專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。具體的說，本發(fā)明與可有效地用于半導(dǎo)體器件(無導(dǎo)線半導(dǎo)體器件)比如SON(小輪廓無導(dǎo)線封裝)和QFN(四線扁平無導(dǎo)線封裝)的制造的技術(shù)相關(guān)，其中外部電極端子被暴露到安裝表面?zhèn)榷挥迷诜庋b的側(cè)面上有意凸伸。
背景技術(shù)：
在制造樹脂封裝型的半導(dǎo)體器件的過程中使用導(dǎo)線框。通過使用精確的沖壓機(jī)進(jìn)行沖壓或蝕刻將金屬板構(gòu)圖成所需的圖形來制造導(dǎo)線框。導(dǎo)線框具有稱為接片或電路片焊接區(qū)的支撐部分和其前端(內(nèi)端)在支撐部分周圍相對的多個導(dǎo)線，這個支撐部分用于將半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體芯片)固定到其中。接片由從導(dǎo)線框的框架部分延伸的接片懸置導(dǎo)線支撐。
在使用這種導(dǎo)線框制造樹脂密封型半導(dǎo)體器件的過程中，半導(dǎo)體芯片固定到導(dǎo)線框的接片，并且在半導(dǎo)體芯片上的電極和導(dǎo)線的前端通過導(dǎo)電引線彼此連接，此后包括引線和半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)線的內(nèi)端側(cè)以絕緣樹脂密封以形成密封體(封裝)，然后割掉不需要的導(dǎo)線框部分。在需要時，對從密封體凸伸的導(dǎo)線進(jìn)行成型工作。
在另一方面，作為通過使用導(dǎo)線框制造樹脂密封型的半導(dǎo)體器件，存在一種公知的半導(dǎo)體器件(無導(dǎo)線半導(dǎo)體器件)，其中對導(dǎo)線框的一個表面進(jìn)行單側(cè)模制以形成封裝并將作為外部電極端子的導(dǎo)線暴露到封裝的一個表面而不需要從封裝的周邊表面進(jìn)行有意的凸伸。作為這種類型的半導(dǎo)體器件是公知的SON和QFN，在SON中導(dǎo)線暴露到封裝的一個表面的兩側(cè)邊緣，在QFN中導(dǎo)線暴露到四邊形封裝的四側(cè)。還存在一種公知的半導(dǎo)體器件，其中接片的上部表面暴露在密封體的上部表面(例如參見專利文獻(xiàn)1)。
在專利文獻(xiàn)1中公開了一種半導(dǎo)體器件封裝，其中導(dǎo)線的下部表面暴露在樹脂膜片(密封體)的下部表面的周邊部分。根據(jù)其中公開的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)線內(nèi)端的下部表面是半蝕刻的，在半導(dǎo)體芯片的下表面上的半蝕刻的表面和電極通過引線彼此連接。此外，在半導(dǎo)體芯片上的電極和焊接區(qū)通過地線彼此電連接。
日本未審查專利出版物No.2002-134676發(fā)明內(nèi)容在半導(dǎo)體器件中，隨著功能的改進(jìn)等使外部電極端子(管腳)數(shù)量的進(jìn)一步增加。此外，要求進(jìn)一步減小半導(dǎo)體器件的尺寸，因為在其上安裝各種電子器件。
在IC(集成電路)中，接地端子設(shè)置在多個位置上以用于穩(wěn)定電源電位比如在電路上的接地端子。接地端子的數(shù)量的增加導(dǎo)致了管腳數(shù)量的增加，由此導(dǎo)致了半導(dǎo)體器件的尺寸的增加。至于其中具有安裝的半導(dǎo)體芯片的接片被設(shè)置在接地電位的半導(dǎo)體器件，存在這樣的方法其中連接到半導(dǎo)體芯片的接地電極的引線連接到在半導(dǎo)體芯片的外面設(shè)置的接片部分以降低接地端子的數(shù)量。然而，這種情況下，接片在尺寸上變得更大，因此半導(dǎo)體器件也變得更大。
本發(fā)明的一個目的是提供一種即使半導(dǎo)體芯片的電源電位電極的數(shù)量較大的情況下仍然能夠減小尺寸的半導(dǎo)體器件以及制造這種半導(dǎo)體器件的方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種能夠從密封體的上部表面?zhèn)壬岬臒o導(dǎo)線半導(dǎo)體器件以及制造這種半導(dǎo)體器件的方法。
從下文的描述和附圖中可以清楚地看出本發(fā)明的上述和其它目的和新穎的特征。
下文概述在此公開的本發(fā)明的典型模式。
(1).一種半導(dǎo)體器件，包括絕緣樹脂形成的密封體，該密封體具有上表面、與上表面相反的下表面和使上表面和下表面彼此連接的側(cè)面；密封在密封體內(nèi)的導(dǎo)電接片；與接片鄰接并部分地暴露到密封體的下表面和側(cè)面的接片懸置導(dǎo)線；固定到接片的下表面的半導(dǎo)體芯片；多個導(dǎo)電導(dǎo)線，每個導(dǎo)電導(dǎo)線具有在密封體內(nèi)設(shè)置的內(nèi)端部分、暴露到密封體的下表面和側(cè)面的外端部分和從每個導(dǎo)電導(dǎo)線的側(cè)面凸伸到密封體的凸伸部分；從每個接片懸置導(dǎo)線的側(cè)面凸伸并設(shè)置在密封體內(nèi)的凸伸部分；和在密封體內(nèi)設(shè)置的并將在半導(dǎo)體芯片的下表面上形成的電極與導(dǎo)電導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的凸伸部分連接的導(dǎo)電引線。
與所述引線相連的導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的凸伸部分的下表面被蝕刻掉預(yù)定的厚度并變薄，引線連接到更薄的下表面。通過引線被連接到接片懸置導(dǎo)線的半導(dǎo)體芯片的電極是電源電位電極。接片懸置導(dǎo)線在中間彎曲并將接片的上表面暴露到密封體的上表面。暴露到密封體的上表面的接片的上表面是通過拋光已經(jīng)進(jìn)行了附著樹脂清除處理的表面。
如上文構(gòu)造的半導(dǎo)體器件通過包括如下步驟的方法制造形成導(dǎo)線框，該導(dǎo)線框包括每個具有從它的側(cè)面凸伸的凸伸部分的多個導(dǎo)線、固定半導(dǎo)體芯片的接片、與接片鄰接并且每個具有從它的側(cè)面凸伸的凸伸部分的多個懸置導(dǎo)線和將導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線彼此連接的框架部分，導(dǎo)線、接片、接片懸置導(dǎo)線和框架部分每個具有第一表面與第一表面相反的第二表面，導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的凸伸部分具有至少部分地在第二表面上的引線連接表面，引線連接表面設(shè)置成比其它部分更靠近第一表面?zhèn)龋?
