專利名稱：半導(dǎo)體基板及半導(dǎo)體基板的薄型加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體基板及半導(dǎo)體基板的薄型加工方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，攜帶電話、筆記本型個人電腦、PDA(個人數(shù)據(jù)助理)等具有便攜性的電子機器、傳感器、微型機器及打印機的噴頭等的機器為了小型·輕量化，要實現(xiàn)設(shè)于內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片等各種電子部件的小型化。另外，這些電子部件的安裝空間受到極大的限制。
由此，例如在半導(dǎo)體芯片的裝填方法中，正在研究通過使用CSP(ChipScale Package)技術(shù)或W-CSP(Wafer level Chip Scale Package)技術(shù)等，來達成超小型裝填或高密度安裝。
在使用此種CSP技術(shù)或W-CSP技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片的情況下，為了實現(xiàn)小型·輕量·薄型的裝填，一般來說將半導(dǎo)體芯片的厚度減薄至70μm左右。具體來說，在晶片上形成了電子回路后，借助粘結(jié)劑等將晶片固定于支撐體上，從晶片的背面(未形成電子回路的面)一側(cè)開始進行磨削(背部研磨)，實施晶片的薄板化。
但是，在像這樣實施晶片的薄型化的情況下，容易產(chǎn)生以晶片外周部為起點的破裂。所以，為了防止此種破裂，提出了通過磨削晶片端面來防止晶片外周部成為尖銳形狀的技術(shù)、通過磨削晶片端面形成多個凸出形狀來防止晶片外周部成為尖銳形狀的技術(shù)(例如參照專利文獻1、2)。
特開2003-59878號公報[專利文獻2]特開平-45568號公報但是，本發(fā)明人確認，在所述專利文獻中所記述的技術(shù)中，即使可以抑制實施晶片的薄型加工時的破裂，但是其效果也不能被充分發(fā)揮。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決所述的問題而完成的，其目的在于，提供在晶片薄型加工中，可以可靠地防止晶片的破裂的半導(dǎo)體基板及半導(dǎo)體基板的薄型加工方法。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在實施晶片的極薄加工時，由于提供使磨削構(gòu)件和晶片潤滑并且使兩者冷卻的水，這些水侵入晶片和支撐體之間，晶片的外周部抬起而產(chǎn)生翹曲，磨削構(gòu)件和晶片之間的接觸壓力在磨削面內(nèi)變得不均一，由此晶片就會破裂。
所以，本發(fā)明人基于所述情況而想到了具有如下的手段的本發(fā)明。
即，本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的特征是，在第1基板面上，具有形成了半導(dǎo)體元件的元件區(qū)域、與該元件區(qū)域不同的基板外周區(qū)域，在該基板外周區(qū)域上，形成有凹凸部。
通過像這樣形成凹凸部，基板外周區(qū)域的表面積或露出面積與未形成凹凸部的情況相比就比較大。此外，在實施半導(dǎo)體基板的薄型加工之前，當(dāng)將該半導(dǎo)體基板和支撐體夾隔粘接層而粘接時，該粘接層和基板外周區(qū)域的粘接面積變大，可以提高粘接層和半導(dǎo)體基板的密接性，防止剝離。這樣，在實施半導(dǎo)體基板的極薄加工時，就可以防止發(fā)揮磨削構(gòu)件和半導(dǎo)體基板的潤滑或冷卻作用的水侵入半導(dǎo)體基板和支撐體之間。所以，由于半導(dǎo)體基板的外周部不抬起，因此就可以防止半導(dǎo)體基板的翹曲，使磨削構(gòu)件與半導(dǎo)體基板的接觸壓力在第2基板面內(nèi)均勻化。即，可以防止半導(dǎo)體基板的破裂。
