專利名稱：有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法，更具體地，本發(fā)明涉及一種其中單位像素區(qū)的數(shù)據(jù)線和電源線可以形成在溝槽中且被像素電極疊蓋的有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為大且重的傳統(tǒng)陰極射線管(CRT)的替代產(chǎn)品，平板顯示器件近來受到了眾多關(guān)注，其包括液晶顯示(LCD)器件、有機(jī)發(fā)光顯示器件、和等離子體顯示板(PDP)。
LCD器件是非自發(fā)射的。因此，它的亮度、對(duì)比度、視角和尺寸都可能受限。雖然PDP是自發(fā)射的，但是它一般比其它平板顯示器件重，它需要高功耗，以及它的制造可能復(fù)雜。有機(jī)發(fā)光顯示器件是自發(fā)射的，從而它在視角、對(duì)比度等方面具有優(yōu)勢(shì)。由于它不需要背光源，所以功耗可以降低，并且它可以制作成尺寸小且重量輕的顯示器件。
此外，有機(jī)發(fā)光顯示器件可以通過直流和低電壓驅(qū)動(dòng)，并且它具有快的響應(yīng)速度。而且，有機(jī)發(fā)光顯示器件由固體材料制成，從而它具有寬的溫度范圍，它不容易因外部沖擊而受損，并可以便宜且容易地制造。
圖1A和圖1B分別是示出傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光器件的平面圖和橫截面圖。
如圖1A所示，開關(guān)薄膜晶體管(TFT)15、驅(qū)動(dòng)TFT 16、電容器17和第一電極18可以形成在單位像素區(qū)內(nèi)，該單位像素區(qū)由可以形成在透明基板11，例如塑料或玻璃上的掃描線12、數(shù)據(jù)線13和電源線14限定。在有機(jī)發(fā)光器件發(fā)光時(shí)，電容器17供給電流；第一電極18是像素電極，它可以電連接到驅(qū)動(dòng)TFT的源電極或漏電極。盡管在圖1A中未示出，可以在第一電極上形成至少包括有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層和公共的第二電極。
圖1B是沿著圖1A中A-A’線的橫截面圖。如圖1B所示，可以在基板11上形成絕緣層，例如緩沖層21、柵絕緣層22和層間絕緣層23，以及可以在層間絕緣層23上形成數(shù)據(jù)線13和電源線14?？梢栽跀?shù)據(jù)線13和電源線14上依次形成鈍化層24和平整層25，以及可以在平整層25上形成第一電極18。
在這種情形中，第一電極18可以與數(shù)據(jù)線13和電源線14分開預(yù)定間隔31使得電信號(hào)不影響第一電極18，從而防止在供應(yīng)電信號(hào)給數(shù)據(jù)線13和電源線14時(shí)發(fā)生串?dāng)_。然而，在傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光器件中，第一電極18與諸如數(shù)據(jù)線和電源線的金屬互連分開預(yù)定間隔，這可以減少顯示器件的開口率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法，其中由于在單位象素區(qū)上像素電極重疊數(shù)據(jù)線，或者數(shù)據(jù)線和電源線，因此該顯示器件可以具有增大的開口率。
在下面的說明中將列出本發(fā)明的附加特征，部分從說明中是直觀的，或者可以通過實(shí)踐本發(fā)明而得知。
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光器件，其包括基板和形成在所述基板上的多個(gè)單位像素區(qū)。單位像素區(qū)包括掃描線、數(shù)據(jù)線、絕緣層和第一電極。所述數(shù)據(jù)線的一部分形成于在所述絕緣層中形成的溝槽內(nèi)，以及所述第一電極的一部分重疊所述溝槽。
本發(fā)明還公開了一種有機(jī)發(fā)光器件，其包括基板和形成在所述基板上的多個(gè)單位像素區(qū)。單位像素區(qū)包括掃描線、數(shù)據(jù)線、電源線、絕緣層和第一電極。第n單位像素區(qū)的所述電源線的一部分和第(n+1)單位像素區(qū)的所述數(shù)據(jù)線的一部分形成于在所述絕緣層中形成的溝槽內(nèi)，以及所述第一電極的一部分重疊所述溝槽。
本發(fā)明還公開了一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括準(zhǔn)備基板；在所述基板上形成緩沖層、柵絕緣層和層間絕緣層；以及在所述緩沖層、所述柵絕緣層和所述層間絕緣層中形成溝槽。在所述溝槽內(nèi)形成數(shù)據(jù)線的一部分。
