專利名稱：一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝裝置，尤其涉及一種具有低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置。
背景技術(shù)：
以下舉出兩種在已有技術(shù)中常見的兩種發(fā)光二極管封裝裝置。如圖1所示，傳統(tǒng)的發(fā)光二極管封裝裝置，將發(fā)光二極管芯片10置于金屬導(dǎo)線架11上的凹槽內(nèi)，該凹槽的功能是作為光的反射面，并使用金線14使該發(fā)光二極管芯片10連接到另一極金屬導(dǎo)線架上形成通路，該發(fā)光二極管芯片10及金屬導(dǎo)線架11被透明環(huán)氧樹脂12所包覆，且僅透出二接腳。此種發(fā)光二極管封裝裝置已被廣泛且大量的使用于發(fā)光二極管交通標(biāo)志燈、汽車第三剎車燈及電子產(chǎn)品的指示燈。
如圖2所示，另一被廣泛使用的發(fā)光二極管封裝裝置，將發(fā)光二極管芯片10置于印刷線路板13上，并用金線或鋁線14使該發(fā)光二極管芯片的電極連接于印刷線路板的正負(fù)極，外面覆蓋透光性良好的環(huán)氧樹脂12，還可以在環(huán)氧樹脂內(nèi)添加熒光粉以產(chǎn)生白光。
上述兩種發(fā)光二極管封裝裝置的缺點是芯片至接腳的熱阻值過高。由于芯片為該裝置的熱源，在散熱不足時會造成芯片的溫度上升，當(dāng)溫度過高時會造成壽命減短、亮度下降，甚至使該裝置失效，所以散熱設(shè)計是發(fā)光二極管封裝裝置的一個很重要的參數(shù)。
一般而言，發(fā)光二極管封裝裝置的散熱特性是由熱阻值所決定。由于發(fā)光二極管芯片為發(fā)光二極管封裝裝置的唯一熱源，而接腳為散熱路徑，所以通常以發(fā)光二極管芯片的P-N接合面至其接腳的熱阻值來定義該發(fā)光二極管封裝裝置的散熱特性，以RθJ-P表示之，表示從接合面到接腳之熱阻，可以數(shù)學(xué)式表示RθJ-P＝(TJ-TP)/QTJ發(fā)光二極管芯片接合面的溫度；TP發(fā)光二極管封裝裝置接腳的溫度；Q通過此熱傳路徑的熱通量。
由于發(fā)光二極管芯片為發(fā)光二極管封裝裝置的唯一熱源，而且它所通過的電能除少部分轉(zhuǎn)換成電磁波型態(tài)散逸外，大部分能量均轉(zhuǎn)換成熱能，當(dāng)簡單的以通過該發(fā)光二極管芯片的電能代表所需經(jīng)由該裝置傳遞至接腳的熱能，因此可將上述數(shù)學(xué)式重新表示為RθJ-P＝(TJ-TP)/(If×Vf)If發(fā)光二極管芯片的操作電流；Vf發(fā)光二極管芯片的操作電壓。
由于接腳溫度是系統(tǒng)的參數(shù)，該參數(shù)值由該系統(tǒng)的散熱特性決定，在一定的熱通量之下，當(dāng)系統(tǒng)固定之后該參數(shù)值為固定值，與發(fā)光二極管封裝裝置之散熱特性無關(guān)。由上述數(shù)學(xué)表示式可得知當(dāng)發(fā)光二極管封裝裝置的熱阻值愈高時，其芯片P-N接合面溫度也愈高。
另一方面，從熱傳導(dǎo)學(xué)中得知，熱傳導(dǎo)熱傳的熱阻可簡單的表示為Rθ＝L/K×AL熱傳導(dǎo)路徑的長度；K熱傳導(dǎo)物質(zhì)的熱傳導(dǎo)系數(shù)；A熱傳導(dǎo)路徑的法向截面積。
由此可以得知，當(dāng)發(fā)光二極管封裝裝置的散熱路程愈長、該路徑之截面積愈小且該材質(zhì)之熱傳導(dǎo)系數(shù)愈低時，該裝置之熱阻就愈大，所以要設(shè)計低熱阻之發(fā)光二極管封裝裝置就必須使其散熱路徑愈短愈好，增大其散熱面積并且選用熱傳導(dǎo)系數(shù)高的材質(zhì)。
而上述已有技術(shù)中的發(fā)光二極管封裝裝置的主要散熱路徑是從芯片經(jīng)過支架或印刷線路板散熱，圖2所對應(yīng)的已有技術(shù)的發(fā)光二極管封裝裝置中的印刷線路板的材質(zhì)大都為塑料類，其熱傳導(dǎo)系數(shù)大都非常低，所以無法經(jīng)過印刷線路板的底材直接散熱，而印刷線路板上的鍍銅線路厚度多只有數(shù)十至數(shù)百um，其散熱截面積太小。該設(shè)計的熱阻值很大，一般多在500-1000K/W之間，當(dāng)使用功率稍高時，很容易就會造成發(fā)光二極管芯片過熱。而圖1所對應(yīng)的已有技術(shù)的發(fā)光二極管封裝裝置以支架為散熱路徑，該支架的材質(zhì)多半為銅材或鐵材，散熱特性頗佳，但是其截面積仍然太小，所以其熱阻大約為150-250K/W之間，該裝置可負(fù)荷的電流量只在30mA左右。
為解決此問題，已有技術(shù)中針對上述技術(shù)散熱截面積不足的問題作出改進(jìn)。如圖3所示，采用增加接腳之方式將其接腳面積增大，這樣的確可有效降低其熱阻，但是該裝置的散熱路徑仍然很長，所以其熱阻值高達(dá)50-75K/W。