由于能夠通過像這樣防止半導(dǎo)體基板的破裂，使半導(dǎo)體基板的成品率提高，因此就可以降低半導(dǎo)體基板的制造成本。
另外，在所述半導(dǎo)體基板中，形成如下特征，即，在與所述基板外周區(qū)域相鄰的側(cè)部形成有凹凸部。
如果如此設(shè)置，則不僅基板外周區(qū)域的表面積或露出面積變大，而且側(cè)部的表面積或露出面積也變大。此外，當(dāng)將半導(dǎo)體基板和支撐體利用粘接層粘接時，由于利用側(cè)部的凹凸部保持粘接層，因此就可以使粘接層和半導(dǎo)體基板進一步密接。另外，通過在側(cè)部保持粘接層，水就更難侵入半導(dǎo)體基板和支撐體之間，從而可以提高對于水的屏蔽效果。
另外，在所述半導(dǎo)體基板中，所述凹凸部是利用干式蝕刻法、濕式蝕刻法、機械磨削的方法、電解鍍法、非電解鍍法及樹脂材料或金屬材料的圖案處理而形成的。
由于這些方法是公知的方法，因此可以容易地在基板外周區(qū)域或側(cè)部形成凹凸部。
這里，在干式蝕刻法、濕式蝕刻法及機械磨削的方法中，可以通過使基板外周區(qū)域或側(cè)部的表面粗糙而形成凹凸部。另外，干式蝕刻法或濕式蝕刻法由于利用等離子化了的氣體的作用或蝕刻液中所含的反應(yīng)液的作用，因此就可以利用化學(xué)的作用形成微細的凹凸部。
另外，在電解鍍法、非電解鍍法、樹脂材料或金屬材料的圖案處理中，通過附加地形成樹脂或金屬，就可以在基板外周區(qū)域或側(cè)部形成凹凸部。另外，電解鍍法、非電解鍍法由于使半導(dǎo)體基板浸漬于鍍液中，因此就可以部分地堆積金屬材料而形成凹凸部。另外，在樹脂材料或金屬材料的圖案處理中，通過在形成了感光性樹脂薄膜或金屬薄膜后將這些薄膜部分地除去，就可以形成凹凸部。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的薄型加工方法是對半導(dǎo)體基板進行薄型加工的方法，其特征是，包括在第1基板面上形成具有半導(dǎo)體元件的元件區(qū)域的工序、在與該元件區(qū)域不同的基板外周區(qū)域上形成凹凸部的工序、使所述第1基板面與支撐體貼合的工序、對與所述第1基板面相反一側(cè)的第2基板面進行磨削的工序。
通過像這樣實施形成凹凸部的工序，就可以使基板外周區(qū)域的表面積或露出面積與未形成凹凸部的情況相比更大。此外，由于通過實施使第1基板面與支撐體貼合的工序，將半導(dǎo)體基板和支撐體利用粘接層粘接，因此該粘接層和基板外周區(qū)域的粘接面積變大，從而可以提高粘接層和半導(dǎo)體基板的密接性，可以防止剝離。這樣，在實施半導(dǎo)體基板的極薄加工時，就可以防止用作磨削構(gòu)件和半導(dǎo)體基板的潤滑或冷卻的水侵入半導(dǎo)體基板和支撐體之間。另外，通過實施磨削第2基板面的工序，可以實施半導(dǎo)體基板的薄型加工。這里，由于水不會侵入到半導(dǎo)體基板和支撐體之間，因此半導(dǎo)體基板的外周部就不會抬起。這樣，就可以防止半導(dǎo)體基板的翹曲，使磨削構(gòu)件在半導(dǎo)體基板上的接觸壓力在第2基板面中均勻化。即，可以防止半導(dǎo)體基板的破裂。
由于通過像這樣能夠防止半導(dǎo)體基板的破裂，半導(dǎo)體基板的成品率提高，因此就可以降低半導(dǎo)體基板的制造成本。
另外，所述半導(dǎo)體基板的薄型加工方法具有如下的特征，即，在使所述第1基板面與支撐體貼合的工序中，借助粘接層使所述第1基板面和所述支撐體貼合。
如果如此設(shè)置，則可以可靠地使支撐體和半導(dǎo)體基板密接。另外，該粘接層由于被形成于基板外周區(qū)域的凹凸部保持，與該基板外周區(qū)域的接觸面積較大，因此就可以獲得與所述情況相同的效果。
另外，所述半導(dǎo)體基板的薄型加工方法具有如下的特征，即，所述粘接層為液狀。