本發(fā)明還公開了一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括準(zhǔn)備基板；在所述基板上形成緩沖層、柵絕緣層和層間絕緣層；以及在所述緩沖層、所述絕緣層和所述層間絕緣層中形成溝槽。在所述溝槽內(nèi)形成數(shù)據(jù)線的一部分和鄰近所述數(shù)據(jù)線的電源線的一部分。
本發(fā)明還公開了一種有機(jī)發(fā)光器件，其包括基板和多個(gè)單位區(qū)，其中一單位區(qū)由形成在所述基板上的掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線限定。在所述單位區(qū)內(nèi)形成有第一TFT、第二TFT和電容器。第一電極與所述第二TFT耦合，及在所述第一電極上形成至少包括有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層和第二電極。所述數(shù)據(jù)線的一部分和所述電源線的一部分形成在絕緣層中的溝槽內(nèi)。在第一像素行的一個(gè)單位區(qū)內(nèi)和橫跨第二像素行的兩個(gè)單位區(qū)形成所述第一電極。
本發(fā)明還公開了一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括準(zhǔn)備基板；在所述基板上形成緩沖層；和在所述緩沖層上形成柵絕緣層。在所述柵絕緣層上形成掃描線和層間絕緣層，和蝕刻所述層間絕緣層、所述緩沖層和所述柵絕緣層中的至少一個(gè)來形成溝槽。在所述溝槽內(nèi)形成數(shù)據(jù)線的一部分和電源線的一部分。第一像素電極形成材料形成在所述基板上并被構(gòu)圖，以在第一像素行的一個(gè)單位區(qū)中和橫跨第二像素行的兩個(gè)單位區(qū)形成第一像素電極。單位區(qū)由所述掃描線、所述數(shù)據(jù)線和所述電源線限定。
能夠理解前面的概括性說明和以下的詳細(xì)說明是示范性的和解釋性的，并用于提供對(duì)于所要求保護(hù)發(fā)明的進(jìn)一步解釋。
附圖被包括進(jìn)來以提供對(duì)發(fā)明的進(jìn)一步理解，且被并入和構(gòu)成說明書的一個(gè)部分，其圖示了發(fā)明的實(shí)施例并與說明一起用于解釋發(fā)明原理。
圖1A和圖1B是分別示出傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光器件的平面圖和橫截面圖；圖2A、圖2B、圖3A、圖3B、圖4A、圖4B、圖5A、圖5B、圖6A和圖6B是示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光器件的工藝的平面圖和橫截面圖；圖7A、圖7B和圖7C是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的平面圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中將參照示出本發(fā)明示范性實(shí)施例的附圖更加全面地說明本發(fā)明。然而，此發(fā)明可以不同形式實(shí)施且不應(yīng)當(dāng)理解為受限于這里舉出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例以使得此公開徹底和完整，并將發(fā)明范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。為了清楚起見放大了圖中示出的層或區(qū)的厚度。相同的附圖標(biāo)記在說明書全文中用于指代相同的元件。
圖2A、圖2B、圖3A、圖3B、圖4A、圖4B、圖5A、圖5B、圖6A和圖6B是示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光器件的工藝的平面圖和橫截面圖。
圖2A是示出在基板上形成緩沖層和半導(dǎo)體層的工藝的平面圖，和圖2B是沿著圖2A中A-A’線的橫截面圖。如圖2A和圖2B所示，緩沖層102可以形成在基板101上，基板101可以由玻璃、塑料或其它類似材料制成。緩沖層102用于防止雜質(zhì)，例如在基板101中產(chǎn)生的氣體擴(kuò)散或者滲透到隨后形成的元件中。緩沖層102可以厚1000埃至6000埃左右。
非晶硅層可以采用化學(xué)氣相淀積(CVD)方法、物理氣相淀積(PVD)方法、或者其它類似的方法形成在緩沖層102上，并接著進(jìn)行脫氫。
然后通過采用結(jié)晶方法，例如快速熱退火(RTA)、固相結(jié)晶(SPC)、準(zhǔn)分子激光結(jié)晶(ELC)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)、順序橫向固化(SLS)、或者其它類似的方法，將非晶硅層可結(jié)晶化成為多晶硅層。該多晶硅層可以被構(gòu)圖以形成半導(dǎo)體層103。
