專利名稱：光模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備光調(diào)制器的光調(diào)制器模塊，特別涉及用于光通信用發(fā)送機(jī)(a transmitter for optical fiber communications)的光調(diào)制器模塊。
背景技術(shù)：
為了改善電場吸收型光調(diào)制器集成型激光模塊(anelectroabsorption modulator integrated laser diode module(an EAmodulator integrated LD module))的頻率特性，對于電場吸收型光調(diào)制器集成型激光的安裝方式不斷改進(jìn)。圖1是特開2001-257412號公報的圖1(b)中公開的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光模塊的芯片載體部的平面圖。
如圖1所示，在芯片載體10上搭載有電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管3和芯片電容4。電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管3是集成激光二極管2和電場吸收型光調(diào)制器1的半導(dǎo)體元件。電場吸收型光調(diào)制器1與用于光輸出的光學(xué)系統(tǒng)(圖中沒有示出)光結(jié)合。向激光二極管2的供電通過與芯片電容4連接的線14、15進(jìn)行。在芯片載體10上配置有帶狀導(dǎo)體5。該帶狀導(dǎo)體5其一端作為輸入端與信號源11連接，另一端通過線12與電場吸收型光調(diào)制器1電連接。另外，載帶狀導(dǎo)體5的中間部分插入阻抗匹配用電阻7。另外，帶狀導(dǎo)體5與芯片載體10和接地導(dǎo)體6一起形成高頻線路。在芯片載體10的末端側(cè)配置有由薄膜電阻形成的終端電阻8。終端電阻8的一端通過線13與電場吸收型光調(diào)制器1電連接，另一端通過柱孔9與里面的接地金屬連接。
圖2是圖1的等價電路圖。信號源11通過圖中沒有示出的傳送線路與由帶狀導(dǎo)體5和芯片載體10構(gòu)成的微波傳輸線23連接。在微波傳輸線23的一部分上形成電阻匹配用電阻7的電阻R7。微波傳輸線23的另一端與線12的電感L12連接。電感25的左側(cè)25進(jìn)行分支，一方與通過二極管30表現(xiàn)的電場吸收型光調(diào)制器1連接，在二極管30的另一端接地。另一方通過串聯(lián)連接的線13的電感L13和終端電阻8的電阻R8接地。
在上述電場吸收型光調(diào)制器集成型激光模塊中，特別是通過經(jīng)電場吸收型光調(diào)制器1的電極以線12和線13連接帶狀導(dǎo)體5和終端電阻8之間，改善了10Gbps(bit per second)傳送時的光輸出波形(awaveform of the optical output or an eye pattern)。
另外，在特開2003-279907號公報中公開了由通過第1電阻向調(diào)制器輸出調(diào)制信號的第1帶狀線路、調(diào)制器、通過調(diào)制器與第1帶狀線路連接并串聯(lián)形成第2電阻和第3電阻的第2帶狀線路構(gòu)成的光調(diào)制器激振電路。
在搭載的電場吸收型光調(diào)制器的品種增加、光調(diào)制器的電容變化時，電場吸收型光調(diào)制器集成型激光模塊的頻率特性變化。其結(jié)果，有時反射損失或傳送損失或其雙方增加。
此時，有必要重新設(shè)計芯片載體部使電場吸收型光調(diào)制器集成型激光模塊的頻率特性最優(yōu)化。芯片載體部的重新設(shè)計成為發(fā)生開發(fā)費用、成本提高的原因。另外，還有需要開發(fā)時間的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題的存在，本發(fā)明的目的在于提供一種即使在電場吸收型光調(diào)制器的電容不同時，也沒有必要重新設(shè)計芯片載體部的光調(diào)制器模塊。