將半導(dǎo)體元件固定到接片的第二表面；通過導(dǎo)電引線將半導(dǎo)體元件的電極與在第二表面?zhèn)壬系膶?dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的引線連接表面電連接；以絕緣樹脂密封半導(dǎo)體元件、引線、導(dǎo)線和導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的凸伸部分以使導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的第二表面從絕緣樹脂暴露以形成密封體；和從框架部分切割導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線。
在導(dǎo)線框形成步驟中，導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線上與其凸伸部分相對應(yīng)的表面被蝕刻預(yù)定的厚度以形成引線連接部分。在連接引線的過程中，半導(dǎo)體芯片的接地電位電極和接片懸置導(dǎo)線的凸伸部分通過引線彼此連接。在密封體形成之后，附著到暴露于密封體表面的接片表面的樹脂通過拋光被清除。
(2).在上述的結(jié)構(gòu)(1)中，凸伸部分從導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的兩側(cè)面凸伸。
在這種半導(dǎo)體器件的制造過程中，在形成導(dǎo)線框時在導(dǎo)線的兩側(cè)面上形成凸伸部分。
(3).在上述的結(jié)構(gòu)(1)中，導(dǎo)線的凸伸部分從導(dǎo)線的兩側(cè)面凸伸。相鄰的導(dǎo)線的凸伸部分被設(shè)置成在導(dǎo)線的延伸方向上彼此錯開以便不被設(shè)置成在與導(dǎo)線交叉的方向上成一行。在相鄰的導(dǎo)線中，由所述將一個相鄰的所述導(dǎo)線的每個凸伸部分連接至在半導(dǎo)體芯片上的相關(guān)電極的引線形成一個環(huán)路，由所述將其它導(dǎo)線的每個凸伸部分連接至在半導(dǎo)體芯片上的相關(guān)電極連接的引線形成另一個環(huán)路，所述兩個環(huán)路的高度彼此不同，以便彼此不接觸。
在制造這種半導(dǎo)體器件的過程中，在形成導(dǎo)線框時凸伸部分被形成在每個導(dǎo)線的兩側(cè)面上。在這種情況下，在相鄰的導(dǎo)線中，凸伸部分被設(shè)置成在導(dǎo)線的延伸方向上彼此錯開以便不被設(shè)置成在互連導(dǎo)線的方向上成一行。此外，進(jìn)行引線連接，以使在相鄰的導(dǎo)線中將在一個導(dǎo)線中的每個凸伸部分與在半導(dǎo)體芯片上的相關(guān)的電極連接的引線的環(huán)路和將在其它導(dǎo)線中的每個凸伸部分與在半導(dǎo)體芯片上的相關(guān)的電極連接的引線的環(huán)路具有不同的高度以免相互接觸。
下文概述通過如在此所公開的本發(fā)明的典型方式獲得的效果。
根據(jù)上述的裝置(1)，(a)由于形成在與設(shè)置在接地電位上的接片鄰接的接片懸置導(dǎo)線的側(cè)面上的凸伸部分和在半導(dǎo)體芯片上的接地電位電極通過引線彼此連接，因此可以降低作為接地電位導(dǎo)線提供的導(dǎo)線的數(shù)量，因此可以實現(xiàn)半導(dǎo)體器件的尺寸的減小。
(b)由于形成在與設(shè)置在接地電位上的接片鄰接的接片懸置導(dǎo)線的側(cè)面上形成的凸伸部分和半導(dǎo)體芯片的接地電位電極通過引線彼此連接并且引線不連接到從半導(dǎo)體芯片偏離的接片部分，因此可以實現(xiàn)接片和半導(dǎo)體器件的尺寸的減小。
(c)由于形成在導(dǎo)線的側(cè)面上的凸伸部分用作引線連接部分，因此在密封之后的導(dǎo)線難以從密封體中脫落，因此改善了半導(dǎo)體器件的可靠性。
(d)由于帶有固定到其中的半導(dǎo)體芯片的接片上表面從密封體的上表面暴露，因此散熱部件可以連接到接片并且可以提供具有較高散熱性能的半導(dǎo)體器件。由于附著到暴露的接片表面的樹脂通過拋光被清除，因此不再存在阻礙熱量的散發(fā)的任何物質(zhì)，因此進(jìn)一步改善了散熱性能。
根據(jù)上述的裝置(2)，由于凸伸部分形成在導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線每個的兩側(cè)上，因此引線連接的數(shù)量增加并且管腳的數(shù)量可以被降低。
根據(jù)上述的裝置(3)，導(dǎo)線的凸伸部分被設(shè)置成使在相鄰的導(dǎo)線之間的凸伸部分在導(dǎo)線的延伸部分上彼此錯開，以便在與導(dǎo)線交叉的方向上不設(shè)置成一行。此外，在相鄰的導(dǎo)線中，通過連接一個導(dǎo)線中每個凸伸部分的引線形成的環(huán)路的高度和連接其它導(dǎo)線中每個凸伸部分的引線形成的環(huán)路的高度相互不同，以便避免互相接觸。因此，半導(dǎo)體器件的可靠性變高。


附圖1所示為底部示意圖，其中根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的半導(dǎo)體器件的導(dǎo)線、引線和半導(dǎo)體芯片可看到；附圖2所示為第一實施例的半導(dǎo)體器件的平面視圖；附圖3所示為基本沿附圖2的線A-A的示意剖面圖；附圖4所示為基本沿附圖2的線B-B的示意剖面圖；附圖5所示為在半導(dǎo)體器件中的引線連接的導(dǎo)線部分的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的示意性透視圖；附圖6(a)、6(b)和6(c)所示為引線連接的導(dǎo)線部分的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的附圖；附圖7所示為在半導(dǎo)體器件中的引線連接的接片懸置導(dǎo)線部分的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的示意透視圖；附圖8(a)，8(b)，8(c)所示為引線連接的接片懸置導(dǎo)線部分的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的附圖；附圖9所示為半導(dǎo)體器件的封裝狀態(tài)的示意剖視圖；附圖10所示為在制造第一實施例的半導(dǎo)體器件的過程中使用的導(dǎo)線框的平面視圖；附圖11所示為導(dǎo)線框的平面視圖，說明了其中在制造第一實施例的半導(dǎo)體器件的過程中將半導(dǎo)體芯片固定到接片上并將半導(dǎo)體芯片的電極通過引線與導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線連接的狀態(tài)；附圖12所示為導(dǎo)線框的平面視圖，說明了其中在制造第一實施例的半導(dǎo)體器件的過程中導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的部分以及半導(dǎo)體芯片、引線和接片以密封體覆蓋的狀態(tài)；附圖13所示為說明了其中在制造第一實施例的半導(dǎo)體器件的過程中通過拋光清除附著在暴露到密封體的下表面的接片的表面上的樹脂的狀態