專利名稱：基板處理裝置和基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及向半導(dǎo)體晶片、光掩模用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、等離子體顯示用玻璃基板、光盤用基板等的各種基板供給處理液、并對該基板實(shí)施清洗處理等的處理的基板處理裝置和基板處理方法。
背景技術(shù)：
以前，作為這種基板處理裝置，有這樣的基板處理裝置將半導(dǎo)體晶片等的基板支承在圍繞垂直軸旋轉(zhuǎn)自如地被支承的圓盤狀的旋轉(zhuǎn)底座構(gòu)件上，在使基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，向基板的上下表面供給藥液等的處理液而處理基板(參照專利文獻(xiàn)1)。在該專利文獻(xiàn)1所記載的基板處理裝置中，用設(shè)置在旋轉(zhuǎn)底座構(gòu)件的外周端部附近的多根、例如3根卡盤銷作為保持構(gòu)件對基板定位并支承基板。因此，能將來自旋轉(zhuǎn)底座構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力傳遞給基板，在水平方向上限制基板，同時(shí)使基板旋轉(zhuǎn)。而且，由于在向基板上下表面的中心供給處理液的同時(shí)使基板旋轉(zhuǎn)，從而通過離心力使處理液向基板外周側(cè)擴(kuò)展，進(jìn)行對基板上下表面整個(gè)面的處理。這里，從基板周邊飛散的處理液往往碰上配置在旋轉(zhuǎn)底座構(gòu)件周圍的防飛散用罩等而彈回，并再次附著在基板上。因此，為了防止這種情況，接近基板上表面配置遮斷構(gòu)件，限制基板上表面?zhèn)鹊目臻g，同時(shí)將氮?dú)獾榷栊詺怏w導(dǎo)入到該被限制的空間中。并且，在基板下表面?zhèn)?，也同樣向在作為遮斷?gòu)件的旋轉(zhuǎn)底座構(gòu)件和基板下表面?zhèn)戎g形成的空間中導(dǎo)入惰性氣體，防止處理液對基板下表面?zhèn)鹊脑俅胃街?br> 專利文獻(xiàn)1日本專利申請?zhí)亻_平11-176795號公報(bào)(第4頁-第6頁，圖2)。
但是，在基板的外周端部附近設(shè)置卡盤銷作為保持構(gòu)件，而將基板定位并支承在水平方向的方式中，往往在處理中沿著基板表面朝向直徑方向外側(cè)的處理液直接碰上卡盤銷而彈回，不排出到基板外，而再次附著在基板表面上。另外，由于旋轉(zhuǎn)底座構(gòu)件旋轉(zhuǎn)，在旋轉(zhuǎn)底座構(gòu)件上朝向上方設(shè)置的卡盤銷打亂基板端面周圍的氣流。其結(jié)果，在處理中飛散的霧狀處理液往往被卷入并侵入到基板和遮斷構(gòu)件(或旋轉(zhuǎn)底座構(gòu)件)之間形成的空間中，再次附著在基板表面上。并且，為了處理基板被卡盤銷保持的保持部分，有時(shí)在處理中途開閉基板的卡盤銷(解除保持基板)，但這時(shí)因卡盤銷而使向著基板直徑方向外側(cè)運(yùn)動(dòng)的處理液特別容易彈回。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而研制的，其目的在于在使基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)、向基板供給處理液而對該基板實(shí)施規(guī)定的處理的基板處理裝置和基板處理方法中，能有效地防止處理液對基板表面的再次附著。
本發(fā)明的基板處理裝置，是在使基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)向基板供給處理液而實(shí)施規(guī)定的處理的基板處理裝置，為了達(dá)到上述目的，具有旋轉(zhuǎn)構(gòu)件，其圍繞垂直軸旋轉(zhuǎn)自如地設(shè)置；旋轉(zhuǎn)裝置，其使旋轉(zhuǎn)構(gòu)件旋轉(zhuǎn)；支承裝置，其具有在旋轉(zhuǎn)構(gòu)件上朝向上方設(shè)置的、與基板的下表面接觸并使該基板從旋轉(zhuǎn)構(gòu)件離開并支承該基板的至少3個(gè)或3個(gè)以上的支承構(gòu)件；按壓裝置，其通過向基板的上表面供給氣體，將基板按壓在支承構(gòu)件上，并使基板保持于旋轉(zhuǎn)構(gòu)件上。
另外，本發(fā)明的基板處理方法，是在使基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)向上述基板供給處理液而實(shí)施規(guī)定的處理的基板處理方法，為了達(dá)到上述目的，具有通過使在旋轉(zhuǎn)構(gòu)件上朝向上方設(shè)置的至少3個(gè)或3個(gè)以上的支承構(gòu)件與上述基板的下表面接觸，使該基板從上述旋轉(zhuǎn)構(gòu)件離開并支承該基板的工序；通過向上述基板的上表面供給氣體而將該基板按壓在上述支承構(gòu)件上，從而由上述旋轉(zhuǎn)構(gòu)件保持該基板的工序；通過使該旋轉(zhuǎn)構(gòu)件圍繞垂直軸旋轉(zhuǎn)，使上述基板旋轉(zhuǎn)的工序。
在這樣構(gòu)成的發(fā)明中，用與基板的下表面接觸的至少3個(gè)或其以上的支承構(gòu)件而離開一定間隔地支承基板，同時(shí)用從按壓裝置向基板的上表面供給的氣體將基板按壓在支承構(gòu)件上并被旋轉(zhuǎn)構(gòu)件保持。而且，通過旋轉(zhuǎn)裝置使旋轉(zhuǎn)構(gòu)件旋轉(zhuǎn)，從而將被按壓在支承構(gòu)件上的基板以在支承構(gòu)件和基板之間產(chǎn)生的摩擦力而支承在支承構(gòu)件上的同時(shí)，與旋轉(zhuǎn)構(gòu)件一起旋轉(zhuǎn)。因而，基板在旋轉(zhuǎn)中不會(huì)向直徑方向飛出，被旋轉(zhuǎn)構(gòu)件保持而進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。由于這樣將基板保持在旋轉(zhuǎn)構(gòu)件上，能夠不需要與基板外周端部接觸而保持基板的保持構(gòu)件(例如卡盤銷等)。因此，沿著基板表面朝向直徑方向外側(cè)的處理液不會(huì)因基板的旋轉(zhuǎn)而直接碰上保持構(gòu)件并向基板表面彈回。另外，由于沒有打亂基板外周端部附近的氣流的因素，能減輕處理液霧卷入到基板表面?zhèn)?。由此，能有效防止處理液對基板表面的再次附著?br> 并且，還可以具有驅(qū)動(dòng)裝置，該驅(qū)動(dòng)裝置對支承裝置提供驅(qū)動(dòng)力，支承裝置具有至少4個(gè)或4個(gè)以上的相對于基板的下表面離開、接觸自如地設(shè)置的可動(dòng)構(gòu)件，而作為支承構(gòu)件，受到來自驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)力，至少3個(gè)或3個(gè)以上的可動(dòng)構(gòu)件與基板的下表面接觸并支承基板，同時(shí)向基板的下表面供給處理液而執(zhí)行處理，而且，驅(qū)動(dòng)裝置在處理中使可動(dòng)構(gòu)件的每一個(gè)從基板的下表面離開至少1次或1次以上。若使用該構(gòu)成，至少3個(gè)或其以上的可動(dòng)構(gòu)件作為支承構(gòu)件與基板下表面接觸而支承著基板，同時(shí)用向基板上表面供給的氣體將基板按壓在可動(dòng)構(gòu)件上，所以與旋轉(zhuǎn)構(gòu)件一起旋轉(zhuǎn)。而且，在向基板下表面供給處理液的同時(shí)，在處理中使可動(dòng)構(gòu)件的每一個(gè)從基板下表面離開至少1次或其以上，處理液也能蔓延(回り込み)到可動(dòng)構(gòu)件與基板下表面接觸的部分，處理基板下表面整體。
這里，按壓裝置也可以具有板狀構(gòu)件，其具有與基板的上表面相對向的、設(shè)置有氣體噴出口的對向面；氣體供給部，其通過從設(shè)置在對向面的氣體噴出口噴出氣體，向在對向面和基板的上表面之間形成的空間引導(dǎo)并供給氣體。若根據(jù)該構(gòu)成，由于從設(shè)置在對向面的氣體噴出口噴出氣體，將氣體供給到在對向面和基板上表面之間形成的空間。其結(jié)果，通過被供給到該空間的氣體的按壓力，能將基板按壓在與基板下表面接觸并支承該基板的支承構(gòu)件上。而且，當(dāng)在支承構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)軌跡上設(shè)置氣體噴出口并沿大致垂直方向噴出氣體時(shí)，由于直接向?qū)?yīng)于基板下表面與支承構(gòu)件接觸的部分的基板上表面?zhèn)裙┙o氣體，所以能可靠而且以必要的最小限度的氣體供給量，有效地將基板保持在旋轉(zhuǎn)構(gòu)件上。