由于通過將此種液狀的粘接層夾隔在半導(dǎo)體基板和支撐體之間，粘接層遍及半導(dǎo)體基板和支撐體之間的全部空間內(nèi)，因此粘接面積變大，從而可以提高粘接強度。
另外，所述半導(dǎo)體基板的薄型加工方法具有如下的特征，即，對與所述第1基板面相反一側(cè)的第2基板面進行磨削的工序中，使用背面研磨。
如果如此設(shè)置，則由于第2基板面被利用背面研磨進行磨削，因此就可以實施半導(dǎo)體基板的薄型加工。
另外，所述半導(dǎo)體基板的薄型加工方法具有如下的特征，即，包括通過磨削所述半導(dǎo)體基板的側(cè)部，使該半導(dǎo)體基板的直徑比所述支撐體的直徑更小。
這里，由于在半導(dǎo)體基板的直徑大于支撐體的直徑的情況下，半導(dǎo)體基板的端面伸出而成為自由端，因此半導(dǎo)體基板就容易與支撐體剝離，支撐體和半導(dǎo)體基板的密接性降低。另外，在半導(dǎo)體基板的直徑和支撐體的直徑同等的情況下，由于即使僅產(chǎn)生少量的錯位，半導(dǎo)體基板的端面也會伸出而成為自由端，因此與所述情況相同，密接性會降低。所以，通過使半導(dǎo)體基板的直徑小于支撐體的直徑，半導(dǎo)體基板就會集中在支撐體上，可以將半導(dǎo)體基板穩(wěn)定地支撐在支撐體上，從而可以防止半導(dǎo)體基板的剝離。


圖1是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的圖。
圖2是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的薄型加工方法的實施方式1的工序圖。
圖3是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的薄型加工方法的實施方式2的工序圖。
圖4是本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的薄型加工方法的實施方式2中所使用的磨削構(gòu)件的圖。
圖5是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的薄型加工方法的實施方式3的工序圖。
圖6是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的薄型加工方法的實施方式4的工序圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖對本發(fā)明的半導(dǎo)體基板及半導(dǎo)體基板的薄型加工方法，說明用于實施的最佳方式。
而且，在以下所參照的附圖中，為了使各種構(gòu)件或各種鍍膜可以識認，采用不同的比例尺進行圖示。
(半導(dǎo)體基板)圖1是示意性地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的一個例子的圖，圖1(a)為半導(dǎo)體基板的俯視圖，圖1(b)為半導(dǎo)體基板的剖面圖，圖1(c)為將圖1(b)中所示的符號A放大表示的放大圖。
如圖1所示，在半導(dǎo)體基板10的表面(第1基板面)10a上，設(shè)有形成了集成電路等半導(dǎo)體元件的元件區(qū)域11。此外，在表面10a上，在除去元件區(qū)域11的半導(dǎo)體基板10的外周(基板外周區(qū)域)10b上，形成有凹凸部12。
半導(dǎo)體基板10例如為由Si(硅)制成的基板，即硅晶片。其尺寸達到8英寸～12英寸左右。
在元件區(qū)域11中，在每個半導(dǎo)體芯片上，形成有由晶體管、存儲器元件、其他的電子元件以及電氣配線等構(gòu)成的電子回路。
形成于外周10b上的凹凸部12如后面詳述所示，是利用各種方法形成的部分。另外，該凹凸部12是在外周10b的基底上設(shè)置微細的凹部而相對地形成了凹凸形狀的部分，或在外周10b的表面設(shè)置由樹脂材料或金屬材料等制成的微細的凹凸而相對地形成凹凸形狀的部分。
