專利名稱：加工裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及進(jìn)行晶片加工的加工裝置。
背景技術(shù)：
由劃線(ストリ一ト)分隔開而在表面形成多個集成電路地構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片，被切割而分割成一個個半導(dǎo)體芯片，被利用于各種電子設(shè)備等。
例如在對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切割時、為了穩(wěn)定地支承形成得較薄的半導(dǎo)體晶片，如圖15所示，將半導(dǎo)體晶片W2的背面粘貼于粘接帶T的粘接面的中央部，同時在粘接面的外周部粘貼上框架F，由此形成半導(dǎo)體晶片W2通過粘接帶T與框架F形成一體的狀態(tài)。將與框架F形成一體的半導(dǎo)體晶片W2收容于晶片盒300中，由輸出送入裝置301夾持框架F并將其從晶片盒300中取出，而后將框架F保持于構(gòu)成輸送裝置的吸附盤(圖中未示出)并輸送到卡盤臺上。保持于卡盤臺上的半導(dǎo)體晶片W2經(jīng)切割被分割成一個個半導(dǎo)體芯片，再經(jīng)洗凈除去切削屑等之后，將框架F輸送保持于輸送裝置而進(jìn)行輸送，由輸出送入裝置301再將其收容于晶片盒內(nèi)。這樣，在半導(dǎo)體晶片W2的加工時，必須通過粘接帶T使半導(dǎo)體晶片W2與框架F一體化、來輸送并保持框架F(例如參照日本特開2003-257896號公報)。
但是，在將高速旋轉(zhuǎn)的切削刀片切入粘貼在粘接帶上的半導(dǎo)體晶片而進(jìn)行切削地切割時，為了將半導(dǎo)體晶片完全切斷，必須將切削刀片也稍稍切入粘接帶，因此，粘接帶的粘接層往往變成粘接屑飛散出去而附著在框架上。如果粘接屑附著在框架上，則在保持框架并輸送半導(dǎo)體晶片等時，在解除框架的保持狀態(tài)并使其脫離時常常不能使框架解脫。在這種情況下，不能使框架位于所要求的位置，而在不能預(yù)期的位置脫落，常常產(chǎn)生損傷和框架形成一體的半導(dǎo)體晶片、或者損傷加工裝置的問題。
另外，附著于框架上的粘接屑經(jīng)洗凈不能完全除去，當(dāng)在這種狀態(tài)下使用于其他加工裝置時，在其他加工裝置中也會產(chǎn)生同樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明要解決的課題就是，即使在粘接屑附著在框架上的情況下，也能確實使框架脫開。
本發(fā)明所提供的加工裝置，其特征在于，所述加工裝置至少具有把晶片從晶片盒輸送到接受裝置并送入到該晶片盒內(nèi)的輸出送入裝置，所述晶片與框架粘貼在粘接帶上，由此通過粘接帶與框架形成一體，該接受裝置具有第一L字形導(dǎo)軌和第二L字形導(dǎo)軌，所述第一L字形導(dǎo)軌由可滑動地支承該框架底面的第一底面支承部與支承該框架的側(cè)部的第一側(cè)部支承部構(gòu)成，所述第二L字形導(dǎo)軌由可滑動地支承該框架底面的第二底面支承部與支承該框架側(cè)部的第二側(cè)部支承部構(gòu)成并與該第一L字形導(dǎo)軌對置配置著；該第一L字形導(dǎo)軌與該第二L字形導(dǎo)軌構(gòu)成為可向相互接近的方向或相互離開的方向移動；在該第一底面支承部的上部與該第二底面支承部的上部，相向地配置著對由該輸出送入裝置從該晶片盒輸出的框架的水平方向的移動進(jìn)行限制的第一引出限制部和第二引出限制部。
