有連續(xù)氣泡或獨(dú)立氣泡的合成樹脂制片狀發(fā)泡體的至少一面接合具撓性的合成樹脂制薄膜的第1工序；形成沿厚度方向貫通前述片狀發(fā)泡體和前述薄膜的多個(gè)貫通孔的第2工序；在前述合成樹脂制薄膜的表面形成導(dǎo)電被膜的同時(shí)，在多個(gè)貫通孔分別形成多個(gè)導(dǎo)電通路的第3工序。
權(quán)利要求9也可以采用如下構(gòu)成。
在前述第3工序中，通過在前述合成樹脂制薄膜的表面和多個(gè)貫通孔涂布導(dǎo)電涂料，形成前述導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路(從屬于權(quán)利要求9的權(quán)利要求10)。
前述片狀發(fā)泡體采用由含有連續(xù)氣泡的合成樹脂材料構(gòu)成的片狀發(fā)泡體，前述第1工序中，在前述片狀發(fā)泡體的兩面接合具撓性的合成樹脂制薄膜，在前述第3工序中，通過在前述合成樹脂制薄膜的表面和多個(gè)貫通孔進(jìn)行無電解電鍍，形成前述導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路(從屬于權(quán)利要求9的權(quán)利要求11)。
前述片狀發(fā)泡體采用由含有獨(dú)立氣泡的合成樹脂材料構(gòu)成的片狀發(fā)泡體，前述第1工序中，在前述片狀發(fā)泡體的至少一面接合具撓性的合成樹脂制薄膜，在前述第3工序中，通過在前述合成樹脂制薄膜的表面和多個(gè)貫通孔進(jìn)行無電解電鍍，形成前述導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路(從屬于權(quán)利要求9的權(quán)利要求12)。
采用權(quán)利要求1的發(fā)明，由于不僅具有沿電磁波屏蔽墊圈的至少一面的導(dǎo)電被膜的面方向的導(dǎo)電性，而且因存在多個(gè)導(dǎo)電通路還具有從至少一面的導(dǎo)電被膜至其相反側(cè)的表面的充分的導(dǎo)電性，因此能夠獲得可發(fā)揮穩(wěn)定、優(yōu)良的電磁波屏蔽性能，而且不會(huì)產(chǎn)生使電路短路的海綿屑、鍍膜屑、毛屑等的電磁波屏蔽墊圈。
由于不在合成樹脂制片狀發(fā)泡體自身填充摻入導(dǎo)電性材料，因此不會(huì)破壞材料原有的彈性，可獲得能夠簡便而高效地、且低成本地制造的極薄型的電磁波屏蔽墊圈。特別是由于在片狀發(fā)泡體的至少一面接合了合成樹脂制薄膜，由此能夠在將片狀發(fā)泡體的至少一面的氣泡完全封閉的狀態(tài)下形成導(dǎo)電被膜，這樣形成導(dǎo)電被膜的被膜材料不會(huì)侵入到至少一面的氣泡內(nèi)，所以不會(huì)破壞彈性。
此外，由于片狀發(fā)泡體及合成樹脂制薄膜的材質(zhì)、厚度、形狀，孔的位置、間隔、孔徑可以任意變更，因此可獲得能夠適應(yīng)各種制品以及高頻的電磁波屏蔽、不受裝配的設(shè)備的制約、可廣泛應(yīng)用的電磁波屏蔽墊圈。
采用權(quán)利要求2的發(fā)明，由于在片狀發(fā)泡體的兩面接合了前述薄膜，還在這些薄膜的表面形成了導(dǎo)電被膜，并且這些導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路由導(dǎo)電涂料層形成，因此能夠形成電磁波屏蔽性能優(yōu)良的電磁波屏蔽墊圈，而且能夠很簡便地形成導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路。
采用權(quán)利要求3的發(fā)明，由于具有片狀發(fā)泡體的一面上的薄膜及導(dǎo)電被膜和片狀發(fā)泡體的另一面上的多個(gè)導(dǎo)電被膜片(與多個(gè)導(dǎo)電通路相連)，因此能夠降低制造成本。該墊圈最好以多個(gè)導(dǎo)電被膜片接地的形態(tài)使用。
采用權(quán)利要求4、5的發(fā)明，由于在片狀發(fā)泡體的兩面具有前述薄膜和導(dǎo)電被膜，并且這些導(dǎo)電被膜和導(dǎo)電通路由無電解電鍍層構(gòu)成，因此能夠在片狀發(fā)泡體的兩面的氣泡被前述薄膜封閉的狀態(tài)下形成導(dǎo)電被膜，這樣電鍍材料不會(huì)侵入到片狀發(fā)泡體內(nèi)，能夠確保墊圈的彈性。
采用權(quán)利要求9的發(fā)明，能夠經(jīng)過簡單的第1、2、3工序，非常簡便地制造和權(quán)利要求1相同的電磁波屏蔽墊圈。
