專利名稱：加工精度良好的半導(dǎo)體模塊及其制造方法和半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有電路元件的半導(dǎo)體模塊及半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
在手機(jī)、PDA、DVC、DSC等便攜式電子設(shè)備的高功能化的加速發(fā)展中，為使這樣的產(chǎn)品能夠被市場(chǎng)接受，必須實(shí)現(xiàn)其小型輕量化，這樣就要求有高集成的系統(tǒng)LSI。另一方面，對(duì)于這些電子設(shè)備還要求操作更加容易便利，對(duì)于用于設(shè)備中的LSI要求高功能化、高性能化。因此，伴隨著LSI芯片的高集成化，其I/O數(shù)增大，而封裝自身的小型化的要求也提高，為兼顧二者，適合半導(dǎo)體部件的高密度基板安裝的半導(dǎo)體封裝的開(kāi)發(fā)正被強(qiáng)烈要求中。在該要求下，被稱為CSP(Chip Size Package芯片尺寸封裝)的封裝技術(shù)正進(jìn)行著各種開(kāi)發(fā)。
這樣的封裝例如眾所周知的BGA(Ball Grid Array球柵陣列封裝)。BGA是指在封裝用基板之上安裝半導(dǎo)體芯片，對(duì)其進(jìn)行樹脂模制，然后在反面以區(qū)域狀形成焊球作為外部端子。在BGA中，由于安裝區(qū)域以面形成，所以比較容易實(shí)現(xiàn)封裝的小型化。另外，由于在電路基板側(cè)也沒(méi)有必要對(duì)應(yīng)窄間距，也不需要高精度的安裝技術(shù)，所以使用BGA即使當(dāng)封裝成本在程度上或大或小地偏高時(shí)也可以減低整個(gè)的安裝成本。
圖1是表示一般的BGA結(jié)構(gòu)的示意圖。BGA 100在玻璃環(huán)氧基板106上通過(guò)粘接層108搭載LSI芯片102的。LSI芯片102利用密封樹脂110被模制。LSI芯片102和玻璃環(huán)氧基板106由金屬線104電連接。在玻璃環(huán)氧基板106的背面陣列狀排列有焊球112。通過(guò)該焊球112將BGA 100安裝在印刷配線基板上。
在這樣的封裝中，半導(dǎo)體芯片的密封例如使用傳遞模、注射模、澆注或浸漬等(例如專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1特開(kāi)平8-162486號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開(kāi)2002-110717號(hào)公報(bào)但是，上述現(xiàn)有的CSP，難以在便攜式電子設(shè)備等中實(shí)現(xiàn)目前所希望的小型化、薄型化及輕量化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而研發(fā)的，其目的在于提供一種將半導(dǎo)體模塊小型化、薄型化的技術(shù)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊包括埋入所述絕緣樹脂膜的多個(gè)電路元件和設(shè)于所述絕緣樹脂膜上的抗焊劑層，所述多個(gè)電路元件固定在所述絕緣樹脂膜上，所述抗焊劑層包括卡爾多型聚合物(カルド型ポリマ一)。在此，作為固定方式理想的是壓接，其中更加理想的是熱壓接。電子元件包括半導(dǎo)體元件、無(wú)源元件等。
根據(jù)本發(fā)明，抗焊劑層由于含有卡爾多型聚合物，故能夠提高抗焊劑層的分辨率及吸濕特性等各種特性。另外，能夠?qū)⒖刮g劑層薄膜化。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊將構(gòu)成所述電路元件的局部或全部的大于或等于一個(gè)的部件中的任一部件的上部的面和所述電路元件之間的絕緣膜的上部的面形成同一平面，也可以將所述大于或等于一個(gè)的部件中的任一部件的下部的面和所述電路元件之間的絕緣膜的下部的面形成同一平面。
將任一部件的上部的面和電路元件間的絕緣膜的上部的面形成同一平面是指，由該部件的上部的面和元件間絕緣膜的上部的面實(shí)質(zhì)形成同一平坦面。
另外，將任一部件的下部的面和電路元件間的絕緣膜的下部的面形成同一平面是指，由該部件的下部的面和元件間絕緣膜的下部的面實(shí)質(zhì)形成同一平坦面。
本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的制造方法包括如下工序在將電路元件固定的狀態(tài)下，配置絕緣樹脂膜及導(dǎo)電性膜的層積體，將所述電路元件埋入所述絕緣樹脂膜內(nèi)；利用壓接將所述電路元件固定在所述絕緣樹脂膜內(nèi)；在埋入所述電路元件的絕緣樹脂膜的上層形成抗焊劑層，所述抗焊劑層包括卡爾多型聚合物。
以上說(shuō)明了本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，作為本發(fā)明的方式，可將上述結(jié)構(gòu)任意地組合。另外，作為本發(fā)明的方式，將本發(fā)明的表現(xiàn)變換成其他范疇也是有效的。


圖1是表示一般的BGA的示意結(jié)構(gòu)；圖2(a)是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造工序的剖面圖；圖2(b)是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造工序的剖面圖；圖2(c)是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造工序的剖面圖；圖2(d)是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造工序的剖面圖；圖2(e)是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造工序的剖面圖；圖3(f)是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造工序的剖面圖；圖3(g)是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造工序的剖面圖；圖3(h)是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造工序的剖面圖；圖3(i)是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造工序的剖面圖；圖3(j)是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造工序的剖面圖；圖3(k)是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造工序的剖面圖；具體實(shí)施方式
