專利名稱：倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)以及其制造方法，主要涉及一種通過(guò)倒裝焊接方式形成的發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是一種能將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽艿陌雽?dǎo)體器件。通過(guò)在兩極注入電子與空穴，二者會(huì)在半導(dǎo)體結(jié)區(qū)附近復(fù)合產(chǎn)生光子。發(fā)光的顏色可以通過(guò)選擇不同的半導(dǎo)體材料來(lái)調(diào)節(jié)。常見(jiàn)的紅色、黃色以及黃綠色的LED主要是由GaAs、GaP或AlInGaP四元合金制造的，通過(guò)調(diào)節(jié)合金的組分，光的波長(zhǎng)連續(xù)可調(diào)。此外，以GaN為代表的III族氮化物材料是制造藍(lán)、綠光LED的關(guān)鍵材料體系，而且此類LED的發(fā)光效率很高，在照明和高亮度顯示領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。GaN材料的生長(zhǎng)通常需要將襯底加熱到1000攝氏度左右，因此作為理想的襯底材料目前只有兩種選擇，一是藍(lán)寶石，二是碳化硅。二者都有很好的熱、化學(xué)穩(wěn)定性。但是，藍(lán)寶石襯底由于其價(jià)格優(yōu)勢(shì)，目前是制造此類LED的主要選擇。在藍(lán)寶石襯底上的制作LED通常需要將兩個(gè)電極(亦即p電極和n電極)都做在半導(dǎo)體薄膜表面上，這是因?yàn)樵撘r底是絕緣材料，它不能作為L(zhǎng)ED與外界電源的連接通道。圖1所示的是常見(jiàn)的GaN基LED的器件結(jié)構(gòu)剖面圖(參考Nakamura等人的發(fā)明，美國(guó)專利Pat.No.5,563,422)。該LED結(jié)構(gòu)主要由如下幾個(gè)部分組成(a)外延襯底1，一般使用藍(lán)寶石或碳化硅；(b)與襯底1接觸的低溫結(jié)晶層2；(c)其上的n型GaN層3；(d)其上的發(fā)光活性層5(量子阱層)；(e)其上的p型GaN層6；(f)布置在n型GaN層上的n電極壓焊點(diǎn)4、設(shè)置在p型GaN層6上的p型電極接觸層7，以及其上的p電極壓焊點(diǎn)8。由于n型GaN層3是埋在p型GaN層6之下，所以為了做n電極接觸通常需要將部分區(qū)域刻蝕直到n型GaN層3，然后蒸鍍金屬電極4(常用Ti/Al/Ti/Au多層結(jié)構(gòu))。而p型層上的電極制作通常需要使用透光率高的Ni/Au金屬層7或透明導(dǎo)電電極ITO覆蓋整個(gè)p型半導(dǎo)體區(qū)，這主要是考慮到兩方面因素1)大面積的接觸可以顯著減小p型GaN與電極之間的接觸電阻，這一點(diǎn)非常重要，因?yàn)閜型GaN的導(dǎo)電性較差，它的接觸電阻是整個(gè)器件系列電阻的主要部分；2)由于光需要從上表面逸出，因此電極要有好的透光性。除了上述的普通LED結(jié)構(gòu)外，目前還有一種名為倒裝焊LED結(jié)構(gòu)的裝置，如圖2所示(參考Steigerwald等人的發(fā)明，美國(guó)專利Pat.No.6,573,537)。它的主要結(jié)構(gòu)是包括一個(gè)倒裝的LED，(這個(gè)LED包括外延襯底1、n型GaN層2、發(fā)光活性層3、p型GaN層4和p電極與光反射層5)和設(shè)置在上述倒置的LED下的散熱基板8。倒裝的LED與散熱基板8是通過(guò)焊點(diǎn)6連接。這種結(jié)構(gòu)的LED主要特點(diǎn)是能在大的輸入功率下工作，并且光的萃取效率相對(duì)較高。倒裝焊結(jié)構(gòu)的LED是從透明的外延襯底背面出光的。