專利名稱：磷化銦基中紅外波段量子級聯(lián)激光器緩沖層及其制備方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及磷化銦基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件多功能緩沖層及其制備方法，更確切地說涉及中紅外波段磷化銦(InP)基InAlAS/InGaA量子級聯(lián)激光器(QCL)的多功能緩沖層及制備方法。屬于半導體材料與器件技術(shù)領域。
背景技術(shù)：
半導體異質(zhì)結(jié)激光器的光學限制、自由載流子限制以及熱特性是決定激光器性能的關鍵因素，工作在中遠紅外波段的半導體激光器要求襯底材料、有源區(qū)阱層材料、壘層材料，上、下波導包裹層材料具有合適的摻雜濃度、折射率以及精確控制激光器臺面高度以達到最大的光增益。
有別于工作於近紅外經(jīng)典的雙異質(zhì)結(jié)和多量子阱等半導體pn結(jié)激光二極管，1994年發(fā)明的工作于中紅外波段半導體量子級聯(lián)激光器J.Faist，F(xiàn).Capasso，D.L.Sivco，C.Sirtori，A.L.Hutchinson，and A.Y.Cho，“Quantumcascade laser，”Science 264，553(1994).，由于中紅外工作波段的物理特點而對材料有其特殊的要求中紅外波段處於自由載流子吸收區(qū)，自由載流子的吸收強度∝1/λ2，其吸收強度較近紅外高2-4個數(shù)量級。在中紅外波段帶邊自由載流子的帶間吸收和帶內(nèi)吸收對半導體材料折射率色散的影響，在不同的摻雜濃度下，隨著自由載流子濃度和波長的增大，折射率急劇下降，導致降低了對光子和電子的限制，從而增加光損耗、降低了光增益。因此工作于中紅外波段半導體量子級聯(lián)激光器對襯底的摻雜濃度，波導包裹層材料光損耗有特殊的要求；此外半導體量子級聯(lián)激光器采用級聯(lián)結(jié)構(gòu)，其厚度遠比p-n結(jié)型激光器厚，通常p-n結(jié)型激光器總厚度約2-3微米，而QCL厚度隨級數(shù)不同，約為4-8微米。厚度很大的QCL結(jié)構(gòu)導致器件高臺面、窄脊條的特點，要求精確控制臺面腐蝕深度，以盡量消除有源區(qū)的注入電流擴散至襯底。自1994年工作在4.6μm的中紅外AlInAs/GaInAs/InP量子級聯(lián)激光器(QClaser)問世以來，盡管十年來人們在理論和實驗兩方面來解決QCL工作於中紅外的特殊問題和要求，如用非商品化的不成熟的非標準產(chǎn)品低摻雜InP襯底替代高摻雜襯底，但往往會相應帶來均勻性、表面缺陷、歐姆接觸等問題。為此，發(fā)展一種用于改進和提高半導體QCL材料與器件性能和更可靠、更有效、更可行的科學技術(shù)和解決的途徑，是人們所期望的當務之急。
自上世紀80年代以來，緩沖層技術(shù)曾被用于AlGaAs/GaAs，AlGaAs/InGaAs/GaAs高電子遷移率晶體管，選擇腐蝕技術(shù)曾廣泛被用於III-V族化合物半導體材料和器件，大大提高了調(diào)制摻雜高電子遷移率晶體管的性能E.Sano，M.Yoneyama，T.Enoki，and T.Tamamura，Electron.Lett.28，1220，(1992).，T.Sasaki，T.Enoki，M.Tashikawa，M.Sugo，and H.Mori，Appl.Phys.Lett.64，751(1994).。本發(fā)明針對工作于中紅外波段激光器的特點和特殊要求，發(fā)明了磷化銦基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件的多功能緩沖層及其制備方法，經(jīng)用于研制一系列不同波長的中紅外波段AlInAs/GaInAs/InP量子級聯(lián)激光器材料和器件，實驗證明本發(fā)明是行之有效的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供磷化銦基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件多功能緩沖層及其制備方法。