采用權(quán)利要求10的發(fā)明，通過涂布構(gòu)成導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路的導(dǎo)電涂料，能夠非常簡便地形成導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路。
采用權(quán)利要求11的發(fā)明，由于在片狀發(fā)泡體的兩面接合前述薄膜后進(jìn)行無電解電鍍，因此可防止電鍍材料侵入片狀發(fā)泡體中，能夠制成彈性優(yōu)良的電磁波屏蔽用墊圈。
采用權(quán)利要求12的發(fā)明，由于在片狀發(fā)泡體的至少一面接合前述薄膜后進(jìn)行無電解電鍍，因此可防止電鍍材料從片狀發(fā)泡體的至少一面侵入，能夠制成彈性優(yōu)良的電磁波屏蔽墊圈。


圖1為本發(fā)明的實(shí)施例1的電磁波屏蔽墊圈的立體圖。
圖2為實(shí)施例1的電磁波屏蔽墊圈的剖面圖。
圖3為實(shí)施例2的電磁波屏蔽墊圈的剖面圖。
圖4為實(shí)施例3的電磁波屏蔽墊圈的剖面圖。
符號(hào)的說明1、1A、11為電磁波屏蔽墊圈，2、12為合成樹脂制片狀發(fā)泡體，3、13為粘合劑，4、14為合成樹脂制薄膜，5、5A、15為貫通孔，6、6A為導(dǎo)電材料層(導(dǎo)電被膜)，6a、6c為導(dǎo)電通路，6b為導(dǎo)電被膜片，16為導(dǎo)電材料層(導(dǎo)電被膜)，16a為導(dǎo)電通路。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的電磁波屏蔽墊圈是片狀的電磁波屏蔽用墊圈，該墊圈的特征是，具備含有連續(xù)氣泡或獨(dú)立氣泡的合成樹脂制片狀發(fā)泡體；接合在該片狀發(fā)泡體的至少一面的具撓性的合成樹脂制薄膜；沿厚度方向貫通前述片狀發(fā)泡體和前述薄膜的多個(gè)貫通孔；形成在前述合成樹脂制薄膜的表面的導(dǎo)電被膜；形成于多個(gè)貫通孔，并且至少與前述導(dǎo)電被膜相連的多個(gè)導(dǎo)電通路。
實(shí)施例1如圖1、2所示，實(shí)施例1的片狀電磁波屏蔽墊圈1具備含有連續(xù)氣泡或獨(dú)立氣泡的合成樹脂制片狀發(fā)泡體2；通過粘合材料3接合在該片狀發(fā)泡體的兩面上的具撓性的合成樹脂制薄膜4，4；沿厚度方向貫通片狀發(fā)泡體2和兩面的薄膜4的多個(gè)貫通孔5；形成在兩面的薄膜4，4的表面的導(dǎo)電材料層6，6(導(dǎo)電被膜)；形成于多個(gè)貫通孔5，并且與兩面的導(dǎo)電材料層6，6通電連接的多個(gè)導(dǎo)電通路6a。
如圖1、2所示，形成了沿厚度方向貫通表面的合成樹脂制薄膜4和片狀發(fā)泡體2和里面的合成樹脂制薄膜4的多個(gè)貫通孔5。在兩面的薄膜4，4的表面形成導(dǎo)電材料層6，將與形成導(dǎo)電材料層6的導(dǎo)電材料相同的導(dǎo)電材料填充在貫通孔5內(nèi)形成導(dǎo)電通路6a，兩面的導(dǎo)電材料層6，6由多個(gè)導(dǎo)電通路6a通電連接。
合成樹脂制的片狀發(fā)泡體2由例如聚氨酯樹脂、聚乙烯樹脂或合成橡膠或天然橡膠等具有彈性的發(fā)泡體構(gòu)成。片狀發(fā)泡體2的厚度能夠形成為0.1～10.0mm左右，但對(duì)薄型的電磁波屏蔽墊圈而言，最好采用0.1～5.0mm左右的厚度的片狀發(fā)泡體2。貫通孔5的孔徑最好為0.3～3.0mm左右，最好以2～100個(gè)/cm2的密度形成多個(gè)貫通孔5。
但是如后所述，在片狀發(fā)泡體2接合合成樹脂薄膜4，4后，在其中穿孔形成多個(gè)貫通孔5時(shí)，若片狀發(fā)泡體2的厚度大于2.0mm，則必須減慢穿孔速度以防止貫通孔5的形狀混亂。此外，若片狀發(fā)泡體2的厚度在0.3mm以下，則有時(shí)電磁波屏蔽墊圈1的彈性會(huì)受到破壞。因此，賦予導(dǎo)電性前的片狀發(fā)泡體2的厚度更好為0.3～2.0mm左右。
作為將薄膜4粘合于片狀發(fā)泡體2的粘合劑3，特別好的是聚氨酯樹脂系、丙烯酸樹脂系、環(huán)氧樹脂系粘合劑和熱熔型粘合劑等。具撓性的合成樹脂制薄膜4可以采用由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚苯硫樹脂、尼龍樹脂、聚醚砜樹脂等制成的薄膜，該薄膜4的厚度較好為10～150μm。
對(duì)該電磁波屏蔽墊圈1的作用、效果進(jìn)行說明。
由于不僅具有沿電磁波屏蔽墊圈1的兩面的導(dǎo)電材料層6，6的面方向的導(dǎo)電性，而且因存在多個(gè)導(dǎo)電通路6a而在表里兩面的導(dǎo)電材料層6，6間也具有充分的導(dǎo)電性，因此能夠獲得可發(fā)揮穩(wěn)定、優(yōu)良的電磁波屏蔽性能，而且不會(huì)產(chǎn)生使電路短路的海綿屑、鍍膜屑、毛屑等的電磁波屏蔽墊圈。
