專利名稱：有機(jī)薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列面板及其制造方法，特別地，涉及一種有機(jī)薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為下一代顯示器件的驅(qū)動(dòng)器件，人們對(duì)包括有機(jī)半導(dǎo)體的電場(chǎng)效應(yīng)晶體管已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究。有機(jī)半導(dǎo)體可分成低分子化合物，如低聚噻吩(oligothiophene)、并五苯、酞菁和C60；和高分子化合物如聚噻吩和聚亞噻吩基亞乙烯基(polythienylenevinylene)。低分子半導(dǎo)體在大約0.05-1.5msV的范圍內(nèi)具有高遷移率和較高的電流通斷比。
但是，包括低分子半導(dǎo)體化合物的有機(jī)薄膜晶體管(TFT)的傳統(tǒng)的制造工藝復(fù)雜，這是因?yàn)闉榱吮苊庖蛴袡C(jī)溶劑引起的溶劑導(dǎo)致平面內(nèi)膨脹(solvent-induced in-plane expansion)，傳統(tǒng)的制造工藝要求使用蔭罩和真空沉積來(lái)形成低分子半導(dǎo)體圖案。
此外，傳統(tǒng)的有機(jī)半導(dǎo)體器件有缺點(diǎn)，使得在制造工藝期間或之后其結(jié)構(gòu)和/或性質(zhì)易受到損害和/或改變。結(jié)果，傳統(tǒng)的有機(jī)TFT不可避免地在其特征上易于劣化。
為保護(hù)有機(jī)半導(dǎo)體，有機(jī)半導(dǎo)體層可用光阻劑進(jìn)行構(gòu)圖。但是，對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體的這種保護(hù)仍然不夠。因此，所需要的是改善的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板及其簡(jiǎn)化的制造工藝。

發(fā)明內(nèi)容
一種有機(jī)薄膜晶體管陣列面板及其制造方法克服或減輕了上述缺點(diǎn)和不足。該方法包括在襯底上形成柵極線，在柵極線上形成柵極絕緣層以及在柵極絕緣層上形成數(shù)據(jù)線和漏電極。該方法還包括在數(shù)據(jù)線、漏電極與在數(shù)據(jù)線和漏電極之間的柵極絕緣層的暴露部分上形成有機(jī)半導(dǎo)體層。該方法還包括形成完全覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體層的保護(hù)構(gòu)件，并且在保護(hù)構(gòu)件、數(shù)據(jù)線和漏電極上形成鈍化層。該方法還包括在鈍化層內(nèi)形成接觸孔以露出部分漏電極，并且在鈍化層上形成象素電極。象素電極經(jīng)接觸孔與漏電極接連。
本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列面板，其包括形成在襯底上的柵極線，形成在柵極線上的柵極絕緣層以及形成在柵極絕緣層上的數(shù)據(jù)線和漏電極。該薄膜晶體管陣列面板還包括形成在數(shù)據(jù)線、漏電極與在數(shù)據(jù)線和漏電極之間的柵極絕緣層的暴露部分上的有機(jī)半導(dǎo)體層。該薄膜晶體管陣列面板還包括形成在有機(jī)半導(dǎo)體層上且完全覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體層的保護(hù)構(gòu)件。該薄膜晶體管陣列面板還包括形成在保護(hù)構(gòu)件、數(shù)據(jù)線和漏電極上的鈍化層。在鈍化層內(nèi)形成接觸孔以露出部分漏電極。該薄膜晶體管陣列面板還包括形成在鈍化層上的象素電極。象素電極經(jīng)接觸孔與漏電極連接。
對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員，結(jié)合以下附圖和詳細(xì)的描述，其它實(shí)施例將會(huì)或變得顯而易見。旨在使所有附加的實(shí)施例包括在該描述之內(nèi)、本發(fā)明的范圍之內(nèi)，并且受到權(quán)利要求的保護(hù)。


