專利名稱：具有重新路由層集成電路及堆疊管芯組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明乃關(guān)于半導(dǎo)體裝置的技術(shù)領(lǐng)域，及更特定言之，關(guān)于具重新路由層集成電路及系關(guān)于堆疊管芯組。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今所許用多個電子裝置包括多個相互連接的”芯片”以提供特定功能性，芯片一般包括嵌入于封裝的半導(dǎo)體管芯，其中每一個管芯可包括由標準半導(dǎo)體制造方法所形成的集成電路。半導(dǎo)體管芯典型上具一系列接合焊盤以進行至在其中形成的集成電路的連接，管芯置于具在其中形成對應(yīng)于管芯的接合焊盤的電導(dǎo)線的載體或襯底上，管芯及載體為封起的以保護管芯不受外界干擾。為增加集成電路的密度，常希望堆疊管芯使得二或更多的管芯可在單一管芯區(qū)域置于彼此頂部。
例如高端存儲器應(yīng)用如服務(wù)器應(yīng)用或高端移動應(yīng)用日益需要較高存儲器密度，傳統(tǒng)上高存儲器密度系得自堆疊封裝于彼此頂部或是放置更多存儲器組件于存儲器芯片組。然而，一些存儲器結(jié)構(gòu)的密度無法以此種方式增加，例如雙倍數(shù)據(jù)速率II(DDRII)需要整體封裝方案的低電寄生及在管芯間的最小差以達到400兆位每秒至800兆位每秒的高數(shù)據(jù)率，或是更高。堆疊DDRII管芯負面地影響操作因為上方芯片具至在該存儲器芯片組的經(jīng)定義合并點較底部芯片為長的線路長短。該高速架構(gòu)亦妨礙以至該芯片組連接器的不同距離放至該存儲器組件，因為對每一個組件共享長度必須保持固定。
在堆疊存儲器管芯的情況下要克服的另一個技術(shù)問題為接合焊盤的放置。不像沿管芯周圍具接合焊盤的邏輯管芯，存儲器典型上具接合焊盤于管芯中心。當另一個管芯置于下方管芯的接合焊盤頂部時，此裝置限制接合焊盤的可存取性。

發(fā)明內(nèi)容
藉由提供堆疊管芯組的本發(fā)明具體實施例，這些及其它問題可普遍減少、解決或克服，且普遍達到技術(shù)優(yōu)點。
在本發(fā)明一個具體實施例，組合包括多個管芯于封裝內(nèi)，特別是，該組合包括具數(shù)個接觸墊的襯底及至少一個第一半導(dǎo)體裝置及一個第二半導(dǎo)體裝置。每一個裝置具第一側(cè)及第二側(cè)及放置使得該第二側(cè)面對該襯底的表面。該第一側(cè)包括數(shù)個形成于該裝置內(nèi)部區(qū)域的接合焊盤及亦包括具重新路由線路的重新分配層，重新路由線路電耦合該接合焊盤至在該裝置周圍區(qū)域的重新路由接合焊盤。該第一及第二半導(dǎo)體裝置較佳為，但非必要，在結(jié)構(gòu)上相同的，第一多個電線電耦合該第一半導(dǎo)體裝置的重新路由接合焊盤至該襯底的接觸墊及第二多個電線電耦合該第二半導(dǎo)體裝置的重新路由接合焊盤至該襯底的接觸墊。在較佳具體實施例中，大部份該襯底的接觸墊系耦合該第一及第二半導(dǎo)體裝置的重新路由接合焊盤。
在較佳具體實施例中，該第一及第二半導(dǎo)體裝置為動態(tài)隨機存取存儲器裝置，例如這些裝置可為雙倍數(shù)據(jù)速率DRAMs及可具至少512兆位存儲器單元的容量，如1千兆位或更多。本發(fā)明觀念亦可應(yīng)用于其它形式的半導(dǎo)體裝置。
在另一具體實施例中，該第一及第二半導(dǎo)體裝置皆具放置于該裝置第一條線路左側(cè)及右側(cè)的接合焊盤。在此具體實施例中，該重新分配層自右側(cè)越過該第一條線路至在半導(dǎo)體裝置左側(cè)的相對應(yīng)重新路由接合焊盤布線多個接合焊盤及亦自左側(cè)越過該第一條線路至在半導(dǎo)體裝置右側(cè)的相對應(yīng)重新路由接合焊盤布線多個接合焊盤。
在另一具體實施例中，該第一及第二半導(dǎo)體裝置的每一個的重新分配層包括地線面，該地線面包括大致上圍繞該接合焊盤的線路及在一些該重新路由線路之間或在側(cè)邊的多個地線，例如，當一些該接合焊盤對應(yīng)于數(shù)據(jù)輸入/輸出接合焊盤，較佳為使該地線在電耦合至該數(shù)據(jù)輸入/輸出接合焊盤的該重新路由線路之間或在側(cè)邊。
在另一具體實施例中，該第一及第二半導(dǎo)體裝置皆具加長的重新路由接合焊盤，其自該半導(dǎo)體裝置的一個邊緣朝該半導(dǎo)體裝置的中央?yún)^(qū)域延伸。接附于該第一裝置的重新路由接合焊盤的電線系接附于較接近該邊緣的該重新路由接合焊盤的部份且接附于該二裝置的電線系接附于較接近該中央?yún)^(qū)域的該重新路由接合焊盤的部份之重新路由接合焊盤?？珊喜⒏鞣N這些具體實施例。


為本發(fā)明的更完整了解，及其優(yōu)點，現(xiàn)在參考下列敘述及相關(guān)附圖，其中
圖1為根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例堆疊管芯組的截面視圖；圖2a為根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例重新分配層的平面視圖；圖2b為根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例存儲器管芯的平面視圖；圖3a-圖6c為根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例各種方法步驟已執(zhí)行后晶片的平面及截面視圖；圖7-圖12為根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例各種方法步驟已執(zhí)行后堆疊管芯組的截面視圖；及圖13為根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例堆疊管芯組的電寄生之圖標。
具體實施例方式
于下文詳細討論本較佳具體實施例的制造及使用，然而，應(yīng)了解本發(fā)明具體實施例提供多個可以廣范圍特定內(nèi)文具體化的可應(yīng)用發(fā)明觀念，所討論特定具體實施例僅為制造及使用本發(fā)明的特定方式之說明，及不限制本發(fā)明范圍。例如，此處所揭示的本發(fā)明一個具體實施例為DRAM管芯的堆疊管芯結(jié)構(gòu)。然而，本發(fā)明具體實施例可以其它形式的管芯或組合使用，于此希望重新路由一或更多接合焊盤。
參考圖1，示出根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例堆疊管芯組100的截面視圖。該堆疊管芯組100包括襯底110、第一管芯112、及第二管芯114。應(yīng)注意盡管圖1說明兩個管芯堆疊于彼此頂部的結(jié)構(gòu)，熟知本技藝者要知道可利用本發(fā)明具體實施例以堆疊三個或更多的管芯以得到更大密度。有利的是，在較佳具體實施例中，該兩個管芯112及114在結(jié)構(gòu)上為相同的，哪一個管芯在頂部及哪一個管芯在底部之選擇為完全自由的，由此簡化本發(fā)明議題。