(tài)的示意圖；附圖14所示為說明其中根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的半導(dǎo)體器件的導(dǎo)線、引線和半導(dǎo)體芯片都可見的狀態(tài)的示意底視圖；附圖15(a)、15(b)和15(c)所示為說明在第二實施例的半導(dǎo)體器件的一側(cè)上具有引線連接的凸伸部分的單翼導(dǎo)線部分的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的附圖；附圖16(a)、16(b)和16(c)所示為說明在第二實施例的半導(dǎo)體器件的兩側(cè)上具有引線連接的凸伸部分的雙翼導(dǎo)線部分的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的附圖；附圖17所示為說明其中根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的半導(dǎo)體器件的導(dǎo)線、引線和半導(dǎo)體芯片都可見的狀態(tài)的示意底視圖；附圖18所示為如在接片懸置導(dǎo)線的延伸方向上看見的第三實施例的半導(dǎo)體器件的示意剖視圖；附圖19所示為在第三實施例的半導(dǎo)體器件中的內(nèi)端的兩側(cè)上和它的內(nèi)端側(cè)上具有引線連接的凸伸部分的內(nèi)翼導(dǎo)線的引線連接狀態(tài)的示意剖視圖；附圖20(a)、20(b)和20(c)所示為在第三實施例的半導(dǎo)體器件中的內(nèi)翼導(dǎo)線的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的附圖；附圖21所示為在第三實施例的半導(dǎo)體器件中在中間位置的兩側(cè)上和在它的中間位置上具有引線連接的凸伸部分的中翼上的引線連接的狀態(tài)的示意剖視圖；附圖22(a)、22(b)和22(c)所示為在第三實施例的半導(dǎo)體器件中的中翼導(dǎo)線的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的附圖；附圖23所示為在第三實施例的半導(dǎo)體器件的內(nèi)翼導(dǎo)線和中翼導(dǎo)線之間的引線環(huán)路高度的差別的示意附圖；附圖24所示為說明其中根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的半導(dǎo)體器件的導(dǎo)線、引線和半導(dǎo)體芯片都可見的狀態(tài)的示意底視圖；附圖25(a)、25(b)和25(c)所示為在第四實施例的半導(dǎo)體器件中的內(nèi)端的兩側(cè)上和它的內(nèi)端側(cè)上具有引線連接部分的內(nèi)翼導(dǎo)線的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的附圖；附圖26(a)、26(b)和26(c)所示為在中間位置的兩側(cè)上和它的中間位置上具有引線連接的凸伸部分的中翼導(dǎo)線的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的附圖；附圖27所示為說明其中根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的半導(dǎo)體器件的導(dǎo)線、引線和半導(dǎo)體芯片都可見的狀態(tài)的示意底視圖；附圖28所示為如在接片懸置導(dǎo)線的延伸方向上所見的第五實施例的半導(dǎo)體器件的示意剖面圖；附圖29(a)、29(b)和29(c)所示為在它的兩側(cè)上具有引線連接部分的接片懸置導(dǎo)線的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的附圖；附圖30所示為在第五實施例的半導(dǎo)體器件中引線到導(dǎo)線內(nèi)端的連接狀態(tài)的示意剖視圖；附圖31(a)、31(b)和31(c)所示為在第五實施例的半導(dǎo)體器件中導(dǎo)線的引線連接內(nèi)端的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的附圖；附圖32所示為在制造第五實施例的半導(dǎo)體器件的過程中使用的導(dǎo)線框的平面視圖；附圖33所示為根據(jù)如在接片懸置導(dǎo)線的延伸方向上所見的第五實施例改型的半導(dǎo)體器件的示意剖面圖；附圖34(a)、34(b)和34(c)所示為在根據(jù)第五實施例的改型的半導(dǎo)體器件中在它的兩側(cè)上具有引線連接凸伸部分的接片懸置導(dǎo)線的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的附圖；和附圖35所示為在根據(jù)第四實施例的改型的半導(dǎo)體器件中的兩個相鄰的導(dǎo)線7的示意平面視圖。
具體實施例方式
下文參考附圖進(jìn)一步詳細(xì)地描述本發(fā)明的實施例。在解釋實施例的所有附圖中，具有相同功能的部分以相同的參考標(biāo)號表示并省去對它們的重復(fù)解釋。
(第一實施例)附圖1至13說明了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的半導(dǎo)體器件，其中附圖1至8說明了半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)，附圖9說明了半導(dǎo)體器件的封裝狀態(tài)，以及附圖10至13說明了制造半導(dǎo)體器件的方法。
在第一實施例中，本發(fā)明應(yīng)用到無導(dǎo)線的半導(dǎo)體器件(QFN)，其中接片的上表面暴露到四邊形的密封體的上表面，導(dǎo)線的下表面暴露到密封體的下表面的四側(cè)。
如附圖1至4所示，QFN型半導(dǎo)體器件(以1指示)具有由絕緣樹脂形成的扁平的且四邊形(正方形)的密封體(封裝)2。密封體2的四個角斜切以形成斜面2a(參見附圖2至4)。四邊形半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)3嵌入在密封體2的內(nèi)部。半導(dǎo)體芯片3通過粘合劑5固定到四邊形接片4的下表面(參見附圖3和4)。
這個接片懸置導(dǎo)線6分別提供在接片4的四個角上。接片懸置導(dǎo)線6在四邊形接片4的對角方向上延伸并且它的外端暴露到密封體2的斜面2a。這是因為在制造半導(dǎo)體器件1的過程中從密封體的斜面2a凸伸的接片懸置導(dǎo)線6在它們的凸伸位置上從斜面2a被切斷。
接片4比半導(dǎo)體芯片3大一點。接片4的四個側(cè)面延伸到半導(dǎo)體芯片3的四側(cè)的外面，并且密封體的四個側(cè)面沿著接片4的四個側(cè)面延伸到外面。
如附圖3和4所示，在將半導(dǎo)體器件1安裝到安裝襯底時密封體2的下表面用作安裝表面。與接片4鄰接的接片懸置導(dǎo)線6的下表面和導(dǎo)線7的下表面暴露到密封體的安裝表面或者封裝2，如附圖3和4所示。在將半導(dǎo)體器件1安裝到安裝襯底時暴露在密封體2的下表面的導(dǎo)線7和接片懸置導(dǎo)線6的部分用作安裝表面。接片懸置導(dǎo)線6在它們的內(nèi)端側(cè)上鄰接其上表面暴露到密封體2的上表面的接片4，同時它們的外端部分暴露到密封體2的下表面。因此，接片懸置導(dǎo)線6的中間部分彎曲一個臺階，如附圖4所示。
