專利名稱：蝕刻方法及接觸窗開口的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種蝕刻方法，特別是涉及一種可縮小關(guān)鍵尺寸的蝕刻方法。
背景技術(shù)：
在集成化的要求愈來愈高的情況下，整個半導(dǎo)體元件大小的設(shè)計往縮小尺寸上發(fā)展。集成電路的工藝將圖案線距縮小化的方法，大多是利用具有高分辨率的光刻工藝來達成。但是高分辨率的光刻工藝由于本質(zhì)光學(xué)的限制因此技術(shù)較為困難而且成本也較為昂貴。
目前有一種蝕刻工藝方法，可以不需利用高分辨率的光刻工藝即可達到縮小蝕刻后的關(guān)鍵尺寸的目的。此方法以既有的光刻工藝形成顯影后檢查關(guān)鍵尺寸(ADI CD)，之后使用富聚合物(polymer rich)與低功率(lower power)的配方來進行蝕刻，以使得蝕刻后檢查的關(guān)鍵尺寸小于顯影后檢查的關(guān)鍵尺寸。然而，以此方法進行蝕刻時，容易造成光致抗蝕劑層及抗反射層擴口的問題，而使得蝕刻后的開口的關(guān)鍵尺寸無法達到所需者。另一方面，以此蝕刻方法對于縮小蝕刻后的關(guān)鍵尺寸有其限度，因此若無法有效縮小關(guān)鍵尺寸，所形成的接觸窗開口間的距離會過于接近，甚至于會出現(xiàn)重疊的部分，而容易使得后續(xù)形成的接觸窗產(chǎn)生橋接的現(xiàn)象，使元件的可靠性下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在提供一種蝕刻方法，可以有效縮小蝕刻后的關(guān)鍵尺寸。
本發(fā)明的再一目的是提供一種蝕刻方法，可縮小關(guān)鍵尺寸的線寬，以提高集成電路的集成度。
本發(fā)明的又一目的是提供一種接觸窗的形成方法，可避免接觸窗的橋接現(xiàn)象，以提高半導(dǎo)體元件的可靠性。
本發(fā)明提出一種蝕刻方法，適用于半導(dǎo)體基底，其表面上依序具有介電層及抗反射層，首先于抗反射層上形成圖案化光致抗蝕劑層。接著，以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進行第一蝕刻步驟，以至少移除暴露出的抗反射層。然后，以圖案化光致抗蝕劑層及抗反射層作為掩模，進行第二蝕刻步驟，以移除部分介電層。接著，移除圖案化光致抗蝕劑層。其中，第一蝕刻步驟與第二蝕刻步驟在不同的溫度下進行。
依照本發(fā)明實施例所述，上述第一蝕刻步驟的溫度低于第二蝕刻步驟的溫度。第一蝕刻步驟的溫度低于第二蝕刻步驟的溫度5-20℃。第一蝕刻步驟的溫度范圍包括在0℃～30℃之間。第二蝕刻步驟的溫度范圍包括在30℃～50℃之間。此外，第一蝕刻步驟與第二蝕刻步驟可在不同的反應(yīng)腔室中進行。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的蝕刻方法在進行第一蝕刻步驟的過程中，會于圖案化光致抗蝕劑層的側(cè)壁上形成聚合物間隙壁。
本發(fā)明提出一種蝕刻方法，適用于半導(dǎo)體基底，其表面上依序具有介電層及抗反射層，首先于抗反射層上形成圖案化光致抗蝕劑層。接著，以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進行第一蝕刻步驟，以至少移除暴露出的抗反射層，此第一蝕刻步驟使用第一含氟的烴類化合物作為蝕刻氣體。然后，以圖案化光致抗蝕劑層及抗反射層作為掩模，進行第二蝕刻步驟，以移除部分介電層，此第二蝕刻步驟使用第二含氟的烴類化合物作為蝕刻氣體。且第一含氟的烴類化合物中的氫原子含量小于第二含氟的烴類化合物的氫原子含量。接著，移除圖案化光致抗蝕劑層。