圖3A是示出在基板上形成柵絕緣層、第一柵電極、電容器的底電極和第二柵電極的工藝的平面圖，和圖3B是沿著圖3A中A-A’線的橫截面圖。如圖3A和圖3B所示，柵絕緣層104可以由單個(gè)或多個(gè)氧化硅或氮化硅層制成，并可以形成在具有該半導(dǎo)體層的基板上；金屬材料可以接著淀積在基板的整個(gè)表面上。柵絕緣層104可以厚大約500埃至2000埃。
該金屬材料可以接著被構(gòu)圖以形成掃描線105、第一柵電極106、電容器的底電極107和第二柵電極108。
離子可以接著注入到半導(dǎo)體層中以在半導(dǎo)體層(圖2A的103)中分別形成第一源區(qū)和漏區(qū)以及第二源區(qū)和漏區(qū)(未示出)。
一層間絕緣層109可以接著形成在基板的整個(gè)表面上。該層間絕緣層109可以厚大約2000埃至6000埃。
圖4A是在基板上形成接觸孔和溝槽的工藝的平面圖，和圖4B是沿著圖4A中A-A’線的橫截面圖。如圖4A和圖4B所示，柵絕緣層104和層間絕緣層109的一部分可被蝕刻，以形成露出第一源區(qū)和漏區(qū)、第二源區(qū)和漏區(qū)、以及底電極107的一部分的接觸孔110。在本例中，柵絕緣層104和層間絕緣層109一同可以厚大約2500埃至8000埃。優(yōu)選地，考慮到柵絕緣層104和層間絕緣層109的功能和形成工藝的便利性，它們的總厚度在大約4000埃至6000埃的范圍內(nèi)。
因此，可以完全去除形成了各個(gè)接觸孔110處的層間絕緣層109和柵絕緣層104。接觸孔110可以使用與蝕刻上述厚度(4000埃至6000埃)的工藝條件相比允許厚度被充分蝕刻(即過蝕刻)的工藝條件形成。也就是說，在形成接觸孔110時(shí)，進(jìn)行蝕刻工藝以去除6000埃至8000埃的厚度，這可以大于層間絕緣層109和柵絕緣層104的總厚度。
這里，在形成接觸孔110時(shí)可以同時(shí)形成本發(fā)明的溝槽。溝槽可以形成在單個(gè)數(shù)據(jù)線、單個(gè)電源線或者數(shù)據(jù)線和電源線形成的區(qū)域中。具體地，溝槽可以包括鄰近(或接近)的作為像素電極的第一電極的區(qū)域。在第一電極形成為較大時(shí)該溝槽可以重疊該第一電極，并且它可以形成在比該重疊區(qū)大的區(qū)域中。
在形成接觸孔110時(shí)，可以使用同一掩模在數(shù)據(jù)線區(qū)中形成數(shù)據(jù)線溝槽111，在電源線區(qū)中形成電源線溝槽112。這里，這些溝槽具有允許數(shù)據(jù)線或電源線的預(yù)定區(qū)將要形成在其中的寬度和長度。另外，它們可被蝕刻至可以防止與隨后形成的第一電極串?dāng)_的深度。這里，該溝槽可以蝕刻至大約6000埃至8000埃的深度，如同在上述接觸孔蝕刻工藝中一般。該溝槽可以比6000埃至8000埃深，因?yàn)榻^緣層，例如層間絕緣層和柵絕緣層的蝕刻速率不同于半導(dǎo)體層和電容器的底電極的蝕刻速率，從而可以進(jìn)行過蝕刻工藝以形成更深的溝槽。
總之，在形成露出電容器的底電極及源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔時(shí)，該溝槽可以形成在數(shù)據(jù)線區(qū)或電源線區(qū)。因此，可以采用蝕刻接觸孔的現(xiàn)有的工藝形成溝槽。此外，通過調(diào)整掩模的形狀或蝕刻接觸孔的工藝，溝槽可以形成為具有所需的寬度、長度和深度。如果需要，圖中示出的溝槽可以更長和更寬。
圖5A是示出在基板上形成第一源電極和漏電極、第二源電極和漏電極、電容器的頂電極、數(shù)據(jù)線和電源線的工藝的平面圖，和圖5B是沿著圖5A中A-A'線的橫截面圖。如圖5A和圖5B所示，金屬材料可以形成在具有接觸孔和溝槽的基板的整個(gè)表面上，和接著被構(gòu)圖以形成第一源電極和漏電極113a、第二源電極和漏電極113b、電容器的頂電極114、數(shù)據(jù)線115和電源線116。
第一源電極和漏電極113a完成第一TFT，其用作開關(guān)TFT；第二源電極和漏電極113b完成第二TFT，其用作驅(qū)動(dòng)TFT。
形成在基板上的金屬材料可以厚大約4000埃至6000埃。因此，數(shù)據(jù)線和電源線可以厚大約4000埃至6000埃，從而電源線和數(shù)據(jù)線的預(yù)定區(qū)形成在溝槽內(nèi)。
圖6A是示出在基板上形成鈍化層、平整層和第一電極的工藝的平面圖，和圖6B是沿著圖6A的A-A’的橫截面圖。如圖6A和圖6B所示，鈍化層117和平整層118可以依次形成在基板的整個(gè)表面上。鈍化層117保護(hù)下面的元件，并可以形成為單個(gè)或多個(gè)氧化硅或氮化硅層，以便允許氫化工藝被執(zhí)行。平整層118可以由有機(jī)材料或無機(jī)材料構(gòu)成，它消除下部的臺(tái)階以平整鈍化層的表面。
平整層118和鈍化層117可以被蝕刻以形成通路孔119，其露出驅(qū)動(dòng)TFT的第二源電極或漏電極。
