專利名稱：等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于半導(dǎo)體或集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種可以同時(shí)對(duì)多片半導(dǎo)體工藝件進(jìn)行處理的等離子體處理裝置。
背景技術(shù)：
目前有兩種常用的半導(dǎo)體工藝件處理系統(tǒng)，一種是對(duì)半導(dǎo)體工藝件進(jìn)行批量處理的系統(tǒng)，而另一種則對(duì)半導(dǎo)體工藝件進(jìn)行單片處理系統(tǒng)。
雖然單片處理系統(tǒng)在產(chǎn)品處理均一性、熱效應(yīng)以及單批加工速度方面具有優(yōu)勢(shì)，但是其低產(chǎn)能以及昂貴的生產(chǎn)成本顯然是難以克服的致命缺陷。
在批量處理系統(tǒng)中，多片半導(dǎo)體工藝件被同時(shí)水平地或垂直地放置并進(jìn)行處理，例如美國(guó)專利第5855681號(hào)中就描述了多種批量處理的半導(dǎo)體工藝件處理裝置，這些裝置具有多邊形(較常見(jiàn)的如矩形)或圓形的處理腔室，這些腔室中具有多個(gè)處理平臺(tái)，每個(gè)平臺(tái)容納一片半導(dǎo)體工藝件。
為了確保處理結(jié)果的均一，需要每片半導(dǎo)體工藝件的處理?xiàng)l件一致。對(duì)于批量處理系統(tǒng)，由于要共用一些設(shè)備和資源，例如，加熱設(shè)備、氣體源、進(jìn)排氣設(shè)備、等離子體發(fā)生裝置等，這些設(shè)備和資源由于位置或外形的關(guān)系不可能完全地被均勻分配，這樣就難免會(huì)因不均一的處理?xiàng)l件而導(dǎo)致不均一的半導(dǎo)體工藝件處理結(jié)果。
特別地，在采用等離子體作為活性粒子，以射頻能量激活對(duì)半導(dǎo)體工藝件進(jìn)行處理的處理過(guò)程，如利用等離子體進(jìn)行沉積、蝕刻制造工序中，由于等離子體的特性對(duì)處理腔室中的各處理平臺(tái)均一性要求就更為嚴(yán)格。等離子體處理的均一性要求主要體現(xiàn)在氣壓和射頻激活能量上，控制射頻激活能量的輸入均一相對(duì)比較容易，而實(shí)現(xiàn)腔體內(nèi)部氣壓的一致則比較困難。
要實(shí)現(xiàn)等離子體處理腔室內(nèi)部的均一性，目前有兩種解決途徑。一種是將腔室中的各處理平臺(tái)嚴(yán)格隔離，并對(duì)平臺(tái)的機(jī)械加工作較為嚴(yán)格的要求，使其盡量在結(jié)構(gòu)上一致，再加上對(duì)氣體以及電輸入裝置的改進(jìn)使其盡可能一致。但是由于磨損和機(jī)械誤差總是在一定程度上存在，而且各平臺(tái)所處的幾何位置的差異很難抵消。因此這種做法很難保證同批次半導(dǎo)體工藝件等離子體處理的嚴(yán)格均一性。另一種做法是不密封半導(dǎo)體工藝件內(nèi)部各處理平臺(tái)，這種情況下，各平臺(tái)之間的氣壓平衡能很好地維持，也就是說(shuō)中性粒子密度分布較為均勻。但是，由于處理腔室內(nèi)部不封閉，不僅中性粒子可以流通使得氣壓均衡，同時(shí)帶電粒子也會(huì)互相干擾。這就擾亂了處理平臺(tái)內(nèi)的電場(chǎng)分布，進(jìn)而導(dǎo)致等離子處理腔室內(nèi)部的均一性變差。
因此就需要一種等離子體處理裝置，使得各處理平臺(tái)之間既能保持氣壓均衡又能使帶電粒子不致互相干擾。目前市面上還未有相關(guān)設(shè)備面世，也沒(méi)有發(fā)現(xiàn)相關(guān)的專利或技術(shù)文獻(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體處理裝置及其處理方法，克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，解決了等離子體批量處理半導(dǎo)體工藝件裝置各處理平臺(tái)之間氣壓均衡和帶電粒子互相干擾的矛盾。
本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方法實(shí)現(xiàn)的一種等離子體處理裝置具有一個(gè)腔體，腔體內(nèi)容納有至少兩個(gè)處理平臺(tái)，處理平臺(tái)之間被隔離壁隔開(kāi)，在處理平臺(tái)之間的隔離壁上設(shè)有通道，通道的寬度與長(zhǎng)度比小于1/3。
