專利名稱：拋光組合物及拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種例如，用于形成電路基板的導(dǎo)體配線的拋光所需的拋光組合物，及使用了該拋光組合物的拋光方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，伴隨LSI的高速發(fā)展及高集成化，載有IC及晶體管等半導(dǎo)體集約線路板等的電路基板被要求多功能和高功能化。作為電路基板的導(dǎo)體配線的形成方法，正在推廣的是使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)的Damassin方法。在形成導(dǎo)體配線之時(shí)，首先在形成有配線槽(trench)的樹(shù)脂部上，形成至少填埋所述配線槽的導(dǎo)體層。然后，拋光除去至少位于上述配線槽外的導(dǎo)體層部分，露出相鄰配線槽之間的樹(shù)脂部部分。如此，使位于配線槽中的導(dǎo)體層部分中的至少一部分殘留于樹(shù)脂部之上，該殘留的導(dǎo)體層部分用于實(shí)現(xiàn)導(dǎo)體配線的功能。在用于形成導(dǎo)體配線的拋光中，使用了如日本專利特開(kāi)平2003-257910號(hào)公報(bào)所公開(kāi)的拋光組合物。該拋光組合物含有磨料、銅螯合劑、銅蝕刻劑及氧化劑。
為提高用于形成導(dǎo)體配線的拋光效率，重要的是，不僅提高單位時(shí)間的導(dǎo)體層的拋光量(導(dǎo)體層的拋光速度)，且也需提高單位時(shí)間的樹(shù)脂部的拋光量(樹(shù)脂部的拋光速度)。樹(shù)脂部為了維持能提高生產(chǎn)效率的實(shí)用拋光速度，降低拋光墊片的阻塞是非常重要的。然而，日本專利特開(kāi)平2003-257910號(hào)公報(bào)所記載的拋光組合物雖然能夠以較高的拋光效率對(duì)導(dǎo)體層進(jìn)行拋光，但無(wú)法以較高的拋光效率對(duì)樹(shù)脂部進(jìn)行拋光。為此，在用于形成導(dǎo)體配線所作拋光中使用該拋光組合物的話，盡管能夠提高導(dǎo)體層的拋光速度，但不太容易提高樹(shù)脂部的拋光速度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可提高導(dǎo)體層的拋光速度及樹(shù)脂部的拋光速度的拋光組合物。
為達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種拋光組合物，所述拋光組合物用于對(duì)包括具有配線槽的樹(shù)脂部、和設(shè)置于樹(shù)脂部上、以至少填埋配線槽的導(dǎo)體層的拋光對(duì)象物進(jìn)行拋光的用途。該拋光組合物含有氧化鋁、螯合劑、氧化劑及水。
本發(fā)明還提供一種拋光方法。該拋光方法包括配制上述拋光組合物的配制工序、和使用該配制成的拋光組合物、對(duì)上述拋光對(duì)象物進(jìn)行拋光的工序。


圖1及圖2為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的拋光方法的拋光對(duì)象物的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照?qǐng)D1及圖2，說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)。
首先，就形成電路基板的導(dǎo)體配線14(參照?qǐng)D2)的方法進(jìn)行說(shuō)明。