進(jìn)而，本發(fā)明還提供一種加工裝置，所述加工裝置至少具有輸出送入裝置和輸送裝置，所述輸出送入裝置把晶片從晶片盒輸送到接受裝置并送入到該晶片盒內(nèi)，所述晶片與框架粘貼在粘接帶上，由此通過粘接帶與框架形成一體，所述輸送裝置吸引保持與被輸出到該接受裝置的晶片形成一體的框架，并向垂直方向移動而輸出該晶片，同時，將該晶片送入該接受裝置，其特征在于該接受裝置具有第一L字形導(dǎo)軌和第二L字形導(dǎo)軌，所述第一L字形導(dǎo)軌由可滑動地支承該框架底面的第一底面支承部與支承該框架的側(cè)部的第一側(cè)部支承部構(gòu)成，所述第二L字形導(dǎo)軌由可滑動地支承該框架底面的第二底面支承部與支承該框架側(cè)部的第二側(cè)部支承部構(gòu)成并與該第一L字形導(dǎo)軌對置配置著；該第一L字形導(dǎo)軌與該第二L字形導(dǎo)軌構(gòu)成為可向相互接近的方向或相互離開的方向移動；在該第一側(cè)部支承部的上部與該第二側(cè)部支承部的上部，在相向的位置配設(shè)著對該框架的垂直方向移動進(jìn)行限制的第一框架壓緊部與第二框架壓緊部。在本加工裝置中也可以在所述第一底面支承部的上部與所述第二底面支承部的上部，相向地配置著對由所述輸出送入裝置從所述晶片盒輸出的框架的水平方向移動進(jìn)行限制的第一引出限制部和第二引出限制部。
在本發(fā)明中，由于在構(gòu)成接受裝置的第一L字形導(dǎo)軌的第一底面支承部與第二L字形導(dǎo)軌的第二底面支承部上分別相向地設(shè)置限制框架的水平方向移動的第一引出限制部與第二引出限制部，從而在由輸出送入裝置引出框架時，例如即使是在框架上附著有粘接屑框架而不能從輸出送入裝置上離開的情況下，由于框架抵接于兩個引出限制部、而位于一定的位置，可確實地使框架從輸出送入裝置脫開，可使晶片單元位于所期望的位置。從而不會造成晶片的損傷或加工裝置的損傷。
另外，在本發(fā)明中，由于在構(gòu)成接受裝置的L字形導(dǎo)軌的側(cè)部支承部上設(shè)置著第一壓緊部與第二壓緊部，即使在輸送裝置解除框架的吸附沿垂直方向移動時、由于框架上附著的粘接屑而使框架不能從輸送裝置脫離的情況下，由于框架抵接于兩個壓緊部、框架的垂直方向的移動受到限制，由此可使框架確實從輸送裝置脫離。從而可避免晶片受到損傷或加工裝置受到損傷。
在構(gòu)成接受裝置的第一L字形導(dǎo)軌的第一底面支承部與第二L字形導(dǎo)軌的第二底面支承部上分別設(shè)置第一引出限制部與第二引出限制部，同時，在第一L字形導(dǎo)軌的側(cè)部支承部與第二L字形導(dǎo)軌的側(cè)部支承部上分別設(shè)置第一壓緊部與第二壓緊部，因此，例如即使在框架上附著有粘接屑的情況下，也可由框架抵接于兩個引出限制部、使框架確實從輸出送入裝置脫離，同時，由于框架抵接于兩個框架壓緊部、限制了框架垂直方向的移動，由此可使框架確實從輸送裝置脫離。


圖1是表示作為加工裝置的一例的切削裝置的立體圖。
圖2是表示通過粘接帶與框架形成一體的晶片的立體圖。
圖3是表示輸出送入裝置的構(gòu)成的立體圖。
圖4是表示接受裝置的構(gòu)成的立體圖。
圖5是表示切削晶片的狀態(tài)的立體圖。
圖6是概略表示由切削引起粘接屑飛散的狀態(tài)的斷面圖。
圖7是表示要輸送附著有粘接屑的框架的狀態(tài)的立體圖。
圖8是概略表示吸附了附著有粘接屑的框架的狀態(tài)的斷面圖。
圖9是概略表示將晶片單元載置于接受裝置的狀態(tài)的斷面圖。
圖10是概略表示框架從輸送裝置脫離之前的狀態(tài)的斷面圖。
