專利名稱：一種液晶顯示器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件及其制造方法，更確切地說，涉及一種具有GOLDD(重疊柵極的輕摻雜漏極)型和LDD(輕摻雜漏極)型薄膜晶體管的液晶顯示器件及其制造方法。
背景技術：
最近，對更輕、更小巧平板顯示器件的研究已使得液晶顯示(LCD)器件得以大量生產(chǎn)和廣泛應用。LCD器件通常使用薄膜晶體管(TFT)。在LCD器件中用TFT作為開關器件單獨驅(qū)動各相應的象素。TFT包括半導體層、柵極、源極和漏極，其中半導體層上形成供電流流過的溝道，柵極通過施加掃描信號使得輸入數(shù)據(jù)信號的源極和輸出數(shù)據(jù)信號的漏極上的電流接通和截斷來控制電流。
LCD包括象素區(qū)和驅(qū)動電路單元，所述象素區(qū)上具有多個用于顯示實像的象素，所述驅(qū)動電路單元用于向象素區(qū)提供各種信號。TFT構成所有象素區(qū)和驅(qū)動電路單元。對于在同一基板上具有驅(qū)動電路單元和象素區(qū)的玻璃上芯片型(COG)LCD而言，通過在驅(qū)動電路單元上設置多晶TFT而在形成小巧的LCD研究方面獲得了極大的成功。
與形成在象素區(qū)中的TFT相比，形成在驅(qū)動電路單元中的TFT必須具有更高的電遷移率。因此，在驅(qū)動電路單元中通常采用具有高電遷移率的多晶TFT。
近來，在進一步減小LCD以便形成更輕和更小巧的顯示器件方面做了很多努力。然而，由于不能進一步減小顯示圖像的象素區(qū)(象素區(qū)的尺寸已經(jīng)確定)，所以，減小LCD的尺寸主要是靠減小驅(qū)動電路單元的面積實現(xiàn)。因此，當減小驅(qū)動電路單元的面積時，也不可避免地將減小設置在驅(qū)動電路單元內(nèi)的TFT的尺寸。通過減小溝道的長度可以減小TFT。然而，減小溝道的長度，將使溝道層易受到溝道上產(chǎn)生的熱載流子的傷害。陷在溝道內(nèi)的熱載流子將改變器件的閾值電壓進而使其發(fā)生故障。
為了解決這一問題，引入了LDD(輕摻雜漏極)型TFT。LDD型TFT具有低濃度雜質(zhì)區(qū)。LDD區(qū)與溝道層相鄰形成而高濃度雜質(zhì)區(qū)形成在LDD區(qū)的外側。此外，由于LDD型TFT極少產(chǎn)生任何斷電流，由此可以防止引起圖像質(zhì)量下降的漏電流。
然而，在LDD型TFT中，溝道長度的減小量受到限制。隨著溝道長度變短，TFT的可靠性將下降。因此，當將溝道長度較短的TFT用到HDTV等高圖像質(zhì)量的顯示器件上時，由于熱載流子效應將使溝道受到損壞。
建議采用具有GOLDD(重疊柵極的LDD)型TFT解決這些問題。在GOLDD型TFT中，由于柵極與LDD區(qū)重疊，所以能夠形成較短的溝道。因此，可以制造出可靠的小尺寸TFT。
下面將參照圖1A到圖1F討論現(xiàn)有技術中GOLDD型TFT的制造工序。
首先，如圖1A所示，在用透明材料如玻璃等制成的基板101上形成緩沖層102。接著，通過沉積諸如硅等非晶半導體并對其構圖而在緩沖層102上形成半導體層103。隨后，在半導體層103上形成光刻膠圖案104并將低濃度雜質(zhì)離子(即，n-離子)注入到半導體層103上未被光刻膠圖案遮擋的暴露區(qū)。最后形成溝道層103a和低濃度雜質(zhì)區(qū)103b，即n-區(qū)。
隨之，如圖1B所示，在去除溝道層103a上的光刻膠圖案104之后，用激光束照射半導體層103以使非晶半導體層結晶。當用激光束照射半導體層103時，將激活注入到n-區(qū)103b中的雜質(zhì)離子。
然后，如圖1C所示，在半導體層103上形成柵絕緣層105。隨后，在柵絕緣層105上形成金屬層106。
參照圖1D，在金屬層106上形成光刻膠圖案107并執(zhí)行光刻工序從而形成柵極106a。柵極106a的尺寸大于溝道層103a。