第一管芯112及第二管芯114的每一個具第一側(cè)116及第二側(cè)118，該第一管芯112及該第二管芯114的每一個的第一側(cè)116具接合焊盤120及重新分配層124形成于其上，如將于下文更詳細解釋，該重新分配層124重新路由或電耦合該接合焊盤120至管芯的周圍區(qū)域(在此敘述中，接觸區(qū)域120稱為”接合焊盤”即使，在該較佳具體實施例中，它們從未實際連結(jié))。
在該較佳具體實施例中，該第一管芯112以粘著層121接附于襯底110使得該第二側(cè)118面向該襯底110，間隔物122提供于該第一管芯112且在該重新分配層124上方，且該第二管芯114提供于該間隔物122上方。定位向該第二管芯114使得該第二管芯114的第二側(cè)118面向該間隔物122。在一個具體實施例中，該間隔物122由粘著層123接附于該第一管芯112及/或該第二管芯114，該第一及第二管芯112、114較佳為彼此相同地定方位至另一個使得相同墊被對準。
電線導(dǎo)線128經(jīng)由該重新分配層124電耦合該接合焊盤120至在該襯底110的接點129，換言之，該接合焊盤120由該重新分配層124重新路由至管芯的周圍區(qū)域，其接著由該電線導(dǎo)線128電耦合至該接點129。封裝130較佳為圍繞該第一管芯112、該第二管芯114及該電導(dǎo)線128以保護組件不致受外部對象或環(huán)境損傷，可使用錫球132以電耦合該堆疊管芯組100至裝置襯底(未示出)。
圖2a為根據(jù)本發(fā)明具體實施例的重新分配層124(圖1)的一個實例的平面圖，形成該重新分配層124的一個方法參考圖3a-圖6c敘述于下文。
在所敘述具體實施例中，該重新分配層124包括沿管芯中心線向下以兩行排列的接合焊盤120，該接合焊盤120經(jīng)由重新路由線路216電耦合至該重新路由接合焊盤212，該重新路由接合焊盤212提供沿管芯周圍至位于內(nèi)部區(qū)域的該接合焊盤120之電連接。該重新分配層124較佳為包括大致上圍繞該重新分配層124周圍的地線面214以防止來自外界環(huán)境的噪聲不利地影響電路的操作(未示出)。
在圖2a所示具體實施例中，其為512兆位DRAM，該接合焊盤120提供至數(shù)據(jù)線路及地址/控制線路的電連接。為簡化制造方法，希望設(shè)計該組合使得單襯底110(圖1)可用于管芯典型上面朝下放置的單管芯構(gòu)型及管芯面朝上放置的堆疊管芯構(gòu)型，然而，當管芯被倒反或翻轉(zhuǎn)時，在右側(cè)的接合焊盤系在左側(cè)及在左側(cè)的接合焊盤系在右側(cè)，因此必須改良襯底的配置或重新路由該接合焊盤(或是提供更新的腳位規(guī)格給使用者)。因為腳位常由如JEDEC或其它標準設(shè)定組織標準化，保持現(xiàn)有標準化腳位為較佳的及有利的。常常，堆疊產(chǎn)品的腳位僅由對單管芯組件的標準腳位的管芯選擇球改良。而且標準化腳位為較佳的因為無論是否使用堆疊技術(shù)可使用單一型式的襯底。
在較佳具體實施例中，僅地址/控制線路自左至右及右至左重新路由，該地址/控制線路決定存儲器位置存取的相對位置及方式，由使用者的觀點來看，實體存儲器位置，如哪一個電容器/晶體管儲存特定相對存儲器位置的數(shù)據(jù)為不相干的。因此，該地址/控制線路應(yīng)自右至左及自左至右重新路由。但是數(shù)據(jù)線路不需被切換。此結(jié)構(gòu)提供雙倍數(shù)據(jù)速率裝置的額外優(yōu)點，于此數(shù)據(jù)輸入/輸出點以兩倍時脈速率操作及因而由較短線路獲益，于是，在圖2a，該地址/控制線路自右至左及自左至右切換，且該數(shù)據(jù)線路未被切換。應(yīng)注意并非所有在圖2a所說明的具體實施例的端口皆被使用，因而，并非所有接合焊盤120皆重新路由至管芯的周圍。
圖2a說明可利用的另一有利特性，亦即，地線面214包括圍繞或至少部份分開數(shù)據(jù)輸入/輸出的重新路由線路216之地線。應(yīng)注意該地線面214可為單一地線面或一組地線面。例如，具接近數(shù)據(jù)輸入/輸出信號的數(shù)據(jù)供應(yīng)引腳(VSSQ)，及接近該地址/指令信號的尋常引腳(VSS)為有利的。此地線面214配置幫助電隔離相當高頻率的線路，其系特別有用于雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM。隔線干擾及其它電噪聲可由包含地線面而消除或減少。因為該地址/控制線路在較低(如一半)頻率操作，地線面不需要圍繞或分開這些線路。在替代具體實施例中，所有重新路由線路216系相鄰地線而形成。
圍繞地線的進一步優(yōu)點為用做抵抗在晶片單顆化方法期間引入的污染的屏障，因為RDL(重新分配層)線路的拓仆，芯片無法完全固定于鋸箔，于是，在單顆化期間清洗水會在未由RDL覆蓋的芯片區(qū)域上滲透，產(chǎn)生無法移除的余留物，此對進一步組合及對信賴度為不利的。沿該芯片的地線用做抵抗此污染的屏障。在存在超過一個接地電位的情況，圍繞線路在交會點向內(nèi)些微延長，此系維持不同電位及用做抵抗污染滲入的進一步限制，其它幾何(如圖2a所示)亦為可考慮的，如使用其它角度。
圖2b說明存儲器管芯112(114)的第一側(cè)116，其為利用本發(fā)明觀點的裝置的一個實例。存儲器管芯112(114)以四個數(shù)組區(qū)段150組織。在一個具體實施例中，對1千兆位存儲器裝置每一個數(shù)組區(qū)段包括256k記憶單元(加冗余單元)。本發(fā)明觀點特別有用于高密度存儲器裝置(如1千兆位或更多存儲器)因為這些存儲器單元典型上在高速操作及可自其中所指導(dǎo)的優(yōu)點獲益。
圖3a-圖6c說明在根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例各種方法步驟已執(zhí)行以制造重新分配層于半導(dǎo)體管芯上之后，管芯300，如圖1的管芯112、114，的各種視圖。應(yīng)進一步注意所說明管芯部份包括地址/控制線路的重新路由，如上所討論，其需要自左至右及右至左重新路由。亦可使用此處所敘述方法以形成重新分配層以重新路由數(shù)據(jù)線路，其可不需要自左至右及自右至左重新路由。
方法起始為圖3a-圖3c，其中晶片被提供為具形成于其上的集成電路，其中圖3a為平面視圖且圖3b-圖3c為沿圖3a所顯示軸的截面視圖。一般言之，該管芯300包括具形成于其上的集成電路(未示出)，如DRAM，的襯底308，該襯底308，及形成于其上的集成電路，可使用本技藝中已知的標準半導(dǎo)體加工技術(shù)制造。
該管芯300典型上具保護層310，較佳為聚硫亞胺，形成于該管芯300的表面以保護最頂部金屬層(未示出)或其它組件不致?lián)p傷及不受環(huán)境影響。接觸墊312為在該保護層310露出以提供至下方結(jié)構(gòu)(未示出)如集成電路的電接觸。
