專利名稱：顯示裝置的制造方法和顯示裝置的制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過(guò)蝕刻，在形成于構(gòu)成顯示裝置的絕緣性基板表面的絕緣膜上形成接觸孔的制造方法和制造裝置。
背景技術(shù)：
顯示裝置的形成方法為首先，在玻璃基板等絕緣性基板的表面上形成柵極電極布線和柵極電極后，形成柵極絕緣層和半導(dǎo)體層，然后形成源極電極布線、源極電極和漏極電極，從而形成完整的TFT(薄膜晶體管)；其次，形成用于保護(hù)TFT的、由氮化硅膜等構(gòu)成的鈍化膜；然后，形成由透明樹(shù)脂構(gòu)成的層間絕緣膜，并在鈍化膜和層間絕緣膜上形成接觸孔；最后，在層間絕緣膜上形成像素電極，形成TFT陣列。另外，像素電極經(jīng)形成于鈍化膜和層間絕緣膜上的接觸孔電氣連接在漏極電極。
然而，在絕緣膜上形成接觸孔的工序中，會(huì)發(fā)生以下的問(wèn)題。目前，形成接觸孔的工序通常使用所謂干法蝕刻，即通過(guò)在一對(duì)電極間施加電壓以在兩個(gè)電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)，從而使配置于一個(gè)電極上的蝕刻對(duì)象的絕緣性基板上產(chǎn)生等離子體并進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻。另外，當(dāng)在氮化硅膜或氧化硅膜等絕緣膜上形成接觸孔時(shí)，通常使用含有可穩(wěn)定地進(jìn)行高精度蝕刻的氟元素的蝕刻氣體。干法蝕刻裝置的電極材料通常多使用鋁合金作為母材，其原因是成本低、易加工、重量輕、可通過(guò)陽(yáng)極氧化而在表面形成耐酸鋁。再者，為了提高蝕刻的一致性，電極形成得比蝕刻對(duì)象的絕緣性基板大。
在這種實(shí)施干法蝕刻的顯示裝置的制造裝置中，接觸孔的蝕刻會(huì)導(dǎo)致未設(shè)置絕緣性基板而露出的(突出的)下部電極的表面暴露于等離子體，使電極的鋁成分與蝕刻氣體的氟元素反應(yīng)生成不揮發(fā)性的氟化鋁等不揮發(fā)性反應(yīng)生成物，并附著在絕緣性基板的表面和周?chē)?。在蝕刻中，如果該不揮發(fā)性反應(yīng)生成物附著在絕緣性基板的接觸孔側(cè)面的鈍化膜、接觸孔底面所露出的金屬膜、或者層間絕緣膜上，則在蝕刻時(shí)將成為掩模，從而在膜的表面產(chǎn)生粗糙(凹凸部)。當(dāng)表面粗糙時(shí)，會(huì)由于在形成像素電極時(shí)發(fā)生覆蓋不良，造成斷線，顯示不良的問(wèn)題。
圖7為現(xiàn)有的顯示裝置的接觸孔形成工序的剖面圖。圖7是在絕緣性基板3上形成柵極布線15，形成作為覆蓋該柵極布線的柵極絕緣膜的第1絕緣膜16，然后形成源極布線17。進(jìn)而，在形成作為鈍化膜的第2絕緣膜18之后，形成由透明樹(shù)脂構(gòu)成的層間絕緣膜19。圖7(a)為蝕刻接觸孔之前的剖面圖；圖7(b)為蝕刻過(guò)程中的剖面圖；圖7(c)為蝕刻完成后的剖面圖；圖7(d)為濕法藥液處理后的剖面圖。如圖7所示，由于在蝕刻中散播的電極的氟化鋁等不揮發(fā)性反應(yīng)生成物20，層間絕緣膜19、第2絕緣膜18和源極布線17、以及層間絕緣膜19、第2絕緣膜18、第1絕緣膜16和柵極布線15的表面上會(huì)形成凹凸部21。在此狀態(tài)下，在隨后的工序中形成像素電極時(shí)，會(huì)發(fā)生由于覆蓋不良而造成斷線的問(wèn)題。為解決此類(lèi)問(wèn)題，必須提高蝕刻的一致性，并防止不揮發(fā)性反應(yīng)物的附著。
為解決上述問(wèn)題，現(xiàn)有的構(gòu)成顯示裝置的絕緣性基板的制造方法和制造裝置為在向一對(duì)電極間施加電壓使兩電極間產(chǎn)生電場(chǎng)，從而使配置于一個(gè)電極上的蝕刻對(duì)象的絕緣性基板上產(chǎn)生等離子體并進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻的方法中，在基板配置側(cè)的電極上配置覆蓋該整個(gè)電極的絕緣體，并將所述絕緣性基板配置在形成于該絕緣體表面的凹部以便使上述絕緣性基板的表面與絕緣體的表面位于同一平面內(nèi)，并使作為蝕刻樣品的整個(gè)絕緣性基板上的蝕刻