專利名稱：電路裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路裝置及其制造方法，特別是涉及具有介由絕緣層層積的多層配線層的電路裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
參照圖16說明現(xiàn)有混合集成電路裝置100的結(jié)構(gòu)(例如參照專利文獻1)。圖16(A)是混合集成電路裝置100的立體圖，圖16(B)是圖16(A)的X-X’線剖面圖。
現(xiàn)有的混合集成電路裝置100具有矩形襯底106和設(shè)于襯底106表面的絕緣層107，在該絕緣層107上構(gòu)圖配線層108。另外，在配線層108上固定有電路元件104，電路元件104和配線層108介由金屬細線105電連接。和配線層108電連接的引線101被導(dǎo)出到外部。另外，混合集成電路裝置100的整體利用密封樹脂102密封，利用密封樹脂102密封的方法有使用熱塑性樹脂的注入模模制和使用熱硬性樹脂的傳遞模模制。
專利文獻1特開平6-177295號公報但是，在上述的混合集成電路裝置100中，由于形成單層配線，故存在可集成的電路的規(guī)模有限的問題。解決該問題的方法之一有形成介由絕緣層層積的多層配線結(jié)構(gòu)的方法。層積的配線層相互間利用貫通絕緣層形成的連接部電連接。另外，考慮到散熱性，在該絕緣層中混入有無機填充物。但是，在為提高散熱性，而在絕緣層中混入大量無機填充物時，存在難于貫通絕緣層形成連接部的問題。即，難于形成確保散熱性的多層配線結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而開發(fā)的，本發(fā)明的主要目的在于，提供一種電路裝置及其制造方法，使高散熱和高密度化同時成立。通過本發(fā)明，防止安裝的LSI的溫度上升，由此，維持驅(qū)動能力，并且整體上消減能耗。
本發(fā)明的電路裝置包括第一配線層及第二配線層，其介由絕緣層層積；第一連接部，其從所述第一配線層連續(xù)埋入所述絕緣層中；第二連接部，其從所述第二配線層連續(xù)埋入所述絕緣層中，所述第一連接部和所述第二連接部在所述絕緣層的厚度方向中間部接觸。
本發(fā)明的電路裝置的制造方法包括在電路襯底表面形成第一配線層的工序；介由含有無機填充物的絕緣層在所述第一配線層上層積第二導(dǎo)電膜的工序；通過除去所希望位置的所述第二導(dǎo)電膜及所述絕緣層形成通孔，在所述通孔下面露出所述第二導(dǎo)電膜的工序；通過在所述通孔形成鍍膜，使所述第二導(dǎo)電膜和所述第一配線層導(dǎo)通的工序；通過構(gòu)圖所述第二導(dǎo)電膜，形成第二配線層的工序。
本發(fā)明的電路裝置的制造方法包括在電路襯底表面形成具有沿厚度方向突出的第一連接部的第一配線層的工序；介由含有無機填充物的絕緣層在所述第一配線層上層積第二導(dǎo)電膜的工序；部分地除去對應(yīng)形成所述第一連接部的區(qū)域的所述第二導(dǎo)電膜的工序；除去因埋入所述第一連接部而較薄地形成的區(qū)域的所述絕緣層，形成通孔，使所述第一連接部的上面在所述通孔下面露出的工序；在所述通孔形成由鍍膜構(gòu)成的第二連接部，使所述第二導(dǎo)電膜和所述第一配線層導(dǎo)通的工序；通過構(gòu)圖所述第二導(dǎo)電膜，形成第二配線層的工序。
本發(fā)明的電路裝置的制造方法中，在電路襯底表面形成具有沿厚度方向突出的第一連接部的第一配線層，覆蓋所述第一配線層形成絕緣層，除去對應(yīng)所述第一連接部的位置的所述絕緣層，形成露出所述第一連接部上面的通孔，和所述第一連接部接觸，形成埋入所述通孔的第二連接部及和所述第二連接部構(gòu)成一體的第二配線層，固定和所述第二配線層電連接的半導(dǎo)體元件。
本發(fā)明的電路裝置至少具有至少表面被絕緣處理的支承襯底和形成于該支承襯底上的半導(dǎo)體元件，其特征在于，在位于所述支承襯底上的第一配線層上介由絕緣層設(shè)有第二配線層，在與所述第一配線層和所述第二配線層的電連接部對應(yīng)的部分設(shè)有和第一配線層一體朝向上方的第一連接部，設(shè)有和所述第二配線層一體朝向下方的第二連接部，第一連接部和第二連接部的接觸部分位于第一連接部的上面和第二連接部的下面之間。
根據(jù)本發(fā)明的電路裝置，在第一配線層設(shè)有第一連接部，在第二配線層設(shè)有第二連接部。另外，在層積該第一配線層及第二配線層的絕緣層的厚度方向中間部使第一連接部和第二連接部接觸。因此，可提高連接部對熱應(yīng)力等外力的可靠性。另外，通過加工銅箔，使第一連接部或第二連接部中任一個和配線層一體形成，可提高連接部的機械強度。
根據(jù)本發(fā)明的電路裝置的制造方法，即使在介由大量混入有無機填充物的絕緣層層積多層配線層的情況下，也可以形成貫通所述絕緣層使配線層相互間導(dǎo)通的連接部。
另外，通過在因埋入第一連接部而較薄地形成的絕緣層上設(shè)置通孔，可容易地在所述絕緣層上形成通孔。另外，由于可較淺地形成通孔，故可容易地對該通孔形成鍍膜。
在絕緣層上形成通孔后，通過電鍍處理，可自位于該通孔上部的周邊部的第二導(dǎo)電膜形成鍍膜。因此，即使在用于形成鍍膜的條件不好的情況下，也可以形成鍍膜。


