專利名稱：厚膜介電材料和導(dǎo)電組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域是線路部件。更具體地說，所述技術(shù)領(lǐng)域包括用于形成介電和導(dǎo)電元件的粉末和糊漿。
相關(guān)技術(shù)無源部件可嵌入在疊合的通過線路互連的印刷線路板內(nèi)層板中。多塊內(nèi)層板的疊合形成一塊印刷線路板。嵌入式電容器需滿足例如可接受的電容密度、低介電損耗、高擊穿電壓和在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)的良好電容穩(wěn)定性的要求。例如，電氣工業(yè)協(xié)會(huì)Z5U規(guī)定要求在10-85℃的溫度范圍內(nèi)電容器的電容量變化不超過±22％，并且電氣工業(yè)協(xié)會(huì)的Y5V規(guī)定要求耗散因數(shù)(Df)小于3％。嵌入元件的物理和電氣性能在很大程度上取決于用于形成部件的介電元件、導(dǎo)電元件和其它元件的材料。
通常選用鈦酸鋇作為用于形成高電容厚膜電解質(zhì)的糊漿的基質(zhì)材料。在部件(例如電容器)中，要求介電層具有高介電常數(shù)(K)，因?yàn)檫@可使電容器尺寸更小。純鈦酸鋇在其居里點(diǎn)(為125℃)具有最大的電容，使得純鈦酸鋇不適合于許多用途。但是加入摻雜劑并結(jié)合高溫加工是常用的使鈦酸鋇基材料的居里點(diǎn)發(fā)生遷移的方法。可選擇摻雜劑的具體用量和/或化學(xué)性能使其居里點(diǎn)位于所需的位置(例如25℃)，從而使其在室溫或接近室溫的溫度下電容最大。
常規(guī)的摻雜劑，例如鋯酸鋇、氧化鈮和鈦酸鍶，不適用于所有用途，例如在厚膜加工中使用的較低的燒制溫度。例如，帶這種摻雜劑的常規(guī)多層陶瓷電容器常在空氣或還原氣氛中在接近1100-1400℃的峰值溫度下燒結(jié)2小時(shí)或更長。當(dāng)在金屬箔上進(jìn)行燒制時(shí)，常規(guī)的摻雜劑不能有效地用于采用短時(shí)和低溫的基于氮?dú)獾暮衲品绞健?br> 高電容厚膜介電材料(例如糊漿)還受到需要燒結(jié)助劑的限制，在鈦酸鋇中必需加入燒結(jié)助劑以形成良好燒結(jié)的介電材料。但是，常規(guī)的燒結(jié)助劑(玻璃，例如硼硅酸鉛)具有低的介電常數(shù)，加入這種助劑降低了形成的復(fù)合材料的介電常數(shù)。用于常規(guī)形成良好燒結(jié)的介電材料所需的玻璃量常會(huì)造成很低的介電常數(shù)。
導(dǎo)電糊漿用于形成金屬箔上燒制的電容器的電極。厚膜導(dǎo)電糊漿通常含有分散在有機(jī)載體中的金屬粉末組分和玻璃粉末組分。在燒制過程中，金屬粉末燒結(jié)在一起并且玻璃與基片粘結(jié)在一起。燒制在材料基片(例如氧化鋁)上的常規(guī)導(dǎo)電糊漿是為導(dǎo)體性能設(shè)計(jì)的，不是為電極性能設(shè)計(jì)的。因此，糊漿一般比電容器電極所需的更厚，并含有與鈦酸鋇基介電材料在化學(xué)或物理上不相容的玻璃。
概述本發(fā)明的第一方面提供一種燒制的厚膜介電材料，其鈦酸鋇粒度至少為0.5微米。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)例提供一種介電粉末，它包括鈦酸鋇粉末、鋰源和至少一種金屬氟化物粉末，所述金屬氟化物粉末包括氟化鋅粉末和鍺酸鉛玻璃粉末。所述粉末組合物可分散在有機(jī)載體中，形成網(wǎng)印組合物。
本發(fā)明再一個(gè)實(shí)例提供一種銅基電極粉末，它包括銅粉、氧化亞銅粉和鍺酸鉛玻璃粉。所述銅基電極粉末可分散在有機(jī)載體中，形成網(wǎng)印的銅電極組合物。
上述實(shí)例的介電和導(dǎo)電組合物可用于形成線路部件，例如電容器。所述電容器可嵌入在印刷線路板的內(nèi)層板中，而該內(nèi)層板可位于印刷線路板中。所述電容器具有高介電常數(shù)和低耗散因數(shù)。
