專利名稱：電路裝置及其制造方法、板狀體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路裝置及其制造方法、板狀體，特別涉及具有利用隔離溝隔離的導(dǎo)電圖案的電路裝置及其制造方法、板狀體。
背景技術(shù)：
目前，由于置于電子設(shè)備中的電路裝置在攜帶電話、便攜式計(jì)算機(jī)等中使用，因而要求小型化、薄型化、輕量化。
例如，目前有被稱為CSP(芯片尺寸封裝)的與芯片尺寸相等的晶片尺寸CSP。
圖12表示采用玻璃環(huán)氧樹脂襯底5作為支承襯底的比芯片尺寸大若干的CSP66。在此，說明在玻璃環(huán)氧樹脂襯底65上安裝晶體管芯片T的裝置。
在該玻璃環(huán)氧樹脂襯底65的表面形成第一電極67、第二電極68及焊盤69，在背面形成第一背面電極70和第二背面電極71。而且，介由通孔TH將上述第一電極67和第一背面電極70電連接，將第二電極68和第二背面電極71電連接。另外，在焊盤69上固定有上述裸的晶體管芯片T，介由金屬細(xì)線72將晶體管的發(fā)射極電極和第一電極67連接，介由金屬細(xì)線72將晶體管的基極電極和第二電極68連接。另外，在玻璃環(huán)氧樹脂襯底65上設(shè)有樹脂層73，使其覆蓋晶體管芯片T。
上述CSP66采用玻璃環(huán)氧樹脂襯底65，但和晶片尺寸CSP不同，從芯片T到外部連接用的背面電極70、71的延伸結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，具有可廉價(jià)地制造的優(yōu)點(diǎn)。
但是，上述的CSP66中，將玻璃環(huán)氧樹脂襯底65作為插入式選擇指使用，由此，限制了CSP66的小型化及薄型化。因此，開發(fā)有不需要內(nèi)插板(interposer)的電路裝置80(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
參照?qǐng)D13(A)，電路裝置80由導(dǎo)電圖案81、固定在導(dǎo)電圖案81上的電路元件82、電連接電路元件82和導(dǎo)電圖案81的金屬細(xì)線84、使導(dǎo)電圖案81的背面露出而覆蓋電路元件82及導(dǎo)電圖案81的密封樹脂83構(gòu)成。因此，電路裝置80構(gòu)成不需要安裝襯底的結(jié)構(gòu)，與上述CSP66相比較，薄型且小型地形成。另外，上述的電路裝置80如下形成，在一片導(dǎo)電箔的表面設(shè)置隔離溝87，進(jìn)行電路元件82的固定及密封樹脂83的形成，然后，露出填充于隔離溝87中的密封樹脂83，反向腐蝕導(dǎo)電箔。
圖13(B)是進(jìn)行試驗(yàn)，表示上述反向腐蝕工序的一例。即，在導(dǎo)電箔的背面形成抗蝕劑90，使其覆蓋導(dǎo)電圖案81形成的預(yù)定區(qū)域，然后進(jìn)行腐蝕，形成各導(dǎo)電圖案81。利用這種工序形成的導(dǎo)電圖案81的側(cè)面構(gòu)成彎曲形狀。
特開2002-076246號(hào)公報(bào)(第7頁、圖1)(日本)在上述的電路裝置80的制造方法中，將各導(dǎo)電圖案81之間利用隔離溝87相互電隔離。
參照?qǐng)D13(B)，在抗蝕劑90的界面進(jìn)行側(cè)面腐蝕，在進(jìn)行隔離后，存在殘留的電極背面的面積非常小的問題。另外，在其背面覆蓋焊料抗蝕劑，將焊料安裝的位置開口，但存在平的部分不能進(jìn)行焊料安裝的問題。
由于腐蝕行進(jìn)的偏差，有可能在隔離溝87的位置殘存導(dǎo)電箔。在這種情況下，產(chǎn)生導(dǎo)電圖案81相互電短路的問題。
另外，為抑制上述的問題，也進(jìn)行過腐蝕，但存在各導(dǎo)電圖案81過度變薄的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題點(diǎn)而開發(fā)的，本發(fā)明的主要目的在于，提供一種電路裝置的制造方法、電路裝置及板狀體，可減小側(cè)面腐蝕，形成厚的導(dǎo)電圖案。
本發(fā)明電路裝置的制造方法包括準(zhǔn)備導(dǎo)電箔的工序；通過在所述導(dǎo)電箔的表面形成第一隔離溝，形成凸?fàn)钔怀龅膶?dǎo)電圖案的工序；在對(duì)應(yīng)所述第一隔離溝的部位的所述導(dǎo)電箔背面設(shè)置第二隔離溝的工序；將電路元件與所述導(dǎo)電圖案電連接的工序；形成密封樹脂，使其填充到所述第一隔離溝中而覆蓋所述電路元件的工序；以及除去所述導(dǎo)電箔背面直至填充于所述第一隔離溝的所述密封樹脂露出的工序。
本發(fā)明電路裝置的制造方法包括利用第一隔離溝在表面形成凸?fàn)钔怀龅膶?dǎo)電圖案，準(zhǔn)備在對(duì)應(yīng)所述第一隔離溝的位置的背面形成第二隔離溝的導(dǎo)電箔的工序；將電路元件與所述導(dǎo)電圖案電連接的工序；形成密封樹脂，使其填充到所述第一隔離溝中而覆蓋所述電路元件的工序；以及除去所述導(dǎo)電箔背面直至填充于所述第一隔離溝的所述密封樹脂露出的工序。
另外，在本發(fā)明電路裝置的制造方法中，所述第一隔離溝及所述第二隔離溝通過濕法腐蝕同時(shí)形成。