其中，所述的通道只有開(kāi)關(guān)，可以根據(jù)需要關(guān)閉或開(kāi)啟該通道本發(fā)明還提供了另一技術(shù)方案一種等離子體處理裝置具有一個(gè)腔體，腔體內(nèi)容納有至少兩個(gè)處理平臺(tái)，處理平臺(tái)之間被隔離壁隔開(kāi)，在隔離壁上設(shè)置有開(kāi)口，使得兩個(gè)處理平臺(tái)之間貫通，該開(kāi)口內(nèi)部具有可調(diào)節(jié)的閘狀單元，該閘狀單元可以調(diào)節(jié)開(kāi)口的大小至其寬度與長(zhǎng)度比小于1/3。
其中，所述的該閘狀單元可以完全關(guān)閉開(kāi)口。
本發(fā)明的又一技術(shù)方案為一種等離子體處理裝置具有一個(gè)腔體，腔體內(nèi)容納有至少兩個(gè)處理平臺(tái)，處理平臺(tái)之間被隔離壁隔開(kāi)，隔離壁上留有開(kāi)口，使得兩個(gè)處理平臺(tái)之間貫通，在處理平臺(tái)的內(nèi)壁設(shè)有一個(gè)緊密貼合在處理平臺(tái)內(nèi)壁上的保護(hù)裝置，保護(hù)裝置上具有內(nèi)外側(cè)貫通的通道，通道的寬度與長(zhǎng)度比小于1/3，保護(hù)裝置可以沿隔離壁上下移動(dòng)。
其中，所述的保護(hù)裝置可以通過(guò)一個(gè)閘來(lái)控制牽引，根據(jù)需要移至不同的位置。該不同的位置至少包括保護(hù)裝置不阻擋開(kāi)口的位置；保護(hù)裝置堵住開(kāi)口，且通道不與開(kāi)口連通的位置；保護(hù)裝置堵住開(kāi)口，通道連通開(kāi)口的位置。這些不同的位置可以通過(guò)閘連續(xù)牽引保護(hù)裝置移動(dòng)而得到；或者將所述的不同的位置可以定義為三個(gè)檔，使保護(hù)裝置通過(guò)切換檔來(lái)實(shí)現(xiàn)位置變換。
本發(fā)明的再一技術(shù)方案為一種等離子體處理裝置具有一個(gè)腔體，腔體內(nèi)容納有至少兩個(gè)處理平臺(tái)，處理平臺(tái)包括第一和第二電極，第一電極周圍具有一個(gè)接地環(huán)，腔體壁上具有供半導(dǎo)體工藝件進(jìn)出的傳送口，在處理平臺(tái)的內(nèi)壁設(shè)有一個(gè)保護(hù)裝置以在腔體進(jìn)行處理時(shí)封閉該傳送口，處理平臺(tái)之間被隔離壁隔開(kāi)，在隔離壁的上端設(shè)有開(kāi)口，開(kāi)口和各處理平臺(tái)的接地環(huán)以及隔離壁形成了一個(gè)連通腔體，所述的保護(hù)裝置的寬度等于接地環(huán)到隔離壁之間的間隙，保護(hù)裝置可以在該間隙之間上下移動(dòng)，保護(hù)裝置上具有通道，該通道一個(gè)端口在保護(hù)裝置頂部，另一個(gè)端口在保護(hù)裝置內(nèi)側(cè)，通道的寬度與長(zhǎng)度比小于1/3。保護(hù)裝置厚度大于隔離壁的上端開(kāi)口的截面積。
其中，所述的保護(hù)裝置可以通過(guò)一個(gè)閘來(lái)控制牽引，根據(jù)需要移至不同的位置。該不同的位置至少包括保護(hù)裝置堵住傳送口，且保護(hù)裝置部分位于接地環(huán)到隔離壁之間的間隙中的位置；保護(hù)裝置不阻擋傳送口的位置。這些不同的位置可以通過(guò)閘連續(xù)牽引保護(hù)裝置移動(dòng)而得到；或者將所述的不同的位置可以定義為兩個(gè)檔，使保護(hù)裝置通過(guò)切換檔來(lái)實(shí)現(xiàn)位置變換。
在以上的技術(shù)方案中，所述的通道可以是一個(gè)或多個(gè)。通道可以是直線狀、曲線狀或折線狀。該等離子體處理裝置是等離子體處理的沉積設(shè)備或者是等離子體蝕刻設(shè)備。
本發(fā)明的通道一方面可以保證中性粒子的擴(kuò)散通過(guò)，保持處理平臺(tái)之間的氣壓平衡，另一方面，由于帶電粒子在處理平臺(tái)的電場(chǎng)中具有較快的速度和方向性，因而多數(shù)帶電粒子會(huì)由于其方向性和速度碰撞到通道壁上而無(wú)法通過(guò)。實(shí)驗(yàn)證明當(dāng)通道的寬度與長(zhǎng)度比一般小于1/3時(shí)，大多數(shù)帶電粒子都不能通過(guò)，從而避免了帶電粒子互相干擾的問(wèn)題。本發(fā)明確保了各處理區(qū)域之間具有均一的處理?xiàng)l件。進(jìn)一步的，本發(fā)明還可將各處理平臺(tái)設(shè)置成完全連通和完全隔離狀態(tài)，滿足了不同工藝的需要，具有較高的靈活性和通用性。