該保護層310進一步包括選擇性的介電體(未示出)以提供該重新分配層與該最上方金屬層(未示出)間的低階耦合，及以提供更佳的電寄生。該選擇性的介電體可為聚硫亞胺、氧化物、或類似物，但較佳為需要低處理溫度的材料如WPR、BCB(如以苯并環(huán)丁烯為基底的聚合物介電體)、probelec。在較佳具體實施例，其中該介電體層系由PI形成，該介電體層可由在約320℃的溫度旋轉(zhuǎn)涂覆至約3微米至約6微米的厚度而形成，亦可存在由旋轉(zhuǎn)涂覆所形成的額外介電體層，如約5微米至約15微米或更多的WPR；熟化溫度為150℃。
圖4a-圖4c說明在粘著層314及第一傳導(dǎo)層316已形成及圖案化之后的圖3a-圖3c的管芯300。一般言之，該粘著層314提供該保護層310及該第一傳導(dǎo)層316間的良好粘著品質(zhì)。在一個具體實施例中，該粘著層314為由使用范圍自約3瓦特/公分2至約6瓦特/公分2的源極功率密度且濺鍍速率自2至6納米/秒且濺鍍氣體為Ar及濺鍍材料為Ti濺鍍所形成的鈦。較佳為，該鈦粘著層314為約50納米至約100納米厚度，及更佳為約70納米厚度。亦可使用其它材料，如Cr、TiN。
該第一傳導(dǎo)層316系較佳為形成于該粘著層314以提供加強的電特征。在一個具體實施例中，該第一傳導(dǎo)層316系由銅形成，其系由如使用范圍自約3瓦特/公分2至約6瓦特/公分2的源極功率密度且濺鍍速率自3至6納米/秒且濺鍍氣體為Ar及濺鍍材料為Cu濺鍍所形成。較佳為，該第一傳導(dǎo)層316為約100納米至約400納米厚度，及更佳為約200納米厚度。
該粘著層314及該第一傳導(dǎo)層316較佳為使用該技藝中已知的標準光蝕刻技術(shù)圖案化。一般言之，光蝕刻包括沉積光致抗蝕劑物質(zhì)318，接著遮蔽此物質(zhì)、曝光、及顯像以移除光致抗蝕劑物質(zhì)部份，該光致抗蝕劑物質(zhì)的移除部份定義重新分配層的圖案，如定義自管芯的內(nèi)部區(qū)域至管芯的周圍區(qū)域的接合焊盤的重新路由。較佳為，該光致抗蝕劑物質(zhì)亦定義該地線面。
圖5a-圖5c說明在第二傳導(dǎo)層319已形成于接觸墊312之后的圖4a-圖4c的管芯300。在較佳具體實施例中，該傳導(dǎo)層319為包含銅層320、鎳層322、及金層324的多層結(jié)構(gòu)。一般言之，該銅層320提供良好導(dǎo)電率，及該金層324提供具良好連結(jié)特性的傳導(dǎo)材料以連結(jié)電線導(dǎo)線至該重新分配層(參考圖7-圖12詳細討論于下文)。因為其硬度，鎳層322提供至該金層324及晶片加工的機械穩(wěn)定度。該鎳層322亦用做主動區(qū)域及于管芯上形成的其它下方結(jié)構(gòu)的保護層?；蛘?，該傳導(dǎo)層320可由鋁形成，然而，可使用其它材料。
于該第一傳導(dǎo)層316上沉積及圖案化的光致抗蝕劑318之使用防止銅、鎳、及金粘著于晶片。如上所討論，圖案化該光致抗蝕劑物質(zhì)318使得該第一傳導(dǎo)層316露出，于此希望具重新分配線路。
在一個具體實施例中，該銅層320系由電鍍形成，較佳為，該銅層320為約2微米至約10微米厚度，但更佳為約5微米厚度。
此外，該鎳層322及該金層324可被電鍍，較佳為，該鎳層322為約1微米至約5微米厚度，但更佳為約2微米厚度。較佳為，該金層324為約0.1微米至約1微米厚度，但更佳為約0.5微米厚度。
圖6a-圖6c說明在該光致抗蝕劑318及該粘著層314過量材料及該第一傳導(dǎo)層316已移除后的圖5a-圖5c的管芯300。該光致抗蝕劑物質(zhì)可由如在習(xí)知抗蝕劑剝除機的濕浸漬而移除。在該光致抗蝕劑物質(zhì)已移除后，該第一傳導(dǎo)層316可由Cu蝕刻劑移除及該粘著層314可由0.25％HF移除。
在該重新分配線路形成后，該管芯300的背側(cè)可向下輾制使得該總裝置為所欲厚度，例如，對具二個存儲器芯片加一個間隔物的堆疊，厚度可減少約600微米使得該裝置總厚度為約1.2至1.25毫米或更小。之后，該管芯300根據(jù)標準技術(shù)加工以制備用于封裝的個別管芯。
圖7-圖12說明根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例所執(zhí)行以形成堆疊管芯組100的步驟之截面視圖。該方法開始于圖7，其中具重新分配層124的第一管芯112接附于襯底110，說明于圖7-圖12的該襯底110較佳為一種普遍用于該工業(yè)的兩層襯底，其具自第一側(cè)117穿過該襯底110至第二側(cè)119而形成的接點129。在較佳具體實施例中，數(shù)個(如十五個)襯底形成于單襯底單元，在管芯接附后這些襯底被分開。
該第一管芯112具第一側(cè)116，該重新分配層124形成于此，及具第二側(cè)118。如上文所討論，該重新分配層124自管芯的內(nèi)部區(qū)域至管芯的周圍區(qū)域重新路由接合焊盤120。形成該重新分配層124的一個實例系參考圖3a-圖3b于上文討論。
該第一管芯112系接附于該襯底110使得該第一管芯112的第二側(cè)118接附于該襯底110的第一側(cè)117，該第一管芯112可由任何粘著裝置或技術(shù)接附于該襯底110，例如，在圖7所說明具體實施例中該第一管芯112系由粘著層123接附于襯底110，粘著層123可由使用膠帶或該技藝中已知的印刷技術(shù)，或類似技術(shù)施用。
圖8說明根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例在電線導(dǎo)線128已接附以電耦合形成于該重新分配層124的該重新路由接合焊盤至在該襯底110的接點129之后的圖7的堆疊管芯組100。該電線導(dǎo)線128較佳為具約15至25微米直徑的金線，已發(fā)現(xiàn)由金形成的電線導(dǎo)線128提供連結(jié)至該重新分配層的良好性質(zhì)，其頂部層較佳為金。該電線導(dǎo)線128可由如標準電線連結(jié)技術(shù)而接附于該重新分配層124及該接點129。
圖9說明在間隔物122已接附于該第一管芯112之后的圖8的堆疊管芯組100。該間隔物122提供在該第一管芯112及第二管芯(在后續(xù)步驟要堆疊于該第一管芯112上方)之間的間隙，防止對該電線導(dǎo)線128的損傷。該間隔物122較佳為由電絕緣材料，如硅或類似物，所組成，以防止或減少在該第一管芯112及堆疊于該第一管芯112上方的其它管芯之間的任何電傳導(dǎo)。硅為有用的因為其具與硅管芯112及114相同的熱性質(zhì)，硅間隔物典型上不具任何電路形成于其中。較佳為，該間隔物122為至少約50至約150微米厚度，但更佳為約100微米厚度。該間隔物122系由粘著層121接附于該第一管芯112，粘著層121可由使用膠帶或該技藝中已知的印刷技術(shù)施用。
在另一具體實施例中，該管芯為不同側(cè)邊及被放置使得不需間隔物，例如，若底部管芯較頂部管芯為大，在該第一管芯的重新路由接合焊盤為露出的，在此情況下，間隔物不為必要的且該頂部管芯可直接放置于該底部管芯上。