在本發(fā)明電路裝置的制造方法中，設(shè)置在厚度方向上貫通所述導(dǎo)電箔的通孔，所述第一隔離溝、所述第二隔離溝及所述通孔利用濕法腐蝕同時(shí)形成。
在本發(fā)明電路裝置的制造方法中，所述導(dǎo)電箔背面的除去如下進(jìn)行，介由選擇性覆蓋所述導(dǎo)電箔背面的腐蝕掩膜的濕法腐蝕，使所述第二隔離溝露出。
在本發(fā)明電路裝置的制造方法中，通過全面地腐蝕所述導(dǎo)電箔的背面，使填充于所述第一隔離溝的所述絕緣性樹脂露出。
在本發(fā)明電路裝置的制造方法中，構(gòu)成通過多個(gè)所述導(dǎo)電圖案形成一個(gè)電路裝置的單元，且所述單元在所述導(dǎo)電箔表面形成多個(gè)，在對(duì)應(yīng)設(shè)于所述單元相互之間的所述第一隔離溝的區(qū)域的所述導(dǎo)電箔背面設(shè)置多個(gè)所述第二隔離溝。
在本發(fā)明電路裝置的制造方法中，利用包覆樹脂覆蓋含有所述第一隔離溝的所述導(dǎo)電箔表面，將從所述包覆樹脂部分地露出的所述導(dǎo)電圖案和所述電路元件電連接。
本發(fā)明的電路裝置包括多個(gè)導(dǎo)電圖案，其至少構(gòu)成島及靠近所述島設(shè)置的焊盤；電路元件，其安裝于所述島上，和所述焊盤電連接；絕緣樹脂，其使所述導(dǎo)電圖案背面露出，密封所述電路元件及所述導(dǎo)電圖案，所述絕緣樹脂從將所述導(dǎo)電圖案相互分開的隔離溝突出到外部，所述導(dǎo)電圖案的背面和側(cè)面連續(xù)的角部平滑地形成。
另外，在本發(fā)明的電路裝置中，設(shè)置由所述導(dǎo)電圖案構(gòu)成的配線部，所述配線部在不同平面的位置具有電連接的區(qū)域。
在本發(fā)明的電路裝置中，利用所述導(dǎo)電圖案構(gòu)成的配線部電連接的多個(gè)所述電路元件被內(nèi)置。
在本發(fā)明的電路裝置中，所述導(dǎo)電圖案及所述絕緣樹脂的背面被抗蝕劑覆蓋，所述導(dǎo)電圖案的平坦面從設(shè)于所述抗蝕劑上的開口部露出。
本發(fā)明的板狀體中，在一主面上形成通過由半腐蝕形成的第一隔離溝凸?fàn)钔怀龅膶?dǎo)電圖案，在對(duì)應(yīng)所述第一隔離溝的區(qū)域的其它主面上具有第二隔離溝。
另外，在本發(fā)明的板狀體中，形成由多個(gè)所述導(dǎo)電圖案構(gòu)成一個(gè)電路裝置的單元，在所述一主面上矩陣狀配置所述單元。
在本發(fā)明的板狀體中，在所述一主面上形成由多個(gè)所述單元構(gòu)成的區(qū)塊，在所述區(qū)塊內(nèi)部形成通過所述第一隔離溝凸?fàn)钚纬傻膶?duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
在本發(fā)明的板狀體中，所述第二隔離溝比所述第一隔離溝淺。
在本發(fā)明的板狀體中，所述第一隔離溝實(shí)質(zhì)上以相同的寬度形成。
在本發(fā)明的板狀體中，與固定功率系元件的預(yù)定的所述導(dǎo)電圖案相鄰的所述第一隔離溝形成得比其它第一隔離溝寬。
根據(jù)本發(fā)明電路裝置的制造方法，通過在導(dǎo)電箔背面設(shè)置第二隔離溝，可準(zhǔn)確地進(jìn)行各導(dǎo)電圖案的電隔離。另外，通過在相當(dāng)于隔離溝的導(dǎo)電箔厚度方向優(yōu)先進(jìn)行腐蝕，可將位于隔離溝兩側(cè)的各導(dǎo)電圖案形成得厚，可提高電路裝置整體的熱特性。另外，第二隔離溝由于可利用形成第一隔離溝的工序同時(shí)形成，故可抑制工序數(shù)量增加，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。更可確保電極背面的面積，也可以確保焊料安裝部。
根據(jù)本發(fā)明的電路裝置，當(dāng)進(jìn)行圖8(A)所示的反向腐蝕時(shí)，位于凸部周圍的角部變圓。因此，涂敷于背面的絕緣表膜也含有其角部，實(shí)質(zhì)上可使其膜厚均勻。另外，導(dǎo)電圖案11背面的角部構(gòu)成帶有圓的形狀，因而具有可容易地形成覆蓋導(dǎo)電圖案11的抗蝕劑的優(yōu)點(diǎn)。


圖1(A)是表示本發(fā)明電路裝置的平面圖，圖1(B)是其剖面圖；圖2是表示本發(fā)明電路裝置的平面圖；圖3(A)是表示本發(fā)明電路裝置的制造方法的剖面圖，圖3(B)是其剖面圖，圖3(C)是其平面圖；圖4(A)是表示本發(fā)明電路裝置的制造方法的剖面圖，圖4(B)是其平面圖，圖4(C)是其平面圖；圖5(A)是表示本發(fā)明電路裝置的剖面圖，圖5(B)是其平面圖；圖6是表示本發(fā)明電路裝置的制造方法的剖面圖；圖7(A)是表示本發(fā)明電路裝置的制造方法的剖面圖，圖7(B)是其剖面圖；圖8(A)是表示本發(fā)明電路裝置的制造方法的剖面圖，圖8(B)是其剖面圖；圖9表示是本發(fā)明電路裝置的制造方法的平面圖；圖10(A)是表示本發(fā)明電路裝置的制造方法的剖面圖，圖10(B)是其剖面圖，圖10(C)是其剖面圖；圖11(A)是表示本發(fā)明電路裝置的制造方法的剖面圖，圖11(B)是其剖面圖；圖12是表示現(xiàn)有電路裝置的剖面圖；以及圖13(A)是表示現(xiàn)有電路裝置的剖面圖，圖13(B)是其剖面圖。
