專利名稱：高散熱效率的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座及生產(chǎn)工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明揭示新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座及其生產(chǎn)的技術(shù)和工藝，屬于半導(dǎo)體電子技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管具有取代白熾燈的巨大前途，但是，當(dāng)功率增大時(shí)，功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管的封裝的散熱效率仍然需要提高。
為解決封裝的散熱問(wèn)題，一個(gè)成效顯著的方法是提高熱沉的散熱效率。圖l展示的Lumileds公司的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管的封裝基座。但是，該封裝基座的熱沉的散熱效率可以進(jìn)一步提高。
因此，需要新型的具有高散熱效率的熱沉的封裝基座和低成本的批量生產(chǎn)的工藝方法，由此得到的生產(chǎn)工藝方法可以應(yīng)用于其它半導(dǎo)體芯片或器件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示幾種具有不同結(jié)構(gòu)的高散熱效率的熱沉的封裝基座，以及生產(chǎn)的工藝方法。主要特征如下在保持現(xiàn)有封裝基座的外形尺寸不變和易于批量生產(chǎn)的情況下，最大限度的擴(kuò)大熱沉底部的接觸面積。主要工藝步驟如下制造金屬支架模條，注塑金屬支架模條形成封裝基座模條(不包括熱沉)，在每一個(gè)封裝基座的背面點(diǎn)膠，把熱沉放置在每一個(gè)封裝基座中，固化膠。本發(fā)明揭示的新型大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座(包括熱沉)，也可以應(yīng)用于其他半導(dǎo)體芯片或器件的封裝基座。
本發(fā)明的目的和能達(dá)到的各項(xiàng)效果如下(1)本發(fā)明的目的是提供具有新型熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座。
(2)本發(fā)明提供的新型大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座具有高散熱效率。
(3)本發(fā)明的目的是提供批量生產(chǎn)新型大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座的工藝方法。
本發(fā)明和它的特征及效益將在下面的詳細(xì)描述中更好的展示。


圖1是在先的大功率LED封裝基座的截面圖。
圖2a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖2b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖3a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第三個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖.
圖3b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第四個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖4a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖4b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第六個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖5a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖5b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第八個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖6a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第九個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖6b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖7a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖7b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十二個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖8a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十三個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖8b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十四個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖9a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖.
圖9b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十六個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖10a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖10b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十八個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖11a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十九個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖11b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖12a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖12b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十二個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖13a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十三個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖13b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十四個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖14a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖14b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十六個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖15a是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖15b是本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十八個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的截面圖。