為解釋的方便，接片4、接片懸置導(dǎo)線6、導(dǎo)線7和密封體2的上表面被指定為第一表面，而它們的上表面被指定為第二表面。如下文所描述，使用導(dǎo)線框制造半導(dǎo)體器件1，以及通過切割一個導(dǎo)線框的預(yù)定的部分生產(chǎn)接片4、接片懸置導(dǎo)線6和導(dǎo)線7。通過使用沖壓機(jī)沖壓，通過將單金屬板蝕刻到預(yù)定的導(dǎo)線圖形而形成導(dǎo)線框。半導(dǎo)體器件1從導(dǎo)線圖形制造。在這個第一實施例中，通過例如厚度為0.2毫米的銅板形成導(dǎo)線框。
在半導(dǎo)體芯片3的電極(電極焊盤)9和導(dǎo)線7通過導(dǎo)電引線10彼此電連接。半導(dǎo)體芯片3的背面電極通過粘合劑5連接到接片4的下表面(第二表面)。因此，多個電極(電極焊盤)9設(shè)置在半導(dǎo)體芯片3的下表面上(參見附圖1)。因此，引線以下面的方式連接到電極9。導(dǎo)線7的下表面(第二表面)翻轉(zhuǎn)到上表面，并在這種狀態(tài)下使用常規(guī)的絲焊設(shè)備在半導(dǎo)體芯片3上的電極9和導(dǎo)線7之間執(zhí)行絲焊。從防潮性和外觀上看，引線從密封體2的下表面(第二表面)凸伸或暴露到其中是不理想的。因此，導(dǎo)線7的前端部分從它的一個表面(第二表面)蝕刻預(yù)定的深度，并且引線連接到作為引線連接表面的蝕刻的表面(第二表面)。例如，如果導(dǎo)線框0.2毫米厚度的導(dǎo)線7從第二表面?zhèn)任g刻預(yù)定的深度并且每個連接的引線的高度(引線環(huán)路高度)比蝕刻深度更低，則可以防止引線從密封體的下表面(第二表面)暴露。雖然沒有示出，但是電鍍膜形成在每個引線連接表面上以改善引線可連接性。例如，電鍍膜由Au、Ag或Pd形成。
附圖5、6(a)、6(b)和6(c)顯示了導(dǎo)線7，其中附圖5是說明在引線10連接到其中的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)下導(dǎo)線7的一部分的透視圖，附圖6(a)是導(dǎo)線7的正視圖，附圖6(b)是它的平面視圖，以及附圖6(c)是它的側(cè)視圖。在附圖5中，上表面用作第二表面。導(dǎo)線7的前端部分的一部分形成了在一側(cè)上彎曲并凸伸的引線連接部分11a。引線連接部分11a從第二表面?zhèn)任g刻較薄。通過蝕刻形成的凹陷表面形成了引線連接表面11。引線10連接到引線連接表面11。由于蝕刻從一個表面?zhèn)葓?zhí)行，因此與導(dǎo)線7的引線連接表面11相對的第一表面部分和導(dǎo)線7的第一表面彼此齊平。由于導(dǎo)線7的前端部分彎曲并凸伸到一側(cè)，因此它咬進(jìn)形成密封體2的樹脂中，因此導(dǎo)線不會從密封體2中脫落。
此外，在這個第一實施例中，為防止每個導(dǎo)線7自密封體2移動，提供在導(dǎo)線7的兩側(cè)凸伸的薄固定件15并在第一表面上形成凹陷16。固定件15咬進(jìn)密封體2并且樹脂進(jìn)入凹陷16，因此導(dǎo)線7變得難以從密封體2中脫落。
在另一方面，如附圖1、7和8所示，凸伸部分17提供在每個接片懸置導(dǎo)線6的兩側(cè)上。附圖8(a)所示為接片懸置導(dǎo)線6的正視圖，附圖8(b)所示為它的平面視圖，以及附圖8(c)為它的側(cè)視圖。如附圖7所示，局部較寬的部分20形成在接片懸置導(dǎo)線6的外端，并且比接片懸置導(dǎo)線6更薄的凸伸部分17形成在寬的部分20的兩側(cè)上。通過從導(dǎo)線框的第二表面?zhèn)任g刻接片懸置導(dǎo)線6部分預(yù)定的深度而形成凸伸部分17。因此，凸伸部分17的第一表面與接片懸置導(dǎo)線6的第一表面鄰接并與其平齊。
凸伸部分17咬進(jìn)形成密封體2的樹脂中，因此接片懸置導(dǎo)線6被固定地保持在密封體2內(nèi)。凹陷21和22分別形成在接片懸置導(dǎo)線6的第一表面上和寬的部分20的外邊緣上。形成密封體2的樹脂進(jìn)入凹陷21和22。結(jié)果，接片懸置導(dǎo)線6的寬的部分20被樹脂固定地保持。
在第一實施例的半導(dǎo)體器件1中，由于接片4被設(shè)定在地電位，因此接片懸置導(dǎo)線6也不可避免地被設(shè)定在地電位。因此，連接到接片懸置線6的凸伸部分17的引線10連接到在半導(dǎo)體芯片3上的地電位電極9。電鍍膜形成在接片懸置導(dǎo)線6的每個凸伸部分17的引線連接表面上以改進(jìn)引線可連接性。例如，電鍍膜由Au、Ag或Pd形成。
雖然在這個第一實施例中具有引線連接表面11的引線連接部分11a、固定件15和凸伸部分17通過蝕刻形成，但是它們也可以通過使用壓力機(jī)壓印形成。與蝕刻相比，壓制適合于批量生產(chǎn)并且可以實現(xiàn)成本降低。
在制造半導(dǎo)體器件1的過程中在密封體形成之后通過壓力機(jī)切割導(dǎo)線部分而形成導(dǎo)線7的外端。在自密封體2大約0.1毫米的凸伸長度上切割導(dǎo)線7。
現(xiàn)在給出半導(dǎo)體器件的高度方向上的尺寸的實例。導(dǎo)線7和接片懸置導(dǎo)線6每個0.2毫米厚，通過蝕刻作為凹陷表面而形成的引線連接表面的深度是0.1毫米，每個引線10的環(huán)路高度大約80微米，半導(dǎo)體芯片3的厚度大約280微米，以及半導(dǎo)體器件的厚度大約0.5至0.8毫米。
附圖9所示為半導(dǎo)體器件1安裝在作為布線襯底的安裝襯底30上的安裝狀態(tài)的剖視圖。在安裝襯底30的一個表面上，形成對應(yīng)于作為外部電極端子的導(dǎo)線7和接片懸置導(dǎo)線6的電極(焊接區(qū))31。在半導(dǎo)體器件1中接片懸置導(dǎo)線6和作為外部電極端子的導(dǎo)線7疊加在焊接區(qū)31上并通過鍵合材料32比如焊料電連接到焊接區(qū)。具有散熱翼片34的散熱部件35通過高導(dǎo)熱性的粘合劑33固定到暴露到密封體2上表面的接片4的上表面。通過散熱部件35，在半導(dǎo)體芯片3中產(chǎn)生的熱量有效地耗散到大氣中，因此半導(dǎo)體器件1可以穩(wěn)定地工作。
接著，下文參考附圖10至13描述制造根據(jù)這個第一實施例的半導(dǎo)體器件1的方法。
首先，形成如附圖10所示的這種導(dǎo)線框40。附圖10所示為在制造根據(jù)第一實施例的QFN型半導(dǎo)體器件1中使用的矩陣結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線框40的平面示意圖。
雖然沒有特別限制，在導(dǎo)線框40中，如附圖10所示，每個由單元導(dǎo)線圖形構(gòu)成的產(chǎn)品形成部分41在導(dǎo)線框40的縱向方向(X方向)上排列成5行和在導(dǎo)線框的橫向方向(Y方向)上排列成3列，以使一個導(dǎo)線框40可以制造15個半導(dǎo)體器件1。在這個第一實施例中，產(chǎn)品形成部分41被彼此相對較寬地間隔開，因為給每個產(chǎn)品形成部分41形成密封體2。
用于傳送和定位導(dǎo)線框40的導(dǎo)孔42形成在導(dǎo)線框的各種位置上。薄的狹縫43每個形成在相鄰的行之間以便減輕熱變形。
