專利名稱：一種具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)半導(dǎo)體元件及其制作方法，特別是一種具多層保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件及其制作方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)半導(dǎo)體元件一直是近幾年來(lái)科學(xué)家們研究的熱門課題。就有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)來(lái)說(shuō)，近來(lái)在可撓式面板的特殊前沿技術(shù)上已占有一席之地，由于有機(jī)薄膜晶體管材料多半為有機(jī)材料，因此具備有先天可撓的基本特性，對(duì)于發(fā)展極有潛力的卷帶式連續(xù)生產(chǎn)制作技術(shù)(roll to roll，R2R)而言，可說(shuō)是不可或缺的角色。而有機(jī)薄膜晶體管搭配液晶面板，將使有機(jī)薄膜晶體管的應(yīng)用范圍更為廣泛。
有機(jī)薄膜晶體管搭配液晶面板，保護(hù)層及間隙材料(photo spacer)都是制作必備的要素。以往，間隙材料是通過(guò)灑布的方式在有機(jī)薄膜晶體管保護(hù)層完成后制作于其上，由于灑布分布密度極難達(dá)到有效控制，此種制作方式容易造成間隙材料的局部凝聚，而影響液晶面板的平坦性，進(jìn)而影響整體畫(huà)質(zhì)表現(xiàn)，且需另外購(gòu)置灑布裝置而增加制造成本。
因此，如何提供良好的解決方案，以改善如前述有機(jī)薄膜晶體管的有機(jī)半導(dǎo)體元件的保護(hù)層與間隙材料的制作，將是未來(lái)的一大課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件及其制作方法，利用于有機(jī)薄膜晶體管上制作多重保護(hù)層，該第二保護(hù)層具有足夠的厚度并通過(guò)圖案化的過(guò)程，使多重保護(hù)層可有效保護(hù)有機(jī)薄膜晶體管，且第二保護(hù)層還可直接作為間隙材料，而省略配置間隙材料的制作過(guò)程，從而大體上解決先前技術(shù)所存在的問(wèn)題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，包括有一有機(jī)薄膜晶體管；一第一保護(hù)層，形成于該有機(jī)薄膜晶體管上；及一第二保護(hù)層，通過(guò)一圖案化過(guò)程形成于該第一保護(hù)層上，且該第二保護(hù)層的厚度足以作為間隙材料。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，該第二保護(hù)層的厚度為4微米以上。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，還包含一基板，該基板通過(guò)該第二保護(hù)層而和該有機(jī)薄膜晶體管與該第一保護(hù)層相隔一段距離。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，該第二保護(hù)層具有一接觸孔，該接觸孔穿透該第二保護(hù)層與該第一保護(hù)層而露出該有機(jī)薄膜晶體管。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，還包含一電極，該電極形成于該第二保護(hù)層上方，并通過(guò)該接觸孔而與該有機(jī)薄膜晶體管作電性連接。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，該有機(jī)薄膜晶體管選自下接觸式、上接觸式、下柵極與上柵極的有機(jī)薄膜晶體管的群組組合。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，該第一保護(hù)層與該第二保護(hù)層的形成方式選自溶液制作方式與氣相沉積方式的群組組合。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，該第一保護(hù)層與該第二保護(hù)層使用不同溶液的相同制作方式來(lái)形成。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，該溶液制作方式為旋轉(zhuǎn)涂布、網(wǎng)印、噴墨印刷與無(wú)旋轉(zhuǎn)涂布的群組組合。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，該氣相沉積方式選自化學(xué)氣相沉積、有機(jī)氣相沉積、共蒸鍍的群組組合。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，該第二保護(hù)層為一可顯影材料。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，該圖案化過(guò)程利用光微影技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，該可顯影材料為SU-8光阻。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，該圖案化過(guò)程利用雷射加工方式實(shí)現(xiàn)。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，該第一保護(hù)層為摻重鉻酸鹽的聚乙烯醇。