圖1是說明本發(fā)明混合集成電路裝置的立體圖(A)、剖面圖(B)、剖面圖(C)；圖2是說明本發(fā)明混合集成電路裝置的剖面圖(A)，表示比較例的剖面圖(B)，表示比較例的剖面圖(C)；圖3是說明本發(fā)明混合集成電路裝置的立體圖；圖4(A)、(B)是說明本發(fā)明混合集成電路裝置的剖面圖；圖5(A)、(B)是說明本發(fā)明混合集成電路裝置的剖面圖；圖6(A)、(B)是說明本發(fā)明混合集成電路裝置的剖面圖；圖7(A)～(C)是說明本發(fā)明混合集成電路裝置制造方法的剖面圖；圖8(A)～(C)是說明本發(fā)明混合集成電路裝置制造方法的剖面圖；圖9(A)～(D)是說明本發(fā)明混合集成電路裝置制造方法的剖面圖；圖10(A)～(D)是說明本發(fā)明混合集成電路裝置制造方法的剖面圖；圖11(A)～(C)是說明本發(fā)明混合集成電路裝置制造方法的剖面圖；圖12(A)、(B)是說明本發(fā)明混合集成電路裝置制造方法的剖面圖；圖13(A)～(C)是說明本發(fā)明混合集成電路裝置制造方法的剖面圖；圖14(A)、(B)是說明本發(fā)明混合集成電路裝置制造方法的剖面圖；；圖15是說明本發(fā)明混合集成電路裝置制造方法的剖面圖；
圖16(A)是說明現(xiàn)有混合集成電路裝置的立體圖，(B)是其剖面圖。
符號說明10 混合集成電路裝置11 引線12 密封樹脂14 電路元件15 金屬細線16 電路襯底17A～17D 絕緣層18A～18D 配線層19 焊料24 單元25A、25B 連接部26 焊盤27 熱通路28A、28D 導(dǎo)電膜29A 29E 抗蝕劑30 通孔31 模腔32 通孔33 激光34 鍍膜具體實施方式
第一實施方式在本形態(tài)中，作為電路裝置之一例，以圖1等所示的混合集成電路裝置為例進行說明。但是，下述的本形態(tài)也可以適用于其它種類的電路裝置。另外，下述的實施形態(tài)也可以適用于電路襯底及其制造方法。
參照圖1說明本發(fā)明的混合集成電路裝置10的結(jié)構(gòu)。圖1(A)是混合集成電路裝置10的立體圖，圖1(B)是圖1(A)的X-X’剖面的剖面圖。
圖1(C)是放大連接部25附近的剖面的圖。
在混合集成電路裝置10中，參照圖1(A)及圖1(B)，在作為支承襯底起作用的電路襯底16表面形成有由配線層18及電路元件14構(gòu)成的電路。另外，形成于電路襯底16表面的電路利用密封樹脂12密封。在電路襯底16的周邊部，在最上層的配線層18上固定有引線11，引線11的端部從密封樹脂12導(dǎo)出到外部。在此，也可以在最上層之外的層的配線層上固定引線11。在本形態(tài)中，配線層18具有多層配線結(jié)構(gòu)，在此實現(xiàn)了由第一配線層18A及第二配線層18B構(gòu)成的兩層配線結(jié)構(gòu)。各配線層18介由絕緣層層積。下面詳細說明具有這種概略結(jié)構(gòu)的混合集成電路裝置10。
電路襯底16從散熱性能而言，最好是由金屬或陶瓷等構(gòu)成的襯底。另外，作為電路襯底16的材料，作為金屬可采用Al、Cu或Fe等，作為陶瓷可采用Al2O3、AlN。除此之外，也可以采用機械強度或散熱性優(yōu)良的其它材料作為電路襯底16的材料。
如實現(xiàn)作為本申請要點的接觸結(jié)構(gòu)，若忽略散熱性，則可采用撓性板、印刷線路板、玻璃環(huán)氧樹脂襯底等。在本形態(tài)中，考慮到散熱性，在由鋁構(gòu)成的電路襯底16表面形成絕緣層17，在絕緣層17的表面形成配線層18。另外，在本形態(tài)中，電路襯底16的材料也可采用以銅為整體的金屬。由于銅是熱傳導(dǎo)性優(yōu)良的材料，故可提高裝置整體的散熱性。另外，在采用Al作為電路襯底16的材料時，也可以在電路襯底16的表面形成氧化膜。
第一絕緣層17A在電路襯底16的表面形成，覆蓋電路襯底16的實質(zhì)上整個區(qū)域。第一絕緣層17A可采用填充有填充物的樹脂。在此，填充物例如可采用鋁化合物、鈣化合物、砷化合物、鎂化合物或硅化合物。另外，為提高裝置整體的散熱性，而在第一絕緣層17A上含有比其它絕緣層的量大的填充物，其重量填充率為60％～80％。另外，通過在第一絕緣層17A中混入直徑50μm以上的大徑填充物，也可以提高散熱性。第一絕緣層17A的厚度根據(jù)要求的耐壓而變化，但優(yōu)選約50μm～數(shù)百μm程度。
第一配線層18A由銅等金屬構(gòu)成，在第一絕緣層17A表面進行構(gòu)圖。該第一配線層18A和上層的第二配線層18B電連接，主要具有進行交叉并回繞配置圖案的功能。
第二絕緣層17B在電路襯底16表面形成，覆蓋第一配線層18A。而且，在第二絕緣層17B上貫通形成電連接第一配線層18A和第二配線層18B的連接部25。因此，第二絕緣層17B為容易形成連接部25，和第一絕緣層17A相比較，也可以混入少量的填充物。這意味著填充物的含有率小。另外，根據(jù)相同的理由，第二絕緣層17B中含有的填充物的最大粒徑也可以比第一絕緣層17A中含有的填充物的最大粒徑小。
第二配線層18B在第二絕緣層17B的表面形成。第二配線層18B形成載置電路元件14的接合區(qū)、和電路元件上的電極連接的焊盤、電連接該焊盤的配線部、固定引線11的焊盤等。另外，第二配線層18B和第一配線層18A可平面交叉地形成。因此，即使在半導(dǎo)體元件14A具有多個電極時，利用本申請的多層配線結(jié)構(gòu)也可以交叉并自由地進行圖案的回繞設(shè)置。該第二配線層18B和上述的第一配線層18A介由連接部25在所希望的位置連接。當(dāng)然，也可以根據(jù)半導(dǎo)體元件的電極數(shù)、元件的安裝密度等，將層數(shù)增加到3層、4層、5層或5層以上。
連接部25是貫通第二絕緣層17B，電連接第一配線層18A和第二配線層18B的部位。在本形態(tài)中，連接部25由從第一配線層18A連續(xù)延伸的第一連接部25A和從第二配線層18B連續(xù)延伸的第二連接部25B構(gòu)成。連接部25的更詳細的情況參照圖1后述。
電路元件14固定于第二配線層18B上，由電路元件14和配線層18構(gòu)成規(guī)定的電路。電路元件14采用晶體管、二極管、IC或系統(tǒng)LSI等有源元件，或電容、電阻等無源元件。另外，功率類半導(dǎo)體元件等發(fā)熱量大的元件也可以介由由金屬構(gòu)成的散熱片進行固定。在此，由于半導(dǎo)體元件是面朝上型，故介由金屬細線15和第二配線層18B電連接，但也可以通過面朝下接合法安裝。