圖10說明在第二管芯114已堆疊于該第一管芯112上之后的圖9的堆疊管芯組100。類似于該第一管芯112，該第二管芯114具第一側(cè)116，該重新分配層124形成于此，及具第二側(cè)118。該重新分配層124自管芯的內(nèi)部區(qū)域重新路由接合焊盤120至管芯的周圍區(qū)域。形成該重新分配層124的一個實例系參考圖3a-圖3b于上文討論。
該第二管芯114系接附于該間隔物122使得該第二管芯114的第二側(cè)118接附于該間隔物122，該第二管芯114可由粘著層121接附于該間隔物122，該粘著層121可由在該技藝中已知的任何技術(shù)施用，例如該第二管芯114可由使用印刷方法或膠帶或該技藝中已知的印刷技術(shù)接附于該間隔物122。
圖11a及圖11b說明根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例在已接附電線導(dǎo)線128以電耦合該重新分配層124的該重新路由接合焊盤212至在該襯底110的接點129之后的圖10的堆疊管芯組100。該電線導(dǎo)線128較佳為具約15-25微米直徑的金線。該電線導(dǎo)線128可由如標準電線連結(jié)技術(shù)而接附于該重新分配層124及該接點129。
在較佳具體實施例中，該第一管芯112及該第二管芯114的相對應(yīng)重新路由接合焊盤212系接附于相同接點129，除了該系統(tǒng)所需的線路或一些線路以區(qū)別該頂部管芯及該底部管芯。特別是，已發(fā)現(xiàn)若每一個管芯具獨特管芯選擇信號，或其相當，則相同地址/控制線路及數(shù)據(jù)線路可電耦合至在堆疊管芯組的每一個管芯。該管芯選擇信號使該所選擇管芯能夠或使之不能有效地提供一種裝置以將特定管芯開或關(guān)。而且，較佳為每一個管芯具獨特時鐘激活信號，及特別是對DDR IIDRAM設(shè)計，管芯內(nèi)終結(jié)信號。
在較佳具體實施例中，在該第二管芯114上的該電線導(dǎo)線128進一步朝該管芯114的中心連接至該重新分配層的該重新路由接合焊盤212如在圖11b所示。在圖11b，該重新路由接合焊盤212以”0”表示，該第二管芯114連結(jié)于此。為比較，提供”X”，該第一管芯112連結(jié)于此。在如上所述的較佳具體實施例中，該電線導(dǎo)線128系連接至較接近該第二管芯114中心的該重新分配層124的該重新路由接合焊盤212，已發(fā)現(xiàn)以此方式連接該電線導(dǎo)線減少因突出連結(jié)施與該管芯的機械應(yīng)力，該第一管芯112的該電線導(dǎo)線128可朝該第一管芯112中心移動的距離受限于該間隔物122的大小。在此處所述的具體實施例中，其中該堆疊管芯組包括兩個管芯，此可不為一個議題。在其它具體實施例中，如堆疊三或更多管芯或管芯為較薄的具體實施例中，希望減少該間隔物的大小使得該電線導(dǎo)線的連接點可更朝該管芯的中心移動以減少在該電線導(dǎo)線的機械應(yīng)力。
圖12說明在封裝130及錫球132已形成之后的圖11a的堆疊管芯組100。該封裝130為介電材料，其包圍該管芯112、114以提供免于損傷及環(huán)境影響的保護。該錫球132提供接附該堆疊管芯組至如印刷電路板的方法。接著執(zhí)行該堆疊管芯組的單顆化以完成加工。
表1及2分別說明單管芯組合及堆疊管芯組的管芯擬電特征。圖13為堆疊管芯組寄生之示意圖標。
表1

表2

每一個表列出該數(shù)據(jù)線路及地址/控制線路的最小、平均、及最大封裝寄生阻抗(R)、電感(L)、及電容(C)。如所示，該單管芯組合具范圍自約0.17至約0.22Ω的封裝寄生阻抗，范圍自約0.25至約3.93nH的電感，及范圍自約0.27至約0.36pF的電容。為進行比較，該堆疊管芯組具范圍自約0.42至約0.63Ω的封裝寄生阻抗，范圍自約4.02至約6.51nH的電感，及范圍自約6.46至約8.79pF的電容。因為對線路長度及寬度的固有依存性，所敘述值可顯著變化。該長度一般由芯片寬度定義，該路線寬度可根據(jù)RDL設(shè)計容量及根據(jù)所欲電特征而調(diào)整。
表3及表4顯示各種RDL路線幾何(100微米/50微米/20微米寬路線)及額外介電體層(5微米WPR)的影響。如可見，減少的路線寬度導(dǎo)致電容的減少，此是因為耦合至下方芯片金屬化的較小面積，電感未顯著增加，因為僅為該路線寬度的二級依存性，該減少的路線寬度導(dǎo)致該總封裝阻抗的RDL部份的增加阻抗。對較小RDL路線寬度，如20微米，具特殊芯片保險絲處理以調(diào)整總封裝+芯片阻抗為有利的。
如可由表4所見，額外介電體亦貢獻電容減少，此系由RDL及芯片金屬化間的較大距離及因而減少的耦合而引起。該選擇性的介電體具提供減少的電容及同時保持電感及特別是阻抗于所欲較低值的優(yōu)點。
表3

表4

而且，對數(shù)據(jù)線路在上方管芯及下方管芯間的電感不匹配少于約0.52nH及對地址/控制線路系少于約0.8nH。已模擬CK/NCK信號線路的電感不匹配為少于約0.15nH每管芯。
表5比較對2×512M DDR2存儲器單管芯組合及堆疊管芯組的管芯擬熱特征，該表說明兩種形式襯底1s0p襯底及2s2p襯底的預(yù)期熱特征。在兩種情況，該堆疊管芯組提供θJA的些微較低值，該值系得自根據(jù)JEDEC標準JESD 51的熱阻抗模擬。該表顯示與單管芯封裝相較，該堆疊管芯封裝具相同、或甚至些微更佳，熱性能每標稱總功率封裝，此系由與單管芯封裝相較，些微更高數(shù)目的球(亦即額外管芯選擇球)及些微較大組件寬度所引起。該間隔物亦包括硅之事實，貢獻至該堆疊管芯封裝的高度平衡熱行為。
表5

雖然已詳細敘述本發(fā)明特別具體實施例，要了解本發(fā)明并不對應(yīng)地在范圍受限，而是包括所有來自所附權(quán)利要求精神及條款的變化、修改、及相當。例如，可修改或變更所使用材料形式，可修改重新分配層的配置，可變更在管芯上的接合焊盤位置，可變更在襯底上的接點，及類似變更。據(jù)此，要了解本發(fā)明可延伸至其它結(jié)構(gòu)及材料，及因而，該專利說明書及附圖要認為是說明而非限制觀點。
權(quán)利要求
1.一種包括多個位于一封裝內(nèi)的存儲器的的組合，該組合包括一襯底，其包含形成于其表面的數(shù)個接觸墊；第一存儲器管芯，其具有第一側(cè)及第二側(cè)，該第二側(cè)面對該襯底的表面，該第一存儲器管芯具有至少兩個形成于其中的存儲器數(shù)組部分，該第一側(cè)包括多個形成于該存儲器數(shù)組部分間的中央?yún)^(qū)域的接合焊盤，該第一存儲器管芯更包括含有重新路由線路的重新分配層，該重新路由線路電耦合該接合焊盤以便在該第一存儲器管芯的周圍區(qū)域中重新路由接合焊盤；第一多個電線，其將該第一半導(dǎo)體裝置的重新路由接合焊盤電耦接至該襯底的接觸墊；第二存儲器管芯，其具有第一側(cè)及第二側(cè)，該第二側(cè)面對該襯底的表面，該第二存儲器管芯具有至少兩個形成于其中的存儲器數(shù)組部分，該第一側(cè)包括多個形成于該存儲器數(shù)組部分間的中央?yún)^(qū)域的接合焊盤，該第二存儲器管芯進一步包括含有重新路由線路的重新分配層，該重新路由線路電耦合該接合焊盤以便在該第二存儲器管芯的周圍區(qū)域中重新路由接合焊盤；第二多個電線，其將該第二半導(dǎo)體裝置的重新路由接合焊盤電耦接至該襯底的接觸墊，其中超過一半的該第二多個電線乃電耦合至一重新路由接合焊盤，其乃電耦合至該第一多個電線中的其中一個。