這種結(jié)構(gòu)的LED特別適用于藍(lán)寶石襯底，因?yàn)椋瓤朔怂{(lán)寶石襯底低導(dǎo)熱能力的限制，增大了器件輸入功率的空間；又充分利用了藍(lán)寶石襯底在可見(jiàn)區(qū)域的高透光率特性。為了提高出光效率，通常在半導(dǎo)體p型層上沉積一層高反射率的金屬層(如Al、Ag等)構(gòu)成如圖2所示的p電極與光反射層5，將向下發(fā)射的光反射回來(lái)并導(dǎo)出。當(dāng)前，倒裝焊技術(shù)通常采用兩種方案1)利用熔焊方式通過(guò)焊料(如PbSn)將LED芯片的p、n電極與散熱基板粘結(jié)，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電導(dǎo)熱雙重功能；2)利用在散熱基板上打金點(diǎn)的方式，將芯片通過(guò)壓力與熱超聲焊在基板上。這兩種方法雖然一定程度上解決了大功率輸入的散熱困難問(wèn)題，但是還有許多缺點(diǎn)。前一方案的主要問(wèn)題在于1)焊料含鉛，對(duì)環(huán)境有害；2)PbSn焊料本身導(dǎo)熱特性不佳，而且它的厚度一般達(dá)到30微米以上，這大大增加了從LED芯片到散熱基板之間的熱阻。后一方案的缺點(diǎn)是1)在基板上打金點(diǎn)耗時(shí)、成本高；2)通過(guò)金點(diǎn)接觸，芯片與散熱基板之間的熱阻也較大；3)焊接點(diǎn)的金屬面積尺寸難以調(diào)節(jié)。總之，目前使用LED倒裝焊技術(shù)普遍存在熱阻較大、對(duì)環(huán)境不利、成本較高、或焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)空間不夠等等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在克服上述提到的問(wèn)題，提供一種散熱性優(yōu)良，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便、靈活，成本低廉的倒裝焊結(jié)構(gòu)LED以及其制作方法。
倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制造方法，包括提供一散熱基板和具有p、n電極的LED芯片，所述方法包括步驟一，在散熱基板上制作第一金屬層，并分別形成p電極區(qū)和n電極區(qū)；步驟二，在所述第一金屬層上形成金屬凸點(diǎn)陣列；步驟三，在LED芯片的p、n電極上形成第二金屬層；步驟四，將所述LED芯片的p電極和n電極分別對(duì)應(yīng)所述散熱基板上的p電極區(qū)和n電極區(qū)鍵合，并對(duì)相接觸的第二金屬層和金屬凸點(diǎn)陣列加壓、加超聲、加熱。
另一方面，本發(fā)明的倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，包括一散熱基板；第一金屬層，位于所述散熱基板之上，包括了p電極區(qū)和n電極區(qū)；金屬凸點(diǎn)陣列，位于所述第一金屬層上的p電極區(qū)之上；LED芯片，所述LED芯片的n電極位于所述第一金屬層的所述n電極區(qū)之上，所述LED芯片的p電極位于所述第一金屬層的所述p電極區(qū)之上。
本發(fā)明的LED芯片的制作方法，包括提供一外延襯底；形成一n型GaN層于所述外延襯底上；形成一發(fā)光活性層于所述n型GaN層上；形成一p型GaN層于所述n型GaN層上；刻蝕并移除所述外延襯底上的部分p型GaN層，以暴露出n型GaN層，在該暴露出的n型GaN層上形成n電極；在未被刻蝕部分沉積p電極，并沉積第三金屬層，所述p電極與第三金屬層形成一復(fù)合金屬層，用于金屬半導(dǎo)體接觸導(dǎo)電與反光的作用；形成第四金屬層，介于所述p電極與n型GaN層之間。