圖11是概略表示框架從輸送裝置脫離的狀態(tài)的斷面圖。
圖12是表示框架的移動被第一引出限制部與第二引出限制部限制的狀態(tài)的平面圖。
圖13是圖10的A-A線斷面圖。
圖14是表示框架從輸出送入裝置脫離了的狀態(tài)的平面圖。
圖15是表示將框架從晶片盒取出狀態(tài)的說明圖。
具體實施例方式
圖1中所示的切削裝置1是使用本發(fā)明的加工裝置的一種，具有進(jìn)行半導(dǎo)體晶片等的切削的功能。如圖2所示，要切削的晶片W、被粘貼于粘接帶T的中央部。另外，在粘接帶T的外周部粘貼著框架F。這樣，晶片W在通過粘接帶T與框架F形成一體的狀態(tài)下、如圖1所示，被收容于載置在盒升降臺10a上的晶片盒100中，所述盒升降臺10a位于盒載置區(qū)域10中。晶片W通過粘接帶T與框架F形成一體的結(jié)構(gòu)被叫做晶片單元U。在晶片盒100內(nèi)收容多個晶片單元U。
在圖1所示的盒載置區(qū)域10的近旁，配設(shè)著接受裝置11，所述接受裝置11用來載置從晶片盒100中輸出的晶片單元U或者向晶片盒100中送入的晶片單元U。在接受裝置11的近旁，配設(shè)著輸出送入的裝置12與輸送裝置14，所述輸出送入裝置12用來從晶片盒100中輸出晶片單元U和向晶片盒100中送入晶片單元U；所述輸送裝置14用來在接受裝置11與卡盤臺13之間或者與洗凈區(qū)域17之間進(jìn)行晶片單元U的輸送。
輸送裝置14由可在Y軸方向移動的臂部140、從臂部140向下方垂設(shè)的垂設(shè)部141、在垂設(shè)部141上沿垂直方向(Z軸方向)升降的升降部142和設(shè)于升降部142下端的吸附盤143構(gòu)成，可以在吸附盤143吸附著框架F的狀態(tài)下，通過臂部140在Y軸方向移動而輸送晶片單元U。
如圖3所示，輸出送入裝置12由配設(shè)于Y軸方向的滾珠絲杠120及導(dǎo)向?qū)к?21、使?jié)L珠絲杠120轉(zhuǎn)動的馬達(dá)122、與滾珠絲杠120螺紋結(jié)合并可滑動地結(jié)合于導(dǎo)向?qū)к?21的移動部123、設(shè)置于移動部123并可在相互接近或離開的方向上下運(yùn)動來夾持或放開框架F的兩個凸緣狀捏手部124構(gòu)成，隨著由馬達(dá)122驅(qū)動使?jié)L珠絲杠120轉(zhuǎn)動，移動部123在Y軸方向移動。
如圖4中放大表示的那樣，接受裝置11由相向地設(shè)置的第一L字形導(dǎo)軌110與第二L字形導(dǎo)軌111構(gòu)成。第一L字形導(dǎo)軌110由可滑動地支承構(gòu)成圖1與圖2所示的晶片單元U的框架F的底面的第一底面支承部112、和支承框架F的側(cè)部的第一側(cè)部支承部113構(gòu)成；第二L字形導(dǎo)軌111由可滑動地支承框架F的底面的第二底面支承部114、與支承框架F的側(cè)部的第二側(cè)部支承部115構(gòu)成。第一L字形導(dǎo)軌110與第二L字形導(dǎo)軌111，任何一個的斷面都形成為L字形，由在X軸方向朝相互接近的方向或者相互離開的方向的移動，可以夾持或者放開框架F。
在第一底面支承部112的上部配設(shè)第一引出限制部116，在第二底面支承部114的上部配設(shè)第二引出限制部117，第一引出限制部116與第二引出限制部117在X方向相向地。另外，從第一側(cè)部支承部113向-X方向突出形成第一框架壓緊部118，從第二側(cè)部支承部115向+X方向突出形成第二框架壓緊部119，第一框架壓緊部118與第二框架壓緊部119形成于相向的位置。