圖2(a)至圖2(e)表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造工序。
首先，如圖2(a)所示，在基材140上固定多個(gè)半導(dǎo)體元件142和無(wú)源元件144等電路元件。在此，基材140具有粘接性，能夠形成可將半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144固定于表面的帶式基材。另外，基材140能夠利用將半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144埋入絕緣樹脂膜122之后可從絕緣樹脂膜122剝離的材料構(gòu)成。另外，基材140能夠使用可伸縮的材料。這樣的材料能夠使用例如PET薄膜。
半導(dǎo)體元件142例如是晶體管、二極管、IC芯片等。無(wú)源元件144例如是片狀電容器、片狀電阻等。
如圖2(a)所示，使用可伸縮的材料作為基材140時(shí)，在基材140上固定多個(gè)半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144之后，使基材140沿圖中146所示的拉伸方向伸長(zhǎng)。然后，在基材140伸長(zhǎng)的狀態(tài)下，將帶銅箔的樹脂膜等帶導(dǎo)電性膜的絕緣樹脂膜(以下稱為“第一絕緣樹脂膜122a”)配置在基材140上，通過(guò)真空壓力將半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144按入第一絕緣樹脂膜122a內(nèi)。然后，如圖2(b)所示，沿標(biāo)號(hào)148所示的應(yīng)力松弛方向去除使基材140伸長(zhǎng)的力，縮小芯片間的間隙。
由此，將半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144埋入第一絕緣樹脂膜122a內(nèi)，并將半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144壓接并粘接在第一絕緣樹脂膜122a內(nèi)。在本實(shí)施例中，使用可伸縮的材料作為基材140時(shí)，在使固定有半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144的基材140伸長(zhǎng)的狀態(tài)下，將半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144按入第一絕緣樹脂膜122a內(nèi)，故在向第一絕緣樹脂膜122a內(nèi)壓入半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144時(shí)，元件間的間隔擴(kuò)大，容易在元件之間壓入第一絕緣樹脂膜122a。因此，能夠使半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144與第一絕緣樹脂膜122a的密合性良好。
導(dǎo)電性膜123例如是壓延銅箔等的壓延金屬。作為第一絕緣膜122a，只要是利用加熱而軟化的材料，任何材料都能夠使用，例如，可采用環(huán)氧樹脂、BT樹脂等蜜胺衍生物、液晶聚合物、PPE樹脂、聚酰亞胺樹脂、氟樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺雙馬來(lái)酰亞胺等。通過(guò)采用這種材料，可以提高半導(dǎo)體模塊的剛性，可以提高半導(dǎo)體模塊的穩(wěn)定性。作為第一絕緣樹脂膜122a，通過(guò)采用環(huán)氧樹脂、或BT樹脂、PPE樹脂、聚酰亞胺樹脂、氟樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺雙馬來(lái)酰亞胺等熱固化樹脂，可進(jìn)一步提高半導(dǎo)體模塊的剛性。
作為環(huán)氧樹脂，可以舉出雙酚A型樹脂、雙酚F型樹脂、雙酚S型樹脂、苯酚漆用樹脂、甲酚漆型環(huán)氧樹脂、三苯酚甲烷型環(huán)氧樹脂、脂環(huán)式環(huán)氧樹脂等。
作為蜜胺衍生物，可以舉出蜜胺、蜜胺三聚氰酸酯、羥甲基化蜜胺、(異)三聚氰酸、蜜白胺、蜜勒胺、蜜弄、琥珀酰胍胺、硫酸蜜胺、硫酸乙酰鳥類胺、硫酸蜜白胺、硫酸脒基蜜胺、蜜胺樹脂、BT樹脂、三聚氰酸、異三聚氰酸、異三聚氰酸衍生物、蜜胺異三聚氰酸酯、苯并鳥類胺、乙酰鳥類胺等蜜胺衍生物、胍類化合物等。
作為液晶聚合物，可以舉出芳香族液晶聚合物、聚酰亞胺、聚酯酰胺以及含有這些化合物的樹脂組合物。其中，優(yōu)選耐熱性、加工性及吸濕性平衡優(yōu)異的液晶聚酯或含液晶聚酯的組合物。
作為液晶聚酯，例如，可以舉出(1)芳香族二羧酸和芳香族二醇和芳香族羥基羧酸反應(yīng)得到的液晶聚酯；(2)不同的芳香族羥基羧酸組合進(jìn)行反應(yīng)得到的液晶聚酯；(3)芳香族二羧酸和芳香族二醇反應(yīng)得到的液晶聚酯；(4)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等聚酯與芳香族羥基羧酸反應(yīng)得到的液晶聚酯等。還有，也可以用這些的酯衍生物代替這些芳香族二羧酸、芳香族二醇及芳香族羥基羧酸。還有，這些芳香族二羧酸、芳香族二醇及芳香族羥基羧酸，其芳香族部分可用鹵原子、烷基、芳基取代后使用、作為液晶聚酯重復(fù)結(jié)構(gòu)單元，可以舉出來(lái)自這些芳香族二羧酸的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元(下式(1))、來(lái)自這些芳香族二醇的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元(下式(2))、來(lái)自這些芳香族羥基羧酸的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元(下式(3))(1)-CO-A1-CO-(式中，A1表示含芳香環(huán)的2價(jià)結(jié)合基)(2)-O-A2-O-(式中，A2表示含芳香環(huán)的2價(jià)結(jié)合基)(3)-CO-A3-O-(式中，A3表示含芳香環(huán)的2價(jià)結(jié)合基)另外，在第一絕緣樹脂膜122a上可以含有填料或纖維等填充材料。