第一電極形成材料可以接著形成在基板的整個(gè)表面上并被構(gòu)圖以形成第一電極120。這里，第一電極120重疊數(shù)據(jù)線和電源線，如圖6A和圖6B所示。具體地，數(shù)據(jù)線和電源線形成在溝槽內(nèi)，如參照?qǐng)D4A、圖4B、圖5A和圖5B所闡述的，使得從數(shù)據(jù)線或電源線的頂面至第一電極120的底面的距離121是大約2μm或更大，且優(yōu)選2.3μm或更大。這個(gè)距離可以防止第一電極120與數(shù)據(jù)線或電源線之間的串?dāng)_，允許第一電極120與數(shù)據(jù)線和電源線重疊。
假定鈍化層117和平整層118均厚，數(shù)據(jù)線或電源線的頂面與第一電極120的底面之間的距離隨著溝槽變深而增加。然而，由于溝槽是通過蝕刻層間絕緣層、柵絕緣層和緩沖層而形成的，因此該距離可以不超過預(yù)定值。例如，在緩沖層厚4000埃，柵絕緣層厚1000埃，層間絕緣層厚4000埃，鈍化層厚6000埃，平整層厚15000埃，數(shù)據(jù)線或電源線厚5000埃，且溝槽深7000埃(即，當(dāng)深度與接觸孔的蝕刻深度相等時(shí))，第一電極與數(shù)據(jù)線或電源線之間的距離變成2.3μm。另外，在溝槽深度變成最大值時(shí)(即，在緩沖層、柵絕緣層、和層間絕緣層全部被完全蝕刻時(shí))，溝槽的深度變?yōu)?000埃，第一電極與數(shù)據(jù)線或電源線之間的距離變?yōu)?.5μm。
因此，根據(jù)本發(fā)明示范實(shí)施例的第一電極可以具有大于傳統(tǒng)第一電極(例如，圖1A的附圖標(biāo)記18)的面積，因?yàn)楸景l(fā)明的第一電極可以重疊數(shù)據(jù)線和電源線。
至少包括有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層以及第二電極可以接著形成在第一電極上，以完成有機(jī)發(fā)光器件。
圖7A、圖7B和圖7C是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的平面圖。
圖7A是示出根據(jù)本發(fā)明有機(jī)發(fā)光器件的示范性實(shí)施例的平面圖。如圖7A所示，可以采用參照?qǐng)D2A至6B闡述的同樣的工藝來形成圖7A的有機(jī)發(fā)光器件，除了僅僅數(shù)據(jù)線溝槽201形成在數(shù)據(jù)線區(qū)的預(yù)定區(qū)和數(shù)據(jù)線形成在該數(shù)據(jù)線溝槽201內(nèi)。
因此，圖7A的有機(jī)發(fā)光器件具有僅僅重疊在數(shù)據(jù)線的預(yù)定區(qū)中的數(shù)據(jù)線的第一電極，和發(fā)射區(qū)的尺寸可以通過此重疊區(qū)而增加。
圖7B是示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件的示范性實(shí)施例的平面圖。如圖7B所示，可以進(jìn)行與參照?qǐng)D2A至6B闡述的同樣的工藝來形成有機(jī)發(fā)光器件。數(shù)據(jù)線溝槽303可以形成在第一單位像素區(qū)301的第一數(shù)據(jù)線302的預(yù)定區(qū)中，且數(shù)據(jù)線和電源線溝槽306可以形成在第二單位像素區(qū)304的第二數(shù)據(jù)線305的預(yù)定區(qū)中和第一單位像素區(qū)301的第一電源線311的預(yù)定區(qū)中。此外，電源線溝槽309可以形成在末尾單位像素區(qū)307的末尾電源線308的預(yù)定區(qū)中。
因此，數(shù)據(jù)線溝槽與數(shù)據(jù)線和電源線溝槽可以形成在第一單位像素區(qū)，數(shù)據(jù)線和電源線溝槽可以形成在第n單位像素區(qū)的電源線的預(yù)定區(qū)和第n+1單位像素區(qū)的數(shù)據(jù)線的預(yù)定區(qū)，以及數(shù)據(jù)線和電源線溝槽與電源線溝槽可以形成在末尾單位像素區(qū)(其中，n是大于1的整數(shù))。第一電極重疊單位像素區(qū)中數(shù)據(jù)線和電源線的預(yù)定區(qū)，由此增加它的面積以包括它與數(shù)據(jù)線重疊的區(qū)域和它與電源線重疊的區(qū)域。因此，有機(jī)發(fā)光器件可以具有更高的開口率。
圖7C是示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件的示范性實(shí)施例的平面圖。如圖7C所示，可以采用與參照?qǐng)D2A至6B所闡述的同樣的工藝來形成有機(jī)發(fā)光器件。第一電極形成材料可被淀積并被構(gòu)圖以形成特定行301的第一電極，該特定行可以是每一奇數(shù)行或者每一偶數(shù)行，從而第一電極橫跨相鄰單位像素區(qū)形成。即，如圖7C所示，與第n單位像素區(qū)302的驅(qū)動(dòng)TFT相連的第一電極303b可被構(gòu)圖成也橫跨第(n+1)單位像素區(qū)304的預(yù)定區(qū)形成。另一方面，下一行的第一電極可以構(gòu)圖在單個(gè)單位像素區(qū)中，如參照?qǐng)D7A和圖7B所描述的那樣。