在形成電路基板14時(shí)，首先，如圖1所示，在設(shè)于基板10之上、具有配線槽12的絕緣性樹(shù)脂層11(樹(shù)脂部)上形成導(dǎo)體層13?；?0由例如陶瓷或金屬構(gòu)成。樹(shù)脂層11可由玻璃環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、紙質(zhì)環(huán)氧樹(shù)脂、貝克萊特酚醛樹(shù)脂中的任一種形成。配線槽12由例如已知的石版印刷技術(shù)及圖案蝕刻技術(shù)形成，以使其具有所定的設(shè)計(jì)圖案。導(dǎo)體層13設(shè)置于樹(shù)脂層11之上，以至少填埋配線槽12。導(dǎo)體層13由例如PVD、CVD方法或電鍍形成，由銅、銅—鋁合金、銅—鈦合金等的含銅材料構(gòu)成。
然后，拋光除去至少位于配線槽12外的導(dǎo)體層13部分，以露出相鄰配線槽12相互之間的樹(shù)脂層11部分。如此，使位于配線槽12中的導(dǎo)體層13部分中的至少一部分殘留于樹(shù)脂層11之上，該殘留的導(dǎo)體層13部分用于實(shí)現(xiàn)導(dǎo)體配線14的功能。如圖2所示，在拋光之后，露出導(dǎo)體配線14及樹(shù)脂層11的上側(cè)面。該露出的導(dǎo)體配線14及樹(shù)脂層11的上側(cè)面互為一面，且都平滑。用于形成導(dǎo)體配線14的拋光在一次拋光工序中進(jìn)行。本實(shí)施形態(tài)的拋光組合物含有氧化鋁、螯合劑、氧化劑及水，用于形成導(dǎo)體配線14的拋光。
拋光組合物中的氧化鋁具有對(duì)拋光對(duì)象物進(jìn)行機(jī)械拋光的作用。該拋光組合物所含的氧化鋁可以通過(guò)對(duì)氫氧化鋁作熱處理之后將其粉碎及分級(jí)而制得，也可以是膠體氧化鋁、熱解法氧化鋁。拋光組合物也可含有二種不同的氧化鋁。
拋光組合物中氧化鋁的含量，從提高導(dǎo)體層13及樹(shù)脂層11的拋光速度的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，較好的是在0.1質(zhì)量％以上，更好的是在1質(zhì)量％以上，再更好的是在5質(zhì)量％以上，最好的是在7質(zhì)量％以上。另一方面，從提高拋光組合物中各個(gè)成分的分散性及溶解性的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，拋光組合物中氧化鋁的含量，較好的是在50質(zhì)量％以下，更好的是在30質(zhì)量％以下，最好的是在20質(zhì)量％以下。
在拋光組合物中所含有的氧化鋁為熱解法氧化鋁及膠體氧化鋁以外的氧化鋁的情況下，由電阻法(庫(kù)爾特法)測(cè)得的氧化鋁的平均粒徑，從提高樹(shù)脂層11的拋光速度的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，較好的是在0.1μm以上，更好的是在1μm以上。另一方面，從抑制在拋光對(duì)象物上發(fā)生劃痕(線狀傷痕)的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，由電阻法測(cè)得的氧化鋁的平均粒徑，較好的是在50μm以下，更好的是在10μm以下。
在拋光組合物中所含有的氧化鋁為熱解法氧化鋁及膠體氧化鋁的情況下，由激光衍射法測(cè)得的氧化鋁的平均粒徑，從提高樹(shù)脂層11的拋光速度的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，較好的是在0.1μm以上。另一方面，從抑制在拋光對(duì)象物上發(fā)生劃痕的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，由激光衍射法測(cè)得的氧化鋁的平均粒徑，較好的是在10μm以下，更好的是在1μm以下。
拋光組合物中的螯合劑具有捕捉因?qū)w層13的拋光而在拋光組合物中生成的金屬，促進(jìn)導(dǎo)體層13的拋光的作用。拋光組合物所含的螯合劑可以是選自草酸、檸檬酸、琥珀酸、馬來(lái)酸、酒石酸等的有機(jī)酸，甘氨酸、丙氨酸等的α-氨基酸，乙二胺、三乙四胺等多價(jià)胺、氨及銨鹽的至少一種。較好的螯合劑因構(gòu)成導(dǎo)體層13的材料不同而異，但在導(dǎo)體層13由銅構(gòu)成的場(chǎng)合，考慮到對(duì)銅的拋光促進(jìn)作用強(qiáng)的緣故，較好的是α-氨基酸，氨或銨鹽。
