專利名稱：同軸直流塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明一般地涉及同軸直流(DC)塊。
背景技術：
如本領域中公知的那樣，同軸電纜是由被電介質分隔的兩個同心導體形成的。這種獨特的構造使得電磁場被限制在內導體和外導體之間的區(qū)域中，這在電纜的內部場和外部場之間產生接近完美的屏蔽。
同軸電纜通常被用來從一個電氣設備向另一電氣設備傳播高頻信號。通常，兩個電氣設備可以處于相同的地電勢。然而，一些應用，例如使用高頻信號和低頻信號兩者的大系統(tǒng)，可能對由接地回路引起的低頻噪聲(例如，近似1kHz及更低)敏感。在這種情況下，希望斷開電勢接地回路。解決此問題的一種方式是斷開同軸線中的接地連接。例如，在需要在高頻范圍和低頻范圍(例如，數(shù)字、低頻模擬、RF等)兩者中進行測試的工業(yè)RF半導體測試器中，在單獨的機架(rack)中產生RF信號，并且利用一個或多個同軸電纜，該RF信號被連接到半導體測試接口。RF機架通過AC電源連接或通信鏈路被聯(lián)系到保護接地。半導體測試接口也可以通過操縱器(將半導體自動放置到測試器上的設備)、AC電源連接或通信鏈路聯(lián)系到保護接地。這樣，在RF機架和半導體測試接口之間的同軸連接可以完成在RF機架和數(shù)字測試器之間的一個接地回路，該接地回路可能產生低頻噪聲。在這種情況下，期望通過在接地回路成為問題的低頻處斷開同軸連接來斷開接地回路。
然而，這樣的配置有問題。即使當兩個設備通過公共電源連接或其它裝置而都被接地時，每個設備的接地電勢取決于連接的電氣長度和阻抗也有些許不同。當一個電氣設備(或者該設備的一部分)在一個電勢處接地而另一電氣設備在不同電勢處接地時，設備的噪聲電勢在幅度和相位方面不同。這樣，當利用同軸電纜與DC塊相連接的時候，在低頻處，在DC塊的每一側的接地中存在不連續(xù)性。由于該不連續(xù)性，使得在DC塊的每一側的接地噪聲電勢不同。這導致噪聲被引入系統(tǒng)。
因此，系統(tǒng)設計者曾嘗試制造一種DC塊，該DC塊阻止沿著同軸電纜的DC電流，同時允許RF功率流過DC塊。為實現(xiàn)此目標的一般方案是切割同軸電纜，然后用對于DC具有高阻抗的電容來將兩段同軸電纜電容性耦合到一起，從而斷開接地環(huán)路，而在較高頻率仍有效地耦合信號。該解決方案由于同軸電纜傳輸線的同軸配置而存在問題。盡管在兩段同軸電纜的兩個內導體之間插入電容器是簡單明了的，但是在兩段同軸電纜的兩個外導體之間插入電容卻存在問題。在兩段同軸電纜的兩個外導體之間插入電容器通常會劣化同軸電纜的屏蔽特性，進而不利地影響通過同軸電纜傳播的信號的完整性。
理想地，DC塊應當在信號傳播的期望頻率范圍內在外導體上具有非常低的阻抗，而在非常低頻范圍內具有高阻抗，以便斷開接地回路。當然，這些頻率的實際值將取決于應用。
盡管已經開發(fā)了用于電容性斷開外部同軸連接的一些DC塊，但是迄今為止，在所期望的信號傳播頻率范圍包括較低頻率時(但是大于接地回路上所見的非常低頻)，這些DC塊不具有足夠低的阻抗。低頻處的較高阻抗可能在傳播信號上引入低頻噪聲。為了降低外部連接的阻抗開始增加之處的頻率，耦合電容需要以某種方式顯著地增加，使得在整個連續(xù)頻帶(無諧振點)內阻抗都非常低。此外，需要保持微波結構，并且該結構不能暴露給外部干擾。在現(xiàn)有技術的DC塊中，由于它的構造，外部連接局限于電容。
因此，需要一種DC塊，其用高阻抗阻斷非常低頻的信號，而在較高頻，保持通過DC塊的標準同軸傳輸線的電場抵消效應。

發(fā)明內容
本發(fā)明涉及一種新穎的同軸DC塊，該同軸DC塊以下述方式顯著增加在整個外部同軸連接上的電容，其中所述方式使接地路徑阻抗作為頻率的函數(shù)而非常小且外部干擾被最小化。
通過改進同軸接地連接，在不劣化高頻性能的同時改進了低頻噪聲性能。改進將取決于系統(tǒng)條件和環(huán)境噪聲條件。