此后更進(jìn)一步的發(fā)明如圖4所示，如美國專利US6,274,924。使用一被絕緣材料15包覆的導(dǎo)線架11B，該絕緣材料中間留有腔穴，并從該腔穴置入額外增加的熱終端件16，再將發(fā)光二極管芯片10固定在一次載體17上再固定于該熱終端件上，并以金線連接其線路至正負(fù)極導(dǎo)線架上。該發(fā)明由于使用額外增加的熱終端件，可有效降低熱傳導(dǎo)路徑長度、增大熱傳導(dǎo)截面積，從而可降低該發(fā)光二極管封裝裝置的熱阻至10-15K/W。但是，從制造角度而言，外加的熱終端件增加了制造的復(fù)雜度，也增加了工程步驟，而且也增加了該發(fā)光二極管封裝裝置的整體高度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，熱阻低，制造簡單，裝置厚度較小，可以制作的輕薄短小。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置包括厚薄一致的金屬導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架以蝕刻、半蝕刻或沖模方式分割成正極導(dǎo)線支架、負(fù)極導(dǎo)線支架及芯片承載支架，導(dǎo)線支架的底端均位于同一平面上，絕緣體固定導(dǎo)線架并形成固晶區(qū)，芯片承載支架的上端露出于固晶區(qū)，下端裸露于絕緣體之外，發(fā)光二極管芯片置于芯片承載支架上并使用高導(dǎo)熱性材料將其固著于其上，該發(fā)光二極管芯片的正極焊墊通過焊線和正極導(dǎo)線支架相連接，發(fā)光二極管芯片的負(fù)極焊墊亦通過焊線和負(fù)極導(dǎo)線支架相連接，高透光性材料置于固晶區(qū)內(nèi)用以覆蓋上述發(fā)光二極管芯片并保護(hù)焊線。
本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置還可以是在該高透光性之材料上另設(shè)有光學(xué)透鏡，該透鏡所采用的材料可為環(huán)氧樹脂、硅膠、玻璃、鐵氟龍或上述材質(zhì)的組合，或其它符合透光性要求的材料，該透鏡可減少內(nèi)部全反射光而提高亮度，并且可依其光學(xué)設(shè)計達(dá)到改變出光光型的目的，以符合不同的光學(xué)需求。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置還可以是是使用多于一片的發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片可為同色光芯片或異色光芯片，其電路結(jié)構(gòu)可為串聯(lián)、并聯(lián)或共陰(陽)。
本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置還可以是包括金屬導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架被分割為互不相連的正極導(dǎo)線架、負(fù)極導(dǎo)線架及芯片承載導(dǎo)線架，且該三塊導(dǎo)線架的正面在同一平面上，反面也在同一平面上；絕緣材料，連接上述導(dǎo)線架的三塊并形成固晶區(qū)，所述的芯片承載導(dǎo)線架的上端露出于該絕緣材料的固晶區(qū)中，下端露出于該絕緣材料之外；單個或多個發(fā)光二極管芯片，且其中至少有一個發(fā)光二極管芯片使用覆晶方式固定于次載體上，再固著于芯片承載導(dǎo)線架之上，并電連接到正極導(dǎo)線架及負(fù)極導(dǎo)線架，所述的發(fā)光二極管芯片上，覆蓋有折射率大于1.3，透光性大于70％的透光性材料。
本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置還可以是包括原材為小于1.5mm厚薄均勻的金屬導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架分割為不相連的正極導(dǎo)線架及負(fù)極導(dǎo)線架，且該二塊導(dǎo)線架的正面在同一平面上，反面也在同一平面上；絕緣材料，以連接上述導(dǎo)線架并形成固晶區(qū)，單個或多個發(fā)光二極管芯片，且其中至少有一發(fā)光二極管芯片使用熱傳導(dǎo)系數(shù)大于1W/m-K之材料固著于上述固晶區(qū)的導(dǎo)線架上，該導(dǎo)線架可為正極導(dǎo)線架或負(fù)極導(dǎo)線架但其在固晶區(qū)部分的導(dǎo)線架背面露出于該絕緣材料之外；上述發(fā)光二極管芯片電連接至正極導(dǎo)線架及負(fù)極導(dǎo)線架；上述發(fā)光二極管芯片上覆蓋有折射率大于1.3，透光性大于70％的透光性材料。