依照本發(fā)明實施例所述，上述第一蝕刻步驟中的第一含氟的烴類化合物包括四氟甲烷(CF4)，且所使用的蝕刻氣體還包括八氟丁烯(C4F8)及六氟丁炔(C4F6)的混合氣體，此外，所使用的蝕刻氣體可還包括一氧化碳(CO)或氧(O2)。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的蝕刻方法中，第二蝕刻步驟包括主蝕刻步驟及過度蝕刻步驟。主蝕刻步驟所使用的第二含氟的烴類化合物包括三氟甲烷(CHF3)、二氟甲烷(CH2F2)，且可還包括一氟甲烷(CH3F)、氬(Ar)或氧。過度蝕刻步驟所使用的第二含氟的烴類化合物包括六氟丁炔、八氟戊炔或八氟丁烯，且可還包括氧或氬。
依照本發(fā)明實施例所述，上述第一蝕刻步驟與第二蝕刻步驟在不同的溫度下進行，且第一蝕刻步驟的溫度低于第二蝕刻步驟的溫度。第一蝕刻步驟的溫度低于第二蝕刻步驟的溫度5-20℃。第一蝕刻步驟的溫度范圍包括在0℃～30℃之間。第二蝕刻步驟的溫度范圍包括在30℃～50℃之間。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的蝕刻方法中，第一蝕刻步驟與第二蝕刻步驟包括在不同的反應(yīng)腔室中進行。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的蝕刻方法包括在進行第一蝕刻步驟的過程中，會于圖案化光致抗蝕劑層的側(cè)壁上形成聚合物間隙壁。
本發(fā)明提出一種接觸窗開口的形成方法，首先提供一基底，在基底上已形成有導(dǎo)電區(qū)。接著，于基底上形成介電層并覆蓋導(dǎo)電區(qū)。然后，于介電層上形成抗反射層。接下來，于抗反射層上形成圖案化光致抗蝕劑層。之后，以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進行第一蝕刻步驟，以至少移除暴露出的抗反射層。繼之，以圖案化光致抗蝕劑層及抗反射層作為掩模，進行第二蝕刻步驟以移除介電層并暴露出導(dǎo)電區(qū)。接著，移除圖案化光致抗蝕劑層。其中，第一蝕刻步驟與第二蝕刻步驟在不同的溫度下進行。
依照本發(fā)明實施例所述，上述第一蝕刻步驟的溫度低于第二蝕刻步驟的溫度，且上述第一蝕刻步驟的溫度低于第二蝕刻步驟的溫度至少5-20℃以上。第一蝕刻步驟的溫度范圍在0℃～30℃之間；第二蝕刻步驟的溫度范圍在30℃～50℃之間。
依照本發(fā)明實施例所述，上述第一蝕刻步驟中使用第一含氟的烴類化合物，在第二蝕刻步驟中使用第二含氟的烴類化合物。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的接觸窗開口的形成方法中，第一含氟的烴類化合物包括四氟甲烷，且可還包括八氟丁烯及六氟丁炔的混合氣體。此外，所使用的蝕刻氣體可還包括氧化碳或氧。第二蝕刻步驟包括主蝕刻步驟及過度蝕刻步驟。主蝕刻步驟所使用的第二含氟的烴類化合物包括三氟甲烷、二氟甲烷，且可再包括氟甲烷，此外可再添加氬或氧。過度蝕刻步驟所使用的第二含氟的烴類化合物包括六氟丁炔、八氟戊炔或八氟丁烯，且可還包括氧或氬。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的接觸窗開口的形成方法中，第一蝕刻步驟與第二蝕刻步驟包括在不同的反應(yīng)腔室中進行。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的接觸窗開口的形成方法包括在進行第一蝕刻步驟的過程中，會于圖案化光致抗蝕劑層的側(cè)壁上形成聚合物間隙壁。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的接觸窗開口的形成方法還包括于形成介電層之前，于導(dǎo)電區(qū)上形成金屬硅化物。