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施方式在本方式中說明本發(fā)明的電路裝置之一例。參照?qǐng)D1，說明本方式的電路裝置10A的結(jié)構(gòu)。圖1(A)是電路裝置10A的平面圖，圖1(B)是其剖面圖。
參照?qǐng)D1(A)，本方式的電路裝置10A具有導(dǎo)電圖案11、與該導(dǎo)電圖案11電連接的電路元件12、使導(dǎo)電圖案11背面露出而覆蓋電路元件12及導(dǎo)電圖案11的密封樹脂13。下面詳細(xì)敘述各構(gòu)成要素。
導(dǎo)電圖案11考慮焊料的附著性、鍵合性、鍍敷性來選擇其材料。具體地說，導(dǎo)電圖案11的材料采用以Cu為主材料的導(dǎo)電箔、以Al為主材料的導(dǎo)電箔或由Fe-Ni等合金構(gòu)成的導(dǎo)電箔等。在此，導(dǎo)電圖案11構(gòu)成使背面露出而埋入密封樹脂13內(nèi)的結(jié)構(gòu)，利用填充于第一隔離溝41中的密封樹脂進(jìn)行電隔離。另外，在從密封樹脂13露出的導(dǎo)電圖案11的背面設(shè)有由焊錫等焊料構(gòu)成的外部電極15。導(dǎo)電圖案11通過腐蝕形成，其側(cè)面形成彎曲面。另外，在裝置背面未設(shè)置外部電極15的位置利用抗蝕劑16覆蓋。
圖中，僅在隔離溝中埋入抗蝕劑16，露出導(dǎo)電圖案背面的平坦部，但在導(dǎo)電圖案大時(shí)，也可以覆蓋背面，使平坦部的局部露出。另外，與圖13(A)所示的現(xiàn)有例不同，在背面形成抗蝕劑16，使其埋入第二隔離溝中，因此，在電路裝置背面提高抗蝕劑16的密封性。
電路元件12可采用晶體管、二極管、IC芯片等半導(dǎo)體元件、以及片狀電容、片狀電阻等無源元件。另外，盡管其厚度變厚，但也可以安裝CSP、BGA等。在此，通過面朝上接合法安裝的電路元件12介由金屬細(xì)線14和其它導(dǎo)電圖案11電連接。
密封樹脂13使導(dǎo)電圖案11背面露出，覆蓋電路元件12、金屬細(xì)線14及導(dǎo)電圖案11。密封樹脂13可采用熱硬性樹脂或熱塑性樹脂。另外，在隔離各導(dǎo)電圖案11的第一隔離溝41中填充有密封樹脂13。本發(fā)明的電路裝置10利用密封樹脂13支承其整體。
第一隔離溝41設(shè)于各導(dǎo)電圖案11之間，具有將各導(dǎo)電圖案11相互電隔離的作用。而且，隔離溝41的寬度基本上可均勻地形成在任何位置。換句話說，各導(dǎo)電圖案11等間隔隔離。另外，該等間隔是含有由制造工序產(chǎn)生的誤差的等間隔，嚴(yán)格地說是具有產(chǎn)生某種程度的誤差的情況。
在本方式的電路裝置10A中，各導(dǎo)電圖案11通過形成于表面的第一隔離溝41B及41C和從背面形成的第二隔離溝51B及51C而被各自電隔離。由此，可將導(dǎo)電圖案11的厚度厚地形成例如100μm以上，可提高散熱效果。
目前，由于制造工序上的原因，難以將導(dǎo)電圖案形成得厚。具體地說，參照?qǐng)D13(A)，直至填充于隔離溝87中的密封樹脂83露出，通過腐蝕導(dǎo)電箔，隔離各導(dǎo)電圖案81。但是，為準(zhǔn)確地進(jìn)行該隔離而進(jìn)行過腐蝕，因而導(dǎo)電圖案18薄薄地形成數(shù)十μm左右。
參照?qǐng)D2說明其它方式的電路裝置10B的結(jié)構(gòu)。圖2是電路裝置10B的平面圖。在該圖所示的電路裝置10B中，利用導(dǎo)電圖案11形成配線部。另外，導(dǎo)電圖案11相互分開的距離存在局部不同的部分。電路裝置10B的其它基本結(jié)構(gòu)和圖1所示的電路裝置10A相同。
在電路裝置10B中內(nèi)置兩種電路元件12。一個(gè)是作為IC芯片的電路元件12A。還有一個(gè)是進(jìn)行數(shù)安培以上大電流的開關(guān)的作為半導(dǎo)體元件的電路元件12B。電路元件12B是基于從電路元件12A供給的控制信號(hào)進(jìn)行開關(guān)的半導(dǎo)體元件。除這些半導(dǎo)體元件之外，也可以在電路裝置10B中內(nèi)置片狀電阻或片狀電容等其它電路元件。
配線部11C是在不同平面的位置形成電連接區(qū)域的導(dǎo)電圖案11。例如該配線部11C一側(cè)端部介由金屬細(xì)線14和作為IC的電路元件12A導(dǎo)通。另外，配線部11C的另一側(cè)端部介由金屬細(xì)線14和作為開關(guān)元件的電路元件12B導(dǎo)通。因此，配線部11C作為內(nèi)置于電路裝置10B中的元件相互導(dǎo)通的一部分路徑而起作用。另外，配線部11C向金屬細(xì)線14下方延伸。在本方式的電路裝置10B中，形成多個(gè)配線部11C，在配線部11C相互鄰接的位置，配線部11C相互分開的距離大致相同。
