專利名稱：形成圖形的柵單元偏振器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于偏振化的光學(xué)單元。
背景技術(shù)：
偏振器最簡(jiǎn)單的柵單元偏振器，是含有平行導(dǎo)電導(dǎo)線柵的裝置。當(dāng)光入射柵上時(shí)，輻射的每一正交分量與導(dǎo)線柵偏振器有不同的相互作用。平行于導(dǎo)線的場(chǎng)分量沿各導(dǎo)線的長(zhǎng)度方向驅(qū)動(dòng)導(dǎo)電電子，由此產(chǎn)生電流。電子接著與晶格原子碰撞，把能量傳送給晶格原子并由此加熱導(dǎo)線。能量據(jù)此從場(chǎng)傳送到柵上。此外，原子平行于導(dǎo)線的加速運(yùn)動(dòng)，沿前向和后向兩個(gè)方向發(fā)出輻射。入射波被前向方向的再輻射抵消，導(dǎo)致該場(chǎng)分量的小的或不傳輸。輻射沿后向方向的傳播，簡(jiǎn)單地作為反射波出現(xiàn)。相反，垂直于導(dǎo)線的波分量，在通過柵傳播時(shí)基本不變。(Eugene Hecht，Optics，第8章，第333-334頁(yè)，Addison Wesley，SanFrancisco(2002))。
1960年，George R.Bird和Maxfield Parish，Jr.說明一種每毫米有2160根導(dǎo)線，用于微波范圍的柵偏振器(G.R.Bird and M.Parish，Jr.，J.Opt.Soc.Am.50886(1960))。按照此論文，該柵偏振器是以接近掠射的角度，把金(或鋁)原子流蒸鍍?cè)谒芰涎苌涔鈻艔?fù)制品上完成的。沿光柵中每一臺(tái)階邊緣累積的金屬，形成薄的微“導(dǎo)線”，其寬度和間隔小于一個(gè)波長(zhǎng)。
已經(jīng)開發(fā)用于IR和可見光光譜的柵偏振器。例如，美國(guó)專利號(hào)6,122,103闡明一種用于可見光光譜的導(dǎo)線柵偏振器，它有多個(gè)支承在基片上的細(xì)長(zhǎng)的單元。美國(guó)專利號(hào)5,748,368也說明一種在可見光光譜中使光偏振的導(dǎo)線柵偏振器。
光刻為了建立更快和更復(fù)雜的電路，半導(dǎo)體工業(yè)不斷努力降低電路單元的尺寸。這些電路主要通過光刻制作。在光刻的處理過程中，通過把涂敷了對(duì)輻射敏感材料的半導(dǎo)體基片，暴露在光中，使電路印刷在半導(dǎo)體基片上。對(duì)輻射敏感的材料常常被稱為“光致抗蝕劑”，或就叫抗蝕劑。使光通過透明基片上由鉻或其他不透明材料形成圖形的掩模，產(chǎn)生需要的電路圖形。也可以通過在透明基片表面蝕刻出較高或較低區(qū)域的圖形，或者用該兩種技術(shù)的某種組合來形成掩模。隨后用熱的或化學(xué)的處理，僅除去抗蝕劑已曝光的或僅除去抗蝕劑未曝光的區(qū)域(與材料有關(guān))，留下露出的基片區(qū)域，供進(jìn)一步處理，再產(chǎn)生電子電路。
掩模版上的偏振在若干方面影響透鏡的光刻性能。首先，照明與掩模版的特征，舉例說，與鉻的高密度線條的相互作用，隨偏振而改變。結(jié)果是，掩模的透射與散射隨光的偏振和掩模的特征而變化。其次，透鏡和反射鏡表面的反射是偏振有關(guān)的，所以，投射光學(xué)系統(tǒng)(“P.O.”)上波前的旁瓣縮減和縮減的程度，與偏振有關(guān)。還有，從抗蝕劑的反射也依賴于偏振，且該反射還是有效的與偏振有關(guān)的旁瓣縮減。最后，一起返回晶片的從掩模版衍射的光線，必然在產(chǎn)生像時(shí)發(fā)生干涉。然而，只有電場(chǎng)的平行分量能夠發(fā)生干涉，所以，每一光線在晶片的偏振狀態(tài)影響相干成像。即使是理想的透鏡，到達(dá)晶片的光線的三維幾何結(jié)構(gòu)，能夠降低對(duì)比度。