作為基板的保持形式，既可以對在固定了板狀構(gòu)件的狀態(tài)下進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板供給氣體而將基板保持在旋轉(zhuǎn)構(gòu)件上，也可以使板狀構(gòu)件能圍繞垂直軸旋轉(zhuǎn)地構(gòu)成，在使板狀構(gòu)件與基板一起旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下將基板保持在旋轉(zhuǎn)構(gòu)件上。在使板狀構(gòu)件與基板一起旋轉(zhuǎn)時(shí)，能防止在基板和板狀構(gòu)件之間產(chǎn)生伴隨著旋轉(zhuǎn)的多余的氣流，能進(jìn)行更好的基板處理。
這里，設(shè)置向被按壓在支承構(gòu)件上而進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板的下表面供給處理液的下表面?zhèn)忍幚硪汗┙o裝置時(shí)，能進(jìn)行被稱之所謂的斜面(ベベル)處理的基板處理。即，通過向基板下表面供給處理液，該處理液因離心力而從基板下表面沿著基板的周端面，蔓延到基板的上表面，能進(jìn)行基板上表面周邊部的處理。這時(shí)，通過調(diào)整基板的旋轉(zhuǎn)速度、處理液的供給量和向基板供給的氣體的流量，能進(jìn)行選擇性地蝕刻(斜面蝕刻)基板上表面周邊部的區(qū)域等的處理。
在本發(fā)明中，按壓裝置向著由從下表面?zhèn)忍幚硪汗┙o裝置向基板下表面供給并蔓延到基板的上表面周邊部的處理液處理的上表面處理區(qū)域的內(nèi)側(cè)的非處理區(qū)域供給氣體，支承構(gòu)件接觸并支承著與基板上表面?zhèn)鹊姆翘幚韰^(qū)域?qū)?yīng)的基板下表面?zhèn)?，所以能得到以下的作用效果。即，處理液向基板上表面周邊部的蔓延量均勻，能大幅提高對基板上表面周邊部的處理的均勻性。更具體地說，例如，在用卡盤銷等保持構(gòu)件保持基板外周端部進(jìn)行斜面處理(ベベル処理)時(shí)，在處理中用卡盤銷保持基板外周端部的關(guān)系方面，在基板上表面周邊部內(nèi)，在用卡盤銷保持的部分和不是那樣的部分中，處理液蔓延量不同，妨害處理液蔓延量的均勻性。其結(jié)果，有不能均勻處理基板的上表面周邊部(發(fā)生處理不均)這樣的問題。另一方面，若根據(jù)本發(fā)明，由于使支承構(gòu)件接觸并支承基板下表面?zhèn)?，同時(shí)向其上表面?zhèn)裙┙o氣體，由此保持基板，所以不妨害處理液的蔓延，能使處理液向基板上表面周邊部的蔓延量均勻。另外，通過向基板上表面處理區(qū)域內(nèi)側(cè)的非處理區(qū)域供給氣體，能防止藥液向非處理區(qū)域的侵入，同時(shí)能使來自基板直徑方向的周端面的處理液的蔓延幅度均勻。
也可以設(shè)置向被按壓在支承構(gòu)件上并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板的上表面周邊部供給處理液的上表面?zhèn)忍幚硪汗┙o裝置。若根據(jù)該構(gòu)成，由于從上表面?zhèn)忍幚硪汗┙o裝置直接向基板上表面周邊部供給處理液，能自由而且高精度控制來自基板直徑方向的外周端部的處理幅度。另外，例如對于作為一種基板的半導(dǎo)體晶片的切口部分，也能使處理液向切口部分的蔓延幅度均勻性良好。
若使用該發(fā)明，基板通過與基板下表面接觸的支承構(gòu)件而從旋轉(zhuǎn)構(gòu)件離開并被支承著，同時(shí)通過向基板上表面供給氣體而被按壓在支承構(gòu)件上并被旋轉(zhuǎn)構(gòu)件保持。因而，能夠不需要與基板外周端部接觸并保持基板的保持構(gòu)件。因此，通過基板的旋轉(zhuǎn)而沿著基板表面向著直徑方向外側(cè)的處理液不會(huì)直接觸及構(gòu)件而使處理液彈回。另外，由于打亂基板外周端部附近的氣流的因素沒有了，所以能減輕霧狀處理液卷入基板表面?zhèn)?。因此，能防止處理液對基板表面的再次附著?br>

圖1是表示本發(fā)明基板處理裝置的第一實(shí)施形式的圖。
圖2是從上方觀察圖1所示的基板處理裝置的旋轉(zhuǎn)底座的俯視圖。
圖3是圖1所示的基板處理裝置的環(huán)境遮斷板的仰視圖。
圖4是表示圖1所示的基板處理裝置的支承部的結(jié)構(gòu)的局部截面圖。
圖5是說明圖1所示的基板處理裝置的按壓支承的條件用的圖。
圖6是表示本發(fā)明基板處理裝置的第二實(shí)施形式的圖。
圖7是圖6所示的基板處理裝置的俯視圖。
圖8是圖6所示的基板處理裝置的環(huán)境遮斷板的仰視圖。
圖9是表示圖6所示的基板處理裝置的動(dòng)作的流程圖。
圖10是表示本發(fā)明基板處理裝置的第三實(shí)施形式的圖。
圖11是圖10所示的基板處理裝置的局部截面圖。
圖12是表示圖10所示的基板處理裝置的動(dòng)作的流程圖。
圖13A、圖13B是表示圖6所示的基板處理裝置的變形形式的局部截面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是表示本發(fā)明基板處理裝置的第一實(shí)施形式的圖。該基板處理裝置是向半導(dǎo)體晶片等的基板W的表面供給化學(xué)藥品或有機(jī)溶劑等的藥液和純水或DIW等的沖洗液(以下稱為“處理液”)，而對基板W實(shí)施藥液處理、沖洗處理后進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥的裝置。該基板處理裝置中，能對基板W的下表面供給處理液，進(jìn)行對其下表面的處理，而且由于對基板W的下表面供給處理液，能使處理液從基板W的下表面沿著基板W的周端面蔓延到其上表面(器件形成面)，進(jìn)行基板W上表面周邊部的處理(斜面處理)。再對基板W的上表面供給處理液，能進(jìn)行其上表面的處理。
該基板處理裝置，中空的旋轉(zhuǎn)軸1與電動(dòng)機(jī)3的旋轉(zhuǎn)軸連接，通過電動(dòng)機(jī)3的驅(qū)動(dòng)而能夠圍繞垂直軸J旋轉(zhuǎn)。在該旋轉(zhuǎn)軸1的上端部用螺栓等連接零件將旋轉(zhuǎn)底座5連接成一體。因而，通過電動(dòng)機(jī)3的驅(qū)動(dòng)，能使旋轉(zhuǎn)底座5圍繞垂直軸J旋轉(zhuǎn)。在旋轉(zhuǎn)底座5的周邊附近，從旋轉(zhuǎn)底座5向上方突出設(shè)置著多個(gè)支承部7，其在與基板W的下表面周邊部接觸的同時(shí)，支承著基板W。而且，通過多個(gè)支承部7在從旋轉(zhuǎn)底座5離開規(guī)定的間隔的狀態(tài)下，水平支承著基板W。這樣，在該實(shí)施形式中，旋轉(zhuǎn)底座5相當(dāng)于本發(fā)明的“旋轉(zhuǎn)構(gòu)件”。
圖2是從上方觀察旋轉(zhuǎn)底座5的俯視圖。在旋轉(zhuǎn)底座5，在其中心部設(shè)置有開口，同時(shí)在其周邊部附近設(shè)置著多個(gè)(在該實(shí)施形式中為12個(gè))支承部7。而且，12個(gè)支承部7以垂直軸J為中心，以每30度的等角度間隔配置成放射狀。這里，為了水平支承基板W，支承部7的個(gè)數(shù)只要至少為3個(gè)或其以上即可，但為了處理支承部7與基板W下表面接觸的部分，在相對于基板W下表面接觸、離開自如地構(gòu)成支承部7的同時(shí)，最好在處理中使支承部7從基板W下表面離開至少1次或其以上。因此，為了也包含支承部7與基板W下表面接觸的部分而處理基板W下表面，需要至少4個(gè)或其以上的支承部7。作為實(shí)施形式的12個(gè)的倍數(shù)的24個(gè)還能更穩(wěn)定、沒有問題地實(shí)施。以后詳述支承部7的結(jié)構(gòu)和動(dòng)作。
另外，該基板處理裝置具有環(huán)境遮斷板9，其如圖1所示與旋轉(zhuǎn)底座5相對向而配置，用于遮斷基板W上表面?zhèn)鹊沫h(huán)境；氣體供給部21，其向在該環(huán)境遮斷板9和基板W上表面之間形成的空間SP供給氮?dú)獾榷栊詺怏w(相當(dāng)于本發(fā)明的“氣體供給部”)。通過從氣體供給部21向基板W上表面的空間SP供給惰性氣體，從而能將基板W按壓在支承部7上而由旋轉(zhuǎn)底座5保持基板W。關(guān)于能使按壓在支承部7的基板W由旋轉(zhuǎn)底座5保持的同時(shí)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的條件，以后詳述。