此外，由于在片狀發(fā)泡體2的兩面接合薄膜4，4，所以在形成導(dǎo)電材料層6，6時(shí)，導(dǎo)電材料不會(huì)侵入到片狀發(fā)泡體2的氣泡內(nèi)，因此可確保片狀發(fā)泡體2的彈性(緩沖性)、即電磁波屏蔽墊圈1的彈性。由于在片狀發(fā)泡體2不填充摻入導(dǎo)電材料，因此不會(huì)破壞材料原有的彈性(緩沖性)，可獲得能夠簡便而高效地、且低成本地制造的極薄型的電磁波屏蔽墊圈1。
由于片狀發(fā)泡體2及薄膜4的材質(zhì)、厚度、形狀，孔的位置、間隔、孔徑可以任意變更，因此可獲得能夠適應(yīng)各種制品以及高頻的電磁波屏蔽、不受裝配的設(shè)備的制約、可廣泛應(yīng)用的電磁波屏蔽墊圈。
接著，說明制造電磁波屏蔽墊圈1的方法。
在第1工序中，準(zhǔn)備規(guī)定尺寸的前述片狀發(fā)泡體2和2片前述薄膜4，4，在片狀發(fā)泡體2的兩面涂布粘合劑3，將薄膜4，4層疊接合在片狀發(fā)泡體2的兩面。在接合時(shí)，也可以利用層壓加工機(jī)進(jìn)行接合。
接著在第2工序中，形成沿厚度方向貫穿片狀發(fā)泡體2和兩面的薄膜4，4的多個(gè)貫通孔5。貫通孔5通常采用多個(gè)針狀片從圖示的上側(cè)向下進(jìn)行穿孔，但通過采用預(yù)先經(jīng)過加熱的多個(gè)針狀片進(jìn)行貫穿，能夠以更穩(wěn)定的狀態(tài)進(jìn)行穿孔。
接著在第3工序中，在形成了貫通孔5的表面?zhèn)鹊谋∧?和里面?zhèn)鹊谋∧?的表面分別形成導(dǎo)電材料層6，并同時(shí)形成位于多個(gè)貫通孔5內(nèi)、電連接兩面的導(dǎo)電材料層6，6的多個(gè)導(dǎo)電通路6a。
作為構(gòu)成導(dǎo)電材料層6和導(dǎo)電通路6a的導(dǎo)電材料，較為理想的是含有銀(Ag)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鋁(Al)等金屬或這些金屬的復(fù)合體和調(diào)節(jié)粘度用的填充材料的導(dǎo)電涂料，利用輥涂或噴涂等方法涂布該導(dǎo)電涂料。這時(shí)，導(dǎo)電涂料從表面?zhèn)群屠锩鎮(zhèn)冉傅截炌?內(nèi)，在貫通5內(nèi)合流，形成連續(xù)的導(dǎo)電通路6a，賦予表里兩面間的導(dǎo)電性。前述導(dǎo)電涂料的涂膜的厚度較好為10～150μm。
通過使由前述導(dǎo)電涂料形成了導(dǎo)電材料層6，6和多個(gè)導(dǎo)電通路6a的片材干燥，就可制成電磁波屏蔽墊圈1。干燥可以采用自然干燥、加熱干燥或其它公知的干燥方法進(jìn)行。
這樣，通過以上簡單的工序形成的電磁波屏蔽墊圈1，其表面的導(dǎo)電材料層6和里面的導(dǎo)電材料層6由多個(gè)導(dǎo)電通路6A通電連接，具有沿導(dǎo)電材料層6的面方向的導(dǎo)電性和表里兩面間的導(dǎo)電性。
然后，在以上制得的電磁波屏蔽墊圈1的兩面或一面的規(guī)定部位粘貼雙面膠帶，該雙面膠帶用于將前述墊圈安裝固定于電子設(shè)備等?；蛘咴陔姶挪ㄆ帘螇|圈1的一面涂布粘合劑，用剝離紙覆蓋。使用時(shí)可以將剝離紙剝離，利用該粘合材料將電磁波屏蔽墊圈1安裝于電子設(shè)備等。
接著，實(shí)際制作多種電池屏蔽墊圈1，對(duì)評(píng)價(jià)其導(dǎo)電性的性能而進(jìn)行的試驗(yàn)及其結(jié)果進(jìn)行說明。
使用厚0.5mm的軟質(zhì)聚氨酯樹脂系發(fā)泡體作為片狀發(fā)泡體2，在其兩面用聚氨酯樹脂系粘合劑層疊接合厚12μm的聚苯硫樹脂系薄膜4后，沿該接合片材的XY方向從表面?zhèn)戎晾锩鎮(zhèn)纫?.8mm的間隔設(shè)置了孔徑1.2mm的多個(gè)貫通孔5。
作為在設(shè)置了多個(gè)貫通孔5的接合片材的表面和里面形成導(dǎo)電材料層的導(dǎo)電涂料，準(zhǔn)備了由大日本油墨株式會(huì)社制タイフォ-スAD-865HV(聚氨酯樹脂系、樹脂成分＝50％)、銀粉(平均粒徑＝6μm)、作為調(diào)節(jié)粘度用有機(jī)溶劑的乙酸乙酯按表1所示的配比均勻混合而成的導(dǎo)電涂料。這時(shí)的導(dǎo)電涂料的粘度為4000mPa·s。將該導(dǎo)電涂料涂布在前述接合片材的兩面，再填充于多個(gè)貫通孔5內(nèi)。干燥后的涂膜厚度為20～25μm。