本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置的芯片承載支架為整體導(dǎo)線架的一部份，所以在制作導(dǎo)線架時可以一體成形，厚度比已有技術(shù)使用的熱終端件的大大降低，熱阻值也較已有技術(shù)使用的熱終端件的更低，且無需額外置入，制作過程簡便。雖然使用芯片承載支架取代額外熱終端件，由于其體積的大幅下降可能使瞬間點亮發(fā)光二極管芯片時，發(fā)光二極管芯片的溫升速度將較快，但是，發(fā)光二極管芯片達(dá)到熱平衡時的溫度只取決于該發(fā)光二極管封裝裝置的熱阻值及系統(tǒng)的熱阻值而與溫升速度無關(guān)。本發(fā)明的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置可以降低熱阻，使制造過程簡單，并且體積較小。在使用多個個同色光芯片時提高發(fā)光二極管封裝裝置的亮度，在使用異色光芯片時達(dá)到混光變色的功能。


下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述
圖1為已有技術(shù)的穿孔支架型發(fā)光二極管封裝裝置；圖2為已有技術(shù)的印刷電路板基材表面黏著型發(fā)光二極管封裝裝置；圖3為已有技術(shù)的降低熱阻的改良型發(fā)光二極管封裝裝置；圖4為已有技術(shù)的低熱阻發(fā)光二極管封裝裝置；圖5為本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置一種實施例示意圖；圖6為本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置一種實施例示意圖；圖7為本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置紅綠藍(lán)混光實施例示意圖；圖8為本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置紅綠藍(lán)混光側(cè)視圖；圖9為本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置設(shè)有靜電保護(hù)線路的其中，10為發(fā)光二極管芯片，14為金線，15為塑料絕緣體，18為支架之正極，19為支架之負(fù)極，20為芯片承載支架，21為硅膠，22為平凸透鏡，23為齊納二極管。
具體實施例方式
如圖5所示，本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，包括厚度為0.5mm的金屬支架以沖模方式被分開為三塊，分別為正極導(dǎo)線支架18、負(fù)極導(dǎo)線支架19及芯片承載支架20，以射出成型方式使用塑料材質(zhì)15固定上述三塊導(dǎo)線架并形成一反射面，其中芯片承載支架20的上端露出于固晶區(qū)，下端裸露于塑料體之外，發(fā)光二極管芯片10置于芯片承載支架20上并使用高導(dǎo)熱性材料將其固著于其上，該發(fā)光二極管芯片的正極焊墊通過焊線14電性連接至正極導(dǎo)線支架18，其負(fù)極焊墊也通過焊線14方式電連接至負(fù)極導(dǎo)線支架19，以硅膠21填充于固晶區(qū)內(nèi)覆蓋該發(fā)光二極管芯片10并保護(hù)焊線14，平凸透鏡22設(shè)于硅膠上。
如圖6所示，本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其包括厚度為0.5mm的金屬支架，以半蝕刻方式分為三塊，分別為正極導(dǎo)線支架28、負(fù)極導(dǎo)線支架29及芯片承載支架30，并以半蝕刻方式局部蝕刻支架下方，同時在上述三塊支架的背面邊緣處蝕刻厚度的一半，以強(qiáng)化射出成型塑料材質(zhì)固定上述三塊導(dǎo)線架并形成一反射面，其中芯片承載支架30的上端露出于固晶區(qū)，下端裸露于塑料體之外，發(fā)光二極管芯片10置于芯片承載支架30上并使用高導(dǎo)熱性材料將其固著于其上，該發(fā)光二極管芯片的正極焊墊通過焊線14與正極導(dǎo)線支架28想導(dǎo)通，其負(fù)極焊墊也通過焊線14與負(fù)極導(dǎo)線支架29相導(dǎo)通，硅膠21填充于固晶區(qū)內(nèi)覆蓋發(fā)光二極管芯片10并保護(hù)焊線14，平凸透鏡22設(shè)于硅膠上。
如圖6所示，本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其將上述0.5mm厚度的金屬支架以半蝕刻方式將其分開為五區(qū)，分別為三個獨立正極導(dǎo)線支架48、一個負(fù)極導(dǎo)線支架49及芯片承載支架40，其中芯片承載支架40上設(shè)有的三個發(fā)光二極管芯片10分別發(fā)出紅光、綠光及藍(lán)光，該紅綠藍(lán)發(fā)光二極管芯片的正極焊墊通過焊線14與三個獨立正極導(dǎo)線支架48相導(dǎo)通，負(fù)極焊墊通過焊線14與負(fù)極導(dǎo)線支架49形成共陰電路，硅膠21填充于固晶區(qū)內(nèi)，覆蓋于該發(fā)光二極管芯片10并保護(hù)焊線14，透鏡22設(shè)于硅膠上。該實施例的側(cè)面視圖如圖7、圖8所示。
