專利名稱：電荷泵電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種集成電路，特別是有關(guān)于一種用于集成電路中的電荷泵電路(charge pump circuit)。
背景技術(shù)：
在某些集成電路中，有時會需要提供極高的負(fù)電壓。這種情形特別是在于包含存儲器組件的集成電路中，例如，電擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)。當(dāng)進(jìn)行擦除操作時，此高負(fù)電壓施于存儲器單元的控制柵極，以擦除儲存在存儲器單元中的數(shù)據(jù)。
很不幸地，許多傳統(tǒng)的電路均遭遇嚴(yán)重的體效應(yīng)(body-effect)問題，使得當(dāng)基底(bulk)和源極(source)間電壓差不為零時，晶體管的啟始電壓會改變。舉例來說，體效應(yīng)會在經(jīng)一或多個電荷泵級(pump stage)后，導(dǎo)致電容連接金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(capacitor-connected MOSFET)有效啟始電壓的增加。且因為時鐘信號(clock signal)具有較小的幅值，體效應(yīng)會導(dǎo)致晶體管傳導(dǎo)性的降低。當(dāng)晶體管的傳導(dǎo)性降低時，受影響的電荷泵級會變得阻抗更高，于是限制了電流大小，甚至反過來影響電荷泵的效率。
公知引用了多種技術(shù)，欲降低上述的體效應(yīng)問題，例如預(yù)充金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(pre-charge MOSFET)便是其中一種，其方法為在柵極提供不足的負(fù)電壓，以及提供相對低的預(yù)充電效率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明為解決以上公知的問題，提供一種用于集成電路中的電荷泵電路，集成電路例如是閃速/電擦除可編程只讀存儲器(FLASH/EEPROM)存儲器電路。舉例來說，上述電荷泵電路可以是P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)負(fù)電荷泵電路，用以產(chǎn)生負(fù)電壓，在本發(fā)明實施例中，提供一減少體效應(yīng)影響的電路，其通常會出現(xiàn)在PMOS負(fù)電荷泵電路中，通過使用子電荷泵電路(sub-pump)以增加預(yù)充電效率。特別一提，預(yù)充金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(pre-charge MOSFET)的柵極會降壓(pump down)至相對負(fù)的電壓程度，使得電荷泵效率因此得以增加。
本發(fā)明一實施例提供一電荷泵電路，包括第一電荷泵級以及第二電荷泵級，其中，第一電荷泵級包含耦合至第一預(yù)充電MOSFET晶體管(pre-chargeMOSFET)的第一子電荷泵電路，其用以降壓第一預(yù)充電MOSFET晶體管的柵極，以增加第一預(yù)充電MOSFET晶體管的預(yù)充電效率。第二電荷泵級包含耦合至第二預(yù)充電MOSFET晶體管的第二子電荷泵電路，其用以降壓第二預(yù)充電MOSFET晶體管的柵極，以增加第二預(yù)充電MOSFET晶體管的預(yù)充電效率。
本發(fā)明另一實施例提供一種電荷泵電路，包括預(yù)充電晶體管，其具有源極、柵極與漏極；放電晶體管(discharge transistor)，其耦合至預(yù)充電晶體管的柵極，其中放電晶體管選擇性地將預(yù)充電晶體管放電；通道晶體管(pass transistor)，其耦合至預(yù)充電晶體管的源極；以及初始化晶體管(initialization transistor)，耦合至通道晶體管，其中初始化晶體管可將通道晶體管的漏極進(jìn)行初始化。