在參照?qǐng)D1說明的電路裝置10A中，內(nèi)置的導(dǎo)電圖案11相互分開的距離大致相當(dāng)，但在圖2的電路裝置10B中，具有其距離不同的部位。具體地說，配置作為開關(guān)元件的電路元件12B的島狀導(dǎo)電圖案11B和其它導(dǎo)電圖案11分開的距離比其它部位的距離長(zhǎng)。在此，其它導(dǎo)電圖案11含有構(gòu)成配線部11C的導(dǎo)電圖案11、載置作為控制用IC的電路元件12A的島狀導(dǎo)電圖案11。例如，其它導(dǎo)電圖案11相互分開的距離(W1)為150μm左右，與此相對(duì)，導(dǎo)電圖案11B和其它導(dǎo)電圖案11分開的距離(W2)為250μm左右。
這樣，使導(dǎo)電圖案11B從其它導(dǎo)電圖案11多余地分開是為了確保導(dǎo)電圖案11B的耐壓性。在導(dǎo)電圖案11B上介由焊錫等導(dǎo)電性粘接劑固定進(jìn)行大電流(例如250V，2A程度)的開關(guān)的電路元件12B。因此，在電路元件12B動(dòng)作時(shí)，在導(dǎo)電圖案11B上也流入上述的大電流。與此相對(duì)，在其它導(dǎo)電圖案11A中通過控制用的小的電信號(hào)(例如數(shù)V，數(shù)十mA程度)。由此，由于導(dǎo)電圖案11B和導(dǎo)電圖案11A的電位差大，故使兩者分開而確保耐壓是重要的。另外，可抑制通過導(dǎo)電圖案11B的大電流在通過導(dǎo)電圖案11A的控制信號(hào)中產(chǎn)生噪音。
總體上看，由于均勻地設(shè)定第一隔離溝的深度，故在使通過腐蝕形成的隔離溝41的寬度實(shí)質(zhì)上均勻時(shí)，其深度均勻。因此，從背面進(jìn)行的腐蝕進(jìn)行的各導(dǎo)電圖案11的隔離良好。但是，在通過大電流的導(dǎo)電圖案11的情況下，為確保和其它導(dǎo)電圖案11的耐壓性，需要以規(guī)定的距離以上分開。因此，在確保耐壓的意味上，也寬地設(shè)定局部隔離溝41的寬度。圖2中W2表示該寬度。
以上說明了兩種使用了導(dǎo)電箔的圖案，但也有除此之外的圖案，以下進(jìn)行說明。
1與分立式電路元件等電連接，由配置于固定電路元件的島周圍的焊盤構(gòu)成的圖案。該圖案特別適用于內(nèi)置端子數(shù)量少的IC或分立的晶體管的電路裝置。
2與引腳數(shù)多的電路元件(例如IC)電連接，為在配置電路元件的島周圍進(jìn)行再配線而繞入的圖案。該圖案從和電路元件電連接的焊盤連續(xù)延伸。
3SIP(System in Package)，晶體管、IC、無源元件或它們的集合體被內(nèi)置，介由上述的配線部11C將它們電連接。如圖2所示，該配線部11C的形狀也與細(xì)長(zhǎng)延伸的形狀不同，也可以采用L字狀形成的導(dǎo)電圖案11作為配線部11C。
第二實(shí)施方式參照?qǐng)D3～圖9說明電路裝置10的制造方法。
本發(fā)明的第一工序如圖3及圖4所示，準(zhǔn)備導(dǎo)電箔40，通過形成第一及第二隔離溝形成凸?fàn)钔怀龅膶?dǎo)電圖案11。
在本工序中，首先如圖3(A)所示，準(zhǔn)備片狀導(dǎo)電箔40。該導(dǎo)電箔40考慮焊料的附著性、鍵合性及鍍敷性選擇其材料。例如，導(dǎo)電箔40的材料采用以Cu為主材料的導(dǎo)電箔、以Al為主材料的導(dǎo)電箔或由Fe-Ni等合金構(gòu)成的導(dǎo)電箔等。導(dǎo)電箔的厚度在考慮其后的腐蝕時(shí)，優(yōu)選10μm～300μm程度。
然后，在導(dǎo)電箔40的背面及表面兩主面上形成第一抗蝕劑PR1及第二抗蝕劑PR2。另外，在兩抗蝕劑上形成開口部，使形成隔離溝的預(yù)定區(qū)域的導(dǎo)電箔露出。在第一抗蝕劑PR1上形成第一開口部31A～31D，在第二抗蝕劑PR2上形成第二開口部35A～35D。
第一開口部31A是在形成導(dǎo)電箔40的導(dǎo)電圖案的一側(cè)主面形成的開口部，為了將構(gòu)成一個(gè)電路裝置的單元之間隔離而形成的隔離溝。具體的開口部31的寬度為例如300μm左右。
第一開口部31B及31C是為形成將一個(gè)單元內(nèi)的各導(dǎo)電圖案11相互隔離的隔離溝41而設(shè)置的開口部。這些開口部的寬度為例如150μm左右。
第一開口部31D是為形成貫通導(dǎo)電箔40的導(dǎo)向孔等而設(shè)置的開口部，其大小為直徑2mm左右的圓形。
形成于導(dǎo)電箔40背面的第二開口部35是設(shè)于第二抗蝕劑PR2上的開口部，使對(duì)應(yīng)上述第一隔離溝31的區(qū)域的導(dǎo)電箔40背面露出。第二開口部35A～35C的寬度為例如20μm～30μm程度。圖中最右側(cè)形成的第二開口部35D由于是用于形成上述的導(dǎo)向孔的開口部，因此，是其直徑為2mm左右的圓形。即，第二開口部35D的平面的大小和第一開口部31D相同。
參照?qǐng)D3(B)，通過同時(shí)腐蝕導(dǎo)電箔40的表面及背面，形成隔離溝。該腐蝕可通過在導(dǎo)電箔40上噴淋腐蝕劑來進(jìn)行。在下面的說明中，將形成于導(dǎo)電箔40表面的隔離溝稱為第一隔離溝，將形成于導(dǎo)電箔40背面的隔離溝稱為第二隔離溝。另外，這些隔離溝的剖面形狀為彎曲的形狀，在之后的工序中具有使和密封樹脂的粘附強(qiáng)度增強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。