例如，通過蝕刻0.2毫米厚的銅合金板或以沖壓機(jī)將該板沖壓成所需的圖形而形成導(dǎo)線框40。根據(jù)如附圖10所示的導(dǎo)線框40的結(jié)構(gòu)，接片懸置導(dǎo)線6分別從矩形框部分的角凸伸并支撐著位于框架部分中心的方形接片4的角。此外，多個導(dǎo)線7從框架部分的四個內(nèi)側(cè)凸伸。接片懸置導(dǎo)線6的結(jié)構(gòu)和導(dǎo)線7的結(jié)構(gòu)已經(jīng)參考附圖5至8描述過，因此省去了對它們的解釋。接片懸置導(dǎo)線6和固定件15的凸伸部分17和導(dǎo)線7的引線連接部分11a通過蝕刻形成。雖然沒有示出，但是電鍍膜形成在導(dǎo)線7和接片懸置導(dǎo)線6的每個引線連接表面上。例如，電鍍膜通過Au、Ag或Pd形成。
接著，如附圖11所示，半導(dǎo)體芯片3通過粘合劑5固定(安裝)在每個產(chǎn)品形成部分41的一個表面(例如第二表面)上(參見附圖3和4)。多個電極(電極焊盤)9形成在半導(dǎo)體芯片3的主表面上并且背面電極形成在芯片的背面上。半導(dǎo)體芯片3通過粘合劑5連接到接片4以使背面電極面對著接片4的第二表面。例如，Ag膏用作粘合劑5。因此，在半導(dǎo)體芯片3連接到接片4之后，通過焙燒固化Ag膏以將芯片固定到接片。
然后，如附圖11所示，在半導(dǎo)體芯片3上的電極9和在導(dǎo)線7上的引線連接表面11通過導(dǎo)電引線10連接在一起。例如，引線10是金線。這時，作為地電位電極的電極9和接片懸置導(dǎo)線16的凸伸部分17通過引線10連接在一起。
接著，通過常規(guī)的轉(zhuǎn)移模制法對導(dǎo)線框40的第一表面?zhèn)冗M(jìn)行一側(cè)模制以形成密封體2，如附圖12所示。在每個產(chǎn)品形成部分41中，半導(dǎo)體芯片3、引線10、接片4、接片懸置導(dǎo)線6和導(dǎo)線7的部分以密封體2密封。
然后，如附圖13所示，以密封體2形成的導(dǎo)線框40固定到拋光設(shè)備的工作臺45上并旋轉(zhuǎn)研磨機(jī)46，以在供應(yīng)磨料和沖洗水的情況下對暴露到密封體2上表面的接片4的表面進(jìn)行拋光。通過這種拋光操作，可以清除通過到接片4的表面的樹脂的滲出和鍵合形成的樹脂毛刺47。結(jié)果，暴露到斜面2a上表面的接片4的表面(上表面)變得清潔并用作有效的散熱表面。
作為無需拋光過程的方法，可以采用轉(zhuǎn)移模制方法，其中在形成樹脂密封體2時，在模制模具的上模中的空腔的內(nèi)壁表面和接片4之間使用柔性片。例如，考慮到從模制模具中的脫模能力和在轉(zhuǎn)移模制中的樹脂泄漏，使用含氟樹脂作為柔性片。使用這種柔性片的轉(zhuǎn)移模制一般稱為層壓模制或貼片模制。
接著，從密封體2周圍凸伸的導(dǎo)線7和從密封體2的斜面2a凸伸的接片懸置導(dǎo)線6被切割以制造多個半導(dǎo)體器件1，如附圖2至4所示。
這個第一實施例實現(xiàn)了如下的效果。
(1)由于形成在接片懸置導(dǎo)線6的側(cè)面上的凸伸部分17和地電位電極9通過引線10連接在一起，該接片懸置導(dǎo)線6與置于地電位上的接片4鄰接，因此可以減少作為接地電位導(dǎo)線提供的導(dǎo)線7的數(shù)量，由此可以實現(xiàn)半導(dǎo)體器件1的尺寸的減小。
(2)由于形成在接片懸置導(dǎo)線6的側(cè)面上的凸伸部分17和地電位電極9通過引線10連接在一起并且引線10不連接到偏離半導(dǎo)體芯片3的接片部分，該接片懸置導(dǎo)線6與置于地電位上的接片4鄰接，因此可以實現(xiàn)減少接片4的尺寸，由此可以減小半導(dǎo)體器件1的尺寸。
(3)雖然引線10連接到每個導(dǎo)線7的前端(內(nèi)端)，但是引線連接部分11a較寬并且在一側(cè)凸伸。這種凸伸部分咬進(jìn)形成密封體的樹脂中，并且防止了導(dǎo)線7從密封體2中脫落。此外，在每個導(dǎo)線7中，由于固定件15提供在兩側(cè)上并且凹陷16形成在導(dǎo)線的第二表面上，因此固定件15和凹陷16咬進(jìn)形成密封體2的樹脂中，由此可以防止導(dǎo)線7從密封體2脫落。結(jié)果，可以提高半導(dǎo)體器件1的可靠性。即使每個導(dǎo)線7形成為直的并且僅僅提供固定件15，仍然可以防止導(dǎo)線7移動。
(4)由于半導(dǎo)體芯片3固定其中的接片4的上表面暴露到密封體2的上表面，因此散熱部件35可以連接到接片4并且可以提供具有優(yōu)良的散熱性能的半導(dǎo)體器件1。
(5)由于附著到暴露在密封體2上表面的接片4的表面上的樹脂可以通過拋光被清除，因此不再存在任何阻礙散熱的物質(zhì)，結(jié)果改善了散熱性能。
(第二實施例)附圖14至16所示為根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的半導(dǎo)體器件。根據(jù)本第二實施例的半導(dǎo)體器件1的結(jié)構(gòu)，在第一實施例的半導(dǎo)體器件1中，導(dǎo)線7形成得更短，并且作為引線連接部分的薄的凸伸部分18形成在每個導(dǎo)線7的一側(cè)或兩側(cè)上。
附圖14所示為半導(dǎo)體器件的示意底視圖，說明了從底側(cè)可見導(dǎo)線、引線和半導(dǎo)體器件的狀態(tài)。附圖15和16顯示在翻轉(zhuǎn)狀態(tài)(即其中第二表面是上表面的狀態(tài))中的導(dǎo)線7。附圖15(a)、15(b)和15(c)所示為在帶有凸伸部分18的一側(cè)上提供的導(dǎo)線7，其中附圖15(a)是它的正視圖，附圖15(b)是它的平面視圖，以及附圖15(c)是它的側(cè)視圖。
在密封體2的四側(cè)上設(shè)置的導(dǎo)線7中，分別設(shè)置在四側(cè)的中心附近的導(dǎo)線7每個具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中凸伸部分18形成在如附圖16所示的導(dǎo)線的兩側(cè)上，而其它的導(dǎo)線7每個具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中凸伸部分18形成在導(dǎo)線的右側(cè)或左側(cè)上。導(dǎo)線間距與第一實施例的半導(dǎo)體器件1的間距相同。如果凸伸部分18形成在所有導(dǎo)線7的兩側(cè)上，則造成相鄰的導(dǎo)線相接觸。
因此，如附圖14所示，中心導(dǎo)線7每個具有形成在左右兩側(cè)上的凸伸部分18，即中心導(dǎo)線7是雙翼導(dǎo)線7d。設(shè)置在每個雙翼導(dǎo)線7d的右側(cè)上的導(dǎo)線是單翼導(dǎo)線7e，每個單翼導(dǎo)線7e僅在它的右側(cè)上具有凸伸部分18，而設(shè)置在每個雙翼導(dǎo)線7d的左側(cè)上的導(dǎo)線是單翼導(dǎo)線7f，每個單翼導(dǎo)線7f僅在它的左側(cè)上具有凸伸部分18。
附圖16所示為雙翼導(dǎo)線7d和附圖15所示為單翼導(dǎo)線7f。每個凸伸部分18形成為從相關(guān)的導(dǎo)線7的內(nèi)端面到導(dǎo)線的中間部分。以與在前文第一實施例中描述的每個接片懸置導(dǎo)線6中形成凸伸部分17的方法相同的方法形成凸伸部分18。即，在形成導(dǎo)線框的過程中通過蝕刻形成凸伸部分18。蝕刻的表面用作引線連接表面11。