下面參照圖1E，用柵極106a作為掩模在n-區(qū)103b內(nèi)注入高濃度雜質(zhì)離子(n+離子)。各n-層103b的一部分(即，未被柵極106a遮擋的區(qū)域)變成高濃度雜質(zhì)區(qū)103c(n+區(qū))。因此，柵極106a與低濃度雜質(zhì)區(qū)103b’重疊。
形成高濃度雜質(zhì)層103c之后，如圖1F所示，在柵極106a上形成鈍化層108。在鈍化層108上沉積導電層并對導電層進行蝕刻形成源極109和漏極110。
源極109和漏極110分別通過用于暴露n+區(qū)103c的接觸孔與n+區(qū)103c相連。
所以，GOLDD犁TFT具有與LDD型TFT相似的低濃度雜質(zhì)離子區(qū)和高濃度雜質(zhì)離子區(qū)。GOLDD型TFT具有極佳的可靠性但不容易減小其尺寸。另一方面，LDD型TFT在小尺寸方面有優(yōu)勢，但由于要盡可能減小尺寸，所以其可靠性下降。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件，該液晶顯示器件基本上克服了因現(xiàn)有技術的限制和缺陷而導致的一個或多個問題。
因此，本發(fā)明的目的是，通過減小基板上驅(qū)動電路單元的面積來形成更小巧的液晶顯示器件。更確切地說，本發(fā)明的目的是，通過根據(jù)驅(qū)動電壓選擇性地將LDD型TFT和GOLDD型TFT應用于形成在驅(qū)動電路單元上的不同驅(qū)動器件而形成最佳驅(qū)動電路單元和更小巧的液晶顯示器件。
在以下的說明中將述及本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點，這些特征和優(yōu)點中的一部分將從以下的說明中明顯得到，或是通過本發(fā)明的實踐而獲得。通過文字說明部分和權利要求以及所附的附圖中特別指出的結構可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點。
為了獲得在此以概括和廣義形式描述的與本發(fā)明目的有關的這些和其他優(yōu)點，本發(fā)明的液晶顯示器件包括顯示區(qū)，所述顯示區(qū)上設有布置成矩陣形式的單元象素；和驅(qū)動電路單元，所述驅(qū)動電路單元具有至少一個LDD(輕摻雜漏極)型TFT和GOLDD(重疊柵極的輕摻雜漏極)型TFT。
按照另一方面，一種液晶顯示器件包括圖像顯示單元，所述圖像顯示單元上設有布置成矩陣形式的單元象素；和驅(qū)動電路單元，所述驅(qū)動電路單元根據(jù)驅(qū)動電壓的不同而由包含LDD型TFT的第一CMOS和包含GOLDD型TFT的第二CMOS構成。
按照另一方面，本發(fā)明提供一種制造由驅(qū)動電路單元集成的液晶顯示器件的方法，所述方法包括的步驟有在基板上設計顯示區(qū)和驅(qū)動電路區(qū)；在顯示區(qū)上形成矩陣形式的單元象素；在驅(qū)動電路區(qū)上形成至少一個驅(qū)動單元，所述驅(qū)動單元包括第一驅(qū)動部分、第二驅(qū)動部分和第三驅(qū)動部分；在第一驅(qū)動部分上形成LDD型NMOS，在第二驅(qū)動部分上形成GOLDD型TFT，和在第三驅(qū)動部分上形成PMOS，同時，通過將LDD型NMOS與PMOS配對形成第一CMOS和通過將GOLDD型TFT與PMOS配對形成第二CMOS。
很顯然，以上的一般性描述和下面的詳細說明都是示例性和解釋性的，其意在對要求保護的發(fā)明提供進一步的解釋。


附圖表示的是本發(fā)明的實施例而且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理，所述附圖有助于進一步理解本發(fā)明，其與說明書相結合并構成說明書一部分。
