專利名稱：非揮發(fā)性存儲(chǔ)器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器元件及其制造方法，特別是涉及一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器及其制造方法。
背景技術(shù)：
非揮發(fā)性存儲(chǔ)器具有可寫入、可抹除以及斷電后仍可保存數(shù)據(jù)的優(yōu)點(diǎn)。此外，非揮發(fā)性存儲(chǔ)器亦具有體積小、存取速度快及耗電量低的優(yōu)點(diǎn)。另外，因其數(shù)據(jù)抹除(Erasing)時(shí)采用“一塊一塊”(Block by Block)抹除的方式，所以更具有操作速度快的優(yōu)點(diǎn)。因此，非揮發(fā)性存儲(chǔ)器已成為個(gè)人計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備所廣泛采用的一種存儲(chǔ)器元件。
非揮發(fā)性存儲(chǔ)器由多個(gè)以陣列排列的存儲(chǔ)單元所構(gòu)成。其中，每個(gè)存儲(chǔ)單元由電荷穿隧層、電荷儲(chǔ)存層、電荷阻擋層與控制柵極層依序堆棧而成。另外，在控制柵極層?xùn)艠O兩側(cè)的基底中還配置有摻雜區(qū)作為源極區(qū)與漏極區(qū)使用。
當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫入(Write)數(shù)據(jù)的操作時(shí)，通過于控制柵極層、源極區(qū)與漏極區(qū)施加偏壓，以使電子注入電荷儲(chǔ)存層中。當(dāng)在讀取存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)時(shí)，于控制柵極層上施加工作電壓，此時(shí)電荷儲(chǔ)存層的帶電狀態(tài)會(huì)影響其下通道(Channel)的開/關(guān)，且通過此通道的開/關(guān)來作為判讀數(shù)據(jù)值為“0”或“1”的依據(jù)。當(dāng)存儲(chǔ)器在進(jìn)行數(shù)據(jù)的抹除(Erase)時(shí)，將基底、源極區(qū)、漏極區(qū)或控制柵極層的相對(duì)電位提高，以利用穿隧效應(yīng)使電子由電荷儲(chǔ)存層橫越電荷穿隧層而排至基底中(即Substrate Erase)。
值得注意的是，雖然集成電路正以更高的集成度朝向小型化的元件發(fā)展，但是由于計(jì)算機(jī)應(yīng)用軟件的逐漸龐大，因此所需的存儲(chǔ)器容量也就愈來愈大。對(duì)于這種尺寸變小而存儲(chǔ)器容量卻需要增加的情形，現(xiàn)有的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)與制造方法必須有所改變，以符合趨勢所需。因此，在深次微米的工藝中，如何在有限的空間中保有原有的記憶容量，并且提升元件集成度是各界所關(guān)心的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，以提高元件集成度。
本發(fā)明的再一目的是提供一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，而使單一存儲(chǔ)單元可以作為多階存儲(chǔ)單元使用。
本發(fā)明提出一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，此方法先提供一基底。然后，于基底中形成多個(gè)第一溝槽與多個(gè)第二溝槽，其中這些第二溝槽位于第一溝槽上面，且橫越這些第一溝槽。之后，于第二溝槽的側(cè)壁上依序形成電荷穿隧層與電荷儲(chǔ)存層。接著，于第一溝槽中填入絕緣層。繼之，于第二溝槽的側(cè)壁形成電荷阻擋層，覆蓋電荷儲(chǔ)存層，及于第二溝槽的底部形成一柵介電層，此柵介電層至少覆蓋位于相鄰二第一溝槽之間的基底。然后，于第二溝槽中填入控制柵極層。之后，于控制柵極層兩側(cè)的基底中形成多個(gè)第一摻雜區(qū)。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，在形成上述的柵介電層之后，還包括于第二溝槽底部形成多個(gè)第二摻雜區(qū)。此外，在形成第二摻雜區(qū)之前，還包括于第二溝槽側(cè)壁的電荷阻擋層上形成一絕緣間隙壁。其中，形成絕緣間隙壁的方法例如是于第二溝槽中形成間隙壁材料層，以及各向異性蝕刻此間隙壁材料層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，上述的第一溝槽與第二溝槽的形成方法例如是先利用圖案化的第一掩模，于基底中形成第二溝槽，其中第二溝槽往第一延伸方向延伸。