專利名稱：有機電致發(fā)光顯示設備及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電致發(fā)光顯示器(ELD)，并且更為具體的說，涉及適于改進用在封裝工藝中的密封劑的粘合的有機電致發(fā)光顯示設備及其制造方法。
背景技術：
近來，已經(jīng)開發(fā)了重量和體積更小的多種平板顯示設備，其能夠消除陰極射線管(CRT)的缺點。這種平板顯示設備包括液晶顯示器(LCD)、場發(fā)射顯示器(FED)、等離子顯示面板(PDP)和電致發(fā)光(EL)顯示器等設備。在這種平板顯示設備中，PDP具有制造大尺寸屏幕的最大優(yōu)點，因為其結構和制造過程簡單，但是缺點在于它具有低的發(fā)光效率和大的能耗。而LCD具有難以制造大尺寸屏幕的缺點，因為其是通過半導體工藝制造的，但是因為其主要用于筆記本個人計算機的顯示設備，其需要日益增長。但是，LCD的缺點在于它難以被制造為大尺寸并且因為背光單元而能耗很大。而且，LCD因為比如偏振濾波器、棱鏡片，擴散器等光學器件而具有大的光線損耗和窄的視角的缺點。另一方面，根據(jù)光發(fā)射層的材料，EL顯示設備大致被分類為無機EL設備和有機EL設備，并且其是自發(fā)光設備。當和上述顯示設備相比時，EL顯示設備具有快速響應速度、大的發(fā)光效率、高亮度和大的視角的優(yōu)點。有機EL顯示設備能夠以大約10V和數(shù)萬cd/m2的高亮度顯示畫面。有機EL顯示設備大部分用于諸如手機等的小型顯示器。
圖1是示出了現(xiàn)有技術的有機EL顯示設備的示意圖，并且圖2是具體示出圖1的“A”區(qū)域的截面圖。
參考圖1和圖2，現(xiàn)有技術的EL顯示設備包括設置有有機EL陣列的顯示區(qū)域P1；以及設置有用于施加驅動信號以驅動在顯示區(qū)域P1的電極的焊盤(pad)部分25的非顯示區(qū)域P2，以及帽28和基片2的粘合區(qū)域P3(或密封線區(qū)域)。
顯示區(qū)域P1設置有在基片2上形成的陽極電極4，以及設置有以與陽極電極4交叉的方向形成的陰極電極12。
在基片2上以彼此分開所需距離的方式設置多個陽極電極4。部分暴露陽極電極4，由此形成限定在具有陽極電極4的基片2上的光發(fā)射區(qū)域的絕緣膜6。在絕緣膜6上，設置用于分開有機光發(fā)射層10和在其上形成的陰極電極12的阻擋條8。阻擋條8以與陽極電極4交叉的方向形成，并具有其中其上部部分的寬度大于下部部分的寬度的懸垂結構。在設置有阻擋條8的絕緣膜6上沉積由有機化合物制成的有機光發(fā)射層10和陰極電極12。通過在陽極電極4上沉積空穴注入層、空穴載體層、光發(fā)射層、電子載體層和電子注入層來形成有機光發(fā)射層10。
非顯示區(qū)域P2設置有從在顯示區(qū)域P1的陽極電極4延伸的第一線54，用于經(jīng)第一線54設置數(shù)據(jù)電壓到陽極電極4的多個數(shù)據(jù)焊盤，連接到陰極電極12的第二線52，以及用于經(jīng)第二線52提供掃描電壓的掃描焊盤。在這里，第一和第二線54和52由和陽極電極4相同的透明電極材料形成，并且導電金屬層53進一步由鉬等在第二線52上形成，以加強第二線52的導電性。
將數(shù)據(jù)焊盤連接到安裝有用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)電壓的第一驅動電路的薄膜封裝(TCP)，由此提供數(shù)據(jù)電壓到每個陽極電極4。在數(shù)據(jù)焊盤的每一側設置掃描焊盤。該掃描焊盤和安裝有用于產(chǎn)生掃描電壓的第二驅動電路的TCP連接，由此提供掃描電壓到每個陰極電極12。
通過密封劑25在非顯示區(qū)域P2的密封線區(qū)域P3粘合到基片2的帽28防止了顯示區(qū)域P1的有機EL陣列15受到區(qū)域中的氧氣和潮濕的影響。
如圖3所示，在具有上述結構的現(xiàn)有技術的有機EL顯示設備中，如果將電壓加到陽極電極4和陰極電極12之間，那么從陰極電極12(或多個陰極)產(chǎn)生的電子經(jīng)電子注入層10a和電子載體層10b移動進入光發(fā)射層10c。另一方面，從陽極電極4(或多個陽極)產(chǎn)生的空穴經(jīng)空穴注入層10e和空穴載體層10d移動進入光發(fā)射層10c。