附圖中圖1A到圖1F表示現(xiàn)有技術中制造GOLDD型TFT的工序；圖2是表示本發(fā)明所述陣列基板的平面圖；和圖3A到圖3F表示制造本發(fā)明所述GOLDD型TFT、LDD型TFT和PMOS的工序；和圖4是表示實驗結果的曲線圖，該圖示出了各種漏電壓和LDD型以及GOLDD型TFT的電遷移率，其中溝道的寬度和長度分別設為4μm，而LDD區(qū)的長度為1.5μm。
具體實施例方式
下面將詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例，這些實施例的實例示于附圖中。
通常，液晶顯示板包括陣列基板和濾色片基板，其中所述陣列基板上設有布置成矩陣的單元象素，而濾色片基板面對陣列基板設置。將液晶填充到陣列基板和濾色片基板之間的間隙中。將陣列基板分成形成單元象素的圖像顯示單元和向圖像顯示單元提供驅(qū)動信號的驅(qū)動電路單元。
圖2表示本發(fā)明所述液晶顯示器件中陣列基板的結構。如圖2所示，圖像顯示單元201形成在基板200的預定位置上，而設有不同驅(qū)動電路的驅(qū)動電路單元202位于圖像顯示單元201的外側。
特別是，通過制成多晶硅TFT而發(fā)展了在同一基板上形成驅(qū)動顯示區(qū)的驅(qū)動電路單元和顯示圖像的顯示區(qū)的SOG(硅玻璃)技術。因此，簡化了制造液晶顯示板的工序，這使得有可能利用SOG技術制造更小巧的液晶板。該工序的主要因素之一是用多晶硅作為TFT的溝道。多晶硅相對于非晶硅來說具有極好的導電性。因此，用將多晶硅作為溝道的多晶硅TFT形成驅(qū)動電路單元和顯示區(qū)的開關器件。
可以選擇性地使用P型TFT或N型TFT作為顯示區(qū)的開關器件。使用將NMOS和PMOS配對的CMOS(互補金屬氧化物半導體)作為驅(qū)動電路單元的驅(qū)動器件。具體地說，NMOS是LDD型多晶硅TFT，其用于控制因載流子引起的漏電流。
驅(qū)動電路單元可以采用CMOS作為驅(qū)動器件。在此，可以用GOLDD型TFT而不是用LDD型NMOS來形成CMOS。也就是說，在驅(qū)動電路單元中可以將CMOS設計成LDD型TFT+PMOS和GOLDD型TFT+PMOS的組合形式，以此來防止漏電流同時最大程度地減小驅(qū)動電路單元的尺寸。
如圖2中所示，陣列基板200的驅(qū)動電路單元202包括用于向顯示區(qū)201的柵線提供柵信號的柵驅(qū)動器203和用于向數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動器204。形成在顯示區(qū)201內(nèi)的數(shù)據(jù)線與柵線垂直交叉。兩驅(qū)動器203和204與顯示區(qū)201相鄰設置。
驅(qū)動電路單元202進一步包括時序控制器205，該控制器接收從外部輸入的信號并產(chǎn)生供給柵驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器的控制信號。為了將產(chǎn)生的控制信號提供給柵驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器，需要設置一將外部輸入的DC電壓轉換成驅(qū)動液晶顯示板所需的DC電壓的DC-DC轉換器，將從外部輸入的數(shù)字信號轉換成模擬信號的DA(數(shù)字-模擬)轉換器，伽瑪電壓發(fā)生器和調(diào)節(jié)公共電壓的公共電壓(Vcom)驅(qū)動器。CMOS構成了驅(qū)動電路單元中的不同器件。
在形成CMOS時，由采用GOLDD型TFT的CMOS形成以較高電壓工作的驅(qū)動器件從而防止通常在高壓下工作時產(chǎn)生的漏電流。由采用LDD型NMOS的CMOS構成以較低電壓工作的驅(qū)動器件。因此，可實現(xiàn)驅(qū)動的可靠性并使面積減小。