本發(fā)明的LED芯片制造過(guò)程，包括1)在藍(lán)寶石或其它襯底上利用金屬有機(jī)物氣相外延的方法外延沉積III-族氮化物薄膜；2)一對(duì)在同側(cè)的相互電氣絕緣的電極制作；3)含Ag、Al、Au、Rh或Ir等單層或多層金屬膜的反光層的沉積，其中為了提高粘附性有時(shí)需要插入Ti或Cr等金屬層，其中為了減少反光層金屬對(duì)其下的金屬接觸層的互擴(kuò)散影響，需要插入W、V等金屬層；4)沉積含Al、Au或Ag等單層或多層延展性優(yōu)良的金屬膜，用于與基板上的多層金屬凸點(diǎn)陣列形成良好的鍵合。
該金屬多層膜既是LED芯片與散熱基板機(jī)械粘結(jié)的材料、又起到電極引出和導(dǎo)熱的效果。用光刻掩膜再刻蝕的方法制作該金屬凸點(diǎn)陣列最大的優(yōu)點(diǎn)是效率高、圖案形態(tài)大小調(diào)整方便。


下面，參照附圖，對(duì)于熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的人員而言，從對(duì)本發(fā)明方法和裝置的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見(jiàn)。
圖1是常見(jiàn)的普通GaN基LED的剖面示意圖；圖2所示的是一種倒裝焊結(jié)構(gòu)LED的剖面示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例1的倒裝焊結(jié)構(gòu)LED的剖面示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例2的倒裝焊結(jié)構(gòu)LED的剖面示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例3的倒裝焊結(jié)構(gòu)LED的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照?qǐng)D3至圖5就本發(fā)明的幾種實(shí)施方式作具體說(shuō)明。
實(shí)施例1圖3所示的是實(shí)施例1的倒裝焊結(jié)構(gòu)LED的縱向截面圖。下面就其結(jié)構(gòu)及制作方法做具體說(shuō)明。
首先，在襯底1上外延生長(zhǎng)III-族氮化物半導(dǎo)體材料，包括n型GaN層2，發(fā)光活性層3，以及p型GaN層4?？涛g部分外延層區(qū)域直到n型GaN層2以便引出n電極10。接著，在未被刻蝕部分的p電極上沉積半透明Ni/Au金屬層作電極接觸，隨后沉積用于反光的Al或Ag金屬層，此外為了減小其上的反光層金屬對(duì)Ni/Au接觸的影響，需要在二者之間插入防擴(kuò)散金屬層，由此形成圖示中的復(fù)合金屬層5，該復(fù)合金屬層5同時(shí)起到金屬半導(dǎo)體接觸導(dǎo)電與反光的作用。隨后，沉積用于形成壓焊的具有良好延展性的金屬層6，通常是Al或Au或Ag等材料，上述工藝完成后形成一LED結(jié)構(gòu)。
另一方面，使用硅片或其它散熱特性良好的半導(dǎo)體作散熱基板9，可以在半導(dǎo)體散熱基板9上制作兩個(gè)反向串聯(lián)的二極管用于LED的靜電保護(hù)旁路11。隨后在硅片上利用熱蒸發(fā)、濺射或電鍍的方式沉積Al/Ti/Ag多層金屬膜8，該金屬膜8上分為n電極區(qū)81、p電極區(qū)82，且p電極區(qū)82較大于n電極區(qū)81。然后在金屬膜8上通過(guò)光刻掩膜、刻蝕或剝離的方式制作金屬凸點(diǎn)陣列7。金屬凸點(diǎn)陣列7與金屬多層膜8的厚度一般在2至10微米之間。這既保證了壓焊時(shí)能形成良好的接觸，也提高了LED與散熱基板之間的散熱性能。
最后，將前面做好的LED結(jié)構(gòu)面朝散熱基板9倒扣，使LED的n電極10、p電極5分別與散熱基板9上的n電極區(qū)81、p電極區(qū)82對(duì)應(yīng)接合，然后加熱到100至200攝氏度，對(duì)接合處進(jìn)行加壓、加超聲，使壓焊金屬層6與金屬凸點(diǎn)陣列7形成可靠的連接。由此，構(gòu)成了一個(gè)倒裝焊結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管。