本發(fā)明的主題在于，以多個電阻元件形成阻抗匹配用電阻和終端電阻中的至少一個，通過利用金屬線短路/選擇電阻匹配用電阻和終端電阻中的至少一個來選擇與光調(diào)制器的電容相應(yīng)的電阻值。


圖1是現(xiàn)有的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光模塊的芯片載體部的平面圖。
圖2是現(xiàn)有的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光模塊的芯片載體部的等價電路圖。
圖3是說明以電場吸收型光調(diào)制器的電容為參數(shù)的頻帶內(nèi)偏差(in-band peak-to-peak ripple(S21 ripple))的仿真結(jié)果的頻帶內(nèi)偏差的頻率依存性的圖。
圖4是說明本發(fā)明的實施例1的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管模塊的芯片載體部的平面圖。
圖5是說明以電場吸收型光調(diào)制器的電容和終端電阻的電阻值為參數(shù)的頻帶內(nèi)偏差的仿真結(jié)果的頻帶內(nèi)偏差的頻率依存性的圖。
圖6是說明本發(fā)明的實施例2的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管模塊的芯片載體部的平面圖。
圖7是說明本發(fā)明的實施例3的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管模塊的芯片載體部的平面圖。
圖8是說明以電場吸收型光調(diào)制器的電容和與終端電阻連接的電感為參數(shù)的頻帶內(nèi)偏差的仿真結(jié)果的頻帶內(nèi)偏差的頻率依存性的圖。
圖9是說明以電場吸收型光調(diào)制器的電容為參數(shù)的反射損失(return loss)的仿真結(jié)果的反射損失的頻率依存性的圖。
圖10是說明本發(fā)明的實施例4的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管模塊的芯片載體部的平面圖。
圖11是說明以電場吸收型光調(diào)制器的電容和阻抗匹配電阻的電阻值為參數(shù)的反射損失的仿真結(jié)果的反射損失的頻率依存性的圖。
圖12是說明本發(fā)明的實施例5的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管模塊的芯片載體部的平面圖。
具體實施例方式
以下，利用實施例參照附圖對為本發(fā)明的實施方式的光調(diào)制器模塊進(jìn)行說明。
參照圖3-圖5對本發(fā)明的實施例1進(jìn)行說明。在此，圖3是以電場吸收型光調(diào)制器的電容為參數(shù)的頻帶內(nèi)偏差的仿真結(jié)果。圖4是說明本發(fā)明的實施例1的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管模塊的主要部分的平面圖。圖5是以電場吸收型光調(diào)制器的電容和終端電阻的電阻值為參數(shù)的頻帶內(nèi)偏差的仿真結(jié)果。
首先，利用圖3說明電場吸收型光調(diào)制器的電容變化時的頻帶內(nèi)偏差的變化。在此，仿真利用圖2的等價電路來實施。其中，阻抗匹配用電阻的電阻值為0Ω，終端電阻的電阻值為50Ω。另外，所謂頻帶內(nèi)偏差是指在頻帶內(nèi)的光輸出變化之比，在此，通過10MHz下的值進(jìn)行評價。由于本實施例的光調(diào)制器模塊的調(diào)制速度是10Gbps，因此解析到20GHz的頻率特性。3個記號分別表示電場吸收型光調(diào)制器的電容(C(EA)Electro-Absorption Modulator)為0.5倍、1.0倍(基準(zhǔn))、1.5倍時的頻帶內(nèi)偏差。通過該圖可以看到，在光調(diào)制器的電容為0.5倍時，偏差向正方向增加，在波形中產(chǎn)生阻尼振蕩；另一方面，在光調(diào)制器的電容增加到1.5倍時，頻帶內(nèi)偏差向負(fù)方向惡化。
接著，參照圖4。在芯片載體10上搭載有電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管3。被集成到電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管3的電場吸收型光調(diào)制器1與用于光輸出的光學(xué)系統(tǒng)(圖中未示出)光結(jié)合。