圖1為現(xiàn)有的批量處理系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為另一現(xiàn)有的批量處理系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本發(fā)明的等離子體處理裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為本發(fā)明的等離子體處理裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5為本發(fā)明的等離子體處理裝置的又一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6為本發(fā)明的等離子體處理裝置的保護(hù)裝置截面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7為本發(fā)明的等離子體處理裝置的保護(hù)裝置俯視圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖1和圖2，圖1和圖2為現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝件批量處理系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝件批量處理系統(tǒng)處理腔室形狀最常見(jiàn)的是如圖1和圖2所示的圓形和矩形。處理腔室1中具有至少兩個(gè)一般為圓形的處理平臺(tái)2。這些處理平臺(tái)2之間可以不設(shè)置隔離壁，也可以是完全密封的。
請(qǐng)參閱圖3，圖3為本發(fā)明的等離子體處理裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。在這個(gè)實(shí)施例中，等離子體處理腔室1具有一個(gè)腔體11，以及腔體11所容納的多個(gè)處理平臺(tái)2，處理平臺(tái)2包括第一和第二電極12。處理平臺(tái)2可以如圖1和圖2所示有兩個(gè)或更多，其排列方式也可以是多種多樣的。在本實(shí)施例中為說(shuō)明簡(jiǎn)單起見(jiàn)僅以處理平臺(tái)2是兩個(gè)為例。
圖3中的兩個(gè)處理平臺(tái)2之間被隔離壁13隔開(kāi)，隔離壁13上留有開(kāi)口19，使得兩個(gè)處理平臺(tái)2之間貫通。在處理平臺(tái)2的內(nèi)壁設(shè)有一個(gè)緊密貼合在處理平臺(tái)2內(nèi)壁上的保護(hù)裝置16。保護(hù)裝置16上具有貫通的通道17，通道17的寬度與長(zhǎng)度比一般小于1/3。這樣的通道17一方面可以保證中性粒子的擴(kuò)散通過(guò)，保持兩個(gè)處理平臺(tái)2之間的氣壓平衡；另一方面，由于帶電粒子在處理平臺(tái)2的電場(chǎng)中具有較快的速度和方向性，因而多數(shù)帶電粒子會(huì)由于其方向性和速度碰撞到通道17壁上而無(wú)法通過(guò)。實(shí)驗(yàn)證明當(dāng)通道17的寬度與長(zhǎng)度比小于1/3時(shí)，大多數(shù)帶電粒子都不能通過(guò)，從而避免了帶電粒子互相干擾的問(wèn)題。
保護(hù)裝置16的位置可以移動(dòng)，在需要處理平臺(tái)2之間氣體流通時(shí)，保護(hù)裝置16可以移至不阻擋開(kāi)口19的位置，這樣氣流就可以通過(guò)開(kāi)口19流動(dòng)。而在需要密封的時(shí)候，可以將保護(hù)裝置16移至能堵住開(kāi)口19、且通道17不與開(kāi)口19連通的位置，這時(shí)通道17不在開(kāi)口19位置，被隔離壁13堵?。欢_(kāi)口19又被保護(hù)裝置16堵住，因此兩個(gè)處理平臺(tái)2之間完全密封。如前面背景技術(shù)部分所述，在進(jìn)行等離子體處理時(shí)，既需要中性粒子能自由移動(dòng)，又需要阻擋帶電粒子流動(dòng)的情況下，可以把保護(hù)裝置16移到即能堵住開(kāi)口19、又使通道17正對(duì)開(kāi)口19的位置，這樣中性粒子就可以在氣壓或自由擴(kuò)散的作用下，通過(guò)由通道17和開(kāi)口19構(gòu)成的通路在處理平臺(tái)2間流動(dòng)，而帶電粒子則被通道17擋住。
保護(hù)裝置16可以通過(guò)一個(gè)閘18來(lái)控制牽引，根據(jù)需要移至不同的位置。在本實(shí)施例中至少確保保護(hù)裝置16能處于三種不同的位置，即不堵住開(kāi)口19的位置；完全堵住開(kāi)口19且通道17不對(duì)應(yīng)開(kāi)口19的位置；完全堵住開(kāi)口19且通道17連通開(kāi)口19的位置。這三個(gè)位置可以通過(guò)閘18連續(xù)牽引保護(hù)裝置16移動(dòng)而得到；也可以定義為三個(gè)檔，使保護(hù)裝置16通過(guò)切換檔來(lái)實(shí)現(xiàn)位置變換。一般來(lái)說(shuō)，要實(shí)現(xiàn)這樣的三個(gè)位置只需要保護(hù)裝置16的厚度大于開(kāi)口19的截面積，且保護(hù)裝置16在通道17外側(cè)端口位置的上側(cè)或下側(cè)至少有一側(cè)厚度大于開(kāi)口19的截面積。