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的接觸窗開口的形成方法中，金屬硅化物的材料包括硅化鎳、硅化鎢或硅化鈷。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的接觸窗開口的形成方法還包括于形成介電層之前，于基底上形成蝕刻終止層，且在進行第二蝕刻步驟之后移除部分蝕刻終止層。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的接觸窗開口的形成方法還包括于形成抗反射層之前，于介電層上形成硬掩模層，且于第一蝕刻步驟中移除部分硬掩模層。
采用本發(fā)明所提出的蝕刻方法可于圖案化光致抗蝕劑層側(cè)壁及表面上形成間隙壁，如此一來，可以降低在蝕刻過程中光致抗蝕劑層的消耗，并減少在對抗反射層進行蝕刻時，在光致抗蝕劑層及抗反射層產(chǎn)生的擴口的問題，而可以較大的顯影后的關(guān)鍵尺寸得到較小的蝕刻后的關(guān)鍵尺寸，有效縮小元件的關(guān)鍵尺寸。更值得一提的是，采用本發(fā)明所提出的蝕刻方法，可有效提高蝕刻選擇比另一方面，依照本發(fā)明所提出的接觸窗的形成方法，可縮小所形成的接觸窗開口的關(guān)鍵尺寸，以避免接觸窗開口間的距離會過于接近，而防止后續(xù)形成的接觸窗產(chǎn)生橋接的現(xiàn)象，因此可提高元件的可靠性。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖作詳細說明如下。


圖1A～圖1F依照本發(fā)明一實施例所繪示的接觸窗開口的制造流程剖面圖。
簡單符號說明100半導(dǎo)體基底101隔離結(jié)構(gòu)102柵介電層104柵極106間隙壁108源極區(qū)110漏極區(qū)
112金屬硅化物114蝕刻終止層115介電層116無摻雜玻璃層118磷硅玻璃層120頂蓋層122硬掩模層124抗反射層126圖案化光致抗蝕劑層128聚合物間隙壁130聚合物層132接觸窗開口具體實施方式
圖1A～圖1F繪示本發(fā)明一實施例的接觸窗開口的制造流程剖面圖。圖1A繪示形成于半導(dǎo)體基底100上的金氧半導(dǎo)體元件，此金氧半導(dǎo)體元件通過隔離結(jié)構(gòu)101，例如是淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)與其它元件進行隔離。金氧半導(dǎo)體元件的柵極104形成于柵介電層102上；而間隙壁106形成于柵極104的側(cè)壁上。源極區(qū)108與漏極區(qū)110形成于柵極104兩側(cè)的半導(dǎo)體基底100中。在另一實施例中，還可于柵極104、源極區(qū)108及漏極區(qū)110上形成金屬硅化物112，其材料例如是硅化鎳、硅化鎢或硅化鈷等，以降低阻值。上述金氧半導(dǎo)體各構(gòu)件的材料與形成方法，于此技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所周知，于此不再贅述。
接著，請參照圖1B，于半導(dǎo)體基底100上形成介電層115并覆蓋于柵極104、源極區(qū)108及漏極區(qū)110，介電層115例如是由無摻雜玻璃層116與磷硅玻璃層118所組成。而介電層115的形成方法例如是先進行一化學(xué)氣相沉積工藝，以于半導(dǎo)體基底100上形成無摻雜玻璃層116，再進行另一化學(xué)氣相沉積工藝，以于無摻雜玻璃層116上形成磷硅玻璃層118。其中，無摻雜玻璃層116可抑制磷硅玻璃層118中磷摻雜物的移動，防止可能產(chǎn)生的電性缺陷。另外，可于形成介電層115之前，形成蝕刻終止層114，其材料例如是氮化硅，形成的方法例如是化學(xué)氣相沉積法。形成蝕刻終止層114的目的在防止后續(xù)形成接觸窗的過程中發(fā)生過度蝕刻而破壞源/漏極區(qū)結(jié)進而產(chǎn)生漏電流的情況。