在閱讀了下列實(shí)例的詳細(xì)描述后，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可了解本發(fā)明的各種其它實(shí)例的上述和其它優(yōu)點(diǎn)以及好處。
附圖簡述所述詳細(xì)描述將參照下列附圖，附圖中同一標(biāo)號(hào)指同一元件，其中

圖1A-1D說明使用本發(fā)明介電糊漿和導(dǎo)電糊漿實(shí)例形成在金屬箔上燒制的電容器的方法。
詳細(xì)描述本發(fā)明涉及(1)高介電常數(shù)厚膜鈦酸鋇基介電粉末和糊漿組合物；(2)導(dǎo)電粉末和糊漿組合物；(3)使用介電糊漿和導(dǎo)電糊漿制劑形成的電容器和其它部件。因此，在本詳細(xì)描述中，公開了高介電常數(shù)厚膜鈦酸鋇基介電粉末和糊漿組合物；還公開了銅厚膜電極粉末和糊漿組合物，并公開了在金屬箔上燒制的線路部件。在本說明書中討論的高介電常數(shù)厚膜鈦酸鋇基介電糊漿組合物和銅厚膜電極糊漿組合物，可用于例如形成在金屬箔上燒制的無源線路部件。所述厚膜鈦酸鋇基介電粉末和糊漿組合物在燒制后用于形成具有高介電常數(shù)(k)的介電材料。
由所述介電糊漿組合物形成的介電材料可以是“厚膜”介電材料，其燒制的介電材料的厚度約為10-60微米。其它實(shí)例的厚度為15-50微米。在一個(gè)實(shí)例中，介電材料的介電常數(shù)在3000的數(shù)量級(jí)，在另一個(gè)實(shí)例中，介電常數(shù)接近5000。所述高介電常數(shù)的介電材料還具有Z5U溫度穩(wěn)定性和低耗散因數(shù)。
由所述介電糊漿組合物形成的介電材料的粒度為0.5-8微米。在本說明書討論的實(shí)例中，術(shù)語“糊漿”一般是指可穩(wěn)定地用于網(wǎng)印的厚膜組合物。本發(fā)明實(shí)例的厚膜糊漿包括細(xì)分的陶瓷顆粒、玻璃顆粒、金屬或其它無機(jī)固體顆粒，其粒度為1微米或更低的數(shù)量級(jí)；“有機(jī)載體”由溶解在分散劑和有機(jī)溶劑中的聚合物組成。下面將詳細(xì)描述具體的糊漿組合物。
下表A說明用于形成30種本發(fā)明介電糊漿實(shí)施例的各種組合物。表中組分的單位為“克”。該表還說明包括用于形成介電糊漿的介電粉末的組分。構(gòu)成粉末的組分是不含溶劑、載體、氧化劑和磷酸鹽濕潤劑的糊漿組分。表1限定了用于實(shí)施例1-30的介電組合物的數(shù)種組分的化學(xué)性能。
表A

表1

在表A中將粉末組分合并以形成高介電常數(shù)的介電粉末混合物。根據(jù)實(shí)施例，高介電常數(shù)厚膜介電糊漿是將高介電常數(shù)粉末混合物分散在載體、溶劑、氧化劑和磷酸鹽濕潤劑中形成的。分散是在三輥研磨機(jī)中進(jìn)行的，形成適合網(wǎng)印的糊漿狀組合物。有機(jī)載體提供良好的施涂性能，例如良好的網(wǎng)印性能。溶劑用于控制粘度，磷酸鹽濕潤劑提高了糊漿的分散質(zhì)量。氧化劑有助于在氮?dú)夥罩袩坪凉{時(shí)燒盡有機(jī)組分。
形成的厚膜介電糊漿適合在厚膜燒制條件下進(jìn)行燒制。上述介電糊漿可用于形成部件，例如電容器和其它部件。下面將參照?qǐng)D1A-1D詳細(xì)描述使用本發(fā)明糊漿組合物形成在金屬箔上燒制的電容器的方法。
在實(shí)施例1-30中，厚膜玻璃組分對(duì)鈦酸鋇是惰性的，它用于凝聚地將組分粘附在一起，以及將其粘附在基片上。選擇加入組合物的玻璃量從而不會(huì)過分降低鈦酸鋇的介電常數(shù)。組成為Pb5Ge3O11的鍺酸鉛(表1中的玻璃A)是一種鐵電玻璃，其介電常數(shù)約為150?？啥考尤腈N酸鉛玻璃以形成良好燒結(jié)的復(fù)合物，而不會(huì)過分降低最終鈦酸鋇復(fù)合物的介電常數(shù)。改性的鍺酸鉛也是適用的。例如，可用大離子半徑的二價(jià)陽離子(例如鋇)部分取代鉛。鍺也可用小離子半徑的四價(jià)陽離子(例如如玻璃B-D那樣用硅、鋯和/或鈦)部分取代。