作為填料，可使用例如粒子狀或纖維狀的SiO2和SiN。通過(guò)在第一絕緣樹脂膜122a上含有填料或纖維，將第一絕緣樹脂膜122a加熱并將半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144熱壓接后，在第一絕緣樹脂膜122a例如冷卻至室溫時(shí)，能夠降低第一絕緣樹脂膜122a的彎曲。由此，能夠提高半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144與第一絕緣樹脂膜122a的密合性。另外，由于在第一絕緣樹脂膜122a含有纖維時(shí)，能夠提高第一絕緣樹脂膜122a的流動(dòng)性，故能夠提高第一絕緣樹脂膜122a和半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144的密合性。從這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，作為構(gòu)成第一絕緣樹脂膜122a的材料，理想的是使用芳香族聚酰胺無(wú)紡織物。由此，可使加工性優(yōu)良。
作為芳族聚酰胺，可以采用對(duì)芳族聚酰胺纖維或間芳族聚酰胺纖維。作為對(duì)芳族聚酰胺纖維，例如可以采用聚(對(duì)-亞苯基酞酰胺)(PPD-T)，作為間芳族聚酰胺，例如可以采用聚(間-亞苯基異酞酰胺)(MPD-1)。
構(gòu)成第一絕緣樹脂膜122a的材料中填充材料的含有量可根據(jù)材料而適當(dāng)設(shè)定，例如設(shè)為小于或等于50重量％。由此，能夠良好地確保第一絕緣樹脂膜122a和半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144的粘接性。
作為帶導(dǎo)電性膜的絕緣樹脂膜，可使用在薄膜狀的第一絕緣樹脂膜122a上粘附導(dǎo)電性膜123的材料。另外，帶導(dǎo)電性膜的絕緣樹脂膜可通過(guò)在導(dǎo)電性膜123上通過(guò)涂敷、干燥形成構(gòu)成第一絕緣樹脂膜122a的樹脂組成物。在本實(shí)施例中，樹脂組成物在不違反本發(fā)明目的范圍內(nèi)，可具有固化劑、固化促進(jìn)劑及其他成份。帶導(dǎo)電性膜的絕緣樹脂膜在將第一絕緣樹脂膜122a進(jìn)行B階段化(指的是一次固化、半固化或臨時(shí)固化的狀態(tài))的狀態(tài)下配置在基材140上。
這樣，能夠提高第一絕緣樹脂膜122a和半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144的密合性。之后，根據(jù)構(gòu)成第一絕緣樹脂膜122a的樹脂種類加熱第一絕緣樹脂膜122a，在真空下或減壓下將帶導(dǎo)電性膜的絕緣樹脂膜與半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144壓接。另外，在其他例中，在將薄膜狀的第一絕緣樹脂膜以進(jìn)行了B階段化后的狀態(tài)配置在基材140上，進(jìn)而在其之上配置導(dǎo)電性膜123將第一絕緣樹脂膜122與半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144熱壓接時(shí)，通過(guò)將導(dǎo)電性膜123熱壓接在第一絕緣樹脂膜122a上也能夠形成帶絕緣性膜的絕緣樹脂膜。
進(jìn)行利用激光對(duì)值掃描法(トレパニングアライメントtrepanningalignment打孔對(duì)準(zhǔn))或濕式銅蝕刻配線形成導(dǎo)電性膜123的配線構(gòu)圖工序。然后如圖2(c)所示，組合二氧化碳?xì)怏w激光、YAG激光、干式蝕刻在第一絕緣樹脂膜122a上形成通孔(貫通孔)，進(jìn)行通孔形成工序。
然后，如圖2(d)所示，進(jìn)行如下鍍敷工序利用對(duì)應(yīng)高長(zhǎng)寬比的無(wú)電解鍍銅、電解鍍銅形成導(dǎo)電性膜120，并且用導(dǎo)電性材料填埋貫通孔，形成通路12l。之后，進(jìn)行利用半添加鍍敷對(duì)導(dǎo)電性膜120進(jìn)行構(gòu)圖形成高密度配線，將多個(gè)半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144間電連接的配線形成工序。
接著，如圖2(e)所示，進(jìn)而進(jìn)行形成帶導(dǎo)向性膜123的第二絕緣樹脂膜122b的第二絕緣樹脂膜形成工序。
構(gòu)成第二絕緣樹脂膜122b的材料可從第一絕緣樹脂膜122a中所說(shuō)明的例如環(huán)氧樹脂、BT樹脂等蜜胺衍生物、液晶聚合物、PPE樹脂、聚酰亞胺樹脂、氟樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺雙馬來(lái)酰亞胺等中適當(dāng)選擇使用設(shè)在第二絕緣膜122b上部的導(dǎo)電性膜123例如可以為壓延銅箔等的壓延金屬。
在此，例如，第一絕緣樹脂膜122a能夠利用比構(gòu)成第二絕緣樹脂膜122b的材料容易軟化的材料形成。由此，在熱壓接時(shí)，由于第一絕緣樹脂膜122a比第二絕緣樹脂膜122b容易變形，故在將半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144順利地壓入第一絕緣樹脂膜122a內(nèi)的同時(shí)，能夠保持第二絕緣樹脂膜122b的剛性，并能夠防止絕緣樹脂膜122(以下，將“第一絕緣樹脂膜122a”和“第二絕緣樹脂膜122b”簡(jiǎn)單統(tǒng)稱為“絕緣樹脂膜122”)整體變形。
另外，例如，第一絕緣樹脂膜122a能夠由玻璃化轉(zhuǎn)變溫度比構(gòu)成第二絕緣樹脂膜122b的材料低的材料構(gòu)成。在其他例中，第一絕緣樹脂膜122a能夠由與半導(dǎo)體元件142和無(wú)源元件144的密合性比構(gòu)成第二絕緣樹脂膜122b的材料高的材料構(gòu)成。這樣也能夠得到與上述相同的效果。