速率保持一致，同時(shí)防止反應(yīng)生成物附著在絕緣性基板上(例如，參考專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1特開(kāi)平5-129242號(hào)公報(bào)(參見(jiàn)圖1)但是，在上述現(xiàn)有的顯示裝置的制造方法和制造裝置中，由于在基板配置側(cè)的電極上配置覆蓋該整個(gè)電極的絕緣體，并將上述絕緣性基板配置在形成于該絕緣體表面的凹部以便使上述絕緣性基板的表面與絕緣體的表面位于同一平面內(nèi)，因此，必須形成具有與絕緣性基板的厚度相同的高度、且可以容納該絕緣性基板的凹部，故存在絕緣體的加工較為復(fù)雜的問(wèn)題。另外，在反復(fù)進(jìn)行蝕刻的情況下，設(shè)定在同一平面的絕緣體的表面也會(huì)被蝕刻而低于絕緣性基板的表面，從而造成難以保持蝕刻速率的一致性的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于，提供一種在形成于構(gòu)成顯示裝置的絕緣性基板表面的絕緣膜上形成接觸孔時(shí)，防止設(shè)置于上述絕緣性基板上的層間絕緣膜、絕緣膜、柵極布線和源極布線的表面粗糙、并可進(jìn)行均勻蝕刻的顯示裝置的制造方法和制造裝置。
本發(fā)明涉及一種顯示裝置的制造方法，至少包括在絕緣性基板表面上形成金屬圖案的工序；在上述金屬圖案上形成絕緣膜的工序；在上述絕緣膜上形成感光性樹(shù)脂圖案的工序；和以上述感光性樹(shù)脂膜為掩模，在上述絕緣膜上形成接觸孔的工序，其特征在于，上述接觸孔的形成方法涉及在相對(duì)置的一對(duì)電極間，至少在表面上含有鋁的一個(gè)電極上配置絕緣性基板后，使上述一對(duì)電極間產(chǎn)生電場(chǎng)的干法蝕刻方法，包括在上述一個(gè)電極上，包圍配置了上述絕緣性基板的區(qū)域的外周部以被絕緣材料覆蓋的狀態(tài)，在上述絕緣膜上形成接觸孔的工序。
根據(jù)本發(fā)明，能夠通過(guò)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，高效且良好地對(duì)形成在構(gòu)成顯示裝置的絕緣性基板表面上的絕緣膜進(jìn)行蝕刻。


圖1為本發(fā)明的實(shí)施方式1的顯示裝置的制造裝置的概要圖。
圖2為本發(fā)明的實(shí)施方式2的顯示裝置的制造裝置的概要圖。
圖3為本發(fā)明的實(shí)施方式2的顯示裝置的制造裝置的概要圖。
圖4為本發(fā)明的實(shí)施方式2的顯示裝置的制造裝置的概要圖。
圖5為本發(fā)明的實(shí)施方式3的顯示裝置的制造裝置的概要圖。
圖6為本發(fā)明的實(shí)施方式4的顯示裝置的制造裝置的概要圖。
圖7為現(xiàn)有的顯示裝置的剖面圖。
圖8為本發(fā)明的顯示裝置的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施方式1根據(jù)圖1，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1進(jìn)行說(shuō)明。圖1為說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式1的構(gòu)成顯示裝置的絕緣性基板的制造方法和制造裝置的圖。圖1為產(chǎn)生等離子體并進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻的干法蝕刻裝置的概要圖，在上部電極1和下部電極2之間產(chǎn)生電場(chǎng)，并對(duì)在配置于下部電極2上的絕緣性基板3的表面上形成的絕緣膜進(jìn)行干法蝕刻。下部電極2至少在其表面含有鋁。在本實(shí)施方式中，形成于絕緣性基板3上的金屬圖案從Mo、Ta、W、Ti、或者其合金中選擇，在該金屬圖案上形成有絕緣膜。在下部電極2的表面上，在設(shè)置了絕緣性基板的外周部配置有絕緣材料4。絕緣材料4選擇不含鋁的陶瓷材料或者石英、SiC、具有抗等離子體性的聚酰亞胺等難以與等離子體發(fā)生反應(yīng)的材料。在圖1中，配置該絕緣材料4的區(qū)域的寬度W形成為從下部電極2的表面的、設(shè)置了上述絕緣性基板3的外周部到下部電極2的外周部，但也可以具有下述程度的寬度，即在干法蝕刻時(shí)設(shè)置了絕緣性基板3的外周部的下部電極的不揮發(fā)性反應(yīng)生成物20無(wú)法散播到絕緣性基板上。而且，在圖1中，緩沖板5是為了穩(wěn)定蝕刻室6內(nèi)的蝕刻氣體的氣流7，保證絕緣性基板3的蝕刻一致性而設(shè)置的。該緩沖板5優(yōu)選采用絕緣材料形成。
