專利名稱：：薄膜晶體管的制造方法、電光學(xué)裝置和電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體膜的制造方法和使用該半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管的制造方法。
背景技術(shù)：
：以往，作為薄膜晶體管制造工序的半導(dǎo)體膜的形成方法，廣泛采用使用半導(dǎo)體材料形成具有大于需要的面積的薄膜，通過(guò)對(duì)其圖案化去除不要的部分來(lái)成型的方法。此外，柵電極也多是形成鉭、鋁等的導(dǎo)電性薄膜，對(duì)其圖案化來(lái)制作。作為圖案化方法的一個(gè)例子，舉出光刻法。光刻法是在形成得很寬的薄膜上，使用光掩模形成希望的抗蝕劑圖案，通過(guò)蝕刻處理未被抗蝕劑圖案覆蓋的部分將該薄膜成型為目的形狀的方法。近年來(lái)，由于半導(dǎo)體元件的高集成化，小于1微米的所謂亞微米數(shù)量級(jí)的成型技術(shù)變得必要了，采用蝕刻時(shí)形成更微細(xì)的掩模圖案或使用波長(zhǎng)短的X射線和電子射線曝光的分辨率高的方法。此外，微細(xì)形狀的薄膜也可通過(guò)噴墨法形成。例如，提出將包含有機(jī)半導(dǎo)體材料等的半導(dǎo)體材料的溶液由噴墨式噴出裝置噴出到基板上來(lái)形成半導(dǎo)體膜的方法。在由噴墨法噴出的情況下，由于基板表面的濕潤(rùn)性，噴出的液滴由于濕潤(rùn)而擴(kuò)展，有時(shí)難以正確地描繪微細(xì)圖案。因此，提出在基板表面上預(yù)先形成貯格圍堰(bank)來(lái)控制液滴的配置，從而根據(jù)希望的圖案配置噴出的液滴的方法(例如參照專利文獻(xiàn)1或?qū)＠墨I(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)1特開(kāi)昭59-75205號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開(kāi)2000-353594號(hào)公報(bào)但是，在光刻法中，微細(xì)圖案的形成和用于使用X射線和電子射線的曝光的裝置很昂貴，吞吐量也低。此外，噴墨法中，液滴直徑在數(shù)微米以上，因此難以成型亞微米數(shù)量級(jí)的薄膜。使用貯格圍堰的方法中，為形成貯格圍堰，必須使用上述光刻法和噴墨法，因此產(chǎn)生成本和效率問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的第一課題是提供一種可通過(guò)簡(jiǎn)易且廉價(jià)的工序，以亞微數(shù)量級(jí)的精度形成薄膜晶體管用的半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管的制造方法。此外，本發(fā)明的第二課題是提供一種可通過(guò)簡(jiǎn)易且廉價(jià)的工序，以亞微數(shù)量級(jí)的精度形成薄膜晶體管用的柵電極的薄膜晶體管的制造方法。進(jìn)而，本發(fā)明的第三課題是提供一種可通過(guò)簡(jiǎn)易且廉價(jià)的工序，以亞微數(shù)量級(jí)的精度形成多個(gè)與多個(gè)薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的柵電極的薄膜晶體管的制造方法。為解決上述第一課題，本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第一方式是一種薄膜晶體管的制造方法，該薄膜晶體管具備半導(dǎo)體膜、在半導(dǎo)體膜上設(shè)置的溝道區(qū)域、夾持溝道區(qū)域設(shè)置的源區(qū)域和漏區(qū)域、經(jīng)柵絕緣膜與溝道區(qū)域相對(duì)置的柵電極，其中包括在基板上配置包含半導(dǎo)體材料的液滴的工序；使液滴干燥，通過(guò)在該液滴的至少周邊部析出半導(dǎo)體材料來(lái)形成半導(dǎo)體膜的工序。一般地，在基板上配置的液滴在周邊部(邊緣)干燥進(jìn)行得快。因此，液滴包含溶質(zhì)或分散物質(zhì)(下面統(tǒng)稱溶質(zhì)等)的情況下，在該液滴的干燥過(guò)程中，液滴周邊部中溶質(zhì)等的濃度首先達(dá)到飽和，開(kāi)始析出。另一方面，液滴內(nèi)部產(chǎn)生從液滴中央部向周邊部的液體流動(dòng)，以補(bǔ)充液滴周邊部由蒸發(fā)而失去的液滴，液滴中央部的溶質(zhì)等隨著該流動(dòng)運(yùn)行到周邊部，隨著液滴的干燥在周邊部開(kāi)始析出。這樣，將液滴中包含的溶質(zhì)等，沿著基板上配置的液滴形狀的外周環(huán)狀析出的現(xiàn)象稱為“閉環(huán)”(pinning)。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第一方式，其特征在于，在基板上配置包含半導(dǎo)體材料的液滴，通過(guò)使該液滴干燥，由閉環(huán)現(xiàn)象將半導(dǎo)體材料析出到液滴周邊部。根據(jù)閉環(huán)現(xiàn)象，可以簡(jiǎn)單工序形成亞微米數(shù)量級(jí)的微細(xì)半導(dǎo)體膜。此外，半導(dǎo)體膜的形狀，可通過(guò)干燥速度的調(diào)整、配置液滴的基板表面的濕潤(rùn)性調(diào)整來(lái)控制，可形成環(huán)狀，或形成在中央部也形成薄膜的圓形或橢圓形。任何情況下，通過(guò)引起閉環(huán)，可防止干燥途中周邊部退縮、薄膜變小或飛出。此外，液滴中央部也形成薄膜的情況下，如后所述，通過(guò)去除其一部分可加工成微細(xì)形狀。此外，本說(shuō)明書中使用的術(shù)語(yǔ)“薄膜晶體管”，只要包括在半導(dǎo)體膜上設(shè)置的溝道區(qū)域、與溝道區(qū)域?qū)?yīng)的源區(qū)域和漏區(qū)域、經(jīng)柵絕緣膜與溝道區(qū)域?qū)χ玫臇烹姌O，則不限定其構(gòu)成，可以是在絕緣基板上按半導(dǎo)體膜、柵絕緣膜、柵電極的順序依次層疊的所謂頂置柵極型，也可以是在絕緣基板上按柵電極、柵絕緣膜、半導(dǎo)體膜的順序依次層疊的所謂底置柵極型。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第一方式中，優(yōu)選是在配置液滴的工序中，配置2個(gè)以上的液滴，使半導(dǎo)體膜材料在這些液滴融合時(shí)得到的液滴形狀的周邊部析出。如果2個(gè)以上的液滴非常接近或部分重疊地配置，則由于各液滴的濕潤(rùn)擴(kuò)展而融合2個(gè)以上的液滴。由此，可將液滴形狀作種種改變，從而得到的半導(dǎo)體薄膜的形狀自由度也提高。例如，通過(guò)直線狀并置并融合多個(gè)液滴，可得到線狀的液滴。如果由線狀的液滴引起閉環(huán)，則其周邊部析出半導(dǎo)體材料時(shí)，可得到亞微米數(shù)量級(jí)的寬度的直線狀的半導(dǎo)體膜。此外，除將全部液滴融合形成1個(gè)大液滴之外，還可通過(guò)反復(fù)融合2個(gè)以上的液滴并在其周邊部析出半導(dǎo)體膜而得到直線狀的半導(dǎo)體膜。此外，本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第一方式中，優(yōu)選是還包括在配置液滴的工序之后提高液滴中液滴周邊部的半導(dǎo)體膜材料的濃度的工序。作為提高液滴中液滴周邊部的半導(dǎo)體膜材料的濃度的工序，可舉出例如在配置液滴的基板上加上溫度梯度來(lái)與液滴內(nèi)產(chǎn)生對(duì)流的工序、在配置于基板上的液滴上重疊噴出溶劑(或分散溶劑)的工序等。通過(guò)這種工序，半導(dǎo)體材料集中在液滴周邊部，促進(jìn)周邊部的析出。如上所述，即便沒(méi)有本工序，通過(guò)液滴中央部和周邊部的溶質(zhì)等的濃度差產(chǎn)生從液滴中央部向周邊部的液體流動(dòng)，但通過(guò)由本工序產(chǎn)生積極地將半導(dǎo)體材料運(yùn)送到液滴周邊部的流動(dòng)，可更有效地防止液滴中央部殘留半導(dǎo)體材料。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第一方式，優(yōu)選是還包括在形成半導(dǎo)體膜的工序之后，去除半導(dǎo)體膜的一部分以分割半導(dǎo)體膜的工序，和形成柵電極以分別對(duì)應(yīng)分割的半導(dǎo)體膜的工序。作為去除半導(dǎo)體膜的工序，可舉出例如附加有機(jī)溶劑來(lái)溶出半導(dǎo)體材料并去除每個(gè)溶劑的方法、蝕刻法等。去除工序中，不需要亞微米數(shù)量級(jí)的精度，因此可用蝕刻法比較廉價(jià)地進(jìn)行。通過(guò)這樣分割半導(dǎo)體膜、形成柵電極以對(duì)應(yīng)各半導(dǎo)體膜，可高密度高效率地形成多個(gè)微細(xì)薄膜晶體管。此外，液滴干燥時(shí)，除液滴周邊部外，在例如液滴中央部也析出半導(dǎo)體材料的情況下，通過(guò)用同樣方法去除中央部的半導(dǎo)體膜，可僅得到周邊部的微細(xì)的半導(dǎo)體膜。此外，本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第一方式，優(yōu)選是包含在配置液滴的工序之前進(jìn)行平坦化基板表面的工序。平坦化的工序，例如通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)、蝕刻法等進(jìn)行。此外，旋涂法中形成SOG(玻璃上旋轉(zhuǎn))膜的方法，從成本看對(duì)于得到平坦面也是很好的方法。如果基板表面平坦，液滴均勻地濕潤(rùn)擴(kuò)展，因此可高精度地進(jìn)行半導(dǎo)體膜的圖案化。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第一方式中，優(yōu)選是將熱或光能照射到通過(guò)閉環(huán)得到的半導(dǎo)體膜。作為熱或光能照射，可舉出例如快速熱處理(RapidThermalProcess)(RTP)的處理、激光照射。由此，可提高半導(dǎo)體膜的結(jié)晶性。此外，本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第一方式中，還可包括在形成半導(dǎo)體膜的工序之后通過(guò)將雜質(zhì)注入半導(dǎo)體膜而形成源區(qū)域和漏區(qū)域的工序。通過(guò)該工序可將上述半導(dǎo)體膜用于薄膜晶體管。此外，為解決上述第二課題，本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第二方式是一種薄膜晶體管的制造方法，該薄膜晶體管具備在半導(dǎo)體膜上設(shè)置的溝道區(qū)域、對(duì)應(yīng)溝道區(qū)域的源區(qū)域和漏區(qū)域、經(jīng)柵絕緣膜與溝道區(qū)域相對(duì)置的柵電極，其中包括液滴配置工序，配置液滴以使得包含導(dǎo)電性材料的液滴的周邊部與溝道區(qū)域相對(duì)置；和析出工序，使液滴干燥，通過(guò)使導(dǎo)電性材料在該液滴的至少周邊部析出來(lái)形成柵電極。即，本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第二方式，其特征在于，通過(guò)利用上述的“閉環(huán)”現(xiàn)象配置液滴，使得包含導(dǎo)電性材料的液滴周邊部與溝道區(qū)域?qū)χ茫瑢⑽龀龅膶?dǎo)電性膜用作柵電極。根據(jù)閉環(huán)現(xiàn)象，可用簡(jiǎn)單工序形成亞微米數(shù)量級(jí)的微細(xì)導(dǎo)電性膜。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第二方式中，優(yōu)選是在液滴配置工序中，通過(guò)控制上述柵絕緣膜的表面的濕潤(rùn)性，配置成上述液滴的周邊部與上述溝道區(qū)域相對(duì)置。作為通過(guò)控制濕潤(rùn)性配置成上述液滴的周邊部與上述溝道區(qū)域相對(duì)置的方法，可舉出例如除與溝道區(qū)域?qū)χ玫奈恢猛?，形成?duì)導(dǎo)電性材料具有低的親和性的表面修飾膜(例如自組織化單分子膜(SAMsSelf-AssembledMonlayer)，在該表面修飾膜形成后配置包含導(dǎo)電性材料的液滴的方法。根據(jù)該方法，導(dǎo)電性材料避開(kāi)形成親和性低的表面修飾膜的區(qū)域，容易在與溝道區(qū)域?qū)χ玫奈恢蒙衔龀觥１景l(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第二方式中，優(yōu)選是在析出工序中，包含去除在液滴的中央部析出的導(dǎo)電性材料的工序。作為去除析出的導(dǎo)電性材料的方法，可舉出例如附加有機(jī)溶劑、酸性溶液來(lái)溶出導(dǎo)電性材料并去除每個(gè)溶劑的方法、蝕刻法等。去除工序中，不需要亞微米數(shù)量級(jí)的精度，因此可用蝕刻法比較廉價(jià)地進(jìn)行。通過(guò)去除中央部的導(dǎo)電性薄膜，可僅得到周邊部的微細(xì)的導(dǎo)電性薄膜。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第二方式中，優(yōu)選是將多個(gè)溝道區(qū)域設(shè)置在1個(gè)薄膜晶體管的半導(dǎo)體膜上的情況下，在液滴配置工序中配置1個(gè)或多個(gè)液滴使得液滴的周邊部與該多個(gè)溝道區(qū)域相對(duì)置，在析出工序中形成分別對(duì)置于該多個(gè)溝道區(qū)域的多個(gè)柵電極。如在一個(gè)薄膜晶體管的半導(dǎo)體膜上設(shè)有多個(gè)溝道的高集成化的結(jié)構(gòu)的情況下，根據(jù)苯發(fā)明的制造方法，也可以簡(jiǎn)易地形成柵電極。