第一絕緣樹脂膜122a及第二絕緣樹脂膜122b可以含有填料或纖維等填充材料。此時(shí)，第一絕緣樹脂膜122a的填充材料的含有量可以比第二絕緣樹脂膜122b的填充材料的含有量少。另外，也可以形成僅在第二絕緣樹脂膜122b中含有填充材料而在第一絕緣樹脂膜122a上不含有填充材料的結(jié)構(gòu)。這樣，提高第一絕緣樹脂膜122a的柔軟性而容易將半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144埋入，同時(shí)能夠利用第二絕緣樹脂膜122b降低絕緣樹脂膜122的彎曲。
如上所述，通過(guò)由對(duì)應(yīng)各自目的理想材料構(gòu)成第一絕緣樹脂膜122a及第二絕緣樹脂膜122b，能夠良好地向絕緣樹脂膜122埋入半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144，同時(shí)，能夠提高半導(dǎo)體模塊的剛性，提供成型性。
圖3(f)至圖3(k)是表示本發(fā)明實(shí)施例的電路裝置的制造工序后半部分的剖面圖。
首先，如圖3(f)所示，第二絕緣樹脂膜122b及其上部的導(dǎo)電性膜123與上述同樣，反復(fù)進(jìn)行配線構(gòu)圖工序、通孔形成工序、鍍敷工序、配線形成工序，進(jìn)行雙層配線形成工序。
另外，如后所述，在層積于第二絕緣樹脂膜122b之上的層積膜160上未預(yù)先設(shè)置配線125和導(dǎo)電性膜124時(shí)，不需要在第二樹脂絕緣膜122b的表面形成其他配線。
然后，如圖3(g)所示，進(jìn)行功能層形成第一工序在第二絕緣樹脂膜122b的上部層積構(gòu)成凹部190的層積膜160。該層積膜160由于具有由預(yù)先激光加工或壓力加工等凹陷的凹部或沖切的貫通部，在利用壓接等粘接在第二絕緣樹脂膜122b的上部時(shí)，構(gòu)成凹部190。該凹部190可以是具有底面而僅在層積膜160的上方開(kāi)口的凹陷狀的凹部，也可以是由在層積膜160的兩面開(kāi)口的溝道狀的貫通部和第二絕緣樹脂膜122b的上面構(gòu)成的凹部。層積膜160也可以使用真空粘附法或減壓粘附法進(jìn)行層積。
另外，可以在絕緣樹脂膜122上層積層積膜160之后進(jìn)行構(gòu)圖和蝕刻等，形成凹部190。
該層積膜160也可以是絕緣樹脂膜。作為層積膜160使用的絕緣樹脂膜，可從在上述絕緣樹脂膜122中說(shuō)明的、例如環(huán)氧樹脂、BT樹脂等蜜胺衍生物、液晶聚合物、PPE樹脂、聚酰亞胺樹脂、氟樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺雙馬來(lái)酰亞胺等中適當(dāng)選擇使用。這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)使用這樣的材料，后述的配線125和導(dǎo)電性膜124很好地與其他導(dǎo)電性部件絕緣。另外，也因?yàn)檫@樣的材料容易進(jìn)行凹部的加工或真空粘附法的層積。
另外，可以預(yù)先在層積膜160上設(shè)置配線125和導(dǎo)電性膜124。配線125和導(dǎo)電性膜124例如能夠加工使用壓延銅箔等的壓延金屬。
然后，如圖3(h)所示，進(jìn)行功能層形成第二工序，其包括將膏狀的填埋材料埋入該層積膜160構(gòu)成的凹部190內(nèi)的工序；形成填埋部件的工序，其對(duì)所述填埋材料實(shí)施干燥等處理，形成用于構(gòu)成電阻器180和后述的電容器175的高介電系數(shù)部件170等電路元件的一部分或全部。
在此，構(gòu)成該電路元件的一部分或全部的填埋部件可成為構(gòu)成無(wú)源元件等的部件。例如，該填埋部件可以是構(gòu)成電阻器180和后述的電容器175等無(wú)源元件的一部分或全部。在填埋部件是形成電阻器180的一部分或全部的部件時(shí)，該填埋部件的填埋材料不進(jìn)行特別限定，只要是具有高電阻的材料就可以，例如可以使用含有以碳和Ni-Cr(鎳鉻)為主要成份的金屬材料的材料。
另外，在填埋部件是形成后述的電容器175的高介電系數(shù)部件170時(shí)，該填埋部件的材料不特別限定，只要是具有高介電系數(shù)的材料即可，例如可使用具有大比面積的活性炭等碳系材料、具有五氧化二鉭的材料。
另外，電容器的下部電極或上部電極可由具有導(dǎo)電性的金屬形成。例如，可使用例如由銅、鋁等構(gòu)成的薄膜電極等。
這些填埋材料可以是在溶劑中懸濁有粉末狀固體物的膏狀材料，也可以通過(guò)刮板等刮取裝置200埋入凹部190?；蛘?，也可以利用屏篩法(スクリ一ン法)埋入填埋材料。在此，所謂屏篩法是孔版印刷法的一種，其是指在制版上利用絹和聚酯纖維、尼龍等化學(xué)纖維，或金屬纖維等的網(wǎng)篩的印刷法。進(jìn)行屏篩法的順序?yàn)槭紫?，將網(wǎng)篩拉成框狀，拉緊四邊固定，在其上用機(jī)械或光學(xué)(攝像)方法制作版膜(保護(hù)層)塞住必要的圖線之外的網(wǎng)眼，形成版。然后，在框內(nèi)埋入填埋材料，由所謂刮板的由刮片狀的橡膠板構(gòu)成的刮取裝置200對(duì)網(wǎng)篩的內(nèi)面加壓、移動(dòng)。這樣，填埋材料透過(guò)網(wǎng)篩中未形成版膜的部分，向置于版下方的被印刷物面即層積膜160的凹部190內(nèi)部壓出，以無(wú)間隙的狀態(tài)填埋滿凹部?jī)?nèi)部。另外，也可以利用刮漿板等刮取裝置200等去除殘留于凹部190外的填埋材料。
然后，如圖3(i)所示，在層積膜及電路裝置的構(gòu)成部件的更上部，在形成上層絕緣樹脂膜210之后，壓接形成光致抗焊劑層220。作為壓接的條件，例如是溫度110℃、時(shí)間1～2分鐘、2個(gè)大氣壓等。之后，通過(guò)后烘烤工序使光致抗焊劑層220局部固化。
光致抗焊劑層220使用后述的含有卡爾多型聚合物的樹脂膜。
然后，如圖3(j)所示，通過(guò)作為掩膜將玻璃曝光而構(gòu)圖之后，以光致抗焊劑層220為掩膜，例如通過(guò)藥液的化學(xué)蝕刻加工形成通孔，并反復(fù)進(jìn)行鍍敷工序、配線形成工序，進(jìn)行三層配線形成工序。然后，在形成于最上層的上部的導(dǎo)電性膜126上利用焊錫印刷法等形成作為背面電極的焊錫電極(焊球)230的焊錫電極形成工序。
以下，在本實(shí)施例中，說(shuō)明光致抗焊劑層220中使用含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的效果。