在拋光組合物含有選自氨及銨鹽中的至少一種作為螯合劑的場(chǎng)合，根據(jù)螯合劑的含量，在導(dǎo)體層13的表面有被腐蝕的可能。又，在拋光組合物含有α-氨基酸作為螯合劑的場(chǎng)合，與拋光組合物僅含有選自氨及銨鹽中的至少一種作為螯合劑的場(chǎng)合相比較，根據(jù)螯合劑的含量，其銅的拋光速度不提高。因此，為兼顧對(duì)導(dǎo)體層13的腐蝕的抑制和對(duì)銅的拋光速度的提高，較好的是，拋光組合物含有選自氨及銨鹽中的至少一種和α-氨基酸作為螯合劑。
作為α-氨基酸的具體例，可以舉出如甘氨酸、丙氨酸、纈氨酸、亮氨酸、異亮氨酸、別異亮氨酸、絲氨酸、蘇氨酸、別蘇氨酸、半胱氨酸、蛋氨酸、苯基丙氨酸、色氨酸、酪氨酸、脯氨酸、及胱氨酸等的中性氨基酸，如谷氨酸、天冬氨酸等的酸性氨基酸，如精氨酸、組氨酸等的堿性氨基酸，可以使用這些氨基酸中的至少一種。其中，從容易購(gòu)得、且可充分提高導(dǎo)體層13的拋光速度考慮，較好的是使用甘氨酸和α-丙氨酸，更好的是甘氨酸。α-氨基酸也可以是處于鏡象異構(gòu)體關(guān)系的L異構(gòu)體和D異構(gòu)體之任一種。拋光組合物中α-氨基酸的含量，在導(dǎo)體層13由銅構(gòu)成的場(chǎng)合，考慮到提高銅的拋光速度的觀點(diǎn)，較好的是在0.01質(zhì)量％以上，更好的是在0.1質(zhì)量％以上、另一方面，從費(fèi)用效果比考慮，α-氨基的含量較好的是在20質(zhì)量％以下，更好的是在10質(zhì)量％以下。
作為銨鹽的具體例，可以舉出如碳酸銨、碳酸氫銨、磷酸銨、硝酸銨、硫酸銨、氯化氨等的無(wú)機(jī)酸的銨鹽，如草酸銨、檸檬酸銨、琥珀酸銨、酒石酸銨等的有機(jī)酸的銨鹽，可以使用這些銨鹽中的至少一種。氨對(duì)拋光對(duì)象物具有化學(xué)拋光作用，且不含有金屬雜質(zhì)，故作為螯合劑含于拋光組合物中較理想。拋光組合物中的氨和銨鹽的含量總計(jì)，在導(dǎo)體層13由銅構(gòu)成的場(chǎng)合，從提高銅的拋光速度考慮，較好的是在0.1質(zhì)量％以上，更好的是在1質(zhì)量％以上。另一方面，從抑制導(dǎo)體層13的腐蝕考慮，拋光組合物中的氨和銨鹽的含量總計(jì)，較好的是在10質(zhì)量％以下，更好的是在5質(zhì)量％以下。
拋光組合物中的氧化劑具有以化學(xué)拋光作用促進(jìn)導(dǎo)體層13的拋光的功能。拋光組合物中所含有的氧化劑可以是選自過(guò)硫酸、高碘酸、高氯酸、過(guò)乙酸、過(guò)蟻酸、硝酸及其鹽、及過(guò)氧化氫中的至少一種。其中，較好的是過(guò)氧化氫，因?yàn)槟軌蛉菀椎氐玫絻r(jià)廉、且金屬雜質(zhì)混入較少的過(guò)氧化氫。
拋光組合物中氧化劑的含量，從提高導(dǎo)體層13的拋光速度考慮，較好的是在0.01質(zhì)量％以上，更好的是在0.1質(zhì)量％以上，最好是在0.3質(zhì)量％以上。另一方面，從費(fèi)用效果比考慮，拋光組合物中氧化劑的含量較好的是在10質(zhì)量％以下，更好的是在5質(zhì)量％以下，最好的是在3質(zhì)量％以下。
拋光組合物中的水具有分散或溶解拋光組合物中的成分的介質(zhì)作用。拋光組合物中所含有的水，較好的是盡量不含有雜質(zhì)，以不阻礙其他成分的作用。具體來(lái)說(shuō)使用純水、超純水或蒸餾水比較理想。
拋光組合物的pH值，在導(dǎo)體層13由銅構(gòu)成的場(chǎng)合，從提高銅的拋光速度考慮，較好的是在7以上，更好的是在8.5以上，更好的是在9以上。另一方面，從抑制導(dǎo)體層13的腐蝕考慮，拋光組合物的pH，較好的是不到12，更好的是不到11.5，最好的是不到11。又，在拋光組合物含有選自氨及銨鹽的至少一種和α-氨基酸作為螯合劑的場(chǎng)合，螯合劑含量以考慮上述Ph的范圍來(lái)設(shè)定為理想。