如上所述，在本實(shí)施方式1中，在下部電極2的表面，以在設(shè)置了絕緣性基板3的外周部配置了絕緣材料4的狀態(tài)進(jìn)行蝕刻，從而在蝕刻時(shí)可以使下部電極2不暴露于等離子體，并可以防止鋁成分從下部電極2散播出來(lái)。據(jù)此，在采用可用氟元素系氣體(CF4、CHF3、CH2F2、C4F8、C5F6等)進(jìn)行干法蝕刻的Mo、Ta、W、Ti、或其合金形成了金屬圖案的絕緣性基板的接觸孔的形成中，也可以抑制蝕刻室內(nèi)氟化鋁的產(chǎn)生，避免由氟化鋁所引起的塵?；蛭g刻形狀異常，從而如圖8所示，不會(huì)在源極布線17、第2絕緣膜18、和層間絕緣膜19上形成凹凸部，而能夠獲得良好的蝕刻。
實(shí)施方式2根據(jù)圖2～圖4，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2進(jìn)行說(shuō)明。圖2～圖4為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的構(gòu)成顯示裝置的絕緣性基板的制造方法和制造裝置的圖。與實(shí)施方式1相同，圖2～圖4為產(chǎn)生等離子體并進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻的干法蝕刻裝置的概要圖，在上部電極1和下部電極2之間產(chǎn)生電場(chǎng)，對(duì)在設(shè)置于下部電極2上的絕緣性基板3的表面上形成的絕緣膜進(jìn)行干法蝕刻。
在圖2～圖4中，與圖1相同的構(gòu)成部分采用同一符號(hào)表示，并對(duì)差異部分進(jìn)行說(shuō)明。如圖2所示，在下部電極2上，安裝有從絕緣性基板表面上方覆蓋設(shè)置了絕緣性基板3的外周部的外罩8。該外罩8選擇不含鋁的陶瓷材料或者石英、SiC、具有抗等離子體性的聚酰亞胺等難以與等離子體發(fā)生反應(yīng)的材料。而且，在該外罩8的下部電極表面上的部位，可優(yōu)選通過(guò)升降機(jī)構(gòu)9來(lái)調(diào)節(jié)上下方向的高度，下部電極2的表面通常使用含有鋁的材料。
根據(jù)這一結(jié)構(gòu)，在蝕刻時(shí)可以使下部電極2不暴露于等離子體進(jìn)行蝕刻，從而可以防止鋁成分從下部電極2散播出來(lái)。據(jù)此，可以抑制蝕刻室內(nèi)氟化鋁的產(chǎn)生，避免由氟化鋁所引起的塵?；蛭g刻形狀異常。另外，由于絕緣材料的外罩可如上述那樣，在上下方向上進(jìn)行位置調(diào)整，因此可通過(guò)調(diào)整、控制所施加的電壓和該外罩的位置以控制Vpp等的等離子體參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)高精度蝕刻。
另外，可以抑制蝕刻時(shí)下部電極的不揮發(fā)性反應(yīng)生成物的散播。此外，雖然在絕緣性基板的蝕刻時(shí)，絕緣外罩也會(huì)因被蝕刻而尺寸逐漸減小，但由于其高度如上所述是可以調(diào)整的，因此可以將外罩相對(duì)于絕緣性基板設(shè)置在適當(dāng)?shù)囊?guī)定位置，從而實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、高精度的蝕刻。
圖3為在圖2的基礎(chǔ)上，在外罩8上接近絕緣性基板3的部位設(shè)置突起部10，并且在下部電極2上配置與該突起部10嵌合的溝槽11。該溝槽11被配置為在下部電極2上包圍絕緣性基板3的外周部。這樣，通過(guò)使形成于外罩8上的突起部10與下部電極的溝槽11相嵌合，控制可調(diào)整上下位置的外罩8，從而在上述圖2所示結(jié)構(gòu)的效果的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步消除外罩8與下部電極2之間積累的不揮發(fā)性反應(yīng)生成物所引起的塵埃、以及外罩8與下部電極2之間的異常放電，實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量、更高精度的蝕刻。