一并參照圖1與圖4進(jìn)行說明，用于保持晶片單元U的卡盤臺13沿X方向可移動地配設(shè)于接受裝置11的下方，在卡盤臺13的+X方向的相鄰位置、配設(shè)具有切削刀片的切削裝置16和用于檢測應(yīng)切削位置的校準(zhǔn)裝置15。
在要切削收容于晶片盒100中的晶片W時，借助位于盒載置區(qū)域10中的盒升降臺10a的升降、使晶片單元U位于規(guī)定的高度，輸出送入裝置12向+Y方向移動，捏手部124夾持構(gòu)成晶片單元U的框架F。而后，輸出送入裝置12向-Y方向移動，在規(guī)定的位置解除捏手部124的夾持，由此可使晶片單元U載置于構(gòu)成接受裝置11的第一L字形導(dǎo)軌110與第二L字形導(dǎo)軌111的上面。這樣，在從晶片盒100引出晶片單元U時，以框架F的外周側(cè)面和第一側(cè)部支承部113及第二側(cè)部支承部115不接觸的程度，使第一L字形導(dǎo)軌110與第二L字形導(dǎo)軌111離開。
而后，使第一L字形導(dǎo)軌110與第二L字形導(dǎo)軌111向相互接近的方向移動，由第一側(cè)部支承部113與第二側(cè)部支承部115夾持框架F，使晶片單元U位于一定的位置。
圖1所示的輸送裝置14移動到晶片單元U的正上方，升降部142下降、吸附盤143吸附框架F。而后，第一L字形導(dǎo)軌110與第二L字形導(dǎo)軌111向相互離開方向移動，使第一框架壓緊部118與第二框架壓緊部119不位于框架F的正上方，之后，升降部142上升、使晶片單元U上升，而后使升降部142下降、解除吸附盤143的吸附，由此可使晶片單元U載置在卡盤臺13上，吸附保持晶片W。
使卡盤臺13向+X方向移動，在由校準(zhǔn)裝置15檢測出要切削的位置之后，卡盤臺13進(jìn)一步向相同方向移動，如圖5所示，構(gòu)成切削裝置16的切削刀片160一邊高速旋轉(zhuǎn)一邊切入晶片W的劃線，由此進(jìn)行切削。另外，使切削裝置16一邊向Y軸方向分度進(jìn)給、一邊將同方向的劃線全部切削，之后，使卡盤臺13旋轉(zhuǎn)90°，而后對與已切削的劃線成正交方向的全部劃線再進(jìn)行切削，由切割分割出一個個芯片。
在切削晶片W時，為了確實切斷晶片W，如圖6所示，切削刀片160也切入粘接帶T一些。從而，粘接帶T也被切削、并飛散出粘接屑200。如圖7所示，飛散的粘接屑200附著于構(gòu)架F的表面。在圖6與圖7中、將粘接屑200表示得比實際的要大。
在晶片W切削結(jié)束之后，借助使構(gòu)成輸送裝置14的升降部142下降，如圖8所示，吸附盤143吸附附著有粘接屑200的框架F，而后使升降部142上升，由使臂部140沿Y軸方向移動將晶片單元U輸送到洗凈區(qū)域17(參照圖1)。在圖1所示的洗凈區(qū)域17中，保持臺170保持并轉(zhuǎn)動晶片單元U，同時從噴嘴171噴出洗凈水、除去附著于晶片W上的切削屑。另一方面，對于附著于框架F上的粘接屑200(參照圖6、圖7、圖8)來說，也不盡能完全除去。
參照圖1繼續(xù)進(jìn)行說明，洗凈后的晶片單元U、在框架F被吸附于吸附盤143的狀態(tài)下由輸送裝置14輸送到接受裝置11，載置于第一L字形導(dǎo)軌110與第二L字形導(dǎo)軌111的上面。這時，如圖9所示，如第一框架壓緊部118與第二框架壓緊部119不處在框架F的正下方位置的話，當(dāng)載置晶片單元U時，第一框架壓緊部118與第二框架壓緊部119不會成為障礙。