例如，柵驅(qū)動器內(nèi)的輸出緩沖塊、驅(qū)動電路單元中的電平移位器、顯示區(qū)內(nèi)的象素開關TFT和用大于10V的高壓驅(qū)動的所有其他器件均由采用GOLDD型TFT的CMOS構成。另一方面，時序控制器、數(shù)據(jù)驅(qū)動器內(nèi)的移位電阻、DC-DC轉換器、Vcom驅(qū)動器和用小于10V的低壓驅(qū)動的所有其他器件均由采用LDD型TFT的CMOS構成。使用這些結構，驅(qū)動電路單元可以利用具有減小面積效果的LDD型TFT和具有高可靠性的GOLDD型TFT在可靠性和減小面積方面達到最佳效果。
下面將參照圖3A到圖3F說明驅(qū)動電路單元中CMOS的制造工序。
本發(fā)明所述的驅(qū)動電路單元使用了一將LDD型NMOS和PMOS配對的CMOS，和另一將GOLDD型TFT和PMOS配對的CMOS。做為參照，下面將說明LDD型NMOS、GOLDD型TFT和PMOS的制造工序。
首先，參照圖3A，在透明基板301的預定區(qū)域(即，LDD型TFT區(qū)L，GOLDD型TFT區(qū)G和PMOS區(qū)P)上分別形成有源層302a、302b和302c。
通過用PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)法在基板301上形成非晶硅層并用光掩模工序?qū)υ摲蔷Ч鑼訕媹D來完成形成有源層302a、302b和302c的工序。換句話說，形成有源層302a、302b和302c的工序包括的步驟有用PECVD法在基板301上沉積非晶硅層、在非晶硅層上涂敷光刻膠(未示出)，用掩模使光刻膠曝光和顯影，用顯影的光刻膠圖案對非晶硅構圖。
如圖3B所示，在形成有源層302a、302b和302c之后，通過光掩模工序在有源層302a、302b和302c上形成光刻膠圖案304。光刻膠圖案304在LDD型TFT區(qū)L和GOLDD型TFT區(qū)G上限定了有源層302a和302b的溝道區(qū)，并覆蓋了PMOS區(qū)上的整個有源層302c。有源層302a和302b上的光刻膠圖案304覆蓋有源層302a和302b的各溝道區(qū)303c并暴露剩余區(qū)域。
之后，用光刻膠圖案304作為雜質(zhì)阻擋掩模注入低濃度雜質(zhì)離子。可以用第五族元素例如磷(P)作為注入的雜質(zhì)離子。在離子注入的過程中，將低濃度雜質(zhì)離子注入LDD型TFT區(qū)L和GOLDD型TFT區(qū)G上的有源層302a和302b的暴露部分中，即，沒有被光刻膠304蓋住的區(qū)域。因此，沒有雜質(zhì)離子注入到PMOS區(qū)P上的有源層302c中，這是因為該部分被光刻膠304覆蓋。
接著，如圖3C所示，用PECVD法在整個有源層302a、302b和302c上形成用二氧化硅膜(SiO2)制成的柵絕緣層305。在柵絕緣層305上形成例如鋁(Al)或類似物的金屬層。通過光刻工序，在金屬層上形成柵極306、307和308。在GOLDD型TFT區(qū)G上形成的柵極307比在LDD型TFT區(qū)L上形成的柵極306大。這樣便在GOLDD型TFT區(qū)G的柵極307下方形成低濃度雜質(zhì)區(qū)。
隨后，如圖3D所示，在柵極306和308上形成光刻膠圖案309a和309b。在此，光刻膠圖案309a覆蓋整個柵極306和LDD型TFT區(qū)L上的一部分低濃度雜質(zhì)區(qū)303a和303b。在PMOS區(qū)P上形成覆蓋整個PMOS區(qū)的光刻膠圖案309b。在GOLDD型TFT區(qū)G上不形成光刻膠圖案。