該環(huán)境遮斷板9安裝在具有中空的筒狀的支承軸11的下端部，并可一體旋轉(zhuǎn)。該支承軸11上連接著具有電動(dòng)機(jī)9m的遮斷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(圖示省略)，通過驅(qū)動(dòng)遮斷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的電動(dòng)機(jī)9m，使環(huán)境遮斷板9與支承軸11一起圍繞和旋轉(zhuǎn)底座5的旋轉(zhuǎn)軸同軸設(shè)置的垂直軸J旋轉(zhuǎn)?？刂撇?0，通過控制而使遮斷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的電動(dòng)機(jī)9m與電動(dòng)機(jī)3同步，從而能夠以與旋轉(zhuǎn)底座5相同的旋轉(zhuǎn)方向和相同的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)環(huán)境遮斷板9。通過使遮斷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的升降驅(qū)動(dòng)用執(zhí)行元件(例如氣缸等)動(dòng)作，使環(huán)境遮斷板9接近旋轉(zhuǎn)底座5，或者相反離開旋轉(zhuǎn)底座5。
圖3是環(huán)境遮斷板9的仰視圖。該環(huán)境遮斷板9比基板W的直徑大一點(diǎn)兒，在其中心部具有開口。環(huán)境遮斷板9被配置在旋轉(zhuǎn)底座5的上方，其下表面(底面)成為與基板W的上表面相對向的對向面9a。在該對向面9a上開口多個(gè)氣體噴出口9b。而且，多個(gè)氣體噴出口9b排列在與設(shè)置在旋轉(zhuǎn)底座5上的支承部7對應(yīng)的位置上。詳細(xì)地說，多個(gè)氣體噴出口9b沿著以垂直軸J為中心的圓周等間隔地配置在支承部7的旋轉(zhuǎn)軌跡Ta(圖2)上。這些噴出口9b與環(huán)境遮斷板9內(nèi)部的氣體流通空間9c連通。還有，氣體噴出口不限于多個(gè)開口，也可以是單一開口，例如，也可以是以垂直軸J為中心而呈同心圓狀遍及全周開口成環(huán)狀的結(jié)構(gòu)。但是，使其為多個(gè)氣體噴出口9b，在得到氣體噴出壓的均勻性方面是有利的。這樣，在本實(shí)施形式中，環(huán)境遮斷板9相當(dāng)于本發(fā)明的“板狀構(gòu)件”，氣體噴出口9b相當(dāng)于本發(fā)明的“氣體噴出口”。
返回到圖1繼續(xù)進(jìn)行說明。為了向在該環(huán)境遮斷板9的內(nèi)部形成的氣體流通空間9c供給氣體，氣體流通空間9c通過配管25與氣體供給部21連通連接。該配管25上設(shè)置有由控制部80進(jìn)行開閉控制的開閉閥23。因此，通過控制部80打開開閉閥23，從氣體供給部21向氣體流通空間9c供給氮?dú)獾榷栊詺怏w，從多個(gè)空氣噴出口9b向基板W的上表面噴出惰性氣體。另外，這樣形成多個(gè)空氣噴出口9b，即，其被設(shè)置在環(huán)境遮斷板9的對向面9a，以便配置在支承部7的旋轉(zhuǎn)軌跡Ta上，沿大致垂直方向噴出惰性氣體。
而且，通過從多個(gè)空氣噴出口9b的每一個(gè)均勻噴出惰性氣體，基板W被均勻地按壓于在旋轉(zhuǎn)底座5上朝向上方突出設(shè)置的各支承部7上。因此，基板W水平地保持在旋轉(zhuǎn)底座5上。這里，由于向?qū)?yīng)于支承部7與基板W下表面接觸的部分的基板W的上表面?zhèn)戎苯庸┙o惰性氣體，所以能可靠而且以必要的最小限度的氣體供給量，有效地將基板W保持在旋轉(zhuǎn)底座5上。還有，來自多個(gè)空氣噴出口9b的惰性氣體不限于向支承部7的旋轉(zhuǎn)軌跡Ta上供給的情況，也可以向支承部7的旋轉(zhuǎn)軌跡Ta的直徑方向內(nèi)側(cè)或外側(cè)供給。
在環(huán)境遮斷板9的中心的開口和支承軸11的中空部同軸設(shè)置上部清洗噴嘴12，從其下端部的噴嘴口12a向按壓保持在旋轉(zhuǎn)底座5上的基板W的上表面的旋轉(zhuǎn)中心附近供給藥液、沖洗液等的處理液。該上部清洗噴嘴12與配管13連接。該配管13在基端部分支，一個(gè)分支配管13a上連接著藥液供給源31，另一個(gè)分支配管13b上連接著沖洗液供給源33。各分支配管13a、13b上設(shè)置有開閉閥15、17，通過控制裝置全體的控制部80對開閉閥15、17的開關(guān)控制，能從上部清洗噴嘴12向基板W的上表面選擇性地轉(zhuǎn)換供給藥液和沖洗液。
支承軸11中空部的內(nèi)壁面和上部清洗噴嘴12的外壁面之間的間隙成為氣體供給路徑18。該氣體供給路徑18通過設(shè)置有開閉閥19的配管27而與氣體供給源35連通。從而，用上部清洗噴嘴12進(jìn)行藥液處理和沖洗液處理后，通過控制部80對開閉閥19的開閉控制，通過氣體供給路徑18而向基板W的上表面和環(huán)境遮斷板9的對向面9a之間的空間SP供給清潔空氣和惰性氣體等的氣體，從而能進(jìn)行基板W的干燥處理。
在旋轉(zhuǎn)軸1的中空部同軸設(shè)置著相當(dāng)于本發(fā)明的“下表面?zhèn)忍幚硪汗┙o裝置”的下部清洗噴嘴41，從其上端部的噴嘴口41a向基板W的下表面的旋轉(zhuǎn)中心附近供給處理液。該下部清洗噴嘴41與配管43連接。該配管43在基端部分支，一個(gè)分支配管43a連接著藥液供給源31，另一個(gè)分支配管43b連接著沖洗液供給源33。各分支配管43a、43b上設(shè)置有開閉閥45、47，通過控制裝置全體的控制部80對開閉閥45、47的開閉控制，能從下部清洗噴嘴41向基板W的下表面選擇性地轉(zhuǎn)換供給藥液和沖洗液。
另外，旋轉(zhuǎn)軸1的內(nèi)壁面和下部清洗噴嘴41的外壁面之間的間隙形成圓筒狀的氣體供給路徑48。該氣體供給路徑48通過設(shè)置有開閉閥49的配管51與氣體供給源35連通，通過控制部80對開閉閥49的開閉控制，通過氣體供給路徑48向基板W的下表面和旋轉(zhuǎn)底座5的對向面之間的空間供給清潔空氣和惰性氣體等的氣體。
接著，說明支承部7的構(gòu)成和動(dòng)作。圖4是表示支承部7的結(jié)構(gòu)的截面圖。由于上述多個(gè)支承部7都具有同樣的結(jié)構(gòu)，這里參照附圖僅對一個(gè)支承部7的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖4所示，形成旋轉(zhuǎn)底座5的上表面周邊部向上方凸?fàn)钌斐龅耐怀霾?a，該突出部5a被形成為向上方開口的中空的圓筒形狀。該支承部7設(shè)置在突出部5a的內(nèi)部，具有薄膜構(gòu)件71、可動(dòng)桿73和驅(qū)動(dòng)部75。該薄膜構(gòu)件71被形成為向下方開口的中空的圓筒形狀，由具有撓性的材料構(gòu)成。該薄膜構(gòu)件71被設(shè)置在突出部5a的內(nèi)部，從而使薄膜構(gòu)件71的外周緊密附著于突出部5a的內(nèi)周?？蓜?dòng)桿73被設(shè)置在薄膜構(gòu)件71的內(nèi)部，在上下方向上移動(dòng)自如地被支承著，能與薄膜構(gòu)件71上端中央的底面離開、接觸。驅(qū)動(dòng)部75例如由電動(dòng)機(jī)構(gòu)成，通過圖示省略的驅(qū)動(dòng)連接部與可動(dòng)桿73連接，使可動(dòng)桿73上下移動(dòng)。驅(qū)動(dòng)部75不限于電動(dòng)機(jī)，也可以使用氣缸等的執(zhí)行元件全體。
在具有上述構(gòu)成的支承部7，通過來自控制部80的驅(qū)動(dòng)信號，驅(qū)動(dòng)部75通過驅(qū)動(dòng)連接部使可動(dòng)桿73上升驅(qū)動(dòng)，可動(dòng)桿73的前端部與薄膜構(gòu)件71上端中央的底面接觸，推上薄膜構(gòu)件71的上端中央。因此，薄膜構(gòu)件71的上表面超過旋轉(zhuǎn)底座5的突出部5a的上端而突出。因此，由于使多個(gè)支承部7的薄膜構(gòu)件71全部(或至少3個(gè)以上)突出，使薄膜構(gòu)件71與基板W下表面接觸，同時(shí)使基板W從旋轉(zhuǎn)底座5的突出部5a上表面離開(例如1mm程度)，而能水平支承。
另一方面，在驅(qū)動(dòng)部75下降驅(qū)動(dòng)可動(dòng)桿73時(shí)，可動(dòng)桿73的前端部從薄膜構(gòu)件71上表面中央的底面離開，薄膜構(gòu)件71的上表面因其撓性而自然退避到和旋轉(zhuǎn)底座5的突出部5a上端相同的平面上。因此，多個(gè)支承部7的突出的薄膜構(gòu)件71中至少保留3個(gè)，使其一部分下降，從而能使下降的薄膜構(gòu)件71從基板W下表面離開。還有，這樣的薄膜構(gòu)件71由在具有撓性的同時(shí)對處理液具有耐腐蝕性的樹脂成形而成。最好用PCTFE(聚三氟氯乙烯)等的氟樹脂。這樣，在該實(shí)施形式中，薄膜構(gòu)件71相當(dāng)于本發(fā)明的“支承構(gòu)件”，驅(qū)動(dòng)部75相當(dāng)于本發(fā)明的“驅(qū)動(dòng)裝置”。