另外，半導(dǎo)體基板10的背面(第2基板面)10c如后述所示，是利用薄型加工而被磨削的面，在該背面10c上，未形成有集成電路等的半導(dǎo)體元件。
而且，圖1(a)所示的半導(dǎo)體基板10雖然為圓形，但是實際上在圓形的外周的一部分上形成有切掉的部分，即形成有缺口。
(半導(dǎo)體基板的薄型加工方法的實施方式1)下面，作為半導(dǎo)體基板的薄型加工方法的實施方式1，對將圖1所示的半導(dǎo)體基板10薄型加工的方法進行說明。
圖2(a)～(d)是用于對半導(dǎo)體基板10進行薄型加工的工序圖，是將圖1(b)所示的半導(dǎo)體基板10的符號A的部分放大了的圖。而且，圖2(c)表示將圖2(b)所示的半導(dǎo)體基板10反轉(zhuǎn)而與支撐體粘接的圖。
首先，如圖2(a)所示，在半導(dǎo)體基板10的表面10a上形成元件區(qū)域11。這里，元件區(qū)域11形成于除去外周10b的部分上。元件區(qū)域11如上所述，是由晶體管、存儲器元件其他的電子元件以及電氣配線等形成的電子回路，它們被利用公知的光刻工序、氧化工序、成膜工序、雜質(zhì)注入工序、蝕刻工序等形成。
然后，如圖2(b)所示，在外周10b上形成凹凸部12。
作為該凹凸部12的形成方法，可以舉出干式蝕刻法、濕式蝕刻法、機械的磨削的方法、電解鍍法、非電解鍍法、樹脂材料或金屬材料的圖案處理。這里，干式蝕刻法、濕式蝕刻法、機械的磨削的方法是通過使半導(dǎo)體基板10的外周10b的表面粗糙而形成凹凸部12的方法，換言之，是形成微細的凹部，相對地形成凹凸形狀的方法。另外，電解鍍法、非電解鍍法、樹脂材料或金屬材料的圖案處理是通過在半導(dǎo)體基板10的外周10b的表面形成由金屬或樹脂制成的微細的凸部而形成凹凸部12的方法，換言之，是形成微細的凸部，相對地形成凹凸形狀的方法。下面，對各方法進行詳細敘述。
在使用干式蝕刻法的情況下，在將半導(dǎo)體基板10配置在腔室內(nèi)的狀態(tài)下，通過在腔室內(nèi)生成反應(yīng)性氣體的等離子體而進行。這里，半導(dǎo)體基板10的外周10b成為露出狀態(tài)，在元件區(qū)域11上形成樹脂膜等的掩模。另外，作為反應(yīng)性氣體的種類，可以使用適于蝕刻硅的氣體，例如SF6或CF4等氟類氣體。通過使用此種干式蝕刻法，就可以使露出狀態(tài)的外周10b的表面粗糙，形成凹凸部12。
在使用濕式蝕刻法的情況下，將半導(dǎo)體基板10在蝕刻液中僅浸漬給定的時間。這里，如上所述，只有半導(dǎo)體基板10的外周部10b成為露出的狀態(tài)。另外，作為蝕刻液，可以使用適于蝕刻硅的反應(yīng)液例如可以使用氟酸。通過使用此種濕式蝕刻法，就可以使露出狀態(tài)的外周10b的表面粗糙，形成凹凸部12。
在使用機械的磨削的情況下，通過在使磨削構(gòu)件與半導(dǎo)體基板10的外周10b接觸的狀態(tài)下，沿半導(dǎo)體基板10的周緣方向使磨削構(gòu)件和半導(dǎo)體基板10相對地移動而進行。這里，磨削構(gòu)件的齒形狀可以適當(dāng)?shù)剡x擇，使得凹凸部12成為所需的形狀。而且，在進行此種磨削時，為了保護元件區(qū)域11，最好對該區(qū)域11先實施掩模處理。通過像這樣進行機械磨削，將露出狀態(tài)的外周10b的表面粗糙化，形成凹凸部12。
在使用電解鍍法的情況下，通過使半導(dǎo)體基板10浸漬在鍍液內(nèi)，向與半導(dǎo)體基板10連接的端子和設(shè)于鍍液槽內(nèi)的電極之間提供電壓而進行。這里，需要在外周10b預(yù)先形成種子(seed)層，鍍膜僅形成于形成了種子層的部分。另外，由于在元件區(qū)域11上，形成有半導(dǎo)體元件等，因此為了不與鍍液接觸，最好實施掩模處理。在使用此種電解鍍法的情況下，因鍍液中所含的金屬離子被向種子層拉近、堆積，在外周10b上部分地設(shè)置了凸部，形成相對的凹凸形狀。