在此，如式(I)所示，卡爾多型聚合物是具有在聚合物主鏈上直接鍵合環(huán)狀基的結(jié)構(gòu)的聚合物的總稱。另外，在式(I)中，R1、R2表示亞烴基和具有芳香環(huán)的二價(jià)基等的二價(jià)基。
式I
(式I)
即，該卡爾多型聚合物是指具有季碳的體積大的取代基相對(duì)于主鏈大致成直角的結(jié)構(gòu)的聚合物。
在此，環(huán)狀部可具有飽和鍵也可具有不飽和鍵，除了碳，也可具有氮原子、氧原子、硫原子、磷原子等原子。另外，環(huán)狀部可以是多環(huán)、也可以是稠環(huán)。另外，環(huán)狀部可以與其他碳鏈鍵合或交聯(lián)。
另外，體積大的取代基例如式(I)所示，是芴基等環(huán)狀基，其具有在五元環(huán)的兩側(cè)鍵合六元環(huán)并且五元環(huán)的剩余的一個(gè)碳原子與主鏈鍵合這樣的結(jié)構(gòu)的稠環(huán)。
如式(II)所示，所謂芴基是指芴的9位碳原子是被脫氫的基。在卡爾多型聚合物中，如式(I)所示，在脫氫的碳原子的位置鍵合有作為主鏈的烷基的碳原子。
式II
(式II)卡爾多型聚合物由于是具有上述結(jié)構(gòu)的聚合物，所以具有以下效果(1)聚合物主鏈的旋轉(zhuǎn)受到約束；(2)主鏈和側(cè)鏈的構(gòu)造受到限制；(3)分子間堆積受阻；(4)因側(cè)鏈導(dǎo)入的芳香族取代基等造成芳香族性的增加。
因此，卡爾多型聚合物具有高機(jī)械強(qiáng)度、高耐熱性、溶劑溶解性、高透明性、高折射率、雙折射率低，還具有更高的氣體透過(guò)性。
在此，光致抗焊劑層220所使用的含有卡爾多型聚合物的樹脂膜，使用規(guī)定的添加劑，可在抑制了空穴和凹凸等發(fā)生的狀態(tài)下形成薄膜。另外，可在光致抗焊劑層220上使用25μm左右厚的薄膜，與光致抗焊劑層220上通常使用的厚度為50μm左右的樹脂材料相比，厚度約為其1/2。因此，通過(guò)在光致抗焊劑層220上使用含有卡爾多型聚合物的樹脂膜，能夠?qū)⒈緦?shí)施例的半導(dǎo)體模塊小型化。
另外，含有卡爾多型聚合物的樹脂膜如后所述，具有耐濕性和密合性。因此，通過(guò)在光致抗焊劑層220上使用含有卡爾多型聚合物的樹脂膜，可提高搭載于半導(dǎo)體模塊表面的元件和其他層的密合性。
另外，含有卡爾多型聚合物的樹脂膜如后所述，具有優(yōu)良的分辨率。本實(shí)施例中使用的薄膜的厚度由于是通常被光致抗焊劑層所使用的厚度的大致1/2，故使用含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的光致抗焊劑層220具有更加優(yōu)良的分辨率。因此，能夠提高形成通孔時(shí)的尺寸精度，能夠提高半導(dǎo)體模塊的可靠性。
另外，含有卡爾多型聚合物的樹脂膜如后所述，具有優(yōu)良的介電特性。因此，通過(guò)在光致抗焊劑層220上使用含有卡爾多型聚合物的樹脂膜，降低埋設(shè)于光致抗焊劑層220內(nèi)的配線間的寄生電容量，故能夠提供半導(dǎo)體模塊的可靠性。
另外，含有卡爾多型聚合物的樹脂膜由于具有高機(jī)械強(qiáng)度，即使光致抗焊劑層220的厚度是現(xiàn)有的約1/2厚，也能夠確保機(jī)械強(qiáng)度。因此，能夠抑制半導(dǎo)體模塊的基板整體彎曲，可提高搭載于半導(dǎo)體模塊的元件的接合精度。
另外，通常在形成光致抗焊劑層中使用的旋涂(スピンコ一ト)法中，在光致抗焊劑層的外周部容易產(chǎn)生空穴，在這一點(diǎn)上還有改進(jìn)的余地。另外，在澆注法中，粘接前的狀態(tài)為液體，在涂敷之后容易產(chǎn)生空穴，在這一點(diǎn)上也有改進(jìn)的余地。而本實(shí)施例的光致抗焊劑層220在壓接薄膜時(shí)抑制空穴和凹凸等的產(chǎn)生，故在壓接有薄膜的半導(dǎo)體模塊的光致抗焊劑層220上空穴和凹凸少。因此，能夠提高半導(dǎo)體模塊的可靠性和制造穩(wěn)定性。
另外，上述卡爾多型聚合物可以是羧酸基和丙烯酸酯基存在于同一分子鏈內(nèi)的聚合物交聯(lián)而成的聚合物。作為現(xiàn)有的一般的感光性漆料可以使用具有顯影性的羧酸基低聚體和多官能丙烯酸的混合物，但分辨率方面還有改進(jìn)的余地。代替一般的感光漆料，使用羧酸基和丙烯酸酯基存在于同一分子鏈內(nèi)的聚合物交聯(lián)而成的卡爾多型聚合物，則具有顯影性的碳素酸和作為交聯(lián)基的丙烯酸酯基存在于同一分子鏈內(nèi)，主鏈上具有體積大的取代基難以擴(kuò)散，所以具有提高含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的分辨率的優(yōu)點(diǎn)。
另外，含有卡爾多型聚合物的樹脂膜最好滿足下面的各種物性值。另外，下面的各物性值是關(guān)于不具有填料的樹脂部分的值，通過(guò)添加填料等可進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。
在此，上述含卡爾多型聚合物的樹脂膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)可以設(shè)定為例如大于或等于180℃，特別理想的是大于或等于190℃。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度若在該范圍內(nèi)，則可提高含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的耐熱性。
另外，上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)可以設(shè)定為例如小于或等于220℃，特別理想的是小于或等于210℃。若是玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在該范圍內(nèi)的含有卡爾多型聚合物的樹脂膜，則可以利用通常的制造方法穩(wěn)定地進(jìn)行制造。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度可利用例如大量試料動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)定(DMA)進(jìn)行測(cè)定。