考慮用偏振照明的主要理由，是為了通過改進(jìn)衍射光線在晶片上的干涉，改進(jìn)晶片上形成的像。這一點(diǎn)對(duì)高數(shù)值孔徑系統(tǒng)特別有用。現(xiàn)在考慮入射高密度線條二值掩模的偶極照明。在照明光瞳內(nèi)每一小的區(qū)域(即低西格馬(low sigma dipole)偶極的每一極)與光瞳內(nèi)其他區(qū)域不相干，并在晶片上形成自身的像，于是，人們可以考慮偶極的單個(gè)極。光被掩模版衍射，由于高密度線條產(chǎn)生密集的衍射級(jí)。對(duì)細(xì)微的特征，只有兩個(gè)衍射級(jí)被P.O.接受。在晶片上，這些衍射級(jí)被重新組合，形成掩模的像。掩模的像與對(duì)比度有關(guān)，而對(duì)比度又與偏振有關(guān)。

發(fā)明內(nèi)容
如上所述，光刻中掩模版上照明的偏振狀態(tài)，能夠改進(jìn)晶片上形成的像。因?yàn)楣饪蹋€加上其他的應(yīng)用，都使用紫外光譜的光，所以有必要對(duì)這類紫外應(yīng)用使用偏振器。本發(fā)明人意識(shí)到，由于用戶對(duì)與應(yīng)用有關(guān)的形成圖形單元的能力，導(dǎo)線柵偏振器是特別有利的。例如，要在光刻系統(tǒng)的光學(xué)系統(tǒng)或投射光學(xué)系統(tǒng)照明器的光瞳內(nèi)產(chǎn)生偏振圖形，這樣的偏振器是必需的。
本發(fā)明提供形成圖形的柵偏振器，這些柵偏振器在紫外光譜上提供高的光的傳輸效率。本發(fā)明的柵偏振器一般包括形成圖形的單元的基片。從本發(fā)明偏振器出射的光的偏振，依賴于基片上單元的圖形。
在一個(gè)實(shí)施例中，各單元圍繞光軸在圓形裝置中排列成多組，以產(chǎn)生切向偏振的離開的光。在另一個(gè)實(shí)施例中，各單元圍繞光軸按同心圓形成圖形，以產(chǎn)生徑向偏振的離開的光。
本發(fā)明還提供包括本發(fā)明偏振器的光學(xué)系統(tǒng)，其中包括光刻系統(tǒng)。該種光學(xué)系統(tǒng)，例如光刻系統(tǒng)，由于有了增強(qiáng)晶片上的像的偏振圖形而獲益。
本發(fā)明更多的實(shí)施例、特性、和好處，以及本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和操作，下面參照附圖作詳細(xì)的說明。


結(jié)合本文并構(gòu)成說明書一部分的附圖，舉例說明本發(fā)明，并與說明一起進(jìn)一步用于解釋本發(fā)明的原理，還使本領(lǐng)域熟練人員能夠制作和使用本發(fā)明。
圖1是示意圖，畫出本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的偏振器。
圖2是示意圖，畫出本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的偏振器。
圖3是示意圖，畫出包括本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的偏振器的光刻系統(tǒng)具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參照附圖，附圖中將給出本發(fā)明各種單元的數(shù)值設(shè)計(jì)并將討論本發(fā)明，以便本領(lǐng)域熟練人員能夠制作和使用本發(fā)明。
在一個(gè)實(shí)施例中，給出供光刻使用的形成圖形的柵偏振器。該種偏振器包括對(duì)紫外光(UV)透明的基片；和在該基片上形成圖形的單元陣列，其中的各單元使UV光偏振。