在使用非電解鍍法的情況下，通過在對外周10b的表面實施了對非電解鍍液的敏化后，使半導(dǎo)體基板10浸漬在非電解鍍液中而進行。在此種非電解鍍法中，最好也先對元件區(qū)域11實施掩模處理。在使用此種非電解鍍法的情況下，在實施了敏化的外周10b上部分地設(shè)置了凸部，形成相對的凹凸形狀。
在使用樹脂材料或金屬材料的圖案處理的情況下，使用公知的光刻技術(shù)。例如，在對樹脂材料進行圖案處理時，在外周10b上一樣地形成了樹脂膜后，在該樹脂膜上涂布形成光刻膠，通過從利用曝光·顯影形成的光刻膠的孔部中除去樹脂膜，實施樹脂材料的圖案處理。取代樹脂材料而使用金屬材料，也可以同樣地進行圖案處理。另外，作為樹脂材料，如果采用感光性樹脂材料，則由于該樹脂材料自身可以進行圖案處理，可以使工序簡單化，因而優(yōu)選。像這樣，在使用圖案處理的情況下，在外周10b上部分地設(shè)置凸部，形成相對的凹凸形狀。
然后，如圖2(c)所示，在將半導(dǎo)體基板10反轉(zhuǎn)后，將臺架(支撐體)20和半導(dǎo)體基板10貼合。
這里，臺架20是由玻璃基板、金屬基板、樹脂基板等制成的構(gòu)件，為了在半導(dǎo)體基板10上不產(chǎn)生彎曲，具有高精度的平坦面20a。此外，按照使該平坦面20a與元件區(qū)域11相面對的方式，半導(dǎo)體基板10被與臺架20貼合。另外，在半導(dǎo)體基板10和臺架20之間，設(shè)有粘接層15。該粘接層15可以采用粘結(jié)劑、粘接膠帶、粘接薄片。另外，該粘接層15最好為液狀體，由于通過在該情況下將臺架20和半導(dǎo)體基板10貼合，液狀的粘接層15就會在表面10a內(nèi)的全面上浸潤展開，因此氣泡就難以進入，從而可以在臺架20上平坦地粘接半導(dǎo)體基板10。另外，由于通過使用液狀的粘接層15，粘接層會流遍半導(dǎo)體基板10和臺架20之間的全部的空間內(nèi)，因此粘接面積變大，從而可以提高粘接強度。
另外，該粘接層15最好為熱反應(yīng)性樹脂或紫外線反應(yīng)性樹脂。所以，在借助粘接層15將半導(dǎo)體基板10和臺架20固定后，通過加熱粘接層15，或照射紫外線，就可以可靠地將半導(dǎo)體基板10和臺架20粘接。
然后，如圖2(d)所示，從半導(dǎo)體基板10的背面10c側(cè)開始實施背面研磨，對半導(dǎo)體基板10實施薄型加工。具體來說，使磨削構(gòu)件與背面10c接觸，在使該磨削構(gòu)件和半導(dǎo)體基板10相對移動的同時，磨削背面10c。這里，在供給用于將磨削構(gòu)件和半導(dǎo)體基板10冷卻并且使兩者潤滑的水的同時，進行背面研磨。這樣，圖2(d)的虛線所示的部分就被除去，形成薄型基板30。另外，通過對如此形成的薄型基板30實施旋轉(zhuǎn)蝕刻或干式蝕刻，來實施薄型加工的精加工。
如上所述，在本實施方式中，由于在半導(dǎo)體基板10的外周10b上形成有凹凸部，因此外周10b的表面積或露出面積與未形成凹凸部12的情況相比變大。此外，在實施半導(dǎo)體基板10的薄型加工之前，當(dāng)將該半導(dǎo)體基板10和臺架20借助粘接層15而粘接時，該粘接層15和外周10b的粘接面積變大，可以提高粘接層15和半導(dǎo)體基板10的密接性，從而可以防止剝離。這樣，在實施半導(dǎo)體基板10的極薄加工時，就可以防止用于磨削構(gòu)件和半導(dǎo)體基板10的潤滑或冷卻的水侵入半導(dǎo)體基板10和臺架20之間。所以，由于半導(dǎo)體基板10的外周部不會抬起，因此就可以防止半導(dǎo)體基板10的翹曲，從而可以使磨削構(gòu)件在半導(dǎo)體基板10上的接觸壓力在背面10c的面內(nèi)均勻化。即，可以防止半導(dǎo)體基板10的破裂。由于能夠通過像這樣防止半導(dǎo)體基板10的破裂，使半導(dǎo)體基板10的成品率提高，因此就可以降低半導(dǎo)體基板10的制造成本。