本發(fā)明還提供一種具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，步驟包含提供一有機(jī)薄膜晶體管；形成一第一保護(hù)層于該有機(jī)薄膜晶體管上；形成一第二保護(hù)層于該第一保護(hù)層上，且該第二保護(hù)層的厚度足以作為間隙材料；及對(duì)該第二保護(hù)層加以圖案化，而構(gòu)成該有機(jī)半導(dǎo)體元件。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，該第二保護(hù)層的厚度為4微米以上。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，還包含提供一基板的步驟，該基板通過(guò)該第二保護(hù)層而和該有機(jī)薄膜晶體管與該第一保護(hù)層相隔一段距離。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，對(duì)該第二保護(hù)層加以圖案化的步驟形成一接觸孔穿透該第二保護(hù)層與該第一導(dǎo)護(hù)層而露出該有機(jī)薄膜晶體管。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，對(duì)該第二保護(hù)層加以圖案化的步驟之后，還包含形成一電極于該第二保護(hù)層上的步驟，且該電極通過(guò)該接觸孔而與該有機(jī)薄膜晶體管作電性連接。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，該有機(jī)薄膜晶體管選自下接觸式、上接觸式、下柵極與上柵極的有機(jī)薄膜晶體管的群組組合。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，該第一保護(hù)層與該第二保護(hù)層的形成方式選自溶液制作方式與氣相沉積方式的群組組合。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，該第一保護(hù)層與該第二保護(hù)層使用不同溶液的相同制作方式來(lái)形成。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，該溶液制作方式為旋轉(zhuǎn)涂布、網(wǎng)印、噴墨印刷與無(wú)旋轉(zhuǎn)涂布的群組組合。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，該氣相沉積方式選自化學(xué)氣相沉積、有機(jī)氣相沉積、共蒸鍍的群組組合。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，該第二保護(hù)層為一可顯影材料。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，該圖案化過(guò)程是利用光微影技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，該可顯影材料為SU-8光阻。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，該圖案化過(guò)程是利用激光加工方式實(shí)現(xiàn)。
上述具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特點(diǎn)在于，該第一保護(hù)層為摻重鉻酸鹽的聚乙烯醇。
本發(fā)明的功效，在于利用第二保護(hù)層以通過(guò)圖案化的方式形成于第一保護(hù)層上，以制作有機(jī)薄膜晶體管的多重保護(hù)層，此多重保護(hù)層不但可有效保護(hù)有機(jī)薄膜晶體管，其第二保護(hù)層還可同時(shí)作為間隙材料，而取代后續(xù)配置間隙材料的制作；另外，應(yīng)用本發(fā)明的制作原理，第二保護(hù)層也可兼作為保護(hù)層與平坦層的功用，來(lái)取代平坦層的制作。因此，根據(jù)本發(fā)明的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件及其制作方法，可使得多重保護(hù)層發(fā)揮更大的效果，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化制作過(guò)程與降低成本的目的。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖1為本發(fā)明的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法流程圖；圖2A至2E為本發(fā)明的第一實(shí)施例的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作流程剖面圖；圖3A至3B為本發(fā)明使用摻重鉻酸鹽的聚乙烯醇的第一保護(hù)層有機(jī)半導(dǎo)體元件在制作前、后的ID-VD特性曲線圖；圖4A至4B為本發(fā)明使用聚對(duì)二甲苯的第一保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件在制作前、后的ID-VD特性曲線圖；及圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件剖面示意圖。
其中，附圖標(biāo)記
10有機(jī)薄膜晶體管11基材12柵極13絕緣層14源極15漏極16有機(jī)半導(dǎo)體層20第一保護(hù)層30第二保護(hù)層40有機(jī)半導(dǎo)體元件50有機(jī)薄膜晶體管51基材52柵極53絕緣層54源極55漏極56有機(jī)半導(dǎo)體層60第一保護(hù)層70第二保護(hù)層71接觸孔80電極90基板具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D1所示，為本發(fā)明的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，主要包含下列步驟首先，步驟100，提供一有機(jī)薄膜晶體管；然后，步驟110，形成第一保護(hù)層于有機(jī)薄膜晶體管上；步驟120，再利用氣相沉積方式或溶液制作方式，形成第二保護(hù)層于第一保護(hù)層上，而此第二保護(hù)層的厚度必須足以作為間隙材料；最后，步驟130，對(duì)第二保護(hù)層加以圖案化，而構(gòu)成具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件。