通過參考附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述，本發(fā)明將會(huì)變得更加顯而易見，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的示例性TFT陣列面板的布局視圖；圖2是沿圖1中II-II′線截取的TFT陣列面板的剖視圖；圖3、5、7、9和11是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在圖1和圖2所示的TFT陣列面板的制造方法的中間步驟中TFT陣列面板的布局視圖；圖4是沿圖3中IV-IV′線截取的TFT陣列面板的剖視圖；圖6是沿圖5中VI-VI′線截取的TFT陣列面板的剖視圖；圖8是沿圖7中VIII-VIII′線截取的TFT陣列面板的剖視圖；圖10是沿圖9中X-X′線截取的TFT陣列面板的剖視圖；以及圖12是沿圖11中XII-XII′線截取的TFT陣列面板的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖來(lái)更充分地描述本發(fā)明，附圖中顯示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以多種不同的形式被實(shí)現(xiàn)，不應(yīng)理解為局限于這里所提到的實(shí)施例。相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。根據(jù)示例性實(shí)施例，本發(fā)明提出了一種有機(jī)薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。
在附圖中，為清楚起見，層的厚度和元件中的區(qū)域被夸大了。此外，應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件(例如層、區(qū)域或襯底)被描述為在另一元件“上”時(shí)，應(yīng)理解為直接在另一元件上或在元件之間存在著插入元件。相反，當(dāng)元件被表示為“直接”在另一元件“上”時(shí)，應(yīng)理解為在元件之間不存在插入元件。
現(xiàn)在看圖1和2，將要描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的涉及LCD的TFT陣列面板。應(yīng)當(dāng)明白，本發(fā)明的TFT陣列面板可用于OLED等其它類型的顯示器件。特別地，圖1是示例性TFT陣列面板的布局視圖，圖2是沿圖1中II-II′線截取的TFT陣列面板的剖視圖。
多個(gè)柵極線121形成在絕緣襯底110如透明玻璃、硅或塑料上。
柵極線121基本上在TFT陣列面板的橫向方向上延伸，用來(lái)傳送柵極信號(hào)。柵極線121的每個(gè)包括多個(gè)向上突出的柵極電極124和端部129，端部129具有很大的面積，用來(lái)與另一層或驅(qū)動(dòng)電路接觸。柵極線121可延伸以與可集成在襯底110上的驅(qū)動(dòng)電路(未標(biāo)出)相連接。
例如，柵極線121由如Al和Al合金等含Al金屬、如Ag和Ag合金等含Ag金屬、如Cu和Cu合金等含Cu金屬、如Au和Au合金等含Au金屬、如Mo和Mo合金等含Mo金屬、Cr、Ti或Ta等制成。柵極線121具有包括不同物理特性的兩層膜的多層結(jié)構(gòu)。例如，這兩層膜的一層由包括含Al金屬、含Ag金屬和含Cu金屬的低電阻率金屬制成，用來(lái)減少在柵極線121中的信號(hào)延遲或壓降。例如，另一層膜由如含Mo金屬、Cr、Ta或Ti等材料制成，這些材料與氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)等其它材料具有良好的物理、化學(xué)和電接觸特性。這兩層膜的組合的示例是下面為Cr膜、上面為Al(合金)膜和下面為Al(合金)膜、上面為Mo(合金)膜。但是，這些膜可由各種金屬或?qū)w制成。
柵極線121的側(cè)面相對(duì)于襯底110的表面傾斜，并且其傾斜角度的范圍大約為30-80度。
柵極絕緣層140形成在柵極線121上。例如，柵極絕緣層140由二氧化硅(SiO2)制成并且用十八烷-三氯-硅烷(OTSoctadecyl-trichloro-silane)進(jìn)行表面處理。但是，柵極絕緣層140可由氮化硅(SiNx)或馬來(lái)酰亞胺-苯乙烯(maleimide-styrene)、聚乙烯基苯酚(PVP)和改性的氰乙基支鏈淀粉(m-CEPmodified cyanoethylpullulan)等有機(jī)材料制成。
多個(gè)數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175形成在柵極絕緣層140上。