同軸DC塊包括內部DC塊、同軸屏蔽套和電容性墊圈。內部DC塊斷開內部同軸連接和外部同軸連接兩者。通過使用PCB層的內層作為平板電容器并使用分立電容器，外部同軸連接被電容性聯(lián)系。同軸屏蔽套與電容性墊圈相結合，實質上圍繞內部DC塊形成了電容性聯(lián)系的法拉第籠或電容性套。


通過參考下面的詳細說明并結合附圖，在更好地理解本發(fā)明的同時，本發(fā)明的許多相應優(yōu)點及對本發(fā)明的全面把握將變得更加清楚，附圖中相似的參考標號指示相同或相似的組件，其中圖1是圖示在兩個設備之間的同軸電纜連接的框圖；圖2A是一段同軸電纜的剖視圖；圖2B是圖2A的同軸電纜的橫截面圖；圖2C是圖示由沿圖2A和2B的同軸電纜傳播的信號產生的電場的電場圖；圖3A是根據本發(fā)明實現(xiàn)的用于同軸電纜的DC塊的優(yōu)選實施例的側視圖；圖3B是圖3A的DC塊的橫截面?zhèn)纫晥D；圖3C是圖3A和3B的DC塊的立體圖；圖3D是圖3A、3B和3C的DC塊的分解圖；圖4A是圖3A-3D的內部DC塊的俯視圖；圖4B是圖4A的內部DC塊的側視圖；圖4C是圖4A的內部DC塊的印刷電路板的仰視圖；圖4D是圖4A的內部DC塊的印刷電路板的示意圖；圖5A是3A-3D的內罩的優(yōu)選實施例的立體圖；圖5B是圖5A的內罩的橫截面?zhèn)纫晥D；
圖5C是圖5A和圖5B的內罩的開口端視圖；圖5D是圖5A、5B和5C的內罩的視圖；圖5E是圖5A、5B、5C和5D的內罩的封口端視圖；圖6A是圖3A-3D的外罩的優(yōu)選實施例的立體圖；圖6B是圖6A的外罩的橫截面?zhèn)纫晥D；圖6C是圖6A和圖6B的外罩的開口端視圖；圖6D是圖6A、6B和6C的外罩的視圖；圖6E是圖6A、6B、6C和6D的外罩的封口端視圖；圖7A是圖3A-3D的絕緣體的優(yōu)選實施例的立體圖；圖7B是圖7A的絕緣體的前視圖；圖7C是圖7A和7B的絕緣體的側視圖；圖7D是圖7A、7B和7C的絕緣體的后視圖；圖8A是圖3A-3D的電容性墊圈的俯視圖；圖8B是圖8A的電容性墊圈的仰視圖；圖8C是圖8A和8B的電容性墊圈的側視圖；圖8D是圖8A、8B和8C的電容性墊圈上的分立電容器的示意圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在參考附圖，圖1示出了兩個設備之間的同軸電纜連接。為了消除DC和低頻電壓或電流分量同時允許高頻信號通過，同軸DC塊沿著同軸電纜連接而被串聯(lián)插入。
圖2A是一段同軸電纜10的剖視圖，而圖2B是圖2A的同軸電纜10的橫截面圖。如圖所示，同軸電纜10由同心的內部和外導體12與16、夾在內導體12與外導體16之間的電介質14、以及同心圍繞外導體16的絕緣體18形成。
圖2C是圖示由沿同軸電纜10傳播的信號產生的電場的電場圖。根據標準的電磁場理論，由在內導體12的一個方向(例如，指向頁面內)上流動的電流產生的電場Ej在橫截面的整個360°方向上從內導體12向外導體16輻射。由沿著外導體16的返回路徑在相反方向(例如，指向頁面外)上流動的電流產生的電場Eo在橫截面的整個360°方向上從外導體16向內導體12輻射。因此，在信號傳播期間，內部與外導體12與16的電場Ei和Eo彼此抵消。從而，場抵消效應防止電纜10的輻射并且還用來屏蔽電纜10以防外部干擾。