另外，小于或等于上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的Tg的區(qū)域的線膨脹系數(shù)(CTE)可以設(shè)定為例如小于或等于80ppm/℃，特別理想的是小于或等于75ppm/℃。線膨脹系數(shù)若在該范圍內(nèi)，則可提高含有卡爾多型聚合物的樹脂膜與其他部件等的密合性。
另外，小于或等于上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的Tg區(qū)域的線膨脹系數(shù)(CTE)可以設(shè)定為例如大于或等于50ppm/℃，特別理想的是大于或等于55ppm/℃。另外，通過(guò)在上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜上配合填料，可得到CTE小于或等于20ppm/℃的樹脂組成物。若是熱膨脹系數(shù)在該范圍內(nèi)的含有卡爾多型聚合物的樹脂膜，則可以利用通常的制造方法穩(wěn)定地進(jìn)行制造。線膨脹系數(shù)例如可利用熱機(jī)械分析裝置(TMA)的熱膨脹測(cè)定進(jìn)行測(cè)定。
另外，上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的導(dǎo)熱率可以設(shè)定為例如小于或等于0.50W/cm2·sec，特別理想的是小于或等于0.35W/cm2·sec。導(dǎo)熱率若在該范圍，則可提高含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的耐熱性。
另外，上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的導(dǎo)熱率可以設(shè)定為例如大于或等于0.10W/cm2·sec，特別理想的是大于或等于0.25W/cm2·sec。若是導(dǎo)熱率在該范圍內(nèi)的含有卡爾多型聚合物的樹脂膜，則可以利用通常的制造方法穩(wěn)定地進(jìn)行制造。導(dǎo)熱率例如可利用例如圓板熱流計(jì)法(ASTME1530)進(jìn)行測(cè)定。
另外，上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的直徑10～100μm的通路的通路高寬比可以設(shè)定為例如大于或等于0.5，特別理想的是大于或等于1。通路高寬比若在該范圍，則可提高含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的分辨率。
另外，上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的直徑10～100μm的通路的通路高寬比可以設(shè)定為例如小于或等于5，特別理想的是小于或等于2。若是通路縮圖比在該范圍的卡爾多型聚合物樹脂膜，則能夠由通常的制法穩(wěn)定地制造。
另外，上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的在施加了頻率1MHz的交流電場(chǎng)的情況下的介電系數(shù)可以設(shè)定為例如小于或等于4，特別理想的是小于或等于3。介電系數(shù)若在該范圍，則可提高含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的以高頻特性為主的介電特性。
另外，上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的在施加了頻率1MHz的交流電場(chǎng)的情況下的介電系數(shù)可以設(shè)定為例如大于或等于0.1，特別理想的是大于或等于2.7。若是介電系數(shù)在該范圍內(nèi)的含有卡爾多型聚合物的樹脂膜，則可以利用通常的制造方法穩(wěn)定地進(jìn)行制造。
另外，上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的在施加了頻率1MHz的交流電場(chǎng)的情況下的介電衰耗因數(shù)可以設(shè)定為例如小于或等于0.04，特別理想的是小于或等于0.029。介電衰耗因數(shù)若在該范圍，則可提高含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的以高頻特性為主的介電特性。
另外，上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的在施加了頻率1MHz的交流電場(chǎng)的情況下的介電衰耗因數(shù)可以設(shè)定為例如大于或等于0.001，特別理想的是大于或等于0.027。若是介電衰耗因數(shù)在該范圍內(nèi)的含有卡爾多型聚合物的樹脂膜，則可以利用通常的制造方法穩(wěn)定地進(jìn)行制造。
另外，上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的24小時(shí)吸水率(wt％)可以設(shè)定為例如小于或等于3wt％，特別理想的是小于或等于1.5wt％。24小時(shí)吸水率(wt％)若在該范圍，則可提高含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的耐濕性。
另外，上述含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的24小時(shí)吸水率(wt％)可以設(shè)定為例如大于或等于0.5wt％，特別理想的是大于或等于1.3wt％。若是24小時(shí)吸水率(wt％)在該范圍內(nèi)的含有卡爾多型聚合物的樹脂膜，則可以利用通常的制造方法穩(wěn)定地進(jìn)行制造。
若含有卡爾多型聚合物的樹脂膜滿足上述這些特性，則使用含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的光致抗焊劑層220所要求的薄膜化、機(jī)械強(qiáng)度、耐熱性、與其他部件的密合性、分辨率、介電特性、耐濕性等各特性可實(shí)現(xiàn)良好地平衡。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊預(yù)先在樹脂層中埋入半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144，將與帶導(dǎo)電性膜的絕緣樹脂膜粘接的粘接面平坦化后粘附帶導(dǎo)電性膜的絕緣樹脂膜。進(jìn)而，在層積膜160中，若在凹部190中埋入填埋材料，則即使在上側(cè)絕緣樹脂膜210的表面也不存在各元件引起的凹凸，表面平坦，故通過(guò)與使用含有卡爾多型聚合物的樹脂膜的光致抗焊劑層220的復(fù)合效果，能夠?qū)崿F(xiàn)尺寸精度高的加工。