為抑制拋光組合物中的氧化鋁的凝聚，提高再分散性，在本發(fā)明的拋光組合物中也可添加作為凝聚抑制劑的氧化鋁溶膠，在拋光組合物中添加氧化鋁溶膠時(shí)，通過(guò)膠體狀分散于拋光組合物中的氧化鋁溶膠的作用，可以抑制作為氧化鋁再分散性降低原因的硬性塊結(jié)的發(fā)生及抑制作為拋光組合物上發(fā)生劃痕的原因的氧化鋁的凝聚。氧化鋁溶膠可由將一水軟鋁石、假一水軟鋁石、硬水鋁石、三水鋁石、三羥鋁石等的水合氧化鋁或氫氧化鋁作膠體狀溶解于酸性水溶液中而得到。其中，較好的是，將一水軟鋁石或假一水軟鋁石溶解于酸性水溶液得到的氧化鋁溶膠。拋光組合物中氧化鋁溶膠的含量，從強(qiáng)力抑制氧化鋁的凝聚觀點(diǎn)考慮，較好的是在0.05質(zhì)量％以上，更好的是在0.1質(zhì)量％以上，最好的是0.5質(zhì)量％以上。另一方面，從提高拋光組合物中各成分的分散性及溶解性考慮，較好的是在5質(zhì)量％以下，更好的是在3質(zhì)量％以下，最好是在2質(zhì)量％以下。
使用本發(fā)明的拋光組合物，進(jìn)行用于形成導(dǎo)體配線14的拋光的場(chǎng)合，通過(guò)拋光組合物中的氧化鋁的作用，可以以高拋光效率對(duì)導(dǎo)體層13及樹(shù)脂層11進(jìn)行機(jī)械拋光。其中，由于受到通過(guò)導(dǎo)體層13的拋光而捕集拋光組合物中生成的金屬的螫合劑作用的促進(jìn)，以及受到具有化學(xué)拋光作用的氧化劑的作用的促進(jìn)，導(dǎo)體層13的拋光可以特別高的拋光效率進(jìn)行。因此，采用本實(shí)施形態(tài)的拋光組合物，可提高導(dǎo)體層13的拋光速度及樹(shù)脂層11的拋光速度，提高用于形成導(dǎo)體配線14的拋光效率。
上述實(shí)施形態(tài)也可作如下所述的變更。
拋光組合物也可在使用時(shí)用水稀釋原液而配制。此時(shí)，與拋光組合物比較，原液更容易存儲(chǔ)及輸送。
拋光組合物也可以將氧化劑與其他成分各自分開(kāi)的狀態(tài)存儲(chǔ)。此時(shí)，拋光組合物要將氧化劑和其他成分混合后才可供于使用。據(jù)此，可以抑制存儲(chǔ)時(shí)在拋光組合物中氧化劑的分解。
拋光組合物中也可添加表面活性劑、增粘劑、乳化劑、防銹劑、防腐劑、防霉劑、消泡劑、pH調(diào)節(jié)劑等的已知添加劑。
取代設(shè)置在形成于基板10之上的樹(shù)脂層11的上面的情況，導(dǎo)體層13也可設(shè)置在樹(shù)脂基板(樹(shù)脂部)之上。
以下，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例及比較例。
為配制實(shí)施例1-22及比較例1-8的拋光組合物，根據(jù)需要，分別對(duì)水添加磨料、螯合劑、氧化劑及氧化鋁溶膠，混合。各拋光組合物中的磨料、螯合劑、氧化劑及氧化鋁溶膠具體如表1所示。各拋光組合物的pH測(cè)定結(jié)果一并示于表1。
表1

在表1的“磨料”一欄中，“A1”表示平均粒徑1.3μm的氧化鋁，“A2”表示平均粒徑3.0μm的氧化鋁，“A3”表示平均粒徑5.5μm的氧化鋁，“CA”表示平均粒徑0.05μm的膠體氧化鋁，“FA”表示平均粒徑0.2μm的熱解法氧化鋁，“CS”表示平均粒徑0.07μm的膠體二氧化硅，“FS”表示平均粒徑0.2μm的熱解法二氧化硅，
磨料的平均粒徑，氧化鋁是使用Beckman Coulter，Inc.生產(chǎn)的Coulter Multisizer，由電阻法(庫(kù)爾特法)測(cè)定，膠體氧化鋁、熱解法氧化鋁、膠體二氧化硅及熱解法二氧化硅是使用Beckman Coulter，Inc.生產(chǎn)的N4 Plus Submicron Particle Sizer由激光衍射法測(cè)定。
在表1的“第1螫合劑”欄及“第2螫合劑”欄中，“G”表示甘氨酸，“A”表示丙氨酸，“NH3”表示氨。