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合，其中該第一存儲器管芯在結(jié)構(gòu)上與該第二存儲器管芯相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的組合，其中該第一及第二存儲器管芯包括動態(tài)隨機存取存儲器裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的組合，其中該第一及第二存儲器管芯包括雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機存取存儲器裝置，每一個存儲器裝置包括至少512兆位存儲器單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組合，其中，對該第一及第二存儲器管芯而言，該接合焊盤乃放置于平行于穿過該裝置中央?yún)^(qū)域的中間線路的左列及右列，在該左列中的每一個接合焊盤乃位于該中間線路的左邊及在該右列中的每一個接合焊盤乃位于該中間線路的右邊，其中該重新分配層自右側(cè)越過該中間線路而將多個接合焊盤路由至在該存儲器管芯左側(cè)的相對應(yīng)重新路由接合焊盤及亦自該左列越過該中間線路而將多個接合焊盤路由至在該存儲器管芯右側(cè)的相對應(yīng)重新路由接合焊盤。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組合，其中該第一及第二存儲器管芯的每一重新分配層包括地線面，該地線面包括在大致上圍繞該接合焊盤的周圍區(qū)域中的線路及多個在一些該重新路由線路間的地線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的組合，其中多個接合焊盤包括數(shù)據(jù)輸入/輸出接合焊盤，其中該多個地線乃圍繞著一些但并非所有該重新路由線路，及其中該多個地線乃在電耦合至該數(shù)據(jù)輸入/輸出接合焊盤的該重新路由線路間運行。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的組合，其中該第一存儲器管芯的該重新分配層包括第一組的一或更多地線面及其中該第二存儲器管芯的該重新分配層包括第二組的一或更多地線面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組合，其中該第一組及第二組各自實質(zhì)上地分別圍繞在該第一存儲器管芯及該第二存儲器管芯上的該接合焊盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組合，其中該第一地線面及第二地線面的各自包括與多個該重新路由線路的左側(cè)及右側(cè)相鄰的地線。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的組合，其中，對該第一及第二存儲器管芯而言，該重新路由接合焊盤包括自該存儲器管芯的一邊緣朝該存儲器管芯的中央?yún)^(qū)域延伸的加長接合焊盤，其中該第一多個電線乃接附于在較接近該邊緣的該重新路由接合焊盤的一部份上的該重新路由接合焊盤，且其中該第二多個電線乃接附于較接近該中央?yún)^(qū)域的該重新路由接合焊盤的一部份上的該重新路由接合焊盤。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的組合，其中該第一及第二存儲器管芯的該重新分配層包括多層結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的組合，其中重新分配層包括鈦層；形成于該鈦層的銅層；形成于該銅層的鎳層；及形成于該鎳層的金層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合，其進一步包括配置于該第一存儲器管芯及第二存儲器管芯間的間隔物。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的組合，其中該第一存儲器管芯及該第二存儲器管芯皆形成于一硅襯底上及其中該間隔物包括硅間隔物。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合，其中該襯底包括形成于該襯底內(nèi)部的至少一個接線層，該接線層將該接觸墊電耦合至在該襯底第二表面的傳導(dǎo)球。
17.一種半導(dǎo)體裝置，其包括一種集成電路芯片，其包括形成于一半導(dǎo)體襯底的主動電路及電耦合至該主動電路組件的接合焊盤；一保護層，其位于該集成電路芯片上方且使得接合焊盤露出，該接合焊盤設(shè)置于在該集成電路芯片內(nèi)部區(qū)域的第一線路的左側(cè)及右側(cè)；及形成于該保護層上的重新分配層，該重新分配層包括多個重新路由線路，每一重新路由線路將在該內(nèi)部區(qū)域的接合焊盤電耦接至在該集成電路芯片周圍區(qū)域中相對應(yīng)的一重新路由接合焊盤，其中該重新分配層自右側(cè)而越過該第一條線路以將多個接合焊盤電耦接至在該集成電路芯片左側(cè)的相對應(yīng)重新路由接合焊盤及亦自左側(cè)而越過該第一條線路以將多個接合焊盤電耦接至在該集成電路芯片右側(cè)的相對應(yīng)重新路由接合焊盤。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中該集成電路包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中該保護層由聚硫亞胺形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中該接合焊盤形成于沿著該保護層中央?yún)^(qū)域向下運行的兩列中，每一列包括至少30個接合焊盤。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中該重新分配層包括多層結(jié)構(gòu)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置，其中重新分配層包括形成于該保護層的鈦層；形成于該鈦層的銅層；形成于該銅層的鎳層；及形成于該鎳層的金層。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中該重新分配層包括地線面。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體裝置，其中該地線面包括大致上圍繞該重新路由接合焊盤的傳導(dǎo)線路。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，其中該地線面進一步包括配置于電耦合至該集成電路的數(shù)據(jù)線路的該重新路由線路中的數(shù)個重新路由線路間的地線。