在此，系統(tǒng)LSI具有模擬運算電路、數(shù)字運算電路或存儲部等，是由一個LSI實現(xiàn)系統(tǒng)功能的大規(guī)模的元件。因此，和現(xiàn)有的LSI相比，系統(tǒng)LSI伴隨大量的發(fā)熱而動作。
在本實施形態(tài)中，可采用稱為SIP的系統(tǒng)封裝、晶片尺度CSP等作為電路元件14。SIP是層積多個芯片構(gòu)成的層疊型、是平面配置并模制半導(dǎo)體元件或無源元件構(gòu)成的平面型。
另外，在半導(dǎo)體元件14A的背面和接地電位連接時，半導(dǎo)體元件14A的背面由焊料或?qū)щ姼嗟裙潭?。另外，在半?dǎo)體元件14A的背面浮置時，使用絕緣性粘接劑固定半導(dǎo)體元件14A的背面。另外，在半導(dǎo)體元件14A通過面朝下接合法安裝時，介由焊錫等構(gòu)成的補片電極安裝。
可采用控制大電流的功率類晶體管、例如功率管理操作系統(tǒng)、GTBT、IGBT、半導(dǎo)體開關(guān)元件等作為半導(dǎo)體元件14A。也可以采用功率類IC作為半導(dǎo)體元件14A。
近年來，由于芯片尺寸減小，且薄型、高功能化，故如圖1、圖6所示，由裝置整體或模塊整體來看，產(chǎn)生的熱量逐年增大。例如，控制電腦的CPU等就是其一例。內(nèi)裝的元件數(shù)量大幅增加，但Si芯片本身更薄更小型。因此，每單位面積的熱的產(chǎn)生量逐年增加。而且，由于這些IC或晶體管被大量安裝，故作為裝置整體，產(chǎn)生的熱也大幅地增加。
引線11在電路襯底16的周邊部固定在第二配線層18B上，例如具有和外部進行輸入、輸出的作用。在此，在一邊上設(shè)有多個引線11，但也可以在對向的兩個邊、四個邊配置。引線11和圖案的粘接介由焊錫等焊料19構(gòu)成。
密封樹脂12通過使用熱硬性樹脂的傳遞模模制或使用熱塑性樹脂的注入模模制形成。在此，形成密封樹脂12，使其密封電路襯底16及形成于其表面的電路，電路襯底16的背面從密封樹脂12露出。另外，模制之外的密封方法例如可使用基于罐裝進行的密封、基于殼體件進行的密封等眾所周知的密封方法。參照圖1(B)，為使從載置于電路襯底16表面的電路元件14產(chǎn)生的熱順暢地排出到外部，電路襯底16的背面從密封樹脂12露出到外部。另外，為提高裝置整體的耐濕性，也可以利用密封樹脂12密封也含有電路襯底16背面的整體。
參照圖1(C)的剖面圖詳細說明連接部25。該剖面圖是放大連接部25及其附近的混合集成電路裝置10的剖面圖。連接部25是貫通絕緣層17使層積的配線層18相互間導(dǎo)通的部位。另外，也可以使用連接部25作為用于進行配線層18相互間的熱接合的熱通路。
在本形態(tài)中，形成有由第一連接部25A及第二連接部25B構(gòu)成的連接部25。第一連接部25A是從第一配線部18A連續(xù)沿厚度方向突出的部位。在此，第一連接部25A向上方突出，埋入第二絕緣層17B內(nèi)。第二連接部25B是從第二配線層18B連續(xù)沿厚度方向突出的部位，在此，向下方突出，被埋入第二絕緣層17B中。
第一連接部25A是通過蝕刻加工沿厚度方向突出而形成的部位，由鍍敷或軋制形成的Cu箔構(gòu)成。另外，第一連接部25A也可以利用蝕刻加工之外的方法形成。具體地說，通過使電解鍍膜或無電解鍍膜在第一配線層18A的表面凸狀成膜，可形成第一連接部25A。另外，在第一配線層18A的表面設(shè)置焊錫等焊料或銀膏等導(dǎo)電性材料，也可以形成第一連接部25A。
第二連接部25B是通過電解鍍敷或無電解鍍敷的鍍敷處理形成的部位。關(guān)于該第二連接部25B的形成方法，在說明制造方法的實施形態(tài)后述。
在本形態(tài)中，使上述的第一連接部25A和第二連接部25B接觸的位置位于第二絕緣層17B的厚度方向的中間部。在此，中間部是指，第一配線層18A上面的上方，第二配線層18B下面的下方。因此，在紙面上，第一連接部25A和第二連接部25B接觸的位置為第二絕緣層17B的厚度方向中央部附近，但該位置可在上述的中間部的范圍內(nèi)變化。在考慮通過鍍敷處理形成第二連接部25B時，第一連接部25A和第二連接部25B接觸的部分最好在第一配線層上面和第二配線層下面之間比其中間位置更靠上方配置。由此，具有容易形成由鍍膜構(gòu)成的第二連接部25B的優(yōu)點。即，由后述的制造方法可知，為形成第二連接部而形成通路(via)，但由于該通路的深度較淺。另外，通路直徑也可以相應(yīng)其減淺的量減小。另外，也可以相應(yīng)通路直徑減小的量縮小間隔，整體上實現(xiàn)微細圖案。
另外，也可以部分較厚地形成第一配線層18A。由此，可使用較厚地形成的第一配線層18A作為功率類的電極或配線。而由較薄地形成的其它區(qū)域的第一配線層18A構(gòu)成微細化的配線。
參照圖2的各剖面圖說明上述的連接部25的結(jié)構(gòu)的優(yōu)點。圖2(A)表示本形態(tài)的連接部25的剖面形狀，圖2(B)及圖2(C)是表示和本形態(tài)比較的比較例的剖面圖。
參照圖2(A)進一步詳細說明本形態(tài)的連接部25的結(jié)構(gòu)。首先，在最下層設(shè)有第一絕緣層17A，在該第一絕緣層17A的表面構(gòu)圖第一配線層18A。然后，介由第二絕緣層17B層積第二配線層18B。另外，第二配線層18B由密封整體的密封樹脂12覆蓋整個區(qū)域。
如上所述，連接部25由第一連接部25A和第二連接部25B構(gòu)成。而且，兩者接觸的位置位于第二絕緣層17B的厚度方向的中間部。覆蓋第一配線層18A的部分的第二絕緣層17B的厚度(D2)例如為35μm程度。而且，第一連接部25A和第二連接部25B接觸的部分、與第二絕緣層17B上面的距離(D1)例如為15μm程度。通過該結(jié)構(gòu)，可提高連接部25相對熱應(yīng)力等外力的可靠性。