這里，就向基板W下表面供給處理液并沿著基板W的周端面使處理液蔓延到其上表面而對基板W的上表面周邊部進(jìn)行處理(斜面處理)時(shí)的、由蔓延到上表面周邊部的處理液處理的上表面處理區(qū)域TR和從設(shè)置在環(huán)境遮斷板9的對向面9a的氣體噴出口9b噴出的`惰性氣體的供給位置及支承部7的配設(shè)位置的關(guān)系進(jìn)行說明。向由蔓延到上表面周邊部的處理液處理的上表面處理區(qū)域TR的內(nèi)側(cè)的非處理區(qū)域NTR供給從氣體噴出口9b向基板W的上表面沿大致垂直方向噴出的惰性氣體。另一方面，在旋轉(zhuǎn)底座5的周邊部設(shè)置支承部7，使其與對應(yīng)于供給惰性氣體的非處理區(qū)域NTR的基板W下表面?zhèn)冉佑|并支承著。由于這樣構(gòu)成，能防止處理液對非處理區(qū)域NTR的侵入，同時(shí)能使來自基板W的直徑方向的周端面的處理液的蔓延幅度均勻。這里，環(huán)境遮斷板9的對向面9a的周邊，對應(yīng)于上表面處理區(qū)域TR，對向面呈臺(tái)階差狀往上方后退，從而不妨礙處理液的蔓延。
接著，參照圖5說明使按壓在支承部7上的基板W由旋轉(zhuǎn)底座5保持，同時(shí)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的條件。在將基板W按壓支承在與基板W的下表面接觸的支承部7上的方式下，通過往基板W上表面和環(huán)境遮斷板9的對向面9a之間形成的空間SP供給惰性氣體，提高空間SP的內(nèi)部壓力，將基板W按壓在支承部7上。即，存在這種可能由于沒有與基板W的外周端部接觸并進(jìn)行保持的卡盤銷等保持構(gòu)件，當(dāng)基板W高速旋轉(zhuǎn)時(shí)，基板W向直徑方向外側(cè)飛出。這是因?yàn)椋礁咚傩D(zhuǎn)基板W，供給到空間SP的惰性氣體越容易排出到基板外，空間SP的內(nèi)部壓力下降，除了這些以外，由于基板W的旋轉(zhuǎn)而作用在基板W的離心力，隨著轉(zhuǎn)速越高越大(與轉(zhuǎn)速的平方成比例)。
因此，為了將按壓在支承部7上的基板W保持在旋轉(zhuǎn)底座5上并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，必須在滿足下面不等式的范圍內(nèi)設(shè)定裝置的條件。
F1＜F2這里，符號F1表示作用在基板W上的離心力，符號F2表示在基板W下表面和支承部7之間產(chǎn)生的摩擦力。相對于作用在基板W上的離心力F1作用在直徑方向的外向上，基板W下表面和支承部7之間產(chǎn)生的摩擦力F2作用在和離心力F1反向的直徑方向的內(nèi)向上。這里，離心力一般用mrω2(m質(zhì)量，r從旋轉(zhuǎn)中心到質(zhì)點(diǎn)(m)的半徑，ω角速度)表示，作為決定作用在基板W上的離心力F1的裝置側(cè)的參數(shù)，有旋轉(zhuǎn)底座5的轉(zhuǎn)速R、相對于旋轉(zhuǎn)底座5的旋轉(zhuǎn)軸J的、到基板W物理中心的直徑方向的距離D(以下稱為“偏心量”)和基板W的質(zhì)量。基板W下表面和支承部7之間產(chǎn)生的摩擦力F2，由基板W和支承部7之間產(chǎn)生的摩擦系數(shù)(靜摩擦系數(shù))μ和作用在基板W上的垂直阻力N的積μN(yùn)決定。
因此，本申請的發(fā)明人們通過實(shí)驗(yàn)求出滿足上面不等式的下面5個(gè)裝置側(cè)控制因素的閾值。即，求出(1)旋轉(zhuǎn)底座5的轉(zhuǎn)速R、(2)偏心量D、(3)氣體流量V、(4)基板W的上表面和環(huán)境遮斷板9的對向面9a之間的距離G(以下稱為“間隙”)、(5)基板W和環(huán)境遮斷板9的面振擺、基板W和環(huán)境遮斷板9的平行度的以上5個(gè)參數(shù)的閾值。這里，氣體流量V表示往空間SP供給的惰性氣體的總流量，是從氣體供給路徑18和氣體噴出口9b向基板W上表面供給的氣體流量。所謂基板W和環(huán)境遮斷板9的面振擺，是基板W和環(huán)境遮斷板9分別圍繞旋轉(zhuǎn)軸J旋轉(zhuǎn)時(shí)基板W的表面和對向面9a在垂直方向上振動(dòng)的振擺幅度。所謂基板W和環(huán)境遮斷板9的平行度，是基板W的上表面和對向面9a之間的平行度。
實(shí)驗(yàn)中，使用直徑300mm的硅基板，決定基板W的質(zhì)量和摩擦系數(shù)μ的基板側(cè)材料大致一定。另一方面，摩擦系數(shù)μ因支承部7的材料不同而有很大不同。在與基板W的下表面接觸的支承部7的材料使用SiC、玻璃碳、氧化鋁等時(shí)，摩擦系數(shù)μ比較大，另一方面，在使用氟樹脂類的材料時(shí)，摩擦系數(shù)μ比較小。這里，作為氟樹脂類的材料，例如使用PCTFE(聚三氟氯乙烯)、PVDF(聚偏氟乙烯)、PEEK(聚醚酮醚)、PVC(聚氯乙烯)等。當(dāng)使用作為具有耐藥性、彈性的材料使用于密封環(huán)的卡魯來哧(カルレッツ)(注冊商標(biāo))或高氟合成橡膠時(shí)，摩擦系數(shù)μ取SiC、玻璃碳、氧化鋁等的材料組和由PCTFE、PVDF、PEEK、PVC等構(gòu)成的材料組的中間數(shù)值。
使用上述3種材料組求出裝置側(cè)的各參數(shù)的閾值，而得到表1～表3所示的結(jié)果。表1表示支承部7的材料用SiC、玻璃碳、氧化鋁等時(shí)的結(jié)果，表2表示支承部7的材料用PCTFE、PVDF、PEEK、PVC等時(shí)的結(jié)果，表3表示支承部7的材料用卡魯來哧(カルレッツ)(注冊商標(biāo))或高氟時(shí)的結(jié)果。而且，由于在這些表1～表3所示條件的范圍內(nèi)使用，所以能使基板W在支承部7上不滑動(dòng)，穩(wěn)定而進(jìn)行處理。
表1

表2

表3

如表1～表3所示可知，基板W和支承部7之間的摩擦系數(shù)μ越小，轉(zhuǎn)速R越小，同時(shí)由于氣體流量V的增大和間隙G縮小，必須提高空間SP的內(nèi)部壓力。這是因?yàn)檗D(zhuǎn)速R越高離心力F1越大，同時(shí)促進(jìn)空間SP內(nèi)的惰性氣體的排出，空間SP的內(nèi)部壓力降低，即，作用于基板W的垂直阻力N減少，摩擦力F2變小。在該實(shí)施形式中，當(dāng)然可以用質(zhì)量流控制器等流量控制裝置微細(xì)調(diào)整氣體流量，通過以001mm單位脈沖控制遮斷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的升降驅(qū)動(dòng)用執(zhí)行元件，能微調(diào)整環(huán)境遮斷板9和基板W的間隙，從而能精密控制按壓支承條件，提高裝置的通用性。
接著，說明上述那樣構(gòu)成的基板處理裝置的動(dòng)作。具體地說，就向基板W的下表面?zhèn)裙┙o處理液并處理基板W的下表面、和從基板W的下表面沿著基板W的周端面往其上表面蔓延處理液并處理基板W的上表面周邊部的情況進(jìn)行說明。在該基板處理裝置中，用省略圖示的基板搬送機(jī)械手將未處理的基板搬送到基板處理裝置中，使器件形成面朝上，以背面?zhèn)确胖迷谥С胁?上時(shí)，控制部如以下那樣控制裝置各部，執(zhí)行藥液處理、沖洗處理和干燥處理。另外，在基板搬送機(jī)械手進(jìn)行基板W的搬送時(shí)，環(huán)境遮斷板9、支承軸11和上部清洗噴嘴12整體地離開退避到旋轉(zhuǎn)底座5的上方。
如上述那樣將基板W放置在支承部7上時(shí)，環(huán)境遮斷板9、支承軸11和上部清洗噴嘴12一體下降，使環(huán)境遮斷板9與基板W接近配置。而且，打開開閉閥23而從設(shè)置在環(huán)境遮斷板9的對向面9a上的多個(gè)氣體噴出口9b噴出來自氣體供給部21的惰性氣體，同時(shí)從氣體供給路徑18向基板W的上表面中央部供給惰性氣體。由此，在環(huán)境遮斷板9的對向面9a和基板W的上表面之間形成的空間SP的內(nèi)部壓力提高，基板W按壓在與其下表面接觸的支承部7上并被旋轉(zhuǎn)底座5保持。由環(huán)境遮斷板9的對向面9a以非常接近的狀態(tài)閉塞基板W的上表面。這里，由于從多個(gè)氣體噴出口9b均勻噴出惰性氣體，所以基板W被均勻按壓并水平支承在各支承部7上。
接著，驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)3，使基板W和旋轉(zhuǎn)底座5一體旋轉(zhuǎn)。被按壓在支承部7上的基板W通過產(chǎn)生在支承部7和基板W之間的摩擦力被支承在支承部7上，同時(shí)與旋轉(zhuǎn)底座5一起旋轉(zhuǎn)。這時(shí)，通過驅(qū)動(dòng)省略圖示的遮斷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的電動(dòng)機(jī)9m，使環(huán)境遮斷板9圍繞垂直軸J，以與旋轉(zhuǎn)底座5轉(zhuǎn)速大致相同的轉(zhuǎn)速在相同方向上旋轉(zhuǎn)。由此，能防止在基板W和環(huán)境遮斷板9之間產(chǎn)生伴隨著旋轉(zhuǎn)的多余的氣流。這樣，在該實(shí)施形式中，用電動(dòng)機(jī)3和電動(dòng)機(jī)9m構(gòu)成本發(fā)明的“旋轉(zhuǎn)裝置”。
