專利名稱：移除阻擋層后的無晶片自動清洗的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件。涉及為改善蝕刻性能在移除晶片以后對蝕刻室的清洗。
2.背景技術(shù)在形成半導(dǎo)體器件中，要蝕刻阻擋層。這種阻擋層可以是氮化硅SiN。阻擋層的低功率蝕刻可導(dǎo)致在蝕刻室中的沉積。提供從蝕刻室中清洗沉積的工藝是必要的。

發(fā)明內(nèi)容
為獲得前述的且與本發(fā)明的目的一致的技術(shù)，提供一種方法，用于在電介質(zhì)中形成特征(features)、為多個晶片打開阻擋層、以及處理和移除多個晶片中的各晶片后清洗蝕刻室。將多個晶片中的晶片放入蝕刻室，其中在晶片上的傳導(dǎo)層上有阻擋層，且在阻擋層上有電介質(zhì)層。蝕刻電介質(zhì)層。打開阻擋層。從蝕刻室中移除晶片。提供沒有晶片的蝕刻室的無晶片自動清洗方法。無晶片自動清洗包括，給蝕刻室提供包括氧氣和氮氣的無晶片自動清洗氣體，并且從無晶片自動清洗氣體形成無晶片自動清洗等離子體以清洗蝕刻室。
在本發(fā)明的另一種表現(xiàn)形式中，提供一種方法，用于在阻擋層的打開已經(jīng)完成、并且從蝕刻室中已經(jīng)移除了晶片以騰空蝕刻室之后，清洗蝕刻室。給蝕刻室供給包括氧氣和氮氣的無晶片自動清洗氣體。從無晶片自動清洗氣體形成無晶片自動清洗等離子體以清洗蝕刻室。
在本發(fā)明的另一種表現(xiàn)形式中，提供一種用于在電介質(zhì)層上蝕刻特征、并為多個晶片打開阻擋層的裝置。提供蝕刻室。在該蝕刻室中提供上電極。在蝕刻室中提供下電極。射頻源電連接到上電極和下電極中的至少一個。氣體源與蝕刻室流體連接(fluid connection)以供氣體進(jìn)入蝕刻室?？刂破骺煽刂频剡B接到射頻源和氣體源。控制器包括用于蝕刻電介質(zhì)層的計算機(jī)可讀碼，用于打開阻擋層的計算機(jī)可讀碼，以及用于提供在打開阻擋層后從蝕刻室中移除晶片以騰空蝕刻室以后蝕刻室的無晶片自動清洗的計算機(jī)可讀碼。用于提供無晶片自動清洗的計算機(jī)可讀介質(zhì)包括，用于向蝕刻室提供包括氧氣和氮氣的無晶片自動清洗氣體的計算機(jī)可讀碼，以及用于從無晶片自動清洗氣體形成無晶片自動清洗等離子體以清洗蝕刻室的計算機(jī)可讀碼。
在下面的發(fā)明的詳細(xì)說明中并結(jié)合附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的這些和其他特征。


在附圖的圖形中以及在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的單元，是通過舉例說明本發(fā)明而非限制，其中圖1是使用本發(fā)明用于在電介質(zhì)層上形成特征的部分工藝的高級流程圖(high level flow chart)。
圖2A-C是可用于本發(fā)明工藝的部分晶片的示意的橫斷面視圖。
圖3是可用于本發(fā)明的優(yōu)選實施例的蝕刻室的示意圖。
圖4A和4B說明適合于實現(xiàn)控制器的計算機(jī)系統(tǒng)。
圖5是無晶片自動清洗工藝的更詳細(xì)的流程圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將通過參考附圖中說明的一些優(yōu)選實施例詳細(xì)地描述本發(fā)明。在以下說明中，為了提供對本發(fā)明的透徹理解將提出許多具體的細(xì)節(jié)。然而，沒有這些細(xì)節(jié)中的某些或全部也可實施本發(fā)明，這對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是明顯的。在其他例子中，為了不會不必要地使本發(fā)明不明顯，沒有詳細(xì)描述眾所周知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)。
為便于理解，圖1是使用本發(fā)明的在電介質(zhì)層上形成特征的工藝部分的高級流程圖。在蝕刻室上放置晶片(步驟104)。在晶片上執(zhí)行電介質(zhì)蝕刻(步驟108)。在蝕刻電介質(zhì)之后，打開阻擋層(步驟112)。然后從蝕刻室移除晶片(步驟116)。然后用氧和氮的等離子體對空的蝕刻室進(jìn)行無晶片自動清洗。