在芯片載體10上配置有帶狀導(dǎo)體5，帶狀導(dǎo)體與芯片載體10一起形成微波傳輸線。微波傳輸線的帶狀導(dǎo)體5在連接信號源11側(cè)的輸入端和電場吸收型光調(diào)制器1的輸出端之間具有阻抗匹配用電阻7。在芯片載體10的終端側(cè)配置有由薄膜材料構(gòu)成的終端電阻8。終端電阻8串聯(lián)配值電阻(電阻元件)8a和電阻(電阻元件)8b。終端電阻8的一端與電場吸收型光調(diào)制器1連接，另一端通過柱孔9與接地金屬連接。電場吸收型光調(diào)制器1和導(dǎo)狀導(dǎo)體5之間以及電場吸收型光調(diào)制器1和終端電阻8a以直徑25μm(千分尺)的金屬線12、13連接在一起。
在芯片載體10上還另外配置有芯片電容4和接地導(dǎo)體6。為電場吸收型調(diào)制器集成激光二極管3的一部分的激光二極管2經(jīng)芯片電容4通過金屬線14、15供電。另外，由于接地導(dǎo)體6通過多個柱孔接地，因此，可以說是高頻線路的一部分。
終端電阻8a和8b的電阻值分別為10Ω合40Ω，通過以金屬線16短路終端電阻8a的兩端來選擇終端電阻值40Ω。根據(jù)金屬線16的接法可以選擇50Ω、40Ω、10Ω、0Ω等，這不言自明。
參照圖5說明以終端電阻值和電場吸收型光調(diào)制器的電容為參數(shù)的品帶內(nèi)偏差的變化的仿真結(jié)果。在圖5中，使電場吸收型光調(diào)制器的電容的變化率為1.0倍或1.5倍，使終端電阻值為50Ω或者40Ω。
從圖5可以看到，如果使終端電阻值為50Ω、電場吸收型光調(diào)制器的電容增加1.5倍，則10GHz下的頻帶內(nèi)偏差從+0.82dB下降到-0.91dB，頻帶內(nèi)偏差惡化。在使電場吸收型光調(diào)制器的電容為1.5倍、終端電阻的值為40Ω時，10GHz下的頻帶內(nèi)偏差成為+0.08dB，特性得到改善。根據(jù)以上的結(jié)果可以確認(rèn)，通過調(diào)整終端電阻值可以改善電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管模塊的頻率特性。這意味著即使電場吸收型光調(diào)制器的電容增減50％也可以抑制頻帶內(nèi)偏差。
因此，根據(jù)本實施例，即使是電場吸收型光調(diào)制器1的電容增加的品種時，也可以通過線連接適當(dāng)選擇終端電阻的值，抑制頻帶內(nèi)偏差。即，對于范圍比較寬的光調(diào)制器的電容，可以采用能夠共通對應(yīng)的芯片載體部，可以提供特性安定的光調(diào)制模塊。
另外，阻抗匹配用電阻值也可以是0Ω。即，在本說明書中記述為電阻時，包含電阻值0Ω。如果串聯(lián)連接的終端電阻的數(shù)目為3個以上，則可以擴(kuò)大調(diào)整范圍，或者可以減小調(diào)整的幅度。另外，電場吸收型光調(diào)制器也可以不與激光二極管集成。另外，作為光調(diào)制器，不限定于電場吸收型。另外，可以是使用LiNbO3的光調(diào)制器(aMach-Zehnder modulator)，也可以是其它光調(diào)制器。高頻線路不限定于微波傳輸帶型，可以是共面型、基礎(chǔ)(接地)共面型、或其它高頻線路。薄膜電阻體使用電阻溫度系數(shù)低、長年安定性好的氮化鉭，但是，也可以采用其它材料。在終端電阻、帶狀導(dǎo)體的金屬線的連接部，配置金，但是，也可以是其它材料。這些在本說明書的其它實施例中是共通的。
參照圖6對本發(fā)明的實施例2進(jìn)行說明。在此，圖6是說明本發(fā)明的實施例2的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管模塊的主要部分的平面圖。另外，省略在圖4說明的部分的說明。對比圖6和圖4可以看到，在本實施例中并聯(lián)形成在實施例1中串聯(lián)形成的終端電阻8。在此，終端電阻(電阻元件)8c為200Ω、終端電阻(電阻元件)8d為50Ω。另外，由于終端電阻8為一次形成的，所以都是片狀電阻，但是，為了便于圖示，沒有配合其平方數(shù)。終端電阻8c和8d的公共端子通過柱孔9接地，個別端子通過金屬線13及金屬線17與電場吸收型光調(diào)制1連接。因此，終端電阻8的合成電阻為40Ω，與實施例1同樣，意味著即使電場吸收型光調(diào)制器的電容增加50％也可以抑制頻帶內(nèi)偏差。