而且，在基板W開始旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，控制部80打開開閉閥45，從下部清洗噴嘴41的噴嘴口41a向基板W的下表面中心部供給來自藥液供給源31的藥液。因此，被供給到基板W的下表面中心部的藥液，通過隨著基板W的旋轉(zhuǎn)的離心力而在下表面整體擴(kuò)展，進(jìn)行對基板W下表面的全部表面的藥液處理。這里，在藥液處理中使各支承部7從基板W下表面至少離開一次或其以上，從而能使藥液也蔓延到支承部7和基板W的接觸部分，而處理該部分。這時(shí)，例如也可以使12個(gè)支承部7依次1個(gè)1個(gè)地離開，在使至少3個(gè)支承部7與基板W的下表面接觸的條件下也可以一次使2個(gè)或其以上的支承部7離開。通過來自氣體供給路徑18的惰性氣體的供給，能對抗來自基板W下表面中心部的下部清洗噴嘴41的噴嘴口41a的藥液噴射壓。
沿著基板W的下表面向著基板W的直徑方向外側(cè)的藥液，除了蔓延到基板W的上表面的藥液以外，飛散到基板W的外側(cè)，但在該實(shí)施形式中，由于沒有保持基板W的外周端部的卡盤銷等保持構(gòu)件，向著基板W的直徑方向外側(cè)的藥液不會(huì)彈回到基板表面。另外，由于沒有打亂基板外周端部附近的氣流的因素，所以能減輕處理液霧卷入到基板表面?zhèn)取Ｒ虼?，能防止藥液彈回到基板W上表面?zhèn)鹊姆翘幚韰^(qū)域(上表面處理區(qū)域TR內(nèi)側(cè)的區(qū)域)，腐蝕非處理區(qū)域(例如，半導(dǎo)體晶片的器件形成區(qū)域)NTR。而且，通過防止處理液霧的卷入，能抑制粒子對基板表面?zhèn)鹊母街?br> 供給到基板W下表面中心部的藥液的一部分，從基板W的中心部向周邊部傳播，蔓延到基板W的周端面直至基板W的上表面周邊部?；錡的上表面周邊部作為上表面處理區(qū)域TR，被普遍處理。這樣，在該實(shí)施形式中，由于沒有保持基板W的外周端部的卡盤銷等保持構(gòu)件，處理液的蔓延量不會(huì)不均勻。因而，能防止基板W外周端部的保持引起的處理不均。
進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的藥液處理后，在基板W和環(huán)境遮斷板9的旋轉(zhuǎn)繼續(xù)的同時(shí)，控制部80關(guān)閉開閉閥45，停止來自藥液供給源31的藥液供給，反而打開開閉閥47。因此，從下部清洗噴嘴41的噴嘴口41a向基板W下表面中心部供給沖洗液(純水、DIW等)。在該狀態(tài)下，被供給到基板W下表面中心部的沖洗液向基板W下表面全體擴(kuò)展，進(jìn)行用沖洗液洗掉附著在基板W上的藥液的處理。供給到基板W下表面中心部的沖洗液，通過蔓延到基板W的周端面，洗去而不留下附著在基板W的上表面周邊部TR的藥液。這樣，能洗去藥液處理后存在于基板W的下表面、周端面和上表面周邊部的藥液。
然后，進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的沖洗處理后，控制部80關(guān)閉開閉閥47，結(jié)束沖洗處理。接著，控制部80使電動(dòng)機(jī)3和遮斷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的電動(dòng)機(jī)9m高速旋轉(zhuǎn)，加速基板W和環(huán)境遮斷板9的旋轉(zhuǎn)，通過離心力甩掉附著在該表面的液態(tài)成分。在干燥處理期間，向基板W的上表面和環(huán)境遮斷板9的對向面9a之間的空間SP供給惰性氣體的同時(shí)，控制部80打開開閉閥49，從氣體供給路徑48向基板W的下表面和旋轉(zhuǎn)底座5的對向面之間的空間導(dǎo)入規(guī)定流量的惰性氣體。其結(jié)果，由于圍在基板W周圍的空間迅速地被惰性氣體置換，不會(huì)因?yàn)闅埩粼诳臻g內(nèi)的藥液環(huán)境而污染基板W。不希望的氧化膜不會(huì)在基板W的上下表面成長。
干燥處理后，控制部80停止電動(dòng)機(jī)3的驅(qū)動(dòng)，使基板W的旋轉(zhuǎn)停止，同時(shí)停止遮斷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的電動(dòng)機(jī)9m的驅(qū)動(dòng)，使環(huán)境遮斷板9的旋轉(zhuǎn)停止。而且，關(guān)閉開閉閥19和開閉閥23，停止氣體向空間SP的供給，從而解除基板W的按壓支承。然后，使環(huán)境遮斷板9向上方移動(dòng)，通過基板搬送機(jī)械手搬出處理好的基板W。
若以上那樣使用本實(shí)施形式，基板W通過與其下表面接觸的支承部7而從旋轉(zhuǎn)底座5離開并被支承著，同時(shí)通過向基板W上表面供給的惰性氣體將基板W按壓在支承部7上，從而由旋轉(zhuǎn)底座5保持。而且，基板W通過和支承部7之間產(chǎn)生的摩擦力而被支承部7支承著，和旋轉(zhuǎn)底座5一起旋轉(zhuǎn)。通過這樣保持基板W，可以不要與基板W的外周端部接觸并保持基板W的卡盤銷等保持構(gòu)件。因此，通過基板W的旋轉(zhuǎn)而沿著基板表面朝向直徑方向外側(cè)的處理液不會(huì)直接碰上卡盤銷等保持構(gòu)件而彈回到基板表面。另外，由于沒有打亂基板W的外周端附近的氣流的因素，能減輕霧狀處理液向基板表面的卷入。因此，能有效防止處理液向基板表面的再次附著。
使支承部7接觸并支承在基板W的下表面?zhèn)龋瑫r(shí)向其上表面?zhèn)裙┙o惰性氣體，從而來保持基板W，所以不阻礙處理液向基板W的上表面周邊部(上表面處理區(qū)域)TR的蔓延，能使處理液向基板W的上表面周邊部TR的蔓延量均勻。并且，通過向基板W的上表面周邊部TR內(nèi)側(cè)的非處理區(qū)域NTR供給惰性氣體，能防止藥液向非處理區(qū)域NTR的侵入，使來自基板W直徑方向的處理液的蔓延幅度均勻。
另外，從基板W的下表面能離開、接觸地構(gòu)成支承部7的同時(shí)，向基板W的下表面供給處理液，并且在處理中使各支承部7從基板W的下表面離開至少1次以上，所以也能使處理液蔓延到支承部7與基板W的下表面接觸的部分，處理基板W的全部下表面。
(第二實(shí)施形式)圖6是表示本發(fā)明基板處理裝置的第二實(shí)施形式的圖。圖7是圖6的基板處理裝置的俯視圖。該第二實(shí)施形式與第一實(shí)施形式的明顯不同點(diǎn)是，還另外設(shè)置著用于向基板W的上表面周邊部供給處理液的處理液供給噴嘴6、以及隨著處理液供給噴嘴6的追加而使環(huán)境遮斷板90的構(gòu)成部分變更，其他的構(gòu)成基本和第一實(shí)施形式同樣。因而，關(guān)于能使按壓在支承部7上的基板W由旋轉(zhuǎn)底座5保持的同時(shí)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的條件，在第一實(shí)施形式中說明的參數(shù)范圍內(nèi)使用，所以能夠不使基板W滑動(dòng)而進(jìn)行穩(wěn)定的處理。以下，相同的構(gòu)成附加相同的附圖標(biāo)記，并省略說明，以不同點(diǎn)為中心說明本實(shí)施形式的特征。
在該實(shí)施形式中，基板W上表面周邊部的處理不使用向基板W下表面供給并沿著基板W的周端面蔓延到基板W上表面?zhèn)鹊奶幚硪?，而使用從相對向配置在基板W上表面的處理液供給噴嘴6供給的處理液。該處理液供給噴嘴6被配置在旋轉(zhuǎn)底座5上方的環(huán)境遮斷板9的側(cè)面，所以能向基板W上表面周邊部供給處理液。即，在處理液供給噴嘴6上，在其內(nèi)部配設(shè)有藥液供給管61和沖洗液供給管63，從各供給管61、63的下端部對基板W的上表面周邊部，分別能供給藥液、沖洗液。這里，藥液供給管61通過配管14與藥液供給源31連接，另一方面，沖洗液供給管63通過配管22與沖洗液供給源33連接。配管14、22上分別設(shè)置有開閉閥16、20，通過控制部80控制開閉閥16、20，能調(diào)整向處理液供給噴嘴6供給的藥液和沖洗液的流量。
處理液供給噴嘴6固定在1個(gè)支架65(圖7)的前端側(cè)。另一方面，在支架65的基端部連接著噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)67。噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)67根據(jù)來自控制部80的控制指令動(dòng)作，能圍繞旋轉(zhuǎn)中心軸P搖動(dòng)驅(qū)動(dòng)支架65。因此，處理液供給噴嘴6，能在與基板W相對向并向基板W上表面周邊部供給處理液的對向位置(圖7中用實(shí)線表示的位置)、和從供給位置向側(cè)方退避的退避位置(圖7中用虛線表示的位置)之間移動(dòng)。這樣，在該實(shí)施形式中，處理液供給噴嘴6相當(dāng)于本發(fā)明的“上表面?zhèn)忍幚硪汗┙o裝置”。