如圖3(k)所示，進(jìn)行從絕緣樹脂膜122剝離基材140的基材剝離工序。該基材剝離工序也可使用機(jī)械方法，在基材140為UV光反應(yīng)性薄膜時(shí)，也可以通過(guò)照射UV(紫外線)在基材140內(nèi)引起交聯(lián)反應(yīng)而使粘著力降低，去除基材140。
由此，能夠得到將半導(dǎo)體元件142及無(wú)源元件144在各自的一面上被絕緣樹脂膜122密封，并且在另一面上露出的結(jié)構(gòu)體。
(適用于ISB封裝)本實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造方法，能夠適用于ISB(Integrated Systemin Board注冊(cè)商標(biāo))封裝的制造。通過(guò)使用該方法，能夠?qū)SB封裝的制造工序簡(jiǎn)略化。以下說(shuō)明ISB封裝。
所謂ISB是在以半導(dǎo)體裸片為中心的電路的封裝中帶有由銅形成的配線圖案并不使用用于支承電路部件的內(nèi)核(基材)的特有的無(wú)核系統(tǒng)內(nèi)置封裝。在特開(kāi)2002-110717號(hào)公報(bào)中記載有這樣的系統(tǒng)內(nèi)置封裝。
在此，以往，在也作為支承基板起作用的導(dǎo)電箔上形成多層導(dǎo)電圖案來(lái)制作多層配線結(jié)構(gòu)，進(jìn)而安裝電路元件，由絕緣樹脂進(jìn)行模制，通過(guò)去除導(dǎo)電箔而得到ISB封裝。
根據(jù)該封裝可以得到以下優(yōu)點(diǎn)。
(i)、由于可以以無(wú)核的方式進(jìn)行安裝，所以可以實(shí)現(xiàn)晶體管、IC、LSI的小型薄型化。
(ii)、由于可形成并封裝由晶體管、系統(tǒng)LSI以及片狀電容和電阻組成的電路，所以可實(shí)現(xiàn)高度的SIP(System in Package系統(tǒng)內(nèi)置封裝)。
(iii)、由于可組合現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件，所以可在短期內(nèi)開(kāi)發(fā)系統(tǒng)LSI。
(iv)、半導(dǎo)體裸片直接設(shè)置在正下方的銅材上，可得到良好的散熱性。
(v)、由于電路配線是銅材并且沒(méi)有內(nèi)核，所以成為低介電系數(shù)的電路配線，發(fā)揮高速數(shù)據(jù)傳送和高頻電路中優(yōu)異的特性。
(vi)、由于電極埋入封裝內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，所以可抑制電極材料的微粒污染。
(vii)、封裝尺寸是自由的，每個(gè)廢料的量與64引腳的SQFP封裝相比，約為1/10，所以可降低環(huán)境負(fù)荷。
(viii)、可實(shí)現(xiàn)從搭載部件的電路基板到賦與功能的電路基板的這一新概念的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。
(ix)、ISB的圖案設(shè)計(jì)與印刷電路基板的圖案設(shè)計(jì)一樣容易，可由設(shè)備制造商的工程師自行設(shè)計(jì)。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制造方法適用于ISB封裝的制造時(shí)，構(gòu)成電路元件的局部或全部的填埋部件的表面平坦，在層積膜的上部的面和填埋部件的上部的面上形成平坦面，故進(jìn)而層積于上部的膜的表面也平坦。另外，在上層的絕緣層形成中通過(guò)導(dǎo)入含有卡爾多型聚合物的光致抗焊劑層220，提高加工精度，可改善ISB封裝的制造成本或制造穩(wěn)定性，或者實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)傳輸。
根據(jù)本實(shí)施例，能夠使密封電路元件的絕緣樹脂膜自身作為支承基盤起作用，故在形成多層配線結(jié)構(gòu)之后能夠省去去除基板的操作。由此，能夠使ISB封裝的制造工序簡(jiǎn)略化，同時(shí)能夠得到上述優(yōu)點(diǎn)。
由此，根據(jù)本實(shí)施例，能夠活用晶片工序、ISB技術(shù)及裝置，實(shí)現(xiàn)多片集成SiP。而且，能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)突起(バンプレス；bumpless)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)傳輸和薄型封裝。進(jìn)而，通過(guò)在上層絕緣層形成中導(dǎo)入含有卡爾多型聚合物的光致抗焊劑層220，在外側(cè)進(jìn)行更高密度的配線，從而能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)應(yīng)小型化、多針化的封裝。另外，能夠在電路裝置內(nèi)設(shè)置無(wú)源元件，可提供薄型的高功能SiP。
以上，根據(jù)實(shí)施方式及實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明。該實(shí)施方式及實(shí)施例只是示例，其可在本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形，并且這樣的變形對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是能夠理解的。
例如，在配線層上，層間的電連接不限于用導(dǎo)電性材料填埋貫通孔的方法，例如也能夠通過(guò)導(dǎo)線進(jìn)行。這時(shí)可通過(guò)密封材料覆蓋導(dǎo)線。
另外，可以將配線125、導(dǎo)電性膜124、高介電系數(shù)部件170以及電阻器180經(jīng)由CVD法、濺射法等的膜形成、構(gòu)圖、蝕刻等而形成，然后形成層積膜160。此時(shí)，含有卡爾多型聚合物的光致抗焊劑層220的形成在層積膜160成膜后進(jìn)行。之后的配線形成的工序如上所述。