另外，D1的長度最好為D2的一半以下。由此，可容易地形成第二連接部25B。即，容易地形成用于形成第二連接部25B的通孔，容易對該通孔內(nèi)部形成鍍膜。
下面說明上述熱應(yīng)力?？梢钥紤]該熱應(yīng)力在各部件的界面變大。具體地說，第一配線層18A、第二絕緣層17B、密封樹脂12的熱膨脹系數(shù)不同。密封樹脂12和第二絕緣層17B都是以樹脂為主體的材料，但由于混入的無機填充物量不同等原因，熱膨脹系數(shù)多少不同。由此，根據(jù)使用狀況下的溫度變化，在密封樹脂12和第二絕緣層17B的界面、第二絕緣層17B和第一配線層18A的界面產(chǎn)生應(yīng)力。如果簡單地說，則1是現(xiàn)象之一是層和層相互之間產(chǎn)生滑移。因此，根據(jù)本形態(tài)的結(jié)構(gòu)，通過使第一連接部25A和第二連接部25B接觸的部分位于第二絕緣層17B的中間部，可防止上述滑移，可提高連接部25B相對熱應(yīng)力的可靠性。
參照圖2(B)說明第一比較例。在此，形成和上層第二配線層18B一體化的連接部25。而且，埋入第二配線層17B的連接部25的前端部與第一配線層18A的表面接觸。根據(jù)該比較例，連接部25與第一配線層18A和第二絕緣層17B的界面所處的面接觸。因此，考慮上述界面產(chǎn)生的熱應(yīng)力對連接部25B接觸的部分的影響(例如滑移)大。因此，該第一比較例的結(jié)構(gòu)和本形態(tài)的結(jié)構(gòu)相比，相對熱應(yīng)力的可靠性降低。
參照圖2(C)說明第二比較例。在該比較例中從下層的第一配線層18A起形成有一體化的連接部25。另外，連接部25的上端與第二配線層18A的下面接觸。如上所述，可考慮即使在第二絕緣層17B和密封樹脂12的界面也會產(chǎn)生大的熱應(yīng)力。因此，由于上述熱應(yīng)力作用在連接部25和第二配線層18B接觸的部分，故兩者的連接可靠性降低。通過將上述的第一比較例及第二比較例和本中請比較，可確認本申請的連接部25相對熱應(yīng)力的可靠性高。
參照圖3的立體圖說明形成于電路襯底16表面的第二配線層18B的具體形狀之一例。在同示中，省略了密封整體的樹脂。
參照同圖，第二配線層18B構(gòu)成安裝電路元件14的接合焊盤部分和固定引線11的焊盤26等。另外，在半導(dǎo)體元件14A的周邊部形成多個引線接合金屬細線15的焊盤。在載置具有多個接合焊盤的半導(dǎo)體元件14A時，在僅由第二配線層18B構(gòu)成的單層圖案中，由于配線密度有限，故有可能不能充分回繞設(shè)置。在本形態(tài)中，通過在電路襯底16的表面構(gòu)筑多層配線結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了復(fù)雜的圖案盤繞設(shè)置。
參照圖4說明其它形態(tài)的混合集成電路裝置的結(jié)構(gòu)。圖4(A)及圖4(B)是其它形態(tài)的混合集成電路裝置的剖面圖。
參照圖4(A)，在此，貫通第二絕緣層17B形成有熱通路27。熱通路27是在貫通第二絕緣層17B的孔中填充有金屬的部位，作為向外部排熱的經(jīng)路起作用。因此，熱通路27也可以不作為電通路起作用。
在此，在安裝于熱通路上的IC中，在芯片背面浮置的情況下，熱通路也浮置時，IC電位會產(chǎn)生變動，故熱通路最好固定在接地(ダランド)上。
具體地說，熱通路形成與固定半導(dǎo)體元件14的接合面狀的第二配線層18B下面接觸。因此，即使在從半導(dǎo)體元件14A產(chǎn)生大量的熱時，其熱也可以介由多個熱通路27傳遞到電路襯底16上。此時的熱的經(jīng)路是半導(dǎo)體元件14A→第二配線層18B→熱通路27→第一絕緣層17A→電路襯底16→外部。在此，熱通路27由上述的第一連接部25A和第二連接部25B構(gòu)成。而且，第一連接部25A和第二連接部25B接觸的部分為絕緣層厚度方向的中間部。熱通路27作為熱的經(jīng)路起作用，是預(yù)測大的熱應(yīng)力作用的部位，故本形態(tài)的結(jié)構(gòu)有意義。
參照圖4(B)，在此，在第一絕緣層17A及第二絕緣層17B兩者上設(shè)有熱通路27。如上所述，含有大量填充物的第一絕緣層17A是散熱性優(yōu)良的絕緣層。因此，如同圖所示，通過在第一絕緣層17A上設(shè)置熱通路27，可進一步提高散熱性。設(shè)于第一絕緣層17A上的熱通路27也最好設(shè)于對應(yīng)伴隨發(fā)熱的半導(dǎo)體元件14A下方的區(qū)域。
如上所述，在電路襯底16和第一絕緣層17A之間形成熱通路27時，在電路襯底16的背面形成凸狀地突出的第一連接部25A。另外，在第一配線層18A的背面設(shè)置第二連接部25B。而且，使第一連接部25A和第二連接部25B在第一絕緣層17A的中間部接觸。
參照圖5說明另一形態(tài)的混合集成電路裝置的結(jié)構(gòu)。圖5(A)及圖5(B)是混合集成電路裝置的剖面圖。
參照圖5(A)，在此，通過介由絕緣層17層積配線層18，構(gòu)成四層配線結(jié)構(gòu)。具體地說，在第一絕緣層17A的上面形成第一配線層18A。而且，介由第二絕緣層17B～第四絕緣層17D層積第二配線層18B～第四配線層18D。這樣，通過增加配線層18的層數(shù)，可提高配線密度。在第二絕緣層17B～第四絕緣層17D上為連接各層相互之間的配線層，而形成有連接部25。
參照圖5(B)，在此，在載置焊盤數(shù)量多的半導(dǎo)體元件14A的區(qū)域的電路襯底16表面形成有多層配線結(jié)構(gòu)，在固定電路元件14B的區(qū)域的電路襯底16表面形成有單層的配線結(jié)構(gòu)。
如上所述，半導(dǎo)體元件14A是具有數(shù)十～數(shù)百個電極的元件。因此，為了回繞配置和半導(dǎo)體元件14的電極連接的圖案，在半導(dǎo)體元件14A的周邊部形成有多層配線結(jié)構(gòu)。具體地說，形成有由第一配線層18A及第二配線層18B構(gòu)成的多層配線層。