本發(fā)明再一實施例提供一種存儲器組件，包括非易失性存儲器單元(non-volatile memory cells)；以及電荷泵電路，其耦合至非易失性存儲器單元，以擦除上述非易失性存儲器單元。而上述電荷泵電路包括預(yù)充電晶體管，其具有源極、柵極與漏極；放電晶體管，其耦合至預(yù)充電晶體管的柵極，且上述放電晶體管選擇性地對預(yù)充電晶體管放電；通道晶體管，其耦合至預(yù)充電晶體管的源極；以及初始化晶體管，其耦合至通道晶體管，且上述初始化晶體管可將通道晶體管的漏極進(jìn)行初始化。
在其中任一實施例中，電路可以利用在單一N型阱(N-well)中的小布局，而其它實施例，當(dāng)然也可以利用在多重阱中的布局。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下圖1A至1B表示本發(fā)明實施例的電荷泵電路和定時器計時的示意圖。
圖2至3表示本發(fā)明實施例的電荷泵定時器和節(jié)點電壓(node voltage)對時間的函數(shù)示意圖。
主要組件符號說明100P型溝道電荷泵電路
102，104子電荷泵電路(sub-pump)DP1、DP2、DP3和DP4時鐘信號(clock signal)M1，M2，M3通道晶體管(pass transistor)M4，M8，M11預(yù)充電晶體管(pre-charge transistor)M5，M9初始化晶體管(initialization transistor)M6，M10，M13，M14晶體管(二極管)M7，M12放電晶體管(discharge transistor)initial stage初始級stage1級1stage2級具體實施方式
本發(fā)明的實施例配合附圖，詳細(xì)說明如下。本發(fā)明有關(guān)于一種用于集成電路中的電荷泵電路，集成電路例如是閃速/電擦除可編程只讀存儲器(FLASH/EEPROM)存儲器電路。舉例來說，上述電荷泵電路可以是PMOS負(fù)電荷泵電路，用以產(chǎn)生相對高的負(fù)電壓，將此高負(fù)電壓施于存儲器單元的控制柵極，可擦除存儲器單元的數(shù)據(jù)。在本發(fā)明實施例中，減少體效應(yīng)影響的電路，通常會出現(xiàn)在PMOS負(fù)電荷泵電路中，通過使用子電荷泵電路(sub-pump)以增加預(yù)充電效率。特別地，預(yù)充金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(pre-chargeMOSFET)的柵極會降壓至相對負(fù)的電壓程度，使得電荷泵效率因此得以增加。
圖1A表示本發(fā)明較佳實施例的P型溝道電荷泵電路100的示意圖。在此例中，圖示的晶體管為金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)。此處電荷泵電路100包括三個級，其它實施例當(dāng)然可以包括更少或更多的級，例如五個、七個、九個或甚至更多的級。在此例中，電荷泵電路100包括初始級(initialstage)、級1與級2等三個級。更詳細(xì)的說明如下，級1包括子電荷泵電路102以及預(yù)充金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管M8、級2包括子電荷泵電路104以及預(yù)充金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管M11，而子電荷泵電路用以降壓預(yù)充金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極電壓，以增加預(yù)充電效率。
輸入P信道電荷泵電路100的信號包括由四相位定時器提供的時鐘信號(clock signal)DP1、DP2、DP3和DP4。在此實施例中，時鐘信號DP1、DP2、DP3和DP4周期性地在接地與供電電壓之間交替，供電電壓例如為1.8伏特、3.3伏特或其它伏特。