另外，如圖2(a)～圖2(e)及圖3(f)～圖3(k)所示，電路元件能夠形成含有將第二元件配置在第一元件上的電路元件的結(jié)構(gòu)。在第一元件上組合第二元件，例如能夠形成SRAM(靜態(tài)存儲(chǔ)器)和Flash存儲(chǔ)器(閃存)、SRAM和PRAM。此時(shí)，可利用通路將第二元件與第一元件電連接。
另外，層積膜160的材料不限于絕緣樹脂膜，也可以是成為電阻器材料的碳材料或成為電容器結(jié)構(gòu)部件的高介電系數(shù)材料。此時(shí)，埋入層積膜160的凹部190中的填埋材料可以為絕緣性樹脂材料。
另外，形成用于構(gòu)成以電容器或電阻器為主的電路元件的局部或全部填埋材料的上述填埋材料的處理方法不限于干燥處理，例如可根據(jù)成為目的的填埋部件的特性使用例如燒結(jié)、壓接、壓縮、固化、凝固、成型、交聯(lián)、固化、變性等各種處理。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體模塊，其特征在于，包括絕緣樹脂膜；埋入所述絕緣樹脂膜中的多個(gè)電路元件；設(shè)于所述絕緣樹脂膜上層的抗焊劑層，所述多個(gè)電路元件固定于所述絕緣樹脂膜上，所述抗焊劑層具有卡爾多型聚合物。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，構(gòu)成所述電路元件的局部或全部的大于或等于一個(gè)的部件中的任一部件的上部的面與所述電路元件間的絕緣膜的上部的面形成同一平面，所述大于或等于一個(gè)的部件中的任一部件的下部的面與所述電路元件間的絕緣膜的下部的面形成同一平面。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，在所述抗焊劑層上設(shè)有連接所述電路元件的配線。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，在所述抗焊劑層上設(shè)有連接所述電路元件的配線。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述抗焊劑層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度大于或等于180℃且小于或等于220℃，所述抗焊劑層在施加有頻率1MHz的交流電場(chǎng)時(shí)的介電損耗因數(shù)大于或等于0.001且小于或等于0.04。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述抗焊劑層小于或等于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的區(qū)域的線膨脹系數(shù)大于或等于50ppm/℃且小于或等于80ppm/℃。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述抗焊劑層的熱傳導(dǎo)率大于或等于0.10W/cm2·sec且小于或等于0.50W/cm2·sec。
8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，設(shè)于所述抗焊劑層上的配線所具有的直徑10～100μm的通孔的高寬比大于或等于0.5且小于或等于5。
9.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述抗焊劑層在施加有頻率1MHz的交流電場(chǎng)時(shí)的介電系數(shù)大于或等于0.1且小于或等于0.4。
10.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述抗焊劑層的24小時(shí)給水率大于或等于0.5wt％且小于或等于3.0wt％。
11.一種半導(dǎo)體模塊的制造方法，其特征在于，包括如下工序在將電路元件固定的狀態(tài)下，配置絕緣樹脂膜及導(dǎo)電性膜的層積體，并將所述電路元件埋入所述絕緣樹脂膜內(nèi)的工序；通過(guò)壓接將所述電路元件固定在所述絕緣樹脂膜內(nèi)的工序；在埋入有所述電路元件的絕緣樹脂膜的上層形成抗焊劑層的工序，所述抗焊劑層具有卡爾多型聚合物。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體模塊的制造方法，其特征在于，還包括在表面形成具有凹部的膜的工序、和將填埋材料埋入所述凹部的內(nèi)部并在所述凹部的內(nèi)部構(gòu)成所述電路元件的局部或全部的填埋部件的工序。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體模塊的制造方法，其特征在于，所述絕緣樹脂膜在材料中含有熱固化樹脂。
14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體模塊的制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電性膜在材料中具有壓延金屬。
15.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊和搭載在所述半導(dǎo)體模塊上的半導(dǎo)體元件。
16.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體模塊和搭載在所述半導(dǎo)體模塊上的半導(dǎo)體元件。
全文摘要
一種半導(dǎo)體模塊及其制造方法，將絕緣樹脂膜熱壓接并埋入半導(dǎo)體元件及無(wú)源元件中，形成配線后，壓接具有元件間絕緣膜的凹部或具有貫通部的層積膜，在凹部?jī)?nèi)部埋入元件構(gòu)成部件的材料，由此形成高電阻部件和高介電系數(shù)部件，形成電阻器和電容器。進(jìn)而，形成上層絕緣樹脂膜之后，形成具有卡爾多型聚合物的光致抗焊劑層，進(jìn)行配線形成、焊錫電極形成。
文檔編號(hào)H01L25/18GK1707792SQ20051007615
公開(kāi)日2005年12月14日 申請(qǐng)日期2005年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月8日
發(fā)明者臼井良輔, 中村岳史, 西田篤弘 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社