純鈦酸鋇的最大電容在其居里點(diǎn)(為125℃)。使用摻雜劑將該居里點(diǎn)移至室溫(25℃)或接近室溫，并促進(jìn)鈦酸鋇晶粒生長。晶粒生長形成具有尖銳電容溫度系數(shù)(TTC)的高介電常數(shù)?？深A(yù)先摻雜糊漿的鈦酸鋇，或者在糊漿中分別加入摻雜劑。如表A所示，根據(jù)選定的現(xiàn)有實(shí)例，將少量鋰鹽居里點(diǎn)遷移劑與氟化鋅組合在一起來遷移居里點(diǎn)并增強(qiáng)晶粒生長，從而提高室溫介電常數(shù)k。在實(shí)施例4-30中使用鋰鹽。
在實(shí)施例18、19和21-26中，將氟化鋅與其它氟化物相混合，以及與銅導(dǎo)電糊漿A-C一起獲得特定的性能。加入其它添加劑以獲得特定的性能。例如，氧化鋯(用于實(shí)施例1、8-17和20-26)用于改進(jìn)對(duì)(常用于印刷線路板工業(yè)的)蝕刻浴的耐受性。表B列出了用于形成電容器時(shí)介電組合物的最終物理和電氣性能。下面將詳細(xì)討論表B。
表B

可使用導(dǎo)電糊漿形成在金屬箔上燒制的電容器的電極。應(yīng)選擇電極材料使介電電容器的性能最佳化。因此，在燒制過程中電極應(yīng)發(fā)生與介電材料相容的物理或化學(xué)變化(例如在燒結(jié)過程中同步收縮)。另外，應(yīng)選擇燒結(jié)過程中的化學(xué)相互作用，使電氣性能最佳化。導(dǎo)電糊漿在介電材料上應(yīng)具有良好的覆蓋度以提供高電容，并且應(yīng)與介電材料良好粘合以提供良好的耗散因數(shù)。其它要求包括與介電材料共燒制的性能以及能施涂成很薄的層。表2說明本發(fā)明銅基導(dǎo)電糊漿A、B、C、D和E的5個(gè)實(shí)例。列出的組分的單位為“克”。銅基糊漿組合物A-E是對(duì)各糊漿的組分進(jìn)行輥研磨而制得的。
表2

銅糊漿組合物在燒制過程中燒結(jié)。所需的燒結(jié)溫度由金屬基片的熔點(diǎn)、電極的熔融溫度和燒制過程中存在的相鄰層的化學(xué)和物理特性所決定。例如，如果使用介電糊漿和導(dǎo)電糊漿形成電容器，則可使用一層相鄰介電層的化學(xué)和物理性能來決定介電糊漿所需的燒結(jié)溫度。
在上述實(shí)例中，可選用在燒制過程中的燒制溫度和峰值溫度下的時(shí)間，以使介電材料最大密實(shí)，并獲得需要從介電組合物所含摻雜劑得到的特殊性能。高密實(shí)通過消除孔隙導(dǎo)致高介電常數(shù)。如果將一個(gè)電容器嵌入印刷線路板并用環(huán)氧樹脂包封，則能夠提供足以承受嵌入加工所需的物理性能的密度是可接受的。上述介電組合物和導(dǎo)電組合物可在氮?dú)夥罩性诩s800-1050℃之間的峰值溫度燒制。在峰值溫度的時(shí)間可由10分鐘至超過30分鐘。通常，燒制周期是在900℃的峰值溫度放置約10分鐘，在燒制爐中的時(shí)間總共為1小時(shí)。
本說明書討論的線路部件可采用在金屬箔上燒制技術(shù)形成。圖1A-1D給出了一種在金屬箔上燒制的電容器結(jié)構(gòu)200的制造方法，這種方法是用上述介電糊漿和導(dǎo)電糊漿實(shí)施的。圖1A是電容器結(jié)構(gòu)200制造方法第一步的正視圖。在圖1A中，通過施涂和燒制下層線路(underprint)212而預(yù)處理銅金屬箔210從而形成第一電極。所述下層線路212是如下制得的透過一個(gè)400目篩網(wǎng)網(wǎng)印形成1.75×1.75cm見方的導(dǎo)電糊漿層，在空氣中在烘箱內(nèi)將該糊漿在120℃干燥10分鐘，在氮?dú)夥罩性?00℃燒制該銅金屬箔，在峰值溫度放置的時(shí)間為10分鐘。
將一介電糊漿網(wǎng)印在預(yù)處理的銅金屬箔210的下層線路區(qū)上，從而使介電區(qū)包容在下層線路區(qū)之中。所述介電糊漿是通過一個(gè)230目篩網(wǎng)網(wǎng)印的，形成面積為1.25×1.25cm的介電層220，隨后將第一介電層220在空氣中在烘箱內(nèi)在120℃干燥10分鐘。參見圖1B，施涂第二介電層225并干燥之。兩層干燥的介電層的總厚度約為30微米。