另外，由于凹凸部12是利用干式蝕刻法、濕式蝕刻法、機械的磨削的方法、電解鍍法、非電解鍍法及樹脂材料或金屬材料的圖案處理而形成的部分，因此就可以容易地在外周10b上形成凹凸部12。
(半導(dǎo)體基板的薄型加工方法的實施方式2)下面，參照圖3及圖4，對半導(dǎo)體基板的薄型加工方法的實施方式2進行說明。圖3(a)～(c)是對半導(dǎo)體基板進行薄型加工時的工序圖，圖4是表示圖3所示的工序中所使用的磨削構(gòu)件的圖。
而且，本實施方式中，對于與前面所述的實施方式相同的構(gòu)成使用相同的符號，將說明省略。另外，在與前面所述的實施方式相同的工序中，引用相同附圖，將說明省略。
首先，如圖2(a)所示，準備形成了元件區(qū)域11的半導(dǎo)體基板10。然后，如圖3(a)所示，在半導(dǎo)體基板10的外周10b和側(cè)部10d上形成凹凸部12。在形成該凹凸部12時，使用與前面所述的實施方式相同的方法。例如在使用干式蝕刻法、濕式蝕刻法、電解鍍法、非電解鍍法的情況下，不僅使外周10b，而且包括側(cè)部10d露出，在該被露出的外周10b及側(cè)部10d上形成凹凸部12。
另外，在通過進行機械磨削而形成凹凸部12的情況下，使用如圖4所示的磨削構(gòu)件。此種磨削構(gòu)件50為了同時磨削半導(dǎo)體基板10的外周10b和側(cè)部10d，而具有彎曲了的齒50a。通過使此種磨削構(gòu)件50與半導(dǎo)體基板10的外周10b和側(cè)部10d接觸而進行磨削，在該外周10b及側(cè)部10d上形成凹凸部12。
然后，如圖3(b)所示，在將半導(dǎo)體基板10反轉(zhuǎn)后，借助粘接層15將臺架20和半導(dǎo)體基板10貼合。這里，最好使用液狀的粘接層15。通過使用液狀的粘接層15，粘接層15就會浸潤展開至側(cè)部10d。
然后，如圖3(c)所示，從半導(dǎo)體基板10的背面10c側(cè)開始實施背面研磨，對半導(dǎo)體基板10實施薄型加工。在該工序中，在供給用于將磨削構(gòu)件和半導(dǎo)體基板10冷卻并且使兩者潤滑的水的同時，進行背面研磨。這樣，圖3(c)的虛線所示的部分就被除去，形成薄型基板30。另外，通過對如此形成的薄型基板30實施旋轉(zhuǎn)蝕刻或干式蝕刻，來實施薄型加工的精加工。
如上所述，本實施方式中，由于在與外周10b相鄰的側(cè)部10d上形成凹凸部12，因此不僅外周10b的表面積或露出面積變大，而且側(cè)部10d的表面積或露出面積也變大。此外，當(dāng)將半導(dǎo)體基板10和臺架20借助粘接層15而粘接時，由于粘接層15被側(cè)部10d的凹凸部12保持，因此可以使粘接層15和半導(dǎo)體基板10進一步密接。另外，通過在側(cè)部10d保持粘接層15，可以使水更加難以侵入半導(dǎo)體基板10和臺架20之間，從而可以提高對水的屏蔽效果。
(半導(dǎo)體基板的薄型加工方法的實施方式3)下面，參照圖5，對半導(dǎo)體基板的薄型加工方法的實施方式3進行說明。
圖5(a)～(c)是對半導(dǎo)體基板進行薄型加工時的工序圖。
而且，本實施方式中，對于與前面所述的實施方式相同的構(gòu)成使用相同的符號，將說明省略。另外，在與前面所述的實施方式相同的工序中，引用相同附圖，將說明省略。
首先，如圖2(a)所示，準備形成了元件區(qū)域11的半導(dǎo)體基板10。然后，如圖5(a)所示，在半導(dǎo)體基板10的外周10b及側(cè)部10d上形成凹凸部12。在形成該凹凸部12時，使用與前面所述的實施方式相同的方法。例如在使用干式蝕刻法、濕式蝕刻法、電解鍍法、非電解鍍法的情況下，不僅使外周10b，而且包括側(cè)部10d露出，在該被露出的外周10b及側(cè)部10d上形成凹凸部12。
另外，在本實施方式中，通過磨削半導(dǎo)體基板10的側(cè)部10d，使原來的半導(dǎo)體基板10的直徑減小，形成直徑D的半導(dǎo)體基板10。作為像這樣磨削側(cè)部10d的方法，最好使磨削構(gòu)件與側(cè)部10d接觸而機械地磨削。另外，半導(dǎo)體基板10的直徑D與臺架20的直徑D1相比變小。