以下則通過(guò)多個(gè)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所提供的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件及其制作方法作詳細(xì)說(shuō)明及驗(yàn)證，并請(qǐng)依次參照?qǐng)D2A至2D，顯示本發(fā)明實(shí)施例的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作流程。
如圖2A所示，首先，在基材上制作一有機(jī)薄膜晶體管10(步驟100)，此有機(jī)薄膜晶體管10是通過(guò)在基材11上陸續(xù)形成的柵極12、絕緣層13、源極14與漏極15以及有機(jī)半導(dǎo)體層16所構(gòu)成。
接著，如圖2B所示，以摻重鉻酸鹽的聚乙烯醇(Dichromated Poly VinylAlcohol，DCPVA)溶液涂布于有機(jī)薄膜晶體管10上，并通過(guò)曝光、烘烤，而形成第一保護(hù)層20。
然后，如圖2C所示，以旋轉(zhuǎn)涂布(spin coating)方式涂布負(fù)型光阻材料SU-8 2002于第一保護(hù)層20上直接制作出厚度達(dá)5μm的第二保護(hù)層30，以做為有機(jī)薄膜晶體管10的第二保護(hù)層。
如圖2D所示，則利用光微影制作方法，對(duì)于第二保護(hù)層30進(jìn)行圖案化；初步去除溶劑后，再以裸露信道(channel)的擋板光罩(shadow mask)進(jìn)行曝光，再以丙二醇甲醚醋酸酯(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate，PMA)作為顯影液，完成顯影后將溶劑烤干，形成具有多個(gè)間隙材料形狀的第二保護(hù)層30于第一層保護(hù)層20上，最后，即完成具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件40。
而本發(fā)明的實(shí)施例所提供的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件40，請(qǐng)參照?qǐng)D2D所示，其是由有機(jī)薄膜晶體管10、第一保護(hù)層20與第二保護(hù)層30所構(gòu)成，此有機(jī)薄膜晶體管10包含在基材11上陸續(xù)形成的柵極12、絕緣層13、源極14與漏極15以及有機(jī)半導(dǎo)體層16，且第一保護(hù)層20是形成于有機(jī)薄膜晶體管10上，第二保護(hù)層30則通過(guò)圖案化的過(guò)程形成于第一保護(hù)層20上，其厚度必須足以作為間隙材料，一般規(guī)格須達(dá)到4微米(μm)以上(本實(shí)施例為5微米(μm))，使得包含第一保護(hù)層20與第二保護(hù)層30的多重保護(hù)層可達(dá)到保護(hù)有機(jī)薄膜晶體管10的效果。并且，如圖2E所示，通過(guò)此第二保護(hù)層30可直接作為間隙材料(photo spacer)，使有機(jī)薄膜晶體管10及其上的第一保護(hù)層20與一基板90相隔開(kāi)來(lái)，而取代了后續(xù)配置間隙材料的制作，且間隙材料也能更均勻地制作于有機(jī)薄膜晶體管10所搭配的基板90中。
本實(shí)施例中，有機(jī)薄膜晶體管10的第二保護(hù)層30以旋轉(zhuǎn)涂布的方式加上光微影制作加以定義圖案所形成，而足以當(dāng)作間隙材料使用，并由于設(shè)備上可與保護(hù)層制作相同，也就是說(shuō)，能結(jié)合兩種制作方法為一種制作方法，不但使得制作過(guò)程簡(jiǎn)化，也可大幅節(jié)省設(shè)備成本。其次，將以光微影制程定義位置制作的第二保護(hù)層30用為間隙材料，因?yàn)榫哂辛己玫木鶆蛐?，將可提高制程品質(zhì)。
另外，有機(jī)薄膜晶體管10可選自下接觸式(bottom contact)、上接觸式(top contact)、下柵極(bottom gate)或上柵極(top gate)的有機(jī)薄膜晶體管。第一保護(hù)層20與第二保護(hù)層30可利用氣相沉積方式或溶液制程來(lái)形成，也可以使用不同溶液但制作相同的方式來(lái)形成，而氣相沉積方式可為化學(xué)氣相沉積(CVD)、有機(jī)氣相沉積(0VPD)與共蒸鍍等方式，溶液制作方法則包含旋轉(zhuǎn)涂布(spin coating)、網(wǎng)印(screen printing)、噴墨印刷(injectprinting)或無(wú)旋轉(zhuǎn)涂布(spinless coating)等方式。并且，可利用光微影制程對(duì)可顯影材料來(lái)定義圖案，或是搭配擋板光罩(shadow mask)、雷射加工等方式，制成可兼具間隙材料功用的圖案化的第二保護(hù)層30。
接著，本發(fā)明還通過(guò)使用不同材料作為第一保護(hù)層，再搭配前述SU-82002的第二保護(hù)層來(lái)制作有機(jī)半導(dǎo)體元件，并加以電性測(cè)試。首先，分別在摻重鉻酸鹽的聚乙烯醇(DCPVA)及聚對(duì)二甲苯(parylene)的第一保護(hù)層的制作完成后，以第一段轉(zhuǎn)速150轉(zhuǎn)/分鐘(rpm)20秒，第二段轉(zhuǎn)速300轉(zhuǎn)/分鐘(rpm)40秒的條件旋轉(zhuǎn)涂布SU-82002于第一保護(hù)層上來(lái)制作第二保護(hù)層，以35℃在真空下加熱兩個(gè)小時(shí)，將并五苯(pentacene)蒸鍍的擋板光罩貼附于第二保護(hù)層上，再以300毫焦耳(mj)的能量進(jìn)行曝光，使用丙二醇甲醚醋酸酯(PMA)為顯影液，顯影一分鐘后，再在70℃及130℃各加熱一小時(shí)，來(lái)制作具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D3A與圖3B以及圖4A與圖4B所示，分別為使用摻重鉻酸鹽的聚乙烯醇及聚對(duì)二甲苯的第一保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件在制作前、后的ID-VD特性曲線圖。