實例在本發(fā)明的實例中，蝕刻室上放置晶片(步驟104)。圖2是可用于本發(fā)明工藝的晶片200的部分的示意的橫截面圖。在本實例中，晶片200包括在基底208上的至少一個傳導(dǎo)接觸204。在傳導(dǎo)接觸204上放置阻擋層210。如果在本實例中傳導(dǎo)接觸204是銅。在本實例中阻擋層是氮化硅(SiN)。在其他實施例中，阻擋層可以是碳化硅(SiC)。阻擋層可以有摻雜物。在阻擋層210上放置電介質(zhì)蝕刻層216。在本實例中，電介質(zhì)蝕刻層是基于電介質(zhì)層或低-k(k＜4.0)電介質(zhì)材料的氧化硅電介質(zhì)。電介質(zhì)蝕刻層216上放置光致抗蝕刻掩膜220。在本實例中，使用通孔(via)第一工藝形成雙鑲嵌(dual damascene)特征。在這種工藝中，蝕刻通孔218深入到電介質(zhì)蝕刻層216之中。移除用于通孔蝕刻的光致抗蝕刻掩膜，并形成用于溝槽模式的光致抗蝕刻掩膜220。此外，在本實施例中，在通孔218中形成通孔塞212。雖然所討論的層顯示為在彼此的上面(即光致抗蝕刻掩膜直接位于電介質(zhì)蝕刻層的上面)，但是在這樣的層之間可放置一層或多層(即減反射層(anti-reflective)可以在光致抗蝕刻掩膜和電介質(zhì)蝕刻層之間)。這就是為什么在說明書和權(quán)利要求中，不同的層被描述為“位于”其他層之上的原因。為清楚起見，沒有顯示可能的中間層。
圖3是可用于打開阻擋層的蝕刻室300的示意圖。蝕刻室300包括限制環(huán)302，上電極304，下電極308，氣體源310和排氣泵320。氣體源310包括電介質(zhì)蝕刻氣體源312，阻擋打開氣體源316，氧氣體源318和氮氣體源319。不同的氣體可用于多重工藝。在這種情況下，可以組合不同的氣體源。例如，在阻擋層打開期間可以使用氮。在這種情況下，可提供單一的氮氣源。顯示的不同氣體源示意性地說明本發(fā)明的工作方式。氣體源310可以包括另外的氣體源。在等離子體處理室300內(nèi)，在下電極308上安置基底200。下電極308并入有適當(dāng)?shù)幕讑A持機(jī)構(gòu)(例如靜電的、機(jī)械的夾鉗等)，用于支撐基底200。反應(yīng)器蓋328并入與下電極308直接相對配置的上電極304。上電極304、下電極308和限制環(huán)302確定被限制的等離子體的容積。通過氣體源310給被限制的等離子體的容積提供氣體，并由排氣泵320經(jīng)限制環(huán)302和排氣口從被限制的等離子體容積抽出。射頻源348與下電極308電連接。上電極304接地。室壁352包圍限制環(huán)302、上電極304和下電極308。射頻源348可包括27MHz的電源和2MHz的電源。在本發(fā)明的這個實例中，使用由LAM ResearchCorporationTMof Fremont，California制造的Exelan DFCTM電介質(zhì)蝕刻機(jī)。在其他實例中，連接射頻電源與電極的不同組合是可能的，例如將射頻源連接到上電極304。
圖4A和4B說明計算機(jī)系統(tǒng)400，其適合于實現(xiàn)在本發(fā)明的實施例中使用的控制器335。圖4A顯示計算機(jī)系統(tǒng)的一種可能的物理形式。當(dāng)然，計算機(jī)系統(tǒng)可以有許多物理形式，范圍從集成電路、印刷電路板、以及小型手持裝置到巨型超級計算機(jī)。計算機(jī)系統(tǒng)400包括監(jiān)視器402、顯示器404、箱體406、磁盤驅(qū)動器408、鍵盤410、以及鼠標(biāo)412。磁盤414是計算機(jī)可讀介質(zhì)，用來將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)錄入或轉(zhuǎn)錄出計算機(jī)系統(tǒng)400。