因此，在光發(fā)射層10c，從電子載體層10b和空穴載體層10d提供的電子和空穴復合以形成激子，并且將激子激發(fā)回底部狀態(tài)，因此將固定能量的光線通過陽極電極4發(fā)射到外側來顯示畫面。
同時，在這種有機EL顯示設備中，第二線52轉向顯示區(qū)域P1以連接到掃描焊盤，使得多個掃描線52位于密封線區(qū)域P3，如圖4所示。很密地布置第二線52使得其從密封線區(qū)域P3延伸到顯示區(qū)域P1。因此，存在密封劑25在粘合帽到基片2的情況下在密封線區(qū)域P3不均勻的問題，如圖4所示。換句話說，因為很密地布置的第二線52阻止密封劑25在粘合帽到基片2的情況下均勻地擴散到密封線區(qū)域P3，擴散的密封劑25的寬度變得不均勻。
因此，在此情況下，基片2和帽28的粘合能力變低并且在固定區(qū)域產(chǎn)生不平衡的壓力，存在封裝不良，也就是，密封劑25部分破裂的問題。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種有機電致發(fā)光顯示設備及其制造方法，其適于改進用在封裝過程中的密封劑的粘合。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的這些和其它目的，根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機電致發(fā)光顯示設備包括基片，其設置有具有彼此交叉并且在其間具有有機光發(fā)射層的第一和第二電極的有機電致發(fā)光陣列；帽，其經(jīng)密封劑粘合到密封線區(qū)域；多個信號線，其連接到第一和第二電極的任意一個并且位于密封線區(qū)域上；以及偽絕緣圖形，形成其覆蓋信號線的任意一個，其中偽絕緣圖形的一部分在密封線區(qū)域上形成。
偽絕緣圖形和相鄰有機電致發(fā)光陣列的密封線區(qū)域部分重疊。
偽絕緣圖形在密封線區(qū)域的整個寬度的大于1/2的區(qū)域上和密封線區(qū)域重疊。
通過較窄的距離布置信號線使得其從密封線區(qū)域延伸到有機電致發(fā)光陣列，并且形成偽絕緣圖形以覆蓋位于和有機電致發(fā)光陣列相鄰的密封線區(qū)域的至少一個信號線。
形成偽絕緣圖形以覆蓋信號線的一半以上。
有機電致發(fā)光顯示設備進一步包括絕緣膜，其形成在第一電極上以限定光發(fā)射區(qū)域，其中偽絕緣圖形和絕緣膜的材料相同。
根據(jù)本發(fā)明實施例的有機電致發(fā)光顯示設備的制造方法包括形成具有彼此交叉并且在其間具有有機光發(fā)射層的第一和第二電極的有機電致發(fā)光陣列；設置經(jīng)密封劑粘合到密封線區(qū)域的帽；形成與第一和第二電極的任意一個連接、并且位于密封線區(qū)域上的多個信號線；以及形成偽絕緣圖形以覆蓋信號線的任意一個，其中偽絕緣圖形的部分形成在密封線區(qū)域上。
該有機電致發(fā)光陣列包括通過部分暴露第一電極來限定光發(fā)射區(qū)域的絕緣膜，并且偽絕緣圖形同時由與絕緣膜相同的材料來形成。


通過下面參考附圖的本發(fā)明的實施例的詳細說明可以更為清楚地理解本發(fā)明的這些和其它目的，在附圖中圖1是示出了現(xiàn)有技術的有機電致發(fā)光顯示設備的結構的示意圖；圖2是具體示出如圖1所示的“A”區(qū)域的截面圖；圖3是用于解釋有機電致發(fā)光顯示設備的光發(fā)射原理的圖；圖4是用于解釋現(xiàn)有技術的密封劑的形成缺陷的截面圖；圖5是具體示出根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示設備的部分的截面圖；圖6A到6G是用于順序解釋如圖5所示的有機電致發(fā)光顯示設備的制造方法的截面圖。
具體實施例方式
下面將詳細參考本發(fā)明的優(yōu)選實施例，在附圖中示出了其實例。
在下文中，將參考圖5到6G詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示設備的部分的示意截面圖。
參考圖5，根據(jù)本發(fā)明的有機EL顯示設備包括設置有有機EL陣列115的顯示區(qū)域P1；以及設置有用于施加驅動信號以驅動在顯示區(qū)域P1的電極的焊盤部分(沒有示出)的非顯示區(qū)域P2，以及帽128和基片102的粘合區(qū)域P3(或密封線區(qū)域)。