以上是本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例，實(shí)際上要實(shí)現(xiàn)本發(fā)明允許中性粒子通過(guò)而阻擋帶電粒子互擾的發(fā)明目的，還可以有其他實(shí)施例。如圖4所示，只需要在處理平臺(tái)2之間具有如上面所述的通道17就可以了。因此一個(gè)較為簡(jiǎn)化的實(shí)施例可以是在處理平臺(tái)2之間的密封隔離壁13上設(shè)有通道17，通道17的寬度與長(zhǎng)度比小于1/3。對(duì)于處理平臺(tái)2之間不需要密閉或不需要完全流通的等離子體處理腔室而言，這樣的裝置可以輕易實(shí)現(xiàn)較為均一的等離子體處理?xiàng)l件。
對(duì)以上實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn)可以是，通道17具有開(kāi)關(guān)(未圖示)，可以根據(jù)需要關(guān)閉或開(kāi)啟該通道17。進(jìn)一步的，設(shè)置在隔離壁13上的也可以是一個(gè)較大的開(kāi)口17，該開(kāi)口17內(nèi)部具有可調(diào)節(jié)的閘狀單元(未圖示)，該閘狀單元可以調(diào)節(jié)開(kāi)口17的大小，根據(jù)需要將開(kāi)口17調(diào)節(jié)為寬度與長(zhǎng)度比小于1/3，直至完全關(guān)閉。
請(qǐng)參閱圖5，圖5為本發(fā)明的等離子體處理裝置的又一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該實(shí)施例是結(jié)合半導(dǎo)體工藝實(shí)際應(yīng)用的一個(gè)較佳實(shí)施例，通常的等離子體處理裝置的腔體11在上電極12周圍具有一個(gè)突出的接地環(huán)14。本實(shí)施例利用了這一特征在隔離壁13的上端設(shè)有開(kāi)口21，開(kāi)口21和各處理平臺(tái)2的接地環(huán)14以及隔離壁13形成了一個(gè)連通腔體15。腔體11上具有供半導(dǎo)體工藝件進(jìn)出的傳送口20，在處理平臺(tái)的內(nèi)壁設(shè)有一個(gè)保護(hù)裝置16，保護(hù)裝置16在腔體11進(jìn)行處理時(shí)封閉該傳送口20，保護(hù)裝置16的寬度等于接地環(huán)14到隔離壁13之間的間隙，保護(hù)裝置16就可以在該間隙之間上下移動(dòng)。保護(hù)裝置16上的通道17的一個(gè)端口在保護(hù)裝置16頂部、另一個(gè)端口在保護(hù)裝置16內(nèi)側(cè)。通道17的寬度與長(zhǎng)度比小于1/3。保護(hù)裝置16厚度大于隔離壁13的上端開(kāi)口的截面積、且保護(hù)裝置16厚度小于處理平臺(tái)2上端到傳送口20上端的距離。這樣只要將保護(hù)裝置16拉至頂部，保護(hù)裝置16就處于不阻擋傳送口20的位置。半導(dǎo)體工藝件就可以通過(guò)傳送口裝卸。在腔體11進(jìn)行等離子體處理時(shí)，將保護(hù)裝置16下拉至傳送口20的位置，這時(shí)保護(hù)裝置16堵住傳送口20，且保護(hù)裝置16部分位于接地環(huán)14到隔離壁13之間的間隙中的位置，粒子只能通過(guò)由通道17和連通腔體15組成的通路流動(dòng)。
同樣地，保護(hù)裝置16可以通過(guò)閘18控制作連續(xù)或變檔移動(dòng)。
請(qǐng)參閱圖6，圖6為本發(fā)明的等離子體處理裝置的保護(hù)裝置16截面結(jié)構(gòu)示意圖。由圖6可知，本發(fā)明的通道17可以是直線狀也可以是曲線狀或折線狀，通道17可以是一個(gè)或多個(gè)。其兩端口的位置可以根據(jù)不同的實(shí)施例而不同，如在圖3中設(shè)在保護(hù)裝置16的內(nèi)、外兩側(cè)；而在圖5中則設(shè)在內(nèi)、上兩側(cè)。