具體地說，提供用于中紅外波段InP基InAlAs/InGaAs量子級聯(lián)激光器的多功能InP緩沖層及其制備方法。所述的緩沖層作用是(1).它可提供作為中紅外QCL所需的非標準商品的中低摻雜濃度n型InP復合襯底，既降低了中紅外自由載流子吸收對折射率色散的影響又可抑制體單晶襯底的缺陷直接延伸至有源區(qū)，利於降低俄歇非輻射復合中心，提高光增益；(2).用外延中低摻雜的InP緩沖層復合襯底做波導包裹層，降低中紅外波段自由載流子吸收，提高光子限制，降低波導光損耗，從而提高激光器光增益；(3)它又可用作高臺面QCL腐蝕終止層，防止有源區(qū)注入電流擴散至襯底，利於獲低閾值電流密度。(4)用外延中低摻雜的InP緩沖層，可作為來自襯底缺陷和雜質(zhì)的阻擋層和吸雜層，改善InP.襯底和外延層界面質(zhì)量?？傊?，多功能InP緩沖層提高了中紅外波段InP基InAlAs/InGaAs量子級聯(lián)激光器材料與器件的性能。
本發(fā)明提供的用于中紅外波段InP基InAlAs/InGaAs量子級聯(lián)激光器的多功能InP緩沖層包括兩個部分，即多功能InP緩沖層和制作該InP緩沖層的氣態(tài)源分子束外延生長與質(zhì)量控制方法。
一、QCL多功能InP緩沖層自由載流子的吸收隨波長增加而增加，與波長的平方呈正比關系。由于中紅外電磁波輻射與自由載流子相互作用而提高了自由載流子的吸收，導致改變折射率色散，而形成隨中紅外波長的增加，隨自由載流子濃度的提高，半導體材料的折射率急劇下降，大大降低了對光子的限制和增加波導光損耗，從而降低了激光器的光增益。此外，襯底的表面缺陷、位錯密度本身是非輻射俄歇復合中心，將產(chǎn)生光淬滅，同樣導致激光器的光增益下降。因此，下波導包裹層、緩沖層的合理設計是決定工作於中紅外波段的InP基量子級聯(lián)激光器(QCL)性能的關鍵之一。市場銷售的n型InP體單晶片襯底標準商品，其施主濃度為3-5×1018cm-3。相對而言，高電子濃度襯底雖具相對低的位錯密度，但在中紅外波段隨波長增長，折射率隨自由載流子提高而急劇下降；而1017cm-3低摻雜n型InP襯底雖自由載流子吸收較弱可滿足QCL要求，但位錯密度隨自由載流子濃度降低而提高，均勻性不理想，而且不屬于市場銷售的標準商品範囲，是需特殊加工的襯底，價格昂貴；輕摻1016cm-3的n型InP襯底晶片則更難獲得。為介決上述難題，本發(fā)明提供了兩種結(jié)構(gòu)的多功能InP復合襯底
1.中紅外QCL InP體單晶晶片襯底緩沖層針對工作於中紅外波段的InP基量子級聯(lián)激光器(QCL)對InP襯底的嚴格要求特點，本發(fā)明設計了兩種結(jié)構(gòu)的InP襯底緩沖層一種結(jié)構(gòu)是在1018cm-3高施主摻雜InP襯底上外延生長1-5×1017cm-3電子濃度、厚度為400-600nm的InP緩沖層，這種結(jié)構(gòu)保留了1018cm-3高施主摻雜InP襯底背面有好的歐姆接觸和較低的位錯密度，而在低摻雜緩沖層有較小的自由載流子吸收，適合于在其上生長量子級聯(lián)激光器結(jié)構(gòu)。另一種結(jié)構(gòu)是在具高位錯密度的低施主摻雜1-5×1017cm-3InP襯底上外延生長0.8-3×1017cm-3電子濃度、厚度為600-1000nm的InP緩沖層，避免直接在高位錯密度的低施主摻雜InP襯底上生長量子級聯(lián)激光器結(jié)構(gòu)，降低俄歇復合中心。兩種結(jié)構(gòu)的InP襯底緩沖層都可有效地降低來自InP襯底的缺陷和有害雜質(zhì)向外延層延伸和擴散，從而提高襯底和外延層界面和在其上生長的異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料和器件結(jié)構(gòu)的質(zhì)量。