因此，第一電極303a、303b和303c可以橫跨特定行301的兩個(gè)相鄰單位像素區(qū)形成(在這種情形中，單位像素區(qū)不是總等同于該單位像素)。此外，下一行的第一電極303d和303e可以形成在單個(gè)單位像素區(qū)。在本例中，三個(gè)相鄰第一電極(在其上形成了至少包括有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層和第二電極)可以限定一個(gè)像素，像素包括紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)。
這里，像素可以條狀形式或者三角形式形成。在條狀形式下，第一電極303a、303b和303c限定一個(gè)像素?；蛘撸谌切问较?，第一電極303a、303b和303d可以限定像素，第一電極303b、303c和303e可以限定像素，或者第一電極303b、303d和303e可以限定像素。也就是說，三角形式R、G、B單位像素可以設(shè)置成V字形狀或者倒V字形狀。
因此，按照?qǐng)D7C的實(shí)施例，可以進(jìn)行簡單工藝以在數(shù)據(jù)線和電源線的預(yù)定區(qū)形成溝槽，數(shù)據(jù)線和電源線可以接著根據(jù)圖7C的實(shí)施例形成在所述溝槽內(nèi)，這使得不僅獲得高開口率而且實(shí)現(xiàn)三角形式的有機(jī)發(fā)光器件。
在根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法中，溝槽可以形成在絕緣層以及數(shù)據(jù)線、電源線上，或者數(shù)據(jù)線或電源線可以形成在溝槽內(nèi)，由此增大頂部發(fā)射或者底部發(fā)射器件中的開口率。此外，由于第一電極與數(shù)據(jù)線或電源線的預(yù)定區(qū)之間的垂直距離可得到充分的保證，所以可以防止串?dāng)_，并可以實(shí)現(xiàn)三角形式的結(jié)構(gòu)而無需重大地改變工藝。
本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)明白，在不脫離發(fā)明精神或保護(hù)范圍的條件下，可以在本發(fā)明中做出各種修飾和變化。于是，只要它們落在權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，本發(fā)明意欲涵蓋這些修改和變化。
本申請(qǐng)要求于2004年9月2日提交的第2004-70084號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，由此將其全文以引用方式結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光器件，包括基板；和形成在所述基板上的多個(gè)單位像素區(qū)，其中單位像素區(qū)包括掃描線、數(shù)據(jù)線、絕緣層和第一電極，其中所述數(shù)據(jù)線的一部分形成于在所述絕緣層中形成的溝槽內(nèi)，以及所述第一電極的一部分重疊所述溝槽。
2.如權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述單位像素區(qū)進(jìn)一步包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；至少包括有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層；第二電極；電容器；以及電源線。
3.如權(quán)利要求2的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述掃描線、所述數(shù)據(jù)線和所述電容器的底電極與所述第一薄膜晶體管耦合；所述電容器的頂電極、所述電源線、和所述第一電極與所述第二薄膜晶體管耦合；以及所述電容器的所述頂電極與所述電源線耦合。
4.如權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述第一電極下面的平整層和鈍化層。
5.如權(quán)利要求4的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述平整層和所述鈍化層合起來的厚度小于2.0μm。
6.如權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述數(shù)據(jù)線的頂面與所述第一電極的底面之間的距離是2.0μm或更大。