圖4B是計算機(jī)系統(tǒng)400的框圖的例子。與系統(tǒng)總線420連接的是各種各樣的子系統(tǒng)。處理器422(也稱為中央處理器或CPU)與存儲裝置連接，包括存儲器424。存儲器424包括隨機(jī)存取存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)。如在本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)眾所周知的是，ROM以單向方式向CPU傳輸數(shù)據(jù)和指令，而RAM典型地用來以雙向方式傳輸數(shù)據(jù)和指令。這兩種類型的存儲器可以包括以下所描述的任何適合的計算機(jī)可讀介質(zhì)。固定盤426也與CPU422雙向地連接；其提供附加的數(shù)據(jù)存儲容量，且還可包括以下描述的任何計算機(jī)可讀介質(zhì)?？梢允褂霉潭ūP426存儲程序、數(shù)據(jù)等，固定盤426典型地為比主存儲器速率慢的二級存儲介質(zhì)(例如硬盤)。將意識到，在適當(dāng)?shù)臈l件下保存在固定盤426內(nèi)的信息可以以標(biāo)準(zhǔn)方式作為虛擬內(nèi)存并入存儲器424內(nèi)?？梢苿颖P414可以采取以下描述的任何計算機(jī)可讀介質(zhì)的形式。
CPU422還可與多種輸入/輸出設(shè)備連接，例如顯示器404、鍵盤410、鼠標(biāo)412和揚聲器430。通常，輸入/輸出裝置可以是下列中的任一種視頻顯示器、跟蹤球、鼠標(biāo)、鍵盤、麥克風(fēng)、觸感顯示器、換能器卡閱讀器、磁帶或紙帶閱讀機(jī)、特征輸入卡、指示筆、聲音或手跡識別器、計量生物學(xué)閱讀器或其他計算機(jī)。使用網(wǎng)絡(luò)界面440，CPU422可隨意地連接到另一臺計算機(jī)或遠(yuǎn)程通訊網(wǎng)絡(luò)。用這種網(wǎng)絡(luò)界面，可以預(yù)料在執(zhí)行上述方法步驟的過程中，CPU可以從網(wǎng)絡(luò)接收信息，或向網(wǎng)絡(luò)輸出信息。而且，可以僅在CPU422上執(zhí)行本發(fā)明的方法實施例，或者在網(wǎng)絡(luò)(例如與共享部分處理過程的遠(yuǎn)程CPU協(xié)同的網(wǎng)絡(luò))上執(zhí)行。
另外，本發(fā)明的實施例進(jìn)一步涉及具有計算機(jī)可讀介質(zhì)的計算機(jī)存儲產(chǎn)品，計算機(jī)可讀介質(zhì)具有在其上用于執(zhí)行各種計算機(jī)實現(xiàn)的操作的計算機(jī)碼。介質(zhì)和計算機(jī)碼可以是為本發(fā)明的目的專門設(shè)計并構(gòu)造的，或者它們可以是公知的那種并且對計算機(jī)軟件領(lǐng)域的技術(shù)人員而言是可以得到的。計算機(jī)可讀介質(zhì)的實例包括但并不限于磁介質(zhì)例如硬盤、軟盤和磁帶，光介質(zhì)例如CD-ROM和全息照像裝置，磁光介質(zhì)例如光磁軟盤，以及專門構(gòu)造來存儲和執(zhí)行程序碼的硬件裝置，例如專用集成電路(ASIC)、可編程邏輯器件(PLD)以及ROM和RAM器件。計算機(jī)碼的實例包括機(jī)器代碼，例如由編譯器產(chǎn)生的代碼，以及使用解釋程序由計算機(jī)執(zhí)行的包含高級代碼的文件。計算機(jī)可讀介質(zhì)還可以是由體現(xiàn)在載波中的計算機(jī)數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)挠嬎銠C(jī)代碼，并且代表由處理器可執(zhí)行的指令序列。
在本實施例中，電介質(zhì)蝕刻層220是以電介質(zhì)為基礎(chǔ)的氧化硅。如圖2B所示，使用溝槽蝕刻來蝕刻電介質(zhì)蝕刻層(步驟108)以形成溝槽230。在溝槽蝕刻期間或之后，可剝?nèi)ス庵驴刮g刻掩膜220和插塞212。
然后，如圖2C所示，打開阻擋層(步驟210)。用于打開SiN阻擋層的蝕刻配方的實例如下首先，冷卻下電極到30℃。提供穩(wěn)定步驟。在這個穩(wěn)定步驟里，設(shè)定室壓到150mTorr。射頻源348不提供功率。提供15秒鐘的200sccm的N2、50sccm的CF4和10sccm的CHF3的阻擋打開穩(wěn)定氣流。