圖8是圖6所示的基板處理裝置的環(huán)境遮斷板90的仰視圖。該環(huán)境遮斷板90與第一實(shí)施形式的基板處理裝置的環(huán)境遮斷板9不同點(diǎn)是，環(huán)境遮斷板90的外緣的一部分具有呈コ字狀向中心部凹入的洼部90a、以及向下且向外傾斜地形成洼部90a周圍的氣體噴出口90b，由此，能向基板W的上表面?zhèn)认蛳虑蚁蛲獾貒姵龆栊詺怏w。因此，由于處理液供給噴嘴6進(jìn)入到洼部90a，所以能將處理液供給噴嘴6配置在與基板W的上表面周邊部(上表面處理區(qū)域)TR相對向的對向位置。這里，由于環(huán)境遮斷板90在寬廣的范圍內(nèi)擋在基板W的上表面，所以在向基板W的上表面周邊部TR供給處理液方面能以必須最小限度的尺寸構(gòu)成洼部90a和處理液供給噴嘴6。通過從氣體噴出口90b向下且向外噴出惰性氣體，防止在處理液供給噴嘴6位于對向位置時(shí)處理液進(jìn)入到基板W上表面的非處理區(qū)域(上表面處理區(qū)域TR內(nèi)側(cè)的區(qū)域)NTR，同時(shí)能防止在處理液供給噴嘴6位于退避位置時(shí)藥液環(huán)境侵入到基板W的上表面和環(huán)境遮斷板90之間形成的空間SP。其他的構(gòu)成和第一實(shí)施形式的基板處理裝置的環(huán)境遮斷板9相同，所以省略說明。
接著，參照圖9詳述上述那樣構(gòu)成的基板處理裝置的動(dòng)作。圖9是表示圖6的基板處理裝置動(dòng)作的流程圖。首先，用圖示省略的基板搬送機(jī)械手將未處理的基板W搬送到基板處理裝置中，使器件形成面向上而以背面?zhèn)确胖迷谥С胁?上時(shí)，控制部80使環(huán)境遮斷板90下降，使環(huán)境遮斷板90與基板W接近配置(步驟S1)。然后，打開開閉閥23，從設(shè)置在環(huán)境遮斷板90的對向面9a的多個(gè)氣體噴出口9b、90b噴出來自氣體供給部21的惰性氣體，同時(shí)從氣體供給路徑18向基板W的上表面中央部供給惰性氣體，由此能將基板W按壓在支承部7上并由旋轉(zhuǎn)底座5保持(步驟S2)。
然后，控制部80使噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)67動(dòng)作，將處理液供給噴嘴6定位在對向位置(步驟S3)。接著，控制部80使環(huán)境遮斷板90停止后驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)3，使基板W和旋轉(zhuǎn)底座5一體旋轉(zhuǎn)(步驟S4)。接著，打開開閉閥16，從處理液供給噴嘴6向基板W的上表面周邊部TR供給藥液(步驟S5)。因此，在遍及基板W的上表面周邊部TR的全周從基板W的端部以規(guī)定幅度均勻供給藥液，對基板W的上表面周邊部TR進(jìn)行藥液處理。藥液處理后，控制部80打開開閉閥20，從處理液供給噴嘴6向基板W的上表面周邊部TR供給沖洗液(步驟S6)。因此，用沖洗液洗掉附著在基板W的上表面周邊部TR的藥液。
這樣，當(dāng)對基板W的上表面周邊部TR的藥液處理和沖洗液處理結(jié)束時(shí)，控制部80使噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)67動(dòng)作，將處理液供給噴嘴6定位在退避位置(步驟S7)。接著，處理基板W的下表面，這里，控制部80驅(qū)動(dòng)遮斷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的電動(dòng)機(jī)9m，以和旋轉(zhuǎn)底座5的轉(zhuǎn)速大致相同的轉(zhuǎn)速在相同方向上旋轉(zhuǎn)環(huán)境遮斷板90(步驟S8)是理想的。因此，能防止在基板W和環(huán)境遮斷板90之間產(chǎn)生伴隨著旋轉(zhuǎn)的多余的氣流，防止藥液環(huán)境的卷入和藥液的彈回。
然后，控制部80打開開閉閥45，從下部清洗噴嘴41的噴嘴口41a向基板W的下表面中心部供給來自藥液供給源31的藥液(步驟S9)。因此，供給到基板W的下表面中心部的藥液，因伴隨基板W旋轉(zhuǎn)的離心力而擴(kuò)展到下表面全體，對基板W的下表面全面進(jìn)行藥液處理。對基板W下表面的藥液處理，也可以在對基板W的上表面周邊部TR的藥液處理中進(jìn)行，或者與對基板W的上表面周邊部TR的藥液處理的定時(shí)一部分重復(fù)地進(jìn)行。這樣，進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的藥液處理后，在基板W繼續(xù)旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，控制部80關(guān)閉開閉閥45，停止來自藥液供給源31的藥液供給，甩掉藥液并排液到基板外。
這樣，藥液的甩掉結(jié)束時(shí)，控制部80打開開閉閥47，進(jìn)行對基板W下表面的沖洗處理(步驟S10)。關(guān)于對基板W的下表面的沖洗處理，也可以在對基板W的上表面周邊部TR的沖洗處理中進(jìn)行，或與對基板W的上表面周邊部TR的沖洗液處理的定時(shí)一部分重復(fù)地進(jìn)行。然后，進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的沖洗處理后，控制部80關(guān)閉開閉閥47，停止沖洗液的供給，甩掉藥液并排液到基板外。
接著，在惰性氣體向基板W上表面和環(huán)境遮斷板90的對向面9a之間的空間SP供給的同時(shí)，控制部80打開開閉閥49，從氣體供給路徑48將規(guī)定流量的惰性氣體導(dǎo)入到基板W的下表面和旋轉(zhuǎn)底座5的對向面之間的空間。然后，使電動(dòng)機(jī)3和遮斷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的電動(dòng)機(jī)9m高速旋轉(zhuǎn)，從而使殘留的沖洗液飛散，進(jìn)行干燥處理(步驟S11)。
基板W的干燥處理結(jié)束時(shí)，控制部80控制電動(dòng)機(jī)9m，使環(huán)境遮斷板90的旋轉(zhuǎn)停止(步驟S12)，同時(shí)控制電動(dòng)機(jī)3使基板W的旋轉(zhuǎn)停止(步驟S13)。然后，關(guān)閉開閉閥19和開閉閥23，停止向空間SP的氣體供給，從而解除基板W的按壓支承(步驟S14)。以后，向上方移動(dòng)環(huán)境遮斷板90，用基板搬送機(jī)械手搬出已處理好的基板W。這樣，一連串的藥液處理和沖洗處理結(jié)束。
若如以上那樣使用該實(shí)施形式，由于不要與基板W的外周端部接觸并保持基板W的卡盤銷等的保持構(gòu)件，和第一實(shí)施形式同樣能有效防止處理液對基板表面的再次附著。另外，由于從處理液供給噴嘴6直接向基板W的上表面周邊部(上表面處理區(qū)域)TR供給處理液，所以能得到以下的優(yōu)點(diǎn)。即，與使向基板W的下表面供給的處理液從基板W的周端面蔓延并進(jìn)行基板W的上表面周邊部TR處理的情況比較，容易控制從基板W直徑方向的周端面起的處理幅度。因此，能自由且高精度地控制從基板W直徑方向的周端面起的處理幅度。而且，即使半導(dǎo)體晶片等基板W有缺口部分的情況下，也能使缺口部分的處理幅度均勻性良好。
在該實(shí)施形式中，由于向基板W的下表面供給處理液的同時(shí)，在處理中使各支承部7從基板W的下表面離開至少一次或其以上，所以處理液也能蔓延到支承部7與基板W下表面的接觸部分，處理基板W的下表面全體。
在該實(shí)施形式中，是從處理液供給噴嘴6向基板W供給藥液和處理液，但也可以分開設(shè)置藥液和處理液的各自噴嘴。這時(shí)，各噴嘴的大小相同，各噴嘴交替配置在環(huán)境遮斷板90的側(cè)方，通過設(shè)置一個(gè)地方的洼部90a，能構(gòu)成環(huán)境遮斷板90。
(第三實(shí)施形式)圖10是表示本發(fā)明基板處理裝置的第三實(shí)施形式的圖。圖11是圖10的基板處理裝置的局部截面圖。該第三實(shí)施形式，關(guān)于另外設(shè)置向基板W的上表面周邊部供給處理液用的處理液供給噴嘴這一點(diǎn)和第二實(shí)施形式相同，但在第二實(shí)施形式中，在進(jìn)行基板W的上表面?zhèn)忍幚硪汗┙o時(shí)，不能使環(huán)境遮斷板90旋轉(zhuǎn)，相對于此，在第三實(shí)施形式中能使環(huán)境遮斷板旋轉(zhuǎn)這一點(diǎn)是不同的。由于該不同點(diǎn)，環(huán)境遮斷板的構(gòu)成一部分不同，其他基本是與第一和第二實(shí)施形式同樣的構(gòu)成。因而，關(guān)于能使按壓在支承部7上的基板W由旋轉(zhuǎn)底座5保持的同時(shí)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的條件，以在第一實(shí)施形式中說明的參數(shù)范圍內(nèi)使用，所以能使基板W不滑動(dòng)而進(jìn)行穩(wěn)定的處理。以下，對相同的構(gòu)成附加相同的附圖標(biāo)記，并省略說明，以不同點(diǎn)為中心說明本實(shí)施形式的特征。