2.中紅外QCL InP下波導包裹層和腐蝕停止層常見的QCL結(jié)構(gòu)是采用InP襯底作為其下波導包裹層，在制備高臺面QCL器件時，將臺面腐蝕至襯底時會引起有源區(qū)注入電流擴散至襯底。本發(fā)明是在InP單晶襯底上外延生長400-1000nm低摻雜InP緩沖層，該外延緩沖層與InP襯底一起用作QCL的下波導包裹層，既降低高摻雜InP襯底或高位錯低摻雜InP襯底對光增益的不利影響，同時作為制備高臺面、窄脊條QCL器件的腐蝕停止層。
帶有多功能的外延緩沖層、下波導包裹層和腐蝕停止層的量子級聯(lián)激光器結(jié)構(gòu)示於表2和表3。(表1為無緩沖層結(jié)構(gòu))
表1-3為生長QCL結(jié)構(gòu)所用的三種不同結(jié)構(gòu)的襯底單一InP襯底和帶外延InP多功能緩沖層的復合襯底。
表1

表2

表3

二、多功能InP外延緩沖層的氣態(tài)源分子束外延生長方法與質(zhì)量控制1.生長方法與質(zhì)量控制在摻硫n型InP單晶襯底上用氣態(tài)源分子束外延(GSMBE)技術(shù)外延生長摻硅n型InP緩沖層。外延生長摻硅n型InP緩沖層的設備為英國VG MBE公司生產(chǎn)的V80H GSMBE系統(tǒng)，如圖1所示。該系統(tǒng)配置的特點是V族氣態(tài)源為高純度砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)，其束流強度控制采用壓力控制和高壓裂解而不是質(zhì)量控制和催化裂解，避免了質(zhì)量流量計死角帶來的對系統(tǒng)和外延層的雜質(zhì)污染和裂解效率退化；銦束源爐為特殊設計的雙加熱區(qū)組成的鉭電阻爐；銦的束流強度由束源爐加熱溫度決定并通過在線測量離子流進行監(jiān)控；系統(tǒng)的背景，剩余氣體由在線四極質(zhì)譜儀監(jiān)測；襯底和外延層的表面結(jié)構(gòu)用德國Staib Instrucmente公司生產(chǎn)的反射高能電子衍射儀(RHEED)。外延層的結(jié)構(gòu)特性，電學特性和光學特性分別由X-ray雙晶衍射，霍爾電學測試和傅利葉光致發(fā)光方法表征。
2.生長條件InP外延緩沖層的生長速率為0.7-1.0μm/小時，相應的銦束源爐溫度和離子流為890-910℃ 和35-47nA，外延生長溫度390-420℃。外延生長前，開盒即用(epi-ready)的InP襯底先在預處理室在200-250℃除氣不少於2小時，再傳送至生長室樣品架上，加熱樣品加熱器，升至300℃時，通入PH3至生長室，此時生長室的壓力為3×10-5Torr，以保護襯底表面和維持化學計量比。在高能電子衍射儀(RHEED)監(jiān)控下觀察InP襯底升溫過程表面吸附氣體和氧化物的脫附情況。對低阻n型InP襯底而言，通常解吸溫度在460-480℃。當表面結(jié)構(gòu)由2×2轉(zhuǎn)為4×2時，表明襯底表面吸附的CO2和磷的氧化物已解吸，在解吸溫度維持2-5分鐘，然后降低襯底溫度約40-70℃或60-90℃，關閉RHEED，以防止高能電子對襯底表面和外延層的損傷。待襯底溫度穩(wěn)定后開始外延生長InP。(具體制作方法詳見實施例1)3.InP外延層的質(zhì)量控制InP外延緩沖層的質(zhì)量決定隨后在其上生長的外延薄膜材料的質(zhì)量。InP外延層的質(zhì)量的關鍵參數(shù)有In/P組份化學計量比、表面形貌與缺陷、電學特性，大面積均勻性和重復性。用光學顯微鏡、X-ray雙晶衍射、光譜評估外延的結(jié)構(gòu)特性，表面缺陷，均勻性，用霍爾方法測量外延層的自由載流子濃度和遷移率。