顯示區(qū)域P1設置有在基片102上形成的陽極電極104，以及與陽極電極104交叉的方向形成的陰極電極112。
在基片102上以彼此分開所需距離的方式設置多個陽極電極104。部分地暴露陽極電極104，由此形成限定在具有陽極電極104的基片102上的光發(fā)射區(qū)域的絕緣膜106。在絕緣膜106上，設置用于分開有機光發(fā)射層110和在其上形成的陰極電極112的阻擋條108。阻擋條108以與陽極電極104交叉的方向形成，并具有其中其上部部分的寬度大于下部部分的寬度的懸垂結構。在設置有阻擋條108的絕緣膜6上整個沉積由有機化合物制成的有機光發(fā)射層110和陰極電極112。通過在陽極電極104上沉積空穴注入層、空穴載體層、光發(fā)射層、電子載體層和電子注入層來形成有機光發(fā)射層110。
非顯示區(qū)域P2設置從在顯示區(qū)域P1的陽極電極104延伸的第一線(沒有示出)，用于經(jīng)第一線提供數(shù)據(jù)電壓到陽極電極104的數(shù)據(jù)焊盤，連接到陰極電極112的第二線152，以及用于經(jīng)第二線152提供掃描電壓的掃描焊盤。在這里，第一和第二線152由與陽極電極104相同的透明電極材料形成，并且導電金屬層153進一步由鉬等在第二線152上形成，以加強第二線152的導電性。
帽128通過在非顯示區(qū)域P2的密封線區(qū)域P3的密封劑125粘合到基片102，以防止顯示區(qū)域P1的有機EL陣列115受到該區(qū)域中的氧氣和潮濕的影響。
根據(jù)本發(fā)明的有機EL顯示設備進一步包括在非顯示區(qū)域P2的密封線區(qū)域P3的偽絕緣圖形107。形成偽絕緣圖形107以覆蓋很密地位于密封線區(qū)域P3的第二線152，使得密封劑125對應于密封線區(qū)域P3并且被均勻形成。
下面將進行更為具體的描述。
轉向顯示區(qū)域P1以連接掃描焊盤的第二線152的部分位于密封線區(qū)域P3，特別的，當從密封線區(qū)域P3延伸到顯示區(qū)域P1時很密地布置。在這里，形成偽絕緣圖形107以覆蓋很密地布置的第二線152。并且，密封劑125位于偽絕緣圖形107上，使得相比現(xiàn)有技術，能夠防止由第二線152引起的密封劑的不均勻形成?？梢孕纬蓚谓^緣圖形107以在與顯示區(qū)域P1相鄰的方向和密封線區(qū)域P3重疊，并且從密封線區(qū)域P3部分地進一步擴大到顯示區(qū)域P1的方向。另外，可以形成偽絕緣圖形107以與密封線區(qū)域P2在大于其一半的區(qū)域上重疊。同時，偽絕緣圖形107由與有機EL陣列115的絕緣膜106相同的有機材料形成，并且偽絕緣圖形107的厚度是大約1.2μm，并且第二線152的厚度是大約1000，使得偽絕緣圖形107能夠減少在第二線152和基片102之間的階梯(stepped)差異。
在下文中，將參考圖6A到6G描述制造有機EL顯示設備的方法。
首先，如圖6A所示，通過在由堿石灰或鋼化玻璃制成的基片102上沉積透明導電金屬材料來設置陽極電極104和第二線152，并且之后通過光刻和蝕刻工藝來制圖。在這里，銦錫氧化物(ITO)或SnO2被用作金屬材料。
在基片102上，沉積諸如鉬Mo等的導電金屬材料，并且通過光刻工藝和蝕刻工藝來制圖，由此在第二線152上形成導電金屬層153，如圖6B所示。
在具有陽極電極104和第二線152的基片102通過旋轉涂覆方法涂覆光敏絕緣材料，并且構圖，由此形成限定顯示區(qū)域P1的光發(fā)射區(qū)域的絕緣膜106和在密封線區(qū)域P3上的偽絕緣圖形107，如圖6C所示。在這里，形成偽絕緣圖形107以覆蓋在密封線區(qū)域103上很密地布置的第二線152，并且可以形成其以從密封線區(qū)域P3部分地進一步擴大到顯示區(qū)域P1方向。
在具有絕緣膜106和偽絕緣圖形107的基片102上沉積光敏絕緣材料，并且通過光刻工藝和蝕刻工藝構圖，由此形成阻擋條108，如圖6D所示。在非光發(fā)射區(qū)域形成阻擋條108以與陽極電極104交叉，從而將像素分區(qū)。
如圖6E所示，通過使用公共掩膜和顯示掩膜(show mask)(沒有示出)，在具有阻擋條108的基片102上通過熱沉積、真空沉積等形成有機光發(fā)射層110。
在具有有機光發(fā)射層110的基片102上沉積金屬材料，由此形成陰極電極112，如圖6F所示。