另外，形成多層的部分的第二配線層18B和形成單層的部分的第一配線層18A介由金屬細線15電連接。
電路元件14B是例如功率類半導(dǎo)體元件，是伴隨大量發(fā)熱的開關(guān)元件。形成由第一配線層18A構(gòu)成的單層配線結(jié)構(gòu)的部分的電路襯底16比其它區(qū)域的散熱效果大。因此，如電路元件14B這樣發(fā)熱量大的分立的晶體管適于直接固定在構(gòu)成單層配線的第一配線層18A上。
參照圖6說明再一形態(tài)的電路模塊41的結(jié)構(gòu)。圖6(A)是表示電路模塊41結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖6(B)是構(gòu)成電路模塊41局部的第一電路裝置37的剖面圖。
參照圖6(A)，在電路襯底16的表面形成有多層的配線結(jié)構(gòu)。在此，構(gòu)成從第一配線層18A到第四配線層18D的四層配線結(jié)構(gòu)。在最上層的第四配線層18D上安裝有多個電路元件。在此，固定兩個電路裝置。另外，裸的晶體管芯片即第一電路元件29和第二電路元件40安裝于最上層的第四配線層18D上。
第一電路裝置37是具有一個半導(dǎo)體芯片的電路裝置，在支承襯底上形成有多層配線。第一電路裝置37的詳細結(jié)構(gòu)將參照圖6(B)后述。而且，第二電路裝置38是內(nèi)裝半導(dǎo)體元件及無源元件而構(gòu)成系統(tǒng)的SIP(系統(tǒng)封裝System in package)。在此圖示了平面配置電路元件實現(xiàn)的封裝件，但也可以為疊層結(jié)構(gòu)。內(nèi)裝于第一電路裝置37或第二電路裝置38的電路元件和參照圖1說明的電路元件相同，可全部采用有源元件或無源元件。另外，作為直接固定于第四配線層18D的第一電路元件39或第二電路元件40也和參照圖1說明的電路元件相同，可全部采用有源元件或無源元件。
參照圖6(B)詳細說明第一電路裝置37。第一電路裝置37中，在形成多層的襯底上倒裝片安裝半導(dǎo)體元件。
在此，利用第一配線層44A～第三配線層44C形成多層配線結(jié)構(gòu)。因此，即使半導(dǎo)體元件43是具有多個焊盤的LSI元件，也可以進行來自該焊盤的配線的盤繞設(shè)置。另外，半導(dǎo)體元件43是倒裝片安裝的LSI元件，介由焊錫等焊料固定在第三配線層44C上。
連接板42的一側(cè)介由粘接劑固定在半導(dǎo)體元件43的背面(紙面中上面)。而且，連接板42的另一側(cè)被固定在配線層44C上。該連接板42作為用于排出從半導(dǎo)體元件43產(chǎn)生的熱的經(jīng)路起作用。因此，從半導(dǎo)體元件43產(chǎn)生的熱介由連接板42傳遞到第三配線層44C上。另外，連接板42連接的第三配線層44C和其下方的第二配線層44B及第一配線層44A利用連接部46連接。因此，利用這些連接部46形成用于沿襯底厚度方向傳遞熱的經(jīng)路H1。該經(jīng)路是作為熱的經(jīng)路起作用的部位。另外，在半導(dǎo)體元件43的背面和接地電位連接時，這些經(jīng)路也具有作為和接地電位連接的經(jīng)路的功能。
另外，參照圖6(A)，位于經(jīng)路H1最下部的第一配線層44A介由焊錫與層積于電路襯底16表面的第四配線層18D連接。而且，在經(jīng)路H1下方形成有由利用連接部25連接的各配線層構(gòu)成的經(jīng)路H2。經(jīng)路H2是用于將從第一電路裝置37產(chǎn)生的熱傳遞到電路襯底16上的經(jīng)路。通過上述的結(jié)構(gòu)，從內(nèi)裝于第一電路裝置37內(nèi)的半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱介由形成于第一電路裝置37內(nèi)部的第一經(jīng)路H1、形成于電路襯底16表面的第二經(jīng)路H2傳遞到電路襯底16上。并將其熱排出到外部。如上所述，電路模塊41構(gòu)成散熱性優(yōu)良的結(jié)構(gòu)。
第二實施形態(tài)在本形態(tài)中，作為電路裝置之一例，以混合集成電路裝置為例進行制造方法的說明。但是，下述的本形態(tài)的制造方法也可以適用于其它種類的電路裝置的制造方法。
首先，參照圖7(A)，在電路襯底16的表面涂敷第一絕緣層17A，層積第一導(dǎo)電膜28A。作為電路襯底16，可采用厚度1.5mm左右的金屬襯底。另外，作為第一導(dǎo)電膜28A，可采用以銅為主材料的材料、以Fe-Ni或Al為主材料的材料。第一導(dǎo)電箔28A的厚度必須為預(yù)定形成的第一配線層18A的厚度和第一連接部25A的高度相加的厚度或其以上。具體地說，第一導(dǎo)電膜28A的厚度例如在20μm～150μm程度的范圍。抗蝕劑29A覆蓋予定形成第一連接部25A的區(qū)域的第一導(dǎo)電膜28A的表面。在利用抗蝕劑29A覆蓋的狀態(tài)下，進行蝕刻。另外，第一絕緣層17A可采用在環(huán)氧樹脂等絕緣性樹脂中混入無機填充物的材料。在此，混入的無機填充物是SiO2、Al2O3、SiC、AlN等。
圖7(B)表示進行蝕刻后的狀態(tài)的剖面。在此，利用抗蝕劑29A覆蓋的區(qū)域凸狀地突出。利用該凸狀突出的的部位形成第一連接部25A。而且，在表面露出的狀態(tài)下，進行蝕刻的區(qū)域的第一導(dǎo)電膜28A同樣厚度變薄。在本工序結(jié)束后，將抗蝕劑29A剝離。在此，第一連接部25A突出的高度調(diào)整為數(shù)十μm程度。圖7(C)表示剝離了抗蝕劑29A的狀態(tài)的第一連接部25A。
其次，參照圖8說明在第一導(dǎo)電膜28A的表面形成第一連接部25A的另一方法。在此，通過在第一導(dǎo)電膜28A的表面選擇性地形成鍍膜，形成第一連接部25A。