7.如權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述單位像素區(qū)進(jìn)一步包括薄膜晶體管；及在形成用于所述薄膜晶體管的源電極和漏電極的接觸孔的同時(shí)形成所述溝槽。
8.如權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述絕緣層包括層間絕緣層、柵絕緣層和緩沖層。
9.如權(quán)利要求8的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述層間絕緣層厚大約2000埃至6000埃；所述柵絕緣層厚大約500埃至2000埃；及所述緩沖層厚大約1000埃至6000埃。
10.如權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述溝槽深大約6000埃至8000埃。
11.如權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件，其中從所述溝槽的底面至所述第一電極的底面的距離是2.0μm或更大。
12.一種有機(jī)發(fā)光器件，包括基板；和形成在所述基板上的多個(gè)單位像素區(qū)，其中單位像素區(qū)包括掃描線、數(shù)據(jù)線、電源線、絕緣層和第一電極，其中第n單位像素區(qū)的所述電源線的一部分和第(n+1)單位像素區(qū)的所述數(shù)據(jù)線的一部分形成于在所述絕緣層中形成的溝槽內(nèi)，以及所述第一電極的一部分重疊所述溝槽。
13.如權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述單位像素區(qū)進(jìn)一步包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；至少包括有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層；第二電極；及電容器。
14.如權(quán)利要求13的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述掃描線、所述數(shù)據(jù)線和所述電容器的底電極與所述第一薄膜晶體管耦合；所述電容器的頂電極、所述電源線、和所述第一電極與所述第二薄膜晶體管耦合；以及所述電容器的所述頂電極與所述電源線耦合。
15.如權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述第一電極下面的平整層和鈍化層。
16.如權(quán)利要求15的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述平整層和所述鈍化層合起來的厚度小于2.0μm。
17.如權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述數(shù)據(jù)線的頂面與所述第一電極的底面之間的距離是2.0μm或更大。
18.如權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述單位像素區(qū)進(jìn)一步包括薄膜晶體管；及在形成用于所述薄膜晶體管的源電極和漏電極的接觸孔的同時(shí)形成所述溝槽。
19.如權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述絕緣層包括層間絕緣層、柵絕緣層和緩沖層。
20.如權(quán)利要求19的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述層間絕緣層厚大約2000埃至6000埃；所述柵絕緣層厚大約500埃至2000埃；及所述緩沖層厚大約1000埃至6000埃。
21.如權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述溝槽深大約6000埃至8000埃。
22.如權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光器件，其中從所述溝槽的底面至所述第一電極的底面的距離是2.0μm或更大。
23.一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括準(zhǔn)備基板；在所述基板上形成緩沖層、柵絕緣層和層間絕緣層；在所述緩沖層、所述絕緣層和所述層間絕緣層中形成溝槽；及在所述溝槽內(nèi)形成數(shù)據(jù)線的一部分。
24.一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括準(zhǔn)備基板；在所述基板上形成緩沖層、柵絕緣層和層間絕緣層；在所述緩沖層、所述絕緣層和所述層間絕緣層中形成溝槽；及在所述溝槽內(nèi)形成數(shù)據(jù)線的一部分和鄰近所述數(shù)據(jù)線的電源線的一部分。