接下來，提供等離子體沖擊步驟。保持室壓在150mTorr。由射頻源348提供在27MHz處100瓦和在2MHz處100瓦的功率。提供5秒鐘200sccm的N2、50sccm的CF4和10sccm的CHF3的沖擊氣體流。
接下來，提供主蝕刻步驟。保持室壓在150mTorr。由射頻源348提供在27MHz處200瓦和在2MHz處400瓦的功率。冷卻下電極到30℃。提供18秒200sccm的N2、50sccm的CF4、10sccm的CHF3和5sccm的O2的主蝕刻氣流。
最后，提供過蝕刻步驟。保持室壓在150mTorr。由射頻源348提供在27MHz處200瓦和在2MHz處400瓦的功率。冷卻下電極到30℃。提供17秒200sccm的N2、50sccm的CF4和10sccm的CHF3的過蝕氣流。
在本實例中，在阻擋打開之后，按照下述配方提供后蝕刻(post etch)處理。首先，提供穩(wěn)定步驟。在該穩(wěn)定步驟里，設(shè)定室壓為200mTorr。射頻源348不提供任何功率。冷卻下電極到30℃。提供20秒鐘800sccm的H2和200sccm的Ar的后蝕刻處理穩(wěn)定氣流。
接下來，提供等離子體沖擊步驟。保持室壓在200mTorr。由射頻源348提供在27MHz處200瓦和在2MHz處300瓦的功率。冷卻下電極到30℃。提供5秒鐘800sccm的H2和200sccm的Ar的沖擊氣流。
最后，提供主后蝕刻處理步驟。保持室壓在200mTorr。射頻源348提供在27MHz處1000瓦和在2MHz處0瓦的功率。冷卻下電極到30℃。提供15秒鐘800sccm的H2的主后蝕刻處理氣流?？墒褂煤笪g刻處理從晶片清洗聚合體和其他沉積物。
將晶片200從蝕刻室300中移除(步驟116)。然后，在空的蝕刻室300上執(zhí)行無晶片自動清洗(步驟120)。
圖5是用于本實施例的無晶片自動清洗工藝的更詳細(xì)的流程圖。給蝕刻室300提供包括氧氣和氮氣的無晶片自動清洗氣體(步驟504)。在本實施例中，提供1000sccm的H2和10sccm的O2。在本實施例中，保持蝕刻室中的壓力在680mTorr。從無晶片自動清洗氣體混合物形成無晶片自動清洗等離子體(步驟508)。在本實施例中，由射頻源348提供20秒鐘在27MHz處500瓦和在2MHz處0瓦的功率。作為結(jié)果的等離子體清洗室(步驟512)。
氧對氮的流量比優(yōu)選為1∶200到1∶50之間。更優(yōu)選的是，氧對氮的流量比在1∶99到2∶98之間。在優(yōu)選實施例中，無晶片自動清洗氣體基本上由氮氣和氧氣組成。在其他實施例中，加入其他氣體或稀釋劑。優(yōu)選的是，在12-50MHz之間的高頻率射頻源提供超過300瓦的功率，以及在0.1-10MHz之間的低頻率射頻源提供0-50瓦的功率。更優(yōu)選的是，在12-50MHz之間的高頻率射頻源提供約300-1000瓦的功率，以及在0.1-10MHz之間的低頻率射頻源提供0-25瓦的功率。最優(yōu)選的是，在約27MHz的高頻率處射頻源提供約500瓦的功率，以及在低于10MHz的任何低頻率處射頻源提供約0瓦的功率。優(yōu)選的是，在無晶片自動清洗期間，室壓在250-1000mTorr之間。更優(yōu)選的是，在無晶片自動清洗期間，室壓在400-900mTorr之間。
在優(yōu)選實施例中，執(zhí)行阻擋打開之后，并移除蝕刻晶片后，進(jìn)行無晶片自動清洗。其他實施例可允許不頻繁的無晶片自動清洗。
對處理大量晶片，測量各晶片的蝕刻速率和蝕刻均勻度，因而有許多使用本發(fā)明的無晶片自動清洗工藝的無晶片自動清洗，本發(fā)明的無晶片自動清洗工藝有1-2％的氧氣的氮氣的無晶片自動清洗氣體。比較本工藝與其他無晶片清洗工藝。