接下來，將高濃度雜質(zhì)離子注入到LDD型TFT區(qū)L和GOLDD型TFT區(qū)G上暴露的低濃度雜質(zhì)區(qū)303a和303b。因此，在LDD型TFT區(qū)L上分別形成高濃度雜質(zhì)區(qū)310b和310c，以及源區(qū)和漏區(qū)。在溝道的相鄰區(qū)域形成LDD區(qū)310a。此外，在GOLDD型TFT區(qū)G的低濃度雜質(zhì)區(qū)303a和303b中分別形成高濃度雜質(zhì)區(qū)311b和311c，以及源區(qū)和漏區(qū)。柵極307下方的低濃度雜質(zhì)區(qū)311a構成LDD區(qū)311a。注入的高濃度雜質(zhì)離子可以是第五族元素，例如磷(P)等。在通過注入高濃度雜質(zhì)離子形成LDD型TFT區(qū)L和GOLDD型TFT區(qū)G的源區(qū)和漏區(qū)的同時，可以用光刻膠覆蓋PMOS區(qū)P上的有源層以防止雜質(zhì)注入該區(qū)。
下面，如圖3E所示，用光刻膠圖案312覆蓋LDD型TFT區(qū)L和GOLDD型TFT區(qū)G。在此，PMOS區(qū)P未被光刻膠覆蓋。
此后，用光刻膠312作為阻擋掩模，在這些區(qū)域中注入第三族元素例如硼(B)等高濃度雜質(zhì)離子。此時，將高濃度P型雜質(zhì)離子注入到PMOS區(qū)P的源區(qū)和漏區(qū)313a和313b中從而形成PMOS。通過這些工序，形成LDD型NMOS，GOLDD型TFT和PMOS。如上所述，在用小于10V驅(qū)動的低壓驅(qū)動器件區(qū)內(nèi)形成LDD型NMOS，而在用大于10V驅(qū)動的較高電壓驅(qū)動器件區(qū)內(nèi)形成GOLDD型TFT。
接著，如圖3F所示，通過將LDD型NMOS和PPMOS配成一對形成一CMOS，而同時通過將GOLDD型TFT和PMOS配成一對形成另一CMOS。圖3F是將GOLDD型TFT與PMOS相連的CMOS結構的實例。
在制成TFT之后，在整個基板上形成絕緣層314，并在絕緣層314上形成用于暴露TFT源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔。
隨后，形成通過接觸孔與源區(qū)和漏區(qū)連接的源極320和漏極321。在形成源極320和漏極321的步驟中，形成將PMOS上的漏極313b和GOLDD型TFT上的漏極311c相連的公用漏極315。
然后，在源極和漏極上形成鈍化層317，以及與公用漏極315相連的漏極連接端子316。而且，可以在制造驅(qū)動電路單元中CMOS工序的同時，形成作為顯示區(qū)開關器件的TFT?？梢赃x擇性地用PMOS或NMOS形成顯示區(qū)內(nèi)的TFT。此外，當用高電壓驅(qū)動圖像顯示單元的開關器件時，可以用具有極高可靠性的GOLDD型TFT作為開關器件。因此，可以得到既包含LDD型TFT又包含GOLDD型TFT的由驅(qū)動電路單元集成的液晶板。
在制造本發(fā)明所述由驅(qū)動電路單元集成的液晶板時，在用較高驅(qū)動電壓驅(qū)動的器件中形成采用GOLDD型TFT的CMOS，而在用較低驅(qū)動電壓驅(qū)動的器件中形成采用LDD型TFT的另一CMOS。因此，能夠制造出既滿足減小驅(qū)動電路單元面積又具有可靠性的驅(qū)動電路單元集成的液晶板。此外，由于是在不增加額外掩模工序的情況下完成這些工序，所以提高了液晶板的生產(chǎn)效率。
按照本發(fā)明，在位于驅(qū)動電路單元內(nèi)的TFT中，用大于10V的高電壓驅(qū)動GOLDD犁TFT，而用小于10V的低電壓驅(qū)動LDD型TFT，這主要基于以下考慮。
圖4是表示實驗結果的曲線圖，其示出了LDD型TFT和GOLDD型TFT中漏電壓和電遷移率的變化，其中將溝道的寬度和長度分別設為4μm，而將LDD區(qū)的長度設為1.5μm。