參見圖1C，在第二介電層225上網(wǎng)印一導(dǎo)電糊漿形成第二電極即頂電極230。第二電極230的尺寸為0.9×0.9cm。在某些情況下，第二電極是采用與形成下層線路212相同的糊漿制得的。在其它情況下，第二電極的組成不同于下層線路212的組成。接著將形成的制品在空氣中在120℃干燥10分鐘，隨后在氮?dú)夥罩性?00℃燒制，在峰值溫度的時(shí)間為10分鐘。得到的電容器200如圖1D所示。在燒制過程中，介電糊漿的玻璃組分發(fā)生軟化并流動(dòng)，凝聚并包封鈦酸鋇，形成燒制的介電材料228。介電材料228的燒制厚度為20-24微米，第二電極230的燒制厚度為3-5微米。
使用圖1A-1D給出的方法，通過形成電容器對(duì)表A給出的介電糊漿組合物的實(shí)施例1-30和表2給出的電極糊漿組合物A-E進(jìn)行評(píng)價(jià)。使用惠普4262A LCR儀在1KHz和10KHz試驗(yàn)電容器的電容和耗散因數(shù)(Df)。測(cè)定介電材料的厚度并由下式計(jì)算介電常數(shù)K=C*T0.885*A]]>其中C＝以納法(nF)為單位的電容T＝以微米為單位的厚度A＝以平方厘米為單位的面積0.885＝常數(shù)。
表B給出了由介電糊漿和導(dǎo)電糊漿實(shí)例形成的電容器在10kHz試驗(yàn)的物理性能和電氣性能。使用惠普4278A LCR儀在-55℃至125℃范圍內(nèi)的多個(gè)溫度點(diǎn)試驗(yàn)電容以確定居里點(diǎn)位置。表B中的數(shù)據(jù)表明，使用鈦酸鋇和特定的摻雜劑組合并結(jié)合特定的電極和下層線路組成可獲得高介電常數(shù)。該組合使居里點(diǎn)接近室溫并生長出大鈦酸鋇晶粒。當(dāng)居里點(diǎn)小于室溫時(shí)觀察到更佳的耗散因數(shù)Df。
鋰源將介電糊漿組合物的居里點(diǎn)遷移至室溫。實(shí)施例1-3說明不使用鋰源(氟化鋰或碳酸鋰)時(shí)，居里點(diǎn)保持在125℃。如實(shí)施例4和5所示，鋰源使居里點(diǎn)遷移。如實(shí)施例6所示，加入氟化鈣使該效應(yīng)弱化，并使居里點(diǎn)僅遷移至105℃。該效應(yīng)可假設(shè)為氟化鈣高熔點(diǎn)的緣故。實(shí)施例7表明定量加入氟化鋇和氟化錳形成低熔點(diǎn)混合物可非常有效地有助于鋰源遷移居里點(diǎn)。因此，在燒制溫度當(dāng)鋰源處于液體狀態(tài)下時(shí)，它對(duì)于遷移居里點(diǎn)是最有效的。但是，在實(shí)施例6和7，鋰源本身或與氟化物的混合物無助于鈦酸鋇晶粒的生長。
如介電材料實(shí)施例8-26所示，使用鋅源可最有效地有助于鈦酸鋇晶粒的生長。鈦酸鋇晶粒生長通過使居里點(diǎn)變尖銳而形成高介電常數(shù)。鋅源對(duì)鈦酸鋇有腐蝕作用，它溶解小顆粒并將其沉積在大顆粒上，從而使鈦酸鋇的平均粒度上升。在上述實(shí)施例中鋅源為氟化鋅。在實(shí)施例10-17中，使用單種氟化鋅以及鋰源，得到高介電常數(shù)。但是，由于氟化鋅的熔點(diǎn)為947℃，因此當(dāng)組合物在900℃燒制時(shí)晶粒生長的效果不是最佳。但是如實(shí)施例18-29所示，當(dāng)用其它氟化物助熔形成低熔點(diǎn)組合物時(shí)，氟化鋅可在900℃非常有效地使鈦酸鋇晶粒生長。結(jié)果，得到非常高的介電常數(shù)。能形成低熔點(diǎn)混合物的有效的氟化物組分包括與鋰源組合的氟化鋇和氟化鋅。