數(shù)據(jù)線171基本上在TFT陣列面板的縱向方向上延伸，用來(lái)傳送數(shù)據(jù)電壓且橫穿柵極線121。數(shù)據(jù)線171的每個(gè)包括端部179和多個(gè)朝柵極電極124突出的源電極173，端部179具有很大的面積，用來(lái)與另一層或外部器件接觸。源電極173的每個(gè)關(guān)于柵極電極124對(duì)應(yīng)于漏電極175的一個(gè)對(duì)向設(shè)置。每個(gè)源電極173和對(duì)應(yīng)的漏電極175相互隔開。
象柵極線121一樣，數(shù)據(jù)線171和漏電極175具有傾斜的邊緣形貌，并且其傾斜角度的范圍大約為30-80度。
多個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體島(organic semiconductor islands)154各自形成在源電極173、漏電極175和柵極絕緣層140上。在該實(shí)施例中，每個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體島設(shè)置在對(duì)應(yīng)的一個(gè)柵極電極124的上面，使有機(jī)半導(dǎo)體島154完全覆蓋柵極電極124。在該實(shí)施例中，柵極電極124和有機(jī)半導(dǎo)體島154的邊緣重疊。
有機(jī)半導(dǎo)體島154可包括溶于水溶液或有機(jī)溶劑的高分子化合物或低分子化合物。通常，高分子有機(jī)半導(dǎo)體材料易溶于溶劑因此適于印刷。一些類型的低分子有機(jī)半導(dǎo)體易溶于有機(jī)溶劑，使得這些類型的低分子有機(jī)半導(dǎo)體適于有機(jī)半導(dǎo)體島154。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，有機(jī)半導(dǎo)體島154可由并四苯或并五苯制成，或由帶有取代基的并四苯或并五苯制成，或由帶有取代基的并四苯或并五苯的衍生物制成?；蛘?，有機(jī)半導(dǎo)體島154由包括在噻吩環(huán)的2、5位連接的四到八個(gè)噻吩的低聚噻吩制成。
在另一實(shí)施例中，有機(jī)半導(dǎo)體島154可由茈四羧酸二酐(PTCDAperylenetetracarboxylic dianhydride)、萘四羧酸二酐(NTCDAnaphthalenetetracarboxylic dianhydride)或其亞胺衍生物制成。
在又一實(shí)施例中，有機(jī)半導(dǎo)體島154可由金屬化的酞菁或其鹵代衍生物制成。金屬化的酞菁可包括Cu、Co、Zn等。
在又一實(shí)施例中，有機(jī)半導(dǎo)體島154可由亞噻吩基或亞乙烯基的共低聚物或共聚物制成。此外，有機(jī)半導(dǎo)體島154可由立體規(guī)則性的(regioregular)聚噻吩制成。
在又一實(shí)施例中，有機(jī)半導(dǎo)體島154可由二萘嵌苯、六苯并苯或其帶有取代基的衍生物制成。
在又一實(shí)施例中，有機(jī)半導(dǎo)體島154可由上述衍生物的芳香族和芳香雜環(huán)的衍生物制成，其中至少一個(gè)羥鏈帶有一到三個(gè)碳原子。
柵極電極124、源電極173和漏電極175和半導(dǎo)體島154一起形成TFT，TFT具有在半導(dǎo)體島154內(nèi)形成的通道。特別地，該通道位于源電極173和漏電極175之間。
多個(gè)保護(hù)構(gòu)件164各自形成在半導(dǎo)體島154上。例如，保護(hù)構(gòu)件164由在低溫下經(jīng)干燥處理和沉積的絕緣材料制成。這種材料的示例是能在室溫或低于室溫下形成的聚對(duì)二甲苯。保護(hù)構(gòu)件164保護(hù)有機(jī)半導(dǎo)體島154在制造工藝中免受損害。保護(hù)構(gòu)件164完全覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體島154。
鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、漏電極175和保護(hù)構(gòu)件164上。例如，鈍化層180由如氮化硅或二氧化硅等無(wú)機(jī)絕緣體、有機(jī)絕緣體或低介電絕緣材料制成。例如，低介電絕緣材料的介電常數(shù)小于4.0，并且其示例包括通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F。有機(jī)絕緣體具有光敏性，鈍化層180具有平坦的表面。鈍化層180具有包括下面為無(wú)機(jī)膜和上面為有機(jī)膜的雙層結(jié)構(gòu)，從而鈍化層也可利用有機(jī)膜以及保護(hù)有機(jī)半導(dǎo)體島154的暴露部分。