然后，請參照圖1C，于介電層118上形成抗反射層124，其材料例如是鈦/氮化鈦(Ti/TiN)，形成的方法例如是化學(xué)氣相沉積法。在另一實施例中，于形成抗反射層124之前，可先形成硬掩模層122，其材料例如是氮氧化硅，形成的方法例如是化學(xué)氣相沉積法，其作用為當圖案化光致抗蝕劑層126在蝕刻過程中消耗殆盡時，作為掩模層使用以防止下方膜層受到破壞。此外，可于形成硬掩模層122之前，先于介電層115上形成頂蓋層(cap layer)120，其材料例如是氧化硅，形成的方法例如是以四乙氧基硅烷(TEOS)為反應(yīng)氣體源，利用化學(xué)氣相沉積法形成之。
接下來，請參照圖1D，于抗反射層124上形成圖案化光致抗蝕劑層126。之后，以圖案化光致抗蝕劑層126為掩模，進行第一蝕刻步驟，以至少移除暴露出的抗反射層124。此第一蝕刻步驟中的反應(yīng)溫度例如是在0～30℃之間，使用含氟的烴類化合物作為蝕刻氣體，例如是四氟甲烷。在蝕刻氣體中可添加如八氟丁烯及六氟丁炔的混合氣體。此外，依照光致抗蝕劑的特性可再添加如一氧化碳或氧等氣體。在另一實施例中，此第一蝕刻步驟可移除抗反射層124以及硬掩模層122、頂蓋層120及一部分的介電層115。
值得注意的是，在本發(fā)明另一實施例中，于第一蝕刻步驟的反應(yīng)溫度下，所采用的蝕刻氣體-含氟的烴類化合物會與圖案化光致抗蝕劑層126產(chǎn)生反應(yīng)，而于圖案化光致抗蝕劑層126的側(cè)壁上形成聚合物間隙壁128。如此一來，聚合物間隙壁128可保護圖案化光致抗蝕劑層126，以減緩圖案化光致抗蝕劑層126在蝕刻過程中的消耗速度，并防止圖案化光致抗蝕劑層126與抗反射層124所產(chǎn)生的擴口現(xiàn)象。同時，可有效縮小介電層115在蝕刻后的關(guān)鍵尺寸。此外，因所形成的接觸窗開口的關(guān)鍵尺寸縮小，可避免后續(xù)形成的接觸窗(未繪示)之間的距離過于接近而產(chǎn)生橋接現(xiàn)象，以提高半導(dǎo)體元件的可靠性。
繼之，請參照圖1E，以圖案化光致抗蝕劑層126、抗反射層124、硬掩模層122及頂蓋層120作為掩模，進行第二蝕刻步驟以移除部分介電層115。在第二蝕刻步驟中的反應(yīng)溫度大于第一蝕刻步驟的反應(yīng)溫度，且兩者間的溫度差例如是在5～20℃之間。其中，第二蝕刻步驟的反應(yīng)溫度例如是在30～50℃之間。另一方面，在第二蝕刻步驟中例如是使用含氟的烴類化合物作為蝕刻氣體，可有效提高蝕刻選擇比。在另一實施例中，第一蝕刻步驟中含氟的烴類化合物的氫原子含量大于第二蝕刻步驟中含氟的烴類化合物的氫原子含量。
上述第二蝕刻步驟可包括主蝕刻步驟及過度蝕刻步驟，其中主蝕刻步驟至少移除磷硅玻璃層118，所使用的含氟的烴類化合物例如是三氟甲烷、二氟甲烷，還可添加如一氟甲烷等氣體。此外，依照光致抗蝕劑的特性可于反應(yīng)器體中添加如氬或氧等氣體。
在主蝕刻步驟中，含氟的烴類化合物會與圖案化光致抗蝕劑層126產(chǎn)生反應(yīng)，而于圖案化光致抗蝕劑層126表面及側(cè)壁上均勻沉積形成一聚合物層130，其材料例如是短碳鏈的聚合物，可用以保護圖案化光致抗蝕劑層126，以提高圖案化光致抗蝕劑層126在蝕刻過程中的保存能力。