液滴的配置的控制，也可以通過(guò)如上述的潤(rùn)濕性的控制進(jìn)行，并也可以調(diào)節(jié)干燥來(lái)進(jìn)行控制。通過(guò)調(diào)整干燥，在液滴中央部上也析出導(dǎo)電性材料，也能夠形成圓形或橢圓形狀的導(dǎo)電性薄膜，而形成所述薄膜后，去除中央部的薄膜而可以形成柵電極。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第二方式中，優(yōu)選是析出工序包括去除在上述液滴周邊部析出導(dǎo)電性材料的一部分的去除工序，該去除工序中斷開(kāi)導(dǎo)電性材料以形成分別對(duì)置于上述多個(gè)溝道區(qū)域的多個(gè)柵電極。例如，通過(guò)去除斷開(kāi)以環(huán)狀形成的導(dǎo)電性材料的一部分，形成圓弧形狀的多個(gè)柵電極。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)可以簡(jiǎn)單工序形成多個(gè)柵電極，可更高密度地形成柵長(zhǎng)度短的高性能的薄膜晶體管。此外，本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第二方式中，優(yōu)選是在液滴配置工序中，配置2個(gè)以上的液滴，在析出工序中，使導(dǎo)電性材料在上述2個(gè)以上的液滴融合時(shí)得到的液滴形狀的至少周邊部析出。如上所述，通過(guò)融合2個(gè)以上的液滴，將液滴形狀作種種改變，從而得到的導(dǎo)電性薄膜的形狀自由度也提高。例如，通過(guò)直線狀并置并融合多個(gè)液滴，可得到線狀的液滴。如果由線狀的液滴引起閉環(huán)，則其周邊部析出導(dǎo)電性材料時(shí)，可得到亞微米數(shù)量級(jí)的寬度的直線狀的柵電極圖案。此外，除將全部液滴融合形成1個(gè)大液滴之外，還可以通過(guò)反復(fù)融合2個(gè)以上的液滴并在其周邊部析出導(dǎo)電性薄膜得到直線狀的導(dǎo)電性薄膜。此外，本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第二方式中，優(yōu)選是還包括在液滴配置工序之后提高液滴中液滴周邊部的導(dǎo)電性材料的濃度的工序。作為提高液滴中液滴周邊部的導(dǎo)電性材料的濃度的工序，可舉出例如在配置液滴的基板上加上溫度梯度來(lái)與液滴內(nèi)產(chǎn)生對(duì)流的工序、在配置于基板上的液滴上重疊噴出溶劑(或分散溶劑)的工序等。通過(guò)這種工序，導(dǎo)電性材料集中在液滴周邊部，促進(jìn)周邊部的析出。如上所述，即便沒(méi)有本工序，通過(guò)液滴中央部和周邊部的溶質(zhì)等的濃度差產(chǎn)生從液滴中央部向周邊部的液體流動(dòng)，但通過(guò)由本工序產(chǎn)生積極地將導(dǎo)電性材料運(yùn)送到液滴周邊部的流動(dòng)，可更有效地防止液滴中央部殘留導(dǎo)電性材料。此外，本發(fā)明還提供具備含2個(gè)溝道區(qū)域的1個(gè)半導(dǎo)體膜、對(duì)應(yīng)上述溝道區(qū)域的源區(qū)域和漏區(qū)域、經(jīng)柵絕緣膜對(duì)置上述2個(gè)溝道區(qū)域的柵電極，形成上述柵電極的導(dǎo)電膜為1個(gè)環(huán)狀導(dǎo)電膜的薄膜晶體管。這種薄膜晶體管在例如頂置柵型的情況下，可通過(guò)在柵絕緣膜上配置以2個(gè)溝道區(qū)域的距離為直徑大小的包含導(dǎo)電性材料的液滴，借助將其干燥并引起閉環(huán)現(xiàn)象來(lái)制造。該薄膜晶體管柵長(zhǎng)度為亞微米數(shù)量級(jí)，極短的柵電極隔開(kāi)微小間隔高密度形成，因此可高集成化。此外，具備上述2個(gè)溝道區(qū)域的薄膜晶體管的情況下，也可以形成夾持2個(gè)溝道區(qū)域的1組源區(qū)域和漏區(qū)域，也可以對(duì)應(yīng)2個(gè)溝道區(qū)域的每一個(gè)形成2個(gè)薄膜晶體管。作為前者的應(yīng)用，形成3個(gè)以上的對(duì)應(yīng)1組源區(qū)域和漏區(qū)域的柵電極的所謂多柵型薄膜晶體管也包含于本發(fā)明中。供給的電流增多了柵電極增加的部分，性能也提高這些。此外，電流量相等的情況下，每1個(gè)柵電極的電流變少，電流損失和發(fā)熱可被抑制，是優(yōu)選的。此外，后者情況下，即，對(duì)應(yīng)2個(gè)溝道區(qū)域的每一個(gè)形成2個(gè)薄膜晶體管的情況下，2個(gè)薄膜晶體管中一個(gè)對(duì)應(yīng)N溝道型MOS晶體管，而另一個(gè)可為對(duì)應(yīng)P溝道型MOS晶體管的互補(bǔ)型MOS晶體管。此外，為解決上述第三課題，本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第三方式是一種制造2個(gè)以上的薄膜晶體管的方法，該薄膜晶體管具備含溝道區(qū)域的半導(dǎo)體膜、夾持上述溝道區(qū)域相對(duì)置的源區(qū)域和漏區(qū)域、經(jīng)柵絕緣膜與上述溝道區(qū)域相對(duì)置的柵電極，其特征在于，具備配置工序，配置包含導(dǎo)電材料的液滴，以使該液滴周邊部的至少一部分與1個(gè)以上的上述溝道區(qū)域相對(duì)置；析出工序，通過(guò)在上述液滴的周邊部析出上述導(dǎo)電材料來(lái)形成上述柵電極，其中將形成的上述柵電極的每一個(gè)與至少一個(gè)其他的柵電極相連接。即，本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第三方式中，通過(guò)利用上述“閉環(huán)現(xiàn)象”，滴下包含導(dǎo)電材料的液滴并形成導(dǎo)電性薄膜，將其用作柵電極，從而可廉價(jià)且容易得到亞微米數(shù)量級(jí)的寬度的環(huán)狀柵電極，此外，可容易形成對(duì)應(yīng)多個(gè)薄膜晶體管的多個(gè)柵電極。此外，導(dǎo)電性薄膜可環(huán)狀析出，通過(guò)控制包含導(dǎo)電材料的液滴的干燥速度、導(dǎo)電材料的粒徑、接觸角、濃度，或通過(guò)在配置一次的液滴上重疊配置其他液滴等方法可析出環(huán)狀以外的形狀，而采用哪個(gè)形狀或控制方法是設(shè)計(jì)上的事情。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第三方式，其特征在于，在制造的薄膜晶體管中，形成的各柵電極與至少一個(gè)其他柵電極電連接。這種構(gòu)成在配置的液滴僅為1個(gè)的情況下，也可將液滴配置成該液滴的周邊部與多個(gè)溝道區(qū)域?qū)χ?。配置的液滴?個(gè)以上的情況下，通過(guò)各液滴的周邊部的至少一部分與1個(gè)以上的上述溝道區(qū)域?qū)χ?，并且各液滴的周邊部的至少一部分與至少其他液滴的周邊部重疊，各柵電極電連接至少1個(gè)以上的其他柵電極。通過(guò)這種構(gòu)成，可得到并列連接了多個(gè)薄膜晶體管的多溝道型晶體管，可用1個(gè)柵信號(hào)驅(qū)動(dòng)多個(gè)晶體管。此外，為解決上述第三課題，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制造方法，其是制造2個(gè)以上的薄膜晶體管的方法，該薄膜晶體管具備含溝道區(qū)域的半導(dǎo)體膜、夾持上述溝道區(qū)域相對(duì)置的源區(qū)域和漏區(qū)域、經(jīng)柵絕緣膜與上述溝道區(qū)域相對(duì)置的柵電極，其特征在于，包括配置工序，配置包含導(dǎo)電材料的液滴，以使各液滴周邊部的至少一部分與1個(gè)以上的上述溝道區(qū)域相對(duì)置；析出工序，通過(guò)在上述液滴的周邊部析出上述導(dǎo)電材料來(lái)形成上述柵電極；分離工序，將分別對(duì)置上述溝道區(qū)域的各柵電極形成為與和其他溝道區(qū)域?qū)χ玫臇烹姌O分離開(kāi)的島狀。該方法中，通過(guò)分離由閉環(huán)現(xiàn)象形成的導(dǎo)電性薄膜并形成柵電極，能夠容易形成與多個(gè)薄膜晶體管的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的多個(gè)柵電極，同時(shí)可高密度地得到微細(xì)柵電極。優(yōu)選是上述分離工序通過(guò)例如去除析出的柵電極的一部分而進(jìn)行。導(dǎo)電性薄膜的去除，可以通過(guò)例如供給堿性溶劑并溶出薄膜，按每個(gè)溶劑去除導(dǎo)電材料的方法、蝕刻法進(jìn)行。此外，本發(fā)明的薄膜晶體管制造方法中，優(yōu)選是制造的薄膜晶體管各自具有一個(gè)柵電極，對(duì)于各個(gè)柵電極形成有一組源區(qū)域和漏區(qū)域。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，可高密度形成多連接的晶體管。此外，與相鄰的其他薄膜晶體管共有源區(qū)域和/或漏區(qū)域的構(gòu)成也包含于本發(fā)明中。此外，優(yōu)選是在上述液滴配置工序中配置下一液滴，使之重疊在先配置的液滴周邊部所析出的導(dǎo)電材料的一部分上，再分散導(dǎo)電材料的一部分。通過(guò)采用這種構(gòu)成，可根據(jù)析出的導(dǎo)電性薄膜的形狀具有自由度。此外，優(yōu)選是液滴配置工序中配置2個(gè)以上的液滴，析出工序中使導(dǎo)電性材料在2個(gè)以上的液滴融合時(shí)得到的液滴形狀的至少周邊部析出。由此，可得到更大的環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜、直線狀的導(dǎo)電性薄膜等。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法中，優(yōu)選是將制造的各薄膜晶體管的半導(dǎo)體膜形成為與其他薄膜晶體管的半導(dǎo)體膜分離的島狀。此外，本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法，優(yōu)選是在液滴配置工序之前包括在各個(gè)溝道區(qū)域上形成表面平坦的柵絕緣膜的工序。如果絕緣膜表面平坦，則配置液滴時(shí)均勻地濕潤(rùn)擴(kuò)展，從而容易控制液滴形狀。另外，本發(fā)明的薄膜晶體管制造方法的第二和第三方式，優(yōu)選是在上述液滴配置工序之前，包括在上述各個(gè)溝道區(qū)域上形成表面平坦的柵絕緣膜的工序，并在上述液滴噴出工序中，該柵絕緣膜上配置液滴。平坦的柵絕緣膜例如為涂布型絕緣膜。例如，在形成半導(dǎo)體圖案的基板上，以旋涂法形成SOG膜時(shí)，形成在有半導(dǎo)體圖案的區(qū)域薄、在沒(méi)有半導(dǎo)體圖案的區(qū)域厚的絕緣膜，可以得到表面平坦的絕緣膜。SOG膜可以為1層，替代上述CMP等可將SOG膜用作平坦化機(jī)構(gòu)。另一方面，在半導(dǎo)體膜上通過(guò)濺射法形成絕緣膜時(shí)，半導(dǎo)體膜上層疊的部分與沒(méi)有半導(dǎo)體膜的區(qū)域上形成的部分在絕緣膜中產(chǎn)生階差，但該情況下，可通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)和蝕刻等形成。如果柵絕緣膜的表面平坦，則柵絕緣膜上配置液滴時(shí)均勻地濕潤(rùn)擴(kuò)展，因此容易將液滴配置為希望的形狀，可以高精度地進(jìn)行柵電極的圖案化。此外，本發(fā)明還包含具備由上述本發(fā)明的薄膜晶體管制造方法制造的薄膜晶體管的電光學(xué)裝置、具備該薄膜晶體管的電子儀器。這里，電光學(xué)裝置一般是具備本發(fā)明的薄膜晶體管的通過(guò)電作用而發(fā)光或具備改變來(lái)自外部的光的狀態(tài)的電光元件的裝置，包含自發(fā)光裝置和控制來(lái)自外部的光的通過(guò)的裝置。例如，作為電光元件，有液晶元件、具有分散了電泳粒子的分散介質(zhì)的電泳元件、EL(電致發(fā)光)元件、具備使通過(guò)電場(chǎng)施加產(chǎn)生的電子正對(duì)發(fā)光板來(lái)發(fā)光的電子放射元件的有源矩陣型顯示裝置等。此外，所謂電子儀器一般是具備本發(fā)明的薄膜晶體管的實(shí)現(xiàn)一定功能的儀器，例如具備電光學(xué)裝置、存儲(chǔ)器。其構(gòu)成不特別限定，但可包含例如IC卡、移動(dòng)電話機(jī)、錄像機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、頭戴式顯示器、背投或正投型投影儀，此外還有帶顯示功能的傳真裝置、數(shù)字照相機(jī)的取景器、便攜型電視、DSP裝置、PDA、電子記事本、電光揭示板、宣傳廣告用顯示器等。此外，本發(fā)明還提供一種使用在基板上形成的半導(dǎo)體膜形成半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在基板上配置含半導(dǎo)體材料的液滴的工序；和使液滴干燥，通過(guò)在該液滴的至少周邊部析出半導(dǎo)體材料來(lái)形成半導(dǎo)體膜的工序。該制造方法中可用簡(jiǎn)單工序高密度形成微細(xì)半導(dǎo)體膜。圖1是第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖2是第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖3是噴墨式噴出裝置的立體圖。圖4是噴墨頭的側(cè)面截面圖。