在該實(shí)施形式中，環(huán)境遮斷板91有比基板W的表面尺寸小的圓形的對向面91a。因此，在使對向面91a和基板W的上表面平行并相對向時(shí)，基板W的上表面周邊部露出，而不被對向面91a擋住。該環(huán)境遮斷板91，恰好成為這樣的形狀，即，以對向面91a為下表面而隨著往上方去橫斷面尺寸逐漸變小的圓錐座形狀的下部、和以該圓錐座的上表面為橫斷面的圓柱形狀的上部合為一體。具體地說，環(huán)境遮斷板91的下部周邊，形成遍及全周的、從對向面91a隨著越往上方越接近旋轉(zhuǎn)軸J側(cè)那樣傾斜的傾斜面91b。環(huán)境遮斷板91的上部周邊、即從傾斜面91b往上方，形成大致垂直上升的側(cè)面91c。
處理液供給噴嘴8能從下端部選擇性地供給藥液和沖洗液。處理液供給噴嘴8與圖示省略的噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，通過驅(qū)動(dòng)噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)，被定位在接近環(huán)境遮斷板91的側(cè)面91c的接近位置(圖11所示的位置)、和從環(huán)境遮斷板91退避到側(cè)方(或上方)的退避位置。處理液供給噴嘴8被構(gòu)成為例如沿垂直方向延伸的圓筒形狀，使其側(cè)面與環(huán)境遮斷板91的側(cè)面91c平行并相對向，在將噴嘴8定位在接近位置時(shí)，向傾斜面91b能吐出處理液。
環(huán)境遮斷板91的對向面91a成為有疏水性的疏水面，另一方面，傾斜面91b成為有親水性的親水面。因此，向傾斜面91b供給的處理液沿傾斜面91b流下。而且，到達(dá)傾斜面91b下端的處理液不蔓延到作為疏水面的對向面91a，流下到基板W的上表面周邊部。具體地說，從環(huán)境遮斷板91流下的處理液，被供給到使傾斜面91b向基板W延長時(shí)和基板W上表面的交線的外側(cè)的上表面處理區(qū)域TR，受到伴隨著基板W的旋轉(zhuǎn)的離心力，向基板W的周邊流動(dòng)，沿著基板W的周端面流下。因此，通過在從處理液供給噴嘴8吐出處理液的同時(shí)，使基板W旋轉(zhuǎn)，能遍及全周均勻地處理基板W的上表面周邊部。
接著，參照附圖12說明上述這樣構(gòu)成的基板處理裝置的動(dòng)作。圖12是表示圖10所示的基板處理裝置動(dòng)作的流程圖。當(dāng)將基板W以器件形成面為上表面并以背面?zhèn)确胖迷谥С胁?上時(shí)，控制部80使環(huán)境遮斷板91下降，使環(huán)境遮斷板91接近配置于基板W(步驟S21)。并且，從多個(gè)氣體噴出口9b噴出惰性氣體，同時(shí)從氣體供給路徑18向基板W的上表面中央部供給惰性氣體，將基板W按壓在支承部7上并由旋轉(zhuǎn)底座5保持(步驟S22)。
然后，控制部80驅(qū)動(dòng)噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)，將處理液供給噴嘴8定位在接近環(huán)境遮斷板91的側(cè)面91c的接近位置(步驟S23)。接著，驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)3使基板W旋轉(zhuǎn)(步驟S24)，同時(shí)驅(qū)動(dòng)遮斷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的電動(dòng)機(jī)9m，以與旋轉(zhuǎn)底座5的轉(zhuǎn)速大致相同的轉(zhuǎn)速在同一方向上圍繞垂直軸J旋轉(zhuǎn)環(huán)境遮斷板91(步驟S25)。接著，從處理液供給噴嘴8向環(huán)境遮斷板91的傾斜面91b供給藥液。所供給的藥液在傾斜面91b流下，供給到旋轉(zhuǎn)的基板W上表面周邊部TR，從基板W的端部在規(guī)定的處理幅度上遍及基板W的全周，進(jìn)行均勻的藥液處理(步驟S26)。
這里，由于環(huán)境遮斷板91的對向面91a是疏水面，藥液不蔓延到對向面91a，向環(huán)境遮斷板91和基板W上表面之間形成的空間SP供給的惰性氣體流出到直徑方向外側(cè)，藥液環(huán)境不侵入到上表面中央部的非處理區(qū)域NTR。而且，通過基板W和環(huán)境遮斷板91同步旋轉(zhuǎn)，防止多余的氣流的產(chǎn)生，防止因基板周邊藥液環(huán)境的卷入和彈回引起的藥液對非處理區(qū)域NTR的侵入。
在向基板W上表面供給藥液的同時(shí)，或在向基板W上表面供給藥液后，通過從下部清洗噴嘴41供給藥液，執(zhí)行對基板W下表面全體的藥液處理(步驟S27)。這樣，進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的對基板W上表面周邊部TR和下表面的藥液處理后，停止供給藥液，甩掉藥液，排液到基板外。藥液的排液完成時(shí)，從處理液供給噴嘴8向基板W上表面周邊部供給沖洗液(步驟S28)。因此，能用沖洗液洗掉附著在基板W上表面周邊部TR的藥液。在向基板W上表面供給沖洗液的同時(shí)，或在向基板W上表面供給沖洗液后，通過從下部清洗噴嘴41也供給沖洗液，執(zhí)行對基板W下表面全體的沖洗處理(步驟S29)。
在向基板W上表面周邊部TR供給沖洗液后，控制部80驅(qū)動(dòng)噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)，將處理液供給噴嘴8定位在退避位置(步驟S30)。接著，控制部80向基板W上表面和環(huán)境遮斷板91的對向面91a之間的空間SP供給惰性氣體的同時(shí)，打開開閉閥49，從氣體供給路徑48向基板W下表面和旋轉(zhuǎn)底座5的對向面之間的空間導(dǎo)入規(guī)定流量的惰性氣體。而且，通過使電動(dòng)機(jī)3和遮斷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的電動(dòng)機(jī)9m高速旋轉(zhuǎn)，用離心力甩掉附著在基板W和環(huán)境遮斷板91的液態(tài)成分而進(jìn)行干燥(步驟S31)。
基板W的干燥處理結(jié)束時(shí)，控制部80控制電動(dòng)機(jī)9m，使環(huán)境遮斷板91的旋轉(zhuǎn)停止(步驟S32)。同時(shí)控制電動(dòng)機(jī)3，使基板W的旋轉(zhuǎn)停止(步驟S33)。而且，關(guān)閉開閉閥19和開閉閥23，通過停止對空間SP的氣體供給，解除基板W的按壓支承(步驟S34)。以后，使環(huán)境遮斷板91向上方移動(dòng)，搬出處理好的基板W。
若如以上那樣使用該實(shí)施形式，由于不要與基板W的外周端部接觸并保持基板W的卡盤銷等保持構(gòu)件，和前面的實(shí)施形式同樣，能有效防止處理液對基板表面的再次附著。由于使處理液從處理液供給噴嘴8沿著環(huán)境遮斷板91的傾斜面91b流下，供給到基板W的上表面周端部(上表面處理區(qū)域)TR，所以在遍及基板W的全周能使處理幅度均勻。即，處理液沿作為親水面的傾斜面91b流下，不會(huì)從基板W的周端面向一定的范圍內(nèi)供給并蔓延到作為疏水面的對向面91a，處理幅度不發(fā)生偏差。而且，由于能在使環(huán)境遮斷板91和基板W一起旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，向基板W的上表面周端部TR供給處理液，能有效地防止處理液向上表面中央部(非處理區(qū)域NTR)的卷入和彈回。
本發(fā)明不限定于上述的實(shí)施形式，在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行上述以外的各種變更。例如，在上述實(shí)施形式中，對于清洗基板W的下表面、周端面和上表面周邊部的基板處理裝置，本發(fā)明也適用，但不限定此。例如，對于基板的上下兩面、或者對其中的一面，在使基板W旋轉(zhuǎn)的同時(shí)進(jìn)行清洗處理、蝕刻處理、顯像處理等的基板處理的基板處理裝置全部能適用。
在上述實(shí)施形式中，支承部7設(shè)置成使旋轉(zhuǎn)底座5的周邊部一部分呈凸?fàn)钕蛏戏缴斐龅耐怀霾?a，但也可以使旋轉(zhuǎn)底座5的一部分不向上方伸出，而使支承部7本身從旋轉(zhuǎn)底座5的上表面向上方突出。也可以使旋轉(zhuǎn)底座5的一部分不向上方伸出，而在旋轉(zhuǎn)底座5的上表面埋設(shè)支承部7，僅使薄膜構(gòu)件71從旋轉(zhuǎn)底座5的上表面突出。