鈍化層180具有分別露出數(shù)據(jù)線171和漏電極175的端部179的多個(gè)接觸孔182和185。鈍化層180和柵極絕緣層140具有露出柵極線121的端部129的多個(gè)接觸孔181。
多個(gè)象素電極190形成在鈍化層180上，多個(gè)接觸輔助構(gòu)件(contactassistants)81和82形成在接觸孔181和182內(nèi)。例如，象素電極190與接觸輔助構(gòu)件81和82由如ITO或IZO等透明導(dǎo)體或如Ag或Al等反射導(dǎo)體制成。
象素電極190經(jīng)接觸孔185與漏電極175物理且電連接，使象素電極190能從漏電極175接收數(shù)據(jù)電壓。當(dāng)象素電極190被供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓時(shí)，它們和與象素電極190對(duì)向設(shè)置并且被供應(yīng)公共電壓的公共電極(未標(biāo)出)合作產(chǎn)生電場(chǎng)，該電場(chǎng)確定設(shè)置在這兩種電極之間的液晶層(未標(biāo)出)內(nèi)液晶分子的取向，或在發(fā)光層(未標(biāo)出)生成電流來(lái)發(fā)射光。
多個(gè)象素電極190與柵極線121和數(shù)據(jù)線171重疊來(lái)增加孔徑比。
接觸輔助構(gòu)件81和82分別經(jīng)接觸孔181和182與柵極線121的暴露的端部129和數(shù)據(jù)線171的暴露的端部179連接。接觸輔助構(gòu)件81和82保護(hù)暴露的端部129和179，且補(bǔ)充暴露的端部129和179與外部器件的膠粘性。
現(xiàn)在看圖3到12，將詳細(xì)描述在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的圖1和2中所示的TFT陣列面板的制造方法。在圖3-12中，與圖1和2中相同的零部件用相同的標(biāo)號(hào)代表，并且省略對(duì)相同零部件進(jìn)行描述以避免重復(fù)。
圖3、5、7、9和11是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的在圖1和2中所示的TFT陣列面板在其制造方法的中間步驟的布局視圖。圖4是沿圖3中IV-IV′線截取的TFT陣列面板的剖視圖。圖6是沿圖5中VI-VI′線截取的TFT陣列面板的剖視圖。圖8是沿圖7中VIII-VIII′線截取的TFT陣列面板的剖視圖。圖10是沿圖9中X-X′線截取的TFT陣列面板的剖視圖，圖12是沿圖11中XII-XII′線截取的TFT陣列面板的剖視圖。
參見圖3和4，包括柵極電極124和端部129的柵極線121形成在絕緣襯底上。絕緣襯底110可由透明玻璃、硅或塑料制成。
參見圖5和6，柵極絕緣層140通過使用例如化學(xué)氣相沉積(CVD)方法沉積在襯底110上。柵極絕緣層140的厚度可約為500-3,000，柵極絕緣層140可在十八烷-三氯-硅烷(OTS)中浸泡，這樣就用OTS進(jìn)行了表面處理。之后，例如由Au等低電阻率金屬制成的導(dǎo)電層通過例如真空熱沉積等方法沉積在柵極絕緣層140上。通過使用例如平版印刷和蝕刻處理對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖，以形成包括源電極173和端部179的數(shù)據(jù)線171，及漏電極175。
參見圖7和8，有機(jī)半導(dǎo)體層通過使用例如分子束沉積、氣相沉積、真空升華、CVD、PECVD、活性沉積、濺射、旋涂等方法沉積在源電極173、漏電極175及在源電極173和漏電極175之間的柵極絕緣層140的暴露部分上，并且通過使用例如平版印刷和蝕刻處理進(jìn)行構(gòu)圖以形成有機(jī)半導(dǎo)體島154。
參見圖9和10，在室溫或低于室溫的溫度下，絕緣層被干法沉積在有機(jī)半導(dǎo)體島154上。絕緣層可由聚對(duì)二甲苯制成。對(duì)絕緣層的低溫干法沉積防止半導(dǎo)體島154受到損害。絕緣層經(jīng)平版印刷和干法蝕刻以形成保護(hù)構(gòu)件164。保護(hù)構(gòu)件164完全覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體島154。