正如在第一實施例中所描述的導(dǎo)線7那樣，在每個單翼導(dǎo)線中，如附圖15所示，固定件15提供在沒有凸伸部分18的側(cè)面上，而凹陷16形成在第二表面上，如附圖16所示，凹陷16形成在雙翼導(dǎo)線7d的第二表面上。
在這種第二實施例中，可以實現(xiàn)與第一實施例相同的效果。此外，由于導(dǎo)線長度短于第一實施例的半導(dǎo)體器件1中的長度，因此導(dǎo)線7可以接近接片4，并且通過半導(dǎo)體器件1的尺寸的減小和引線長度的減小可以實現(xiàn)成本的降低和散熱性能的改進(jìn)。
(第三實施例)附圖17至23所示為本發(fā)明的第三實施例的半導(dǎo)體器件。這個第三實施例的半導(dǎo)體器件1具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中在第二實施例的半導(dǎo)體器件1中，所有的導(dǎo)線7都形成為雙翼導(dǎo)線7d，并且凸伸部分18在導(dǎo)線延伸方向上錯開以便在相鄰的導(dǎo)線之間彼此不相接觸。
一種類型的導(dǎo)線7具有如附圖20(a)至20(c)所示的這樣的結(jié)構(gòu)，其中四邊形凸起18形成在導(dǎo)線7的內(nèi)端部分的兩側(cè)上(內(nèi)翼導(dǎo)線7g)，而導(dǎo)線7的其它類型具有如附圖22(a)至22(c)所示的結(jié)構(gòu)，其中凸伸部分18形成在導(dǎo)線的中間部分的兩側(cè)上(中翼導(dǎo)線7h)。這個第三實施例的半導(dǎo)體器件1具有如附圖17所示的這樣的結(jié)構(gòu)，其中內(nèi)翼導(dǎo)線7g和中翼導(dǎo)線7h交替地設(shè)置在密封體2的四側(cè)上。由于中翼導(dǎo)線7h的凸伸部分18和內(nèi)翼導(dǎo)線7g的凸伸部分18在導(dǎo)線延伸方向上彼此錯開，因此永遠(yuǎn)都不會彼此相接觸。在附圖20(a)至20(c)和22(a)至22(c)中，通過蝕刻形成的表面用作引線連接表面11。在內(nèi)翼導(dǎo)線7a和中翼導(dǎo)線7h每個中，凹陷16形成第二主表面中。
在半導(dǎo)體芯片3上的電極9通過引線10連接到接片懸置導(dǎo)線6和導(dǎo)線7。附圖18所示為其中接片懸置導(dǎo)線6的凸伸部分17和半導(dǎo)體芯片3通過引線10連接在一起的狀態(tài)。附圖19所示為使半導(dǎo)體芯片3和內(nèi)翼導(dǎo)線7g的凸伸部分18彼此連接的引線10的連接狀態(tài)。附圖21所示為使半導(dǎo)體芯片3和中翼導(dǎo)線7h的凸伸部分18彼此連接的引線10的連接狀態(tài)。
在制造這個第三實施例的半導(dǎo)體器件1的過程中，相鄰導(dǎo)線7的凸伸部分18在導(dǎo)線延伸方向上彼此錯開以便在與導(dǎo)線7交叉的方向上不排列成一行。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在通過引線鍵合將相鄰導(dǎo)線的凸伸部分18與在半導(dǎo)體芯片上的電極9連接時，在一個導(dǎo)線中通過引線10形成的環(huán)路的高度和在其它導(dǎo)線中的高度彼此不同。在相鄰導(dǎo)線中的引線10彼此不相接觸地延伸，如附圖17和23所示。附圖23所示為其中示出了內(nèi)翼導(dǎo)線7g和中翼導(dǎo)線7h兩者以指示在兩導(dǎo)線中引線10的環(huán)路高度和形狀的差異的示意圖。
根據(jù)這個第三實施例，除了在第一和第二實施例中實現(xiàn)的效果之外還可以實現(xiàn)如下的效果。由于每個導(dǎo)線7的引線連接部分的數(shù)量變得更大，因此可以實現(xiàn)更復(fù)雜的布線設(shè)計。即使在半導(dǎo)體芯片上不是所有的接地電位電極都能被連接到接片懸置導(dǎo)線6并且使某些導(dǎo)線為接地導(dǎo)線的情況下，這種接地導(dǎo)線的數(shù)量仍然可以被減小，因為每個導(dǎo)線的引線連接部分的數(shù)量變得更大，因此可以減小半導(dǎo)體器件1的尺寸。
(第四實施例)附圖24至26所示為根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的半導(dǎo)體器件，其中附圖24是其中導(dǎo)線、引線和半導(dǎo)體芯片可見的狀態(tài)的示意底視圖，附圖25所示為在它的內(nèi)端側(cè)上具有凸伸部分的內(nèi)翼導(dǎo)線的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)，以及附圖26所示為在它的中間位置上具有凸伸部分的中翼導(dǎo)線的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)。
根據(jù)本第四實施例，改變在第三實施例的半導(dǎo)體器件1中的每個導(dǎo)線的凸伸部分18的平面形狀。如附圖25(a)、25(b)、25(c)和附圖26(a)、26(b)、26(c)所示，內(nèi)翼和中翼導(dǎo)線7g、7h的凸伸部分18每個被形成為在底部部分變窄并且朝頂端變得更厚。例如，凸伸部分18的頂端為圓形。
通過因此使每個凸伸部分18的底部部分變窄，凸伸部分18更加緊固地咬進(jìn)形成密封體2的樹脂中，因此導(dǎo)線7變得難以從密封體2中脫落。
附圖35所示為根據(jù)第四實施例的改型的兩個相鄰的導(dǎo)線7的示意圖。在這個改型中，相鄰的導(dǎo)線7的凸伸部分18在與虛線的延伸方向垂直的方向上彼此重疊，如附圖35所示。在這種情況下，可以使在相鄰的導(dǎo)線7之間的間距變窄對應(yīng)于相鄰的凸伸部分18的重疊的量的大小。
(第五實施例)
附圖27至34所示為根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的半導(dǎo)體器件。在這個第五實施例中，在制造半導(dǎo)體器件1的過程中使用如附圖32中所示的導(dǎo)線框40。在導(dǎo)線框40中，每個能夠提供半導(dǎo)體器件1的產(chǎn)品形成部分41在導(dǎo)線框40的縱向方向上排列成9行和在導(dǎo)線框的橫向方向上排列成3列，因此從一個導(dǎo)線框40中可以制造總共27個半導(dǎo)體器件1。
在這個第五實施例的導(dǎo)線框40中，產(chǎn)品形成部分41的框架和它的相鄰的產(chǎn)品形成部分41的框架兩者公共地使用一個框架。因此，通過在芯片鍵合和引線鍵合結(jié)束之后在導(dǎo)線框40的一個表面上形成樹脂層并且通過一次切割導(dǎo)線框40和樹脂層兩者，可以制造如附圖27所示的這種方形半導(dǎo)體器件1。
使用預(yù)定的厚度的切割刀片實施切割。通過這種切割，切下并去掉較薄的框架部分，將導(dǎo)線7和接片懸置導(dǎo)線6的端面暴露給切割的表面。在切割過程中，將支撐帶固定到樹脂層的表面，然后執(zhí)行切割直到支撐帶的中間深度位置以切割導(dǎo)線框40和樹脂層。此后，清除支撐帶以提供半導(dǎo)體器件1。
雖然沒有示出，電鍍膜形成在導(dǎo)線框40的引線連接表面上以改善引線的可連接性。例如，電鍍膜由Au、Ag或Pd形成。