另一方面，在過度蝕刻步驟中移除無摻雜玻璃層116，其中所使用的含氟的烴類化合物例如是六氟丁炔、八氟戊炔或八氟丁烯，且依照光致抗蝕劑特性可于反應(yīng)氣體中添加氧或氬等氣體，以使得過度蝕刻步驟可停在蝕刻終止層114之上。
在另一實施例中，上述第一蝕刻步驟與第二蝕刻步驟因為操作的溫度不同，因此，可在不同的反應(yīng)腔室中進行。
接著，請參照圖1F移除聚合物層130、圖案化光致抗蝕劑層126及間隙壁128，移除的方法例如是干式蝕刻法。然后，移除抗反射層124，移除的方法例如是干式蝕刻法。接下來，移除部分蝕刻終止層114，以暴露出漏極區(qū)110上方的金屬硅化物112，而形成接觸窗開口132，移除的方法例如是濕式蝕刻法，如利用熱磷酸法進行之。另一實施例中，在移除部分蝕刻終止層的114的同時，會一并移除硬掩模層122。至此，已完成接觸窗開口132，而后續(xù)形成接觸窗或是金屬內(nèi)連線等其它半導(dǎo)體工藝，為此技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所周知，于此不在贅述。
在上述實施例中，第一蝕刻步驟及第二蝕刻步驟的蝕刻方法在不同的反應(yīng)溫度及反應(yīng)氣體中進行蝕刻，意即對溫度及反應(yīng)氣體進行調(diào)整，以達到縮小蝕刻后的關(guān)鍵尺寸、減少圖案化光致抗蝕劑層126在蝕刻過程中的消耗防止圖案化光致抗蝕劑層126與抗反射層124發(fā)生擴口的問題及提高蝕刻選擇比等功效。
綜上所述，在本發(fā)明的至少具有下列優(yōu)點
1.利用本發(fā)明的蝕刻方法進行蝕刻，能以較大的顯影后的關(guān)鍵尺寸得到較小的蝕刻后的關(guān)鍵尺寸，可縮小關(guān)鍵尺寸以提高元件集成度。
2.本發(fā)明所提出的蝕刻方法會于圖案化光致抗蝕劑層上形成聚合物對其進行保護，可提高圖案化光致抗蝕劑層的保存能力，以避免圖案化光致抗蝕劑層與抗反射層產(chǎn)生擴口的問題。。
3.本發(fā)明所提出的蝕刻方法具有較高的蝕刻選擇比。
4.依照本發(fā)明所提出的接觸窗的形成方法所形成的接觸窗開口的關(guān)鍵尺寸較小，可減少接觸窗的橋接現(xiàn)象，以提高半導(dǎo)體元件的可靠性。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以后附的權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種蝕刻方法，適用于一半導(dǎo)體基底，其表面上依序具有一介電層及一抗反射層，該方法包括下列步驟于該抗反射層上形成一圖案化光致抗蝕劑層，該圖案化光致抗蝕劑層裸露出部分該抗反射層；以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進行一第一蝕刻步驟，以至少移除暴露出的該抗反射層；以及以該圖案化光致抗蝕劑層作為掩模，進行一第二蝕刻步驟，以移除部分該介電層，其中，該第一蝕刻步驟與該第二蝕刻步驟在不同的溫度下進行；以及移除該圖案化光致抗蝕劑層。
2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中該第一蝕刻步驟的溫度低于該第二蝕刻步驟的溫度。
3.如權(quán)利要求2所述的蝕刻方法，其中該第一蝕刻步驟的溫度低于該第二蝕刻步驟的溫度5-20℃。
4.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中該第一蝕刻步驟的溫度范圍包括在0℃～30℃之間。
5.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中該第二蝕刻步驟的溫度范圍包括在30℃～50℃之間。