圖5是第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖6是第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖7是第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖8是第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖9是第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖10是第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖11是第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖12是第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖13是第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖14是第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖15是第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖16是第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖17是第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖18是第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖19是第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖20是第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的制造方法的說(shuō)明圖。圖21是第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的制造方法的說(shuō)明圖。圖22是第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的制造方法的說(shuō)明圖。圖23是第十實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖24是第十一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖25是第十一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖26是表示第十一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的等效電路的圖。圖27是用以說(shuō)明第十一實(shí)施方式的柵電極的形成方法的圖。圖28是第十二實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖29是表示第十二實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的等效電路的圖。圖30是第十三實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖31是用以說(shuō)明第十三實(shí)施方式的柵電極的形成方法的圖。圖32是第十四實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜裝置的說(shuō)明圖。圖33是用以說(shuō)明第十四實(shí)施方式的柵電極的形成方法的圖。圖34是表示電光學(xué)裝置的連接狀態(tài)的一個(gè)例子的圖。圖35是采用電光學(xué)裝置構(gòu)成的各種電子儀器的說(shuō)明圖。圖36是采用電光學(xué)裝置而構(gòu)成的各種電子儀器的說(shuō)明圖。圖中10、50-基板，12、52、72-絕緣膜，14、54-液滴，16、56、74、88-半導(dǎo)體膜，18、58、76-柵絕緣膜，20、62-柵電極，22、78-源/漏區(qū)域，25、80-源/漏電極，30-噴墨式噴出裝置，31-噴墨式噴頭，100-電光學(xué)裝置具體實(shí)施方式下面參照本發(fā)明的實(shí)施方式。<第一實(shí)施方式>圖1和圖2是表示本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法的第一方式的半導(dǎo)體膜制造方法的說(shuō)明圖。本實(shí)施方式中，其特征在于，在絕緣基板上配置含半導(dǎo)體材料的液滴并使其干燥，利用閉環(huán)現(xiàn)象形成半導(dǎo)體膜。(絕緣膜形成工序)圖1(A)是形成絕緣膜12的基板的平面圖。沿該圖2A-2A線的截面圖在圖2(A)表示。如圖2(A)所示，絕緣膜12形成在玻璃等絕緣材料構(gòu)成的基板10上。本實(shí)施方式中，形成氧化硅膜作為絕緣膜12。氧化硅膜可通過(guò)例如等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD法)、減壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD法)、濺射法等物理氣相體積法等成膜。此外也可以通過(guò)涂布法形成SOG膜。成膜后，表面并不十分平坦的情況下，使用氟酸的濕蝕刻、或使用CMP法平坦化表面。通過(guò)旋涂法成膜的SOG膜具有平坦化效果，因此上述平坦化工序不需要。由此，絕緣膜12的表面凹凸變沒(méi)有，液滴均勻濕潤(rùn)擴(kuò)展，從而容易配置希望形狀的液滴。(液滴配置工序)接著如圖1(B)所示，在絕緣膜12上配置含半導(dǎo)體材料的液滴14。沿該圖2B-2B線的截面圖在圖2(B)表示。作為半導(dǎo)體材料，可使用例如有機(jī)半導(dǎo)體材料。有機(jī)半導(dǎo)體材料可溶解于甲苯、二甲苯、三甲苯等非極性有機(jī)溶劑，可作為液滴配置在絕緣膜12上。作為有機(jī)半導(dǎo)體材料，可舉出萘、蒽、并四苯、并五苯、并六苯等低分子化合物，或以及羥基二唑衍生物(PBD)、羥基二唑二聚物(OXD-8)、鈹—苯并喹啉絡(luò)合物(Bebq)、三苯胺衍生物(MTDATA)和三芳基胺衍生物、三唑衍生物、聚苯撐、聚烷基芴、聚烷基噻吩、(P3HT)、聚乙烯芘、聚乙烯萘、F8T2(poly(9，9-dioctylfluorene-co-bithiophene))等的高分子化合物，但不限定于此。有機(jī)半導(dǎo)體可在室溫加工，不需要大規(guī)模制造裝置，可廉價(jià)制造。此外，作為包含半導(dǎo)體膜材料的液滴，可使用將從環(huán)戊硅烷和硅烷基環(huán)戊硅烷構(gòu)成的組中選擇的至少一種硅化合物溶于二甲苯等的有機(jī)溶劑中得到的液體，根據(jù)這些材料，可形成無(wú)機(jī)半導(dǎo)體膜。作為在絕緣膜12上配置液滴14的方法，可舉出使用微滴管(micropipette)、微噴灑、噴墨等的方法，但可進(jìn)行特別正確的圖案化的噴墨方法是最好的。噴墨法使用后述的噴墨式噴出裝置進(jìn)行。(半導(dǎo)體材料析出工序)如圖1(B)和圖2(B)所示，在絕緣膜12上配置的液滴14在周邊部15比在中央部干燥速度快，周邊部15上半導(dǎo)體材料先達(dá)到飽和濃度，開(kāi)始析出。成為液滴的周邊部通過(guò)析出的半導(dǎo)體材料釘住的狀態(tài)，引起抑制隨著其之后的干燥的液滴收縮(外徑收縮)的“閉環(huán)現(xiàn)象”。由于周邊部15的干燥速度快，產(chǎn)生從液滴中央部向周邊部15的液體流動(dòng)，半導(dǎo)體膜上材料被運(yùn)到周邊部15的結(jié)果，形成追隨液滴外形的環(huán)狀半導(dǎo)體膜16。圖1(C)中表示出液滴完全干燥、半導(dǎo)體膜上材料沿著液滴周邊部形狀析出、形成半導(dǎo)體膜16的狀態(tài)。沿著該圖的2C-2C線的截面圖在圖2(C)中表示。半導(dǎo)體膜16形成寬度1微米以下的環(huán)狀。液滴14干燥時(shí)，可以控制成提高液滴中的液滴周邊部的半導(dǎo)體材料濃度。例如，調(diào)節(jié)基板的溫度，或通過(guò)在暫時(shí)干燥的半導(dǎo)體膜上再次噴出液滴來(lái)控制液滴的氣化狀態(tài)或粘度，在液滴中產(chǎn)生對(duì)流，可有效地將半導(dǎo)體材料移動(dòng)到周邊部15。這樣一來(lái)，半導(dǎo)體材料集中在液滴周邊部，可更有效地防止在半導(dǎo)體膜16的中央部17殘留半導(dǎo)體材料，可析出寬度細(xì)的環(huán)狀半導(dǎo)體膜，從而不需要圖案化就可直接用于半導(dǎo)體元件的形成。得到的半導(dǎo)體膜16上通過(guò)照射熱或光能可以提高結(jié)晶性。例如，可舉出快速熱處理(RTP)的熱處理，或作為光能可舉出X射線、紫外線、可見(jiàn)光線、紅外線(熱線)、激光、毫米波、微波、電子射線、放射線(α線、β線、γ線)等，尤其優(yōu)選是可高輸出照射的激光。作為激光，可舉出各種氣體激光、固體激光(半導(dǎo)體激光)等，但激元激光、Nd-YAG激光、Ar激光、CO2激光、He-Ne激光等適宜。其中具有半導(dǎo)體膜表面吸收照射能量的350nm以下波長(zhǎng)的激元激光特別適合。(元件形成工序)接著以薄膜晶體管為例說(shuō)明使用上述制造方法制造的半導(dǎo)體膜形成半導(dǎo)體元件的工序。圖1(D)和圖2(D)中表示形成柵絕緣膜18和柵電極20的狀態(tài)。圖2(D)是沿著圖1(D)的2D-2D線的截面圖。如圖2(D)所示，在半導(dǎo)體膜16上形成柵絕緣膜18和柵電極20。柵絕緣膜18為例如氧化硅膜，氧化硅膜可通過(guò)例如電子回旋加速器共振PECVD法(ECR-PECVD法)等成膜法、和SOG膜形成。柵電極20可通過(guò)在由濺射法等的成膜法形成鉭、鋁等的導(dǎo)電體薄膜后通過(guò)進(jìn)行圖案化來(lái)形成。圖1(D)中，為表示半導(dǎo)體膜16和柵電極20的位置關(guān)系，省略了柵絕緣膜18。柵電極20配置成橫過(guò)環(huán)狀的半導(dǎo)體膜16。接著以柵電極20為掩模注入成為施主和受主的雜質(zhì)元素，進(jìn)行所謂的自匹配離子注入，在半導(dǎo)體膜16上形成源/漏區(qū)域22和溝道區(qū)域23。例如，作為雜質(zhì)元素注入磷(P)，之后，將XeCl激元激光調(diào)整為400mJ/cm2的能量密度進(jìn)行照射來(lái)活化雜質(zhì)元素，從而形成N型源/漏區(qū)域。此外，替代激光照射，可進(jìn)行250℃～400℃左右的熱處理進(jìn)行雜質(zhì)元素的活化。接著如圖1(E)和2(E)所示，表示出層間絕緣膜和源/漏電極的形成工序。圖2(E)是沿著圖1(E)的2E-2E線的截面圖。而如2(E)所示，形成由氧化硅膜構(gòu)成的層間絕緣膜24以覆蓋柵絕緣膜18和柵電極20。氧化硅膜通過(guò)例如PECVD法、SOG法等成膜法形成500nm左右。接著貫通柵絕緣膜18和層間絕緣膜24形成跨源/漏區(qū)域22的接觸孔，在這些接觸孔內(nèi)通過(guò)濺射法等成膜法埋入鋁、鎢等的導(dǎo)電體后圖案化，從而形成源/漏電極25。這樣形成薄膜晶體管。圖1(E)中，為明確源/漏區(qū)域22、柵電極20、源/漏電極25等的位置關(guān)系，省略了柵絕緣膜和層間絕緣膜。環(huán)狀形成的半導(dǎo)體膜中未層疊柵電極的部分為源/漏區(qū)域22，層疊了柵電極的部分為溝道區(qū)域，形成薄膜晶體管。源/漏電極形成在源/漏區(qū)域的中央。這樣，本實(shí)施方式中，用包含半導(dǎo)體材料的液體的配置和其干燥這樣的簡(jiǎn)單工序可形成規(guī)定形狀的半導(dǎo)體膜，不用圖案化半導(dǎo)體膜就可連續(xù)進(jìn)行絕緣膜形成工序。(液滴噴出裝置)上述各液滴通過(guò)從噴墨式噴出裝置噴出液體形成。因此，使用圖3說(shuō)明噴墨式噴出裝置。圖3是噴墨式噴出裝置30的立體圖。噴墨式噴出裝置30主要由底座32、第一移動(dòng)部件34、第二移動(dòng)部件36、作為重量測(cè)定部件的電子天平(未圖示)、頭31、封蓋單元33以及清除單元35構(gòu)成。包含第一移動(dòng)部件34、第二移動(dòng)部件36的噴墨式噴出裝置30的動(dòng)作由控制裝置控制。圖3中，X方向是底座32的左右方向，Y方向是前后方向，Z方向是上下方向。第一移動(dòng)部件34，使2個(gè)導(dǎo)軌38與Y軸方向一致地直接設(shè)置在底座32的上面。該第一移動(dòng)部件34具有可沿著2個(gè)導(dǎo)軌38移動(dòng)的滑塊39。作為該滑塊39的驅(qū)動(dòng)部件，可采用例如線性電動(dòng)機(jī)。由此，滑塊39可沿著Y軸方向移動(dòng)，可定位在任意位置?；瑝K39上面固定電動(dòng)機(jī)37，電動(dòng)機(jī)37的轉(zhuǎn)子上固定臺(tái)(table)46。該臺(tái)46保持基板10并定位。即，通過(guò)使未圖示的吸附保持部件動(dòng)作，通過(guò)臺(tái)46的孔46A吸附基板10，可將基板10保持在臺(tái)46上。此外，電動(dòng)機(jī)37例如為直接驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)。通過(guò)對(duì)該電動(dòng)機(jī)37通電臺(tái)46與轉(zhuǎn)子一起旋轉(zhuǎn)向θz方向，臺(tái)46上設(shè)置頭31扔掉液體，或嘗試噴出(預(yù)備噴出)的預(yù)備噴出區(qū)域。另一方面，底座32后方立設(shè)2個(gè)支柱36A，該支柱36A上端部架設(shè)有柱子36B。并且柱子36B的整個(gè)面上設(shè)置有第二移動(dòng)部件36。