圖4為在圖2的基礎(chǔ)上，外罩8的柄部穿過(guò)形成于下部電極2的孔，并且下部電極2的絕緣性基板3的外周部具有可容納外罩8的缺口部12。通過(guò)該結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)與上述圖2、圖3同樣的效果。而且，在圖4的情況下，由于柄可以形成于外罩部的大致中心的部位，因此，即使外罩上覆蓋下部電極的部分的厚度增大，也可以保證外罩不彎曲，確保其強(qiáng)度，并且當(dāng)因蝕刻導(dǎo)致外罩厚度減小時(shí)，通過(guò)由升降機(jī)構(gòu)9調(diào)整該外罩的位置，可以使一個(gè)外罩的使用時(shí)間更長(zhǎng)，從而提高生產(chǎn)能力。
實(shí)施方式3根據(jù)圖5，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式3進(jìn)行說(shuō)明。圖5為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式3的構(gòu)成顯示裝置的絕緣性基板的制造方法和制造裝置的圖。與實(shí)施方式1、2相同，圖5為產(chǎn)生等離子體并進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻的干法蝕刻裝置的概要圖，在上部電極1和下部電極2之間產(chǎn)生電場(chǎng)，對(duì)在設(shè)置于下部電極2上的絕緣性基板3的表面上形成的絕緣膜進(jìn)行干法蝕刻。
在圖5中，與圖1～圖4相同的構(gòu)成部分用同一符號(hào)表示，并對(duì)差異部分進(jìn)行說(shuō)明。如圖5所示，在下部電極2上，在設(shè)置了絕緣性基板3的外周部配置了由絕緣材料構(gòu)成的薄膜13。根據(jù)這一結(jié)構(gòu)，通過(guò)粘貼低成本的薄膜，在蝕刻時(shí)可以使鋁合金的下部電極不暴露于等離子體，并能夠防止鋁成分從下部電極散播出來(lái)。據(jù)此，通過(guò)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，就可以抑制蝕刻室內(nèi)氟化鋁的產(chǎn)生，避免由氟化鋁所引起的塵?；蛭g刻形狀異常。而且，當(dāng)由于薄膜的缺陷或損耗等而更換新薄膜時(shí)，可以容易地剝離和粘貼，提高可操作性。在此，構(gòu)成薄膜的絕緣材料選擇不含鋁的陶瓷材料或者石英、SiC、具有抗等離子體性的聚酰亞胺等難以與等離子體發(fā)生反應(yīng)的材料，因而可實(shí)現(xiàn)可靠性較高的蝕刻。
實(shí)施方式4根據(jù)圖6，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式4進(jìn)行說(shuō)明。圖6為說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式4的構(gòu)成顯示裝置的絕緣性基板的制造方法和制造裝置的圖。與實(shí)施方式1～3相同，圖6為產(chǎn)生等離子體并進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻的干法蝕刻裝置的概要圖，在上部電極1和下部電極2之間產(chǎn)生電場(chǎng)，對(duì)在設(shè)置于下部電極2上的絕緣性基板3的表面上形成的絕緣膜進(jìn)行干法蝕刻。
在圖6中，與圖1～圖5相同的構(gòu)成部分用同一符號(hào)表示，并對(duì)差異部分進(jìn)行說(shuō)明。如圖6所示，在下部電極2上，將用于穩(wěn)定蝕刻室6內(nèi)的氣流并保證絕緣性基板3上的一致性而設(shè)置的緩沖板5延伸到設(shè)置了絕緣性基板3的外周部，形成了緩沖板的延長(zhǎng)部14。雖然在圖6中，在下部電極2的配置了絕緣性基板的區(qū)域以外的外周部設(shè)有缺口部，緩沖板的延長(zhǎng)部14配置于該缺口部，但下部電極也可以不設(shè)置缺口部，而配置為從下部電極的表面?zhèn)冗M(jìn)行覆蓋。緩沖板的延長(zhǎng)部14的材料優(yōu)選不含鋁的陶瓷材料或者石英、SiC、具有抗等離子體性的聚酰亞胺等難以與等離子體發(fā)生反應(yīng)的材料。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以防止在緩沖板與絕緣材料的間隙積累的不揮發(fā)性反應(yīng)生成物所引起的塵埃，故能夠抑制蝕刻不良的發(fā)生。