用于防止DC流和低頻電流的公知方案是電容性耦合RF連接設備的接地或返回路徑。然而，電容性耦合同軸電纜的接地/返回路徑不是容易的事情。內導體可以被容易地斷開成兩個獨立的導體，這兩個獨立的導體隨后可以利用電容器耦合到一起，即使它們是不同的結構(例如，如下文討論的內部DC塊140，從內導體線到扁平的微波傳輸帶到標準的分立電容器)。但是，斷開外導體16將允許電場向電纜10之外輻射，并且將通過電纜10傳播的信號暴露給來自外部信號的干擾，除非外導體16被恰當?shù)孛芊狻?br> 圖3A、3B、3C和3D圖示了根據本發(fā)明實現(xiàn)的用于同軸電纜的DC塊100的優(yōu)選實施例。如圖所示，DC塊100通常包括內部DC塊140和電容性套160。內部DC塊140在一端可電耦合到第一段同軸電纜的第一內導體，并且在相反端可電耦合到第二段同軸電纜的第二內導體，并且在第一段同軸電纜的第一內導體和第二段同軸電纜的第二內導體之間形成電容。設計電容使得它阻斷感興趣的第一頻率范圍。
套160圍繞內部DC塊140同心布置，并且將內部DC塊140電氣密封在其內部。套160可電耦合到第一段同軸電纜的第一外導體，并且可電耦合到第二段同軸電纜的第二外導體。在這方面，優(yōu)選地使用公/母式超小型A系列(Sub-Miniature Series A，SMA)連接器對來實現(xiàn)同軸電纜耦合。SMA連接器主要包括公連接器和母連接器，其中公連接器由從電介質插頭的中央延伸出的導電引腳組成，母連接器由容納該引腳并與之電接觸的套組成。標準SMA連接器使用螺紋耦合或鎖定螺母作為鎖定機構來連接公連接器和母連接器。
套160的橫截面優(yōu)選為圓環(huán)形，并且形成將第一外導體的整個圓周電耦合到第二外導體的整個圓周的圓周電容。圓周電容被設計成阻斷感興趣的第二頻率范圍。因為套160將內部DC塊140電氣密封在其內部，所以DC塊實質上被完全從套160內部和外部的場屏蔽。
現(xiàn)在具體參考本發(fā)明DC塊的優(yōu)選實施例。圖3D示出了同軸DC塊100的分解圖。如圖所示，同軸DC塊100包括內部DC塊140、內罩104、平墊圈102、墊圈103、絕緣體109、外罩114、電容性墊圈120、平墊圈118和螺母119。
圖4A、4B、4C和4D更詳細圖示了內部DC塊140的優(yōu)選實施例。如圖所示，內部DC塊140包括具有端部裝入(end-launch)連接器141的第一同軸SMA連接器143和具有端部裝入連接器142的第二同軸SMA連接器144，其中端部裝入連接器142電連接到母SMA連接器144。
相應SMA連接器143與144的第一與第二同軸端部裝入連接器141與142中的每個分別包括安裝叉145與146，安裝叉145與146包括相應的中心齒桿145b、146b和兩個外齒桿145a、145c與146a、146c。母SMA連接器143和144每個包括中心導體接收器(未示出)，其電耦合到其相應的同軸端部裝入連接器141與142的中心齒桿145b、146b。母SMA連接器143和144每個還包括外導體接收器(未示出)，其電耦合到其相應的同軸端部裝入連接器141與142的外齒桿145a、145c與146a、146c。第一和第二同軸端部裝入連接器141與142利用相應的安裝叉145與146被安裝在RF印刷電路板150的相對兩側。當然，SMA連接器143與144的規(guī)格取決于所使用的同軸電纜類型。在所圖示的實施例中，同軸電纜是50歐姆、18GHz、RG-58電纜，并且母SMA連接器143與144是用可從總部在Waseca，MN的Johnson Components獲得的零件號碼為142-0711-811的SMA端部裝入直隔板插座-圓形接頭(SMA End Launch StraightBulkhead Jack Receptacle-Round Contact)實現(xiàn)的。