實(shí)施例9、13、16和19給出電容器電極摻雜鎳的效果。在銅糊漿中加入鎳的好處在于它將居里點(diǎn)遷移至更低的溫度。實(shí)施例27和28顯示從下層線路組合物中省略玻璃A和從下層線路組合物和頂層電極組合物中均省略玻璃A的效果。電容和耗散因數(shù)是令人滿意的，居里點(diǎn)向低溫稍有遷移。實(shí)施例29表明從下層線路省略氧化銅的效果。其電氣數(shù)據(jù)是可接受的。但是在實(shí)施例30，當(dāng)從下層線路和頂層電極中省略氧化銅時(shí)，介電常數(shù)明顯下降，耗散因數(shù)明顯上升。
可使用氟化物和鋰源的組合來改變組合物(例如實(shí)施例18)。這些組合物與特定電極組合物結(jié)合具有很低的熔點(diǎn)，和非常高的室溫介電常數(shù)(例如4800)。但是這種組合物具有尖銳的居里峰。如果需要介電常數(shù)具有更平坦的溫度響應(yīng)，可采用低流動(dòng)性摻雜劑組合和/或加入氧化鋯。這些組合物的介電常數(shù)接近3000。氧化鋯還具有附加的優(yōu)點(diǎn)，它能提高介電材料對(duì)用于印刷線路板制造的酸蝕刻劑的耐受性。還可加入其它添加劑，例如氧化鈦，以控制粒徑生長并改進(jìn)抗蝕刻性。通過將居里點(diǎn)置于低溫可對(duì)組合物進(jìn)行改性使之具有低介電常數(shù)以及非常低的耗散因數(shù)。
使用本發(fā)明糊漿和粉末制得的電容器和其它部件及元件適合嵌入在印刷線路板中。例如，圖1D所示的電容器200可疊合在層疊材料上，并蝕刻形成帶嵌入電容器的內(nèi)層板。該內(nèi)層板可疊合在其它內(nèi)層板上形成印刷線路板。
本發(fā)明的上述描述對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明和解釋。另外，該公開的內(nèi)容僅僅顯示和描述本發(fā)明選定的較好實(shí)例，應(yīng)理解本發(fā)明可使用各種其它組合、改進(jìn)并可用于其它環(huán)境中，可在本文所述的本發(fā)明概念的范圍內(nèi)進(jìn)行變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)與上面的教導(dǎo)相當(dāng)和/或在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的常識(shí)范圍內(nèi)。
上面描述的實(shí)例僅僅用于說明已知實(shí)施本發(fā)明的最佳模式，并且用于使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠利用這些和其它實(shí)例并結(jié)合本發(fā)明具體用途所需的各種改進(jìn)來實(shí)踐本發(fā)明。因此，本說明書不是將本發(fā)明限制在上面描述的形式。同時(shí)，所附的權(quán)利要求書包括其它未明確限定在上面詳細(xì)描述中的實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種燒制的在銅金屬箔上的厚膜介電材料，其特征在于所述介電材料的鈦酸鋇粒度至少為0.5微米。
2.如權(quán)利要求1所述的在銅金屬箔上的厚膜介電材料，其特征在于所述介電材料的厚度為10-60微米。
3.如權(quán)利要求1所述的在銅金屬箔上的厚膜介電材料，其特征在于它還包括置于介電材料和銅金屬箔之間的下層線路層。
4.如權(quán)利要求1所述的在銅金屬箔上的厚膜介電材料，其特征在于所述介電材料的居里點(diǎn)為-35℃至45℃的范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的在銅金屬箔上的厚膜介電材料，其特征在于所述介電材料包括鈦酸鋇、氟化鋅、鍺酸鉛以及碳酸鋰和氟化鋰中的至少一種。
6.一種電容器，它包括如權(quán)利要求1所述在銅金屬箔上的厚膜介電材料，所述銅金屬箔構(gòu)成第一電極；和置于所述介電材料上的第二電極。
7.如權(quán)利要求6所述的電容器，其特征在于所述第二電極包括銅、氧化亞銅和鍺酸鉛。
8.一種介電粉末，它包括鈦酸鋇粉末；鋰源和至少一種金屬氟化物粉末，所述金屬氟化物粉末包括氧化鋅粉末；和鍺酸鉛玻璃粉末。