然后，將密封劑125施加到其中帽128和基片102粘合的區(qū)域，并且然后進行封裝工藝以使得密封劑對應于基片102的密封線區(qū)域P3，由此結合帽128和設置有具有陰極電極112的有機EL陣列115的基片102，如圖6G所示。
在有機電子發(fā)光顯示設備及其制造方法中，形成偽絕緣圖像107以覆蓋位于密封線區(qū)域P3的第二線152(或信號線)，該密封線區(qū)域是帽和基片的粘合區(qū)域。偽絕緣圖形107減少了在基片102和第二線152之間的階梯差異，使得密封劑125均勻地形成在密封線區(qū)域P3。因此，改進了密封劑125的粘合，由此改進了有機EL陣列115的封裝。
如上所述，在有機電子發(fā)光顯示設備及其制造方法中，形成偽絕緣圖像以覆蓋位于密封線區(qū)域的第二線(或信號線)，使得偽絕緣圖形減少了在基片和第二線之間的階梯差異。因此，密封劑均勻地形成，使得可以改進有機EL陣列的封裝。
雖然通過如上所述的附圖中所示的實施例解釋了本發(fā)明，本領域普通技術人員應該理解本發(fā)明不限于實施例，而是在不脫離本發(fā)明的精神的情況下可以做出多種修改或變更。因此，本發(fā)明的范圍應該僅由所附的權利要求及其等效物所確定。
權利要求
1.一種有機電致發(fā)光顯示設備，其包括基片，其設置具有彼此交叉并且在其間具有有機光發(fā)射層的第一和第二電極的有機電致發(fā)光陣列；帽，其通過密封劑粘合到密封線區(qū)域；多個信號線，其連接到第一和第二電極的任意一個，并且位于密封線區(qū)域上；以及偽絕緣圖形，其形成以覆蓋信號線的任意一個，其中偽絕緣圖形的一部分在密封線區(qū)域上形成。
2.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示設備，其中，該偽絕緣圖形和相鄰有機電致發(fā)光陣列的部分密封線區(qū)域重疊。
3.如權利要求2所述的有機電致發(fā)光顯示設備，其中，該偽絕緣圖形和密封線區(qū)域在密封線區(qū)域的整個寬度的大于1/2的區(qū)域上重疊。
4.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示設備，其中，該信號線被通過較窄的距離布置使得其從密封線區(qū)域延伸到有機電致發(fā)光陣列，并且形成該偽絕緣圖形以覆蓋位于與有機電致發(fā)光陣列相鄰的密封線區(qū)域的至少一個信號線。
5.如權利要求4所述的有機電致發(fā)光顯示設備，其中，形成該該偽絕緣圖形以覆蓋信號線的1/2以上。
6.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示設備，進一步包括絕緣膜，其形成在第一電極上以限定光發(fā)射區(qū)域，其中該偽絕緣圖形和絕緣膜的材料相同。
7.一種有機電致發(fā)光顯示設備的制造方法，進一步包括形成具有彼此交叉并且在其間具有有機光發(fā)射層的第一和第二電極的有機電致發(fā)光陣列；設置通過密封劑粘合到密封線區(qū)域的帽；形成和第一和第二電極的任意一個連接、并且位于密封線區(qū)域上的多個信號線；以及形成偽絕緣圖形以覆蓋信號線的任意一個，其中該偽絕緣圖形的一部分形成在密封線區(qū)域上。
8.如權利要求7所述的方法，其中，該有機電致發(fā)光陣列包括通過部分地暴露第一電極來限定光發(fā)射區(qū)域的絕緣膜，并且該偽絕緣圖形同時由和絕緣膜相同的材料形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光顯示設備及其制造方法，其適于改進用在封裝工藝中的密封劑的粘合性。根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示設備包括基片，其設置具有彼此交叉并且在其間具有有機光發(fā)射層的第一和第二電極的有機電致發(fā)光陣列；帽，其通過密封劑粘合到密封線區(qū)域；多個信號線，其連接到第一和第二電極的任意一個，并且位于密封線區(qū)域上；以及偽絕緣圖形，其形成以覆蓋信號線的任意一個，其中偽絕緣圖形的一部分在密封線區(qū)域上形成。
文檔編號H01L27/32GK1713786SQ200510076460
公開日2005年12月28日 申請日期2005年6月15日 優(yōu)先權日2004年6月16日
發(fā)明者樸鐘賢 申請人:Lg電子株式會社