形成圖形的柵單元本發(fā)明給出按各種方式在基片上形成圖形的UV偏振器。在本發(fā)明的一些方面，基片上單元的圖形，支配著從偏振器出射的光的偏振。在一些應(yīng)用中，由于各種原因，使光刻系統(tǒng)的光學(xué)系統(tǒng)或投射光學(xué)系統(tǒng)照明器的光瞳內(nèi)帶有偏振圖形，對(duì)成像是有好處的。例如，該偏振圖形能夠在晶片上提供更大的對(duì)比度，以便更好地成像。
因此，按照本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明的偏振器包括在基片上形成圖形的單元，以產(chǎn)生偏振光，其中光的偏振圖形是由單元的圖形支配的。
例如，能夠在基片上形成圖形的單元，可使非偏振的輸入光產(chǎn)生切向偏振(即與偏振器的圓柱形對(duì)稱相切)的離開的光，其中的輸入光入射偏振器上，而離開的光從偏振器出射。
另外，能夠在基片上形成圖形的單元，可使非偏振的輸入光產(chǎn)生徑向偏振(即沿偏振器圓柱形對(duì)稱的徑向)的離開的光，其中的輸入光入射偏振器上，而離開的光從偏振器出射。
但是，本發(fā)明不限于產(chǎn)生切向或徑向偏振光的偏振器。本發(fā)明還涵蓋有各種單元圖形的偏振器，這些單元圖形將隨特定的光刻應(yīng)用而改變。該種圖形能夠通過使用軟件應(yīng)用程序或其他設(shè)計(jì)技術(shù)獲得，可以產(chǎn)生用戶需要的圖形。因此，本發(fā)明提供對(duì)某些光刻應(yīng)用具有專用單元圖形的UV偏振器。
圖1闡明本發(fā)明的一種導(dǎo)線柵偏振器的實(shí)施例，導(dǎo)線柵偏振器一般以100表示。在該實(shí)施例中，導(dǎo)線柵偏振器上的單元105的圖形，用于產(chǎn)生切向偏振光。如圖所示，單元105是直線形的，并按多組形成圖形(例如，以120和125表示的兩組)，其中每一組由平行的單元構(gòu)成，且各組圍繞光軸(“OA”)排列成圓形的圖形。虛線115表示單元之間的分割線。在本實(shí)施例中，一組的各單元與第二個(gè)相鄰組的各單元不是平行的。例如，組120與組125相鄰，雖然組120內(nèi)各單元彼此平行，但是，它們與組125的各單元不平行。
在圖1所示的偏振器中，多個(gè)細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電單元105由透明的基片110支承。單元的尺寸以及單元排列的尺寸，由使用的波長(zhǎng)確定，并使之適合寬的或整個(gè)UV光光譜。在任一個(gè)特定組中，各單元不是全部都有相同的長(zhǎng)度，越靠組的邊緣越短。如此，每一組120、125有適當(dāng)?shù)摹靶ā毙危员愀鹘M圍繞光軸OA沿徑向排列成圓形的圖形。
圖2闡明本發(fā)明的一種導(dǎo)線柵偏振器的實(shí)施例，導(dǎo)線柵偏振器一般以200表示。在該實(shí)施例中，導(dǎo)線柵偏振器上的單元250的圖形，用于產(chǎn)生徑向偏振光。如圖所示，多個(gè)單元250在基片255上按同心圓形成圖形。同樣，單元的尺寸、單元之間的尺寸、和單元排列的尺寸，由使用的波長(zhǎng)確定，并對(duì)寬的或整個(gè)UV光光譜優(yōu)化。
柵單元和基片在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，基片上形成圖形的單元由導(dǎo)電材料例如金屬構(gòu)成。這些單元可以由例如鋁、銀、或金構(gòu)成。這些單元可以包括，但不限于，導(dǎo)線或微導(dǎo)線。