上述實(shí)施例中的散熱基板9大約200微米厚，其中的靜電保護(hù)電路11是由兩個(gè)反向串聯(lián)的二極管組成。散熱基板9的導(dǎo)熱特性通過(guò)調(diào)節(jié)摻雜濃度可以得到優(yōu)化。此外，該基板9也可以選擇使用具有良好導(dǎo)熱特性的其它單層或多層材料(如AlN陶瓷材料，表面氧化或氮化的硅基板，或銅基板覆蓋AlN等絕緣材料)，通過(guò)在其上布導(dǎo)電金屬材料實(shí)現(xiàn)與倒扣芯片之間的電氣導(dǎo)通。
實(shí)施例2圖4是本發(fā)明實(shí)施例2的倒裝焊結(jié)構(gòu)LED的剖面圖。
首先，與上述實(shí)施例1的外延生長(zhǎng)LED半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相同，在襯底1上外延生長(zhǎng)III-族氮化物半導(dǎo)體材料，包括n型GaN層2，發(fā)光活性層3，以及p型GaN層4?？涛g部分外延層區(qū)域直到n型GaN層2以便引出n電極10。接著，在未被刻蝕部分的p電極上沉積半透明Ni/Au金屬層作電極接觸，隨后沉積用于反光的Al或Ag金屬層，此外為了減小其上的反光層金屬對(duì)Ni/Au接觸的影響，需要在二者之間插入防擴(kuò)散金屬層，由此形成圖示中的復(fù)合金屬層5，該復(fù)合金屬層5同時(shí)起到金屬半導(dǎo)體接觸導(dǎo)電與反光的作用。隨后，沉積用于形成壓焊的具有良好延展性的金屬層6，通常是Al或Au或Ag等材料，上述工藝完成后形成一LED結(jié)構(gòu)。
所不同的是，該實(shí)施例中使用的散熱基板9是具有良好導(dǎo)熱特性的陶瓷材料如AlN等。在不導(dǎo)電散熱基板9上制作用于焊接的多層金屬膜工藝過(guò)程與實(shí)施例1相同。隨后的在散熱基板9上布置金屬多層膜8和金屬凸點(diǎn)陣列7的過(guò)程也如實(shí)施例1描述。
使用本實(shí)施例制作的倒裝焊LED結(jié)構(gòu)具有更優(yōu)的散熱特性，因?yàn)锳lN的熱導(dǎo)系數(shù)是2.8W/cm.K，大約是硅的兩倍。但是，它不能同時(shí)在該結(jié)構(gòu)中設(shè)計(jì)靜電保護(hù)電路。
實(shí)施例3圖5是本發(fā)明實(shí)施例3的倒裝焊結(jié)構(gòu)LED的剖面圖。
首先，與上述實(shí)施例1的外延生長(zhǎng)LED半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相同，在襯底1上外延生長(zhǎng)III-族氮化物半導(dǎo)體材料，包括n型GaN層2，發(fā)光活性層3，以及p型GaN層4。刻蝕部分外延層區(qū)域直到n型GaN層2以便引出n電極10。接著，在未被刻蝕部分的p電極上沉積半透明Ni/Au金屬層作電極接觸，隨后沉積用于反光的Al或Ag金屬層，此外為了減小其上的反光層金屬對(duì)Ni/Au接觸的影響，需要在二者之間插入防擴(kuò)散金屬層，由此形成圖示中的復(fù)合金屬層5，該復(fù)合金屬層5同時(shí)起到金屬半導(dǎo)體接觸導(dǎo)電與反光的作用。隨后，沉積用于形成壓焊的具有良好延展性的金屬層6，通常是Al或Au或Ag等材料，上述工藝完成后形成一LED結(jié)構(gòu)。
所不同的是，該實(shí)施例使用的散熱基板9是具有良好導(dǎo)熱特性的金屬材料，如銅等。為了避免導(dǎo)電金屬基板9造成LED短路，需要在基板9上再覆蓋一層絕緣材料層11，如陶瓷、或者玻璃。隨后，在覆蓋了絕緣材料層11后的散熱基板9上布置金屬多層膜8和金屬凸點(diǎn)陣列7的過(guò)程也如實(shí)施例1描述。
使用該方法制作的倒裝焊LED結(jié)構(gòu)具有更優(yōu)的散熱特性，因?yàn)镃u的熱導(dǎo)系數(shù)是3.9W/cm.K，大約是硅的三倍，AlN的1.5倍。