上述實(shí)施方式1～4示出了顯示裝置的制造方法和制造裝置，作為顯示裝置，可適用于例如液晶或者電致發(fā)光(EL)元件等在絕緣膜上形成有接觸孔的使用了絕緣性基板的各種顯示裝置。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置的制造方法，至少包括在絕緣性基板表面形成金屬圖案的工序；在所述金屬圖案上形成絕緣膜的工序；在所述絕緣膜上形成感光性樹(shù)脂圖案的工序；和以所述感光性樹(shù)脂膜為掩模，在所述絕緣膜上形成接觸孔的工序，其特征在于所述接觸孔的形成方法是一種在相對(duì)置的一對(duì)電極間，至少在表面上含有鋁的一個(gè)電極上設(shè)置了絕緣性基板后，使所述一對(duì)電極間產(chǎn)生電場(chǎng)的干法蝕刻方法，并且包括如下工序在所述一個(gè)電極上，包圍設(shè)置了所述絕緣性基板的區(qū)域的外周部，在被絕緣材料覆蓋的狀態(tài)下，在所述絕緣膜上形成接觸孔。
2.權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于在所述一個(gè)電極上，為了對(duì)包圍設(shè)置了所述絕緣性基板的區(qū)域的外周部進(jìn)行覆蓋而配置的絕緣材料含有石英、SiC或者聚酰亞胺。
3.一種顯示裝置的制造方法，至少包括在絕緣性基板表面形成金屬圖案的工序；在所述金屬圖案上形成絕緣膜的工序；在所述絕緣膜上形成感光性樹(shù)脂圖案的工序；和以所述感光性樹(shù)脂膜為掩模，在所述絕緣膜上形成接觸孔的工序，其特征在于所述接觸孔的形成方法是這樣一種方法，即在相對(duì)置的一對(duì)電極間，在所述電極中的一個(gè)電極上設(shè)置了絕緣性基板后，通過(guò)在所述一對(duì)電極間施加電壓使兩電極間產(chǎn)生電場(chǎng)，從而在形成于所述絕緣性基板的表面的絕緣膜上形成接觸孔，包括如下工序在所述一個(gè)電極上，通過(guò)由絕緣材料形成的外罩，從所述絕緣性基板的表面上方覆蓋設(shè)置了所述絕緣性基板的區(qū)域的外周部，在該狀態(tài)下，在所述絕緣膜上形成接觸孔。
4.權(quán)利要求3所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于由所述絕緣材料形成的外罩的上下方向的位置是可調(diào)整的。
5.權(quán)利要求3或4所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于所述絕緣材料包括石英、SiC、或者聚酰亞胺。
6.一種顯示裝置的制造方法，至少包括在絕緣性基板表面形成金屬圖案的工序；在所述金屬圖案上形成絕緣膜的工序；在所述絕緣膜上形成感光性樹(shù)脂圖案的工序；以及以所述感光性樹(shù)脂膜為掩模，在所述絕緣膜上形成接觸孔的工序，其特征在于所述接觸孔的形成方法是這樣一種方法，即在相對(duì)置的一對(duì)電極間，在所示電極中的一個(gè)電極上設(shè)置了絕緣性基板后，通過(guò)在所述一對(duì)電極間施加電壓使兩電極間產(chǎn)生電場(chǎng)，從而在形成于所述絕緣性基板的表面的絕緣膜上形成接觸孔，包括如下工序在所述一個(gè)電極上，在設(shè)置了所述絕緣性基板的區(qū)域的外周部配置了由絕緣材料形成的薄膜，在該狀態(tài)下，在所述絕緣膜上形成接觸孔。
7.權(quán)利要求6所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于所述薄膜包括石英、SiC、或者聚酰亞胺。