圖16a是本發(fā)明的生產(chǎn)具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的單排金屬支架。
圖16b是本發(fā)明的生產(chǎn)具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的多排金屬支架。
圖16c是本發(fā)明的生產(chǎn)具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的單排基座支架。
圖16d是本發(fā)明的生產(chǎn)具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的多排基座支架。
圖17是本發(fā)明的生產(chǎn)具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的工藝流程。
具體實(shí)施實(shí)例和發(fā)明的詳細(xì)描述雖然本發(fā)明的具體化實(shí)施實(shí)例將會(huì)在下面被描述，但下列各項(xiàng)描述只是說(shuō)明本發(fā)明的原理，而不是局限本發(fā)明于下列各項(xiàng)具體化實(shí)施實(shí)例的描述。
注意，(1)圖中展示的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座只是示意圖。
(2)圖8展示生產(chǎn)具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的技術(shù)和工藝。但是相同的技術(shù)和工藝可以應(yīng)用于其它的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座的生產(chǎn)。
(3)熱沉的底面的外形尺寸可以等于或大干封裝基座的塑料部分的外形尺寸。
(4)本發(fā)明的熱沉的材料包括，但不限于，高熱導(dǎo)率的金屬和非金屬材料。高熱導(dǎo)率的金屬材料包括，但不限于，銅，鋁，高熱導(dǎo)率的金屬合金。高熱導(dǎo)率的非金屬材料包括，但不限于，氮化鋁，硅晶片。
(5)新型熱沉的頂部的形狀包括，但不限于，平面，線性反射杯，非線性反射杯。
(6)封裝基座模片包括一個(gè)或多個(gè)封裝基座模條，每個(gè)封裝基座模條包括多個(gè)封裝基座。
(7)封裝基座的形狀包括，但不限于，方形，長(zhǎng)方形，圓形，憜圓形。
圖1展示傳統(tǒng)的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管的封裝基座。電極102和103被封在基座101中，互相電絕緣。LED芯片106層疊在熱沉108的反射杯107上，金線104和105分別將芯片106連接到電極102和103。熱沉108的底部109的外形尺寸小于基座101的外形尺寸。因此，傳統(tǒng)的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管的封裝基座的散熱效率可以進(jìn)一步提高。
圖2a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例。電極202和203被封在基座201中，互相電絕緣。LED芯片206層疊在熱沉208的反射杯207上，金線204和205分別將芯片206連接到電極202和203。第一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例與圖1傳統(tǒng)的基座的不同之處在于，熱沉208的底部209的外形尺寸與基座201的外形尺寸相同，因此，熱沉208的散熱面積比傳統(tǒng)的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管的熱沉的散熱面積大約增加50％，具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的散熱效率提高，熱阻降低。
注意，反射杯207的反射面的形狀包括，但不限于，線性反射面，非線性反射面。
圖2b展示本發(fā)明的新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第二個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉218的底部219的外形尺寸比基座201的外形尺寸大，因此，具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的散熱效率進(jìn)一步提高，熱阻進(jìn)一步降低。
圖3a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第三個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第三個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉308的頂部307是平面。
圖3b展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第四個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第三個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第四個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉318的底部319的尺寸大于塑料基座301的尺寸。
圖4a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的電極402和403的端部410和411分別被提高以便降低與芯片406的表面的高度差。
圖4b展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第六個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第六個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉418的底部419的尺寸大于塑料基座401的尺寸。
圖5a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉508的頂部507是平面。
圖5b展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第八個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第八個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉518的底部519的尺寸大于基座501的尺寸。
圖6a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第九個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第九個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉608的頸部610被降低以便降低電極602和603與芯片606的表面的高度差。
圖6b展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第九個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第十個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉618的底部619的尺寸大于基座601的尺寸。
圖7a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第九個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第十一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉708的頂部707是平面。