本發(fā)明外延生長的1017cm-3電子濃度的InP緩沖層兼具多種功能特點它作為下波導包裹層，可有效裁剪下波導層包裹層的折射率，實現(xiàn)了對激光器有效的光學限制與自由載流子限制；它作為QCL高臺面深度腐蝕的腐蝕終止層和電流擴散終止層，防止中紅外量子級聯(lián)激光器(QCL)有源區(qū)電流向襯底擴散，有效地降低QC激光器的閾值電流密度。具有改善、提高InP基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料和器件的特點。
由上所述制備的多功能InP緩沖層在中紅外波段InP基量子級聯(lián)激光器中作為復合襯底，作為中紅外波段的激光器的復合下波導包裹層，作為制作高臺面、窄脊條QCL器件的腐蝕仃止層和有源區(qū)注入電流擴散抑制層。與現(xiàn)有常用的中紅外波段InP基量子級聯(lián)激光器的襯底和結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明提供的方法具有如下特點第一，具有復合襯底的靈活性和自由度，可根據(jù)激光器的工作波長，人工裁剪緩沖層的電子摻雜濃度，克服現(xiàn)有高摻雜襯底或低摻雜襯底存在的問題；第二，充分發(fā)揮其兼?zhèn)涞亩喙δ艿奶攸c，提高光增益和器件工藝重復性。


圖1用于生長InP緩沖層的V80H氣態(tài)源分子束外延系統(tǒng)。
圖2用InP多功能緩沖層制作的量子級聯(lián)激光器結(jié)構(gòu)剖面。
圖3(1)在3-5×1017cm-3外延緩沖層/2-4×1018cm-3InP襯底上生長的5.0μmQCL結(jié)構(gòu)(GM794)研制的QC激光器的激射譜；(2)在1-2×1017cm-3外延緩沖層/2-4×1018cm-3InP襯底上生長的8.1μmQCL結(jié)構(gòu)(GM865)研制的QC激光器的激射譜。
圖4在1-2×1017cm-3緩沖層/2-4×1017cm-3InP襯底上生長的8.5μmQCL結(jié)構(gòu)(GMQ42)研制的QC激光器的激射譜。
具體實施例方式
下面通過實施例結(jié)合附圖和表進一步說明本發(fā)明的實質(zhì)性特點和顯著的進步，但絕非限制本發(fā)明，也即本發(fā)明絕非僅局限于實施例。
實施例1InP基量子級聯(lián)激光器多功能緩沖層及其制備方法緩沖層具體生長的步驟是1、將裝在鉬托上的InP襯底裝進GSMBE系統(tǒng)的進樣室。用渦輪分子泵抽真空。
2、待進樣室真空度達10-6Torr時，將襯底傳遞至GSMBE系統(tǒng)預處理室的加熱臺上、升溫至250℃，維持2小時，脫去表面吸附的水氣。降至50-100℃。
3、束源除氣在預處理室除氣時，生長室的銦、摻雜劑硅、磷烷裂解爐同時除氣。除氣時束源爐快門打開，除氣時間15-30分鐘。通常除氣溫度比生長時采用的溫度高30-50℃。用束流計測銦的束流，得銦爐溫度與銦束流強度的關系以及與隨后InP生長速率的關系。硅爐除氣溫度為1200-1280℃。同時磷烷裂解爐升溫除氣半小時，在升至1000℃時用在線四極質(zhì)譜觀察磷烷是否裂解完全，在譜圖上不出現(xiàn)PH3譜線，表明裂解完全，在此溫度下磷烷(PH3)可充分裂解為P2，將此溫度定為裂解溫度，在高於裂解溫度50℃除氣，然后降至裂解溫度。所使用的V80 GSMBE系統(tǒng)，PH3的裂解溫度為1000℃，除氣溫度為1050℃。除氣結(jié)束，關閉束源爐開門。
4、將襯底傳遞至GSMBE系統(tǒng)生長室的樣品加熱臺上，用RHEED觀察InP表面光斑后關閉，開始升溫，待升至300℃時，通入500Torr磷烷，生長室的真空度為1-3×10-5，升至420-430℃時用RHEED監(jiān)控表面解吸，待表面結(jié)構(gòu)由2×2轉(zhuǎn)為4×4時表面吸收在表面的CO，CO2和P2O5已解吸，仃留3-5分使其充分解吸。通常n型InP的解吸溫度為450-465℃。