在表1的“氧化劑”欄中，“H2O2”表示過(guò)氧化氫，“APS”表示亞硫酸銨。
使用實(shí)施例1-22及比較例1-8的各個(gè)拋光組合物，在下述拋光條件下，對(duì)銅鍍層晶片及環(huán)氧樹(shù)脂鍍層晶片進(jìn)行1分鐘的拋光?；谙率鲇?jì)算式，求得銅的拋光速度和環(huán)氧樹(shù)脂的拋光速度。其結(jié)果示于表2的“拋光速度”欄中。又，銅蓋封晶片是將由電解電鍍法形成的銅膜覆于8英寸的硅片上而成，環(huán)氧樹(shù)脂蓋封晶片系將由旋轉(zhuǎn)涂敷法形成的環(huán)氧樹(shù)脂(味之素公司制的ABF)構(gòu)成的膜覆于8英寸的硅片上而成。
<拋光條件>
拋光機(jī)MAT公司制的單面CMP用拋光機(jī)“ARW”，拋光墊RODEL公司制的聚氨酯制層壓拋光墊“IC-1000/Soba400”，拋光壓力28kPa(約6psi)，定盤(pán)轉(zhuǎn)速90min-1，拋光組成物的供給速度140Ml/min，晶片載體塊的轉(zhuǎn)速95min-1。
<銅的拋光速度的計(jì)算式>
銅的拋光速度[μm/min]＝(拋光前的銅覆晶片的厚度[μm]-拋光后的銅覆晶片的厚度[μm])/拋光時(shí)間[min]。
又，拋光前后的銅覆晶片的厚度使用國(guó)際電氣系統(tǒng)服務(wù)株式會(huì)社制的膜阻抗測(cè)定器“VR-120”進(jìn)行測(cè)定。
<環(huán)氧樹(shù)脂的拋光速度的計(jì)算式>
環(huán)氧樹(shù)脂的拋光速度[μm/min]＝(拋光前的環(huán)氧樹(shù)脂覆晶片的重量[g]-拋光后的環(huán)氧樹(shù)脂覆晶片的重量[g])/環(huán)氧樹(shù)脂比重[g/cm3]/環(huán)氧樹(shù)脂覆晶片的拋光面積[cm2]/拋光時(shí)間[min]。
準(zhǔn)備在具有配線槽的環(huán)氧樹(shù)脂制的樹(shù)脂層上設(shè)置銅制的導(dǎo)體層而形成的圖案晶片。配線槽包括深20μm、寬85μm的配線槽、深20μm、寬300μm的配線槽及深20μm、寬500μm的配線槽。使用實(shí)施例1-22及比較例1-8的各拋光組合物，在上述拋光條件下對(duì)圖案晶片進(jìn)行拋光，直至相鄰的配線槽之間的樹(shù)脂層部分的上側(cè)面露出。至該樹(shù)脂層上側(cè)面露出所需時(shí)間示于表2的“去除時(shí)間”欄中。
在使用實(shí)施例1-22及比較例1-8的各拋光組合物拋光后的圖案晶片的寬85μm的配線槽形成的區(qū)域(W85)和寬300μm的配線槽形成的區(qū)域(W300)及寬500μm的配線槽形成的區(qū)域(W500)測(cè)得凹陷深度。其結(jié)果示于表2的“凹陷深度”欄內(nèi)。凹陷深度的測(cè)定使用KLA Tencle公司制的接觸式表面測(cè)定裝置的Profila“HRP340”、進(jìn)行。如凹陷深度為正值，表示配線槽中的導(dǎo)體層部分下凹，如凹陷深度為負(fù)值，表示位于配線槽中的導(dǎo)體層部分隆起。
使用填充于聚丙烯制的容器內(nèi)，放置了10日的實(shí)施例1-22及比較例1-8的各拋光組合物，如下評(píng)價(jià)拋光材料的再分散性。即，放置10日后拋光組合物中也不產(chǎn)生沉淀的場(chǎng)合和雖有沉淀，但在1分鐘內(nèi)振蕩即可消失的場(chǎng)合記為“優(yōu)”(○)、1-10分鐘內(nèi)的振蕩沉淀消失的場(chǎng)合記為“良”(△)、即使10分鐘以上的振蕩也不消失的場(chǎng)合記為“不良”(×)。其結(jié)果示于表2的“再分散性”欄中。
表2