8.一種顯示裝置的制造方法，至少包括在絕緣性基板表面上形成金屬圖案的工序；在所述金屬圖案上形成絕緣膜的工序；在所述絕緣膜上形成感光性樹(shù)脂圖案的工序；和以所述感光性樹(shù)脂膜為掩模，在所述絕緣膜上形成接觸孔的工序，其特征在于所述接觸孔的形成方法是這樣一種方法，即在相對(duì)置的一對(duì)電極間，在所述電極中的一個(gè)電極上設(shè)置了絕緣性基板后，通過(guò)在所述一對(duì)電極間施加電壓使兩電極間產(chǎn)生電場(chǎng)，并且在所述電極的周?chē)渲糜山^緣材料形成的緩沖板以控制蝕刻室內(nèi)的氣流，并在形成于所述絕緣性基板的表面的絕緣膜上形成接觸孔，所述緩沖板延伸至與所述一個(gè)電極相重疊的位置，并包括如下工序在所述一個(gè)電極上，所述緩沖板的延長(zhǎng)部從所述絕緣性基板的表面上方覆蓋設(shè)置了所述絕緣性基板的區(qū)域的外周部，在該狀態(tài)下，在所述絕緣膜上形成接觸孔。
9.權(quán)利要求8所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于所述緩沖板包括石英、SiC、或者聚酰亞胺。
10.權(quán)利要求1～9中任意一項(xiàng)所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于所述一個(gè)電極至少在其表面含有鋁。
11.權(quán)利要求1～9中任意一項(xiàng)所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于所述金屬圖案從Mo、Ta、W、Ti、或者其合金中選擇。
12.權(quán)利要求1～9中任意一項(xiàng)所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于所述干法蝕刻的氣體是含氟氣體。
13.一種顯示裝置的制造裝置，在相對(duì)置的一對(duì)電極間，在所述電極中的一個(gè)電極上設(shè)置了絕緣性基板后，通過(guò)在所述一對(duì)電極間施加電壓使兩電極間產(chǎn)生電場(chǎng)，從而在形成于所述絕緣性基板表面的絕緣膜上形成接觸孔，其特征在于在所述一個(gè)電極上具有從所述絕緣性基板的表面上方覆蓋設(shè)置了所述絕緣性基板的區(qū)域的外周部的、由絕緣材料形成的的外罩，所述外罩的上下方向的位置是可調(diào)整的。
14.一種顯示裝置的制造裝置，在相對(duì)置的一對(duì)電極間，在所述電極中的一個(gè)電極上設(shè)置了絕緣性基板后，通過(guò)在所述一對(duì)電極間施加電壓使兩電極間產(chǎn)生電場(chǎng)，從而在形成于所述絕緣性基板表面的絕緣膜上形成接觸孔，其特征在于在所述一個(gè)電極上，在設(shè)置了所述絕緣性基板的區(qū)域的外周部配置了由絕緣材料形成的薄膜。
15.一種顯示裝置的制造裝置，在相對(duì)置的一對(duì)電極間，在所述電極中的一個(gè)電極上設(shè)置了絕緣性基板后，在所述一對(duì)電極間施加電壓使兩電極間產(chǎn)生電場(chǎng)，通過(guò)配置在所述電極的周?chē)矣山^緣材料形成的緩沖板來(lái)控制蝕刻室內(nèi)的氣流，并在形成于所述絕緣性基板表面的絕緣膜上形成接觸孔，其特征在于所述緩沖板延伸至與所述一個(gè)電極相重疊的位置，在所述一個(gè)電極上，所述緩沖板的延長(zhǎng)部從所述絕緣性基板的表面上方覆蓋設(shè)置了所述絕緣性基板的區(qū)域的外周部。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種可以保持蝕刻的一致性并進(jìn)行高可靠性蝕刻的顯示裝置的制造方法和制造裝置。在本發(fā)明的顯示裝置的制造方法中，在一對(duì)電極間產(chǎn)生電場(chǎng)，在至少在表面含有鋁的下部電極(2)上的絕緣性基板(3)的表面所形成的絕緣膜上形成接觸孔，其特征在于，包括在上述下部電極(2)上，包圍設(shè)置了上述絕緣性基板(3)的區(qū)域的外周部被絕緣材料所覆蓋，在該狀態(tài)下，在上述絕緣膜上形成接觸孔的工序。
文檔編號(hào)H01L21/84GK1722451SQ200510084430
公開(kāi)日2006年1月18日 申請(qǐng)日期2005年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月15日
發(fā)明者日野輝重, 田上和昭, 柴田英次, 小田拓嗣 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社