第一隔離溝41A是設(shè)于構(gòu)成一個(gè)電路裝置的單元相互的分界線的隔離溝，和其它隔離溝相比，其寬度擴(kuò)寬地形成。具體地說，第一隔離溝41A的大小是例如寬度為300μm，深度為60μm左右。
第一隔離溝41B及41C是為將在一個(gè)單元內(nèi)部構(gòu)成的導(dǎo)電圖案11相互電隔離而設(shè)置的隔離溝。第一隔離溝41B及41C的大小是例如寬度為150μm，深度為60μm左右。
第二隔離溝51A1及51A2是設(shè)于對(duì)應(yīng)上述的對(duì)應(yīng)隔離溝41A的區(qū)域的導(dǎo)電箔40背面的隔離溝。這些第二隔離溝51A1及51A2的寬度形成地比設(shè)于導(dǎo)電箔40表面的隔離溝小。具體地說，第二隔離溝51A1及51A2的寬度例如為20μm～30μm左右，深度也為數(shù)μm左右。
第二隔離溝51B及51C是設(shè)于對(duì)應(yīng)上述的第一隔離溝41B及41C的區(qū)域的導(dǎo)電箔40背面的隔離溝。這些隔離溝51B及51C的大小與上述的第二隔離溝51A1等相同就可以。
通過圖中設(shè)于右端附近的第一隔離溝41D及第二隔離溝51D，設(shè)置將導(dǎo)電箔40在厚度方向上貫通的導(dǎo)向孔44。該導(dǎo)向孔44在以后的各工序中在進(jìn)行導(dǎo)電箔40的定位時(shí)使用。
本工序的腐蝕進(jìn)行到使導(dǎo)向孔44貫通的程度。由此，考慮擴(kuò)大第二隔離溝51時(shí)，例如有可能第一隔離溝41C和第二隔離溝51C連通。當(dāng)?shù)谝桓綦x溝41C和第二隔離溝51C連通時(shí)，產(chǎn)生各導(dǎo)電圖案被隔離而離散的問題，產(chǎn)生在樹脂密封的工序中從密封樹脂連通的部分泄漏到外部的問題等。由此，在本方式中，第二隔離溝51A1～51C形成比第二隔離溝51D窄的寬度。因此，最好第二隔離溝51比第一隔離溝41淺。
下面對(duì)抗蝕劑31的開口部31的寬度和形成于其上的隔離溝41的深度的關(guān)系進(jìn)行說明。當(dāng)開口部31的寬度寬時(shí)，向其流入的腐蝕劑的流速快。因此，在開口部31的寬度寬的部位形成的隔離溝41的深度加深。與此相對(duì)，在考慮開口部31開口的寬度窄時(shí)，腐蝕劑的流動(dòng)不好。因此，由于反應(yīng)的腐蝕劑滯留而阻礙腐蝕的進(jìn)行。另外，在考慮形成具有寬度(例如150μm)以上的開口部31時(shí)，形成的隔離溝41的深度均勻。
參照?qǐng)D3(C)說明利用上述腐蝕的工序形成的導(dǎo)電箔40的平面結(jié)構(gòu)。在短片狀導(dǎo)電箔40上4～5個(gè)分開并排形成多個(gè)單元的區(qū)塊42。在各區(qū)域42之間設(shè)置縫隙43，吸收由模制工序等的加熱處理產(chǎn)生的導(dǎo)電箔40的應(yīng)力。另外，在導(dǎo)電箔40的上下周端以一定的間隔設(shè)置導(dǎo)向孔44，將其在各工序中的定位時(shí)使用。在本工序中，除用于構(gòu)成導(dǎo)電路11的隔離溝之外，也可以同時(shí)形成上述的導(dǎo)向孔44及縫隙43。
參照?qǐng)D4詳細(xì)說明利用上述工序形成的導(dǎo)電圖案11。圖4(A)是導(dǎo)電箔40的剖面圖，圖4(B)是放大一個(gè)區(qū)塊42表面的平面圖，圖4(C)是放大一個(gè)區(qū)塊42的背面的平面圖。該圖所示的導(dǎo)電箔40是其本身具有價(jià)值的板狀體。即，在具有腐蝕設(shè)備的工廠將導(dǎo)電箔40加工到該狀態(tài)。而且，將該導(dǎo)電箔40向其它工廠輸送，進(jìn)行下述所示的剩余工藝。由此，即使在具有腐蝕設(shè)備的工廠，也可以進(jìn)行本方式的電路裝置的制造方法。
參照?qǐng)D4(A)，在腐蝕的工序結(jié)束后，將第一抗蝕劑PR1及第二抗蝕劑PR2剝離，使導(dǎo)電箔40的兩主面全部露出。
參照?qǐng)D4(B)，在一個(gè)區(qū)塊42的內(nèi)部形成由構(gòu)成一個(gè)電路裝置的多個(gè)導(dǎo)電圖案11構(gòu)成的單元45。具體地說，四個(gè)單元45兩行兩列排列成矩陣狀。另外，利用延伸區(qū)塊42內(nèi)部的第一隔離溝41A將各單元45隔離成格子狀。該單元45的個(gè)數(shù)可根據(jù)單元的大小等增減。在一個(gè)單元45的內(nèi)部，各導(dǎo)電圖案11通過單元隔離溝41B、41C凸?fàn)罡綦x。
另外，為在之后的切割工序中進(jìn)行定位，在位于各單元45的分界的部位形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記47。該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記47和其它導(dǎo)電圖案11相同，通過形成隔離溝41凸?fàn)畹匦纬伞６?，利用進(jìn)行之后的背面腐蝕的工序從進(jìn)行密封的樹脂背面露出到外部，作為用于進(jìn)行定位的視覺性識(shí)別部位。