如表2所示，在實(shí)施例1-22，銅的拋光速度較高，為3.0μm/min以上，環(huán)氧樹(shù)脂的拋光速度也在2.0μm/min以上。相比之下，在比較例1-8中，銅的拋光速度低于3.0μm/min，或者環(huán)氧樹(shù)脂的拋光速度低于2.0μm/min。比較例1、2的拋光速度低的理由是，比較例1、2的各個(gè)拋光組合物中的氧化鋁的含量少，比較例3-8的拋光速度低的理由是，比較例3-8的各個(gè)拋光組合物中并不含有選自拋光材料、螯合劑、氧化劑中的至少一種。
為了獲得去除時(shí)間和凹陷深度上的良好的結(jié)果，較好是根據(jù)實(shí)施例1-3的結(jié)果設(shè)定氧化鋁含量在15質(zhì)量％左右，根據(jù)實(shí)施例2、8、9的結(jié)果設(shè)定α-氨基酸的含量在0.2質(zhì)量％以上，根據(jù)實(shí)施例2、12、13的結(jié)果設(shè)定氨含量在2質(zhì)量％左右，根據(jù)實(shí)施例13、14的結(jié)果設(shè)定將α-氨基酸和氨用做螫合劑，根據(jù)實(shí)施例2、15-18的結(jié)果設(shè)定過(guò)氧化氫的含量在1質(zhì)量％左右。根據(jù)實(shí)施例2、11的結(jié)果可以確認(rèn)，在使用甘氨酸作為螫合劑時(shí)，銅的拋光得到特別的促進(jìn)。根據(jù)實(shí)施例2、20-22的結(jié)果，可以確認(rèn)，在設(shè)定氧化鋁凝膠的含量為1.5質(zhì)量％以上時(shí)，其再分散性特別良好。
權(quán)利要求
1.一種拋光組合物，所述拋光組合物用于對(duì)包括具有配線槽的樹(shù)脂部、和設(shè)置于樹(shù)脂部上、至少填埋配線槽的拋光對(duì)象物進(jìn)行拋光，其特征在于，所述拋光組合物含有氧化鋁、螯合劑、氧化劑及水。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述樹(shù)脂部為設(shè)于基板上的樹(shù)脂層。
3.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述螯合劑為選自α-氨基酸、氨及銨鹽的至少一種。
4.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述螯合劑為選自氨及銨鹽的至少一種和α-氨基酸。
5.如權(quán)利要求4所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物中的α-氨基酸的含量為0.01-20質(zhì)量％。
6.如權(quán)利要求4所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物中的氨及銨鹽的含量合計(jì)為0.1-10質(zhì)量％。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物還含有氧化鋁溶膠。
8.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物的pH在7以上。
9.一種拋光方法，其特征在于，該拋光方法包括配制權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的拋光組合物的配制工序，和，使用該配制成的拋光組合物，對(duì)所述拋光對(duì)象物進(jìn)行拋光的工序。
全文摘要
一種拋光組合物，所述拋光組合物含有氧化鋁、螯合劑、氧化劑及水。螯合劑較好是選自α－氨基酸、氨及銨鹽的至少一種。拋光組合物適合用于對(duì)包括具有配線槽的樹(shù)脂部、和設(shè)置于樹(shù)脂部上、以至少填埋配線槽的拋光對(duì)象物進(jìn)行拋光的用途。
文檔編號(hào)H01L21/306GK1670117SQ20051005925
公開(kāi)日2005年9月21日 申請(qǐng)日期2005年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月19日
發(fā)明者玉井一誠(chéng), 大和泰之 申請(qǐng)人:福吉米株式會(huì)社