該第二移動(dòng)部件36具有沿著X軸方向配置的2個(gè)導(dǎo)軌84A，具有可沿著導(dǎo)軌84A移動(dòng)的滑塊82。作為該滑塊82驅(qū)動(dòng)部件，可采用例如線性電動(dòng)機(jī)。由此，滑塊82可沿著X軸方向移動(dòng)，可定位在任意位置?；瑝K82上設(shè)置有頭31。頭31連接作為搖動(dòng)定位部件的電動(dòng)機(jī)84，85，86，87。電動(dòng)機(jī)84可使頭31在Z軸方向移動(dòng)，而且可定位在任意位置。電動(dòng)機(jī)85可使頭31在圍繞Y軸的β方向搖動(dòng)，而且可定位在任意位置。電動(dòng)機(jī)86可使頭31在圍繞X軸的γ方向搖動(dòng)，而且可定位在任意位置。電動(dòng)機(jī)87可使頭31在圍繞Z軸的α方向搖動(dòng)，而且可定位在任意位置。如上所述，基板10可在Y方向上移動(dòng)并定位，可在θz方向上搖動(dòng)并定位。頭31可在X、Z方向上移動(dòng)并定位，可在α、β、γ方向上搖動(dòng)并定位。因此，本實(shí)施方式的噴墨式噴出裝置30可正確控制頭31的噴墨面31P和臺(tái)上的基板10的相對(duì)位置和姿勢(shì)。(噴墨頭)這里，參照?qǐng)D4說(shuō)明頭31的結(jié)構(gòu)。圖4是噴墨頭的側(cè)面截面圖。頭31通過(guò)液滴噴出方式將液體L從噴嘴41噴出。作為液滴噴出方式，可適用利用作為壓電體元件的壓電元件噴出液體的壓電方式、通過(guò)加熱液體產(chǎn)生的泡(氣泡)噴出液體的方式等公知的種種技術(shù)。其中壓電方式不對(duì)液體加熱，因此具有不對(duì)材料組成等產(chǎn)生影響的優(yōu)點(diǎn)。圖4的頭31采用壓電方式。頭31的頭主體40上形成有貯液器(reservoir)45和從貯液器45分支的多個(gè)墨水室43。貯液器45成為用以向各墨水室43供給液體L的流路。此外，頭主體40下端面安裝有構(gòu)成噴墨面的噴嘴板。該噴嘴板上對(duì)應(yīng)于各墨水室43打開(kāi)噴出液體L的多個(gè)噴嘴41。并且，從各墨水室43朝向?qū)?yīng)的噴嘴41形成有墨水流路。另一方面，頭主體40上端面安裝有振動(dòng)板44。振動(dòng)板44形成著各墨水室43的壁面。該振動(dòng)板44外側(cè)對(duì)應(yīng)于各墨水室43設(shè)置有壓電元件42。壓電元件42用一對(duì)電極(未示出)夾持水晶等壓電材料。該一對(duì)電極連接于驅(qū)動(dòng)電路49。并且，從驅(qū)動(dòng)電路49向壓電元件42施加電壓時(shí)，壓電元件42膨脹變形或收縮變形。壓電元件42收縮變形時(shí)，墨水室43的壓力降低，從貯液器45向墨水室43流入液體L。此外壓電元件42的壓力降低，從貯液器45向墨水室43流入液體L。壓電元件42膨脹變形時(shí)，墨水室43的壓力增加，從噴嘴41噴出液體L。此外，通過(guò)施加電壓的頻率改變可控制壓電元件42的變形速度。即，通過(guò)控制對(duì)壓電元件42的施加電壓控制液體L的噴出條件。另一方面，圖3所示的噴墨式噴出裝置備有封蓋單元33以及清除單元35。封蓋單元33用于防止頭31的噴墨面31P干燥，在噴墨式噴出裝置30待機(jī)時(shí)蓋住噴墨面31P。清除單元35是用于去除頭31的噴嘴上的堆積物，從而吸入噴嘴內(nèi)部的部件。清除單元35為去除頭31上的噴墨面31P的污染物而對(duì)噴墨面31P進(jìn)行擦拭。<第二實(shí)施方式>圖5和圖6表示本發(fā)明的第二方式的半導(dǎo)體膜的制造方法。本實(shí)施方式中，也以薄膜晶體管為例說(shuō)明。本實(shí)施方式中，其特征在于除半導(dǎo)體膜外，柵電極也通過(guò)配置并干燥包含傳導(dǎo)性材料的液體形成。(半導(dǎo)體膜形成工序)首先，如圖5(A)和(B)所示，在絕緣膜52上配置包含半導(dǎo)體材料的液滴54，使其干燥而得到半導(dǎo)體膜56。兩圖中的6A-6A線和6B-6B線的截面圖，在圖6(A)和(B)中表示。絕緣膜52層疊在玻璃基板等的基板50上。絕緣膜形成工序、液滴配置工序、半導(dǎo)體材料析出工序，通過(guò)與第一實(shí)施方式相同的方法進(jìn)行，省略說(shuō)明。(柵電極形成工序)接著使用圖5(C)(D)和圖6(B’)～(D)，說(shuō)明形成用于使用由上述制造方法制造的半導(dǎo)體膜的半導(dǎo)體元件的柵電極的工序。圖5的6C-6C線和6D-6D線的截面圖分別是圖6(C)和(D)。圖5中為表示半導(dǎo)體膜和柵電極的位置關(guān)系，省略了柵絕緣膜58。首先，使用圖6(B’)表示在半導(dǎo)體膜56上形成柵絕緣膜58的工序。柵絕緣膜58可以是例如氧化硅膜，氧化硅膜可通過(guò)例如電子回旋加速器共振PECVD法(ECR-PECVD法)等成膜法形成。如圖6(B)所示，由這種方法形成的柵絕緣膜58上，在半導(dǎo)體膜56上層疊的區(qū)域與其他區(qū)域中產(chǎn)生階差。柵絕緣膜58上有凹凸時(shí)，平坦化表面。作為平坦化方法，使用例如CMP法或回蝕刻法。這樣，包含導(dǎo)電性材料的液滴，在柵絕緣膜58上更均勻地濕潤(rùn)擴(kuò)展，容易控制液滴形狀。此外，柵絕緣膜中使用SOG膜時(shí)，SOG膜自動(dòng)吸收半導(dǎo)體膜56的階差，可以得到平坦的柵絕緣膜表面。接著如圖5(C)和6(C)所示，在柵絕緣膜58上配置含柵電極材料的液滴60。作為柵電極材料優(yōu)選是導(dǎo)電性微粒子，例如Ag、Au、Cu等直徑數(shù)nm左右的微粒子。這些微粒子分散到水或十四碳烷等有機(jī)分散劑中，使用噴墨法等，作為液滴配置在柵絕緣膜58上。如圖5(D)和6(D)所示，干燥液滴60時(shí)，柵電極材料開(kāi)始從液滴周邊部析出，得到沿著液滴外形的環(huán)狀柵電極62。柵電極62的一部分配置成橫過(guò)半導(dǎo)體膜56。為了液滴中央部不殘留導(dǎo)電性材料，可以積極進(jìn)行控制使得柵電極材料集中在液滴周邊部。關(guān)于控制方法，使用與上述半導(dǎo)體膜同樣的方法，這里說(shuō)明從略。(元件形成工序)接著以柵電極62為掩模，注入成為施主和受主的雜質(zhì)元素，在半導(dǎo)體膜56上形成源/漏區(qū)域。接著形成層間絕緣膜，以覆蓋柵絕緣膜58和柵電極62，并貫通柵絕緣膜和層間絕緣膜形成接觸孔，通過(guò)在該接觸孔內(nèi)埋入導(dǎo)電體而形成源/漏電極。這些工序與上述第一實(shí)施方式的工序同樣進(jìn)行，說(shuō)明從略。根據(jù)本實(shí)施方式的方法，不僅半導(dǎo)體膜，柵電極也可以通過(guò)液滴配置和干燥這樣的簡(jiǎn)單工序在短時(shí)間內(nèi)形成。柵電極可以1微米以下的寬度形成，以其為掩模注入雜質(zhì)形成源/漏區(qū)域，從而可得到柵長(zhǎng)為1微米以下的薄膜晶體管。通過(guò)縮短?hào)砰L(zhǎng)，可減小柵電容，從而可形成高性能的薄膜晶體管。<第三實(shí)施方式>圖7中表示第三方式的半導(dǎo)體膜的制造方法的概要。本實(shí)施方式中，從由液滴的配置和干燥得到的1個(gè)半導(dǎo)體膜制造2個(gè)薄膜晶體管。首先，如圖7(A)所示，以與第一和第二實(shí)施方式相同的方法，在絕緣膜72上形成半導(dǎo)體膜74。接著如該圖(B)所示，去除該半導(dǎo)體膜的一部分，得到半導(dǎo)體膜74a和74b。為去除半導(dǎo)體膜74的一部分，舉出例如在要去除的場(chǎng)所附加上述液滴的溶劑，溶出半導(dǎo)體材料并按每個(gè)溶劑去除的方法，或蝕刻法。去除的區(qū)域不需要比較大面積的亞微米數(shù)量級(jí)的精度，因此可以使用蝕刻法這種并非特別高精度的方法，但卻是廉價(jià)常用方法。接著形成柵絕緣膜(未圖示)來(lái)覆蓋半導(dǎo)體膜74后，形成柵電極76a和76b來(lái)橫過(guò)半導(dǎo)體膜74a和74b的各自的中央部。柵電極將包含柵電極材料的液滴配置在柵絕緣膜上并將其干燥，通過(guò)閉環(huán)現(xiàn)象成型。用濺射法等形成導(dǎo)電體薄膜、也可以通過(guò)圖案化來(lái)形成，但根據(jù)閉環(huán)現(xiàn)象，容易形成具有亞微米數(shù)量級(jí)的寬度的柵電極。柵電極的圖案化可通過(guò)供給酸性液滴溶出電極來(lái)去除的方法和蝕刻法進(jìn)行。此時(shí)，在去除工序中也不需要亞微米數(shù)量級(jí)的精度，因此使用蝕刻法這種并非特別高精度的方法但卻是廉價(jià)常用方法的方法。接著，以柵電極76a和76b作為掩模注入成為施主和受主的雜質(zhì)元素，形成源/漏區(qū)域78a～78d。接著形成層間絕緣膜(未圖示)以覆蓋柵電極76a，76b和柵絕緣膜(未圖示)，貫通柵絕緣膜和層間絕緣膜形成接觸孔，通過(guò)在該接觸孔內(nèi)埋入導(dǎo)電體而形成源/漏電極80a～80d。這些工序與上述第一實(shí)施方式的工序同樣進(jìn)行，說(shuō)明從略。根據(jù)本實(shí)施方式的方法，可用簡(jiǎn)單工序得到2個(gè)用于半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體膜，可高密度高效率地制造半導(dǎo)體裝置。此外，柵電極也通過(guò)閉環(huán)現(xiàn)象制造，制造工序更簡(jiǎn)單，同時(shí)得到柵長(zhǎng)為1微米以下的半導(dǎo)體裝置。此外，本實(shí)施方式中，形成2個(gè)半導(dǎo)體膜，但可形成3個(gè)以上的半導(dǎo)體膜。此外上述第一到第三實(shí)施方式中，包含半導(dǎo)體材料或柵電極材料的液滴僅配置1滴、進(jìn)行干燥，來(lái)得到了環(huán)狀薄膜，但又可以配置多個(gè)液滴。圖8是說(shuō)明配置2個(gè)以上液滴形成薄膜的情況的說(shuō)明圖。如圖6(A)所示，隔開(kāi)一定間隔配置包含半導(dǎo)體材料的液滴時(shí)，如該圖(B)所示，通過(guò)液滴濕潤(rùn)擴(kuò)展，液滴融合，如該圖(C)所示，成為1個(gè)線狀液滴。通過(guò)干燥該線狀液滴引起閉環(huán)現(xiàn)象，如該圖(D)所示，得到沿著線狀的液滴外周的環(huán)狀的薄膜。通過(guò)這種方法可以得到直線狀的半導(dǎo)體膜88。此外，本實(shí)施方式中如果重疊各液滴的一部分而配置各液滴，則通過(guò)各液滴濕潤(rùn)擴(kuò)展融合2個(gè)以上液滴。由此，可將液滴形狀作種種改變，從而得到的半導(dǎo)體薄膜的形狀自由度提高。例如，通過(guò)直線狀并置并融合多個(gè)液滴，可以得到線狀液滴。用線狀液滴引起閉環(huán)，則在其周邊部析出半導(dǎo)體材料時(shí)，可以得到亞微米數(shù)量級(jí)的寬度的直線狀的半導(dǎo)體膜。此外，除將全部的液滴融合為1個(gè)大液滴外，還可以通過(guò)反復(fù)融合2個(gè)以上的液滴并在其周邊部析出半導(dǎo)體膜而得到直線狀的半導(dǎo)體膜。<第四實(shí)施方式>圖9和圖10是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管的制造方法的說(shuō)明圖。以本實(shí)施方式制造的薄膜晶體管是圖11(B)所示的頂柵型薄膜晶體管T。薄膜晶體管T備有在半導(dǎo)體膜上設(shè)置的溝道區(qū)域424、對(duì)應(yīng)于溝道區(qū)域424的源/漏區(qū)域424，和經(jīng)柵絕緣膜416與溝道區(qū)域424對(duì)置的柵電極420。(半導(dǎo)體膜形成工序)圖9(A)表示在基板410上形成的絕緣膜412上形成半導(dǎo)體膜414的狀態(tài)。絕緣膜412形成在玻璃等絕緣材料構(gòu)成的基板410上。本實(shí)施方式中，作為絕緣膜412形成氧化硅膜。氧化硅膜可以通過(guò)例如等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD法)、減壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD法)、濺射法等物理氣相沉積法等而成膜。此外，可使用液體材料，作為涂布型的絕緣膜(SOG膜)。本實(shí)施方式中，形成硅膜作為半導(dǎo)體膜414。硅膜通過(guò)APCVD法、LPCVD法、PECVD法等CVD法或?yàn)R射法、蒸鍍法等PVD法形成。或者，可與上述本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法中使用的柵電極的形成方法同樣，使用閉環(huán)現(xiàn)象形成硅膜。利用閉環(huán)現(xiàn)象時(shí)，配置包含硅材料的液滴，使得該液滴的周邊部位于形成硅膜的區(qū)域。又可以根據(jù)硅膜的形狀配置多個(gè)包含硅材料的液滴，在這些液滴融合時(shí)得到的液滴形狀的周邊部析出硅膜。此外，可與本發(fā)明的柵絕緣膜的形成方法同樣，進(jìn)行提高液滴周邊部的硅膜材料濃度的工序、在硅膜形成后去除一部分的工序、對(duì)形成的半導(dǎo)體膜提供熱或光能來(lái)提高結(jié)晶性的工序。在用LPCVD法形成硅膜的情況下，使基板溫度為約400℃～700℃，以二硅烷(Si2H6)等為原料在基板溫度為100℃左右到500℃左右下沉積硅。使用濺射法時(shí)，基板溫度為從室溫到400℃左右。這樣，沉積的硅膜初始狀態(tài)多為非晶質(zhì)、混晶質(zhì)、微晶質(zhì)、或多晶質(zhì)等種種狀態(tài)，但可以是任一狀態(tài)。硅膜的膜厚，在用于半導(dǎo)體膜晶體管的情況下為20nm到100nm左右是適當(dāng)?shù)?。沉積的半導(dǎo)體膜被提供熱能來(lái)結(jié)晶化。