對(duì)上述制成的電磁波屏蔽墊圈1測定了作為電磁波屏蔽性能的指標(biāo)的電阻值。按面方向和厚度方向分別測定了這時(shí)的電阻值。面方向電阻值的測定使用了三菱化學(xué)株式會(huì)社制ロレスタMCP-T600。
厚度方向電阻值的測定方法是在電磁波屏蔽墊圈片的表面和里面分別重疊2片25mm×25mm的黃銅制導(dǎo)電體片，在沿墊圈的厚度方向加載規(guī)定的載荷的狀態(tài)下，求出2片黃銅制導(dǎo)電體片間的電阻值。這時(shí)，電阻值計(jì)使用了日置電機(jī)株式會(huì)社制毫歐測量計(jì)3450進(jìn)行了測定。其結(jié)果示于表1。
表1
*1單位Ω/□*2單位Ω/25mmSQ根據(jù)上述表1所示的試驗(yàn)結(jié)果，通過將導(dǎo)電涂料中的銀粉的配比控制在70％以上，能夠獲得低電阻值，能夠?qū)崿F(xiàn)作為電磁波屏蔽墊圈的效果。
實(shí)施例2該實(shí)施例2的電磁波屏蔽墊圈1A是圖3所示的電磁波屏蔽墊圈，對(duì)其中和前述實(shí)施例的電磁波屏蔽墊圈1的構(gòu)成部件相同的部件標(biāo)記相同的符號(hào)。此外，電磁波屏蔽墊圈1A的立體圖和圖1相同。
該電磁波屏蔽墊圈1A具備含有連續(xù)氣泡或獨(dú)立氣泡的具彈性的合成樹脂制片狀發(fā)泡體2；通過粘合材料3接合于該片狀發(fā)泡體2的一面的具撓性的合成樹脂制薄膜4；沿厚度方向貫通片狀發(fā)泡體2和前述薄膜4的多個(gè)貫通孔5A；形成于合成樹脂制薄膜4的表面的導(dǎo)電材料層6A(導(dǎo)電被膜)；形成于片狀發(fā)泡體2的無前述薄膜4的表面的多個(gè)貫通孔5A的開口部附近的多個(gè)導(dǎo)電被膜片6b；形成在多個(gè)貫通孔5A內(nèi)，通電連接導(dǎo)電材料層6A和多個(gè)導(dǎo)電被膜片6b的多個(gè)導(dǎo)電通路6c。
具彈性的合成樹脂制的片狀發(fā)泡體2、粘合材料3、合成樹脂制薄膜4的材料、接合的方法、貫通孔5A和實(shí)施例1相同。
對(duì)該電磁波屏蔽墊圈1A的作用、效果進(jìn)行說明。
該電磁波屏蔽墊圈1A雖然僅在一面設(shè)置薄膜4和導(dǎo)電材料層6A，但可獲得與實(shí)施例1的電磁波屏蔽墊圈1基本相同的作用、效果。該電磁波屏蔽墊圈1A由于僅在一面設(shè)置薄膜4和導(dǎo)電材料層6A，因此可降低制造成本。此外，該電磁波屏蔽墊圈1A最好以多個(gè)導(dǎo)電膜片6b接地的形態(tài)使用。
接著，說明該電磁波屏蔽墊圈1A的制造方法。
在第1工序中，準(zhǔn)備片狀發(fā)泡體2和薄膜4，在片狀發(fā)泡體2的一面用粘合劑3接合合成樹脂制薄膜4。在第2工序中，形成沿厚度方向貫穿片狀發(fā)泡體2和前述薄膜4的多個(gè)貫通孔5A。在第3工序中形成在薄膜4表面形成的導(dǎo)電材料層6A；形成在片狀發(fā)泡體2的無前述薄膜4的表面(里面)的多個(gè)貫通孔5A的開口部附近的多個(gè)導(dǎo)電被膜片6b；形成在多個(gè)貫通孔5A內(nèi)，通電連接導(dǎo)電材料層6A和多個(gè)導(dǎo)電被膜片6b的多個(gè)導(dǎo)電通路6c。
該導(dǎo)電材料層6A和多個(gè)導(dǎo)電被膜片6b和多個(gè)導(dǎo)電通路6c可以和實(shí)施例1一樣通過涂布導(dǎo)電涂料來形成。這時(shí)，導(dǎo)電涂料從表面?zhèn)韧ㄟ^貫通孔5A內(nèi)浸入到里面?zhèn)?，在貫通?A內(nèi)形成連續(xù)的導(dǎo)電通路6c，利用在里面的貫通孔5A的開口部附近滲出的滲出導(dǎo)電材料積液，在多個(gè)貫通孔5A的開口部附近形成多個(gè)導(dǎo)電被膜片6b。
導(dǎo)電材料層6A和多個(gè)導(dǎo)電被膜片6b通過多個(gè)導(dǎo)電通路6c電連接，賦予表里兩面間的導(dǎo)電性，同時(shí)由多個(gè)導(dǎo)電被膜片6b在里面形成多個(gè)接點(diǎn)。涂布導(dǎo)電涂料后使其干燥，由此就可制成電磁波屏蔽墊圈1A。干燥方法和實(shí)施例1相同。此外，導(dǎo)電涂料的涂膜厚度較好為10～150μm。
該電磁波屏蔽墊圈1A，其表面和里面通過多個(gè)貫通孔5A內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)電通路6c被電連接，在沿導(dǎo)電材料層6A的面方向和厚度方向具有導(dǎo)電性。電磁波屏蔽墊圈1A為易于通過里面的多個(gè)導(dǎo)電被膜片6b接地的結(jié)構(gòu)，制造成本也低廉。