26.一種半導(dǎo)體裝置，其包括一種集成電路芯片，其包括形成于一半導(dǎo)體襯底中的主動電路及電耦合至該主動電路組件的接合焊盤；一保護層，其位于該集成電路芯片上方并使該接合焊盤裸露，該接合焊盤設(shè)置在該集成電路芯片的一內(nèi)部區(qū)域中；形成于該保護層上的重新分配層，該重新分配層具重新路由線路，該重新路由線路把位于該半導(dǎo)體管芯內(nèi)部區(qū)域的接合焊盤電耦接至在該集成電路芯片周圍區(qū)域中的重新路由接合焊盤；及形成于該保護層上的地線面，該地線面包括大致上圍繞該重新路由接合焊盤的線路及介于一些該重新路由線路間的多個地線。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置，其中該多個地線是介于一些但并非所有該重新路由線路間。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置其中該集成電路芯片包括DRAM。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體裝置，其中該集成電路芯片包括雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM及其中該多個接合焊盤包括數(shù)據(jù)輸入/輸出接合焊盤。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體裝置，其中該多個地線介于一些但并非所有該重新路由線路間，及其中該多個地線介于耦合至該數(shù)據(jù)輸入/輸出接合焊盤的該重新路由線路間。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體裝置，其中該接合焊盤設(shè)于左列及右列，所述的左列與右列平行于該集成電路芯片內(nèi)部區(qū)域的中間線路，在該左列的每一個接合焊盤乃位于該中間線路的左邊及在該右列的每一個接合焊盤系位于該中間線路的右邊，及其中至少一些該重新路由線路自右列而越過該中間線路而把該多個接合焊盤電耦接至在該集成電路芯片左側(cè)的相對應(yīng)重新路由接合焊盤，且一些其它該重新路由線路自該左列而越過該中間線路將該接合焊盤電耦接至在該集成電路芯片右側(cè)的相對應(yīng)重新路由接合焊盤。
32.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置，其中重新分配層包括形成于該保護層的鈦層；形成于該鈦層的銅層；形成于該銅層的鎳層；及形成于該鎳層的金層。
33.一種堆疊管芯組，包括襯底；位于該襯底上的第一管芯，該第一管芯具有第一側(cè)及面對該襯底的第二側(cè)，該第一管芯的該第一側(cè)具有形成于其上的重新分配層，該重新分配層包括重新路由線路以便自內(nèi)部區(qū)域重新路由多個接合焊盤至在周圍區(qū)域的重新路由接合焊盤，及該第一管芯的該第一側(cè)具有大致上圍繞該周圍區(qū)域的地線面及至少一些該重新路由線路；及位于該第一管芯上的第二管芯，該第二管芯具有第一側(cè)及面對該第一管芯的第二側(cè)，該第二管芯的該第一側(cè)具有形成于其上的重新分配層，該重新分配層包括重新路由線路以便自內(nèi)部區(qū)域重新路由多個接合焊盤至在周圍區(qū)域的重新路由接合焊盤，及該第一管芯的該第一側(cè)具大致上圍繞該周圍區(qū)域的地線面及至少一些該重新路由線路。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的堆疊管芯組，其中該第一管芯及該第二管芯包括DRAM半導(dǎo)體裝置。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的堆疊管芯組，其中該第一管芯及該第二管芯的重新分配層皆包括形成于該管芯的保護層上的鈦層；形成于該鈦層上的銅層；形成于該銅層上的鎳層；及形成于該鎳層上的金層。
36.根據(jù)權(quán)利要求33所述的堆疊管芯組，其中該地線面包括在數(shù)據(jù)線路間的多個地線。
37.根據(jù)權(quán)利要求33所述的堆疊管芯組，其中該第一管芯及該第二管芯的至少一個重新分配層會自該左側(cè)或該右側(cè)而重新路由接合焊盤至另一側(cè)。
38.根據(jù)權(quán)利要求33所述的堆疊管芯組，其進一步包括一或更多堆疊于該第二管芯的額外管芯。
39.根據(jù)權(quán)利要求33所述的堆疊管芯組，其中該第二管芯的尺寸為使得該第二管芯不會覆蓋第一管芯的重新路由接合焊盤的尺寸。
40.根據(jù)權(quán)利要求33所述的堆疊管芯組，其進一步包括設(shè)置于該第一管芯及該第二管芯間的間隔物。
41.一種堆疊管芯組，包括襯底；位于該襯底上的第一管芯，該第一管芯具有頂部側(cè)及底部側(cè)，該頂部側(cè)具有形成于該第一管芯的內(nèi)部區(qū)域的接合焊盤且具有自內(nèi)部區(qū)域而重新路由接合焊盤至在該第一管芯周圍區(qū)域的重新路由接合焊盤的重新分配層，而該第一管芯的第二側(cè)乃面對該襯底；及位于該第一管芯上的第二管芯，該第二管芯具有第一側(cè)及第二側(cè)，該第二管芯的該第一側(cè)具有在該第二管芯的內(nèi)部區(qū)域的接合焊盤且具有自該內(nèi)部區(qū)域而重新路由接合焊盤至在該第二管芯周圍區(qū)域的重新路由接合焊盤的重新分配層，且該第二管芯的第二側(cè)乃面對該襯底；其中該第一管芯及該第二管芯的至少一其一的至少一個接合焊盤會自該左側(cè)或該右側(cè)重新路由至另一側(cè)。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的堆疊管芯組，其中該第一管芯及該第二管芯包括DRAM半導(dǎo)體裝置。
43.根據(jù)權(quán)利要求41所述的堆疊管芯組，其中該第一管芯及該第二管芯的重新分配層皆包括形成于該管芯的保護層的鈦層；形成于該鈦層的銅層；形成于該銅層的鎳層；及形成于該鎳層的金層。
44.根據(jù)權(quán)利要求41所述的堆疊管芯組，其中該第一管芯及該第二管芯的重新分配層皆包括具有設(shè)于數(shù)據(jù)重新路由線路間的多個地線的地線面。
45.根據(jù)權(quán)利要求41所述的堆疊管芯組，其進一步包括一或更多堆疊于該第二管芯的額外管芯。
46.根據(jù)權(quán)利要求41所述的堆疊管芯組，其中該第二管芯的尺寸為使得該第二管芯不會覆蓋該第一管芯的重新路由接合焊盤的尺寸。
47.根據(jù)權(quán)利要求41所述的堆疊管芯組，其進一步包括放置于該第一管芯及該第二管芯間的間隔物。
48.一種堆疊管芯組，包括襯底，其包括設(shè)于該襯底頂部表面周圍的接觸墊，每一個接觸墊乃電耦合至在該襯底底部表面的導(dǎo)體；多個垂直堆疊于該襯底的相同管芯，每一個管芯具有形成于頂部側(cè)的重新分配層，該重新分配層具多個傳導(dǎo)線路以將位于該內(nèi)部區(qū)域列的多個接合焊盤重新路由至在周圍區(qū)域的重新路由接合焊盤，該重新分配層具有包括將對應(yīng)于數(shù)據(jù)線路的該傳導(dǎo)線路分開的地線；對每一對相鄰的管芯而言都有設(shè)置于該兩個管芯間的一間隔物；及多個連結(jié)電線，每一個連結(jié)電線將該重新路由接合焊盤的其中一個電耦接至在該襯底的一相對應(yīng)接觸墊。