參照圖8(A)，首先，選擇性地在第一導(dǎo)電膜28A的表面形成抗蝕劑29B。具體地說，在除去形成第一連接部25A的予定區(qū)域外的區(qū)域，形成抗蝕劑29B。
其次，參照圖8(B)，在從抗蝕劑29B選擇地露出的第一導(dǎo)電膜28A的表面使鍍膜成長。該鍍膜的成膜可采用電解鍍敷處理、無電解鍍敷處理或?qū)烧呓M合使用的方法。在本工序結(jié)束后，進行抗蝕劑29B的剝離，得到圖8(C)所示的凸狀的第一連接部25A。
參照圖9(A)～圖9(C)，其次，利用抗蝕劑29C覆蓋包括第一連接部25A的上面的第一導(dǎo)電膜28A。另外，在對抗蝕劑29C按照予定形成的第一配線層18A構(gòu)圖后，進行蝕刻，由此，進行第一配線層18A的構(gòu)圖。在第一配線層18A的蝕刻結(jié)束后，將抗蝕劑29C剝離。
參照圖9(D)，其次，介由覆蓋第一配線層18A的第二絕緣層17B層積第二導(dǎo)電膜28B。該方法考慮三個以下方法。第一方法是，覆蓋第一配線層18A形成第二絕緣層17B，然后，在第二絕緣層17B的表面形成由鍍膜構(gòu)成的第二導(dǎo)電膜28B。第二方法是，在進行第二絕緣層17B的形成后，在第二絕緣層17B的表面壓裝由軋制銅箔等構(gòu)成的第二導(dǎo)電膜28B。根據(jù)該第二方法，第二絕緣層17B和第二導(dǎo)電膜28B接合的強度提高。第三方法是，層積在背面付著有第二絕緣層17B的第二導(dǎo)電膜28B覆蓋第一配線層18A。即使是該第三方法，也可以提高第二絕緣層17B和第二導(dǎo)電膜28B接合的強度。另外，第一連接部25A的側(cè)面構(gòu)成錐狀，由此，具有容易向第二樹脂層17B埋入第一連接部25A的優(yōu)點。
參照圖10，其次，部分地除去形成連接部25的位置的第二絕緣層17B及第二導(dǎo)電膜28B，形成通孔32。首先，參照圖10A，部分地除去對應(yīng)形成通孔32的予定區(qū)域的第二導(dǎo)電膜28B。具體地說，除形成通孔32的予定區(qū)域外，在第二導(dǎo)電膜28B的表面形成抗蝕劑29D，然后，進行蝕刻。由此，部分地除去第二導(dǎo)電膜28B，形成通孔32。另外，通過除去其下方的第二絕緣層17B，加深通孔32。在通孔32的下面露出第一配線層18A的表面。在此，使設(shè)于第一配線層18A的第一連接部25A的上面在通孔32的下面露出。
參照圖10(B)進一步詳細說明通孔32的形成方法。在本形態(tài)中，通過埋入第一連接部25A，通孔32下方的第二絕緣層17B變薄。而且，通過使用激光等除去變薄的區(qū)域的第二絕緣層17B，在通孔32的下部露出第一連接部25A。在大部分的區(qū)域，第二絕緣層17B的厚度T2例如為50μm程度。與此相對，對應(yīng)通孔32下方的區(qū)域的第二絕緣層17B的厚度變薄為例如10μm～25μm程度。
因此，在假定利用激光形成相同長寬比的通孔32時，根據(jù)本形態(tài)，可形成直徑小的通孔32。在所述這樣的條件下，由于可以以一半程度形成通孔的直徑，故可將通孔32占有的面積縮小到1/4程度。這有利于裝置整體的小型化。另外，為確保散熱性，在第二絕緣層17B中混入無機填充物，由此，利用激光形成通孔32會多少困難一些。為了在這種情況下形成通孔32，減薄形成通孔32的區(qū)域的第二絕緣層17B是有意義的。
圖10(C)表示利用上述方法形成通孔32后的剖面。從各通孔32的下面露出第一連接部25A的上面。而且，從利用激光處理形成的通孔32的側(cè)壁露出混入第二絕緣層17B中的填充物。為提高散熱性，而在本形態(tài)的第二絕緣層17B中混入多種直徑的填充物。因此，通孔32的側(cè)壁構(gòu)成具有凹凸的形狀。這些填充物具有代表性的是Al2O3、AlN等。另外，在利用上述激光處理在通孔32的底部殘留殘渣時，要進行用于清除該殘渣的清洗。
第一連接部25A的平面的大小形成得比形成于其上方的通孔32大。換句話說，由于通孔32及第一連接部25A的平面的形狀為圓形，故第一連接部25A的直徑比通孔32的直徑大。列舉一例，在通孔32的直徑W1為100μm程度時，第一連接部25A的直徑W2形成150μm～200μm程度。另外，通孔32的直徑W1為30μm～50μm時，第一連接部25A的直徑W2調(diào)整為50μm～70μm程度。這樣，通過增大第一連接部25A的平面大小，使其比通孔32大，即使多少伴隨位置偏差而形成通孔32時，也可以使通孔32位于第一連接部25A的上方。因此，可防止上述位置偏差造成的連接可靠性降低。另外，作為第一連接部25A的平面的形狀，也可以采用圓形以外的形狀。
參照圖10(D)說明形成通孔32的其它方法。在上述說明中，在利用第二導(dǎo)電膜28B覆蓋第二絕緣層17B后，形成通孔32，但也可以利用其它方法進行通孔32的形成。具體地說，可在覆蓋第二導(dǎo)電膜28A之前，除去第二絕緣層17B，使第一連接部25A的上面從通孔32的下部露出。
當(dāng)圖10(A)的通孔實質(zhì)上為10微米時，二氧化碳激光其波長不會使樹脂飛散。雖然可考慮取而代之使用YAG激光，但此時存在使Cu飛散而被去掉的問題。因此，可以不設(shè)置第二導(dǎo)電膜28B而直接利用YAG將絕緣樹脂飛散去掉，形成通孔32。相對于激光的光點直徑，作為可燒蝕的深度比光點直徑淺。因此，由于具有第一連接部25A，故可縮小燒蝕的深度，使脈沖數(shù)減少。
另外，也可以代替激光各向同性進行濕式蝕刻。此時，眾所周知，第一連接部25A的高度，即第二絕緣層17B的厚度影響開口直徑。因此，減薄第二絕緣層17B具有可減小開口直徑的優(yōu)點。也可以利用公知的半導(dǎo)體技術(shù)的干式蝕刻來實現(xiàn)。此時，由于開口深度淺，故相應(yīng)可縮短蝕刻時間。