圖7b展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十二個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第十一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第十二個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉718的底部719的尺寸大于基座701的尺寸。
圖8a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十三個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，電極802和803被封在基座801中，互相電絕緣。電極802和803被分別折彎，形成打線焊盤810和811，打線焊盤810和811的端點(diǎn)被分別折彎并被封在封裝基座801中。LED芯片806層疊在熱沉808的反射杯807上，金線804和805將芯片806分別連接到打線焊盤810和811上。反射杯807有下凹部分，反射杯807的下凹部分被熒光粉/硅膠混合物添滿，基座801的表面沒有其它下凹部分，基座801與添滿硅膠的透鏡對(duì)接時(shí)，沒有空氣被封在基座801與透鏡之間。熱沉808的底部809的外形尺寸等于基座801的外形尺寸。
注意，反射杯807的反射面的形狀包括，但不限于，線性反射面，非線性反射面。
圖8b展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十四個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第十三個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第十四個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉818的底部819的尺寸大于基座801的尺寸。
圖9a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第十三個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第十五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的封裝基座的邊緣是臺(tái)階911。臺(tái)階911是在對(duì)接透鏡時(shí)，為透鏡定位。
圖9b展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十六個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第十五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第十六個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉918的底部919的尺寸大于基座901的尺寸。
圖10a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第十三個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第十七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉1008的頂部1007是平面。
圖10b展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十八個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第十七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第十八個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉1018的底部1019的尺寸大于基座1001的尺寸。
圖11a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第十九個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第十七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第十九個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的封裝基座的邊緣是臺(tái)階1111。臺(tái)階1111是在對(duì)接透鏡時(shí)，為透鏡定位。
圖11b展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第十九個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第二十個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉1118的底部1119的尺寸大于基座1101的尺寸。熱沉1118的厚度可以不同，例如，第二十個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉1118的厚度大于第十七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉1018的厚度。
圖12a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，電極1202和1203被封在基座1201中，互相電絕緣。電極1202和1203被分別折彎，形成打線焊盤1210和1211，打線焊盤1210和1211的端點(diǎn)被分別折彎并被封在封裝基座801中。LED芯片1206層疊在熱沉1208的反射杯1207上，金線1204和1205將芯片1206分別連接到打線焊盤1210和1211上。反射杯1207有下凹部分，反射杯1207的下凹部分被熒光粉/硅膠混合物添滿，基座1201的表面沒有其它下凹部分，基座1201與添滿硅膠的透鏡對(duì)接時(shí)，沒有空氣被封在基座1201與透鏡之間。熱沉1208的底部1209的外形尺寸等于基座801的外形尺寸?；?201的上表面的靠近邊緣的部分1212向下傾斜，這種形狀更有利于在對(duì)接透鏡時(shí)空氣的排出。
圖12b展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十二個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第二十一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第二十二個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉1218的底部1219的尺寸大于基座1201的尺寸。
圖13a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十三個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第二十一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第二十三個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的封裝基座的邊緣是臺(tái)階1311。臺(tái)階1311是在對(duì)接透鏡時(shí)，為透鏡定位。
圖13b展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十四個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第二十三個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第二十四個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉1318的底部1319的尺寸大于基座1301的尺寸。