然后，再利用圖案化的第二掩模，于第二延伸方向上，于基底中形成第一溝槽，其中上述的第一延伸方向橫越第二方向。而且，第一溝槽的深度大于第二溝槽的深度。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中填入上述絕緣層的方法例如是于基底上形成絕緣材料層。然后，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝，移除第二溝槽以外的絕緣材料層，直到暴露出位于相鄰二第二溝槽之間的基底。接著，進(jìn)行蝕刻工藝，移除第二溝槽中的絕緣材料層，直到暴露出第二溝槽底部，并且暴露出位于相鄰二第一溝槽之間的基底。
本發(fā)明提出一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，此非揮發(fā)性存儲(chǔ)器由基底、控制柵極層、電荷儲(chǔ)存層、電荷穿隧層、電荷阻擋層、柵介電層與第一摻雜區(qū)所構(gòu)成。其中，控制柵極層配置于基底的一第一溝槽內(nèi)。另外，電荷儲(chǔ)存層配置于第一溝槽側(cè)壁與控制柵極層之間；電荷穿隧層配置于第一溝槽側(cè)壁與電荷儲(chǔ)存層之間；電荷阻擋層配置于電荷儲(chǔ)存層與控制柵極層之間。此外，柵介電層配置于第一溝槽的底部與控制柵極層之間。另外，第一摻雜區(qū)配置于控制柵極層兩側(cè)的基底中。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，還包括一第二摻雜區(qū)配置于第一溝槽底部。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，還包括一絕緣間隙壁，配置于第一溝槽側(cè)壁的電荷阻擋層與控制柵極層之間。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，還包括一絕緣層，設(shè)置于基底的一第二溝槽內(nèi)，其中第二溝槽橫越第一溝槽，且位于第一溝槽之下。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，上述的第二溝槽的深度大于第一溝槽的深度。
本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，在無第二摻雜區(qū)與絕緣間隙壁配置的情況下，其位于第二溝槽中的各個(gè)存儲(chǔ)單元兩側(cè)的電荷儲(chǔ)存層可以分別用以儲(chǔ)存一個(gè)位。即對(duì)于一個(gè)存儲(chǔ)單元來說，其具有一個(gè)可以用來儲(chǔ)存兩個(gè)位的存儲(chǔ)單元。而在配置有第二摻雜區(qū)的情況下，由于第二摻雜區(qū)亦作為源極/漏極區(qū)使用，因此位于第二溝槽中的各個(gè)存儲(chǔ)單元包含有分別位于兩側(cè)的存儲(chǔ)單元，且每個(gè)存儲(chǔ)單元的電荷儲(chǔ)存層可以用來儲(chǔ)存一個(gè)位。因此，對(duì)于一個(gè)存儲(chǔ)單元來說，其可作為多階存儲(chǔ)單元使用。此外，還可通過絕緣間隙壁的厚度來控制第二摻雜區(qū)的形成寬度。再者，本發(fā)明的存儲(chǔ)單元的配置方式可以有效地利用晶片空間，進(jìn)而提升元件集成度。而且，在工藝上也較為簡便。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1是依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的上視示意圖。
圖2A是沿著圖1的I-I’剖面所得的剖面示意圖。
圖2B是沿著圖1的II-II’剖面所得的剖面示意圖。
圖2C是繪示本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的剖面示意圖。
圖2D是繪示本發(fā)明又一優(yōu)選實(shí)施例的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的剖面示意圖。
圖3A至圖3D是依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造流程剖面示意圖。
圖4A至圖4D是依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造流程剖面示意圖。