在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明偏振器的基片，是全部或部分對(duì)UV光透明的，并可從如下的任一種中選擇，其中包括，但不限于，熔石英、氟化鈣、藍(lán)寶石、石英、和氟化鎂。本發(fā)明不受上述的限制，正如本領(lǐng)域熟練人員能夠從本說明中了解的，其他的厚度和材料也可以使用。
單元之間的間隔由使用的波長(zhǎng)支配。單元之間的間隔亦稱間距，且對(duì)按同心圓形成圖形的單元，該間距是兩個(gè)相鄰單元上對(duì)應(yīng)點(diǎn)之間的距離。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，單元的間隔小于光的波長(zhǎng)。因此，對(duì)平行單元或同心圓單元，間距小于約200納米(nm)，而在兩個(gè)相鄰的非平行單元之間的最寬點(diǎn)上，小于約200nm。在一個(gè)實(shí)施例中，各單元的間隔約在UV光波長(zhǎng)的十分之一到兩倍UV光波長(zhǎng)之間。
雖然各單元之間的間隔可以小于光的波長(zhǎng)，但本發(fā)明不受此限制。各單元之間的間隔，特別是在例如平行單元各區(qū)之間的邊界，可以大于光的波長(zhǎng)。
在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明偏振器的單元的周期，約為UV光波長(zhǎng)的四分之一，或在約45nm到95nm之間。但是，本發(fā)明不受上述的限制，正如本領(lǐng)域熟練人員能夠從本說明中了解的，其他的周期和波長(zhǎng)也可以使用。
在各實(shí)施例中，間距約為光波長(zhǎng)的一半，或約100nm。有較長(zhǎng)周期的柵(約大于光波長(zhǎng)的兩倍)是作為衍射光柵工作的；有較短周期的柵(約小于光波長(zhǎng)的一半)是作為偏振器工作的；周期介于較長(zhǎng)和較短周期過渡區(qū)的柵同樣起衍射光柵的作用，但以稱為共振的突變或異常為特征。此外，在一個(gè)例子中，本發(fā)明偏振器各單元有規(guī)則的或相等的間隔。另外，本發(fā)明不受上述的限制，本發(fā)明偏振器各單元也可以有不規(guī)則的間隔。
在本發(fā)明的單元是直線形的特殊方面，各單元可以相對(duì)地長(zhǎng)和薄。例如，每一單元一般可以有大于UV光波長(zhǎng)的長(zhǎng)度。在一個(gè)例子中，這些單元的長(zhǎng)度在約400nm到約60mm之間，但也可以更長(zhǎng)。
此外，每一單元的寬度可以在間距的10％到90％的范圍。各單元的厚度也可以大于約10nm，也可以小于約200nm。各單元的厚度最好在約20nm和100nm之間。
可以選擇各單元的寬度，以便使偏振器裝置的性能對(duì)專門應(yīng)用優(yōu)化。一般說，增加各單元相對(duì)于間距的寬度，將把平行偏振的反射率增加到接近100％，同時(shí)也使垂直偏振的反射率增加，偏離理想值0％。因此，通常高的單元寬度對(duì)間隔的比值，由于沒有平行偏振透過，將對(duì)透射光給出高的消光比，但因?yàn)橐恍┐怪逼癖环瓷洌什灰欢ㄊ歉咝实?。相反，一般說，低的單元寬度對(duì)間隔的比值，對(duì)反射光束給出高的消光比，但不一定是高效率的。最高的總效率，由平行光束反射率與垂直光束透射率的乘積定義，最可能在單元寬度對(duì)單元間距的比值為40％到60％時(shí)獲得。
設(shè)備本發(fā)明還提供利用本發(fā)明的偏振器的設(shè)備。例如，本發(fā)明的偏振器能夠用于使UV光偏振的設(shè)備。該設(shè)備例如可以包括產(chǎn)生至少有一個(gè)波長(zhǎng)在UV光譜內(nèi)的光束的光源；對(duì)UV光譜內(nèi)的光透明并置于光束光路中的基片；和基片上用光刻方法蝕刻的單元陣列；其中基片上用光刻方法蝕刻的單元陣列，產(chǎn)生偏振的離開的光。