RF印刷電路板150包括多個分立電容器。至少一個電容器152具有被焊接到印刷電路板(PCB)150上的微波傳輸帶(或跡線(trace))151a的第一接線端以及被焊接到PCB 150上的第二微波傳輸帶(或跡線)151b的第二接線端。當RF印刷電路板150被安裝在同軸端部裝入連接器141與142之間時，各個同軸端部裝入連接器141與142的中心齒桿145b、146b電連接(例如，焊接)到相應的第一與第二微波傳輸帶151a、151b。因此，RF印刷電路板150用來在連接到SMA連接器的同軸電纜的相應第一與第二內導體之間耦合內導體電容Ci152。盡管在優(yōu)選實施例中，RF印刷電路板150被配置成具有單個分立電容152來在兩段引入的同軸電纜的內導體之間提供期望的內導體電容Ci，但是本領域普通技術人員將能理解，內導體電容Ci還可以被配置為用來一起提供所期望的內導體電容Ci152的任何數(shù)目的電容器和/或其它組件，以濾出感興趣的第一頻率范圍內的頻率分量。在優(yōu)選實施例中，感興趣的第一頻率范圍f1是0＜f1＜1kHz，對于10MHz至8GHz范圍內傳播的信號，期望的內導體電容Ci152是330皮法。
RF印刷電路板150還包括在外齒桿焊盤之間并聯(lián)連接(利用跡線、過孔和焊接連接)的電容器153a、153b、153c、153d、153e、153f、153g、153h、153i，其中相應端部裝入連接器141和142的外齒桿145a、145c、146a、146c在裝配期間被焊接到上述外齒桿焊盤上。當裝配的時候，RF印刷電路板150用來在連接到SMA連接器的同軸電纜的相應第一與第二外導體之間耦合外導體電容Co。盡管在優(yōu)選實施例中，RF印刷電路板150被配置成具有電容器153a、153b、153c、153d、153e、153f、153g、153h、153i的特定配置(數(shù)目和電容值)以在兩段引入的同軸電纜的外導體之間提供期望的外導體電容Co，但是本領域普通技術人員將能理解，外導體電容Co還可以被配置為用來一起提供所期望的外導體電容Co的任何數(shù)目的電容器和/或其它組件，以選擇感興趣的第二頻率范圍內的頻率分量。在優(yōu)選實施例中，感興趣的第二頻率范圍f2與感興趣的第一頻率范圍相同，即0＜f2＜1kHz，對于在10MHz至8GHz內傳播的信號，期望的外導體電容Co是2μF＜Co＜3μF。
母SMA連接器143與144每個包括中心導體和電隔離的同心外導體(通常稱作返回路徑或接地)。母SMA連接器外表面形成有螺紋。公SMA連接器(未示出)配置有中心引腳和與中心引腳電絕緣的同心外導體。每個公SMA連接器包括可旋轉附接的螺紋螺母，當該螺母在圍繞母SMA連接器的螺紋軸桿裝配的時候，可以被旋緊以將公SMA連接器與母SMA連接器牢固地連接在一起，使得同軸電纜的內導體電耦合到分別附接到相應母SMA連接器的端部裝入連接器的中心齒桿。將要經由同軸DC塊100連接的兩段同軸電纜的端部被電連接到公SMA連接器，從而各段同軸電纜的相應內導體電耦合到相應公SMA連接器的中心引腳，并且各段同軸電纜的相應外導體電耦合到相應公SMA連接器的同心外導體。因此，當利用本發(fā)明的同軸DC塊100來連接兩段同軸電纜時，兩段同軸電纜的相應內導體通過內導體電容Ci被電容性耦合到一起，并且兩段同軸電纜的相應外導體通過電容Co被電容性耦合到一起。
應當意識到，盡管外導體電容Co用來阻斷外導體上的DC與低頻電流分量，但是RF印刷電路板150的印刷電路板結構改變了同軸DC塊100內電場的形狀和方向。因為同軸電纜的外導體已經從同心同軸配置變換到平印刷電路板的配置，所以電場的形狀也從放射狀電場變?yōu)镻CB型電場。這意味著同軸傳輸線的場抵消效應特性被RF印刷電路板150破壞，從而消除了對兩個感興趣電氣設備之間的整個同軸線上的“完美”屏蔽，并且將通過同軸線傳播的信號暴露給由外部場干擾引起的有害噪聲。
因此，同軸DC塊100還包括同軸屏蔽套160，同軸屏蔽套160實質上形成圍繞內部DC塊140的法拉第籠。參考圖3D，在優(yōu)選實施例中，同軸屏蔽套160優(yōu)選地由內罩104、墊圈103、墊圈102、絕緣體109、外罩114、電容性墊圈120、墊圈118和螺母119形成。