因此，根據(jù)本實施例，即使是電場吸收型光調(diào)制器1的電容增加的品種時，也可以通過線連接適當(dāng)選擇終端電阻的值，抑制頻帶內(nèi)偏差。即，可以采用能夠與范圍比較寬的光調(diào)制器的電容對應(yīng)的芯片載體部，可以提供特性安定的光調(diào)制模塊。
另外，如果使終端電阻的數(shù)目為3個以上，則可以擴(kuò)大調(diào)整的范圍，或者可以減小調(diào)整的幅度。例如，以3個電阻構(gòu)成終端電阻，使各個電阻值分別為50Ω、450Ω、950Ω。此時，將50Ω電阻和450Ω電阻連接到光調(diào)制器時，其合成電阻成為45Ω。在將50Ω電阻和950Ω電阻連接到光調(diào)制器上時，其合成電阻成為47.5Ω。在將50Ω的電阻、450Ω電阻和950Ω電阻連接到光調(diào)制器上時，其合成電阻成為43Ω。即，包含只連接50Ω電阻的情況，可以實現(xiàn)4種終端電阻值。950Ω電阻通過采用彎曲構(gòu)造可以以同樣的片狀(sheet)電阻來實現(xiàn)。
而且，并聯(lián)電阻的公共端子不限定于接地側(cè)，也可以是光調(diào)制器側(cè)。
參照圖7及圖8對本發(fā)明的實施例3進(jìn)行說明。在此，圖7是說明本發(fā)明的實施例3的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管模塊的主要部分的平面圖。圖8是以電場吸收型光調(diào)制器的電容和與終端電阻連接的電感為參數(shù)的頻帶內(nèi)偏差的仿真結(jié)果。另外，對于圖7，省略在圖4中說明的部分的說明。從圖7可以看到，在本實施例中，在電場吸收型調(diào)制器1和50Ω終端電阻8之間設(shè)線中繼用電極22，以25μm的金屬線18連接電場吸收型調(diào)制器1和線中繼用電極22，而且，以2根25μm的金屬線19連接線中繼用電極22和終端電阻8。
與終端電阻8連接的2根金屬線19是并聯(lián)連接地替換圖2所示的等價電路的電感L13的部件。在該條件下，進(jìn)行仿真并將其結(jié)果表示在圖8中。
在電場吸收型光調(diào)制器和終端電阻之間的線的根數(shù)為1根時，與圖3同樣，如果將電場吸收型光調(diào)制器的電容減少到0.5倍，則10GHz下的頻帶內(nèi)偏差從+0.82dB增加到+1.89dB，大約增加1.0dB，在波形中發(fā)生阻尼振蕩。在電場吸收型光調(diào)制器的電容為0.5倍、電場吸收型光調(diào)制器和終端電阻間的線的根數(shù)為2根時，10GHz下的頻帶內(nèi)偏差為+0.46dB，頻帶內(nèi)偏差得到改善。這意味著即使電場吸收型光調(diào)制器的電容減少50％也可以抑制頻帶內(nèi)偏差。
根據(jù)本實施例，即使是電場吸收型光調(diào)制器1的電容減少時，也可以通過線連接改變與終端電阻連接的電感，抑制頻帶內(nèi)偏差。即，可以采用能夠與范圍比較寬的光調(diào)制器的電容對應(yīng)的芯片載體部，可以提供特性安定的光調(diào)制模塊。
另外，電場吸收型光調(diào)制器和終端電阻之間的線的根數(shù)不限定于2根，也可以是3根以上。另外，可以任意組合本實施例和實施例1和實施例2。另外，也可以不使用線中繼用電極，直接從光調(diào)制器連接2根線到終端電阻。
參照圖9-圖11對本發(fā)明的實施例4進(jìn)行說明。在此，圖9是以電場吸收型光調(diào)制器的電容為參數(shù)的反射損失的仿真結(jié)果。圖10是說明本發(fā)明的實施例4的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管模塊的主要部分的平面圖。圖11是以電場吸收型光調(diào)制器的電容和阻抗匹配電阻的電阻值為參數(shù)的反射損失的仿真結(jié)果。對于圖10，省略在圖4中說明的部分的說明。