6.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中該第一蝕刻步驟與該第二蝕刻步驟包括在不同的反應(yīng)腔室中進行。
7.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中在進行該第一蝕刻步驟的過程中，會于該圖案化光致抗蝕劑層的側(cè)壁上形成一聚合物間隙壁。
8.一種蝕刻方法，適用于一半導(dǎo)體基底，其表面上依序具有一介電層及一抗反射層，該方法包括下列步驟于該抗反射層上形成一圖案化光致抗蝕劑層，該圖案化光致抗蝕劑層裸露出部分該抗反射層；以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進行一第一蝕刻步驟，以至少移除暴露出的該抗反射層，該第一蝕刻步驟使用一第一含氟的烴類化合物作為蝕刻氣體；以及以該圖案化光致抗蝕劑層作為掩模，進行一第二蝕刻步驟，以移除部分該介電層，該第二蝕刻步驟使用一第二含氟的烴類化合物作為蝕刻氣體，其中，該第一含氟的烴類化合物中的氫原子含量小于該第二含氟的烴類化合物的氫原子含量；以及移除該圖案化光致抗蝕劑層。
9.如權(quán)利要求8所述的蝕刻方法，其中該第一含氟的烴類化合物包括四氟甲烷(CF4)。
10.如權(quán)利要求9所述的蝕刻方法，在該第一蝕刻步驟中，所使用的蝕刻氣體還包括八氟丁烯(C4F8)及六氟丁炔(C4F6)的混合氣體。
11.如權(quán)利要求10所述的蝕刻方法，在該第一蝕刻步驟中，所使用的蝕刻氣體還包括一氧化碳(CO)或氧(O2)。
12.如權(quán)利要求8所述的蝕刻方法，其中該第二蝕刻步驟包括一主蝕刻步驟及一過度蝕刻步驟。
13.如權(quán)利要求12所述的蝕刻方法，其中該主蝕刻步驟所使用的該第二含氟的烴類化合物包括三氟甲烷(CHF3)、二氟甲烷(CH2F2)。
14.如權(quán)利要求13所述的蝕刻方法，其中該主蝕刻步驟所使用的蝕刻氣體還包括一氟甲烷(CH3F)。
15.如權(quán)利要求14所述的蝕刻方法，其中該主蝕刻步驟所使用的蝕刻氣體還包括氬(Ar)或氧。
16.如權(quán)利要求12所述的蝕刻方法，其中該過度蝕刻步驟所使用的該第二含氟的烴類化合物包括六氟丁炔、八氟戊炔或八氟丁烯。
17.如權(quán)利要求16所述的蝕刻方法，其中該過度蝕刻步驟所使用的蝕刻氣體還包括氧或氬。
18.如權(quán)利要求8所述的蝕刻方法，其中該第一蝕刻步驟與該第二蝕刻步驟在不同的溫度下進行。
19.如權(quán)利要求18所述的蝕刻方法，其中該第一蝕刻步驟的溫度低于該第一蝕刻步驟的溫度。
20.如權(quán)利要求19所述的蝕刻方法，其中該第一蝕刻步驟的溫度低于該第二蝕刻步驟的溫度5-20℃。
21.如權(quán)利要求18所述的蝕刻方法，其中該第一蝕刻步驟的溫度范圍包括在0℃～30℃之間。
22.如權(quán)利要求18所述的蝕刻方法，其中該第二蝕刻步驟的溫度范圍包括在30℃～50℃之間。
23.如權(quán)利要求18所述的蝕刻方法，其中該第一蝕刻步驟與該第二蝕刻步驟在不同的反應(yīng)腔室中進行。
24.如權(quán)利要求8所述的蝕刻方法，包括在進行該第一蝕刻步驟的過程中，會于該圖案化光致抗蝕劑層的側(cè)壁上形成一聚合物間隙壁。
25.一種接觸窗開口的形成方法，包括提供一基底，在該基底上已形成有一導(dǎo)電區(qū)；于該基底上形成一介電層并覆蓋該導(dǎo)電區(qū)；于該介電層上形成一抗反射層；于該抗反射層上形成一圖案化光致抗蝕劑層；以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進行一第一蝕刻步驟，以至少移除暴露出的該抗反射層；以及以該圖案化光致抗蝕劑層及該抗反射層作為掩模，進行一第二蝕刻步驟以移除該介電層并暴露出該導(dǎo)電區(qū)，其中，該第一蝕刻步驟與該第二蝕刻步驟在不同的溫度下進行；以及移除該圖案化光致抗蝕劑層。