參照?qǐng)D4(C)，在導(dǎo)電箔40的背面形成比上述的第一隔離溝的寬度窄的第二隔離溝51等。具體地說，格子狀延伸第二隔離溝51A1及51A2，使其在各單元45之間延伸。第二隔離溝51A1及51A2的平面的位置與上述第一隔離溝41A的位置相對(duì)應(yīng)。在單元45的內(nèi)部，在對(duì)應(yīng)上述的第一隔離溝41B、41C的部位形成第二隔離溝51B、51C。
本發(fā)明的第二工序如圖5(A)的剖面圖及圖5(B)的平面圖所示，在各單元45的所希望的導(dǎo)電圖案11上固定電路元件12，形成電連接各單元45的電路元件12的電極和所希望的導(dǎo)電圖案11的連接裝置。
電路元件12為晶體管、二極管、IC芯片等半導(dǎo)體元件、以及片狀電容、片狀電阻等無源元件。另外，雖然厚度增厚，但也可以適用于安裝CSP、BGA等。在本工序中，形成將電路元件12和導(dǎo)電圖案11電連接的金屬細(xì)線14。
本發(fā)明的第三工序如圖6所示，一并地覆蓋各單元45的電路元件12，利用密封樹脂13進(jìn)行模制，將其填充于隔離溝41中。
在本工序中，密封樹脂13覆蓋電路元件12及多個(gè)導(dǎo)電圖案11。另外，向?qū)щ妶D案11間的隔離溝41中填充密封樹脂13，和導(dǎo)電圖案11側(cè)面的彎曲結(jié)構(gòu)嵌合，并緊固地接合。而且，利用密封樹脂13支承導(dǎo)電圖案11。在本工序中，可通過傳遞膜模制、注入膜模制或浸漬實(shí)現(xiàn)，聚酰亞胺樹脂、硫化聚苯等熱塑性樹脂可通過注入膜模制實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明的第四工序如圖7及圖8所示，將各導(dǎo)電圖案11電隔離。具體地說，直至填充于第一隔離溝41A、41B、41C的密封樹脂13露出到外部，從背面除去導(dǎo)電箔40。在本方式中，利用濕法腐蝕進(jìn)行導(dǎo)電箔40的除去。用于除去導(dǎo)電箔40背面的方法考慮兩種方法。第一方法是使用作為腐蝕掩模的抗蝕劑選擇地覆蓋導(dǎo)電箔40的背面，然后進(jìn)行腐蝕的方法。第二方法是不使用腐蝕掩模，而從背面腐蝕導(dǎo)電箔40的方法。
參照?qǐng)D7詳細(xì)說明上述的第一方法。圖7(A)是表示進(jìn)行腐蝕前的導(dǎo)電箔40的狀態(tài)的剖面圖，圖7(B)是表示進(jìn)行本工序的腐蝕后的導(dǎo)電箔40的狀態(tài)的剖面圖。
參照?qǐng)D7(A)，在導(dǎo)電箔40背面選擇地形成抗蝕劑PR3。在抗蝕劑PR3上設(shè)置開口部，從各開口部露出第二隔離溝51A1～51C及其周邊部的導(dǎo)電箔40背面。即，在抗蝕劑PR3上設(shè)置的開口部的寬度形成得比第二隔離溝寬。
關(guān)于第二隔離溝51A1及51A2，從設(shè)于抗蝕劑PR3上的一個(gè)開口部露出兩方的隔離溝。由此，通過進(jìn)行本工序的腐蝕，形成一個(gè)一體化的第二隔離溝51A。但是，也可以使各隔離溝個(gè)別地從抗蝕劑PR3露出。
以上述這樣形成的抗蝕劑PR3為腐蝕掩模，進(jìn)行導(dǎo)電箔40的腐蝕。在同圖中，虛線表示腐蝕前進(jìn)的樣態(tài)。在從抗蝕劑PR3露出的導(dǎo)電箔的背面形成第二隔離溝51A1～51C。因此，本工序中的腐蝕優(yōu)先沿導(dǎo)電箔40的厚度方向行進(jìn)。
具體地說，利用從導(dǎo)電箔40背面前進(jìn)的腐蝕將填充于第一隔離溝41A～41C中的密封樹脂13凸?fàn)畹芈冻觥Ｍㄟ^達(dá)到該程度后進(jìn)行腐蝕，可準(zhǔn)確地進(jìn)行各導(dǎo)電圖案11的電隔離。
參照?qǐng)D7(B)，直至填充于第一隔離溝41A～41C中的密封樹脂13露出，進(jìn)行導(dǎo)電箔40背面的腐蝕。在本工序中，通過在導(dǎo)電箔40的背面設(shè)置第二隔離溝51A1～51C，可進(jìn)行使側(cè)面腐蝕的量降低的腐蝕。由此，可在形成隔離溝的部位準(zhǔn)確地將各導(dǎo)電圖案電隔離。由于側(cè)面腐蝕的量減小，故可增大導(dǎo)電圖案11背面的面積。另外，也可以增大附著于導(dǎo)電圖案11背面形成的外部電極。利用本工序?qū)⑵浞謩e隔離的導(dǎo)電圖案11可形成地比現(xiàn)有例厚。具體地說，可將導(dǎo)電圖案11形成為大于等于100μm左右的厚度。
其次，參照?qǐng)D8說明不使用腐蝕掩模，從背面除去導(dǎo)電箔40，將各導(dǎo)電圖案11電隔離的第二方法。圖8(A)是表示進(jìn)行腐蝕前的導(dǎo)電箔40的狀態(tài)的剖面圖，圖8(B)是表示進(jìn)行本工序的腐蝕后的導(dǎo)電箔40的狀態(tài)的剖面圖。
參照?qǐng)D8(A)，利用上述的工序預(yù)先在導(dǎo)電箔40背面形成第二隔離溝51A1～51C。因此，即使在不使用掩模，腐蝕導(dǎo)電箔40的背面時(shí)，腐蝕也可以優(yōu)先從形成了這些第二隔離溝的區(qū)域進(jìn)行。在同圖中，虛線表示該腐蝕行進(jìn)的樣態(tài)。從該虛線的狀態(tài)可知，對(duì)應(yīng)第一隔離溝41A～41C下方的區(qū)域的腐蝕前進(jìn)量比其它區(qū)域多。在此也直至使填充于對(duì)應(yīng)隔離溝41A～41C中的密封樹脂12凸?fàn)畹芈冻?，進(jìn)行腐蝕。