本說(shuō)明書中，所謂“結(jié)晶化”不僅是非晶質(zhì)的半導(dǎo)體膜結(jié)晶化，還包含多晶質(zhì)和微晶質(zhì)的半導(dǎo)體膜的結(jié)晶化。半導(dǎo)體膜的結(jié)晶化可以使用激光照射方法和固相生長(zhǎng)的方法，但不限定于此。(絕緣膜形成工序)使用圖9(B)和(C)說(shuō)明柵絕緣膜416的形成工序。形成柵絕緣膜416，以覆蓋半導(dǎo)體膜414和絕緣膜412，例如為氧化硅膜。氧化硅膜可通過(guò)例如電子回旋加速器共振PECVD法(ECR-PECVD法)、PECVD法、常壓化學(xué)氣相沉積法(APCVD法)、或者低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD法)等成膜法形成。這樣形成的柵絕緣膜416如圖1(B)所示，在半導(dǎo)體膜414上層疊的區(qū)域與在絕緣膜412上層疊的區(qū)域部分之間產(chǎn)生階差，平面不平坦。在其上供給包含到導(dǎo)電性材料的液滴時(shí)，不能均勻濕潤(rùn)擴(kuò)展，不能在希望的位置析出導(dǎo)電性材料并得到柵電極。因此，如圖9(C)所示，在配置包含導(dǎo)電性材料的液滴前，平坦化柵絕緣膜416。平坦化可通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)、或蝕刻法進(jìn)行。柵絕緣膜也可以使用旋涂，通過(guò)涂布液體的高K材料和SOG形成。由液體材料涂布的情況下，僅通過(guò)涂布工序得到平坦的表面，因此絕緣膜形成后不進(jìn)行平坦化也可以?？稍谟肞ECVD法等形成的柵絕緣膜上層疊旋涂法形成的膜。通過(guò)旋涂法層疊膜可平坦化表面。(液滴配置工序)接著如圖9(D)所示，在絕緣膜416上配置含導(dǎo)電性材料的液滴418。作為導(dǎo)電性材料，可使用例如直徑數(shù)nm左右的Ag、Au、Cu、Ni等金屬微粒子，例如Ag膠質(zhì)墨等是適當(dāng)?shù)?。這些金屬微粒子分散到十四碳烷等有機(jī)分散劑中，作為液滴供給。作為在絕緣膜416上配置液滴418的方法，可舉出使用微滴管、微噴灑、噴墨等的方法，但可進(jìn)行特別正確的圖案化的噴墨方法是適宜的。噴墨法使用后述的噴墨式噴出裝置進(jìn)行。圖10(A)表示液滴配置工序的平面圖。圖10(A)中的沿著IXD-IXD線的截面圖為圖9(D)。圖10(A)中，為明確半導(dǎo)體膜414和液滴418的位置關(guān)系省略了柵絕緣膜416。液滴418配置成周邊部與溝道區(qū)域?qū)χ?，其外周弧的一部分橫過(guò)半導(dǎo)體膜414中央附近。配置液滴時(shí)，通過(guò)控制柵絕緣膜416表面的濕潤(rùn)性，配置成液滴418周邊部與溝道區(qū)域相對(duì)置，即液滴418的周邊部橫過(guò)半導(dǎo)體膜414中央附近。濕潤(rùn)性的控制使用例如一端具有在柵絕緣膜表面形成SAMs的官能團(tuán)、另一端具有疏液性官能團(tuán)的化合物，在柵絕緣膜表面形成單分子膜來(lái)進(jìn)行。除形成柵電極的區(qū)域外，通過(guò)形成這種SAM膜，包含導(dǎo)電性材料的液滴移動(dòng)到未形成SAM膜的部分，在那里干燥析出導(dǎo)電性材料。(導(dǎo)電性材料析出工序)在絕緣膜416上配置的液滴418中，引起上述閉環(huán)現(xiàn)象，形成追隨液滴外形的環(huán)狀導(dǎo)電性膜420。圖9(E)中表示出液滴完全干燥、導(dǎo)電性材料沿著液滴周邊部形狀析出、形成環(huán)狀導(dǎo)電性膜420的狀態(tài)。圖10(B)表示導(dǎo)電性材料析出工序的平面圖。沿著圖10(B)中的IXE-IXE線的截面圖在圖9(E)中表示。導(dǎo)電性膜420形成寬度1微米以下的環(huán)狀，配置成橫過(guò)半導(dǎo)體膜414的大致中央。另外，液滴418干燥時(shí)，可以控制成提高液滴周邊部的導(dǎo)電性材料濃度。例如，調(diào)節(jié)絕緣基板的溫度，或通過(guò)在暫時(shí)干燥的導(dǎo)電性膜上再次噴出液滴來(lái)控制液滴的氣化狀態(tài)或粘度，在液滴中產(chǎn)生對(duì)流，可有效地將導(dǎo)電性材料移動(dòng)到周邊部。這樣一來(lái)，導(dǎo)電性材料不會(huì)殘留在導(dǎo)電性膜420的中央部，可按寬度細(xì)的環(huán)狀析出導(dǎo)電性材料。導(dǎo)電性材料析出后，可以對(duì)得到的導(dǎo)電性膜上進(jìn)行熱處理，凝聚金屬微粒子，從而可以提高薄膜的導(dǎo)電性。(源/漏區(qū)域形成工序)接著如圖11(A)所示，以柵電極420為掩模注入成為施主和受主的雜質(zhì)元素，進(jìn)行所謂的自匹配離子注入，從而在半導(dǎo)體膜414上形成源/漏區(qū)域422和活性區(qū)域424。例如，作為雜質(zhì)元素注入磷(P)，之后，將XeCl激元激光調(diào)整為400mJ/cm2左右的能量密度進(jìn)行照射來(lái)活化雜質(zhì)元素，從而形成N型薄膜晶體管。此外，替代激光照射，可進(jìn)行250℃～400℃左右的熱處理進(jìn)行雜質(zhì)元素的活化。如上所述，柵電極20其寬度小于1微米，所以通過(guò)以其為掩模形成源/漏區(qū)域，可以得到柵長(zhǎng)為亞微米數(shù)量級(jí)的半導(dǎo)體元件。這樣，本實(shí)施方式中，以包含導(dǎo)電性材料的液體的配置和其干燥這樣的簡(jiǎn)單工序就可將具有亞微米數(shù)量級(jí)寬度的導(dǎo)電性膜形成為希望的形狀，不用圖案化該導(dǎo)電性膜就可用作柵電極。根據(jù)該構(gòu)成，可簡(jiǎn)單且廉價(jià)地形成柵長(zhǎng)非常短且高性能高集成的半導(dǎo)體元件，這是很適當(dāng)?shù)摹?液滴噴出裝置)上述各液滴通過(guò)從噴墨式噴出裝置噴出來(lái)形成。噴墨式噴出裝置和噴墨頭的結(jié)構(gòu)在第一實(shí)施方式中使用圖3和圖4進(jìn)行了說(shuō)明，這里說(shuō)明從略。<第五實(shí)施方式>如12和圖13表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管。沿著圖12的XIII-XIII線的截面圖為圖13。如圖13所示，本實(shí)施方式的薄膜晶體管在源/漏區(qū)域464a和464b之間形成2個(gè)柵電極463a和463b的所謂“雙柵型晶體管”。這種結(jié)構(gòu)的晶體管有所謂泄漏電流低的特征，整體上用作1個(gè)晶體管。從圖12和圖13可知，柵電極463a和463b分別為1個(gè)環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜463的一部分。該半導(dǎo)體裝置通過(guò)在上述本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法中，將包含導(dǎo)電性材料的液滴配置成其周邊部到達(dá)應(yīng)形成柵電極463的位置上來(lái)形成?；蛘撸挚梢杂^察干燥過(guò)程中的液滴的收縮，將包含導(dǎo)電性材料的液滴配置在比應(yīng)形成柵電極463的位置更大的位置上。例如，半導(dǎo)體膜464中配置液滴，使其覆蓋從半導(dǎo)體膜兩端開(kāi)始的除應(yīng)形成源/漏區(qū)域464a和464b的區(qū)域之外的剩余部分。這樣，通過(guò)配置1個(gè)導(dǎo)電性材料的液滴、使其干燥的容易廉價(jià)工序可在希望的位置上形成2個(gè)柵電極。得到的柵電極可以是亞微米數(shù)量級(jí)的寬度，所以在此之后不需要圖案化，還可減小半導(dǎo)體裝置的柵電容。柵數(shù)量增加時(shí)，電流也增多，其性能提高。流過(guò)相同量電流的情況下，每1個(gè)柵的電流非常少，從而可抑制電流損失和發(fā)熱。另外，作為第五實(shí)施方式，舉例說(shuō)明了對(duì)于1個(gè)源/漏區(qū)域形成2個(gè)柵電極的雙柵型，但使用本發(fā)明的柵電極的形成方法，可對(duì)1個(gè)源/漏區(qū)域形成3個(gè)以上的柵電極，成為多柵型晶體管，該晶體管也包含在本發(fā)明中。<第六實(shí)施方式>圖14和圖15表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。沿著圖14的XV-XV線的截面圖為圖15。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置，包括含源/漏區(qū)域472a和472b的半導(dǎo)體元件、含源/漏區(qū)域472c和472d的半導(dǎo)體元件共2個(gè)半導(dǎo)體元件構(gòu)成的雙連接的薄膜晶體管。圖15所示的雙連接的薄膜晶體管的每一個(gè)柵電極474a和474b為圖14所示的1個(gè)環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜474的一部分。該雙連接的晶體管可視為2個(gè)晶體管并列連接，整體上用作柵寬度(或溝道寬度)大的1個(gè)晶體管。該半導(dǎo)體裝置，通過(guò)在上述本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法中，將包含導(dǎo)電性材料的液滴配置在應(yīng)形成導(dǎo)電性薄膜474的位置，即與溝道區(qū)域?qū)χ玫奈恢蒙蟻?lái)形成?；蛘撸部梢杂^察干燥過(guò)程中的液滴的收縮，將包含導(dǎo)電性材料的液滴配置在比應(yīng)形成柵電極474的位置更大的位置上。例如，半導(dǎo)體膜472中配置液滴，使其覆蓋從半導(dǎo)體膜兩端開(kāi)始的除應(yīng)形成漏區(qū)域472a和472b的區(qū)域之外的剩余部分。這樣，通過(guò)配置1個(gè)導(dǎo)電性材料的液滴、使其干燥的容易廉價(jià)工序可在希望的位置上形成用于雙連接的薄膜晶體管的2個(gè)柵電極。得到的柵電極可以是亞微米數(shù)量級(jí)的寬度，所以在此之后不需要圖案化，還可減小半導(dǎo)體裝置的柵電容?？扇菀仔纬呻p連接的薄膜晶體管，半導(dǎo)體元件的微細(xì)加工、高密度化也容易進(jìn)行。<第七實(shí)施方式>圖16和圖17中表示本發(fā)明的第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。沿著圖16的XVII-XVII線的截面圖為圖17。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置，包括含漏/源區(qū)域484a和484b的半導(dǎo)體元件、含源/漏區(qū)域484c和484d的半導(dǎo)體元件共2個(gè)半導(dǎo)體元件構(gòu)成的雙連接的薄膜晶體管。如圖16所示，圖17所示的雙連接的薄膜晶體管的每一個(gè)柵電極486a和486b，通過(guò)去除1個(gè)環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜的一部分而形成的。該雙連接的晶體管被認(rèn)為是進(jìn)行不同動(dòng)作的2個(gè)晶體管具有共同的源。該半導(dǎo)體裝置，通過(guò)在上述本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法中，配置成包含導(dǎo)電性材料的液滴位于應(yīng)形成導(dǎo)電性薄膜486a和486b的位置上來(lái)形成?；蛘?，觀察干燥過(guò)程中的液滴的收縮，將包含導(dǎo)電性材料的液滴配置成比應(yīng)形成導(dǎo)電性薄膜486a和486b的圓具有更大直徑。例如，就可以半導(dǎo)體膜484中配置液滴，使其覆蓋從半導(dǎo)體膜兩端開(kāi)始的除應(yīng)形成源/漏區(qū)域484a和484b的區(qū)域之外的剩余部分。接著通過(guò)干燥工序析出導(dǎo)電性材料后，去除作為柵電極不要的部分的薄膜，得到柵電極486a和486b。作為薄膜的去除方法，可以使用供給鹽酸、硫酸等的酸性溶液，將該酸性溶液與不要的導(dǎo)電性薄膜一起去除的方法，或用氟酸剝離氧化硅膜的方法、蝕刻法等。去除薄膜的區(qū)域并非亞微米數(shù)量級(jí)，因此蝕刻法是比較廉價(jià)的通用方法。根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)配置1個(gè)導(dǎo)電性材料的液滴、使其干燥的容易廉價(jià)工序可在希望的位置上形成用于雙連接的薄膜晶體管的2個(gè)柵電極。得到的柵電極可以是亞微米數(shù)量級(jí)的寬度，所以在此之后不需要圖案化，還可減小半導(dǎo)體裝置的柵電容?？扇菀仔纬呻p連接的薄膜晶體管，半導(dǎo)體元件的微細(xì)加工、高密度化也容易進(jìn)行。<第八實(shí)施方式>圖18和圖19中表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。沿著圖18的XIX-XIX線的截面圖為圖19。如圖19所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置是具備N溝道型MOS晶體管TN和P溝道型MOS晶體管TP的互補(bǔ)型MOS半導(dǎo)體裝置。漏/源區(qū)域(492a和492b)以及源/漏區(qū)域(492c和492d)導(dǎo)電型不同，電極496b與P部和N部雙方電導(dǎo)通。N溝道型MOS晶體管和P溝道型MOS晶體管的各自柵電極494a和494b，如圖18所示，都成一個(gè)導(dǎo)電性環(huán)狀薄膜494的一部分。該半導(dǎo)體裝置，在互補(bǔ)型MOS半導(dǎo)體裝置的制造工序中，在形成柵電極時(shí)，在應(yīng)形成N溝道型MOS晶體管TN和P溝道型MOS晶體管TP的柵電極的位置上配置包含導(dǎo)電性材料的液滴，使其干燥，析出導(dǎo)電性材料來(lái)形成。