另外，為利用以下工序進行鍍敷處理，而進行作為前處理的鋅酸鹽處理。在此，鋅酸鹽處理是通過使用含有Zn離子的堿溶液進行無電解鍍敷處理，而使鍍敷處理容易的處理。
其次參照圖11及圖12，說明通過在通孔32中形成鍍膜，形成第二連接部25B，使第一配線層18A和第二導(dǎo)電膜28B導(dǎo)通的工序。該鍍敷的形成可考慮兩個方法。第一個方法是在通過無電解鍍敷形成鍍膜后，通過電解鍍敷再次形成鍍膜的方法。第二個方法是僅通過電解鍍敷處理形成鍍膜的方法。
參照圖11說明形成鍍膜的上述第一方法。首先，參照圖11(A)，在也含有通孔32側(cè)壁的第二導(dǎo)電膜28B的表面通過進行無電解鍍敷處理形成鍍膜34。該鍍膜34的厚度為3μm～5μm程度即可。
其次，參照圖11(B)，在鍍膜34的上面利用電解鍍敷法形成新的鍍膜35。具體地說，以形成鍍膜34的第二導(dǎo)電膜28B為陰極電極，通過電解鍍敷法形成鍍膜35。利用上述的無電解鍍敷法在通孔32的內(nèi)壁形成鍍膜34。因此，在此形成的鍍膜35包括通孔32的內(nèi)壁也形成同樣的厚度。由此，形成由鍍膜形成的第二連接部25B。具體的鍍膜35的厚度例如為20μm程度。上述的鍍膜34及鍍膜35的材料可采用和第二導(dǎo)電膜28B相同的材料即銅。另外，也可以采用銅以外的金屬作為鍍膜34及鍍膜35的材料。
參照圖11(C)，在此，通過進行填充鍍敷，利用鍍膜35埋入通孔32。通過進行該填充鍍敷，可提高第二連接部25B的機械強度。
其次，參照圖12說明使用電解鍍敷法形成第二連接部25B的方法。
參照圖12(A)，首先，使含有金屬離子的溶液接觸通孔32。在此，可采用銅、金、銀、鈀等作為鍍膜的材料。而且，當(dāng)以第二導(dǎo)電膜28B作為陰極電極流過電流時，金屬在作為陰極電極的第二導(dǎo)電膜28B上析出，形成鍍膜。在此，由標號36A、36B表示鍍膜成長的情況。在電解鍍敷法中，在電場強的位置優(yōu)先形成鍍膜。在本形態(tài)中，該電場在面向通孔32周邊部的部分的第二導(dǎo)電膜28B增強。因此，如該圖所示，從面向通孔32周邊部的部分的第二導(dǎo)電膜28B優(yōu)先成長鍍膜。在形成的鍍膜與第一連接部25A接觸的時刻，第一配線層18A和第二導(dǎo)電膜28B導(dǎo)通。然后，同樣在通孔32內(nèi)部形成鍍膜。由此，在通孔32的內(nèi)部形成和第二導(dǎo)電膜28B一體化的第二連接部25B。
其次參照圖12(B)，說明形成第二連接部25B的其它方法。在此，通過在通孔32的周邊部設(shè)置遮檐13，容易利用電解鍍敷法形成第二連接部25B。在此，遮檐是指，覆蓋通孔32周邊部由突出的第二導(dǎo)電膜28B構(gòu)成的部位。遮檐13的具體的制造方法在利用激光形成通孔32時，可通過增大該激光的功率進行。通過增大激光的功率，由激光沿橫向進行第二絕緣層17B的除去，除去遮檐13下方區(qū)域的樹脂。通過利用上述條件進行以第二導(dǎo)電膜28B為陰極電極的電解鍍敷處理，從遮檐13的部分優(yōu)先成長鍍膜。通過從遮檐13成長鍍膜，與圖12(A)的情況相比，可優(yōu)先向下方成長鍍膜。因此，可可靠采用鍍膜埋入通孔32。
如上所述，本形態(tài)的通孔32的側(cè)壁構(gòu)成具有凹凸的形狀。另外，在通孔32的側(cè)壁露出混入第二絕緣層17B中的無機填充物。由此，難于在通孔32的側(cè)壁形成鍍膜。通常，在作為無機物的填充物表面難于附著鍍膜，但特別是在AlN在通孔32的側(cè)壁露出時，難于形成鍍膜。因此，在本形態(tài)中，通過使用上述電解鍍敷法的方法形成第二連接部25B。
在本形態(tài)中，通過在通孔32中形成鍍膜，必然也在第二導(dǎo)電膜28B的表面形成鍍膜，其厚度增厚。但是，在本形態(tài)中，如上所述，由于在10μm程度的淺的通孔32中形成鍍膜，故可減薄形成的鍍膜的總厚度。因此，基于附著鍍膜的第二導(dǎo)電膜28B的厚度的增加量小，故可使第二導(dǎo)電膜28B保持薄的狀態(tài)。因此，可微細地形成由第二導(dǎo)電膜28B形成的第二配線層18B。
另外，即使在通過施行填充鍍敷，埋入通孔32時，如上所述，由于較淺地形成通孔32，因此，可容易地進行填充鍍敷。
參照圖13(A)，通過形成第二連接部25B，形成由第一連接部25A及第二連接部25B構(gòu)成的連接部25。另外，參照圖13(B)，通過進行使用抗蝕劑29E的選擇性的蝕刻，形成第二配線層18B。進一步參照圖13(C)，在此，形成由第一配線層18A、第二配線層18B、第三配線層18C構(gòu)成的三層的多層配線。此時，在第二配線層18B上，在上面及下面兩面形成凸狀突出的連接部25。
參照圖14(A)，其次，介由焊錫或?qū)щ姼嗟葘㈦娐吩?4固定在第二配線層18B(島)上。在此，利用面朝下接合法安裝有源元件，但也可以根據(jù)需要利用面朝下接合法進行。另外，參照圖14(B)，介由金屬細線15進行電路元件14和第二配線層18B的電連接。
在上述工序結(jié)束后，進行各單元24的分離。各單元24的分離可通過使用沖壓機的沖切、切割、折曲等進行。然后，在各單元24的電路襯底16上固定引線11。
參照圖15，其次，進行各電路襯底16的樹脂密封。在此，通過使用熱硬性樹脂的傳遞模模制進行密封。即，在由上模型30A及下模型30B構(gòu)成的模型30中收納電路襯底16，然后，通過將兩模型咬合，進行引線11的固定。然后，通過向模腔31中封入密封樹脂，進行樹脂密封的工序。利用以上的工序制造其結(jié)構(gòu)示于圖1的混合集成電路裝置。
權(quán)利要求
1.一種電路裝置，其特征在于，包括第一配線層及第二配線層，它們介由絕緣層層積；第一連接部，其從所述第一配線層連續(xù)埋入所述絕緣層中；第二連接部，其從所述第二配線層連續(xù)埋入所述絕緣層中，所述第一連接部和所述第二連接部在所述絕緣層的厚度方向中間部接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述絕緣層由含有填充物的樹脂構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述第一連接部或所述第二連接部通過蝕刻加工一張銅箔而形成。