接著，實(shí)際制作多種電池屏蔽墊圈1A，對(duì)評(píng)價(jià)其導(dǎo)電性的性能而進(jìn)行的試驗(yàn)及其結(jié)果進(jìn)行說明。
片狀發(fā)泡體2、薄膜4、粘合劑3、導(dǎo)電涂料和實(shí)施例中1進(jìn)行實(shí)際制作的實(shí)施例相同。此外，從表面?zhèn)韧ㄟ^多個(gè)貫通孔5A浸出的導(dǎo)電涂料的一部分附著在片狀發(fā)泡體2的里面?zhèn)?，形成了多個(gè)導(dǎo)電被膜片6b。
對(duì)上述制成的電磁波屏蔽墊圈1A和實(shí)施例1一樣測定了作為電磁波屏蔽性能的指標(biāo)的電阻值。采用和實(shí)施例1同樣的方法，沿面方向(平行于面的方向)和厚度方向測定了電阻值。其結(jié)果示于表2。
表2
*1單位Ω/□*2單位Ω/25mmSQ根據(jù)表2的試驗(yàn)結(jié)果，通過將導(dǎo)電涂料中的銀粉的配比控制在70％以上，能夠獲得低電阻值，能夠?qū)崿F(xiàn)作為電磁波屏蔽墊圈的效果。該試驗(yàn)的電磁波屏蔽墊圈1A雖然僅在接合片材的一面涂布了導(dǎo)電涂料，但沒有發(fā)現(xiàn)與兩面都涂布了導(dǎo)電材料的電磁波屏蔽墊圈1之間有明顯差別。
此外，在實(shí)施例2中，形成導(dǎo)電材料層6A等的導(dǎo)電材料使用了導(dǎo)電涂料。但作為其它方式，也可以通過無電解電鍍由電鍍材料構(gòu)成導(dǎo)電材料層6A、導(dǎo)電被膜片6b和導(dǎo)電通路6c。根據(jù)構(gòu)成電磁波屏蔽墊圈1A的材料、墊圈的形狀，也可以利用金屬蒸鍍而附著的導(dǎo)電材料構(gòu)成導(dǎo)電材料層6A、導(dǎo)電被膜片6b和導(dǎo)電通路6c。
實(shí)施例3該實(shí)施例3的電磁波屏蔽墊圈11是圖4所示的電磁波屏蔽墊圈，該電磁波屏蔽墊圈11的立體圖和圖1相同。
該電磁波屏蔽墊圈11具備含有連續(xù)氣泡或獨(dú)立氣泡的具彈性的合成樹脂制片狀發(fā)泡體12；通過粘合材料13接合于該片狀發(fā)泡體12的兩面的具撓性的合成樹脂制薄膜14，14；沿厚度方向貫通片狀發(fā)泡體12和薄膜14，14的多個(gè)貫通孔15；形成于兩面的薄膜14，14的表面的導(dǎo)電材料層16，16(導(dǎo)電被膜)；形成在多個(gè)貫通孔15內(nèi)，電連接兩面的導(dǎo)電材料層16，16的多個(gè)導(dǎo)電通路16a。
片狀發(fā)泡體12是將具彈性的合成樹脂制的發(fā)泡體塊切成薄片而形成的，片狀發(fā)泡體12由合成樹脂或合成橡膠或天然橡膠構(gòu)成，可以選自例如聚氨酯樹脂、乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、聚氯乙烯橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、NBR橡膠、EPDM橡膠、SBR橡膠、氯磺?；垡蚁┖铣上鹉z(hypalon)、丁二烯橡膠、丙烯酸橡膠等。
片狀發(fā)泡體12的厚度較好為0.3～3.0mm左右。此外，構(gòu)成片狀發(fā)泡體12的發(fā)泡體既可以是含有連續(xù)氣泡的發(fā)泡體，也可以是含有獨(dú)立氣泡的發(fā)泡體。粘合材料13可以是由聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、丙烯酸樹脂或環(huán)氧樹脂等材料構(gòu)成的溶劑型、乳液型、熱熔型中的任何類型的粘合劑。
構(gòu)成薄膜14的合成樹脂材料可以選自聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹脂、尼龍樹脂、聚苯硫樹脂、聚醚砜樹脂、丙烯酸樹脂、氯乙烯樹脂、ポリカ樹脂等，薄膜14的厚度較好為10～150μm左右。也可以采用通過涂布合成樹脂制的涂布液而形成的易拉伸的薄膜狀的膜來代替該粘合材料13和薄膜14，14。
采用含有連續(xù)氣泡的片狀發(fā)泡體12時(shí)，為了防止在后述的鍍膜處理時(shí)鍍液含浸入片狀發(fā)泡體12的氣泡部分，大量消耗鍍液的金屬成分，制成的電磁波屏蔽墊圈失去彈性和柔軟性，必須預(yù)先在片狀發(fā)泡體12的表里兩面貼合防止含浸用的薄膜14。這種情況下，即使進(jìn)行高倍率地壓縮加工，由于毛細(xì)管現(xiàn)象鍍液也會(huì)從微小的縫隙間浸透，因此這種薄膜14是必需的。
采用含有獨(dú)立氣泡的片狀發(fā)泡體12時(shí)，最好也在片狀發(fā)泡體12的兩面貼合薄膜14。但是，對(duì)含有獨(dú)立氣泡的片狀發(fā)泡體12的情況而言，由于只在片狀發(fā)泡體12的氣泡的極少一部分含浸有鍍液，因此基于片狀發(fā)泡體12的強(qiáng)度等的考慮，可以采用通過涂布合成樹脂制涂布液而形成的易拉伸的薄膜狀的膜來代替薄膜14。