根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)配置1個(gè)液滴、使其干燥的簡(jiǎn)單的工序可形成雙晶體管的柵電極。得到的柵電極可以是亞微米數(shù)量級(jí)的寬度，所以在此之后不需要圖案化，還可減小半導(dǎo)體裝置的柵電容。<第九實(shí)施方式>圖20和21是表示本發(fā)明的第九實(shí)施方式的柵電極的制造方法的說(shuō)明圖。本實(shí)施方式中表示出使用本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法，制造包含2個(gè)薄膜晶體管的多溝道型薄膜晶體管的方法。(半導(dǎo)體膜形成工序)圖20(A)表示在基板510上形成的絕緣膜512上形成半導(dǎo)體膜514的狀態(tài)。絕緣膜512形成在玻璃等絕緣材料構(gòu)成的基板510上。本實(shí)施方式中，作為絕緣膜512形成氧化硅膜。氧化硅膜可以通過(guò)例如等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD法)、減壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD法)、濺射法等物理氣相沉積法、SOG(玻璃上旋轉(zhuǎn))法等成膜。本實(shí)施方式中，形成硅膜作為半導(dǎo)體膜514。硅膜通過(guò)APCVD法、LPCVD法、PECVD法等CVD法或?yàn)R射法或蒸鍍法等PVD法形成。在用LPCVD法形成硅膜的情況下，使基板溫度為約400℃～700℃，以硅烷(SiH4)、二硅烷(Si2H6)等為原料沉積硅。PECVD法中以硅烷(SiH4)等為原料在基板溫度為100℃到500℃左右下可沉積硅。這樣，沉積的硅膜初始狀態(tài)有非晶質(zhì)、混晶質(zhì)、微晶質(zhì)、或多晶質(zhì)等種種狀態(tài)，但可以是任一狀態(tài)。硅膜的膜厚在用于半導(dǎo)體膜晶體管的情況下為20nm到100nm左右是適當(dāng)?shù)?。沉積的半導(dǎo)體膜被提供熱能來(lái)結(jié)晶化。本說(shuō)明書中，所謂“結(jié)晶化”不僅是非晶質(zhì)的半導(dǎo)體膜結(jié)晶化，還包含多晶質(zhì)和微晶質(zhì)的半導(dǎo)體膜的結(jié)晶化。半導(dǎo)體膜的結(jié)晶化可使用激光照射方法和固相生長(zhǎng)的方法，但不限定于此。接著，使用光刻法將形成的半導(dǎo)體膜通過(guò)蝕刻圖案化為需要形狀，得到硅膜514。(絕緣膜形成工序)使用圖20(B)和(C)說(shuō)明柵絕緣膜516的形成工序。形成柵絕緣膜516以覆蓋半導(dǎo)體膜514和絕緣膜512，例如為氧化硅膜。氧化硅膜可通過(guò)例如電子回旋加速器共振PECVD法(ECR-PECVD法)、PECVD法、常壓化學(xué)氣相沉積法(APCVD法)、低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD法)等成膜法形成。這樣形成的柵絕緣膜516如圖20(B)所示，在半導(dǎo)體膜514上層疊的區(qū)域與在絕緣膜512上層疊的部分之間產(chǎn)生階差，平面不平坦。在其上供給包含到導(dǎo)電性材料的液滴時(shí)，不能均勻濕潤(rùn)擴(kuò)展，不能在希望的位置析出導(dǎo)電性材料并得到柵電極。因此，如圖20(C)所示，在配置包含導(dǎo)電性材料的液滴前，平坦化柵絕緣膜516。平坦化可通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)、蝕刻法進(jìn)行。柵絕緣膜也可使用旋涂通過(guò)涂布液體的SOG材料和低K材料形成。液體材料涂布的情況下，即使具有圖案或階差的基底也可以使表面平坦地形成，因此絕緣膜形成后不進(jìn)行平坦化也可以。(液滴配置工序)接著如圖20(D)所示，在絕緣膜516上配置含導(dǎo)電性材料的液滴518。作為導(dǎo)電性材料，可使用例如直徑數(shù)nm左右的Ag、Au、Cu等金屬微粒子，例如Ag膠質(zhì)墨等是適當(dāng)?shù)?。這些金屬微粒子分散到十四碳烷等有機(jī)分散劑中，作為液滴供給。作為在絕緣膜516上配置液滴518的方法，可舉出使用微滴管、微噴灑、噴墨等的方法，但可進(jìn)行特別正確的圖案化的噴墨方法是適宜的。噴墨法使用后述的噴墨式噴出裝置進(jìn)行。圖21(A)表示液滴配置工序的平面圖。圖21(A)中的沿著XXD-XXD線的截面圖為圖20(D)。圖21(A)中，為明確半導(dǎo)體膜514和液滴518的位置關(guān)系省略了柵絕緣膜516。本實(shí)施方式中，為使用半導(dǎo)體膜514形成2個(gè)薄膜晶體管，該2個(gè)薄膜晶體管的柵電極連接的構(gòu)成。配置液滴518，使得液滴518的周邊部2次橫過(guò)半導(dǎo)體膜514。更具體說(shuō)，液滴518的直徑為應(yīng)形成2個(gè)薄膜晶體管的柵電極的位置間的距離?；蛘哂^察干燥過(guò)程中液滴的收縮，設(shè)置具有比該距離稍大直徑的液滴。(導(dǎo)電性材料析出工序)在絕緣膜516上配置的液滴518中，引起上述閉環(huán)現(xiàn)象，形成追隨液滴518外形的環(huán)狀導(dǎo)電性膜520。圖20(E)中表示出液滴完全干燥、導(dǎo)電性材料沿著液滴形狀析出、形成環(huán)狀導(dǎo)電性膜520的狀態(tài)。圖21(B)表示導(dǎo)電性材料析出工序的平面圖。沿著圖21(B)中的XXE-XXE線的截面圖是圖20(E)。導(dǎo)電性膜520形成寬度1微米以下的環(huán)狀，配置成2次橫過(guò)半導(dǎo)體膜514。液滴518干燥時(shí)，可以控制成以使提高液滴周邊部的導(dǎo)電性材料濃度。例如，調(diào)節(jié)絕緣基板的溫度，或通過(guò)在一旦干燥的導(dǎo)電性膜上再次噴出液滴來(lái)控制液滴的氣化狀態(tài)和粘度，在液滴中產(chǎn)生對(duì)流，可有效地將導(dǎo)電性材料移動(dòng)到周邊部。這樣一來(lái)，半導(dǎo)體材料不會(huì)殘留在導(dǎo)電性膜520的中央部，可按寬度細(xì)的環(huán)狀析出半導(dǎo)體材料。導(dǎo)電性材料析出后，對(duì)得到的導(dǎo)電性薄膜上進(jìn)行熱處理，凝聚金屬微粒子，從而提高薄膜的導(dǎo)電性。(源/漏區(qū)域形成工序)接著如圖22(A)所示，以柵電極520中區(qū)域520a和520b為掩模注入成為施主和受主的雜質(zhì)元素，進(jìn)行所謂的自匹配離子注入。例如，作為雜質(zhì)元素注入磷(P)，之后，將XeCl激元激光調(diào)整為400mJ/cm2的能量密度進(jìn)行照射來(lái)活化雜質(zhì)元素，從而形成N型薄膜晶體管。此外，替代激光照射，可進(jìn)行250℃～400℃左右的熱處理進(jìn)行雜質(zhì)元素的活化。通過(guò)以區(qū)域520a和520b為掩模注入雜質(zhì)元素，形成區(qū)域514a、514b和514c。區(qū)域514a作為包含柵電極520a的薄膜晶體管的漏區(qū)域、區(qū)域514c作為包含柵電極520a的薄膜晶體管的漏區(qū)域。區(qū)域514b用作包含柵電極520a的薄膜晶體管和包含柵電極520b的薄膜晶體管的源區(qū)域。接著如圖22(B)所示，在柵絕緣膜516、柵電極520a和520b上面形成絕緣膜517。例如可用PECVD法形成約500nm的氧化硅膜。接著，在絕緣膜516和517中打開(kāi)到達(dá)源區(qū)域514b、漏區(qū)域514a和514c的接觸孔，在接觸孔內(nèi)和絕緣膜517的接觸孔周邊部形成源/漏電極528。源/漏電極528可通過(guò)例如濺射法沉積鋁形成。在絕緣膜517中打開(kāi)跨柵電極528的接觸孔，形成柵電極用端子電極(未示出)。如上所述形成的2個(gè)薄膜晶體管，各自的柵電極520a和520b成為1個(gè)環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜520的一部分。這種晶體管作為共用源區(qū)域和柵電極的2個(gè)晶體管而作用。本實(shí)施方式中，通過(guò)配置1個(gè)包含導(dǎo)電性材料的液滴和其干燥這樣的容易且廉價(jià)工序就可制造所述的2個(gè)晶體管。本方法得到的柵電極520其寬度小于1微米，所以在此之后不用圖案化。通過(guò)以該柵電極為掩模形成源/漏區(qū)域可得到柵長(zhǎng)為亞微米數(shù)量級(jí)的半導(dǎo)體元件，從而可成為柵電容小的高性能的薄膜晶體管。根據(jù)本實(shí)施方式的方法，可容易進(jìn)行半導(dǎo)體元件的微小加工、高密度化。(液滴噴出裝置)上述各液滴通過(guò)從噴墨式噴出裝置噴出而形成。噴墨式噴出裝置和噴墨頭的構(gòu)成在第一實(shí)施方式中使用圖3和圖4進(jìn)行了說(shuō)明，這里說(shuō)明從略。<第十實(shí)施方式>圖23(A)和23(B)中表示本發(fā)明的第十實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。本實(shí)施方式中使用本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法，制造雙連接的薄膜晶體管。雙連接的薄膜晶體管是指2個(gè)薄膜晶體管串聯(lián)連接。沿著圖23(A)的XXIIIB-XXIIIB線的截面圖為圖23(B)。本實(shí)施方式的制造方法中，半導(dǎo)體膜形成工序、絕緣膜形成工序、液滴配置工序、導(dǎo)電性材料析出工序，用上述第一實(shí)施方式所述的方法或基于此的方法進(jìn)行，這里說(shuō)明從略。(柵電極分離工序)本實(shí)施方式中，通過(guò)閉環(huán)現(xiàn)象，在絕緣膜上環(huán)狀析出導(dǎo)電性薄膜后，去除其一部分，分離與雙連接的薄膜晶體管的各自的溝道區(qū)域?qū)χ玫母鳀烹姌O。分離的狀態(tài)平面圖為圖23(A)。分別對(duì)置雙連接的薄膜晶體管的溝道區(qū)域563a和563b的柵電極566a和566b如圖23(A)所示，為彼此分離的島狀。作為薄膜的去除方法，可使用供給鹽酸、硫酸等的酸性溶液，將該酸性溶液與不要的導(dǎo)電性薄膜一起去除的方法，或用氟酸剝離氧化硅膜的方法、蝕刻法等。去除薄膜的區(qū)域并非亞微米數(shù)量級(jí)，因此蝕刻法是比較廉價(jià)的通用方法。(源/漏區(qū)域形成工序)接著如圖23(A)所示，以柵電極566a和566b為掩模注入成為施主和受主的雜質(zhì)元素，進(jìn)行所謂的自匹配離子注入。例如，作為雜質(zhì)元素注入磷(P)，之后，將XeCl激元激光調(diào)整為400mJ/cm2左右的能量密度進(jìn)行照射來(lái)活化雜質(zhì)元素，從而形成N型薄膜晶體管。此外，替代激光照射，可進(jìn)行250℃～400℃左右的熱處理進(jìn)行雜質(zhì)元素的活化。通過(guò)以柵電極566a和566b為掩模注入雜質(zhì)元素，形成區(qū)域564a、564b和564c。區(qū)域564a作為包含柵電極566a的薄膜晶體管的源區(qū)域、區(qū)域564b作為包含柵電極566a的薄膜晶體管的漏區(qū)域，同時(shí)用作包含柵電極566b的薄膜晶體管的源區(qū)域。而且，區(qū)域564c作為包含柵電極566b的薄膜晶體管的漏區(qū)域而作用。接著如圖23(B)所示，在柵絕緣膜516、柵電極566a和566b上面形成絕緣膜517。例如可用PECVD法形成約500nm的氧化硅膜。接著，在絕緣膜516和517中打開(kāi)到達(dá)區(qū)域564a、564b和564c的接觸孔，在接觸孔內(nèi)和絕緣膜517的接觸孔周邊部形成源/漏電極568。源/漏電極568可通過(guò)例如濺射法沉積鋁而形成。在絕緣膜517中打開(kāi)跨柵電極566a和566b的接觸孔，形成柵電極用端子電極(未圖示)。本實(shí)施方式中，通過(guò)配置1個(gè)導(dǎo)電性材料的液滴和其干燥這樣的容易而廉價(jià)工序就可在希望的位置上形成雙連接的薄膜晶體管用的2個(gè)彼此分離的島狀的柵電極。得到的柵電極為亞微米數(shù)量級(jí)的寬度，所以在此之后不用圖案化，可減小半導(dǎo)體裝置的柵電容。由于容易形成雙連接的薄膜晶體管，可容易進(jìn)行半導(dǎo)體元件的微細(xì)加工、高密度化。<第十一實(shí)施方式>圖24表示本發(fā)明的第十一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置，圖25中表示圖24所示的半導(dǎo)體裝置的XXV-XXV線的截面圖。此外，圖26表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的等效電路圖。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包含4個(gè)薄膜晶體管T1～T4，各薄膜晶體管T1～T4的源電極672a、672c、672e以及漏電極672b、672d分別共用(參照?qǐng)D24和圖26)。另一方面，形成各薄膜晶體管T1～T4的柵電極674a～674d，如圖24所示成為周邊部部分重疊地形成的2個(gè)環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜(下面叫環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜)674的一部分。這樣的晶體管是溝道并聯(lián)連接的多溝道晶體管，整體上用作溝道寬度大的1個(gè)晶體管該構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置如下形成。