然后，如圖5(b)所示，在將半導(dǎo)體基板10反轉(zhuǎn)后，借助粘接層15將臺架20和半導(dǎo)體基板10貼合。這里，最好使用液狀的粘接層15。通過使用液狀的粘接層15，粘接層15就會浸潤展開至側(cè)部10d’。另外，如果比較如上所述通過磨削側(cè)部10d而使直徑變小的半導(dǎo)體基板10和臺架20的直徑，則D1＞D，半導(dǎo)體基板10的直徑D小于臺架20的直徑。這樣，半導(dǎo)體基板10就被穩(wěn)定地支撐在臺架20上。
然后，如圖5(c)所示，從半導(dǎo)體基板10的背面10c側(cè)開始實施背面研磨，對半導(dǎo)體基板10實施薄型加工。在該工序中，在供給用于將磨削構(gòu)件和半導(dǎo)體基板10冷卻并且使兩者潤滑的水的同時，進行背面研磨。這樣，圖5(c)的虛線所示的部分就被除去，形成薄型基板30。另外，通過對如此形成的薄型基板30實施旋轉(zhuǎn)蝕刻或干式蝕刻，實施薄型加工的精加工。
如上所述，本實施方式中，由于通過磨削半導(dǎo)體基板10的側(cè)部10d，使該半導(dǎo)體基板10的直徑D小于臺架20的直徑D1，因此半導(dǎo)體基板10就會集中在臺架20上，從而可以將半導(dǎo)體基板10穩(wěn)定地支撐在臺架20上。如果具體地說明，則在半導(dǎo)體基板10的直徑D大于臺架20的直徑D1的情況下，由于半導(dǎo)體基板10的側(cè)部(端面)10d伸出而成為自由端，因此半導(dǎo)體基板10就容易從臺架20上剝離，臺架20和半導(dǎo)體基板10的密接性降低。另外，在半導(dǎo)體基板10的直徑D和臺架20的直徑D1同等的情況下，即使僅產(chǎn)生少量的錯位，由于半導(dǎo)體基板10的側(cè)部10d也會伸出而成為自由端，因此與所述情況相同，密接性降低。所以，由于通過使半導(dǎo)體基板10的直徑D小于臺架20的直徑D1，半導(dǎo)體基板10的側(cè)部10d’就會集中在臺架20上，不成為自由端，因此就可以防止半導(dǎo)體基板10的剝離。
(半導(dǎo)體基板的薄型加工方法的實施方式4)
下面，參照圖6，對半導(dǎo)體基板的薄型加工方法的實施方式4進行說明。
圖6(a)～(c)是對半導(dǎo)體基板進行薄型加工時的工序圖。
而且，本實施方式中，對于與前面所述的實施方式相同的構(gòu)成使用相同的符號，將說明省略。另外，在與前面所述的實施方式相同的工序中，引用相同附圖，將說明省略。
首先，如圖2(a)所示，準備形成了元件區(qū)域11的半導(dǎo)體基板10。然后，如圖6(a)所示，在半導(dǎo)體基板10的外周10b上形成凹凸部12。具體來說，不使用干式蝕刻法或濕式蝕刻法，而利用電解鍍法、非電解鍍法或?qū)渲牧匣蚪饘俨牧线M行圖案處理，形成凹凸部12。此種利用各鍍膜法或圖案處理的方法與使用蝕刻法的情況不同，通過在外周10b的表面設(shè)置凸部，相對地形成凹凸形狀。
然后，如圖6(b)所示，在將半導(dǎo)體基板10反轉(zhuǎn)后，借助粘接層15將臺架20和半導(dǎo)體基板10貼合。這里，最好使用液狀的粘接層15。通過使用液狀的粘接層15，粘接層15就會在半導(dǎo)體基板10的表面整體上浸潤展開。
然后，如圖6(c)所示，從半導(dǎo)體基板10的背面10c側(cè)開始實施背面研磨，對半導(dǎo)體基板10實施薄型加工。在該工序中，在供給用于將磨削構(gòu)件和半導(dǎo)體基板10冷卻并且使兩者潤滑的水的同時，進行背面研磨。這樣，圖6(c)的虛線所示的部分就被除去，形成薄型基板30。另外，通過對如此形成的薄型基板30實施旋轉(zhuǎn)蝕刻或干式蝕刻，實施薄型加工的精加工。