該電磁波屏蔽墊圈11能夠獲得與實(shí)施例1的電磁波屏蔽墊圈1基本相同的作用和效果，由于在片狀發(fā)泡體12的兩面接合膜14，14，形成了導(dǎo)電材料層16，16，因此能夠確保墊圈11的彈性，而且，由于導(dǎo)電材料16，16和多個(gè)導(dǎo)電通路16a由鍍材(鍍層)構(gòu)成，因此導(dǎo)電性優(yōu)良。
接著，說明前述結(jié)構(gòu)的電磁波屏蔽墊圈11的制造方法。
在第1工序中，準(zhǔn)備規(guī)定尺寸的片狀發(fā)泡體12和薄膜14，14，通過粘合劑13將薄膜14，14層疊接合在片狀發(fā)泡體12的兩面。該接合可以采用層壓加工機(jī)進(jìn)行。
如果將材質(zhì)硬、拉伸度小的薄膜14貼合在片狀發(fā)泡體12的兩面，則在卷成滾筒狀時(shí)會(huì)產(chǎn)生小褶皺，有可能不能實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通，因此最好是在片狀發(fā)泡體12的一面貼合硬質(zhì)、拉伸度小的薄膜14，在另一面貼合柔軟、拉伸度大的薄膜14。
接著在第2工序中，從在片狀發(fā)泡體12貼合了薄膜14，14所形成的接合片材的表面至里面形成多個(gè)貫通孔15。貫通孔15的形成方法是采用預(yù)先經(jīng)過加熱的多個(gè)針狀片，沿接合片材的厚度方向(從圖4的上側(cè)向下)一邊使其熔融一邊進(jìn)行穿孔。這時(shí)的針狀片的加熱溫度根據(jù)片狀發(fā)泡體12和薄膜14，14的熔融溫度以及厚度而有所不同，但一般在250℃以上。
此外，作為和前述不同的形成貫通孔的手段，可以采用將多個(gè)針狀的沖頭和具有與這些沖頭對(duì)應(yīng)的多個(gè)孔的沖模安裝在加壓機(jī)上進(jìn)行穿孔的穿孔裝置。
采用加熱的針狀片形成貫通孔15的情況下，不會(huì)象由穿孔裝置等機(jī)械形成的貫通孔那樣因?yàn)閺椥远氯煌ǎ軌虮３峙c針徑基本相同的孔徑。由于在孔的內(nèi)面因氣泡的部分熔融消失而變得平滑，因此在進(jìn)行無電解電鍍處理時(shí)，鍍液的含浸量變得極小，這樣特別是在采用含有連續(xù)氣泡的片狀發(fā)泡體12時(shí)，能夠大幅度減少鍍液的消耗量。
形成貫通孔15時(shí)，在針狀片進(jìn)入的上面?zhèn)群土硪粋?cè)的下表面容易產(chǎn)生凸起部分，但如果在片狀發(fā)泡體12的兩面接合不同硬度的薄膜14，則從硬質(zhì)的薄膜14一側(cè)向軟質(zhì)的薄膜14一側(cè)進(jìn)行穿孔時(shí)，貫通孔15的凸起部分會(huì)變小，能夠確保更平滑的表面。
設(shè)置在前述接合片材中的多個(gè)貫通孔15的孔徑最好是能夠滿足在后述工序中進(jìn)行鍍膜處理時(shí)鍍液能夠充分浸透的要求的孔徑，如果孔徑過大，則必須減少單位面積上的孔數(shù)，從而使厚度方向的導(dǎo)通性降低，并導(dǎo)致強(qiáng)度的降低。根據(jù)反復(fù)試驗(yàn)的結(jié)果，可采用的比較理想的孔徑為0.1～1.5mm，更為理想的孔徑是0.3～1.0mm左右。
貫通孔15可以按照100個(gè)/cm2的密度形成，如果將密度控制在至少2個(gè)/cm2以上，則能夠使電磁波屏蔽墊圈11的表里兩面間的電阻值在1Ω以下。如果將密度再進(jìn)一步控制在6個(gè)/cm2以上，則能夠獲得0.1Ω以下的更好的電阻值。貫通孔15的開孔形狀可以從圓形、正方形或其它形狀中選擇合適的，多個(gè)貫通孔15的排列方式可以是井字裝、鋸齒狀及其它任何形狀，但最好是均一地配置。
接著，在第3工序中，形成薄膜14，14的表面的導(dǎo)電材料層16，16和多個(gè)導(dǎo)電通路16a，此時(shí)通過對(duì)已形成了多個(gè)貫通孔15的接合片材實(shí)施無電解電鍍處理來進(jìn)行。鍍?cè)∵m宜采用銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)等金屬，采用這些金屬進(jìn)行鍍1層或多層的處理。例如在鍍多層時(shí)，較為理想的是下層鍍銅，上層鍍鎳。鍍層的厚度為0.1～10μm左右，較好為1～5μm左右。此外，鍍多層時(shí)，2層以后可以實(shí)施電解電鍍，根據(jù)構(gòu)成電磁波屏蔽墊圈的材料及形狀，也可以通過實(shí)施金屬蒸鍍形成導(dǎo)電材料層16，16和多個(gè)導(dǎo)電通路16a。