在另一個實施例中，目前可從市場上得到的現(xiàn)有技術DC塊(其在兩端上包括擴展SMA母連接器)可以用于實現(xiàn)內部DC塊140。在該實施例中，整個現(xiàn)有技術的DC塊隨后將被封包并且被電氣密封在同軸屏蔽電容性套160內，以解決現(xiàn)有技術DC塊的屏蔽劣化問題。
現(xiàn)在參考電容性套160，圖5A、5B、5C、5D和5E圖示了在同軸DC塊100的優(yōu)選實施例中的電容性套160中使用的內罩104的優(yōu)選實施例。如圖所示，內罩104是繞軸形成的中空圓柱管105，并且其中具有空腔107。圓柱管105的一端開口，而另一端覆蓋有罩108。在罩108中形成了與圓柱管105的軸同心的孔106。孔106的直徑基本等于內部DC塊140的母SMA連接器的軸桿的直徑，并且優(yōu)選地以埋頭孔的形式形成在罩108中。管105和罩108都是導電的。圓柱管105和罩108優(yōu)選地作為一個整體單元而被形成。
圖6A、6B、6C、6D和6E圖示了在同軸DC塊100的優(yōu)選實施例中使用的外罩114的優(yōu)選實施例。如圖所示，外罩114也是繞軸形成的中空圓柱管115，并且其中具有空腔。圓柱管115的一端開口，而另一端覆蓋有罩117。在罩117中形成了與圓柱管115的軸同心的孔116?？?16的直徑基本等于內部DC塊140的母SMA連接器的軸桿的直徑。管115和罩117都是導電的，并且優(yōu)選地作為一個整體單元而被形成。
圖7A、7B、7C、和7D圖示了在同軸DC塊100中使用的絕緣體109的優(yōu)選實施例。如圖所示，絕緣體109包括繞軸形成的中空圓柱管111。中空圓柱管的一端形成平墊圈110，平墊圈110具有與圓柱管111的軸同心的中心孔112。注意，絕緣體109是由非導電絕緣材料例如電介質(例如，塑料、聚氨脂等)形成的。
圖8A、8B、8C、和8D圖示了在同軸DC塊100中使用的電容性墊圈120的優(yōu)選實施例。電容性墊圈120是其中心形成有孔128的圓環(huán)，孔128的直徑基本等于母SMA連接器的帶螺紋軸桿的直徑。電容性墊圈120由夾在第一導電層121和第二導電層123之間的電介質122形成。第一導電層121是被層鋪(即印刷或層疊)在電介質122的一個表面上的導電材料固體薄片。第二導電層123包括層鋪(即印刷或層疊)在電介質122的相反的另一表面上的內環(huán)125和外環(huán)124。多個過孔126將第二導電層123的外環(huán)124與第一導電層121相連接。圖8B圖示出第二導電層123的內環(huán)125通過平板電容Cp而電容性耦合到第一導電層121。該電容Cp的環(huán)狀配置在兩段同軸電纜的外導體之間圍繞外導體的整個圓周提供了耦合電容。電容Cp由多個因素確定，所述因素包括平板面積、平板間距、介電常數(shù)等。
取決于具體應用的阻抗和頻率阻斷要求(例如，在期望阻斷非常低頻信號時)，可以在第二導電層123的外環(huán)124和第二導電層123的內環(huán)125之間電容性耦合一個或多個分立電容器127。圖8D示出了在本發(fā)明的示例性實施例中使用的第二導電層123的分立電容器1271-12716的等效示意圖。
表1給出了當感興趣的信號傳播頻率范圍是10MHz至8GHz范圍時的電容性墊圈120和內部DC塊140的示例性電容值。
表1


為了裝配同軸屏蔽套160，內部DC塊140通過內罩104的開口端而被插入到空腔107，使得第一SMA連接器的軸桿穿過內罩104的罩108中的孔106。墊圈103安裝在SMA連接器的帶螺紋軸桿上，其后安裝墊圈102。連接器螺母101將墊圈102和墊圈103固定在合適位置，以使其抵靠在內罩104的罩106的外表面上。
絕緣體109被安裝在第二SMA連接器的軸桿上，使得軸桿穿過絕緣體109的孔112。當前的組裝件隨后被插入到外罩114的開口端中，第二SMA連接器首先被插入，使得絕緣體109的圓柱部分111(其中有第二SMA連接器的軸桿)穿過外罩114的罩117中的孔116。外罩114和內罩104被壓配合在一起以圍繞內部DC塊140形成封閉的圓柱導電籠。