對所處理的第一個和第兩百個晶片，測量蝕刻速率和蝕刻均勻度，其中氧氣只用于無晶片自動清洗。使用僅有氧氣作為無晶片自動清洗氣體的無晶片自動清洗，在第一和第兩百個晶片之間引起12％的工藝變化(process shift)。僅使用氧氣作為無晶片自動清洗氣體的蝕刻均勻度檢測顯示均勻度的變化，其表明在200個晶片的蝕刻期間，無論中部的蝕刻速率還是邊緣的蝕刻速率都在變化。另外，已發(fā)現(xiàn)僅使用氧氣的無晶片自動清洗導(dǎo)致在上電極上堆積聚合體。
僅使用氮氣而沒有氧氣也可以執(zhí)行無晶片自動清洗。發(fā)現(xiàn)這種無晶片自動清洗工藝在上電極上不會引起聚合體堆積，但是在下電極上的確會引起聚合體堆積。
還發(fā)現(xiàn)，當(dāng)提供無晶片自動清洗時，會污染下電極，這引起粒子污染。
發(fā)現(xiàn)在1500個晶片的蝕刻期間，使用本發(fā)明的無晶片自動清洗，有非單調(diào)趨勢的小于7％的蝕刻工藝變化。使用本發(fā)明的無晶片自動清洗的蝕刻均勻度是穩(wěn)定的。因此，本發(fā)明提供大量晶片(例如大于1500)從頭到尾更一致的晶片到晶片的蝕刻速率，并且改善單個晶片的蝕刻速率的均勻度和穩(wěn)定性。還發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明的無晶片自動清洗可防止在上電極和下電極兩者上堆積聚合體。
沒有理論的限制，可以相信在阻擋層打開步驟中使用的低功率和SiN的化學(xué)性質(zhì)在難以清洗的蝕刻室內(nèi)提供污染物。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，使用僅有氧氣的無晶片自動清洗氣體導(dǎo)致工藝變化和在上電極區(qū)堆積聚合體。另一方面，使用僅有氮氣的無晶片自動清洗氣體導(dǎo)致在限制環(huán)和下電極區(qū)堆積聚合體。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)用氮氣和氧氣混合物的本發(fā)明的無晶片自動清洗工藝，可防止工藝變化，并且防止在上電極和下電極區(qū)兩者上堆積聚合體。
雖然按照幾個優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明，但是有落入本發(fā)明范圍內(nèi)的改造、置換、修改以及各種等同替換。還應(yīng)當(dāng)注意，有許多實現(xiàn)本發(fā)明的方法和裝置的可選擇的方式。因此，企圖使下面所附的權(quán)利要求解釋為包括落入本發(fā)明的真正的精神和范圍內(nèi)的全部改造、置換、修改以及各種等同替換。
權(quán)利要求
1.一種用于在電介質(zhì)層上形成特征和為多個晶片打開阻擋層、以及在處理并移除多個晶片中的各晶片后清洗蝕刻室的方法，包括將多個晶片中的晶片放入蝕刻室內(nèi)，其中所述晶片具有位于其上的阻擋層，并且在所述阻擋層上有電介質(zhì)層；蝕刻所述電介質(zhì)層；打開所述阻擋層；從所述蝕刻室移除所述晶片；以及提供沒有所述晶片的所述蝕刻室的無晶片自動清洗，包括給所述蝕刻室提供包括氧氣和氮氣的無晶片自動清洗氣體；以及從所述無晶片自動清洗氣體形成無晶片自動清洗等離子體以清洗所述蝕刻室。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述無晶片自動清洗氣體的氧氣對氮氣的流量比在1∶99至2∶98之間。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中從SiN和SiC的組中選擇所述阻擋層。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述阻擋層打開后，每當(dāng)從所述蝕刻室移除多個晶片中的晶片以騰空所述蝕刻室，就提供無晶片自動清洗。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述蝕刻室有上電極和下電極，其中所述無晶片自動清洗既能清洗所述上電極也能清洗所述下電極。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述無晶片自動清洗等離子體的形成包括提供頻率在12-50MHz之間的超過300瓦的功率。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述無晶片自動清洗等離子體的形成進(jìn)一步包括保持室壓在500-750mTorr之間。