接著，制作多種電池屏蔽墊圈11，對(duì)評(píng)價(jià)其導(dǎo)電性而進(jìn)行的試驗(yàn)及其結(jié)果進(jìn)行說明。
片狀發(fā)泡體12使用含有連續(xù)氣泡的厚0.5mm的軟質(zhì)聚氨酯樹脂發(fā)泡體，通過聚氨酯系粘合劑分別在其一面層壓接合12μ的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜(薄膜14)，在另一面層壓接合30μ的聚氨酯樹脂薄膜(薄膜14)。為了提高由后述的無電解電鍍所鍍金屬的附著，對(duì)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜的要實(shí)施鍍膜的一面進(jìn)行了粗糙(マット)加工。
使用預(yù)先加熱到300℃的針徑為0.62mm的多根并排的熱針作為針狀片，按照4.48mm×2.6mm的貫通孔間隔，從聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜接合側(cè)向聚氨酯樹脂薄膜接合側(cè)對(duì)該接合片材進(jìn)行穿孔，形成了多個(gè)貫通孔15。
接著，在對(duì)設(shè)置了貫通孔15的接合片材實(shí)施無電解電鍍時(shí)，作為前處理，將前述接合片材在苛性鈉(20g/L)溶液中于40℃進(jìn)行親水處理5分鐘。水洗后，用鹽酸水溶液(10％)進(jìn)行了中和，然后在含有氯化錫(2g/L)、氯化鈀(0.2g/L)和鹽酸的催化劑溶液中于室溫下浸漬2分鐘，進(jìn)行了催化處理。再次水洗后，將在硫酸水溶液(5％)中進(jìn)行過活性化處理的發(fā)泡樹脂浸漬在下述無電解鍍銅浴(鍍?cè)?)中，于45℃浸漬5分鐘，進(jìn)行了無電解鍍銅處理。
鍍?cè)?硫酸銅五水合物 10g/L甲醛(37％) 10g/L乙二胺四乙酸(EDTA) 40g/L酒石酸鈉鉀 5g/L苛性鈉 12g/L接著，在含有氯化鈀(0.2g/L)和鹽酸(100ml/L)的催化劑溶液中浸漬2分鐘，進(jìn)行了催化處理后，在下述無電解鍍鎳浴(鍍?cè)?)中，于60℃浸漬3分鐘，實(shí)施無電解鍍鎳處理，然后使其干燥制得電磁波屏蔽墊圈。
鍍?cè)?硫酸鎳六水合物 20g/L次亞磷酸鈉一水合物 30g/L乙酸鈉 5g/L檸檬酸三鈉 30g/LpH 4.8為了驗(yàn)證通過以上處理獲得的電磁波屏蔽墊圈11的表里兩面間的導(dǎo)電性而測定的電阻值示于表3。
表3

其結(jié)果是，在本發(fā)明的電磁波屏蔽墊圈11中所形成的貫通孔15的密度為2個(gè)以上/cm2時(shí)，電阻值在1Ω以下，6個(gè)以上/cm2時(shí)，電阻值為0.1Ω，能夠獲得實(shí)用上不存在任何問題的電阻值。
本發(fā)明的電磁波屏蔽墊圈能夠屏蔽需要屏蔽電磁波的電子設(shè)備及測量設(shè)備等的內(nèi)部產(chǎn)生的電磁波及從外部侵入的無用的電磁波，所以在節(jié)省空間的同時(shí)能夠安裝在廣范圍的儀器設(shè)備上，發(fā)揮有效的作用。
權(quán)利要求
1.電磁波屏蔽墊圈，它是片狀的電磁波屏蔽用墊圈，其特征在于，具備含有連續(xù)氣泡或獨(dú)立氣泡的合成樹脂制片狀發(fā)泡體；接合在該片狀發(fā)泡體的至少一面的具撓性的合成樹脂制薄膜；沿厚度方向貫通前述片狀發(fā)泡體和前述薄膜的多個(gè)貫通孔；形成在前述合成樹脂制薄膜的表面的導(dǎo)電被膜；形成于多個(gè)貫通孔，并且至少與前述導(dǎo)電被膜相連的多個(gè)導(dǎo)電通路。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽墊圈，其特征還在于，前述合成樹脂制薄膜分別接合在前述片狀發(fā)泡體的兩面，前述兩面的合成樹脂制薄膜的表面的導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路由導(dǎo)電涂層構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽墊圈，其特征還在于，前述合成樹脂制薄膜被接合在前述片狀發(fā)泡體的一面，該合成樹脂制薄膜表面的導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路由導(dǎo)電涂層構(gòu)成，具有形成在前述片狀發(fā)泡體的無前述薄膜的表面的多個(gè)貫通孔的開口部附近的多個(gè)導(dǎo)電被膜片，各導(dǎo)電被膜片分別與各導(dǎo)電通路相連。