綜上所述，本發(fā)明的關(guān)鍵是利用金屬多層膜凸點(diǎn)陣列作為L(zhǎng)ED芯片與基板的鍵合方式。該金屬多層膜凸點(diǎn)陣列利用延展性和粘附性好的Al、Ag、Au和Ti等金屬制作。厚度一般控制在2微米到10微米之間。該金屬凸點(diǎn)陣列結(jié)構(gòu)起到良好的機(jī)械粘附、導(dǎo)電、導(dǎo)熱的效果。由于該凸點(diǎn)是由導(dǎo)熱特性好的材料制作，而且其高度較小，因此導(dǎo)熱效果明顯優(yōu)于前述的兩種焊接技術(shù)。
本發(fā)明的散熱基板可以使用半導(dǎo)體材料硅或其它導(dǎo)熱系數(shù)大的材料如SiC，而且通過(guò)在半導(dǎo)體材料上制作兩個(gè)反向串聯(lián)的二極管起到靜電保護(hù)的作用。該散熱基板也可以是導(dǎo)熱性良好的AlN陶瓷片或其它不導(dǎo)電的基板，或者覆蓋一層絕緣材料的導(dǎo)電材料。
綜上所述，本發(fā)明使用了一種熱超聲焊的方法將LED芯片倒裝焊在散熱基板上。該方法通過(guò)將基板加熱到100至200攝氏度之間，然后將按前述方法制作的LED芯片面朝基板通過(guò)加壓、加超聲使兩面的金屬層鍵合，形成具有良好機(jī)械強(qiáng)度并且低熱阻的連接。
在上述的實(shí)施例1-3中，一般傾向于將p型電極的區(qū)域做大，刻蝕下去到n型區(qū)域的面積做小，因?yàn)榻橛谶@兩層材料之間的活性層是決定LED發(fā)光亮度的有源區(qū)。
另一方面，為了減小從n型區(qū)注入電子的擁堵效應(yīng)，需要設(shè)計(jì)叉指狀的電極，以提高注入電流的均勻性。
上述說(shuō)明材料只是圍繞GaN基材質(zhì)的LED對(duì)本發(fā)明作了描述，而本發(fā)明揭示的倒裝焊結(jié)構(gòu)LED也可以應(yīng)用于其它材質(zhì)的LED，如AlGaInP四元系的紅、黃光LED，GaPN系的黃綠光LED，AlInGaAs系的紅光LED等等。
雖然已經(jīng)通過(guò)上述的幾個(gè)例子描述了本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)，但是它們只是說(shuō)明性的。事實(shí)上，在不違背本發(fā)明原理的條件下，還可以對(duì)其進(jìn)行各種形式的修改。此外，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書(shū)限定。
權(quán)利要求
1.倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制造方法，包括提供一散熱基板和具有p、n電極的LED芯片，所述方法包括步驟一，在散熱基板上制作第一金屬層，并分別形成p電極區(qū)和n電極區(qū)；步驟二，在所述第一金屬層上形成金屬凸點(diǎn)陣列；步驟三，在LED芯片的p、n電極上形成第二金屬層；步驟四，將所述LED芯片的p電極和n電極分別對(duì)應(yīng)所述散熱基板上的p電極區(qū)和n電極區(qū)鍵合，并對(duì)相接觸的第二金屬層和金屬凸點(diǎn)陣列加壓、加超聲、加熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制造方法，其特征在于，所述LED芯片的形成包括提供一外延襯底形成一n型GaN層于所述外延襯底上；形成一發(fā)光活性層于所述n型GaN層上；形成一p型GaN層于所述n型GaN層上；刻蝕并移除所述外延襯底上的部分p型GaN層，以暴露出n型GaN層，在該暴露出的n型GaN層上形成n電極；在未被刻蝕部分沉積p電極，并沉積第三金屬層，所述p電極與第三金屬層形成一復(fù)合金屬層，用于金屬半導(dǎo)體接觸導(dǎo)電與反光的作用；形成第四金屬層，介于所述p電極與n型GaN層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制造方法，其特征在于，所述散熱基板為散熱金屬基板，所述步驟一之前進(jìn)一步包括在所述散熱金屬基板和所述第一金屬層之間制作一絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制造方法，其特征在于，所述散熱基板為絕緣散熱基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制造方法，其特征在于，所述散熱基板為帶靜電保護(hù)電路的散熱半導(dǎo)體基板。