簡單符號(hào)說明100、200基底102、210a絕緣層104、220控制柵極層106、208電荷儲(chǔ)存層108、206電荷穿隧層110、212電荷阻擋層112、214柵介電層114、116、218、222摻雜區(qū)118、216絕緣間隙壁120、122、202、204溝槽124、224存儲(chǔ)單元210絕緣材料層具體實(shí)施方式
圖1是繪示依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的上視示意圖。圖2A是沿著圖1的I-I’剖面所得的剖面示意圖。圖2B是沿著圖1的II-II’剖面所得的剖面示意圖。
首先，請同時(shí)參照圖1、圖2A與圖2B，本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器由基底100、多條絕緣層102、多條控制柵極層104、多個(gè)電荷儲(chǔ)存層106、多個(gè)電荷穿隧層108、多個(gè)電荷阻擋層110、多個(gè)柵介電層112與多個(gè)摻雜區(qū)114所構(gòu)成。在一優(yōu)選實(shí)施例中，本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器更包括有摻雜區(qū)116與一絕緣間隙壁118。
其中，基底100例如是硅基底。此外，在基底100中具有多個(gè)溝槽120與122，且溝槽122橫越溝槽120，并且位于溝槽120之上。
另外，絕緣層102填入溝槽120中。絕緣層102的材料例如是氧化硅。此外，控制柵極層104填入溝槽122中，而橫越絕緣層102。其中，控制柵極層104的材料例如是多晶硅、摻雜多晶硅或是其它合適的導(dǎo)電材料。另外，電荷儲(chǔ)存層106配置于溝槽122側(cè)壁與控制柵極層104之間。其中，電荷儲(chǔ)存層106的材料例如是氮化硅等可供電荷儲(chǔ)存的材料。
此外，電荷穿隧層108配置于溝槽122側(cè)壁與電荷儲(chǔ)存層106之間。其中，電荷穿隧層108的材料例如是氧化硅等可供電荷穿隧的材料。另外，電荷阻擋層110配置于電荷儲(chǔ)存層106與控制柵極層104之間。其中，電荷阻擋層106的材料例如是氧化硅等絕緣材料。
此外，柵介電層112配置于溝槽122的底部與控制柵極層104之間。其中柵介電層112的材料例如是氧化硅。另外，摻雜區(qū)114配置于控制柵極層104兩側(cè)的基底100中。摻雜區(qū)114例如是具有N型摻雜物的摻雜區(qū)，且其可作為源極/漏極區(qū)使用。
此外，摻雜區(qū)116配置于各個(gè)溝槽122底部、且位于相鄰二溝槽120之間的基底100中。摻雜區(qū)116例如是具有N型摻雜物的摻雜區(qū)，且其可作為源極/漏極區(qū)使用。另外，絕緣間隙壁118配置于各個(gè)溝槽122側(cè)壁的電荷阻擋層110與控制柵極層104之間。其中，絕緣間隙壁118的材料例如是氧化硅。
本發(fā)明另一實(shí)施例的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器繪示于圖2C。值得一提的是，此非揮發(fā)性存儲(chǔ)器在無摻雜區(qū)116與絕緣間隙壁118配置的情況下，其各個(gè)存儲(chǔ)單元(，如圖1、圖2C標(biāo)號(hào)124所示)兩側(cè)的電荷儲(chǔ)存層106可以分別儲(chǔ)存一個(gè)位。也就是說，對(duì)于一個(gè)存儲(chǔ)單元來說，其具有一個(gè)可以用來儲(chǔ)存兩個(gè)位的存儲(chǔ)單元。而在又一實(shí)施例(如圖2D所示)中，在配置有摻雜區(qū)116的情況下，由于摻雜區(qū)116亦作為源極/漏極區(qū)使用，因此各個(gè)存儲(chǔ)單元(如圖1、圖2D標(biāo)號(hào)124所示)包含有分別位于兩側(cè)的存儲(chǔ)單元，而每個(gè)存儲(chǔ)單元的電荷儲(chǔ)存層106可以用來儲(chǔ)存一個(gè)位。因此，對(duì)于一個(gè)存儲(chǔ)單元來說，其可作為多階存儲(chǔ)單元使用。而且，配置有摻雜區(qū)116與絕緣間隙壁118的存儲(chǔ)單元(如圖1、圖2A標(biāo)號(hào)124所示)，亦具有同樣的優(yōu)點(diǎn)。
此外，本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的配置方式，有效地利用了晶片上的空間，從而也提升了元件集成度。另外，在存儲(chǔ)器操作上，本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的配置方式特別適于或非門(NOR)型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的操作。