請(qǐng)參閱圖7，圖7為本發(fā)明的等離子體處理裝置的保護(hù)裝置16俯視圖?，F(xiàn)有的批量處理系統(tǒng)如圖1和圖2所示，可能是同時(shí)具有兩個(gè)或多個(gè)處理平臺(tái)2。如圖3所示的實(shí)施例中，在兩個(gè)處理平臺(tái)2的情況下，保護(hù)裝置16只需要在面對(duì)另一處理平臺(tái)2的一側(cè)設(shè)有通道17即可。而在多個(gè)處理平臺(tái)2的情況下，就需要在每一個(gè)相對(duì)的處理平臺(tái)2一側(cè)開(kāi)有一個(gè)或多個(gè)通道17。圖7假設(shè)了一個(gè)具有四個(gè)相鄰處理平臺(tái)2的保護(hù)裝置16的情形。而如圖5所示的實(shí)施例中，由于連通腔體15是環(huán)形的，因此，在保護(hù)裝置16的任何一側(cè)設(shè)置通道17都是等效的。較佳地，可以在保護(hù)裝置的一周各個(gè)位置均勻地設(shè)置多個(gè)通道17。圖7中的通道17一個(gè)端口在保護(hù)裝置16頂部，且設(shè)有牽引連接點(diǎn)20使保護(hù)裝置16能在牽引線的拉動(dòng)下移動(dòng)。
本發(fā)明所說(shuō)的等離子體處理設(shè)備包括使用等離子體處理半導(dǎo)體工藝件的各種設(shè)備，例如，等離子體處理的沉積設(shè)備、等離子體蝕刻設(shè)備等。
以上介紹的僅僅是基于本發(fā)明的幾個(gè)較佳實(shí)施例，并不能以此來(lái)限定本發(fā)明的范圍。任何對(duì)本發(fā)明的裝置作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的部件的替換、組合、分立，以及對(duì)本發(fā)明實(shí)施步驟作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的等同改變或替換均不超出本發(fā)明的揭露以及保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理裝置具有一個(gè)腔體，腔體內(nèi)容納有至少兩個(gè)處理平臺(tái)，處理平臺(tái)之間被隔離壁隔開(kāi)，其特征在于在所述的隔離壁上設(shè)有至少一個(gè)通道，該通道的寬度與長(zhǎng)度比小于1/3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的通道具有開(kāi)關(guān)，可以根據(jù)需要關(guān)閉或開(kāi)啟該通道。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的通道可以是直線狀、曲線狀或折線狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的等離子體處理裝置是等離子體處理的沉積設(shè)備。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的等離子體處理裝置是等離子體蝕刻設(shè)備。
6.一種等離子體處理裝置具有一個(gè)腔體，腔體內(nèi)容納有至少兩個(gè)處理平臺(tái)，處理平臺(tái)之間被隔離壁隔開(kāi)，其特征在于在所述的隔離壁上設(shè)置有開(kāi)口，使得兩個(gè)處理平臺(tái)之間貫通，該開(kāi)口內(nèi)部具有可調(diào)節(jié)的閘狀單元，該閘狀單元可以調(diào)節(jié)開(kāi)口的大小至其寬度與長(zhǎng)度比小于1/3。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的該閘狀單元可以完全關(guān)閉開(kāi)口。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的開(kāi)口可以是直線狀、曲線狀或折線狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的等離子體處理裝置是等離子體處理的沉積設(shè)備。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的等離子體處理裝置是等離子體蝕刻設(shè)備。
11.一種等離子體處理裝置具有一個(gè)腔體，腔體內(nèi)容納有至少兩個(gè)處理平臺(tái)，處理平臺(tái)之間被隔離壁隔開(kāi)，其特征在于所述的隔離壁上留有開(kāi)口，使得兩個(gè)處理平臺(tái)之間貫通，在至少一個(gè)處理平臺(tái)的內(nèi)壁設(shè)有一個(gè)緊密貼合在處理平臺(tái)內(nèi)壁上的保護(hù)裝置，保護(hù)裝置上具有內(nèi)外側(cè)貫通的通道，通道的寬度與長(zhǎng)度比小于1/3，保護(hù)裝置可以沿隔離壁上下移動(dòng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的保護(hù)裝置可以通過(guò)一個(gè)閘來(lái)控制牽引，根據(jù)需要移至不同的位置。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的不同的位置至少包括保護(hù)裝置不阻擋開(kāi)口的位置；保護(hù)裝置堵住開(kāi)口，且通道不與開(kāi)口連通的位置；保護(hù)裝置堵住開(kāi)口，通道連通開(kāi)口的位置。