在具體的實(shí)施例中，從光源發(fā)出的UV光至少包括兩種偏振，其中導(dǎo)線柵偏振器反射大部分第一偏振的光而透過大部分第二偏振的光。
本發(fā)明還提供一種設(shè)備，用于沿光路提供曝光的光束，本設(shè)備包括導(dǎo)線柵偏振器；和有光瞳的照明器；其中的偏振器包括對(duì)UV光透明的基片及基片上形成圖形的單元的陣列，其中的單元使UV光偏振，且其中的偏振器在照明器的光瞳中產(chǎn)生偏振的圖形。
本發(fā)明還提供一種設(shè)備，用于沿光路提供曝光的光束，本設(shè)備包括導(dǎo)線柵偏振器；和投射光學(xué)系統(tǒng)；其中的偏振器包括對(duì)UV光透明的基片及基片上形成圖形的單元的陣列，其中的單元使UV光偏振，且其中的偏振器在投射光學(xué)系統(tǒng)中產(chǎn)生偏振的圖形。
本發(fā)明的導(dǎo)線柵偏振器在光刻領(lǐng)域中特別有用，光刻中使用偏振光，能在晶片上得到更高的對(duì)比度并導(dǎo)致更好的成像。一般說，偏振在下面四個(gè)方面對(duì)光刻產(chǎn)生影響，(1)掩模版特征的透射和衍射；(2)投射光學(xué)透鏡的Fresnel損耗；(3)抗蝕劑表面的Fresnel反射；和(4)矢量干涉?？紤]到所有四種因素，用于光刻的最佳偏振圖形，可以因具體的掩模版和照明條件而改變。
雖然用于光刻的最佳偏振圖形可能改變，但切向偏振常?？赡苁且环N滿意的選擇。掩模版有重復(fù)的結(jié)構(gòu)，通常是水平地或豎直地橫跨在掩模上。結(jié)構(gòu)也在掩模版的其他方向上重復(fù)。重復(fù)的結(jié)構(gòu)可以起一維衍射光柵的作用，并把光衍射成細(xì)微的一列中密集的光束。如果這些光束在一起返回晶片時(shí)很好地干涉，可以得到良好的像。非常細(xì)微的特征是最難成像的，而最細(xì)微特征的重復(fù)結(jié)構(gòu)，在投射光學(xué)系統(tǒng)光瞳相對(duì)的兩邊緣上產(chǎn)生兩個(gè)衍射級(jí)。在許多情況中，切向偏振最好用于這種特征的成像中。
類似地，徑向偏振在特定的情況中有它的優(yōu)點(diǎn)。例如，利用徑向偏振能夠使Fresnel損耗降至最小，導(dǎo)致更高的光強(qiáng)。因此，當(dāng)需要光強(qiáng)時(shí)，徑向偏振有優(yōu)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)成像特征已經(jīng)有良好的對(duì)比度時(shí)，使用徑向偏振是理想的。相反，在成像特征有有限的對(duì)比度時(shí)，它通常就是最細(xì)微的特征，那么，切向偏振是理想的。
因此，本發(fā)明提供一種光刻系統(tǒng)300，它采用本發(fā)明的偏振器，使半導(dǎo)體晶片上一層對(duì)輻射敏感的材料曝光。如圖3所示，該系統(tǒng)300最好包括，但不限于，輻射能量源310、本發(fā)明的導(dǎo)線柵偏振器100、掩模320、諸如透鏡系統(tǒng)等投射光學(xué)系統(tǒng)330、和包含一層輻射敏感材料340的晶片。在一個(gè)實(shí)施例中，光源來的輻射能量312通過偏振器100，偏振器100使光按預(yù)定取向偏振，并把偏振的輻射能量束318輸出到掩模320。偏振的輻射能量束318通過掩模320并使層340在預(yù)定的圖形中曝光。
應(yīng)當(dāng)指出，光刻中常常不用全部光瞳。因此，在具體的光刻應(yīng)用中，只有光瞳的某些區(qū)被照明。例如，在偶極照明中，只有光瞳邊緣的兩個(gè)區(qū)被照明。相應(yīng)地，在本發(fā)明的光刻系統(tǒng)具體的實(shí)施例中，不使用從本發(fā)明的偏振器出射的全部光束。例如，偏振圖形在整個(gè)光瞳上可能是不均勻的，或有某種方式的不完善。在這種情形中，只有有理想偏振的光瞳部分被利用。