這個第五實施例的半導(dǎo)體器件1與第一實施例的半導(dǎo)體器件1不同之處在于其中使用的接片4小于半導(dǎo)體芯片3并且是圓形。此外，在這個第五實施例中，每個接片懸置導(dǎo)線6的凸伸部分17和在每個導(dǎo)線7的前端上的彎曲的且寬的引線連接部分11a利用壓力機(jī)彎曲。這個點也不同于第一實施例。附圖28所示為在接片懸置導(dǎo)線6的延伸方向上獲取的半導(dǎo)體器件1的示意剖視圖，以及附圖29(a)至29(c)所示為在兩個側(cè)面上提供有利用壓力機(jī)彎曲成型的凸伸部分17的接片懸置導(dǎo)線的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)，其中附圖29(a)是正視圖，附圖29(b)是平面視圖，以及附圖29(c)是側(cè)視圖。
附圖30所示為在導(dǎo)線7的延伸方向上獲取的半導(dǎo)體器件的示意剖視圖，附圖31(a)至31(c)所示為在內(nèi)端側(cè)上提供有通過利用壓力機(jī)彎曲成型的引線連接部分11a的導(dǎo)線7的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)，其中附圖31(a)是正視圖，附圖31(b)是平面視圖，以及附圖31(c)是側(cè)視圖。
在相對于導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的第二表面使每個引線連接表面呈臺階狀的情況下，除了蝕刻之外，還可以采用利用壓力機(jī)的彎曲法。利用壓力機(jī)的彎曲法適合于批量生產(chǎn)，可以降低制造成本。
附圖33和34所示為第五實施例的改型，其中接片懸置導(dǎo)線6的凸伸部分17通過壓印形成。更具體地說，凸伸部分形成在接片懸置導(dǎo)線6的兩側(cè)面上對應(yīng)于密封體2角落部分的位置處，然后通過壓力機(jī)變形以形成如附圖34所示的凸伸部分17。附圖34(a)、34(b)和34(c)所示為接片懸置導(dǎo)線6的翻轉(zhuǎn)狀態(tài)，其中附圖34(a)是正視圖，附圖34(b)是平面視圖，以及附圖34(c)是側(cè)視圖。
也是在這個改型中，每個接片懸置導(dǎo)線6的凸伸部分17可以利用壓力機(jī)成型，因此可以減小制造成本。
接片4的形狀并不限于圓形，還可以是四邊形或十字形，只要所采用的形狀小于芯片的面積即可。
雖然通過實施例上文具體描述了本發(fā)明，但是不用說，本發(fā)明并不限于上述的實施例，在不脫離本發(fā)明的要點的前提下還可以作出各種修改。例如，雖然具有單行排列端子的QFN用作在上述的實施例的半導(dǎo)體器件中的模型，在具有多行外部端子的QFN(LLGA導(dǎo)線框焊接區(qū)網(wǎng)格陣列)的情況下也可以實現(xiàn)如上文所述的相同效果。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括絕緣樹脂形成的密封體，該密封體具有上表面、與所述上表面相反的下表面和使所述上表面和下表面彼此連接的側(cè)面；密封在所述密封體內(nèi)的導(dǎo)電接片；與所述接片鄰接并部分地暴露到所述密封體的下表面和側(cè)面的接片懸置導(dǎo)線；固定到所述接片的下表面的半導(dǎo)體芯片；多個導(dǎo)電導(dǎo)線，每個導(dǎo)電導(dǎo)線具有在所述密封體內(nèi)設(shè)置的內(nèi)端部分和暴露到所述密封體的下表面和一個側(cè)面的外端部分；從每個接片懸置導(dǎo)線的側(cè)面凸伸并設(shè)置在所述密封體內(nèi)的凸伸部分；和在所述密封體內(nèi)設(shè)置并將在所述半導(dǎo)體芯片的下表面上形成的電極與所述導(dǎo)線和所述凸伸部分連接的導(dǎo)電引線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中與所述引線相連的所述導(dǎo)線的引線連接部分以及所述接片懸置導(dǎo)線的凸伸部分比所述導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線更薄。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中與所述引線相連的所述導(dǎo)線的引線連接部分以及所述接片懸置導(dǎo)線的凸伸部分比所述導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線更薄，并且所述引線連接部分和凸伸部分的上表面與所述導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的上表面平齊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件，其中所述引線連接部分和凸伸部分通過蝕刻所述導(dǎo)線或接片懸置導(dǎo)線形成或利用壓力機(jī)壓印所述導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中與所述引線相連的導(dǎo)線的引線連接部分和接片懸置導(dǎo)線的凸伸部分彎曲并從所述導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線伸出。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中連接到在所述半導(dǎo)體芯片的下表面上形成的電極的引線連接到所述接片懸置導(dǎo)線和所述導(dǎo)線的下表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述凸伸部分提供在每個所述接片懸置導(dǎo)線的兩側(cè)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中通過引線連接到所述接片懸置導(dǎo)線的所述半導(dǎo)體芯片的電極是電源電位電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中與所述引線相連的導(dǎo)線的所述引線連接部分通過所述導(dǎo)線的內(nèi)端部分形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中與所述引線相連的所述導(dǎo)線的引線連接部分通過從所述導(dǎo)線的側(cè)面凸伸進(jìn)所述密封體的凸伸部分而形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，其中所述凸伸部分從每個導(dǎo)線的兩側(cè)凸伸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件，其中所述凸伸部分形成在每個導(dǎo)線的內(nèi)端部分的側(cè)面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求10或權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件，其中相鄰的所述導(dǎo)線的凸伸部分彼此錯開以便在與所述導(dǎo)線交叉的方向上不排列在一行上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體器件，其中由所述將一個相鄰的所述導(dǎo)線的每個凸伸部分連接至在半導(dǎo)體芯片上的相關(guān)電極的引線形成一個環(huán)路，由所述將其它導(dǎo)線的每個凸伸部分連接至在半導(dǎo)體芯片上的相關(guān)電極連接的引線形成另一個環(huán)路，所述兩個環(huán)路的高度彼此不同，以避免引線相互接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，其中所述凸伸部分在所述導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的底部部分上變窄，但在它們的頂端上變厚。