電容性墊圈120隨后被安裝到第二母SMA連接器的帶螺紋軸桿上。墊圈118被安裝到該軸桿，隨后安裝螺母119，然后擰緊螺母以使墊圈118抵靠電容性墊圈120，直至電容性墊圈120的第一導電層121導電性抵靠到外罩114的罩116的外表面上。
當利用具有與同軸DC塊100的母SMA連接器附接的公SMA連接器的同軸電纜在兩個電氣設備之間進行裝配和連接時，同軸屏蔽套160經由第一母SMA連接器被電耦合到第一同軸電纜的外導體。在同軸DC塊100的另一端，第二同軸電纜的外導體經由墊圈118和螺母119被電耦合到電容性墊圈120的內環(huán)125。如前所述，電容性墊圈120的內環(huán)125電容性耦合到電容性墊圈120的第一導電層121，第一導電層121導電性連接到外罩114的罩116上。因此，第一與第二同軸電纜的外導體經由同軸DC塊100而被電容性耦合。電容性套160形成圍繞內部DC塊140的“法拉第”籠，從而保持同軸電纜的電場抵消效應。因此，內部DC塊140可以被實現(xiàn)為在預定信號傳播的頻率范圍內具有很低的阻抗，而在非常低頻處提供高阻抗以斷開接地回路。
盡管為說明的目的已經描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但是本領域普通技術人員將意識到，在不背離權利要求中公開的本發(fā)明的范圍和精神的前提下，可以進行各種修改、添加和替換。還可能隨著時間的過去，當前公開的發(fā)明的其它優(yōu)點或用途將變得清楚。
權利要求
1.一種用于同軸電纜的直流塊，所述同軸電纜包括同心地夾在內導體和外導體之間的電介質，所述外導體與所述內導體同心，所述直流塊包括內部直流塊，可電耦合到第一段同軸電纜的第一內導體并且可電耦合到第二段同軸電纜的第二內導體，所述內部直流塊形成一電容，所述電容將所述第一內導體電容性耦合到所述第二內導體并且阻斷感興趣的第一頻率范圍；電容性套，被圍繞所述內部直流塊同心布置，所述電容性套電氣密封所述內部直流塊，所述套可電耦合到所述第一段同軸電纜的第一外導體并且可電耦合到所述第二段同軸電纜的第二外導體，所述套形成圓周電容，所述圓周電容將所述第一外導體圓周電耦合到所述第二外導體，并且阻斷感興趣的第二頻率范圍。
2.根據權利要求1所述的直流塊，其中所述感興趣的第一頻率范圍與所述感興趣的第二頻率范圍相同。
3.根據權利要求1所述的直流塊，其中所述電容性套包括同心管，在第一同心管端可圓周電耦合到所述第一段同軸電纜的所述第一外導體；電容性墊圈，包括夾在第一導電層和第二導電層之間的電介質，所述第一導電層可圓周電耦合到所述同心管以將所述內部直流塊電氣密封在所述同心管內，并且所述第二導電層可圓周電耦合到所述第二段同軸電纜的所述第二外導體。
4.根據權利要求3所述的直流塊，包括穿過所述電容性墊圈的所述第一導電層、所述電介質和所述第二導電層而形成的孔，用于允許所述第二段同軸電纜的至少所述內導體穿過所述圓周電容器。
5.根據權利要求3所述的直流塊，其中所述第二導電層包括利用所述電介質而與所述第一導電層電隔離的第一導電區(qū)域；與所述第一導電區(qū)域同心布置的第二導電區(qū)域，所述第二導電區(qū)域電耦合到所述第一導電層；以及耦合在所述第一導電區(qū)域和所述第二導電區(qū)域之間的至少一個分立電容器。
6.根據權利要求5所述的直流塊，包括穿過所述電容性墊圈的所述第一導電層、所述電介質和所述第二導電層而形成的孔，用于允許所述第二段同軸電纜的至少所述內導體穿過所述圓周電容器。