首先，參照圖9說明電場吸收型光調(diào)制器的電容變化時反射損失的變化。在此，仿真通過圖2的等價電路來實施。其中，阻抗匹配用電阻的電阻值為0Ω、終端電阻的電阻值為50Ω。由于本實施例的光調(diào)制器模塊的調(diào)制速度為10Gbps，因此，解析到20GHz的頻率特性。3個記號分別表示電場吸收型光調(diào)制器的電容為0.5倍、1.0倍(基準(zhǔn))、1.5倍時的反射損失。通過該圖可以看到電場吸收型光調(diào)制器1的電容增加時反射損失增加。
在圖10所示的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管模塊100的芯片載體10上，配置有帶狀導(dǎo)體5。該帶狀導(dǎo)體與芯片載體10一起形成微波傳輸線。在微波傳輸線的帶狀導(dǎo)體5上，串聯(lián)形成阻抗匹配用電阻(電阻元件)7a和7b，其電阻值分別為2Ω、4Ω。阻抗匹配用電阻7b通過直徑25μm的金屬線20短路。因此，阻抗匹配用電阻7的電阻為2。根據(jù)金屬線20的接法可以選擇6Ω、4Ω、2Ω、0Ω，這是不言自明的。
圖11是仿真相對阻抗匹配用電阻值和電場吸收型光調(diào)制器的電容的變化反射損失的變化的結(jié)果。使圖10中的阻抗匹配用電阻7a和7b的值分別為2Ω和4Ω、電場吸收型光調(diào)制器的電容的變化率為1.5倍。同時短路2Ω的阻抗匹配用電阻7a和4Ω的阻抗匹配用電阻8b，在合成電阻為0Ω的條件下，如果電場吸收型光調(diào)制器的電容增加1.5倍，則10GHz下的反射損失從-7.90dB上升到-6.87dB，惡化了大約1.0dB。
另一方面，在使電場吸收型光調(diào)制器的電容為1.5倍，以線20短路阻抗匹配用電阻7b使阻抗匹配用電阻的值為2Ω時，10GHz下的反射損失被抑制在-7.45dB。即，通過調(diào)整阻抗匹配用電阻值，可以改善電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管模塊的頻率特性。根據(jù)圖9，即使電場吸收型光調(diào)制器的電容增加50％反射損失也沒有惡化，因此，這意味著即使電場吸收型光調(diào)制器的電容增加50％也可以抑制反射損失。
因此，根據(jù)本實施例，即使是電場吸收型光調(diào)制器1的電容增加的品種時，也可以通過線連接適當(dāng)選擇阻抗匹配用電阻的值，抑制反射損失的惡化。即，對于范圍比較寬的光調(diào)制器的電容，可以采用能夠共通對應(yīng)的芯片載體部，可以提供特性安定的光調(diào)制模塊。
參照圖12說明本發(fā)明的實施例5。在此，圖12是為本發(fā)明的實施例5的電場吸收型光調(diào)制器集成型激光二極管模塊的主要部分的平面圖。另外，省略在圖4中說明的部分的說明。
對比圖12和圖10可以看到，在本實施例中，并聯(lián)形成在實施例4中串聯(lián)形成的阻抗匹配用電阻7。在此，阻抗匹配用電阻(電阻元件)7c為6Ω，阻抗匹配用電阻(電阻元件)7d為4Ω。另外，由于阻抗匹配用電阻7為一次形成的，所以片狀電阻值相同，但是，為了便于圖示，沒有配合其平方數(shù)。阻抗匹配用電阻7c和7d的公共端子通過金屬線12連接到電場吸收型光調(diào)制器1，個別端子通過金屬線21與信號輸入側(cè)的帶狀導(dǎo)體5連接。因此，阻抗匹配用電阻7的合成電阻為2.4Ω，與實施例4同樣，由于即使電場吸收型光調(diào)制器的電容減少50％反射損失也沒有惡化，因此意味著即使電場吸收型光調(diào)制器的電容增加減少±50％也可以抑制反射損失。
因此，根據(jù)本實施例，即使是電場吸收型光調(diào)制器1的電容增加的品種時，也可以通過線連接適當(dāng)選擇阻抗匹配用電阻的值，抑制反射損失的惡化。即，對于范圍比較寬的光調(diào)制器的電容，可以采用能夠共通對應(yīng)的芯片載體部，可以提供特性安定的光調(diào)制模塊。
另外，根據(jù)金屬線21的接法可以選擇6Ω、4Ω、2.4Ω、0Ω，這是不言自明的。另外，并聯(lián)的電阻的數(shù)目不限定于2個，也可以與實施例4進(jìn)行組合。
根據(jù)本發(fā)明，即使不同電容的光調(diào)制器，由于是能夠搭載的芯片載體部，所以可以在短時間內(nèi)得到光調(diào)制器模塊。
權(quán)利要求