如圖所示，通過比較LDD型TFT和GOLDD型TFT的電遷移率變化可知，當漏電壓Vd大于10V時，即，當電遷移率的變化超過7％時，LDD型TFT的電遷移率發(fā)生急劇變化，而GOLDD型TFT的電遷移率則很穩(wěn)定。因此，優(yōu)選地，在需要高驅(qū)動電壓的電路中采用由具備高可靠性的GOLDD型器件和PMOS構成的CMOS，而在需要低驅(qū)動電壓的電路中采用由尺寸小于GOLDD型器件的LDD器件和PMOS構成的CMOS。
考慮到漏電壓和電遷移率的這些變化特性，當多晶硅TFT的電遷移率變化小于7％時，選擇LDD型TFT，而當電遷移率的變化大于7％時，選擇GOLDD型TFT，由此使得制造出的由驅(qū)動電路集成的液晶顯示板同時滿足了減小尺寸和驅(qū)動電路單元可靠的要求。
對于本領域的普通技術人員來說很顯然，在不脫離本發(fā)明的構思和范圍的情況下，可以對本發(fā)明的液晶顯示器件及其制造方法做出各種改進和改變。因此，本發(fā)明意在覆蓋那些落入所附權利要求及其等同物所及范圍內(nèi)的改進和改變。
權利要求
1.一種液晶顯示器件，包括顯示區(qū)，所述顯示區(qū)上設有布置成矩陣形式的單元象素；和驅(qū)動電路單元，所述驅(qū)動電路單元具有至少一輕摻雜漏極型薄膜晶體管和重疊柵極的輕摻雜漏極型薄膜晶體管。
2.根據(jù)權利要求1所述的器件，其特征在于，所述驅(qū)動電路單元包括時序控制器，所述時序控制器產(chǎn)生控制柵驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器的控制信號；DC-DC轉換器，所述轉換器將DC電壓轉換成驅(qū)動圖像顯示單元所需的DC電壓；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器利用從時序控制器輸入的控制信號，向顯示區(qū)中的至少一條數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)信號；柵驅(qū)動器，所述柵驅(qū)動器利用從時序控制器輸入的控制信號，向顯示區(qū)中的至少一條柵線提供柵信號；公共電壓驅(qū)動器，所述公共電壓驅(qū)動器驅(qū)動公共電極的電壓，所述公共電極與在圖像顯示單元中形成的象素電極一起在液晶上形成電場。
3.根據(jù)權利要求2所述的器件，其特征在于，所述時序控制器、DC-DC轉換器和公共電壓驅(qū)動器中的至少一個設有包含輕摻雜漏極型薄膜晶體管的互補金屬氧化物半導體。
4.根據(jù)權利要求2所述的器件，其特征在于，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器包括移位電阻，所述移位電阻存儲從時序控制器輸入的控制信號；數(shù)—模轉換器，所述數(shù)—模轉換器將從移位電阻輸入的控制信號轉換成圖像顯示單元所需要的模擬信號；和輸出緩沖塊，所述輸出緩沖塊將從數(shù)—模轉換器輸入的控制信號送到數(shù)據(jù)線；并且其中柵驅(qū)動器包括移位電阻；電平移位器，所述電平移位器將從移位電阻輸入的控制信號移到特定電平；和輸出緩沖塊，所述輸出緩沖塊將電平移位器輸入的控制信號送到圖像顯示單元的柵線上。
5.根據(jù)權利要求4所述的器件，其特征在于，所述柵驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器中的輸出緩沖塊以及柵驅(qū)動器中的電平移位器上均設有包含重疊柵極的輕摻雜漏極型薄膜晶體管的互補金屬氧化物半導體。
6.根據(jù)權利要求4所述的器件，其特征在于，所述柵驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器中的移位電阻均設有包含輕摻雜漏極型薄膜晶體管的互補金屬氧化物半導體。
7.根據(jù)權利要求1所述的器件，其特征在于，還進一步包括形成在顯示區(qū)內(nèi)的開關器件，所述開關器件根據(jù)驅(qū)動電壓的不同由重疊柵極的輕摻雜漏極型薄膜晶體管或輕摻雜漏極型薄膜晶體管或PMOS構成。