結(jié)果顯示以摻鉻酸鹽的聚乙烯醇為第一保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的電性較佳，其ID-VD特性曲線在制作前后差異不大，顯示此有機(jī)半導(dǎo)體元件的電氣性能并無(wú)衰退；而以聚對(duì)二甲苯為第一保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，則隨制作數(shù)目增加，其起始電壓(threshold voltage)有增加的趨勢(shì)。因此，可判斷摻重鉻酸鹽的聚乙烯醇的第一保護(hù)層所制作的有機(jī)半導(dǎo)體元件具有較佳的性能。另外，SU-82002的第二保護(hù)層在兩種第一保護(hù)層上的厚度均為5μm，都足以作為有機(jī)薄膜晶體管的間隙材料。
另一方面，當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體元件使用Top ITO(氧化銦錫)電極時(shí)，由于ITO(氧化銦錫)電極必須制作在感光高分子材料的平坦層上方，并使ITO電極通過(guò)平坦層的接觸孔來(lái)連接至有機(jī)薄膜晶體管的漏極，而此平坦層必須要極為平坦，避免使ITO薄膜成長(zhǎng)會(huì)因平坦層不平使得特性變差，而根據(jù)本發(fā)明的相同原理，將可取代平坦層的制作方法，并能提供具有良好均勻性的薄膜。
如圖5所示，為本發(fā)明第二實(shí)施例的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，包含有機(jī)薄膜晶體管50、第一保護(hù)層60、第二保護(hù)層70以及電極80，其中，有機(jī)薄膜晶體管50包含于基材51上陸續(xù)形成的柵極52、絕緣層53、源極54與漏極55以及有機(jī)半導(dǎo)體層56，第一保護(hù)層60是形成于有機(jī)薄膜晶體管50上，第二保護(hù)層70則形成于第一保護(hù)層60上，且第二保護(hù)層70的厚度必須達(dá)到4微米(μm)以上，并通過(guò)圖案化的過(guò)程形成一接觸孔71，此接觸孔71穿透第二保護(hù)層70與第一保護(hù)層60而露出有機(jī)薄膜晶體管50，電極80則形成于第二保護(hù)層70上方，并通過(guò)接觸孔71與有機(jī)薄膜晶體管50的漏極55作電性連接。在此，不但可利用第一保護(hù)層60與第二保護(hù)層70來(lái)達(dá)到保護(hù)有機(jī)薄膜晶體管50不受損害的效果，第二保護(hù)層70同時(shí)也具有平坦層的功用，且其均勻性良好。
綜上所述，本發(fā)明所提供的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件及其制作方法，利用第二保護(hù)層以通過(guò)圖案化的方式形成于第一保護(hù)層上，以制作有機(jī)薄膜晶體管的多重保護(hù)層，此多重保護(hù)層不但可有效保護(hù)有機(jī)薄膜晶體管，其第二保護(hù)層還可同時(shí)作為間隙材料，而取代后續(xù)配置間隙材料的制作；另外，應(yīng)用本發(fā)明的制作原理，第二保護(hù)層也可兼作為保護(hù)層與平坦層的功用，來(lái)取代平坦層的制作。因此，根據(jù)本發(fā)明的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件及其制作方法，可使得多重保護(hù)層發(fā)揮更大的效果，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化制作過(guò)程與降低成本的目的。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，包括有一有機(jī)薄膜晶體管；一第一保護(hù)層，形成于該有機(jī)薄膜晶體管上；及一第二保護(hù)層，通過(guò)一圖案化過(guò)程形成于該第一保護(hù)層上，且該第二保護(hù)層的厚度足以作為間隙材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，該第二保護(hù)層的厚度為4微米以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，還包含一基板，該基板通過(guò)該第二保護(hù)層而和該有機(jī)薄膜晶體管與該第一保護(hù)層相隔一段距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，該第二保護(hù)層具有一接觸孔，該接觸孔穿透該第二保護(hù)層與該第一保護(hù)層而露出該有機(jī)薄膜晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，還包含一電極，該電極形成于該第二保護(hù)層上方，并通過(guò)該接觸孔而與該有機(jī)薄膜晶體管作電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，該有機(jī)薄膜晶體管選自下接觸式、上接觸式、下柵極與上柵極的有機(jī)薄膜晶體管的群組組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，該第一保護(hù)層與該第二保護(hù)層的形成方式選自溶液制作方式與氣相沉積方式的群組組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，該第一保護(hù)層與該第二保護(hù)層使用不同溶液的相同制作方式來(lái)形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，該溶液制作方式為旋轉(zhuǎn)涂布、網(wǎng)印、噴墨印刷與無(wú)旋轉(zhuǎn)涂布的群組組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，該氣相沉積方式選自化學(xué)氣相沉積、有機(jī)氣相沉積、共蒸鍍的群組組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，該第二保護(hù)層為一可顯影材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，該圖案化過(guò)程利用光微影技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，該可顯影材料為SU-8光阻。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，該圖案化過(guò)程利用雷射加工方式實(shí)現(xiàn)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特征在于，該第一保護(hù)層為摻重鉻酸鹽的聚乙烯醇。