參照?qǐng)D8(B)，直至填充于第一隔離溝41A～41C中的密封樹脂露出到外部，進(jìn)行導(dǎo)電箔40背面的腐蝕。如上所述，由于腐蝕優(yōu)先從設(shè)置第二隔離溝51的區(qū)域前進(jìn)，故導(dǎo)電圖案11的背面構(gòu)成比從第一隔離溝41露出的密封樹脂更向外部突出的結(jié)構(gòu)。即使采用這樣的第二種腐蝕方法，也可以得到和上述第一種方法相同的效果。另外，和現(xiàn)有例相比，可在導(dǎo)電圖案11的背面寬地形成平坦的面。
在上述工序結(jié)束后，利用抗蝕劑16覆蓋各單元45背面，然后，在從抗蝕劑16露出的導(dǎo)電圖案11的背面形成外部電極15。由此，得到圖1所示的剖面形狀。
本發(fā)明的第五工序如圖8所示，通過以每個(gè)單元45進(jìn)行切割，隔離密封樹脂13。
在本工序中利用切割刀49沿各單元45之間的切割線路切割隔離溝41的密封樹脂13，隔離成個(gè)別的電路裝置。在本工序中，由于在切割線路上僅存在填充于隔離溝41中的密封樹脂13，故切割刀69的損耗少，也不會(huì)產(chǎn)生切割毛刺，可切割成極其準(zhǔn)確的外形。詳細(xì)敘述，上述切割沿形成于各單元45間的第二隔離溝51A(參照?qǐng)D8(B))的中間部進(jìn)行。另外，在視覺的識(shí)別先前的工序形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記47后，進(jìn)行本工序的分割。
第三實(shí)施方式在本方式中，參照?qǐng)D10及圖11說明其它方式的電路裝置的制造方法。本方式的電路裝置的制造方法和上述第二實(shí)施方式基本上相同，不同點(diǎn)在于，形成覆蓋導(dǎo)電圖案11及第一隔離溝41的包覆樹脂61。下面以該不同點(diǎn)為中心說明本方式的電路裝置的制造方法。
參照?qǐng)D10(A)，準(zhǔn)備在表面形成第一隔離溝41、在背面形成第二隔離溝42的導(dǎo)電箔40。在此，在表面形成三個(gè)第一隔離溝41A～41C，在對(duì)應(yīng)這些第一隔離溝41的位置的導(dǎo)電箔40背面形成第二隔離溝51。這些隔離溝的形成方法和上述的第二實(shí)施方式相同。
參照?qǐng)D10(B)，形成包覆樹脂61，使其覆蓋含有第一隔離溝41的導(dǎo)電箔40表面。包覆樹脂61的形成方法考慮如下兩種方法，即在導(dǎo)電箔40表面涂敷半固形狀的樹脂的方法和在導(dǎo)電箔40表面層積片狀樹脂膜的方法。而且，形成開口部62，使作為電連接區(qū)域的導(dǎo)電箔40的表面露出。
參照?qǐng)D10(C)，介由粘接劑在由前工序形成的包覆樹脂61表面固定電路元件12。在此，固定作為L(zhǎng)SI的一個(gè)電路元件12，但也可以固定多個(gè)其它種類的電路元件。從包覆樹脂61露出的部分的導(dǎo)電箔40的表面介由金屬細(xì)線14和電路元件12電連接。形成密封樹脂13，使其覆蓋電路元件12及金屬細(xì)線14。
然后，參照?qǐng)D11，通過從背面除去導(dǎo)電箔40，使填充于第一隔離溝41中的包覆樹脂61露出到外部，將各導(dǎo)電圖案11電隔離。
在圖11(A)中，在導(dǎo)電箔40的背面選擇性形成抗蝕劑PR3，進(jìn)行導(dǎo)電箔40的腐蝕。在圖11(B)中，通過進(jìn)行無掩模的腐蝕，進(jìn)行各導(dǎo)電圖案11的隔離，在此，也進(jìn)行導(dǎo)電箔40的腐蝕直至填充于第一隔離溝41A～41C中的密封樹脂12凸?fàn)畹芈冻觥Ｆ渌ば蚝蜕鲜龅牡诙?shí)施方式相同。
根據(jù)本工序，在電路元件12下方設(shè)置電極。另外，與圖1或圖2所示的電路裝置相同，也將向金屬細(xì)線14下方延伸的配線部11C內(nèi)置在利用本方式的制造方法制造的電路裝置中。另外，在本方式中，填充于隔離溝41中的包覆樹脂61從背面向外部露出。
權(quán)利要求
1.一種電路裝置的制造方法，其特征在于包括準(zhǔn)備導(dǎo)電箔的工序；通過在所述導(dǎo)電箔的表面形成第一隔離溝，形成凸?fàn)钔怀龅膶?dǎo)電圖案的工序；在對(duì)應(yīng)所述第一隔離溝的部位的所述導(dǎo)電箔背面設(shè)置第二隔離溝的工序；將電路元件與所述導(dǎo)電圖案電連接的工序；形成密封樹脂，使其填充到所述第一隔離溝中而覆蓋所述電路元件的工序；以及除去所述導(dǎo)電箔背面直至填充于所述第一隔離溝中的所述密封樹脂露出的工序。
2.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括利用第一隔離溝在表面形成凸?fàn)钔怀龅膶?dǎo)電圖案，準(zhǔn)備在對(duì)應(yīng)所述第一隔離溝的部位的背面形成第二隔離溝的導(dǎo)電箔的工序；將電路元件與所述導(dǎo)電圖案電連接的工序；形成密封樹脂，使其填充到所述第一隔離溝中而覆蓋所述電路元件的工序；以及除去所述導(dǎo)電箔背面直至填充于所述第一隔離溝的所述密封樹脂露出的工序。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述第一隔離溝及所述第二隔離溝通過濕法腐蝕同時(shí)形成。