49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的堆疊管芯組，其中該管芯包括DRAM半導(dǎo)體管芯。
50.根據(jù)權(quán)利要求48所述的堆疊管芯組，其中該地線面進一步包括大致上圍繞該接合焊盤的地線。
51.根據(jù)權(quán)利要求48所述的堆疊管芯組，其中該重新分配層自該左側(cè)重新路由多個接合焊盤至該右側(cè)及自該右側(cè)重新路由多個接合焊盤至該左側(cè)。
52.根據(jù)權(quán)利要求48所述的堆疊管芯組，其中該重新路由墊包括加長墊，及其中在該重新路由墊上的連結(jié)電線的位置乃與該墊和該襯底的距離有關(guān)。
53.一種形成堆疊管芯組的方法，該方法包括提供具有形成于頂部表面的接點的襯底；將第一管芯的底部側(cè)放置于該襯底的頂部表面，該第一管芯具有擁有重新分配層的頂部側(cè)，該重新分配層包括將位于在內(nèi)部區(qū)域的第一間隙的右側(cè)及左側(cè)的接合焊盤重新分配至在周圍區(qū)域中的相對應(yīng)重新路由接合焊盤的傳導(dǎo)線路；放置間隔物于該第一管芯上；將第二管芯的底部側(cè)放置于該間隔物上，該第二管芯具有擁有重新分配層的第一側(cè)，該重新分配層包括將位于在內(nèi)部區(qū)域的第一間隙的右側(cè)及左側(cè)的接合焊盤重新分配至在周圍區(qū)域中的相對應(yīng)重新路由接合焊盤的傳導(dǎo)線路；及自該第一管芯及該第二管芯的該重新路由接合焊盤電耦合電線導(dǎo)線至該接點。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中電耦合步驟是由電線連結(jié)執(zhí)行。
55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的方法，其中該電線連結(jié)系進一步執(zhí)行至相關(guān)于該第一管芯的連結(jié)的該第二管芯內(nèi)部。
56.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中該第一管芯與該第二管芯在結(jié)構(gòu)上為相同的。
57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中該第一及第二管芯包括動態(tài)隨機存取存儲器裝置。
58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法，其中該第一及第二管芯包括雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機存取存儲器裝置，每一個存儲器裝置包括至少512兆位存儲器單元。
59.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中，對該第一及第二管芯而言，該接合焊盤乃放置于平行于穿過該內(nèi)部區(qū)域的中間線路的左列及右列，在該左列中的每一個接合焊盤乃位于該中間線路的左邊及在該右列中的每一個接合焊盤乃位于該中間線路的右邊，其中該重新分配層系自右列越過該中間線路布線多個接合焊盤至在該半導(dǎo)體裝置左側(cè)的相對應(yīng)重新路由接合焊盤及亦自該左列越過該中間線路布線多個接合焊盤至在該半導(dǎo)體裝置右側(cè)的相對應(yīng)重新路由接合焊盤。
60.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中該第一及第二管芯的每一重新分配層包括地線面，該地線面包括在大致上圍繞該重新路由接合焊盤的線路及圍繞一些該重新路由線路的地線。
61.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中多個接合焊盤包括數(shù)據(jù)輸入/輸出接合焊盤，其中該多個接合焊盤乃圍繞著一些但并非所有該重新路由線路，及其中該多個地線乃圍繞電耦合至該數(shù)據(jù)輸入/輸出接合焊盤的該重新路由線路。
62.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中該第一管芯的該重新分配層包括第一地線面及其中該第二管芯的該重新分配層包括第二地線面。
63.根據(jù)權(quán)利要求62所述的方法，其中該第一地線面及該第二地線面的各包括一條大致上圍繞該重新路由接合焊盤的線路。
64.根據(jù)權(quán)利要求62所述的方法，其中該第一地線面及該第二地線面的各包括鄰接于該多個傳導(dǎo)線路的左側(cè)及右側(cè)的地線。
65.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中，對該第一及第二管芯而言，該重新路由接合焊盤包括自該管芯的一個邊緣朝該管芯的內(nèi)部區(qū)域延伸的加長接合焊盤，其中電耦合電線導(dǎo)線包括對該第一管芯而言，將電線接附至在較接近該第一管芯邊緣的該重新路由接合焊盤的一部份上的該重新路由接合焊盤；及對該第二管芯而言，將電線接附至在較接近該第二管芯內(nèi)部區(qū)域的該重新路由接合焊盤的一部份上的該重新路由接合焊盤。
66.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中該第一及第二管芯的該重新分配層包括多層結(jié)構(gòu)。
67.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，其中重新分配層包括鈦層；形成于該鈦層的銅層；形成于該銅層的鎳層；及形成于該鎳層的金層。
68.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中該第一管芯及該第二管芯皆形成于一硅襯底上及其中該間隔物包括硅間隔物。
69.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中該襯底包括形成于該襯底內(nèi)部的至少一個接線層，該接線層電耦合該接觸墊至在該襯底第二表面的傳導(dǎo)球。
70.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中將該第一管芯設(shè)于該襯底上的步驟包括以膠帶粘著該第一管芯至該襯底。
71.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中將該第一管芯設(shè)于該襯底上的步驟包括印粘著劑于該襯底并將該第一管芯置于該粘著劑。
72.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中自該第一管芯及該第二管芯的該重新路由接合焊盤電耦合電線導(dǎo)線至形成于該襯底的接點的步驟包括在放置該間隔物于該第一管芯前，先電耦合來自該第一管芯的該重新路由接合焊盤的電線導(dǎo)線，并在放置該第二管芯于該間隔物后電耦合來自該第二管芯的該重新路由接合焊盤的電線導(dǎo)線。