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述凸伸部分的頂端為圓形。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述接片的上表面暴露于所述密封體的上表面，對所暴露的接片的上表面進(jìn)行附著樹脂的清除處理。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述接片懸置導(dǎo)線中間彎曲并且所述接片的上表面暴露到所述密封體的上表面。
19.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括如下步驟形成導(dǎo)線框，該導(dǎo)線框包括多個導(dǎo)線、固定半導(dǎo)體芯片的接片、與所述接片鄰接并且每個都具有從其側(cè)面凸伸的凸伸部分的多個懸置導(dǎo)線、以及將所述導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線彼此連接的框架部分，所述導(dǎo)線、接片、接片懸置導(dǎo)線和框架部分每個具有第一表面與第一表面相反的第二表面，所述導(dǎo)線和凸伸部分具有至少部分地在第二表面上的引線連接表面，所述引線連接表面被設(shè)置成比其它部分更靠近第一表面?zhèn)龋粚雽?dǎo)體元件固定到所述接片的第二表面；通過導(dǎo)電引線將所述半導(dǎo)體元件的電極與在第二表面?zhèn)壬系膶?dǎo)線和凸伸部分的引線連接表面電連接；以絕緣樹脂密封所述半導(dǎo)體元件、引線、導(dǎo)線、接片懸置導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的凸伸部分以使所述導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的第二表面從絕緣樹脂暴露，從而形成密封體；和從所述框架部分切割所述導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中在形成所述導(dǎo)線框的步驟中，該引線框被形成為包括在縱向方向和橫向方向上順序地排列的產(chǎn)品形成部分，所述產(chǎn)品形成部分每個包括所述導(dǎo)線、接片、接片懸置導(dǎo)線、凸伸部分和框架部分；在形成所述密封體的步驟中，所述產(chǎn)品形成部分每個都以絕緣樹脂覆蓋以形成樹脂層；和在切割所述導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的步驟中，沿所述產(chǎn)品形成部分的邊緣在縱向和橫向兩個方向上連同樹脂層一起切割所述導(dǎo)線框以形成多個半導(dǎo)體器件。
21.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中在形成所述導(dǎo)線框的步驟中，所述導(dǎo)線框的第二表面被蝕刻到預(yù)定的厚度以使所述與引線連接的凸伸部分和導(dǎo)線部分變薄。
22.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中在形成所述導(dǎo)線框的步驟中，通過從第二表面?zhèn)壤脡毫C(jī)壓印所述導(dǎo)線框以使引線連接到其中的凸伸部分和導(dǎo)線部分變薄。
23.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中在形成所述導(dǎo)線框的步驟中，從第二表面?zhèn)鹊降谝槐砻鎮(zhèn)葔河∈顾鰧?dǎo)線框彎曲以形成引線連接到其中的凸伸部分和導(dǎo)線部分。
24.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中在形成所述導(dǎo)線框的步驟中，用于引線連接的凸伸部分形成在每個導(dǎo)線的側(cè)面上方，并且作為所述凸伸部分的第二表面的引線連接表面形成為相對于所述導(dǎo)線的第二表面縮回的表面。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中所述凸伸部分形成在所述導(dǎo)線的內(nèi)端部分的側(cè)面上。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中所述凸伸部分形成在所述導(dǎo)線的兩側(cè)面上。
27.根據(jù)權(quán)利要求24或權(quán)利要求26的方法，其中相鄰的所述導(dǎo)線的凸伸部分在導(dǎo)線的延伸方向上彼此錯開以便在與導(dǎo)線交叉的方向上不排列在一行上。
28.根據(jù)權(quán)利要求19或權(quán)利要求24的方法，其中在導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線中，所述凸伸部分被形成為在它們的底部部分上變窄，并且在它們的頂端上變厚。
29.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述接片懸置導(dǎo)線在中間彎曲以便所述接片的上表面暴露到所述密封體的上表面，以及在所述密封體形成之后，對暴露到所述密封體上表面的所述接片的上表面進(jìn)行用于清除附著到所述接片的上表面上的樹脂的處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件可以減小管腳的數(shù)量和它的尺寸。該半導(dǎo)體器件包括絕緣樹脂形成的密封體，該密封體具有上表面、與上表面相反的下表面和使上表面和下表面彼此連接的側(cè)面；密封在密封體內(nèi)的導(dǎo)電接片；與接片鄰接并部分地暴露到密封體的下表面和側(cè)面的接片懸置導(dǎo)線；固定到接片的下表面的半導(dǎo)體芯片；多個導(dǎo)電導(dǎo)線，每個導(dǎo)電導(dǎo)線具有在密封體內(nèi)設(shè)置的內(nèi)端部分、暴露到密封體的下表面和側(cè)面的外端部分和從每個導(dǎo)電導(dǎo)線的側(cè)面凸伸到密封體的凸伸部分；從每個接片懸置導(dǎo)線的側(cè)面凸伸并設(shè)置在密封體內(nèi)的凸伸部分；和在密封體內(nèi)設(shè)置的并將在半導(dǎo)體芯片的下表面上形成的電極與導(dǎo)電導(dǎo)線和接片懸置導(dǎo)線的凸伸部分連接的導(dǎo)電引線。
文檔編號H01L23/29GK1674268SQ200510008259
公開日2005年9月28日 申請日期2005年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月23日
發(fā)明者島貫好彥, 土屋孝司 申請人:株式會社瑞薩科技