其次，如圖10所示，使第一L字形導(dǎo)軌110與第二L字形導(dǎo)軌111相接近，使得至少第一框架壓緊部118與第二框架壓緊部119的一部分處于框架F的正上方位置。解除吸附盤143的吸附、同時使升降部142上升，框架從吸附盤143脫離。這時，如在框架F上附著有粘接屑200，如圖11所示，則框架F不會從吸附盤143離開，框架F也會和吸附盤143一起向上方提升一些。但是，框架F被從構(gòu)成第一L字形導(dǎo)軌110的第一側(cè)部支承部113向水平方向突出出來的第一框架壓緊部118、和從構(gòu)成第二L字形導(dǎo)軌111的第二側(cè)部支承部115向水平方向突出出來的第二框架壓緊部119向下方推壓，框架F被強(qiáng)制性地從吸附盤143脫離，晶片單元U確實載置于第一L字形導(dǎo)軌110與第二L字形導(dǎo)軌111的上面。從而，不會損傷晶片W、也不會損傷切削裝置1。
這樣，一邊由輸出送入裝置12的移動部123推壓框架F的端部、一邊輸出送入裝置12向+Y方向移動，由此將載置于接受裝置11上的晶片單元U收容于晶片盒100的規(guī)定的開口。
這樣被切割的晶片W，一個個芯片從粘接帶T上剝離下來；而在切割其他晶片時，使用過的框架F被再次利用，要切削的其他晶片通過粘接帶T與框架F粘接為一體，再收容于晶片盒100中。在框架F被再利用的情況下，如圖7所示，往往在框架F的表面附著有粘接屑。
在切削新的晶片時，也是和上述同樣的順序從晶片盒100中輸出后進(jìn)行切削。即，首先如圖12與圖13所示，由輸出送入裝置12的捏手部124夾持框架F從晶片盒100中取出晶片單元U1。這時，以框架F的外周側(cè)面和第一側(cè)部支承部113與第二側(cè)部支承部115不相接觸的程度，使第一L字形導(dǎo)軌110與第二L字形導(dǎo)軌111離開。晶片單元U1為切削前的晶片W1與框架F形成一體的結(jié)構(gòu)，由于框架F的外周部抵接于第一引出限制部116與第二引出限制部117，即使在有粘接屑200附著于框架F、捏手部124與框架F粘接在一起的狀態(tài)下，也可由使輸出送入裝置12在向-Y方向移動，強(qiáng)制性地使框架F從捏手部124脫離，而載置在接受裝置11上。從而不會損傷晶片W1、也不會損傷切削裝置。
在晶片單元U1載置在接受裝置11上之后，如圖14所示，使第一L字形導(dǎo)軌110與第二L字形導(dǎo)軌111向相互接近的方向移動，框架F由第一側(cè)部支承部113與第二側(cè)部支承部115推壓而對位于一定的位置。這時，框架F的側(cè)面以接觸于第一引出限制部116與第二引出限制部117的側(cè)面的狀態(tài)滑動，向+Y方向移動一些。
而后，像圖5所示那樣進(jìn)行切削，被分割成一個個芯片的晶片W1、在與框架F形成一體的狀態(tài)下被切割。在被送入洗凈區(qū)域17中洗凈之后，收容于晶片盒100中。而且，在為了切削將晶片單元U載置于吸附臺13時、或者為切削后的洗凈將晶片單元U載置于洗凈區(qū)域17的保持臺170時，要解除吸附盤143的吸附并使升降部142上升，但在卡盤臺13與保持臺170上，由于保持晶片的吸引力作用于和升降部142的移動方向相反的方向，故即使在框架F上附著有粘接屑200的狀態(tài)下，由于該吸引力與升降部142上升的作用，吸附盤143會從框架F脫離。
這樣，在輸送過程中，由于將晶片單元U1載置于所希望的位置，不會損傷晶片W1，也不會損傷切削裝置1。而且，上邊對用于切削裝置進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明也可應(yīng)用于其他加工裝置。