4.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述第一連接部或所述第二連接部由鍍膜構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述第一連接部通過蝕刻加工一張銅箔形成，所述第二連接部由鍍膜構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，在表面被絕緣處理的電路襯底的表面形成所述第一配線層及所述第二配線層。
7.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括在電路襯底表面形成第一配線層的工序；介由含有填充物的絕緣層在所述第一配線層上層積第二導(dǎo)電膜的工序；通過除去所希望位置的所述第二導(dǎo)電膜及所述絕緣層形成通孔，在所述通孔下面露出所述第二導(dǎo)電膜的工序；通過在所述通孔形成鍍膜，使所述第二導(dǎo)電膜和所述第一配線層導(dǎo)通的工序；通過構(gòu)圖所述第二導(dǎo)電膜，形成第二配線層的工序。
8.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，在電路襯底表面形成具有沿厚度方向突出的第一連接部的第一配線層的工序；介由含有填充物的絕緣層在所述第一配線層上層積第二導(dǎo)電膜的工序；部分地除去對應(yīng)形成所述第一連接部的區(qū)域的所述第二導(dǎo)電膜的工序；除去通過埋入所述第一連接部而較薄地形成的區(qū)域的所述絕緣層，形成通孔，使所述第一連接部上面在所述通孔下面露出的工序；通過在所述通孔形成由鍍膜構(gòu)成的第二連接部，使所述第二導(dǎo)電膜和所述第一配線層導(dǎo)通的工序；通過構(gòu)圖所述第二導(dǎo)電膜，形成第二配線層的工序。
9.如權(quán)利要求7或權(quán)利要求8所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述通孔的形成如下進行，即部分地除去所述第二導(dǎo)電膜，使所述絕緣層露出，在露出的所述絕緣層上照射激光將其除去形成所述通孔。
10.如權(quán)利要求7或權(quán)利要求8所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，在利用無電解鍍敷處理在所述通孔的側(cè)壁形成鍍膜后，通過進行電解鍍敷并在所述通孔形成新的鍍膜，使所述第一配線層和所述第二導(dǎo)電膜導(dǎo)通。
11.如權(quán)利要求7或權(quán)利要求8所述的電路裝置的制造方法，通過進行將所述第二導(dǎo)電膜作為電極使用的電解鍍敷處理，從位于所述通孔周邊部的所述第二導(dǎo)電膜朝向所述通孔的內(nèi)側(cè)形成鍍膜，利用所述鍍膜將所述第一配線層和所述第二導(dǎo)電膜導(dǎo)通。
12.如權(quán)利要求11所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，在所述通孔的周邊部形成由所述第二導(dǎo)電膜構(gòu)成的遮檐，從所述遮檐朝向所述通孔內(nèi)側(cè)形成鍍膜。
13.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，在電路襯底表面形成具有沿厚度方向突出的第一連接部的第一配線層，覆蓋所述第一配線層形成絕緣層，除去對應(yīng)所述第一連接部的位置的所述絕緣層，形成露出所述第一連接部上面的通孔，和所述第一連接部接觸，形成埋入所述通孔的第二連接部及和所述第二連接部構(gòu)成一體的第二配線層，固定和所述第二配線層電連接的半導(dǎo)體元件。
14.如權(quán)利要求13所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，在所述絕緣層中混入有填充物。
15.如權(quán)利要求13所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，在露出所述第一連接部時，使用YAG激光。
16.一種電路裝置，至少具有至少表面被絕緣處理的支承襯底和形成于該支承襯底上的半導(dǎo)體元件，其特征在于，在位于所述支承襯底上的第一配線層上介由絕緣層設(shè)有第二配線層，在所述第一配線層和所述第二配線層的對應(yīng)電連接部的部分設(shè)置和第一配線層一體朝向上方的第一連接部、和所述第二配線層一體朝向下方的第二連接部，第一連接部和第二連接部的接觸部分位于第一連接部上面和第二連接部下面之間。
17.如權(quán)利要求16所述的電路裝置，其特征在于，所述接觸部分相對于第一連接部上面和第二連接部下面的距離配置在等于或大于1/2的位置。
全文摘要
一種電路裝置及其制造方法，用于貫通絕緣層，將層積的多個配線層相互連接。本發(fā)明的混合集成電路裝置(10)及其制造方法中，介由第一絕緣層(17A)層積第一導(dǎo)電膜(28A)，通過構(gòu)圖第一導(dǎo)電膜(28A)，形成第一配線層(18A)。其次，介由第二絕緣層(17B)層積第二導(dǎo)電膜(28B)。而且，通過部分地除去所希望位置的第二絕緣層(17B)和第二導(dǎo)電膜(28A)，形成將配線層相互間連接的連接部(25)。
文檔編號H01L23/48GK1705108SQ200510074719
公開日2005年12月7日 申請日期2005年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月31日
發(fā)明者五十嵐優(yōu)助, 中村岳史, 井上恭典, 水原秀樹, 臼井良輔 申請人:三洋電機株式會社