4.如權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽墊圈，其特征還在于，前述片狀發(fā)泡體由含有連續(xù)氣泡的合成樹脂材料構(gòu)成，前述合成樹脂制薄膜分別接合在前述片狀發(fā)泡體的兩面，前述兩面的合成樹脂制薄膜的表面的導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路由無電解電鍍層構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽墊圈，其特征還在于，前述片狀發(fā)泡體由含有獨(dú)立氣泡的合成樹脂材料構(gòu)成，前述合成樹脂制薄膜分別接合在前述片狀發(fā)泡體的兩面，前述兩面的合成樹脂制薄膜的表面的導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路由無電解電鍍層構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的電磁波屏蔽墊圈，其特征還在于，形成貫通孔前的前述片狀發(fā)泡體的厚度為0.1～5.0mm。
7.如權(quán)利要求6所述的電磁波屏蔽墊圈，其特征還在于，前述貫通孔的孔徑為0.1～1.5mm，以2～100個(gè)/cm2的密度設(shè)置了多個(gè)貫通孔。
8.如權(quán)利要求6所述的電磁波屏蔽墊圈，其特征還在于，在前述電磁波屏蔽墊圈的至少一面涂布了粘合材料。
9.電磁波屏蔽墊圈的制造方法，它是片狀的電磁波屏蔽用墊圈的制造方法，其特征在于，具備在含有連續(xù)氣泡或獨(dú)立氣泡的合成樹脂制片狀發(fā)泡體的至少一面接合具撓性的合成樹脂制薄膜的第1工序；形成沿厚度方向貫通前述片狀發(fā)泡體和前述薄膜的多個(gè)貫通孔的第2工序；在前述合成樹脂制薄膜的表面形成導(dǎo)電被膜的同時(shí)，在多個(gè)貫通孔分別形成多個(gè)導(dǎo)電通路的第3工序。
10.如權(quán)利要求9所述的電磁波屏蔽墊圈的制造方法，其特征還在于，在前述第3工序中，通過在前述合成樹脂制薄膜的表面和多個(gè)貫通孔涂布導(dǎo)電涂料，形成前述導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路。
11.如權(quán)利要求9所述的電磁波屏蔽墊圈的制造方法，其特征還在于，前述片狀發(fā)泡體采用由含有連續(xù)氣泡的合成樹脂材料構(gòu)成的片狀發(fā)泡體，前述第1工序中，在前述片狀發(fā)泡體的兩面接合具撓性的合成樹脂制薄膜，在前述第3工序中，通過在前述合成樹脂制薄膜的表面和多個(gè)貫通孔進(jìn)行無電解電鍍，形成前述導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路。
12.如權(quán)利要求9所述的電磁波屏蔽墊圈的制造方法，其特征還在于，前述片狀發(fā)泡體采用由含有獨(dú)立氣泡的合成樹脂材料構(gòu)成的片狀發(fā)泡體，前述第1工序中，在前述片狀發(fā)泡體的至少一面接合具撓性的合成樹脂制薄膜，在前述第3工序中，通過在前述合成樹脂制薄膜的表面和多個(gè)貫通孔進(jìn)行無電解電鍍，形成前述導(dǎo)電被膜和多個(gè)導(dǎo)電通路。
全文摘要
為了解決難以使電磁波屏蔽墊圈具有表里面間的充分的導(dǎo)電性，在制造過程中產(chǎn)生的海綿屑、鍍膜屑、毛屑等易造成電路短路，難以簡便而又低成本地制造彈性優(yōu)良的電磁波屏蔽墊圈的問題，本發(fā)明采用如下的結(jié)構(gòu)在薄的片狀發(fā)泡體2的兩面接合薄膜4，4，在該接合片材形成從表面至里面的多個(gè)貫通孔5，通過在薄膜4，4的表面涂布導(dǎo)電涂料并填入多個(gè)貫通孔5，在薄膜4，4的表面形成導(dǎo)電材料層6，6，并同時(shí)在多個(gè)貫通孔5形成與導(dǎo)電材料層6，6相連接的多個(gè)導(dǎo)電通路6a。在片狀發(fā)泡體的一面形成薄膜和導(dǎo)電材料層，在里面?zhèn)刃纬晌挥诙鄠€(gè)貫通孔的開口部附近的多個(gè)導(dǎo)電被膜片，由多個(gè)導(dǎo)電通路連接導(dǎo)電材料層和多個(gè)導(dǎo)電被膜片。
文檔編號(hào)H01B5/14GK1655284SQ20051000815
公開日2005年8月17日 申請(qǐng)日期2005年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月10日
發(fā)明者大塚平明, 齊藤玄, 馬場元康, 松岡茂樹 申請(qǐng)人:日本捷力有限公司