如上所述，本實施方式中，由于在外周10b上形成有凹凸部12，因此外周10b的表面積或露出面積變大。此外，當(dāng)將半導(dǎo)體基板10和臺架20利用粘接層15粘接時，粘接強度提高，水更難以侵入半導(dǎo)體基板10和臺架20之間，從而可以防止半導(dǎo)體基板10的剝離或破裂。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體基板，其特征是，在第1基板面上，具有形成了半導(dǎo)體元件的元件區(qū)域、與該元件區(qū)域不同的基板外周區(qū)域，在該基板外周區(qū)域上，形成有凹凸部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征是，在與所述基板外周區(qū)域相鄰的側(cè)部形成有凹凸部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體基板，其特征是，所述凹凸部是通過使用干式蝕刻法而形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體基板，其特征是，所述凹凸部是通過使用濕式蝕刻法而形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體基板，其特征是，所述凹凸部是利用機械磨削而形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體基板，其特征是，所述凹凸部是通過使用電解鍍法而形成的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體基板，其特征是，所述凹凸部是通過使用非電解鍍法而形成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體基板，其特征是，所述凹凸部是利用樹脂材料或金屬材料的圖案處理而形成的。
9.一種半導(dǎo)體基板的薄型加工方法，是對半導(dǎo)體基板進行薄型加工的方法，其特征是，包括在第1基板面上形成具有半導(dǎo)體元件的元件區(qū)域的工序、在與該元件區(qū)域不同的基板外周區(qū)域上形成凹凸部的工序、使所述第1基板面與支撐體貼合的工序、對與所述第1基板面相反一側(cè)的第2基板面進行磨削的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體基板的薄型加工方法，其特征是，使所述第1基板面與支撐體貼合的工序中，借助粘接層使所述第1基板面和所述支撐體貼合。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體基板的薄型加工方法，其特征是，所述粘接層為液狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體基板的薄型加工方法，其特征是，對與所述第1基板面相反一側(cè)的第2基板面進行磨削的工序中使用背面研磨。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體基板的薄型加工方法，其特征是，包括通過磨削所述半導(dǎo)體基板的側(cè)部，使該半導(dǎo)體基板的直徑比所述支撐體的直徑更小的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供在晶片薄型加工中可以可靠地防止晶片的破裂的半導(dǎo)體基板及半導(dǎo)體基板的薄型加工方法。其特征是，在第1基板面上，具有形成了半導(dǎo)體元件的元件區(qū)域、與該元件區(qū)域不同的基板外周區(qū)域，在該基板外周區(qū)域上，形成有凹凸部。
文檔編號H01L23/48GK1707760SQ20051007274
公開日2005年12月14日 申請日期2005年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月9日
發(fā)明者山口浩司 申請人:精工愛普生株式會社