5、將襯底溫度降50-65℃，即為InP生長溫度，同時將樣品架轉(zhuǎn)向面對束源爐，待生長溫度和銦爐溫度、硅爐穩(wěn)定后，打開In和Si束源爐快門，開始外延生長InP，外延生長速率為1μm/小時。外延生長結(jié)束，關閉銦爐、硅爐快門，同時降至500℃。襯底加熱器降溫至300℃關掉磷烷，同時泵走生長室剩余磷烷，磷烷裂解爐維持在1000℃。當襯底溫度降50-100℃，將外延片傳遞至進樣室。此時磷烷裂解爐溫度降至600℃。
6、取出外延片，觀察表面形貌觀察和電學參數(shù)霍耳測試。
圖2為依本發(fā)明提供的InP作為量子級聯(lián)激光器襯底緩沖層、下波導層和電流擴散抑制層的器件流片的結(jié)構(gòu)剖面，從圖可見器件有源區(qū)的腐蝕準確地在InP襯底緩沖層。腐蝕界面清晰、陡直。
實施例2所設計的不同結(jié)構(gòu)的InP襯底緩沖層的應用結(jié)果在三種不同摻雜濃度的單一InP襯底和外延InP緩沖層/InP襯底上生長量子級聯(lián)激光器結(jié)構(gòu)，用三種不同結(jié)構(gòu)QCL研制的器件得到不同的結(jié)果1、在摻硫2-4×1018cm-3的n型InP襯底上生長InAlAs/InGaAs量子級聯(lián)激光器結(jié)構(gòu)，所制得的激光器均不激射。
2、在摻硫2-4×1018cm-3的n型InP襯底上外延生長一層1000nm的摻硅5×1017cm-3的n型InP緩沖層，或在在摻硫2-4×1018cm-3的n型InP襯底上外延生長一層600nm的摻硅1-2×1017cm-3的n型InP緩沖層，再在其上外延生長InAlAs/InGaAs量子級聯(lián)激光器結(jié)構(gòu)，所制備的5.1μm和8.2μm激光器均實現(xiàn)激射。激射溫度分別為120K和250K。如圖3所示。
3、在摻硫2-4×1017cm-3的n型InP襯底上外延生長一層600nm的摻硅1-2×1017cm-3的n型InP緩沖層，再在其上外延生長InAlAs/InGaAs量子級聯(lián)激光器結(jié)構(gòu)，所制備的一系列激光器均實現(xiàn)室溫脈沖激射。如圖4所示。
權(quán)利要求
1.一種磷化銦基中紅外波段量子級聯(lián)激光器緩沖層，其特征在于所述的緩沖層為下述二種結(jié)構(gòu)中的任何一種(a)所述的一種結(jié)構(gòu)是在1018cm-3高施主摻雜InP襯底上外延生長1-5×1017cm-3電子濃度的InP緩沖層；(b)所述的另一種結(jié)構(gòu)是在具較高位錯密度的1-5×1017cm-3低摻施主濃度的InP襯底上外延生長0.8-3×1017cm-3電子濃度的InP緩沖層。
2.按權(quán)利要求1所述的磷化銦基中紅外波段量子級聯(lián)激光器緩沖層，其特征在于在(a)結(jié)構(gòu)中InP緩沖層厚度為400-600nm。
3.按權(quán)利要求1所述的磷化銦基中紅外波段量子級聯(lián)激光器緩沖層，其特征在于在(b)結(jié)構(gòu)中InP緩沖層厚度為600-1000nm。
4.制備如權(quán)利要求1所述的磷化銦基中紅外波段量子級聯(lián)激光器緩沖層的方法，其特征在于用氣態(tài)源分子束外延技術(shù)生長InP緩沖層，其工藝參數(shù)及生長條件InP外延緩沖層的生長速率為0.7-1.0μm/小時，相應的銦束源爐溫度和離子流強度為890-910℃和35-47nA，外延生長溫度390-420℃；外延生長前，epi-ready InP襯底先在預處理室在200-250℃除氣不少於2小時，再傳送至生長室樣品架上，加熱樣品加熱器，升至300℃時，通入PH3至生長室，此時生長室的壓力為3×10-5Torr，以保護襯底表面和維持化學計量比；在高能電子衍射儀監(jiān)控下觀察InP襯底升溫過程表面吸附氣體和氧化物的脫附情況；對低阻n型InP襯底而言，通常解吸溫度在460-480℃；當表面結(jié)構(gòu)由2×2轉(zhuǎn)為4×2時，表明襯底表面吸附的CO2和磷的氧化物己解吸，在解吸溫度維持2-5分鐘，然后降低襯底溫度約40-70℃或60-90℃，關閉高能電子衍射儀，以防止高能電子對襯底表面和外延層的損傷；待襯底溫度穩(wěn)定后再開始外延生長InP。