6.倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，其特征在于，包括一散熱基板；第一金屬層，位于所述散熱基板之上，包括了p電極區(qū)和n電極區(qū)；金屬凸點(diǎn)陣列，位于所述第一金屬層上的p電極區(qū)之上；LED芯片，所述LED芯片的n電極位于所述第一金屬層的所述n電極區(qū)之上，所述LED芯片的p電極位于所述第一金屬層的所述p電極區(qū)之上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，其特征在于，所述LED芯片包括一外延襯底；n型GaN層，設(shè)置于所述外延襯底上；第四金屬層，設(shè)置于所述n型GaN層上；p型GaN層，設(shè)置于所述第四金屬層上；n電極，由對(duì)所述外延襯底刻蝕至n型GaN層后沉積金屬形成；p電極，在未被刻蝕的所述外延襯底上沉積金屬形成，在所述p電極上沉積第三金屬層，所述p電極與第三金屬層形成一復(fù)合金屬層，用于金屬半導(dǎo)體接觸導(dǎo)電與反光的作用；第三金屬層，設(shè)置在所述復(fù)合金屬層上；第二金屬層，設(shè)置于所述第三金屬層上；其中，所述LED芯片是通過(guò)所述第二金屬層與所述散熱基板上的金屬凸點(diǎn)陣列相鍵合。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，其特征在于，所述散熱基板為散熱金屬基板；所述裝置進(jìn)一步包括一絕緣層，設(shè)置于所述散熱金屬基板之上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，其特征在于，所述散熱基板為絕緣散熱基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，其特征在于，所述散熱基板為帶靜電保護(hù)電路的散熱半導(dǎo)體基板，所述靜電保護(hù)電路由兩個(gè)反向串聯(lián)的二極管組成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制造方法，包括在散熱基板上制作第一金屬層，并分別形成p電極區(qū)和n電極區(qū)；在所述第一金屬層上形成金屬凸點(diǎn)陣列；在LED芯片的p、n電極上形成第二金屬層；將所述LED芯片的p電極和n電極分別對(duì)應(yīng)所述散熱基板上的p電極區(qū)和n電極區(qū)鍵合，并對(duì)相接觸的第二金屬層和金屬凸點(diǎn)陣列加壓、加超聲、加熱。本發(fā)明的倒裝焊結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，包括一散熱基板；第一金屬層，位于所述散熱基板之上，包括了p電極區(qū)和n電極區(qū)；金屬凸點(diǎn)陣列，位于所述第一金屬層上的p電極區(qū)之上；LED芯片，所述LED芯片的n電極位于所述第一金屬層的所述n電極區(qū)之上，所述LED芯片的p電極位于所述第一金屬層的所述p電極區(qū)之上。
文檔編號(hào)H01L33/00GK1731592SQ20051002911
公開(kāi)日2006年2月8日 申請(qǐng)日期2005年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月26日
發(fā)明者江忠永, 鮑堅(jiān)仁 申請(qǐng)人:杭州士蘭明芯科技有限公司