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的不同的位置可以通過(guò)閘連續(xù)牽引保護(hù)裝置移動(dòng)而得到。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的不同的位置可以定義為三個(gè)檔，使保護(hù)裝置通過(guò)切換檔來(lái)實(shí)現(xiàn)位置變換。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的通道可以是直線狀、曲線狀或折線狀。
17.根據(jù)權(quán)利要求11至16任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的等離子體處理裝置是等離子體處理的沉積設(shè)備。
18.根據(jù)權(quán)利要求11至16任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的等離子體處理裝置是等離子體蝕刻設(shè)備。
19.一種等離子體處理裝置具有一個(gè)腔體，腔體內(nèi)容納有至少兩個(gè)處理平臺(tái)，處理平臺(tái)之間被隔離壁隔開(kāi)，每一處理平臺(tái)包括第一和第二電極，第一電極周圍具有一個(gè)接地環(huán)，腔體壁上具有供半導(dǎo)體工藝件進(jìn)出的傳送口，在處理平臺(tái)的內(nèi)壁設(shè)有一個(gè)保護(hù)裝置以在腔體進(jìn)行處理時(shí)封閉該傳送口，其特征在于在所述的隔離壁的靠近接地環(huán)的一端設(shè)有開(kāi)口，開(kāi)口和各處理平臺(tái)的接地環(huán)以及隔離壁形成了一個(gè)連通腔體，所述的保護(hù)裝置的寬度等于接地環(huán)到隔離壁之間的間隙，保護(hù)裝置可以在該間隙之間上下移動(dòng)，保護(hù)裝置上具有通道，該通道使得連通腔體與處理平臺(tái)內(nèi)部相連通，通道的寬度與長(zhǎng)度比小于1/3。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的保護(hù)裝置可以通過(guò)一個(gè)閘來(lái)控制牽引，根據(jù)需要移至不同的位置。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的不同的位置至少包括保護(hù)裝置堵住傳送口，且保護(hù)裝置部分位于接地環(huán)到隔離壁之間的間隙中的位置；保護(hù)裝置不阻擋傳送口的位置。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的不同的位置可以通過(guò)閘連續(xù)牽引保護(hù)裝置移動(dòng)而得到。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的不同的位置可以定義為兩個(gè)檔，使保護(hù)裝置通過(guò)切換檔來(lái)實(shí)現(xiàn)位置變換。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的通道可以是直線狀、曲線狀或折線狀。
25.根據(jù)權(quán)利要求19至24任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的等離子體處理裝置是等離子體處理的沉積設(shè)備。
26.根據(jù)權(quán)利要求19至24任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述的等離子體處理裝置是等離子體蝕刻設(shè)備。
全文摘要
一種等離子體處理裝置具有一個(gè)腔體，腔體內(nèi)容納有至少兩個(gè)處理平臺(tái)，處理平臺(tái)之間被隔離壁隔開(kāi)，在所述的隔離壁上設(shè)有至少一個(gè)通道，該通道的寬度與長(zhǎng)度比小于1/3。本發(fā)明使得各處理平臺(tái)之間既能保持氣壓均衡又能使帶電粒子不致互相干擾，提升了各處理平臺(tái)處理?xiàng)l件的均一性。
文檔編號(hào)H01L21/68GK1909185SQ20051002856
公開(kāi)日2007年2月7日 申請(qǐng)日期2005年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月5日
發(fā)明者錢青 申請(qǐng)人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司