圖14a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第二十一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第二十五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉1408的頂部1407是平面。
圖14b展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十六個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第二十五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第二十六個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉1418的底部1419的尺寸大于基座1401的尺寸。
圖15a展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第二十五個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第二十七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的封裝基座的邊緣是臺(tái)階1511。臺(tái)階1511是在對(duì)接透鏡時(shí)，為透鏡定位。
圖15b展示本發(fā)明的具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的第二十八個(gè)具體實(shí)施實(shí)例，其與第二十七個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的不同在于第二十八個(gè)具體實(shí)施實(shí)例的熱沉1518的底部1519的尺寸大于基座1501的尺寸。
圖16a展示本發(fā)明的金屬支架模片。金屬支架模片1601僅包括一個(gè)金屬支架模條，金屬支架模條包括電極1602。
圖16b展示本發(fā)明的金屬支架模片。金屬支架模片1611包括兩個(gè)連體金屬支架模條1613和1614，連體金屬支架模條1613和1614包括電極1612。
注意，雖然圖16a和圖16b中的金屬支架模片1601和1611分別包括一個(gè)和兩個(gè)連體金屬支架模條，金屬支架模片可以包括多于兩個(gè)的連體金屬支架模條。
圖16c展示本發(fā)明的封裝基座模片。封裝基座模片1621僅包括一個(gè)封裝基座模條。封裝基座模條包括封裝基座1623和電極1622，電極1622被分別封在對(duì)應(yīng)的封裝基座1623中。
圖16d展示本發(fā)明的封裝基座模片。封裝基座模片1631包括兩個(gè)連體封裝基座模條1634和1635。連體封裝基座模條1634和1635分別包括封裝基座1633和電極1632，電極1632被分別封在對(duì)應(yīng)的封裝基座1633中。
注意(1)雖然圖16c和圖16d中的封裝基座模片1621和1631分別包括一個(gè)和兩個(gè)連體封裝基座模條，封裝基座模片可以包括多于兩個(gè)的連體封裝基座模條。
(2)封裝基座模片上的兩個(gè)封裝基座之間的距離取決于封裝基座/熱沉的尺寸。
圖17展示本發(fā)明的低成本的批量生產(chǎn)具有新型熱沉的大功率LED封裝基座的工藝流程的一個(gè)具體實(shí)施實(shí)例。同樣的方法可以應(yīng)用于其它的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座的生產(chǎn)。
工藝流程1701制備金屬支架模片。利用金屬?zèng)_壓工藝，制備金屬支架模片。金屬支架模片的材料包括，但不限于，銅，鐵，銅合金(包括，但不限于黃銅，磷銅)，鐵合金。金屬支架模片的厚度為0.1到0.5毫米。
工藝流程1702金屬支架模片注塑，制造封裝基座模片。利用注塑成型工藝，在金屬支架模片的相應(yīng)部位注塑，制成封裝基座模片。
工藝流程1703點(diǎn)膠。在封裝基座模片上的每一個(gè)封裝基座的相應(yīng)部位點(diǎn)膠。點(diǎn)膠方法包括，手工，半自動(dòng)，全自動(dòng)。
工藝流程1704放置熱沉。在封裝基座模片上的每一個(gè)封裝基座的相應(yīng)部位放置熱沉，并壓緊，使得膠與熱沉和封裝基座充分接觸。
工藝流程1705固膠。在指定的條件下，固化膠，使得膠把熱沉和封裝基座粘接。
注意，使用膠粘接熱沉和封裝基座的目的是(1)熱沉和封裝基座連接在一起；(2)膠粘可以防止潮氣進(jìn)入封裝基座。
上面的具體的描述并不限制本發(fā)明的范圍，而只是提供一些本發(fā)明的具體化的例證。因此本發(fā)明的涵蓋范圍應(yīng)該由權(quán)利要求和它們的合法等同物決定，而不是由上述具體化的詳細(xì)描述和實(shí)施實(shí)例決定。
權(quán)利要求
1.一種新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座，包括基座；兩個(gè)電極，其中，所述的兩個(gè)電極被封在基座中，所述的兩個(gè)電極互相電絕緣；熱沉；其中，所述的熱沉的底部的外形尺寸等于或大于基座的外形尺寸。
2.權(quán)利要求1的新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座，其中，所述的熱沉的層疊LED芯片的上表面具有反射杯。
3.權(quán)利要求2的新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座，其中，所述的反射杯是線性反射杯。
4.權(quán)利要求2的新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座，其中，所述的反射杯是非線性反射杯。
5.權(quán)利要求1的新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座，其中，所述的熱沉的上表面是平面。
6.權(quán)利要求1的新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座，其中，所述的基座的外形是圓形。
7.權(quán)利要求1的新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座，其中，所述的基座的外形是方形。
8.一種生產(chǎn)新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座的工藝，包括下述工藝流程(1)制備金屬支架模片，金屬支架模片的材料包括，但不限于，銅，鐵，銅合金(包括，但不限于黃銅，磷銅)，鐵合金，金屬支架模片的厚度為0.1到0.5毫米；(2)利用注塑成型工藝，在金屬支架模片的相應(yīng)部位注塑，制成封裝基座模片；(3)在封裝基座模片上的每一個(gè)封裝基座的相應(yīng)部位點(diǎn)膠，點(diǎn)膠方法包括，手工，半自動(dòng)，全自動(dòng)；(4)在封裝基座模片上的每一個(gè)封裝基座的相應(yīng)部位放置熱沉，并壓緊，使得膠與熱沉和封裝基座充分接觸；(5)在指定的條件下，固化膠，使得膠把熱沉和封裝基座粘接。
全文摘要
本發(fā)明展示幾種新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座及其生產(chǎn)的工藝。主要特征如下在保持封裝基座的外形尺寸不變和易于批量生產(chǎn)的情況下，擴(kuò)大熱沉底部的接觸面積。主要工藝步驟如下制造金屬支架模片，注塑金屬支架模片形成封裝基座模片(不包括熱沉)，在每一個(gè)封裝基座的背面點(diǎn)膠，把熱沉放置在每一個(gè)封裝基座中，固化膠。本發(fā)明揭示的新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座(包括熱沉)，也可以應(yīng)用于其他半導(dǎo)體芯片或器件的封裝基座。
文檔編號(hào)H01L23/12GK1728411SQ20051004076
公開日2006年2月1日 申請(qǐng)日期2005年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月24日
發(fā)明者彭暉, 張濤, 梁秉文 申請(qǐng)人:南京漢德森半導(dǎo)體照明有限公司