如圖9所示，本發(fā)明一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其包括一厚度為0.5mm的金屬支架，該金屬支架以半蝕刻方式被分開為正極導(dǎo)線支架58及負(fù)極導(dǎo)線支架59，同時在上述兩支架的背面蝕刻其厚度的一半，以強(qiáng)化射出成型塑料材質(zhì)固定上述兩塊導(dǎo)線架，該塑料材料同時形成固晶區(qū)，其中固晶區(qū)的正極導(dǎo)線支架58的上端露出于固晶區(qū)以承載芯片，下端裸露于塑料體外，發(fā)光二極管芯片10置于固晶區(qū)的正極導(dǎo)線支架58上并使用高導(dǎo)熱性材料將其固著于其上，該發(fā)光二極管芯片的正極焊墊通過焊線14與正極導(dǎo)線支架58相導(dǎo)通，其負(fù)極焊墊也通過焊線14與負(fù)極導(dǎo)線支架59相導(dǎo)通。在固晶區(qū)的正極導(dǎo)線支架上設(shè)有P型齊納二極管23，并通過焊線14與負(fù)極支架相導(dǎo)通，形成靜電保護(hù)線路。硅膠21填充于固晶區(qū)內(nèi)，并覆蓋該發(fā)光二極管芯片10并保護(hù)焊線14，平凸透鏡22設(shè)于硅膠上。
權(quán)利要求
1.一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，包括厚度小于1.5mm厚薄均勻的金屬導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架被分割為互不相連的正極導(dǎo)線架、負(fù)極導(dǎo)線架以及芯片承載導(dǎo)線架，且該三塊導(dǎo)線架的正面在同一平面上，反面也在同一平面上；絕緣材料，連接上述導(dǎo)線架的三個區(qū)形成固晶區(qū)，其中芯片承載導(dǎo)線架的上端露出該絕緣材料的固晶區(qū)，下端露出該絕緣材料之外；單個或多個發(fā)光二極管芯片，且其中至少有一發(fā)光二極管芯片使用熱傳導(dǎo)系數(shù)大于1W/m-K的材料固著于所述的芯片承載導(dǎo)線架上，并電導(dǎo)通到所述的正極導(dǎo)線架及所述的負(fù)極導(dǎo)線架，發(fā)光二極管芯片上覆蓋有折射率大于1.3，透光性大于70％的透光性材料。
2.如權(quán)利要求1所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，所述的芯片承載導(dǎo)線架以半蝕刻或沖壓方式形成凹穴，可容納發(fā)光二極管芯片置于其內(nèi)，其厚度大于原導(dǎo)線架厚度的25％。
3.如權(quán)利要求1所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，所述的固晶區(qū)上方，設(shè)有一透光性大于70％ 的透鏡。
4.如權(quán)利要求3所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，所述透鏡的材料為環(huán)氧樹脂、玻璃、硅膠、鐵氟龍或其組合。
5.如權(quán)利要求1所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，該裝置具有多于一個的正極導(dǎo)線架或具有多于一個的負(fù)極導(dǎo)線架或多于一個的負(fù)極導(dǎo)線架及多于一個的正極導(dǎo)線架。
6.如權(quán)利要求1所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，該裝置具有多于一個的芯片承載導(dǎo)線架。
7.如權(quán)利要求1所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，設(shè)有齊納二極管作為靜電保護(hù)線路。
8.一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，包括金屬導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架被分割為互不相連的正極導(dǎo)線架、負(fù)極導(dǎo)線架及芯片承載導(dǎo)線架，且該三塊導(dǎo)線架的正面在同一平面上，反面也在同一平面上；絕緣材料，連接上述導(dǎo)線架的三塊并形成固晶區(qū)，所述的芯片承載導(dǎo)線架的上端露出于該絕緣材料的固晶區(qū)中，下端露出于該絕緣材料之外；單個或多個發(fā)光二極管芯片，且其中至少有一個發(fā)光二極管芯片使用覆晶方式固定于次載體上，再固著于芯片承載導(dǎo)線架之上，并電連接到正極導(dǎo)線架及負(fù)極導(dǎo)線架，所述的發(fā)光二極管芯片上，覆蓋有折射率大于1.3，透光性大于70％的透光性材料。
9.如權(quán)利要求8所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，其中芯片承載導(dǎo)線架以半蝕刻或沖壓方式降低其材料厚度，可容納發(fā)光二極管芯片置于其內(nèi)，其厚度仍大于原導(dǎo)線架厚度的25％。