8.根據(jù)權利要求1所述的器件，其特征在于，所述驅(qū)動電路單元中的薄膜晶體管是多晶硅薄膜晶體管，其中溝道的寬度和長度為4μm，而輕摻雜漏極區(qū)的長度為1.5μm，當多晶硅薄膜晶體管的電遷移率變化小于7％時，驅(qū)動電路單元設有包含輕摻雜漏極型薄膜晶體管的互補金屬氧化物半導體，而當多晶硅薄膜晶體管的電遷移率變化大于7％時，驅(qū)動電路單元設有包含重疊柵極的輕摻雜漏極型薄膜晶體管的互補金屬氧化物半導體。
9.一種液晶顯示器件，包括圖像顯示單元，所述圖像顯示單元上設有布置成矩陣形式的單元象素；和驅(qū)動電路單元，所述驅(qū)動電路單元根據(jù)驅(qū)動電壓的不同而由包含輕摻雜漏極型薄膜晶體管的第一互補金屬氧化物半導體和包含重疊柵極的輕摻雜漏極型薄膜晶體管的第二互補金屬氧化物半導體構成。
10.根據(jù)權利要求9所述的器件，其特征在于，所述包含重疊柵極的輕摻雜漏極型薄膜晶體管的第二互補金屬氧化物半導體形成在驅(qū)動電壓大于10V的驅(qū)動電路單元的高電壓部分，而包含輕摻雜漏極型薄膜晶體管的第一互補金屬氧化物半導體形成在驅(qū)動電壓低于10V的驅(qū)動電路單元的低電壓部分。
11.根據(jù)權利要求9所述的器件，其特征在于，所述驅(qū)動電路單元包括時序控制器、設在數(shù)據(jù)驅(qū)動器內(nèi)的移位電阻、數(shù)—模轉換器和公共電壓驅(qū)動器，其中的至少一個由包含輕摻雜漏極型薄膜晶體管的互補金屬氧化物半導體構成；和柵驅(qū)動器內(nèi)的輸出緩沖器和電平移位器均由包含重疊柵極的輕摻雜漏極型薄膜晶體管的互補金屬氧化物半導體構成。
12.一種制造由驅(qū)動電路單元集成的液晶顯示器件的方法，所述方法包括的步驟有在基板上設計顯示區(qū)和驅(qū)動電路區(qū)；在顯示區(qū)上形成矩陣形式的單元象素；在驅(qū)動電路區(qū)上形成至少一驅(qū)動單元，所述驅(qū)動單元包括第一驅(qū)動部分、第二驅(qū)動部分和第三驅(qū)動部分；在第一驅(qū)動部分上形成輕摻雜漏極型NMOS，在第二驅(qū)動部分上形成重疊柵極的輕摻雜漏極型薄膜晶體管，和在第三驅(qū)動部分上形成PMOS，以及同時通過將輕摻雜漏極型NMOS與PMOS配對形成第一互補金屬氧化物半導體和通過將重疊柵極的輕摻雜漏極型薄膜晶體管與PMOS配對形成第二互補金屬氧化物半導體。
13.根據(jù)權利要求11所述的方法，其特征在于，還進一步包括以下步驟在顯示區(qū)內(nèi)形成開關器件，根據(jù)驅(qū)動電壓的不同，所述開關器件由重疊柵極的輕摻雜漏極型薄膜晶體管或輕摻雜漏極型薄膜晶體管或PMOS構成。
14.根據(jù)權利要求12所述的方法，其特征在于，所述在顯示區(qū)內(nèi)形成開關器件的步驟與形成第一和第二互補金屬氧化物的步驟同時進行。
15.根據(jù)權利要求11所述的方法，其特征在于，在驅(qū)動電壓大于10V的驅(qū)動電路區(qū)的高電壓部分形成第二互補金屬氧化物半導體，而在驅(qū)動電壓小于10V的驅(qū)動電路區(qū)的低電壓部分形成第一互補金屬氧化物半導體。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示器件，包括顯示區(qū)和驅(qū)動電路單元，其中所述顯示區(qū)上設有布置成矩陣形式的單元象素；而所述驅(qū)動電路單元具有至少一LDD(輕摻雜漏極)型TFT和GOLDD(重疊柵極的輕摻雜漏極)型TFT。
文檔編號H01L27/146GK1704827SQ20051007239
公開日2005年12月7日 申請日期2005年5月31日 優(yōu)先權日2004年5月31日
發(fā)明者李錫宇 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社