5.按權(quán)利要求4所述的磷化銦基中紅外波段量子級聯(lián)激光器緩沖層的制作方法，其特征在于緩沖層具體生長的步驟是(1)將裝在鉬托上的InP襯底裝進氣態(tài)源分子束外延系統(tǒng)的進樣室。用渦輪分子泵抽真空；(2)待進樣室真空度達10-6Torr時，將襯底傳遞至氣態(tài)源分子束外延系統(tǒng)預處理室的加熱臺上、升溫至250℃，維持2小時，脫去表面吸附的水氣，降至50-100℃；(3)束源除氣在預處理室除氣時，生長室的銦、摻雜劑硅、磷烷裂解爐同時除氣，除氣時束源爐快門打開，除氣時間15-30分鐘。通常除氣溫度比生長時采用的溫度高30-50℃；硅爐除氣溫度為1200-1280℃；在1000℃裂解溫度下磷烷裂解為P2，在高於裂解溫度50℃除氣，然后降至裂解溫度；除氣結(jié)束，關閉束源爐開門；(4)將襯底傳遞至氣態(tài)源分子束外延系統(tǒng)生長室的樣品加熱臺上，用高能電子衍射儀觀察InP表面光斑后關閉，開始升溫，待升至300℃時，通入500Torr磷烷，生長室的真空度為1-3×10-5，升至420-430℃時用高能電子衍射儀監(jiān)控表面解吸，待表面結(jié)構(gòu)由2×2轉(zhuǎn)為4×4時表面吸收在表面的CO，CO2和P2O5己解吸，再仃留3-5分使其充分解吸；(5)將襯底溫度降50-65℃，即為InP生長溫度，同時將樣品架轉(zhuǎn)向面對束源爐，待生長溫度和銦爐溫度、硅爐穩(wěn)定后，打開In和Si束源爐快門，開始外延生長InP，外延生長速率為0.7-1μm/小時。外延生長結(jié)束，關閉銦爐、硅爐快門，同時降至500℃，襯底加熱器降溫至300℃關掉磷烷，同時泵抽走生長室剩余磷烷，磷烷裂解爐維持在1000℃。當襯底溫度降50-100℃，將外延片傳遞至進樣室，此時磷烷裂解爐溫度降至600℃；(6)取出外延片，觀察表面形貌觀察和電學參數(shù)霍耳測試。
6.按權(quán)利要求1、2或3中所述的磷化銦基中紅外波段量子級聯(lián)激光器緩沖層的應用，其特征在于InP緩沖層用于以下四種情形的任意一種，作為下波導包裹層，有效裁剪下波導層包裹層的折射率，實現(xiàn)了對激光器有效的光學限制與自由載流子限制；或作為量子級聯(lián)激光器的高臺面深度腐蝕的腐蝕終止層；或它作為QCL有源區(qū)電流擴散阻止層，防止中紅外量子級聯(lián)激光器有源區(qū)電流向襯底擴散，降低量子級聯(lián)激光器的閾值電流密度；或作為來自襯底缺陷和外來雜質(zhì)的吸雜層，改善襯底和外延層界面質(zhì)量。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種新型InP基量子級聯(lián)激光器異質(zhì)結(jié)構(gòu)多功能緩沖層及制作方法。其特征在于(a)所述的一種結(jié)構(gòu)是在10
文檔編號H01S5/343GK1731636SQ20051002875
公開日2006年2月8日 申請日期2005年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月12日
發(fā)明者李愛珍, 陳建新, 徐剛毅, 張永剛 申請人:中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所