25.一種有機(jī)發(fā)光器件，包括基板；多個(gè)單位區(qū)，其中一單位區(qū)由形成在所述基板上的掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線限定；在所述單位區(qū)內(nèi)的第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和電容器；與所述第二薄膜晶體管耦合的第一電極；及形成在所述第一電極上的至少包括有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層和第二電極，其中所述數(shù)據(jù)線的一部分和所述電源線的一部分形成在絕緣層中的溝槽內(nèi)，及其中在第一像素行的一個(gè)單位區(qū)內(nèi)和橫跨第二像素行的兩個(gè)單位區(qū)形成所述第一電極。
26.如權(quán)利要求25的有機(jī)發(fā)光器件，其中形成在所述溝槽內(nèi)的所述數(shù)據(jù)線的所述部分和所述電源線的所述部分大于被所述第一電極重疊的所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域和所述電源線的區(qū)域。
27.如權(quán)利要求25的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述第一電極是紅、綠和藍(lán)色單位像素中的一個(gè)像素電極。
28.如權(quán)利要求25的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述絕緣層包括層間絕緣層、柵絕緣層和緩沖層。
29.如權(quán)利要求28的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述層間絕緣層厚大約2000埃至6000埃；所述柵絕緣層厚大約500埃至2000埃；及所述緩沖層厚大約1000埃至6000埃。
30.如權(quán)利要求25的有機(jī)發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述第一電極下面的平整層和鈍化層。
31.如權(quán)利要求30的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述平整層和所述鈍化層合起來的厚度小于2.0μm。
32.如權(quán)利要求25的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述數(shù)據(jù)線的頂面與所述第一電極的底面之間的距離是2.0μm或更大。
33.如權(quán)利要求25的有機(jī)發(fā)光器件，其中在形成用于所述薄膜晶體管的源電極和漏電極的接觸孔的同時(shí)形成所述溝槽。
34.如權(quán)利要求25的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述溝槽深大約6000埃至8000埃。
35.如權(quán)利要求25的有機(jī)發(fā)光器件，其中從所述溝槽的底面至所述第一電極的底面的距離是2.0μm或更大。
36.一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括準(zhǔn)備基板；在所述基板上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成掃描線和層間絕緣層；蝕刻所述層間絕緣層、所述緩沖層和所述柵絕緣層中的至少一個(gè)來形成溝槽；在所述溝槽內(nèi)形成數(shù)據(jù)線的一部分和電源線的一部分；在所述基板上形成第一像素電極形成材料；及構(gòu)圖所述第一像素電極形成材料，以在第一像素行的一個(gè)單位區(qū)中和橫跨第二像素行的兩個(gè)單位區(qū)形成第一像素電極，其中單位區(qū)由所述掃描線、所述數(shù)據(jù)線和所述電源線限定。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法，其中單位像素區(qū)的數(shù)據(jù)線、電源線、或者數(shù)據(jù)線和電源線形成于在絕緣層中形成的溝槽中。第一像素電極重疊所述溝槽。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1744772SQ200510074768
公開日2006年3月8日 申請(qǐng)日期2005年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月2日
發(fā)明者黃義勛 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社