請參照圖1A，晶體管M1(在初始級)、晶體管M2(在級1)以及晶體管M3(在級2)為通道晶體管(pass transistor)。晶體管M4(在初始級)、晶體管M8(在級1)以及晶體管M11(在級2)為預(yù)充電晶體管(pre-charge transistor)。晶體管M6和M10扮演二極管的角色，并用以保持對應(yīng)節(jié)點N3(包括晶體管M8的柵極)和節(jié)點N6(包括晶體管M11的柵極)位于負(fù)電壓的程度。
晶體管M5(在級1)以及晶體管M9(在級2)為初始化晶體管(initialization transistor)，它們的柵極和源極耦合在一起。初始化晶體管M5和M9在大于接地的晶體管初始電壓下，可對應(yīng)地初始化節(jié)點N2和N5。晶體管M7(在級1)以及晶體管M12(在級2)為放電晶體管(dischargetransistor)。
特別一提，此例中時鐘信號DP4為一電容耦合，其通過電容C1耦合至通道晶體管M1的柵極以及預(yù)充電晶體管M4的漏極。通道晶體管M1的源極以及預(yù)充電晶體管M4的源極均耦合至接地。
節(jié)點N2連接至通道晶體管M1的漏極、通道晶體管M2的源極、預(yù)充電晶體管M4的柵極、初始化晶體管M5的漏極、晶體管M6的源極和柵極、以及通過電容C2連接至?xí)r鐘信號DP1。
節(jié)點N3連接至預(yù)充電晶體管M8的柵極、晶體管M6的漏極、放電晶體管M7的漏極、以及通過電容C3連接至?xí)r鐘信號DP3。放電晶體管M7的柵極為一電容，其通過電容C4耦合至致能信號(enable signal)EN，以及通過晶體管M13耦合至接地，其中晶體管M13扮演二極管的角色。
節(jié)點N4連接至通道晶體管M2的柵極、預(yù)充電晶體管M8的漏極、以及扮演一電容，通過電容C5耦合至?xí)r鐘信號DP2。
節(jié)點N5連接至通道晶體管M2的漏極、通道晶體管M3的源極、初始化晶體管M9的漏極、晶體管M10的源極和柵極、以及通過電容C6連接至?xí)r鐘信號DP3。
節(jié)點N6連接至預(yù)充電晶體管M11的柵極、晶體管M10的漏極、放電晶體管M12的漏極、以及通過電容C7連接至?xí)r鐘信號DP1。
放電晶體管M12的柵極系一電容，通過電容C8耦合至致能信號EN，以及通過晶體管M14耦合至接地，其中晶體管M14扮演二極管的角色。
節(jié)點N7連接至通道晶體管M3的柵極、預(yù)充電晶體管M11的漏極、以及扮演一電容，通過電容C9耦合至?xí)r鐘信號DP4。
通道晶體管M3的漏極連接至負(fù)電荷泵輸出信號VNCP，舉例而言，對兩級的負(fù)電荷泵電路而言，VNCP可以是-2伏特，當(dāng)然也可以是其它的電壓。
請參照圖1A與1B，并同時參照圖2與3，其表示本發(fā)明實施例的電荷泵定時器和節(jié)點電壓，相對于時間、電荷泵電路100和計時信號(timing signal)的函數(shù)示意圖。上述計時信號包含時鐘信號DP1、DP2、DP3和DP4等，更詳細(xì)的電路操作敘述如下。舉例而言，電荷泵電路100的計時可以分成八個時區(qū)T1-T8。
當(dāng)致能信號EN變低時，放電晶體管M7和M12會將對應(yīng)的預(yù)充電晶體管M8和M11放電至接地。
然后，在時區(qū)T1假設(shè)時鐘信號DP3的狀態(tài)延續(xù)之前的狀態(tài)是“低”，在節(jié)點N5的電壓為負(fù)電壓的程度。當(dāng)時鐘信號DP1在時區(qū)T1由“高”的狀態(tài)轉(zhuǎn)換為“低”的狀態(tài)時，節(jié)點N2和N6的電壓會逐漸被拉下或降壓至負(fù)的電壓程度。
節(jié)點N4逐漸放電至節(jié)點N3加上預(yù)充電晶體管M8啟始電壓的電壓值大小，亦即VN4＝VN3+VT(M8)。然后預(yù)充電晶體管M8會關(guān)斷。
因節(jié)點N2和N6的電壓為負(fù)，預(yù)充電晶體管M4和M11會導(dǎo)通。然后通道晶體管M1會關(guān)斷。
在時區(qū)T2時鐘信號DP3由“低”的狀態(tài)轉(zhuǎn)換為“高”的狀態(tài)，以及節(jié)點N3和N5的電壓對應(yīng)地升高。節(jié)點N3的電壓逐漸放電至節(jié)點N2加上晶體管M6啟始電壓的電壓值大小，亦即VN3＝VN2+VT(M6)。因此，操作有如次負(fù)電荷泵電路。