以下利用圖3A至圖3D以及圖4A至圖4D，說明上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法。其中，圖3A至圖3D是由圖1的I-I’所得的剖面示意圖；圖4A至圖4D是由圖1的II-II’所得的剖面示意圖。
首先，請同時(shí)參照圖3A與圖4A，提供基底200?；?00例如是硅基底。然后，于基底200中形成多個(gè)溝槽202與204，其中溝槽204位于溝槽202上面，且橫越這些溝槽202。詳細(xì)的說明是，圖4A所示的基底200的頂面實(shí)際上是指溝槽204的底部，也就是說溝槽202深度比溝槽204深。在一實(shí)施例中，溝槽202與204的形成方法例如是利用圖案化的掩模(未繪示)，于基底200中形成溝槽204，這些溝槽204往一延伸方向延伸，之后再利用另一圖案化的掩模(未繪示)，于另一延伸方向上，于基底200中形成溝槽202。在另一實(shí)施例中，亦可先利用圖案化的掩模(未繪示)于一延伸方向上形成溝槽202，再利用另一圖案化的掩模(未繪示)于另一延伸方向上形成溝槽204。
之后，請同時(shí)參照圖3B與圖4B，于溝槽204的側(cè)壁上依序形成電荷穿隧層206與電荷儲(chǔ)存層208。其中，電荷穿隧層206的材料例如是氧化硅等可以提供電荷穿隧的材料。此外，電荷儲(chǔ)存層208的材料例如是氮化硅等可以提供電荷儲(chǔ)存的材料。
接著，于基底200上形成絕緣材料層210。絕緣材料層210的材料例如是氧化硅等絕緣材料，而其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積工藝。
繼之，請同時(shí)參照圖3C與圖4C，移除溝槽204以外的絕緣材料層210，直到暴露出位于相鄰二溝槽204之間的基底200。其中，移除溝槽204以外的絕緣材料層210的方法例如是化學(xué)機(jī)械研磨工藝。然后，移除溝槽204中的絕緣材料層210，直到暴露出溝槽204底部，并且暴露出位于相鄰二溝槽202之間的基底200，而形成絕緣層210a。其中，移除溝槽204中的絕緣材料層210的方法例如是蝕刻工藝。此外，于此所形成的絕緣層210a可以作為隔離結(jié)構(gòu)使用。
之后，于溝槽204的側(cè)壁形成電荷阻擋層212，以覆蓋電荷儲(chǔ)存層208，及于溝槽204的底部形成柵介電層214。其中所形成的柵介電層214至少覆蓋位于相鄰二溝槽202之間的基底200，其亦可覆蓋絕緣層210a。在一實(shí)施例中，電荷阻擋層212與柵介電層214的材料可以是氧化硅，而形成柵介電層214的方法可以是熱氧化法。此外，在另一實(shí)施例中，電荷阻擋層212亦可于圖3B的電荷儲(chǔ)存層208形成后以及絕緣材料層210形成之前形成。
于各個(gè)溝槽204側(cè)壁的電荷阻擋層212上形成一對(duì)絕緣間隙壁216。其中，絕緣間隙壁216的材料例如是氧化硅，而其形成方法例如是先于基底200上形成一層間隙壁材料層(未繪示)覆蓋整個(gè)結(jié)構(gòu)后，再利用各向異性蝕刻工藝以形成之。在另一實(shí)施例中，可先形成電荷阻擋層212與絕緣間隙壁216后，再形成柵介電層214。
繼之，請同時(shí)參照圖3D與圖4D，于各個(gè)溝槽204底部、及位于相鄰二溝槽202之間的基底200中形成摻雜區(qū)218。摻雜區(qū)218例如是具有N型摻雜物的摻雜區(qū)，而其形成方法例如是進(jìn)行離子注入工藝。摻雜區(qū)218的形成位置及寬度可通過絕緣間隙壁216的厚度加以控制，進(jìn)而調(diào)整存儲(chǔ)單元的通道長度。
然后，于溝槽204中填入控制柵極層220。其中，控制柵極層220的材料例如是多晶硅、摻雜多晶硅或是其它合適的導(dǎo)電材料?？刂茤艠O層220的形成方法例如是進(jìn)行一化學(xué)氣相沉積工藝，以于基底200上形成一層控制柵極材料層(未繪示)覆蓋整個(gè)結(jié)構(gòu)，之后再利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝，將溝槽204以外的控制柵極材料層移除，而形成之。
之后，于控制柵極層220兩側(cè)的基底200中形成摻雜區(qū)222。其中，摻雜區(qū)222例如是具有N型摻雜物的摻雜區(qū)，而其形成方法例如是進(jìn)行離子注入工藝。此外，在一實(shí)施例中，摻雜區(qū)222可于先前步驟中與摻雜區(qū)218一并形成。