1.一種光調(diào)制器模塊，包括根據(jù)電信號來進(jìn)行光調(diào)制的光調(diào)制器；一端與上述電信號的輸入連接，另一端與上述光調(diào)制器連接的第1電阻；以及一端與上述光調(diào)制器連接，另一端接地的第2電阻，其特征在于，上述第1電阻和上述第2電阻中的至少一方包含有多個電阻元件，通過用金屬線連接上述多個電阻元件來選擇電阻值。
2.一種光調(diào)制器模塊，包括接受電信號來進(jìn)行光調(diào)制的光調(diào)制器；一端與上述電信號的輸入連接，另一端與上述光調(diào)制器連接的高頻線路；以及一端與上述光調(diào)制器連接，另一端接地的電阻，其特征在于，上述電阻由多個電阻元件形成，通過用金屬線連接上述多個電阻元件，能夠選擇合成電阻值。
3.如權(quán)利要求2所述的光調(diào)制器模塊，其特征在于，上述多個電阻元件串聯(lián)連接，通過用上述金屬線進(jìn)行短路，能夠選擇上述合成電阻值。
4.一種光調(diào)制模塊，包括接受電信號來進(jìn)行光調(diào)制的光調(diào)制器；一端與上述電信號的輸入連接，另一端與上述光調(diào)制器連接的高頻線路；以及一端與上述光調(diào)制器連接，另一端接地的電阻，其特征在于，上述電阻由其一端為公共端子的并聯(lián)連接的多個電阻元件形成，上述多個電阻元件中的至少一個終端上述電信號。
5.一種光調(diào)制器模塊，包括根據(jù)電信號來進(jìn)行光調(diào)制的光調(diào)制器；一端與上述電信號的輸入連接，另一端與上述光調(diào)制器連接的第1電阻；以及一端與上述光調(diào)制器連接，另一端接地的第2電阻，其特征在于，上述第1電阻包含多個電阻元件，通過用金屬線連接上述多個電阻元件，能夠選擇合成電阻值。
6.如權(quán)利要求5所述的光調(diào)制器模塊，其特征在于，上述多個電阻元件串聯(lián)連接，通過用上述金屬線進(jìn)行短路，能夠選擇上述合成電阻值。
7.如權(quán)利要求5所述的光調(diào)制器模塊，其特征在于，上述多個電阻元件由其一端為公共端子的并聯(lián)連接的多個電阻元件形成，通過用上述金屬線選擇另一端，能夠選擇上述合成電阻值。
8.一種光調(diào)制器模塊，包括根據(jù)電信號來進(jìn)行光調(diào)制的光調(diào)制器；一端與上述電信號的輸入連接，另一端與上述光調(diào)制器連接的第1電阻；以及一端與上述光調(diào)制器連接，另一端接地的第2電阻，其特征在于，設(shè)置選擇與上述光調(diào)制器的電容對應(yīng)的終端電阻值的裝置，使10GHz的帶域內(nèi)偏差為大于或等于-0.6dB。
9.一種光調(diào)制器模塊，包括根據(jù)電信號來進(jìn)行光調(diào)制的光調(diào)制器；一端與上述電信號的輸入連接，另一端與上述光調(diào)制器連接的第1電阻；以及一端與上述光調(diào)制器連接，另一端接地的第2電阻，其特征在于，設(shè)置選擇與上述光調(diào)制器的電容對應(yīng)的阻抗匹配用電阻值的裝置，使10GHz的反射損失為小于或等于-7.4dB。
10.一種光調(diào)制器模塊，由接受電信號來進(jìn)行光調(diào)制的光調(diào)制器、一端與上述電信號的輸入連接另一端與上述光調(diào)制器連接的高頻線路、一端與上述光調(diào)制器連接另一端接地的電阻構(gòu)成，其特征在于，上述電阻和上述光調(diào)制器通過多條金屬線并聯(lián)連接。
全文摘要
一種光調(diào)制器模塊，在其芯片載體上具備根電信號變換輸出光的半導(dǎo)體光調(diào)制器、帶狀導(dǎo)體、第1電阻以及第2電阻，第1電阻和第2電阻串聯(lián)地電連接，半導(dǎo)體光調(diào)制器和第1電阻電連接，半導(dǎo)體光調(diào)制器和帶狀導(dǎo)體電連接，通過選擇是否有短路第1電阻的兩端的線來調(diào)整光調(diào)制器模塊的頻率特性。
文檔編號H01L23/66GK1705177SQ20051007290
公開日2005年12月7日 申請日期2005年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月31日
發(fā)明者有馬宏幸, 加賀谷修, 岡安雅信, 加藤哲哉, 笹田道秀 申請人:日本光進(jìn)株式會社