4.如權(quán)利要求1或2所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，設(shè)置在厚度方向上貫通所述導(dǎo)電箔的通孔，所述第一隔離溝、所述第二隔離溝及所述通孔利用濕法腐蝕同時(shí)形成。
5.如權(quán)利要求1或2所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電箔背面的除去如下進(jìn)行，介由選擇性覆蓋所述導(dǎo)電箔背面的腐蝕掩膜的濕法腐蝕，使所述第二隔離溝露出。
6.如權(quán)利要求1或2所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，通過全面地腐蝕所述導(dǎo)電箔的背面，使填充于所述第一隔離溝的所述絕緣性樹脂露出。
7.如權(quán)利要求1或2所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，構(gòu)成通過多個(gè)所述導(dǎo)電圖案構(gòu)成一個(gè)電路裝置的單元，所述單元在所述導(dǎo)電箔表面形成多個(gè)，在對(duì)應(yīng)于所述單元相互之間的所述第一隔離溝的區(qū)域的所述導(dǎo)電箔背面設(shè)置多個(gè)所述第二隔離溝。
8.如權(quán)利要求1或2所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，利用包覆樹脂覆蓋含有所述第一隔離溝的所述導(dǎo)電箔表面，將從所述包覆樹脂部分地露出的所述導(dǎo)電圖案和所述電路元件電連接。
9.一種電路裝置，其包括多個(gè)導(dǎo)電圖案，其至少構(gòu)成島及靠近所述島設(shè)置的焊盤；電路元件，其安裝于所述島上，與所述焊盤電連接；以及絕緣樹脂，其使所述導(dǎo)電圖案背面露出，密封所述電路元件及所述導(dǎo)電圖案，其特征在于，所述絕緣樹脂從將所述導(dǎo)電圖案相互分開的隔離溝突出到外部，所述導(dǎo)電圖案的背面和側(cè)面連續(xù)的角部平滑地形成。
10.如權(quán)利要求9所述的電路裝置，其特征在于，設(shè)置由所述導(dǎo)電圖案構(gòu)成的配線部，所述配線部在不同平面的位置具有電連接的區(qū)域。
11.如權(quán)利要求9所述的電路裝置，其特征在于，利用所述導(dǎo)電圖案構(gòu)成的配線部電連接的多個(gè)所述電路元件被內(nèi)置。
12.如權(quán)利要求9所述的電路裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案及所述絕緣樹脂的背面被抗蝕劑覆蓋，所述導(dǎo)電圖案的平坦面從設(shè)于所述抗蝕劑上的開口部露出。
13.一種板狀體，其特征在于，在一主面上形成通過由半腐蝕形成的第一隔離溝凸?fàn)钔怀龅膶?dǎo)電圖案，在對(duì)應(yīng)所述第一隔離溝的區(qū)域的其它主面上具有第二隔離溝。
14.如權(quán)利要求13所述的板狀體，其特征在于，形成由多個(gè)所述導(dǎo)電圖案構(gòu)成一個(gè)電路裝置的單元，在所述一主面上矩陣狀配置所述單元。
15.如權(quán)利要求14所述的板狀體，其特征在于，在所述一主面上形成由多個(gè)所述單元構(gòu)成的區(qū)塊，在所述區(qū)塊內(nèi)部形成通過所述第一隔離溝凸?fàn)钚纬傻膶?duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
16.如權(quán)利要求13所述的板狀體，其特征在于，所述第二隔離溝比所述第一隔離溝淺。
17.如權(quán)利要求13所述的板狀體，其特征在于，所述第一隔離溝實(shí)質(zhì)上以相同的寬度形成。
18.如權(quán)利要求13所述的板狀體，其特征在于，與固定功率系元件的預(yù)定的所述導(dǎo)電圖案相鄰的所述第一隔離溝形成得比其它第一隔離溝寬。
全文摘要
一種電路裝置的制造方法，可減小側(cè)面腐蝕，形成厚的導(dǎo)電圖案。在本發(fā)明電路裝置的制造方法中，在導(dǎo)電箔(40)表面設(shè)置第一隔離溝(41)，將預(yù)定形成的導(dǎo)電圖案形成凸?fàn)睢Ａ硗?，在?duì)應(yīng)形成第一隔離溝(41)的區(qū)域的導(dǎo)電箔(40)的背面設(shè)置第二隔離溝(51)。而且，在電路元件12的固定及其電連接結(jié)束后，進(jìn)行樹脂密封，然后，通過進(jìn)行導(dǎo)電箔(40)背面的腐蝕，進(jìn)行各導(dǎo)電圖案(11)的隔離。
文檔編號(hào)H01L21/48GK1700431SQ20051006884
公開日2005年11月23日 申請(qǐng)日期2005年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月20日
發(fā)明者高橋幸嗣 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社