值得注意的是，在無形成摻雜區(qū)218與絕緣間隙壁216的情況下，可得如圖2C所示的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其各個(gè)存儲(chǔ)單元(如圖3D標(biāo)號(hào)224所示)兩側(cè)的電荷儲(chǔ)存層208可以分別用來儲(chǔ)存一個(gè)位。也就是說，對(duì)于一個(gè)存儲(chǔ)單元來說，其具有一個(gè)可以儲(chǔ)存兩個(gè)位的存儲(chǔ)單元。而在形成有摻雜區(qū)218與有/無絕緣間隙壁216的情況下(分別如圖2A及圖2D所示)，由于摻雜區(qū)218亦作為源極/漏極區(qū)使用，因此各個(gè)存儲(chǔ)單元(如圖3D標(biāo)號(hào)224所示)包含有分別位于兩側(cè)的存儲(chǔ)單元，且每個(gè)存儲(chǔ)單元的電荷儲(chǔ)存層208可以用來儲(chǔ)存一個(gè)位。因此，對(duì)于一個(gè)存儲(chǔ)單元來說，其可作為多階存儲(chǔ)單元使用。
由上述可知，本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制作方法，可形成一具有兩個(gè)儲(chǔ)存位的存儲(chǔ)單元，有效地利用了晶片上的空間，從而也提升了元件集成度。而且，在工藝上也較為簡便。另外，在存儲(chǔ)器操作上，本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器特別適于或非門(NOR)型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的操作。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，包括提供一基底；于該基底中形成多個(gè)第一溝槽與多個(gè)第二溝槽，其中該些第二溝槽位于該些第一溝槽之上，并且橫越該些第一溝槽；于各該第二溝槽的側(cè)壁上依序形成一電荷穿隧層與一電荷儲(chǔ)存層；于各該第一溝槽中填入一絕緣層；于各該第二溝槽的側(cè)壁形成一電荷阻擋層，覆蓋該電荷儲(chǔ)存層；于各該第二溝槽的底部形成一柵介電層，該柵介電層至少覆蓋位于相鄰二該些第一溝槽之間的該基底；于各該第二溝槽中填入一控制柵極層；以及于該控制柵極層兩側(cè)的該基底中形成多個(gè)第一摻雜區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中在形成該柵介電層之后，還包括于各該第二溝槽底部形成一第二摻雜區(qū)。
3.如權(quán)利要求2所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中在形成該第二摻雜區(qū)之前，還包括于各該第二溝槽側(cè)壁的該電荷阻擋層上形成一絕緣間隙壁。
4.如權(quán)利要求3所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中形成該絕緣間隙壁的方法包括形成一間隙壁材料層于各該第二溝槽中；以及各向異性蝕刻該間隙壁材料層。
5.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該些第一溝槽與該些第二溝槽的形成方法包括利用圖案化的一第一掩模，于該基底中形成該些第二溝槽，該些第二溝槽往一第一延伸方向延伸；以及利用圖案化的一第二掩模，于一第二延伸方向上，于該基底中形成該些第一溝槽，其中該第一延伸方向橫越該第二延伸方向。
6.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該些第一溝槽的深度大于該些第二溝槽的深度。
7.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中填入該絕緣層的方法包括于該基底上形成一絕緣材料層；進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械研磨工藝，移除該些第二溝槽以外的該絕緣材料層，直到暴露出位于相鄰二該些第二溝槽之間的該基底；以及進(jìn)行一蝕刻工藝，移除該些第二溝槽中的該絕緣材料層直到暴露出該些第二溝槽底部，并且暴露出位于相鄰二該些第一溝槽之間的該基底。
8.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該柵介電層的形成方法包括熱氧化法。
9.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中填入該控制柵極層的方法包括形成一控制柵極材料層于各該第二溝槽中；以及進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械研磨工藝，移除各該第二溝槽以外的該控制柵極材料層。