8.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述阻擋層是SiN。
9.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述無晶片自動清洗氣體基本包括氮氣和氧氣。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述無晶片自動清洗氣體基本包括氮氣和氧氣。
11.一種用于在阻擋層打開已經(jīng)執(zhí)行并且從蝕刻室已經(jīng)移除晶片以騰空所述蝕刻室之后，清洗所述蝕刻室的方法，包括給所述蝕刻室提供包括氧氣和氮氣的無晶片自動清洗氣體；以及從所述無晶片自動清洗氣體形成無晶片自動清洗等離子體以清洗所述蝕刻室。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中在所述無晶片自動清洗氣體中氧氣對氮氣的流量比為1∶99至2∶98之間。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述阻擋層打開是打開從SiN和SiC的組中選擇的阻擋層。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述蝕刻室有上電極和下電極，其中所述無晶片自動清洗既能清洗所述上電極也能清洗所述下電極。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述無晶片自動清洗等離子體的形成包括提供頻率在12-50MHz之間超過300瓦的功率。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述無晶片自動清洗等離子體的形成進(jìn)一步包括保持室壓在500-750mTorr之間。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述無晶片自動清洗氣體基本包括氧氣和氮氣。
18.一種用于在電介質(zhì)層上蝕刻特征并為多個晶片打開阻擋層的裝置，包括蝕刻室；與所述蝕刻室一起的上電極；與所述蝕刻室一起的下電極；與所述上電極和下電極中的至少一個電連接的射頻源；與所述蝕刻室流體連接、給所述蝕刻室提供氣體的氣體源；以及可控制地連接到所述射頻源和所述氣體源、包括計算機(jī)可讀媒介的控制器，包括用于蝕刻所述電介質(zhì)層的計算機(jī)可讀碼；用于打開所述阻擋層的計算機(jī)可讀碼；以及用于在阻擋層打開后、從所述蝕刻室已經(jīng)移除晶片以騰空所述蝕刻室之后，提供所述蝕刻室的無晶片自動清洗的計算機(jī)可讀碼，包括用于給所述蝕刻室提供包括氧氣和氮氣的無晶片自動清洗氣體的計算機(jī)可讀碼；以及用于從所述無晶片自動清洗氣體形成無晶片自動清洗等離子體以清洗所述蝕刻室的計算機(jī)可讀碼。
19.如權(quán)利要求18所述的裝置，其中用于提供所述無晶片自動清洗氣體的所述計算機(jī)可讀碼提供具有氧氣對氮氣的流量比為1∶99至2∶98之間的所述無晶片自動清洗氣體。
全文摘要
提供用于在電介質(zhì)層上形成特征、并且為多個晶片打開阻擋層、以及在處理并移除多個晶片中的各晶片之后清洗蝕刻室的方法。將多個晶片中的晶片放入蝕刻室中，其中在晶片上有阻擋層，并且在阻擋層上有電介質(zhì)層。蝕刻電介質(zhì)層。打開阻擋層。從蝕刻室移除晶片。提供沒有晶片的蝕刻室的無晶片自動清洗。無晶片自動清洗包括給蝕刻室提供包括氧氣和氮氣的無晶片自動清洗氣體，以及從無晶片自動清洗氣體形成無晶片自動清洗等離子體以清洗蝕刻室。
文檔編號H01L21/00GK1691276SQ20051007620
公開日2005年11月2日 申請日期2005年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月19日
發(fā)明者X·S·姚, B·-M·殷, T·韓, P·勒溫哈德特 申請人:蘭姆研究有限公司