26.如權(quán)利要求25所述的接觸窗開口的形成方法，其中該第一蝕刻步驟的溫度低于該第二蝕刻步驟的溫度。
27.如權(quán)利要求26所述的接觸窗開口的形成方法，其中該第一蝕刻步驟的溫度低于該第二蝕刻步驟的溫度5-20℃。
28.如權(quán)利要求25所述的接觸窗開口的形成方法，其中該第一蝕刻步驟的溫度范圍包括在0℃～30℃之間。
29.如權(quán)利要求25所述的接觸窗開口的形成方法，其中該第二蝕刻步驟的溫度范圍包括在30℃～50℃之間。
30.如權(quán)利要求25所述的接觸窗開口的形成方法，還包括在該第一蝕刻步驟中使用一第一含氟的烴類化合物，在該第二蝕刻步驟中使用一第二含氟的烴類化合物。
31.如權(quán)利要求30所述的接觸窗開口的形成方法，其中該第一含氟的烴類化合物包括四氟甲烷。
32.如權(quán)利要求31所述的接觸窗開口的形成方法，在該第一蝕刻步驟中，所使用的蝕刻氣體還包括八氟丁烯及六氟丁炔的混合氣體。
33.如權(quán)利要求30所述的接觸窗開口的形成方法，其中該第二蝕刻步驟包括一主蝕刻步驟及一過度蝕刻步驟。
34.如權(quán)利要求33所述的接觸窗開口的形成方法，其中該主蝕刻步驟所使用的該第二含氟的烴類化合物包括三氟甲烷、二氟甲烷。
35.如權(quán)利要求34所述的接觸窗開口的形成方法，其中該主蝕刻步驟所使用的蝕刻氣體還包括一氟甲烷。
36.如權(quán)利要求33所述的接觸窗開口的形成方法，其中該過度蝕刻步驟所使用的該第二含氟的烴類化合物包括六氟丁炔、八氟戊炔或八氟丁烯。
37.如權(quán)利要求36所述的接觸窗開口的形成方法，其中該過度蝕刻步驟所使用的蝕刻氣體還包括氧或氬。
38.如權(quán)利要求25所述的接觸窗開口的形成方法，其中該第一蝕刻步驟與該第二蝕刻步驟在不同的反應(yīng)腔室中進行。
39.如權(quán)利要求25所述的接觸窗開口的形成方法，包括在進行該第一蝕刻步驟的過程中，會于該圖案化光致抗蝕劑層的側(cè)壁上形成一聚合物間隙壁。
40.如權(quán)利要求25所述的接觸窗開口的形成方法，還包括于形成該介電層之前，于該導(dǎo)電區(qū)上形成一金屬硅化物。
41.如權(quán)利要求40所述的接觸窗開口的形成方法，其中該金屬硅化物的材料包括硅化鎳、硅化鎢或硅化鈷。
42.如權(quán)利要求25所述的接觸窗開口的形成方法，還包括于形成該介電層之前，于該基底上形成一蝕刻終止層，且在進行第二蝕刻步驟之后移除部分該蝕刻終止層。
43.如權(quán)利要求25所述的接觸窗開口的形成方法，還包括于形成該抗反射層之前，于該介電層上形成一硬掩模層，且于該第一蝕刻步驟中移除部分該硬掩模層。
全文摘要
一種蝕刻方法，包括第一蝕刻步驟與第二蝕刻步驟，此二蝕刻步驟使用不同的反應(yīng)溫度，且第二蝕刻步驟的反應(yīng)溫度高于第一蝕刻步驟的反應(yīng)溫度。藉此，可利用較大的顯影后的關(guān)鍵尺寸形成較小的蝕刻后的關(guān)鍵尺寸。
文檔編號H01L21/28GK1885495SQ200510079419
公開日2006年12月27日 申請日期2005年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月21日
發(fā)明者周珮玉, 廖俊雄 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司