權(quán)利要求
1.一種加工裝置，所述加工裝置至少具有把晶片從晶片盒輸送到接受裝置并送入到該晶片盒內(nèi)的輸出送入裝置，所述晶片與框架粘貼在粘接帶上，由此通過粘接帶與框架形成一體，其特征在于該接受裝置具有第一L字形導(dǎo)軌和第二L字形導(dǎo)軌，所述第一L字形導(dǎo)軌由可滑動地支承該框架底面的第一底面支承部與支承該框架的側(cè)部的第一側(cè)部支承部構(gòu)成，所述第二L字形導(dǎo)軌由可滑動地支承該框架底面的第二底面支承部與支承該框架側(cè)部的第二側(cè)部支承部構(gòu)成并與該第一L字形導(dǎo)軌對置配置著；該第一L字形導(dǎo)軌與該第二L字形導(dǎo)軌構(gòu)成為可向相互接近的方向或相互離開的方向移動；在該第一底面支承部的上部與該第二底面支承部的上部，相向地配置著對由該輸出送入裝置從該晶片盒輸出的框架的水平方向的移動進(jìn)行限制的第一引出限制部和第二引出限制部。
2.一種加工裝置，所述加工裝置至少具有輸出送入裝置和輸送裝置；所述輸出送入裝置把晶片從晶片盒輸送到接受裝置并送入到該晶片盒內(nèi)，所述晶片與框架粘貼在粘接帶上，由此通過粘接帶與框架形成一體；所述輸送裝置吸引保持與被輸出到該接受裝置的晶片形成一體的框架，并向垂直方向移動而輸出該晶片，同時，將該晶片送入該接受裝置，其特征在于該接受裝置具有第一L字形導(dǎo)軌和第二L字形導(dǎo)軌，所述第一L字形導(dǎo)軌由可滑動地支承該框架底面的第一底面支承部與支承該框架的側(cè)部的第一側(cè)部支承部構(gòu)成，所述第二L字形導(dǎo)軌由可滑動地支承該框架底面的第二底面支承部與支承該框架側(cè)部的第二側(cè)部支承部構(gòu)成并與該第一L字形導(dǎo)軌對置配置著；該第一L字形導(dǎo)軌與該第二L字形導(dǎo)軌構(gòu)成為可向相互接近的方向或相互離開的方向移動；在該第一側(cè)部支承部的上部與該第二側(cè)部支承部的上部，在相向的位置配設(shè)著對該框架的垂直方向移動進(jìn)行限制的第一框架壓緊部與第二框架壓緊部。
3.按權(quán)利要求2所述的加工裝置，其特征在于，在所述第一底面支承部的上部與所述第二底面支承部的上部，相向地配置著對由所述輸出送入裝置從所述晶片盒輸出的框架的水平方向移動進(jìn)行限制的第一引出限制部和第二引出限制部。
全文摘要
為了即使在由于加工通過粘接帶(T)與框架(F)形成一體的晶片而在框架(F)上附著有粘接屑的情況下，也能不受該粘接屑的影響而圓滑地進(jìn)行其后的輸送等，在本發(fā)明的加工裝置中，在進(jìn)行輸出送入晶片(W)時的晶片(W)轉(zhuǎn)接的接受裝置(11)中，具有由第一底面支承部(112)與第一側(cè)部支承部(113)構(gòu)成的第一L字形導(dǎo)軌(110)、和由第二底面支承部(114)與第二側(cè)部支承部(115)構(gòu)成并和第一L字形導(dǎo)軌(110)相向地配設(shè)的第二L字形導(dǎo)軌(111)；在第一底面支承部(112)的上部與第二底面支承部(114)的上部，相向地配設(shè)著限制從晶片盒輸出的框架的移動用的第一引出限制部(116)與第二引出限制部(117)。
文檔編號H01L21/67GK1716528SQ20051007652
公開日2006年1月4日 申請日期2005年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月30日
發(fā)明者吉田圭吾, 檜垣岳彥 申請人:株式會社迪思科