9.如權(quán)利要求8所述的介電粉末，其特征在于所述介電粉末包括73-88重量％鈦酸鋇粉末。
10.如權(quán)利要求9所述的介電粉末，其特征在于所述介電粉末包括1-5重量％的鋰源和至少一種金屬氟化物粉末的混合物。
11.如權(quán)利要求10所述的介電粉末，其特征在于所述鋰源包括至少一種碳酸鋰和氟化鋰。
12.如權(quán)利要求9所述的介電粉末，其特征在于所述介電粉末包括8-25重量％鍺酸鉛玻璃粉末。
13.如權(quán)利要求8所述的介電粉末，它還包括玻璃粉末，該玻璃粉末包括至少一種鋇、鍶、鈣、鋅、鎂和錳。
14.如權(quán)利要求8所述的介電粉末，它還包括玻璃粉末，所述玻璃粉末包括至少一種硅、鋯、鈦和錫。
15.如權(quán)利要求8所述的介電粉末，它還包括氧化鋯粉末，其重量是鍺酸鉛玻璃粉末重量的1/25至1/3。
16.一種網(wǎng)印組合物，它包括分散在有機(jī)載體中如權(quán)利要求8-15中任一項(xiàng)所述的介電粉末組分；溶劑。
17.一種制造電容器的方法，它包括提供一種金屬箔；使用權(quán)利要求8-15中任一項(xiàng)所述的介電粉末在所述金屬箔上形成介電材料；在所述介電材料上形成電極。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于所述介電材料和所述電極是在單個(gè)在氮?dú)猸h(huán)境中的燒制步驟中形成的。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于所述金屬箔是銅金屬箔。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于所述介電材料的厚度為10-60微米；所述介電材料的居里點(diǎn)為-35℃至45℃。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于所述電極是由一種粉末形成的，所述粉末包括銅粉；氧化亞銅粉末和鍺酸鉛玻璃粉末。
22.一種內(nèi)層板，它包括權(quán)利要求6所述的電容器。
23.一種印刷線路板，它包括權(quán)利要求22所述的內(nèi)層板。
24.一種銅基電極粉末，它包括銅粉、氧化亞銅粉末和鍺酸鉛玻璃粉。
25.如權(quán)利要求24所述的電極粉，其特征在于所述電極粉包括84-100重量％的銅粉。
26.如權(quán)利要求25所述的銅基電極粉末，它還包括最多占銅粉1重量％的鎳粉。
27.如權(quán)利要求24所述的電極粉末，其特征在于所述電極粉末包括低于10重量％的氧化亞銅粉末。
28.如權(quán)利要求24所述的電極粉末，其特征在于所述電極粉末包括小于5重量％的鍺酸鉛玻璃粉末。
29.如權(quán)利要求24所述的電極粉末，它包括至少一種鋇、鍶、鈣、鎂、錳和鋅。
30.如權(quán)利要求24所述的電極粉末，它包括至少一種硅、鋯、錫或鈦。
31.一種網(wǎng)印銅電極組合物，它包括分散在有機(jī)載體中的權(quán)利要求24-30中任一項(xiàng)所述的粉末組合物。
全文摘要
提供具有高介電常數(shù)、低損耗正切值和其它所需電氣和物理性能的介電粉末和厚膜糊漿組合物。提供具有所需電氣和物理性能的導(dǎo)電粉和糊漿組合物。所述介電粉末和厚膜糊漿組合物可與所述導(dǎo)電粉末和糊漿組合物組合在一起用于形成電容器和其它在金屬箔上燒制的無源線路部件。
文檔編號(hào)H01G4/33GK1674761SQ20051005484
公開日2005年9月28日 申請(qǐng)日期2005年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月16日
發(fā)明者W·J·保蘭德, A·B·瓊斯三世, O·L·雷努維斯, K·W·漢 申請(qǐng)人:E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司