此時，預(yù)充電晶體管M8會關(guān)斷，節(jié)點N4的電壓則維持在之前的程度，亦即VN4＝VN3+VT(M8)。
因此，預(yù)充電晶體管M11會導(dǎo)通，節(jié)點N7的電壓與節(jié)點N5的電壓相同。而通道晶體管M3會關(guān)斷。
相同地，預(yù)充電晶體管M4會導(dǎo)通，通道晶體管M1會關(guān)斷。
在時區(qū)T3時鐘信號DP2由“高”狀態(tài)轉(zhuǎn)換為“低”狀態(tài)。
此時，節(jié)點N4的電壓會逐漸被拉下或降壓至更負(fù)的電壓程度。
由于節(jié)點N4電壓更負(fù)的緣故，通道晶體管M2會完全導(dǎo)通，使得電荷流(charge flow)由節(jié)點N5流到節(jié)點N2。
在時區(qū)T3時，通道晶體管M1和M3保持關(guān)斷。
在電荷分布后，節(jié)點N5的電壓與節(jié)點N2的電壓相同，而體效應(yīng)所造成的影響會很小甚至可被忽略。而Vt和Vsb的值可通過下式估算Vt＝Vt0+r(√(2φf+Vsb)-√2φf)，其中r≈0.6，2φf＝0.65。
因此，對應(yīng)Vsb＝0與Vsb＝6V的Vt，其ΔVt≈1V。
在時區(qū)T4時鐘信號DP2由“低”狀態(tài)轉(zhuǎn)換為“高”狀態(tài)。
此時，節(jié)點N4的電壓被拉高至?xí)r區(qū)T2的程度，亦即VN4＝VN3+VT(M8)。通道晶體管M2關(guān)斷，通道晶體管M1和M3保持關(guān)斷。
在時區(qū)T5時鐘信號DP3由“高”狀態(tài)轉(zhuǎn)換為“低”狀態(tài)。節(jié)點N5和節(jié)點N3的電壓會被拉至最低的電壓程度。
此時，預(yù)充電晶體管M8導(dǎo)通，節(jié)點N4的電壓與節(jié)點N2的電壓相同。然后通道晶體管M2關(guān)斷。節(jié)點N6的電壓被拉下至節(jié)點N5加上晶體管M10啟始電壓的電壓值大小，亦即VN6＝VN5+VT(M10)。節(jié)點N7的電壓被拉下至節(jié)點N6加上預(yù)充電晶體管M11啟始電壓的電壓值大小，亦即VN7＝VN6+VT(M11)。
在時區(qū)T6時鐘信號DP1由“低”狀態(tài)轉(zhuǎn)換為“高”狀態(tài)。節(jié)點N2與節(jié)點N6的電壓會升高。此外，節(jié)點N6的電壓放電至節(jié)點N5加上晶體管M10啟始電壓的電壓值大小，亦即VN6＝VN5+VT(M10)。因此，電路操作有如子負(fù)電荷泵電路。
此時，預(yù)充電晶體管M4會關(guān)斷，以及節(jié)點N1接地。預(yù)充電晶體管M11關(guān)斷，節(jié)點N7的電壓保持在時區(qū)T5的程度，亦即VN7＝VN6+VT(M11)。預(yù)充電晶體管M8導(dǎo)通，因此通道晶體管M2關(guān)斷。
在時區(qū)T7時鐘信號DP4由“高”狀態(tài)轉(zhuǎn)換為“低”狀態(tài)。
此時，節(jié)點N1和N7的電壓會被拉下至更負(fù)的電壓程度，以及通道晶體管M1和M3完全導(dǎo)通。因為節(jié)點N4和節(jié)點N2的電壓相同，通道晶體管M2會關(guān)斷。在電荷分享之后，節(jié)點N2的電壓等同于接地，以及節(jié)點NCP的電壓與節(jié)點N5的電壓相同。于是體效應(yīng)的影響變得不顯著，如上所述。
在時區(qū)T8時鐘信號DP4由”低”狀態(tài)轉(zhuǎn)換為”高”狀態(tài)。此時，節(jié)點N1和N7的電壓會升高至約與時區(qū)T6相同的電壓程度。預(yù)充電晶體管M8導(dǎo)通，通道晶體管M2保持關(guān)斷。
在一實施例中，電路可以利用在單一N型阱(N-well)中的小布局，而其它實施例，當(dāng)然也可以利用在多重阱中的布局。舉例而言，在NMOS電荷泵電路中，其需要將晶體管的阱分開，且其大小為PMOS電荷泵電路的兩倍，因為其可以利用單一阱。