參見圖11和12，鈍化層180和柵極絕緣層140一起被沉積且進(jìn)行構(gòu)圖，用來(lái)形成分別露出柵極線121和數(shù)據(jù)線171的端部129和179及部分漏電極175的接觸孔181、182和185。因?yàn)橛袡C(jī)半導(dǎo)體島154被保護(hù)構(gòu)件164完全覆蓋，所以有機(jī)半導(dǎo)體島154并不受鈍化層180的形成的影響。
象素電極190與接觸輔助構(gòu)件81和82形成在鈍化層180上，如圖1和2所示。因?yàn)闆]有露出有機(jī)半導(dǎo)體島154，所以有機(jī)半導(dǎo)體島154并不受象素電極190與接觸輔助構(gòu)件81和82的形成的影響。
因?yàn)橛袡C(jī)半導(dǎo)體島154被保護(hù)構(gòu)件164完全覆蓋，所以防止了對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體島154的損害，提高了有機(jī)TFT的可靠性并且簡(jiǎn)化了制造工藝。
本發(fā)明可用于包括LCD和OLED的任何顯示器件。
盡管上文已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但應(yīng)該清楚地理解，對(duì)這里所提到的本發(fā)明基本構(gòu)思的許多變形和/或修改，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員可能是顯而易見的，這些變形和/或修改仍然會(huì)落在由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，所述方法包括在襯底上形成柵極線；在所述柵極線上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成數(shù)據(jù)線和漏電極；在所述數(shù)據(jù)線、所述漏電極與在所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極之間的所述柵極絕緣層的暴露部分上形成有機(jī)半導(dǎo)體層；形成完全覆蓋所述有機(jī)半導(dǎo)體層的保護(hù)構(gòu)件；在所述保護(hù)構(gòu)件、所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極上形成鈍化層；在所述鈍化層內(nèi)形成接觸孔以露出部分所述漏電極；以及在所述鈍化層上形成象素電極，所述象素電極經(jīng)所述接觸孔與所述漏電極連接。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述保護(hù)構(gòu)件的形成包括在與室溫相等或更低的溫度下沉積絕緣層；以及以干法的方式對(duì)所述絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖以形成保護(hù)構(gòu)件。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述保護(hù)構(gòu)件由聚對(duì)二甲苯組成。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述有機(jī)半導(dǎo)體層由從所述組中選擇的至少一種組成，所述組包括并四苯、并五苯及其帶有取代基的衍生物；包括在噻吩環(huán)的2、5位連接四到八個(gè)噻吩的低聚噻吩；茈四羧酸二酐、萘四羧酸二酐及其亞胺衍生物；金屬化的酞菁及其鹵代衍生物；亞噻吩基和亞乙烯基的共低聚物和共聚物；立體規(guī)則性的聚噻吩；二萘嵌苯、六苯并苯及其帶有取代基的衍生物；以及所述上述材料的芳香族化合物和芳香雜環(huán)，其中至少一個(gè)羥鏈帶有一到三個(gè)碳原子。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述柵極絕緣層由從所述組中選擇的至少一種組成，所述組包括二氧化硅、氮化硅、馬來(lái)酰亞胺-苯乙烯、聚乙烯基苯酚和改性的氰乙基支鏈淀粉。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述柵極絕緣層用十八烷-三氯-硅烷進(jìn)行表面處理。