如上所述，首先，在基板670上形成的絕緣膜67上，使用CVD法、PVD法等形成成為半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體膜675(參照?qǐng)D25)。該半導(dǎo)體層上隨后形成多個(gè)溝道區(qū)域。通過(guò)SOG膜覆蓋這樣形成的半導(dǎo)體膜675和絕緣膜671來(lái)形成表面平坦的柵絕緣膜673。并且，該柵絕緣膜673上使用噴墨式噴出裝置(參照?qǐng)D4)順序滴下包含導(dǎo)電性材料的液滴，形成多個(gè)環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜(導(dǎo)電圖案)674。具體說(shuō)，首先，滴下成包含導(dǎo)電性材料的第一液滴周邊部那樣，對(duì)置各溝道區(qū)域(源區(qū)域和漏區(qū)域之間夾持的區(qū)域)。該滴下的液滴由于周邊部比中央部的干燥速度快，產(chǎn)生從液滴中央部向周邊部的流動(dòng)，導(dǎo)電性材料到達(dá)周邊部。其結(jié)果是形成追隨第一液滴外形的環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674(例如圖24所示左側(cè)的環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜)。對(duì)應(yīng)第一液滴的環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674形成后，接著滴下第二液，使得其包含環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674的一部分(換言之，各液滴之間各自的一部分重疊)并且周邊部的一部分對(duì)置各溝道區(qū)域。由此，形成追隨第二液滴外形的環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674(例如圖24所示右側(cè)的環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜)。通過(guò)形成這2個(gè)環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674，形成成為各導(dǎo)電性薄膜674的一部分的柵電極674a～674d。這樣，可通過(guò)僅錯(cuò)開(kāi)規(guī)定量的位置滴下多個(gè)包含導(dǎo)電性材料的液滴，并使其干燥的容易廉價(jià)工序就可在希望位置上以亞微米數(shù)量級(jí)的寬度形成4連接薄膜晶體管用的4個(gè)柵電極674a～674d。4個(gè)柵電極形成為2個(gè)環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜的一部分，因此為彼此電連接的結(jié)構(gòu)。之后，以形成的上述柵電極674a～674d為掩模適當(dāng)注入成為施主或受主的自匹配離子，從而在半導(dǎo)體層上形成源區(qū)域675a，675c，675e和漏區(qū)域675b，675d以及各源區(qū)域和各漏區(qū)域之間夾持的多個(gè)溝道區(qū)域(參照?qǐng)D25)。經(jīng)過(guò)以上說(shuō)明的工序，可得到具有圖25所示的亞微米數(shù)量級(jí)的柵長(zhǎng)、包括彼此互相連接的連續(xù)形狀的柵電極的包含4個(gè)薄膜晶體管的多溝道型半導(dǎo)體裝置。另外，本實(shí)施方式中說(shuō)明了4個(gè)薄膜晶體管，但可以是3個(gè)薄膜晶體管或5個(gè)薄膜晶體管。此時(shí)，通過(guò)增加配置的液滴數(shù)或調(diào)整源區(qū)域和漏區(qū)域的配置，可以形成這樣的薄膜晶體管。另外，以上說(shuō)明中，例示出為形成4個(gè)薄膜晶體管而形成2個(gè)環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674的情況，但該環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674的個(gè)數(shù)可對(duì)應(yīng)于應(yīng)形成n(n≥2)連接的薄膜晶體管的數(shù)量適當(dāng)變更(參照?qǐng)D27)。此外，各環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674的配置間隔和其直徑等也可對(duì)應(yīng)于應(yīng)形成薄膜晶體管的設(shè)計(jì)等適當(dāng)變更。<第十二實(shí)施方式>圖28中表示本發(fā)明的第十二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置，圖29中表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的等效電路圖。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置是具有彼此島狀分離的柵電極的薄膜晶體管T1～T4串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置(參照?qǐng)D29)。形成該各薄膜晶體管T1～T4的柵電極674a～674d通過(guò)去除前面圖24所示的2個(gè)環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674的一部分而形成。關(guān)于各柵電極674a～674d的形成方法進(jìn)行說(shuō)明，首先，如第三實(shí)施方式所說(shuō)明那樣，滴下多個(gè)包含導(dǎo)電性材料的液滴，形成2個(gè)環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674。接著，從這些環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674去除作為柵電極而不要的部分的薄膜(即對(duì)置溝道區(qū)域的部分以外的薄膜)，得到柵電極674a～674d。作為薄膜的去除方法，可以使用供給鹽酸、硫酸等的酸性溶液，將該酸性溶液與不要的導(dǎo)電性薄膜一起去除的方法，和用氟酸剝離氧化硅膜的方法、蝕刻法等。去除該導(dǎo)電性薄膜的區(qū)域并非亞微米數(shù)量級(jí)，因此蝕刻法是比較廉價(jià)的通用方法。去除不要的導(dǎo)電性薄膜后，根據(jù)需要可形成柵電極墊(pad)676(參照?qǐng)D28)。此外，本實(shí)施方式中，說(shuō)明了4連接的薄膜晶體管，但可以是3連接的薄膜晶體管或5連接的薄膜晶體管。此時(shí)，可增加配置的液滴數(shù)、或調(diào)整源區(qū)域和漏區(qū)域的配置形成這種薄膜晶體管。<第十三實(shí)施方式>圖30中表示本發(fā)明的第十三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具有與前面圖28中所示的半導(dǎo)體裝置相同的電路結(jié)構(gòu)，柵電極的形成方法與該半導(dǎo)體裝置不同。下面說(shuō)明本實(shí)施方式的柵電極形成方法。圖31是用以說(shuō)明本實(shí)施方式的柵電極形成方法的圖。首先如圖31(A)所示，滴下包含導(dǎo)電性材料的第一液滴，并通過(guò)干燥形成追隨第一液滴外形的環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674。接著滴下第二液，使得其包含該環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674的一部分(參照?qǐng)D31(B))。此時(shí)通過(guò)控制第二液滴的分散劑、干燥速度、第二液滴包含的導(dǎo)電性材料的粒徑、接觸角、濃度、第一液滴滴下后到第二液滴滴下的時(shí)間間隔，再分散或再溶解第二液滴包含的環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674(即由第一液滴形成的環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜)的一部分。這樣，再分散或再溶解第二液滴包含的環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674后，通過(guò)干燥第二液滴等，形成圖31(C)所示的追隨第二液滴外形的環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜674。對(duì)應(yīng)柵電極數(shù)反復(fù)執(zhí)行上述說(shuō)明的一連串的工序后，從各計(jì)算(勘定)導(dǎo)電性薄膜674去除作為柵電極不要的部分的薄膜(參照第十實(shí)施方式)，得到圖30所示的柵電極674a～674d?？赏ㄟ^(guò)使其干燥的容易廉價(jià)工序就可形成多個(gè)具有亞微米數(shù)量級(jí)寬度的薄膜晶體管的柵電極。本實(shí)施方式中，與第十實(shí)施方式同樣，部分去除導(dǎo)電性薄膜，使各柵電極674a～674d獨(dú)立，但不去除導(dǎo)電性薄膜，連接各柵電極也可以。<第十四實(shí)施方式>圖32中表示本發(fā)明的第十四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具有與前面圖30所示的半導(dǎo)體裝置相同的電路構(gòu)成，僅柵電極的形狀不同。具體說(shuō)，圖32所示的柵電極674a～674d大致為直線狀。下面說(shuō)明這種直線狀柵電極形成方法。圖33是用以說(shuō)明本實(shí)施方式的柵電極形成方法的圖。本實(shí)施方式中，為得到大致直線狀的柵電極，以比包含導(dǎo)電性材料的液滴干燥時(shí)間快的時(shí)間間隔連續(xù)滴下該液滴(參照?qǐng)D33(A)。具體說(shuō)，先滴下的液滴(例如圖33(A)中虛線所示最上的液滴)干燥后在該液滴周邊部形成環(huán)狀導(dǎo)電性薄膜之前，與先滴下液滴部分重疊地滴下下一液滴(例如圖33(A)中虛線所示的正中央的液滴)。滴下的各液滴通過(guò)濕潤(rùn)擴(kuò)展而融合，最終得到如圖33(A)所示的，在各液滴端部連續(xù)的2根一對(duì)的大致直線狀的導(dǎo)電性薄膜(下面叫直線狀導(dǎo)電性薄膜)。這樣，形成2根一對(duì)的直線狀導(dǎo)電性薄膜674(對(duì)應(yīng)圖33(A)所示的柵電極674a，674b)時(shí)，與上述同樣滴下多個(gè)液滴，以形成新的2根對(duì)直線狀導(dǎo)電性薄膜674。但是，本實(shí)施方式中，各柵電極的配置間隔w1(參照?qǐng)D33(C))比2根一對(duì)的直線狀導(dǎo)電性薄膜674的間隔w2(參照?qǐng)D33(C))設(shè)定得窄，因此可連續(xù)滴下液滴以包含已經(jīng)形成的直線狀導(dǎo)電性薄膜674的一部分。其結(jié)果，如圖33(C)所示，得到雙層形成的2根一對(duì)直線狀導(dǎo)電性薄膜674構(gòu)成的柵電極647a～674d。通過(guò)上說(shuō)明的方法，通過(guò)滴下多個(gè)包含導(dǎo)電材料的液滴，并使其干燥這樣的容易廉價(jià)工序可形成多個(gè)具有亞微米數(shù)量級(jí)的寬度的薄膜晶體管的柵電極。另外，本實(shí)施方式中，各柵電極的配置間隔w1設(shè)定得比2根一對(duì)的直線狀導(dǎo)電性薄膜674的間隔w2窄，但當(dāng)然也可以將各柵電極的配置間隔w1設(shè)定得比2根一對(duì)的直線狀導(dǎo)電性薄膜674的間隔w2寬。此外，上述實(shí)施方式中，半導(dǎo)體區(qū)域表示出1個(gè)連續(xù)的區(qū)域，但對(duì)應(yīng)于多個(gè)晶體管的每一個(gè)可分別形成島區(qū)域。此時(shí)，各晶體管的源和漏區(qū)域獨(dú)立，與構(gòu)成電路的情況相比，具有更多樣式。各實(shí)施方式中源和漏區(qū)域的配置可夾持溝道區(qū)域彼此相反。<第十五實(shí)施方式>本發(fā)明的第十五實(shí)施方式涉及包括由本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置等的電光學(xué)裝置。作為電光學(xué)裝置的一個(gè)例子，舉出有機(jī)EL(電致發(fā)光)顯示裝置。圖34是說(shuō)明第四實(shí)施方式的電光學(xué)裝置100的構(gòu)成的圖。本實(shí)施方式的電光學(xué)裝置(顯示裝置)100，包括在基板上按矩陣狀配置包含薄膜晶體管T1～T4的像素驅(qū)動(dòng)電路而構(gòu)成的電路基板(有源矩陣基板)；由像素驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)而發(fā)光的發(fā)光層；向包含各薄膜晶體管T1～T4而構(gòu)成的像素驅(qū)動(dòng)電路提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)器101和102而構(gòu)成。驅(qū)動(dòng)器101經(jīng)掃描線Vsel和發(fā)光控制線Vgp而對(duì)各像素區(qū)域提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。驅(qū)動(dòng)器102經(jīng)數(shù)據(jù)線Idata和電源線Vdd向各像素區(qū)域提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。通過(guò)控制掃描線Vsel和數(shù)據(jù)線Idata進(jìn)行對(duì)于各像素區(qū)域的電流程序，可控制發(fā)光部OELD的發(fā)光。