本發(fā)明雖以優(yōu)選實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可進(jìn)行更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以所提出的權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電荷泵電路，包括一第一電荷泵級，包含一第一子電荷泵電路，耦合至一第一預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其中該第一子電荷泵電路用以降壓該第一預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的一柵極，藉以增加該第一預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的預(yù)充電效率；以及一第二電荷泵級，耦合至該第一電荷泵級，該第二電荷泵級包含一第二子電荷泵電路，耦合至一第二預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其中該第二子電荷泵電路用以降壓該第二預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的一柵極，藉以增加該第二預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的預(yù)充電效率。
2.如權(quán)利要求1所述的電荷泵電路，還包括一第一放電晶體管，耦合至該第一預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的該柵極；以及一第二放電晶體管，耦合至該第二預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的該柵極。
3.如權(quán)利要求1所述的電荷泵電路，還包括一放電晶體管，具有一源極、一漏極與一柵極電容，其中該源極耦合至接地、該漏極耦合至該第一預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的該柵極、以及該柵極電容耦合至一控制信號，且該控制信號的啟動導(dǎo)致該放電晶體管對該第一預(yù)充電晶體管放電。
4.如權(quán)利要求1所述的電荷泵電路，還包括一第一通道晶體管；一第一初始化晶體管，耦合至該第一通道晶體管，其中該第一初始化晶體管對該第一通道晶體管的漏極進(jìn)行初始化；一第二通道晶體管；以及一第二初始化晶體管，耦合至該第二通道晶體管，其中該第二初始化晶體管對該第二通道晶體管的漏極進(jìn)行初始化。
5.如權(quán)利要求1所述的電荷泵電路，還包括一第一時鐘信號；一第一電容，耦合在該第一時鐘信號與該第一預(yù)充電晶體管的柵極之間；一第二時鐘信號；以及一第二電容，耦合在該第二時鐘信號與該第二預(yù)充電晶體管的柵極之間。
6.如權(quán)利要求1所述的電荷泵電路，還包括一初始級，包含一通道晶體管，該通道晶體管具有一源極、一漏極與一柵極電容，其中該源極耦合至接地、該漏極耦合至該第一預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極、以及該柵極電容耦合至一第三時鐘信號。
7.如權(quán)利要求1所述的電荷泵電路，還包括一負(fù)電荷泵輸出信號。
8.一種電荷泵電路，包括一預(yù)充電晶體管，具有一源極、一柵極與一漏極；一放電晶體管，耦合至該預(yù)充電晶體管的該柵極，其中，該放電晶體管選擇性地將該預(yù)充電晶體管放電；一通道晶體管，耦合至該預(yù)充電晶體管的該源極；以及一初始化晶體管，耦合至該通道晶體管，其中，該初始化晶體管對該通道晶體管的漏極進(jìn)行初始化。
9.如權(quán)利要求8所述的電荷泵電路，其中該預(yù)充電晶體管的該柵極電壓被降壓，藉以增加該預(yù)充電晶體管的預(yù)充電效率。