73.一種形成堆疊管芯組的方法，該方法包括提供具有形成于其頂部表面的接點的襯底；將第一管芯的底部側(cè)放置于該襯底的頂部表面，該第一管芯具有擁有重新分配層的頂部側(cè)，該重新分配層包括將位在內(nèi)部區(qū)域的第一間隙的右側(cè)及左側(cè)的接合焊盤重新分配至在周圍區(qū)域中的相對應(yīng)重新路由接合焊盤的傳導(dǎo)線路；將第二管芯的底部側(cè)放置于間隔物上，該第二管芯具有擁有重新分配層的第一側(cè)，該重新分配層包括將位在內(nèi)部區(qū)域中的第一間隙的右側(cè)及左側(cè)的接合焊盤重新分配至在周圍區(qū)域的相對應(yīng)重新路由接合焊盤的傳導(dǎo)線路；及自該第一管芯及該第二管芯的該重新路由接合焊盤電耦合電線導(dǎo)線至該接點，其中該第一管芯的尺寸與該第二管芯的尺寸不同及該第二管芯乃位于該第一管芯上以使得該第一管芯的該重新路由接合焊盤不會被該第二管芯覆蓋。
74.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其中電耦合步驟乃由電線連結(jié)執(zhí)行。
75.根據(jù)權(quán)利要求74所述的方法，其中該電線連結(jié)乃進一步執(zhí)行至相關(guān)于該第一管芯的連結(jié)的該第二管芯內(nèi)部。
76.根據(jù)權(quán)利要求74所述的方法，其中該第一管芯與該第二管芯的至少其一包括動態(tài)隨機存取存儲器裝置。
77.根據(jù)權(quán)利要求76所述的方法，其中該第一及第二管芯的至少其一包括雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機存取存儲器裝置，每一存儲器裝置包括至少512兆位存儲器單元。
78.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其中，對該第一及第二管芯而言，該接合焊盤皆設(shè)于平行于穿過該內(nèi)部區(qū)域的中間線路的左列及右列，在該左列的每一接合焊盤乃位于該中間線路的左邊且在該右列的每一接合焊盤乃位于該中間線路的右邊，其中該重新分配層自右列而越過該中間線路以將多個接合焊盤路由至在該半導(dǎo)體裝置左側(cè)的相對應(yīng)重新路由接合焊盤，且亦自該左列而越過該中間線路以將多個接合焊盤路由至在該半導(dǎo)體裝置右側(cè)的相對應(yīng)重新路由接合焊盤。
79.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其中該第一及第二管芯的每一重新分配層包括地線面，該地線面包括大致上圍繞該重新路由接合焊盤的線路及圍繞著一些該重新路由線路的多個地線。
80.根據(jù)權(quán)利要求79所述的方法，其中該多個接合焊盤包括數(shù)據(jù)輸入/輸出接合焊盤，其中該多個地線圍繞一些但并非所有該重新路由線路，且其中該多個地線圍繞著電耦合至該數(shù)據(jù)輸入/輸出接合焊盤的該重新路由線路。
81.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其中該第一管芯的該重新分配層包括第一地線面及其中該第二管芯的該重新分配層包括第二地線面。
82.根據(jù)權(quán)利要求81所述的方法，其中該第一地線面及該第二地線面的各包括一條大致上圍繞著該重新路由接合焊盤的線路。
83.根據(jù)權(quán)利要求82所述的方法，其中該第一地線面及該第二地線面各包括相鄰于多個該傳導(dǎo)線路的左側(cè)及右側(cè)的地線。
84.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其中，對該第一及第二管芯而言，該重新路由接合焊盤包括自該管芯的一邊緣朝該管芯的內(nèi)部區(qū)域延伸的加長接合焊盤，其中電耦合電線導(dǎo)線包括對該第一管芯而言，將電線接附至位在較接近該第一管芯邊緣的該重新路由接合焊盤的一部份上的該重新路由接合焊盤；及對該第二管芯而言，將電線接附至位在較接近該第二管芯內(nèi)部區(qū)域的該重新路由接合焊盤的一部份上的該重新路由接合焊盤。
85.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其中該第一及第二管芯的該重新分配層包括多層結(jié)構(gòu)。
86.根據(jù)權(quán)利要求85所述的方法，其中重新分配層包括鈦層；形成于該鈦層的銅層；形成于該銅層的鎳層；及形成于該鎳層的金層。
87.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其中該第一管芯及該第二管芯皆形成于一硅襯底上及其中該間隔物包括硅間隔物。
88.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其中該襯底包括至少一個形成于該襯底內(nèi)部的接線層，該接線層將該接觸墊電耦接至在該襯底第二表面上的傳導(dǎo)球。
89.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其中將該第一管芯設(shè)于襯底上的步驟包括以膠帶將該第一管芯粘至該襯底。
90.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其中將該第一管芯設(shè)于襯底上的步驟包括印粘著劑于該襯底及將該第一管芯置于該粘著劑中。
91.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其中自該第一管芯及該第二管芯的該重新路由接合焊盤電耦合電線導(dǎo)線至形成于該襯底的接點的步驟包括在放置間隔物于該第一管芯前，先電耦接來自該第一管芯的該重新路由接合焊盤的電線導(dǎo)線及在放置該第二管芯于該間隔物后電耦接來自該第二管芯的該重新路由接合焊盤的電線導(dǎo)線。
全文摘要
本案涉及制造堆疊管芯組的裝置及方法，第一管芯乃置于襯底上使得該管芯的背側(cè)，亦即與接合焊盤側(cè)相反的側(cè)，乃耦合至該襯底，較佳地方式為藉由粘著劑。電線導(dǎo)線乃將該第一管芯的接合焊盤電耦接至在該襯底的接點。第二管芯乃置于該第一管芯上，及電線導(dǎo)線乃將該第二管芯的接合焊盤電耦接至在該襯底的接點。較佳地是，在該第一管芯及該第二管芯間設(shè)置間隔物，其它的管芯可堆疊于該第二管芯上。
文檔編號H01L25/18GK1828890SQ200510051890
公開日2006年9月6日 申請日期2005年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月3日
發(fā)明者J·格拉菲, H·赫德勒, J·波赫, J·托馬斯, P·韋茨 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司