構(gòu)成像素驅(qū)動(dòng)電路的各薄膜晶體管T1～T4和驅(qū)動(dòng)器101，102適用上述第一或第二實(shí)施方式的制造方法形成。另外，作為電光學(xué)裝置的一個(gè)例子說(shuō)明了有機(jī)EL顯示裝置，但此外可同樣制造液晶顯示裝置等各種電光學(xué)裝置。接著說(shuō)明適用本發(fā)明的電光學(xué)裝置100而構(gòu)成的各種電子儀器。圖35是采用電光學(xué)裝置100的電子儀器例子的圖。圖35(A)是對(duì)移動(dòng)電話機(jī)的適用例子，該移動(dòng)電話機(jī)230備有天線部231、聲音輸出部232、聲音輸入部233、操作部234、和本發(fā)明的電光學(xué)裝置100。這樣，本發(fā)明的電光學(xué)裝置可用作顯示部。圖35(B)是對(duì)攝像機(jī)的適用例子，該攝像機(jī)240備有受像部241、操作部242、聲音輸入部243、和本發(fā)明的電光學(xué)裝置100。這樣，本發(fā)明的電光學(xué)裝置可用作取景器或顯示部。圖35(C)是對(duì)便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)(所謂PDA)的適用例子，該計(jì)算機(jī)250備有照相機(jī)部251、操作部252、和本發(fā)明的電光學(xué)裝置100。這樣本發(fā)明的電光學(xué)裝置可用作顯示部。圖35(D)是對(duì)頭戴式顯示器的適用例子，該頭戴式顯示器260備有帶子261、光學(xué)系統(tǒng)容納部262和本發(fā)明的電光學(xué)裝置100。這樣本發(fā)明的電光學(xué)裝置可用作圖像顯示源。此外，本發(fā)明的電光學(xué)裝置100不限于上述例子，可適用于可采用有機(jī)EL顯示裝置、液晶顯示裝置等的顯示裝置的所有電子儀器。例如，此外可靈活用于帶顯示功能的傳真裝置、數(shù)字照相機(jī)的取景器、便攜型電視、電子記事本、電光揭示板、宣傳廣告用顯示器等。圖36(A)是對(duì)電視機(jī)的適用例子，該電視機(jī)300備有本發(fā)明的電光學(xué)裝置100。對(duì)于用于個(gè)人計(jì)算機(jī)等的監(jiān)視器裝置，同樣可適用本發(fā)明的電光學(xué)裝置。圖36(B)是對(duì)卷起式(rollup)電視機(jī)的適用例子，該卷起式電視機(jī)備有本發(fā)明的電光學(xué)裝置100。上述各實(shí)施方式的制造方法可用于除電光學(xué)裝置制造外的各種儀器的制造。例如，可制造FeRAM(鐵電RAM)、SRAM、DRAM、NOR型RAM、NAND型RAM、浮動(dòng)?xùn)判头且资源鎯?chǔ)器、磁性RAM(MRAM)等各種存儲(chǔ)器。適用微波的非接觸型通信系統(tǒng)中，在制造裝載了微小電路芯片(IC芯片)的廉價(jià)的標(biāo)記(tag)的情況下也可適用。本發(fā)明不限定于上述各實(shí)施方式的內(nèi)容，在本發(fā)明的主旨范圍內(nèi)可進(jìn)行種種變形。例如，上述實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體膜的一個(gè)例子，采用硅膜進(jìn)行了說(shuō)明，但半導(dǎo)體膜不限定于此。上述實(shí)施方式中，作為使用本發(fā)明的半導(dǎo)體膜而形成的半導(dǎo)體元件的一個(gè)例子，使用薄膜晶體管進(jìn)行了說(shuō)明，但半導(dǎo)體元件不限定于此，可形成其他元件(例如薄膜二極管等)。此外，本發(fā)明的薄膜晶體管除用作像素晶體管外，還可用作集成電路的晶體管。權(quán)利要求1.一種薄膜晶體管的制造方法，是具備半導(dǎo)體膜、在上述半導(dǎo)體膜上設(shè)置的溝道區(qū)域、夾持上述溝道區(qū)域設(shè)置的源區(qū)域和漏區(qū)域、經(jīng)柵絕緣膜與上述溝道區(qū)域相對(duì)置的柵電極的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括在基板上配置包含半導(dǎo)體材料的液滴的工序；使上述液滴干燥，通過(guò)在該液滴的至少周邊部析出上述半導(dǎo)體材料，以形成上述半導(dǎo)體膜的工序。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中在配置上述液滴的工序中，配置2個(gè)以上的上述液滴，在形成上述半導(dǎo)體膜的工序中，使上述半導(dǎo)體膜材料在上述2個(gè)以上的液滴融合時(shí)得到的液滴形狀的周邊部析出。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管的制造方法，其中還包括在配置上述液滴的工序之后提高上述液滴中液滴周邊部的上述半導(dǎo)體膜材料的濃度的工序。4.根據(jù)權(quán)利要求1到3的任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制造方法，其中還包括在形成上述半導(dǎo)體膜的工序之后去除上述半導(dǎo)體膜的一部分以分割上述半導(dǎo)體膜的工序；和形成上述柵電極以分別對(duì)應(yīng)上述分割的半導(dǎo)體膜的工序。5.根據(jù)權(quán)利要求1到4的任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制造方法，在形成上述半導(dǎo)體膜的工序中向上述薄膜供給熱或光能。6.根據(jù)權(quán)利要求1到5的任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制造方法，還包括在形成上述半導(dǎo)體膜的工序之后通過(guò)將雜質(zhì)注入上述半導(dǎo)體膜而形成上述源區(qū)域和上述漏區(qū)域的工序。7.一種薄膜晶體管的制造方法，是具備在半導(dǎo)體膜上設(shè)置的溝道區(qū)域、對(duì)應(yīng)上述溝道區(qū)域的源區(qū)域和漏區(qū)域、經(jīng)柵絕緣膜與上述溝道區(qū)域相對(duì)置的柵電極的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括液滴配置工序，配置上述液滴以使得包含導(dǎo)電性材料的液滴的周邊部與上述溝道區(qū)域相對(duì)置；和析出工序，使上述液滴干燥，通過(guò)使上述導(dǎo)電性材料在該液滴的至少周邊部析出來(lái)形成上述柵電極。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法，其中在上述液滴配置工序中，通過(guò)控制上述柵絕緣膜的表面的濕潤(rùn)性，配置成上述液滴的周邊部與上述溝道區(qū)域相對(duì)置。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法，其中在上述析出工序中，包含去除在上述液滴的中央部析出的上述導(dǎo)電性材料的工序。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法，其中將多個(gè)上述溝道區(qū)域設(shè)置在1個(gè)上述薄膜晶體管的上述半導(dǎo)體膜上，在上述液滴配置工序中配置1個(gè)或多個(gè)液滴使得上述液滴的周邊部與上述多個(gè)溝道區(qū)域相對(duì)置，在上述析出工序中形成分別對(duì)置于上述多個(gè)溝道區(qū)域的多個(gè)柵電極。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制造方法，其中在上述析出工序中具備去除在上述液滴周邊部析出的環(huán)狀的上述導(dǎo)電性材料的一部分的去除工序，上述去除工序中斷開(kāi)上述環(huán)狀導(dǎo)電性材料，以形成分別對(duì)置于上述多個(gè)溝道區(qū)域的多個(gè)柵電極。12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法，其中在上述液滴配置工序中，配置2個(gè)以上的液滴，在上述析出工序中，使上述導(dǎo)電性材料在上述2個(gè)以上的液滴融合時(shí)得到的液滴形狀的至少周邊部析出。13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法，其中包括在上述液滴配置工序之后提高上述液滴中液滴周邊部的上述導(dǎo)電性材料的濃度的工序。14.一種制造二個(gè)以上薄膜晶體管的方法，是具備帶有溝道區(qū)域的半導(dǎo)體膜、夾持上述溝道區(qū)域相對(duì)置的源區(qū)域和漏區(qū)域、經(jīng)柵絕緣膜與上述溝道區(qū)域相對(duì)置的柵電極的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括液滴配置工序，配置包含導(dǎo)電材料的液滴，以使該液滴周邊部的至少一部分與1個(gè)以上的上述溝道區(qū)域相對(duì)置；析出工序，通過(guò)在上述液滴的周邊部析出上述導(dǎo)電材料來(lái)形成上述柵電極，其中形成的上述柵電極各自與至少一個(gè)的其他柵電極相連接的。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管的制造方法，其中在上述液滴配置工序中，配置2個(gè)以上的上述液滴，配置成各液滴周邊部的至少一部分對(duì)置于1個(gè)以上的上述溝道區(qū)域，并且各液滴周邊部的至少一部分與至少1個(gè)其他液滴的周邊部重疊。16.一種制造2個(gè)以上的薄膜晶體管的方法，是具備含溝道區(qū)域的半導(dǎo)體膜、夾持上述溝道區(qū)域相對(duì)置的源區(qū)域和漏區(qū)域、經(jīng)柵絕緣膜與上述溝道區(qū)域相對(duì)置的柵電極的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括液滴配置工序，配置包含導(dǎo)電材料的液滴，以使得各液滴周邊部的至少一部分與1個(gè)以上的上述溝道區(qū)域相對(duì)置；析出工序，通過(guò)在上述液滴的周邊部析出上述導(dǎo)電材料來(lái)形成上述柵電極；分離工序，將分別對(duì)置上述溝道區(qū)域的各柵電極形成為與和其他溝道區(qū)域?qū)χ玫臇烹姌O分離開(kāi)的島狀。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管的制造方法，其中上述分離工序包含去除上述柵電極的一部分的工序。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管的制造方法，其中上述薄膜晶體管的每一個(gè)對(duì)于上述分離的柵電極的每一個(gè)都具有一組源區(qū)域和漏區(qū)域。19.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的薄膜晶體管的制造方法，其中上述液滴配置工序中配置下一液滴，使之重疊在先配置的液滴周邊部所析出的導(dǎo)電材料的一部分上，再分散該導(dǎo)電材料的一部分。20.根據(jù)權(quán)利要求14或16所述的薄膜晶體管的制造方法，其中上述液滴配置工序中配置2個(gè)以上的上述液滴，上述析出工序中使上述導(dǎo)電性材料在上述2個(gè)以上的液滴融合時(shí)得到的液滴形狀的至少周邊部析出。21.根據(jù)權(quán)利要求14或16所述的薄膜晶體管的制造方法，其中1個(gè)上述薄膜晶體管的上述半導(dǎo)體膜形成為與其他上述薄膜晶體管的上述半導(dǎo)體膜分離的島狀。22.根據(jù)權(quán)利要求7或14所述的薄膜晶體管的制造方法，其中在上述液滴配置工序之前還包括在上述各個(gè)溝道區(qū)域上形成表面平坦的上述柵絕緣膜的工序，在上述液滴配置工序中在上述柵絕緣膜上配置液滴。23.一種電子電路，具備由權(quán)利要求1至22的任一項(xiàng)所述的制造方法制造的薄膜晶體管。24.一種電光學(xué)裝置，具備由權(quán)利要求1到22的任一項(xiàng)所述的制造方法制造的薄膜晶體管。25.一種電子儀器，具備由權(quán)利要求1到22之一所述的制造方法制造的薄膜晶體管。26.一種使用在基板上形成的半導(dǎo)體膜形成半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在上述基板上配置含半導(dǎo)體材料的液滴的工序；和使上述液滴干燥，通過(guò)在該液滴的至少周邊部析出上述半導(dǎo)體材料來(lái)形成上述半導(dǎo)體膜的工序。全文摘要本發(fā)明的目的是提供一種通過(guò)簡(jiǎn)易且廉價(jià)的工序以亞微數(shù)量級(jí)的精度形成薄膜晶體管用的柵電極和半導(dǎo)體膜的技術(shù)。本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制造方法，包括半導(dǎo)體膜薄膜的形成方法和/或柵電極的形成方法，其中半導(dǎo)體膜薄膜的形成方法包括在基板上配置包含半導(dǎo)體材料的液滴(14)的工序；使液滴干燥，通過(guò)在該液滴的至少周邊部析出半導(dǎo)體材料來(lái)形成半導(dǎo)體膜(16)的工序，而柵電極的形成方法包括配置含導(dǎo)電性材料的液滴的工序；使液滴干燥，通過(guò)在該液滴的至少周邊部析出導(dǎo)電性材料來(lái)形成柵電極的工序。文檔編號(hào)H01L21/336GK1719584SQ20051007610公開(kāi)日2006年1月11日申請(qǐng)日期2005年6月8日優(yōu)先權(quán)日2004年7月9日發(fā)明者湯田坂一夫,增田貴史申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社