10.如權(quán)利要求8所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，所述的固晶區(qū)上方，設(shè)有一透光性大于70％的透鏡。
11.如權(quán)利要求10所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，所述透鏡的材料為環(huán)氧樹脂、玻璃、硅膠、鐵氟龍或其組合。
12.如權(quán)利要求8所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，該裝置具有多于一個的正極導(dǎo)線架或具有多于一個的負(fù)極導(dǎo)線架或兩者皆是。
13.如權(quán)利要求8所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，所述的次載體同時固著于正極導(dǎo)線架或負(fù)極導(dǎo)線架或多于一個的負(fù)極導(dǎo)線架及多于一個的正極導(dǎo)線架。
14.如權(quán)利要求8所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，其中所述的多個發(fā)光二極管芯片中，設(shè)有齊納二極管作為靜電保護(hù)線路。
15.一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，包括原材為小于1.5mm厚薄均勻的金屬導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架分割為不相連的正極導(dǎo)線架及負(fù)極導(dǎo)線架，且該二塊導(dǎo)線架的正面在同一平面上，反面也在同一平面上；絕緣材料，以連接上述導(dǎo)線架并形成固晶區(qū)；單個或多個發(fā)光二極管芯片，且其中至少有一發(fā)光二極管芯片使用熱傳導(dǎo)系數(shù)大于1W/m-K之材料固著于上述固晶區(qū)的導(dǎo)線架上，該導(dǎo)線架可為正極導(dǎo)線架或負(fù)極導(dǎo)線架但其在固晶區(qū)部分的導(dǎo)線架背面露出于該絕緣材料之外；上述發(fā)光二極管芯片電連接至正極導(dǎo)線架及負(fù)極導(dǎo)線架；上述發(fā)光二極管芯片上覆蓋有折射率大于1.3，透光性大于70％的透光性材料。
16.如權(quán)利要求15所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，其中承載芯片的導(dǎo)線架以半蝕刻或沖壓方式形成凹穴，并可以容納發(fā)光二極管芯片置于其內(nèi)，其厚度大于原導(dǎo)線架厚度的25％。
17.如權(quán)利要求15所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，所述的固晶區(qū)，上方設(shè)有一透光性大于70％之透鏡。
18.如權(quán)利要求17所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，所述透鏡的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、玻璃、硅膠、鐵氟龍或其組合。
19.如權(quán)利要求15所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，該裝置具有多于一個的正極導(dǎo)線架或具有多于一個的負(fù)極導(dǎo)線架或多于一個的負(fù)極導(dǎo)線架及多于一個的正極導(dǎo)線架。
20.如權(quán)利要求15所述的一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，其特征在于，所述的多個發(fā)光二極管芯片中，設(shè)有齊納二極管作為靜電保護(hù)線路。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低熱阻的發(fā)光二極管封裝裝置，包括可將電能轉(zhuǎn)換為電磁波的發(fā)光二極管，塑料殼形成的反射板，一組導(dǎo)線架將發(fā)光二極管與外接電源相導(dǎo)通并同時做為該發(fā)光二極管之散熱接口，在塑料殼內(nèi)填充以軟性之高透光性物質(zhì)，并在上方裝置一鏡片。本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝裝置熱阻低，制造簡單，裝置厚度較小，可以制作的輕薄短小。
文檔編號H01L33/00GK1874010SQ20051002644
公開日2006年12月6日 申請日期2005年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月3日
發(fā)明者邢陳震侖, 曾旭鏗, 洪榮豪, 李鳳鑾 申請人:邢陳震侖