本發(fā)明實(shí)施例的另外優(yōu)點(diǎn)，是導(dǎo)線柵偏振器100、200能夠有非常高的接受角，所以能夠在光學(xué)系統(tǒng)任何光瞳平面上引入偏振圖形。因?yàn)闁艈卧鹌衿鞯淖饔?，所以可以在上游使用非偏振光束，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。通過簡(jiǎn)單地選擇導(dǎo)線柵單元，能夠獲得任何偏振圖形。
方法在基片上淀積導(dǎo)電單元陣列，可以通過若干種眾所周知的處理過程之一完成。例如，在Garvin的美國(guó)專利號(hào)4,049,944和Ferrante的美國(guó)專利號(hào)4,514,479兩個(gè)專利中，說明使用全息干涉光刻，在光致抗蝕劑中形成精細(xì)的光柵結(jié)構(gòu)，接著用離子束蝕刻，把結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印到下面的金屬膜。Stenkamp(“Grid polarizer for the visible spectral region”，Proceedings of the SPIE，vol.2213，pages288-296)說明使用直接電子束光刻建立抗蝕劑圖形，接著通過反應(yīng)離子蝕刻，把圖形轉(zhuǎn)印到金屬膜。其他高分辨率的光刻技術(shù)，包括極遠(yuǎn)紫外光刻和X射線光刻，如X射線全息干涉光刻，也可以用于建立抗蝕劑圖形。其他技術(shù)，包括其他的蝕刻機(jī)構(gòu)和升離處理(lift-off process)，也可以用于把圖形從抗蝕劑轉(zhuǎn)印到金屬膜。用于形成導(dǎo)電單元陣列的準(zhǔn)確處理過程，對(duì)本發(fā)明不是關(guān)鍵的。
應(yīng)當(dāng)指出，本發(fā)明說明的實(shí)施例，只是示例性的，本領(lǐng)域熟練人員可以對(duì)之進(jìn)行修改。例如，對(duì)本發(fā)明偏振器裝置的物理參數(shù)作適當(dāng)調(diào)整，同樣可以用于所有入射角。由于本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，顯著增加了設(shè)計(jì)的靈活性，所以相信本領(lǐng)域熟練人員定會(huì)作出各種改變。因此，不能認(rèn)為本發(fā)明僅限于公開的實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種用于光刻的形成圖形的柵偏振器，包括(a)對(duì)紫外光(UV)透明的基片；和(b)在該基片上形成圖形的單元陣列，其中的單元使UV光偏振。
2.按照權(quán)利要求1的偏振器，其中的單元形成圖形，以便從非偏振的輸入光產(chǎn)生切向偏振的離開的光，其中的輸入光入射在偏振器上，而離開的光從偏振器出射。
3.按照權(quán)利要求1的偏振器，其中的單元形成圖形，以便從非偏振的輸入光產(chǎn)生徑向偏振的離開的光，其中的輸入光入射在偏振器上，而離開的光從偏振器出射。
4.按照權(quán)利要求1的偏振器，其中的單元按多組形成圖形，其中各組排列成圓形圖形，且每一組包括平行的單元，其中一組各單元與第二組各單元不平行。
5.按照權(quán)利要求1的偏振器，其中各單元是圓形的。
6.按照權(quán)利要求1的偏振器，其中各單元按同心圓形成圖形。
7.按照權(quán)利要求1的偏振器，其中各單元的間距，在約UV光波長(zhǎng)的十分之一到兩倍UV光波長(zhǎng)之間。
8.按照權(quán)利要求1的偏振器，其中各單元的間距，約為UV光波長(zhǎng)的四分之一。