7.根據權利要求1所述的直流塊，其中所述內部直流塊包括具有中心導體和外導體的第一超小型A系列連接器，所述中心導體可耦合到所述第一段同軸電纜的所述內導體上，并且所述外導體可耦合到所述第一段同軸電纜的所述外導體上；具有中心導體和外導體的第二超小型A系列連接器，所述中心導體可耦合到所述第二段同軸電纜的所述內導體上，并且所述外導體可耦合到所述第二段同軸電纜的所述外導體上；以及印刷電路板，包括內導體電容，用于耦合所述第一超小型A系列連接器的所述中心導體和所述第二超小型A系列連接器的所述中心導體；以及外導體電容，用于耦合所述第一超小型A系列連接器的所述外導體和所述第二超小型A系列連接器的所述外導體。
8.根據權利要求7所述的直流塊，其中所述電容性套包括同心管，在第一同心管端可圓周電耦合到所述第一超小型A系列連接器的所述外導體；電容性墊圈，包括夾在第一導電層和第二導電層之間的電介質，所述第一導電層可圓周電耦合到所述同心管以將所述內部直流塊電氣密封在所述同心管內，并且所述第二導電層可圓周電耦合到所述第二超小型A系列連接器的所述外導體。
9.根據權利要求8所述的直流塊，包括穿過所述電容性墊圈的所述第一導電層、所述電介質和所述第二導電層而形成的孔，用于允許所述第二超小型A系列連接器穿過所述圓周電容器。
10.根據權利要求8所述的直流塊，其中所述第二導電層包括利用所述電介質而與所述第一導電層電隔離的第一導電區(qū)域；與所述第一導電區(qū)域同心布置的第二導電區(qū)域，所述第二導電區(qū)域電耦合到所述第一導電層；以及耦合在所述第一導電區(qū)域和所述第二導電區(qū)域之間的至少一個分立電容器。
11.根據權利要求10所述的直流塊，包括穿過所述電容性墊圈的所述第一導電層、所述電介質和所述第二導電層而形成的孔，用于允許所述第二超小型A系列連接器穿過所述圓周電容器。
12.一種用于同軸電纜的圓周電容器，所述同軸電纜包括同心地夾在內導體和外導體之間的電介質，所述外導體與所述內導體同心，所述圓周電容器包括夾在第一導電層和第二導電層之間的電介質，所述第一導電層可圓周電耦合到第一段所述同軸電纜的第一外導體，并且所述第二導電層可圓周電耦合到第二段所述同軸電纜的第二外導體。
13.根據權利要求12所述的圓周電容器，其中所述第一導電層、所述電介質和所述第二導電層被形成在印刷電路板上。
14.根據權利要求12所述的圓周電容器，包括穿過所述第一導電層、所述電介質和所述第二導電層而形成的孔，用于允許所述同軸電纜的至少所述內導體穿過所述圓周電容器。
15.根據權利要求14所述的圓周電容器，其中所述孔容納超小型A系列連接器的同心軸桿。
16.根據權利要求12所述的圓周電容器，其中所述第二導電層包括利用所述電介質而與所述第一導電層電隔離的第一導電區(qū)域；與所述第一導電區(qū)域同心布置的第二導電區(qū)域，所述第二導電區(qū)域電耦合到所述第一導電層；以及耦合在所述第一導電區(qū)域和所述第二導電區(qū)域之間的至少一個分立電容器。
17.根據權利要求16所述的圓周電容器，其中所述第一導電層、所述電介質、所述第二導電層和所述至少一個分立電容被形成在印刷電路板上。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種新穎的具有圓周電容性屏蔽的同軸DC塊。同軸DC塊包括內部DC塊，該內部DC塊可電耦合到第一段同軸電纜的第一內導體并且可電耦合到第二段同軸電纜的第二內導體。內部DC塊提供用來將第一內導體電容性耦合到第二內導體并且阻斷感興趣的第一頻率范圍的電容。內部DC塊被電容性套電氣密封和屏蔽，所述電容性套被圍繞內部DC塊同心布置以形成法拉第籠。電容性套可電耦合到第一段同軸電纜的第一外導體并且可電耦合到第二段同軸電纜的第二外導體。電容性套形成圓周電容，該圓周電容將第一外導體圓周電耦合到第二外導體，并且阻斷感興趣的第二頻率范圍。
文檔編號H01B11/18GK1707702SQ20051007204
公開日2005年12月14日 申請日期2005年5月26日 優(yōu)先權日2004年6月1日
發(fā)明者維克托·馬修·格羅森, 馬克·羅伯特·賴蘭 申請人:安捷倫科技有限公司