10.如權(quán)利要求8所述的電荷泵電路，還包括一時鐘信號，耦合至該預(yù)充電晶體管的該柵極；一晶體管設(shè)置為一二極管，具有一啟始電壓，耦合在該預(yù)充電晶體管的該柵極與該源極之間，其中該預(yù)充電晶體管的該柵極放電至一電壓程度，該電壓程度約等于該預(yù)充電晶體管的該源極加上該啟始電壓的電壓值大小，至少部分對應(yīng)于該時鐘信號的一第一轉(zhuǎn)換。
11.如權(quán)利要求8所述的電荷泵電路，還包括一第二通道晶體管，具有一源極，耦合至該第一通道晶體管的漏極；一電荷泵級，耦合至該第二通道晶體管，該電荷泵級包括一第二預(yù)充電晶體管，具有一源極、一柵極與一漏極；一第二放電晶體管，耦合至該第二預(yù)充電晶體管的該柵極，其中，該第二放電晶體管選擇性地將該第二預(yù)充電晶體管放電；一第三通道晶體管，耦合至該第二通道晶體管的源極；以及一第二初始化晶體管，耦合至該第二通道晶體管，其中，該初始化晶體管對該第二通道晶體管的漏極進(jìn)行初始化。
12.一種存儲器組件，包括多個非易失性存儲器單元；以及一電荷泵電路，耦合至該多個非易失性存儲器單元，該電荷泵電路包括一預(yù)充電晶體管，其具有一源極、一柵極與一漏極；一放電晶體管，耦合至該預(yù)充電晶體管的該柵極，其中該放電晶體管選擇性地對該預(yù)充電晶體管放電；一通道晶體管，耦合至該預(yù)充電晶體管的該源極；以及一初始化晶體管，耦合至該通道晶體管，其中該初始化晶體管對該通道晶體管的漏極進(jìn)行初始化。
13.如權(quán)利要求12所述的存儲器組件，還包括一第一阱，其中該電荷泵電路設(shè)置于該第一阱中。
14.如權(quán)利要求12所述的存儲器組件，其中該預(yù)充電晶體管的該柵極電壓被降壓，藉以增加該預(yù)充電晶體管的預(yù)充電效率。
15.如權(quán)利要求12所述的存儲器組件，還包括一時鐘信號，耦合至該預(yù)充電晶體管的該柵極；一晶體管設(shè)置為一二極管，具有一啟始電壓，耦合在該預(yù)充電晶體管的該柵極與該源極之間，其中該預(yù)充電晶體管的該柵極放電至一電壓程度，該電壓程度約等于該預(yù)充電晶體管的該源極加上該啟始電壓的電壓值大小，至少部分對應(yīng)于該時鐘信號的一第一轉(zhuǎn)換。
16.如權(quán)利要求12所述的存儲器組件，還包括一第二通道晶體管，具有一源極，耦合至該第一通道晶體管的漏極；一電荷泵級，耦合至該第二通道晶體管，該電荷泵級包括一第二預(yù)充電晶體管，具有一源極、一柵極與一漏極；一第二放電晶體管，耦合至該第二預(yù)充電晶體管的該柵極，其中，該第二放電晶體管選擇性地將該第二預(yù)充電晶體管放電；一第三通道晶體管，耦合至該第二通道晶體管的源極；以及一第二初始化晶體管，耦合至該第二通道晶體管，其中，該初始化晶體管對該第二通道晶體管的漏極進(jìn)行初始化。
全文摘要
一種電荷泵電路，包括一電荷泵級，其包含耦合至預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的子電荷泵電路，其用以降壓上述預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極，以增加預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的預(yù)充電效率。而預(yù)充電金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的預(yù)充電效率越高，則通道晶體管的柵極電壓越低。所以，充電分配效率越好，體效應(yīng)所造成的影響便可以消除。后續(xù)的電荷泵級亦與上述電荷泵級相同。此外，本發(fā)明實施例僅實施于P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)上，因此，只需單一阱以及小布局即可。如此便可獲得本發(fā)明的高效率負(fù)電荷泵電路。
文檔編號H01L27/115GK1794356SQ20051007617
公開日2006年6月28日 申請日期2005年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月21日
發(fā)明者陳冠宇, 王懿締 申請人:旺宏電子股份有限公司