16.一種具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，步驟包含提供一有機(jī)薄膜晶體管；形成一第一保護(hù)層于該有機(jī)薄膜晶體管上；形成一第二保護(hù)層于該第一保護(hù)層上，且該第二保護(hù)層的厚度足以作為間隙材料；及對(duì)該第二保護(hù)層加以圖案化，而構(gòu)成該有機(jī)半導(dǎo)體元件。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，該第二保護(hù)層的厚度為4微米以上。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，還包含提供一基板的步驟，該基板通過(guò)該第二保護(hù)層而和該有機(jī)薄膜晶體管與該第一保護(hù)層相隔一段距離。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，對(duì)該第二保護(hù)層加以圖案化的步驟形成一接觸孔穿透該第二保護(hù)層與該第一導(dǎo)護(hù)層而露出該有機(jī)薄膜晶體管。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，對(duì)該第二保護(hù)層加以圖案化的步驟之后，還包含形成一電極于該第二保護(hù)層上的步驟，且該電極通過(guò)該接觸孔而與該有機(jī)薄膜晶體管作電性連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，該有機(jī)薄膜晶體管選自下接觸式、上接觸式、下柵極與上柵極的有機(jī)薄膜晶體管的群組組合。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，該第一保護(hù)層與該第二保護(hù)層的形成方式選自溶液制作方式與氣相沉積方式的群組組合。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，該第一保護(hù)層與該第二保護(hù)層使用不同溶液的相同制作方式來(lái)形成。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，該溶液制作方式為旋轉(zhuǎn)涂布、網(wǎng)印、噴墨印刷與無(wú)旋轉(zhuǎn)涂布的群組組合。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，該氣相沉積方式選自化學(xué)氣相沉積、有機(jī)氣相沉積、共蒸鍍的群組組合。
26.根據(jù)權(quán)利要求16所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，該第二保護(hù)層為一可顯影材料。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，該圖案化過(guò)程是利用光微影技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，該可顯影材料為SU-8光阻。
29.根據(jù)權(quán)利要求16所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，該圖案化過(guò)程是利用激光加工方式實(shí)現(xiàn)。
30.根據(jù)權(quán)利要求16所述的具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件的制作方法，其特征在于，該第一保護(hù)層為摻重鉻酸鹽的聚乙烯醇。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具多重保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)在于，包括有有機(jī)薄膜晶體管；第一保護(hù)層，形成于該有機(jī)薄膜晶體管上；及第二保護(hù)層，通過(guò)圖案化過(guò)程形成于該第一保護(hù)層上，且該第二保護(hù)層的厚度足以作為間隙材料。本發(fā)明通過(guò)圖案化的方式將第二保護(hù)層形成于第一保護(hù)層上，以制作有機(jī)薄膜晶體管的多重保護(hù)層，此多重保護(hù)層不但可有效保護(hù)有機(jī)薄膜晶體管，其第二保護(hù)層還可同時(shí)作為間隙材料，而取代后續(xù)配置間隙材料的制作，并且第二保護(hù)層也可兼作為保護(hù)層與平坦層的功用，來(lái)取代平坦層的制作，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化制作過(guò)程與降低成本的目的。
文檔編號(hào)H01L51/40GK1848475SQ20051006432
公開(kāi)日2006年10月18日 申請(qǐng)日期2005年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月14日
發(fā)明者謝丞忠, 黃良瑩, 胡堂祥, 李正中 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院