10.一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，包括一控制柵極層，配置于一基底的一第一溝槽內(nèi)；一電荷儲(chǔ)存層，配置于該第一溝槽側(cè)壁與該控制柵極層之間；一電荷穿隧層，配置于該第一溝槽側(cè)壁與該電荷儲(chǔ)存層之間；一電荷阻擋層，配置于該電荷儲(chǔ)存層與該控制柵極層之間；一柵介電層，配置于該第一溝槽的底部與該控制柵極層之間；以及一第一摻雜區(qū)，配置于該控制柵極層兩側(cè)的該基底中。
11.如權(quán)利要求10所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，還包括一第二摻雜區(qū)配置于該第一溝槽底部。
12.如權(quán)利要求11所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，還包括一絕緣間隙壁，配置于該第一溝槽側(cè)壁的該電荷阻擋層與該控制柵極層之間。
13.如權(quán)利要求10所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，還包括一絕緣層，設(shè)置于該基底的一第二溝槽內(nèi)，其中該第二溝槽橫越該第一溝槽，且位于該第一溝槽之下。
14.如權(quán)利要求13所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中該第二溝槽的深度大于該第一溝槽的深度。
15.如權(quán)利要求10所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，還包括多個(gè)第一溝槽于該基底中，其中該第一溝槽為該些第一溝槽之一；多個(gè)第二溝槽于該基底中，其中該些第二溝槽橫越該些第一溝槽，且位于該些第一溝槽之下；多條絕緣層，填入該些第二溝槽中；多條控制柵極層，填入該些第一溝槽中，而橫越該些絕緣層，其中該控制柵極層為該些控制柵極層之一；多個(gè)電荷儲(chǔ)存層，配置于該些第一溝槽側(cè)壁與該些控制柵極層之間，其中該電荷儲(chǔ)存層為該些電荷儲(chǔ)存層之一；多個(gè)電荷穿隧層，配置于該些第一溝槽側(cè)壁與該些電荷儲(chǔ)存層之間，其中該電荷穿隧層為該些電荷穿隧層之一；多個(gè)電荷阻擋層，配置于該些電荷儲(chǔ)存層與該些控制柵極層之間，其中該電荷阻擋層為該些電荷阻擋層之一；多個(gè)柵介電層，配置于該些第一溝槽的底部與該些控制柵極層之間，其中該柵介電層為該些柵介電層之一；以及多個(gè)第一摻雜區(qū)，配置于該控制柵極層兩側(cè)的該基底中，其中該第一摻雜區(qū)為該些第一摻雜區(qū)之一。
16.如權(quán)利要求15所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，還包括多個(gè)第二摻雜區(qū)配置于各該第一溝槽底部、且位于相鄰二該些第二溝槽之間的該基底中。
17.如權(quán)利要求16所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，還包括一對(duì)絕緣間隙壁，分別配置于各該第一溝槽側(cè)壁的各該電荷阻擋層與各該控制柵極層之間。
18.如權(quán)利要求17所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中該些第二溝槽的深度大于該些第一溝槽的深度。
19.如權(quán)利要求15所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中二該電荷穿遂層、二該電荷儲(chǔ)存層與二該電荷阻擋層分別依序配置于該控制柵極的二側(cè)壁上。
全文摘要
一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，此方法先于基底中形成多個(gè)第一溝槽與第二溝槽，其中這些第二溝槽位于第一溝槽上面，且橫越第一溝槽。然后，于第二溝槽的側(cè)壁上依序形成電荷穿隧層與電荷儲(chǔ)存層。接著，于第一溝槽中填入絕緣層。之后，于第二溝槽的側(cè)壁形成電荷阻擋層，及于第二溝槽的底部形成柵介電層。繼之，于第二溝槽中填入控制柵極層。然后，于控制柵極層兩側(cè)的基底中形成第一摻雜區(qū)。
文檔編號(hào)H01L27/10GK1881566SQ20051007805
公開日2006年12月20日 申請日期2005年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月14日
發(fā)明者王廷熏 申請人:茂德科技股份有限公司