在上述實(shí)施形式中，在環(huán)境遮斷板9、90的對向面9a設(shè)置著氣體噴出口9b，使惰性氣體在支承部7的旋轉(zhuǎn)軌跡Ta上沿大致垂直方向噴出，但不限定于這些。例如，也可以在支承部7的旋轉(zhuǎn)軌跡Ta的內(nèi)側(cè)設(shè)置氣體噴出口9b，在支承部7的旋轉(zhuǎn)軌跡Ta上向下且向外側(cè)噴出活性氣體。
在上述第二實(shí)施形式中，通過使處理液供給噴嘴6進(jìn)入到環(huán)境遮斷板90的外緣的洼部90a，而與基板W的上表面周邊部(上表面處理區(qū)域)TR相對向，但不限定于這些。如圖13所示，也可以在環(huán)境遮斷板90的周邊部設(shè)置在能插入處理液供給噴嘴6的上下方向貫通的貫通孔9e，在該貫通孔9e插入噴嘴6的下端部到和對向面9a齊平面的位置，與上表面周邊部TR相對向(圖13A)。若在貫通孔9e的內(nèi)壁設(shè)置與上表面流通空間90c連通的氣體導(dǎo)入口9d，在從貫通孔9e抽出處理液供給噴嘴6而使其退避時(shí)，能從貫通孔9e的上下開口噴出惰性氣體(圖13B)。
若使用這樣的構(gòu)成，通過從貫通孔9e抽出噴嘴6，能使環(huán)境遮斷板90與基板W一起旋轉(zhuǎn)。因此，甩掉附著在環(huán)境遮斷板90上的處理液，同時(shí)能防止在基板W和環(huán)境遮斷板90之間產(chǎn)生伴隨著旋轉(zhuǎn)的多余的氣流。其結(jié)果，能防止藥液環(huán)境卷入到基板W和環(huán)境遮斷板90之間的空間SP和藥液的彈回。
即使在處理液供給時(shí)將噴嘴6插入到貫通孔9e，在基板處理中處理液飛散而向噴嘴6彈回的情況下，處理液被環(huán)境遮斷板90的對向面9a遮住，噴嘴6不會(huì)附著大量的處理液。因此，能夠防止在噴嘴移動(dòng)時(shí)，處理液從噴嘴6落下，附著在基板W或基板周邊構(gòu)件上而產(chǎn)生惡劣影響。其結(jié)果，噴嘴6不需要清洗，能提高裝置的生產(chǎn)率。
若使用該實(shí)施形式，即使在使噴嘴6從環(huán)境遮斷板90離開退避時(shí)，由于從貫通孔9e的上下開口噴出惰性氣體，所以處理液進(jìn)入到貫通孔9e中而彈回到基板W的情況不會(huì)發(fā)生。因此，能防止在基板W的上表面中央部(非處理區(qū)域NTR)形成的器件形成面被腐蝕的情況。
本發(fā)明能適用于對包含半導(dǎo)體晶片、光掩模用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、等離子體顯示用玻璃基板、光盤用基板等的基板全部表面實(shí)施清洗處理等處理的基板處理裝置。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，在使基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，向上述基板供給處理液而實(shí)施規(guī)定的處理，其特征是，具有旋轉(zhuǎn)構(gòu)件，其圍繞垂直軸旋轉(zhuǎn)自如地設(shè)置；旋轉(zhuǎn)裝置，其使上述旋轉(zhuǎn)構(gòu)件旋轉(zhuǎn)；支承裝置，其具有在上述旋轉(zhuǎn)構(gòu)件上朝向上方設(shè)置的、與上述基板的下表面接觸并使該基板從上述旋轉(zhuǎn)構(gòu)件離開并支承該基板的至少3個(gè)或3個(gè)以上的支承構(gòu)件；按壓裝置，其通過向上述基板的上表面供給氣體，將上述基板按壓在上述支承構(gòu)件上，并使上述基板保持于上述旋轉(zhuǎn)構(gòu)件上。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征是，還具有驅(qū)動(dòng)裝置，該驅(qū)動(dòng)裝置對上述支承裝置提供驅(qū)動(dòng)力，上述支承裝置具有至少4個(gè)或4個(gè)以上的相對于上述基板的下表面離開、接觸自如地設(shè)置的可動(dòng)構(gòu)件，而作為上述支承構(gòu)件，受到來自上述驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)力，至少3個(gè)或3個(gè)以上的上述可動(dòng)構(gòu)件與上述基板的下表面接觸并支承上述基板，同時(shí)向上述基板的下表面供給上述處理液，而執(zhí)行上述處理，而且，上述驅(qū)動(dòng)裝置在處理中使上述可動(dòng)構(gòu)件的每一個(gè)從上述基板的下表面離開至少1次或1次以上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征是，上述按壓裝置具有板狀構(gòu)件，其具有與上述基板的上表面相對向的、設(shè)置有氣體噴出口的對向面；氣體供給部，其通過從上述氣體噴出口噴出氣體，向在上述對向面和上述基板的上表面之間形成的空間引導(dǎo)并供給氣體。
4.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征是，上述氣體噴出口在上述對向面上被設(shè)置于上述支承構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)軌跡上，通過向大致垂直方向噴出氣體，從而將上述基板按壓在上述支承構(gòu)件上。
5.如權(quán)利要求3或4所述的基板處理裝置，其特征是，上述板狀構(gòu)件圍繞上述垂直軸可旋轉(zhuǎn)地構(gòu)成，在通過上述按壓裝置而將上述基板保持在上述旋轉(zhuǎn)構(gòu)件上的狀態(tài)下，上述旋轉(zhuǎn)裝置使上述板狀構(gòu)件和上述基板一起旋轉(zhuǎn)。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征是，還具有下表面?zhèn)忍幚硪汗┙o裝置，該下表面?zhèn)忍幚硪汗┙o裝置向被按壓在上述支承構(gòu)件上并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的上述基板的下表面供給處理液，上述按壓裝置向著由從上述下表面?zhèn)忍幚硪汗┙o裝置向上述基板的下表面供給并蔓延到上述基板的上表面周邊部的處理液處理的上表面處理區(qū)域的內(nèi)側(cè)的非處理區(qū)域供給氣體，上述支承構(gòu)件接觸并支承與上述非處理區(qū)域?qū)?yīng)的上述基板的下表面?zhèn)取?br> 7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征是，還具有上表面?zhèn)忍幚硪汗┙o裝置，該上表面?zhèn)忍幚硪汗┙o裝置向被按壓在上述支承構(gòu)件上并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的上述基板的上表面周邊部供給處理液。
8.一種基板處理方法，在使基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，向上述基板供給處理液而實(shí)施規(guī)定的處理，其特征是，具有以下工序通過使在旋轉(zhuǎn)構(gòu)件上朝向上方設(shè)置的至少3個(gè)或3個(gè)以上的支承構(gòu)件與上述基板的下表面接觸，使該基板從上述旋轉(zhuǎn)構(gòu)件離開并支承該基板的工序；通過向上述基板的上表面供給氣體而將該基板按壓在上述支承構(gòu)件上，從而由上述旋轉(zhuǎn)構(gòu)件保持該基板的工序；通過使該旋轉(zhuǎn)構(gòu)件圍繞垂直軸旋轉(zhuǎn)，使上述基板旋轉(zhuǎn)的工序。
全文摘要
一種基板處理裝置和基板處理方法，在使基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)向基板供給處理液而對基板實(shí)施規(guī)定處理的基板處理裝置中，能有效防止處理液向基板表面再次附著。在旋轉(zhuǎn)底座(5)周邊部附近，從旋轉(zhuǎn)底座(5)朝向上方突出設(shè)置多個(gè)與基板(W)下表面周邊部接觸的同時(shí)支承著基板(W)的支承部(7)。在通過多個(gè)支承部(7)而從和基板(W)下表面相對向的旋轉(zhuǎn)底座(5)離開規(guī)定間隔的狀態(tài)下，水平支承著基板(W)。從設(shè)置在環(huán)境遮斷板(9)對向面(9a)上的多個(gè)氣體噴出口(9b)向在基板(W)上表面和對向面(9a)間形成的空間噴出惰性氣體。由此通過向基板上表面?zhèn)裙┙o的惰性氣體，基板被按壓在支承部(7)上并由旋轉(zhuǎn)底座(5)保持。
文檔編號H01L21/302GK1714952SQ200510076190
公開日2006年1月4日 申請日期2005年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月14日
發(fā)明者宮勝彥, 安藤幸嗣 申請人:大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社