7.一種薄膜晶體管陣列面板，包括形成在襯底上的柵極線；形成在所述柵極線上的柵極絕緣層；形成在所述柵極絕緣層上的數(shù)據(jù)線和漏電極；形成在所述數(shù)據(jù)線、所述漏電極與在所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極之間的所述柵極絕緣層的暴露部分上的有機(jī)半導(dǎo)體層；形成在所述有機(jī)半導(dǎo)體層上且完全覆蓋所述有機(jī)半導(dǎo)體層的保護(hù)構(gòu)件；形成在所述保護(hù)構(gòu)件、所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極上的鈍化層；在鈍化層內(nèi)形成的接觸孔以露出部分所述漏電極；以及形成在所述鈍化層上的象素電極，所述象素電極經(jīng)所述接觸孔與所述漏電極連接。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述保護(hù)構(gòu)件由在與室溫相等或更低的溫度下能被沉積的材料組成。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述保護(hù)構(gòu)件由能被干法處理的材料組成。
10.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述保護(hù)構(gòu)件由聚對(duì)二甲苯組成。
11.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述有機(jī)半導(dǎo)體層由從所述組中選擇的至少一種組成，所述組包括并四苯、并五苯及其帶有取代基的衍生物；包括在噻吩環(huán)的2、5位連接四到八個(gè)噻吩的低聚噻吩；茈四羧酸二酐、萘四羧酸二酐及其亞胺衍生物；金屬化的酞菁及其鹵代衍生物；亞噻吩基和亞乙烯基的共低聚物和共聚物；立體規(guī)則性的聚噻吩；二萘嵌苯、六苯并苯及其帶有取代基的衍生物；以及所述上述材料的芳香族化合物和芳香雜環(huán)，其中至少一個(gè)羥鏈帶有一到三個(gè)碳原子。
12.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述柵極絕緣層由從所述組中選擇的至少一種組成，所述組包括二氧化硅、氮化硅、馬來(lái)酰亞胺-苯乙烯、聚乙烯基苯酚和改性的氰乙基支鏈淀粉。
13.如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述柵極絕緣層用十八烷-三氯-硅烷進(jìn)行表面處理。
14.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述至少一個(gè)柵極線包括此處分枝且被所述有機(jī)半導(dǎo)體層完全覆蓋的柵極電極。
15.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括形成在所述鈍化層和所述柵極絕緣層內(nèi)的第二接觸孔以露出所述柵極線的端部。
16.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括形成在所述鈍化層內(nèi)的第三接觸孔以露出所述數(shù)據(jù)線的端部。
全文摘要
提供了一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，該方法包括在襯底上形成柵極線；在柵極線上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成數(shù)據(jù)線和漏電極；在數(shù)據(jù)線、漏電極與在數(shù)據(jù)線和漏電極之間的柵極絕緣層的暴露部分上形成有機(jī)半導(dǎo)體層；形成完全覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體層的保護(hù)構(gòu)件；在保護(hù)構(gòu)件、數(shù)據(jù)線和漏電極上形成鈍化層；在鈍化層內(nèi)形成接觸孔以露出部分漏電極；以及在鈍化層上形成象素電極，該象素電極經(jīng)接觸孔與漏電極連接。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1716060SQ200510076639
公開日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2005年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月14日
發(fā)明者金保成, 李宇宰, 柳旻成 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社