9.按照權(quán)利要求1的偏振器，其中各單元的周期，在約45nm到95nm之間。
10.按照權(quán)利要求1的偏振器，其中各單元的厚度，在約0.04到0.3μm之間。
11.按照權(quán)利要求1的偏振器，其中各單元包括鋁、銀、或金。
12.按照權(quán)利要求1的偏振器，還包括UV光光源。
13.按照權(quán)利要求12的偏振器，其中的UV光是非偏振的。
14.按照權(quán)利要求12的偏振器，其中的UV光至少包括兩種偏振，且其中的導(dǎo)線柵偏振器反射大部分第一偏振的光而透過大部分第二偏振的光。
15.按照權(quán)利要求12的偏振器，其中的導(dǎo)線柵偏振器把UV光轉(zhuǎn)換為切向偏振的光。
16.按照權(quán)利要求12的偏振器，其中的導(dǎo)線柵偏振器把UV光轉(zhuǎn)換為徑向偏振的光。
17.按照權(quán)利要求1的偏振器，其中的基片是熔石英、氟化鈣、藍(lán)寶石、石英、或氟化鎂。
18.一種用于使UV光偏振的設(shè)備，包括(a)產(chǎn)生至少有一波長(zhǎng)在UV光譜內(nèi)的光束的光源；(b)對(duì)UV光譜內(nèi)的光透明并置于光束光路中的基片；和(c)基片上的單元陣列；其中的單元陣列使入射的UV光偏振，并輸出偏振的離開的光。
19.按照權(quán)利要求18的設(shè)備，其中各單元的周期，約為UV光光束波長(zhǎng)的四分之一。
20.按照權(quán)利要求18的設(shè)備，其中各單元的周期，在約0.1λ到0.5λ之間，其中λ為光束的波長(zhǎng)。
21.按照權(quán)利要求18的設(shè)備，其中各單元的厚度，在約0.04到0.3μm之間。
22.按照權(quán)利要求18的設(shè)備，其中的基片是熔石英、氟化鈣、或藍(lán)寶石。
23.按照權(quán)利要求18的設(shè)備，其中各單元一般反射大部分第一偏振方向的入射光而透過大部分第二偏振方向的光。
24.按照權(quán)利要求18的設(shè)備，其中各單元沿徑向構(gòu)成，以產(chǎn)生切向偏振的離開的光。
25.按照權(quán)利要求18的設(shè)備，其中各單元是同心地構(gòu)成，以產(chǎn)生徑向偏振的光。
26.一種用于沿光路提供曝光光束的設(shè)備，包括(a)導(dǎo)線柵偏振器；和(b)有光瞳的照明器；其中的偏振器包括對(duì)紫外光(UV)透明的基片和在基片上形成圖形的單元陣列，這些單元使UV光偏振并在照明器光瞳上的UV光中產(chǎn)生偏振圖形。
27.一種用于沿光路提供曝光光束的設(shè)備，包括(a)導(dǎo)線柵偏振器；和(b)投射光學(xué)系統(tǒng)；其中的偏振器包括對(duì)紫外光(UV)透明的基片和在基片上形成圖形的單元陣列，這些單元使UV光偏振并在向投射光學(xué)系統(tǒng)輸出的UV光中產(chǎn)生偏振圖形。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種在光刻中使用的形成圖形的柵偏振器，它包括對(duì)紫外光(UV)透明的基片；和在基片上形成圖形的單元陣列，其中的單元使UV光偏振。單元陣列能夠形成圖形，以產(chǎn)生切向或徑向偏振的UV光。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1677141SQ20051006005
公開日2005年10月5日 申請(qǐng)日期2005年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月31日
發(fā)明者邁克爾·M·阿爾博特, 哈利·塞維爾 申請(qǐng)人:Asml控股股份有限公司